CN116583742A - 实时散射叠加计量目标 - Google Patents
实时散射叠加计量目标 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116583742A CN116583742A CN202180081102.9A CN202180081102A CN116583742A CN 116583742 A CN116583742 A CN 116583742A CN 202180081102 A CN202180081102 A CN 202180081102A CN 116583742 A CN116583742 A CN 116583742A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pattern elements
- metrology
- sample
- overlay
- formed along
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 131
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 96
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 71
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 claims 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 38
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 16
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 2
- 238000013442 quality metrics Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
- G01B11/27—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
- G01B11/272—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes using photoelectric detection means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70681—Metrology strategies
- G03F7/70683—Mark designs
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
根据本公开的一或多个实施例,公开一种计量目标。所述计量目标包含具有第一节距的第一组图案元素,其中所述第一组图案元素包含分段图案元素。所述计量目标包含具有第二节距的第二组图案元素,其中所述第二组图案元素包含分段图案元素。所述计量目标包含具有第三节距的第三组图案元素,其中所述第三组图案元素包含分段图案元素。
Description
技术领域
本公开大体上涉及叠加计量,且更特定来说涉及实时散射叠加计量。
背景技术
叠加计量目标通常经设计以通过特性化具有定位于所关注样本层上的目标特征的叠加目标而提供关于样本的多个层的对准的诊断信息。此外,通常通过汇总在跨样本的各个位置处的多个叠加目标的叠加测量而确定多个层的叠加对准。一些叠加计量目标(例如,散射叠加(SCOL)计量目标)包含经配置以产生可经分析以确定计量测量的衍射图案的周期性结构。通过沿着周期性结构的测量方向(例如,垂直于光栅的元件)照明周期性结构而产生衍射图案。典型SCOL计量目标包含多个单元内所含的周期性结构,其中周期性结构经配置用于沿着至少两个测量方向的照明。然而,含有多个单元的典型SCOL计量目标占用样本的较大表面积,且当与具有经配置用于沿着单个测量方向的计量测量的单元的SCOL计量目标相比时,使用此类目标进行的计量测量需要更多时间。
因此,具有具备经配置以沿着单个测量方向进行计量测量的单元的SCOL计量目标将为有利的。
发明内容
根据本公开的一或多个实施例,公开一种计量目标。在一个实施例中,所述计量目标包含第一单元。在另一实施例中,所述第一单元包含沿着第一测量方向形成的第一组图案元素的第一部分,其中所述第一组图案元素包括具有第一节距的分段图案元素。在另一实施例中,所述计量目标包含沿着所述第一测量方向形成的第二组图案元素的第一部分,其中所述第二组图案元素包括具有第二节距的分段图案元素。在另一实施例中,所述计量目标包含沿着所述第一测量方向形成的第三组图案元素的第一部分,其中所述第三组图案元素包括具有第三节距的分段图案元素。
根据本公开的一或多个实施例,公开一种系统。在一个实施例中,所述系统包含一或多个控制器,所述一或多个控制器具有通信地耦合到一或多个计量子系统的一或多个处理器,其中所述一或多个处理器经配置以执行维持于存储器中的一组程序指令,其中所述一组程序指令经配置以致使所述一或多个处理器:从所述一或多个计量子系统接收指示从样本的一或多个计量目标的第一组图案元素、第二组图案元素及第三组图案元素发出的照明的一或多个信号,其中所述样本的所述一或多个计量目标包括:第一单元,所述第一单元包括沿着第一测量方向形成的第一组图案元素的第一部分,其中所述第一组图案元素包括具有第一节距的分段图案元素;沿着所述第一测量方向形成的第二组图案元素的第一部分,其中所述第二组图案元素包括具有第二节距的分段图案元素;及沿着所述第一测量方向形成的第三组图案元素的第一部分,其中所述第三组图案元素包括具有第三节距的分段图案元素;基于所述第一组图案元素获取第一叠加测量;基于所述第二组图案元素获取第二叠加测量;基于所述第三组图案元素获取第三叠加测量;及基于所述第一叠加测量、所述第二叠加测量或所述第三叠加测量中的至少两者确定叠加误差。
根据本公开的一或多个实施例,公开一种测量叠加的方法。在一个实施例中,所述方法包含照明具有一或多个计量目标的样本。在另一实施例中,所述方法包含检测指示从所述样本的所述一或多个计量目标的第一组图案元素、第二组图案元素及第三组图案元素发出的照明的一或多个信号,其中所述样本的所述一或多个计量目标包括:第一单元,所述第一单元包括沿着第一测量方向形成的第一组图案元素的第一部分,其中所述第一组图案元素包括具有第一节距的分段图案元素;沿着所述第一测量方向形成的第二组图案元素的第一部分,其中所述第二组图案元素包括具有第二节距的分段图案元素;及沿着所述第一测量方向形成的第三组图案元素的第一部分,其中所述第三组图案元素包括具有第三节距的分段图案元素。在另一实施例中,所述方法包含基于指示从所述第一组图案元素发出的照明的所述一或多个信号获取第一叠加测量。在另一实施例中,所述方法包含基于指示从所述第二组图案元素发出的照明的所述一或多个信号获取第二叠加测量。在另一实施例中,所述方法包含基于指示从所述第三组图案元素发出的照明的所述一或多个信号获取第三叠加测量。在另一实施例中,所述方法包含基于所述第一叠加测量、所述第二叠加测量或所述第三叠加测量中的至少一者确定叠加误差。
根据本公开的一或多个实施例,公开一种形成计量目标的方法。在一个实施例中,所述方法包含形成第一单元,所述第一单元包括沿着第一测量方向形成的第一组图案元素的第一部分,其中所述第一组图案元素包括具有第一节距的分段图案元素;沿着所述第一测量方向形成的第二组图案元素的第一部分,其中所述第二组图案元素包括具有第二节距的分段图案元素;及沿着所述第一测量方向形成的第三组图案元素的第一部分,其中所述第三组图案元素包括具有第三节距的分段图案元素。
附图说明
所属领域的技术人员通过参考附图可更好理解本公开的许多优点。
图1A是根据本公开的一或多个实施例的计量目标的俯视图。
图1B是根据本公开的一或多个实施例的计量目标的俯视图。
图1C是根据本公开的一或多个实施例的计量目标的俯视图。
图1D是根据本公开的一或多个实施例的计量目标的侧视图。
图2是根据本公开的一或多个实施例的计量系统的概念视图。
图3说明根据本公开的一或多个实施例的计量子系统的概念视图。
图4是描绘根据本公开的一或多个实施例的测量样本的叠加的方法的步骤的过程流程图。
图5是描绘根据本公开的一或多个实施例的形成计量目标的方法的步骤的工艺流程图。
具体实施方式
半导体装置可形成为衬底上的经图案化材料的多个经印刷层。每一经印刷层可通过一系列工艺步骤(例如(但不限于)一或多个材料沉积步骤、一或多个光刻步骤或一或多个蚀刻步骤)制造。在一些制造工艺中,可使用一或多种光致抗蚀剂材料形成经印刷层。例如,可将光致抗蚀剂材料沉积到衬底上。接着,可使光致抗蚀剂材料暴露于照明,其中照明在光致抗蚀剂材料上产生潜在目标图案。接着,可将潜在目标图案(或由潜在目标图案形成的经显影目标图案)用作用于经配置以在衬底上形成用于在叠加及/或计量应用中使用的最终目标图案的一或多个光刻及/或一或多个蚀刻步骤的图案。在其它制造工艺中,使光致抗蚀剂材料暴露于照明以在光致抗蚀剂材料上产生潜在目标图案,且在叠加及/或计量应用中使用潜在目标图案(或由潜在目标图案形成的经显影目标图案)。
在制造期间,每一经印刷层通常必须在选定公差内制造以正确地构造最终装置。例如,必须相对于先前制造的层良好地特性化及控制每一层中的经印刷元件的相对放置(例如,叠加或叠加参数)。因此,可在一或多个经印刷层上制造计量目标以实现层的叠加的高效特性化。因此,经印刷层上的叠加目标特征的偏差可表示所述层上的经印刷装置特征的经印刷特性的偏差。此外,在一个制造步骤(例如,在一或多个样本层的制造之后)测量的叠加可用于产生用于精确地对准用于在后续制造步骤中制造额外样本层的工艺工具(例如,光刻工具或类似者)的可校正量。
计量目标通常可包含经设计以提供一或多个印刷特性的准确表示的良好定义经印刷元件。在此方面,计量目标(例如,通过计量工具)的经印刷元件的经测量特性可表示与所制造的装置相关联的经印刷装置元件。此外,计量目标通常特性化为具有一或多个测量单元,其中每一单元包含在样本上的一或多个层中的经印刷元件。如此,计量测量可基于单个单元中或多个单元之间的经印刷元件的大小、定向或位置(例如,图案放置)的任何测量组合。例如,叠加计量目标的一或多个单元可包含在两个或更多个样本层上的经印刷元件,所述经印刷元件经布置使得每一层的元件的相对位置可指示特定层中的偏移误差(例如,图案放置误差(PPE))或与样本层之间的配准误差相关联的叠加误差。通过另一实例,工艺敏感计量目标可包含在单个样本层上的经印刷元件,其中经印刷元件的一或多个特性(例如,宽度或关键尺寸(CD)、侧壁角、位置或类似者)指示包含(但不限于)以下的一或多个工艺度量:在光刻步骤期间的照明剂量,或在光刻步骤期间光刻工具中的样本的焦点位置。
通常通过跨样本制造一或多个叠加目标而执行叠加计量,其中每一叠加目标包含与相关联于所制造的装置或组件的特征同时制造的所关注样本层中的特征。在此方面,在叠加目标的位置处测量的叠加误差可表示装置特征的叠加误差。因此,叠加测量可用于监测及/或控制任何数目个制造工具以根据指定公差维持装置的生产。例如,当前层相对于一个样本上的先前层的叠加测量可用作用于监测及/或缓解批次内的额外样本上的当前层的制造的偏差的反馈数据。通过另一实例,当前层相对于一个样本上的先前层的叠加测量可用作前馈数据以按考虑现有层对准的方式在相同样本上制造后续层。
叠加目标通常包含特别设计为对所关注样本层之间的叠加误差敏感的特征。接着,可通过使用叠加计量工具特性化叠加目标且应用算法以基于计量工具的输出确定样本上的叠加误差而实行叠加测量。
无关于叠加测量技术,叠加计量工具通常可根据包含用于产生叠加信号的一组测量参数的配方配置。例如,叠加计量工具的配方可包含(但不限于)照明波长、从样本发出的辐射的经检测波长、样本上的照明的光点大小、入射照明的角度、入射照明的偏光、入射照明光束在叠加目标上的位置、叠加目标在叠加计量工具的焦体积(focal volume)中的位置或类似者。因此,叠加配方可包含用于产生适用于确定两个或更多个样本层的叠加的叠加信号的一组测量参数。
叠加计量工具可利用多种技术来确定样本层的叠加。例如,基于图像的叠加计量工具可照明叠加目标(例如,先进成像计量(AIM)目标、框中框(box-in-box)计量目标或类似者)且捕捉包含定位于不同样本层上的叠加目标特征的图像的叠加信号。因此,可通过测量叠加目标特征的相对位置而确定叠加。通过另一实例,基于散射的叠加计量工具可照明叠加目标(例如,光栅上光栅计量目标或类似者)且捕捉包含从与照明光束的衍射、散射及/或反射相关联的叠加目标发出的辐射的角分布的叠加信号。因此,可基于照明光束与叠加目标的相互作用的模型确定叠加。
本文中应认知,各种叠加计量工具可用于测量叠加。例如,光学计量工具(例如,使用电磁辐射用于照明及/或检测的基于光的计量工具)可使用许多技术提供高处理量的叠加测量,例如(但不限于)确定图像中的多个层上的空间上分离的特征的相对位置,直接测量多个层上的PPE,或其中基于从多个层上的衍射光栅散射及/或衍射的光确定叠加的散射测量。为了本公开的目的,术语“光学计量工具”、“光学计量技术”及类似者指示使用任何波长(例如(但不限于)x射线波长、极紫外线(EUV)波长、真空紫外线(VUV)波长、深紫外线(DUV)波长、紫外线(UV)波长、可见光波长或红外线(IR)波长)的电磁辐射的计量工具及技术。与叠加测量相关的系统、方法及设备大体上在以下者中描述:2012年12月11日发布的标题为“叠加标记、叠加标记设计方法及叠加测量方法(OVERLAY MARKS,METHODS OF OVERLAYMARK DESIGN AND METHODS OF OVERLAY MEASUREMENTS)”的第8,330,281号美国专利;2016年10月25日发布的标题为“控制两层之间的未对准的周期性模式及技术(PERIODICPATTERNS AND TECHNIQUE TO CONTROL MISALIGNMENT BETWEEN TWO LAYERS)”的第9,476,698号美国专利;2009年6月2日发布的标题为“用于确定具有旋转或镜像对称性的结构的叠加的设备及方法(APPARATUS AND METHODS FOR DETERMINING OVERLAY OF STRUCTURESHAVING ROTATIONAL OR MIRROR SYMMETRY)”的第7,541,201号美国专利;2013年2月7日发表的标题为“用于提供用于改进工艺控制的质量度量的方法及系统(METHOD AND SYSTEMFOR PROVIDING A QUALITY METRIC FOR IMPROVED PROCESS CONTROL)”的第2013/0035888号美国专利公开案;2015年12月15日发布的标题为“扫描电子显微镜叠加计量的系统及方法(SYSTEM AND METHOD OF SEM OVERLAY METROLOGY)”的第9,214,317号美国专利;2020年1月7日发布的标题为“复合成像计量目标(COMPOUND IMAGING METROLOGY TARGETS)”的第10,527,951B2号美国专利;2019年1月29日发布的标题为“具有反射对称结构对的计量成像目标(METROLOGY IMAGING TARGETS HAVING REFLECTION-SYMMETRIC PAIRS OFREFLECTION-ASYMMETRIC STRUCTURES)”的第10,190,979B2号美国专利;及2016年6月27日申请的标题为“用于测量图案放置及图案大小的设备及方法及其计算机程序(APPARATUSAND METHOD FOR THE MEASUREMENT OF PATTERN PLACEMENT AND SIZE OF PATTERN ANDCOMPUTER PROGRAM THEREFOR)”的第PCT/US2016/039531号PCT申请案,全部所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。
如贯穿本公开使用,术语“样本”大体上指代由半导体或非半导体材料形成的衬底(例如,晶片或类似者)。例如,半导体或非半导体材料可包含(但不限于)单晶硅、砷化镓及磷化铟。样本可包含一或多个层。例如,此类层可包含(但不限于)抗蚀剂(包含光致抗蚀剂)、电介质材料、导电材料及半导电材料。许多不同类型的此类层在此项技术中已知,且如本文中使用的术语样本旨在涵盖其上可形成全部类型的此类层的样本。形成于样本上的一或多个层可经图案化或未经图案化。例如,样本可包含每一者具有可重复经图案化特征的多个裸片。此类材料层的形成及处理最终可导致成品装置。许多不同类型的装置可形成于样本上,且如本文中所使用的术语样本旨在涵盖在其上制造此项技术中已知的任何类型的装置的样本。此外,为了本公开的目的,术语样本及晶片应被解释为可互换的。另外,为了本公开的目的,术语图案化装置、掩模及光罩应被解释为可互换的。
图1A是根据本公开的一或多个实施例的计量目标100的俯视图。计量目标100可包含第一单元101。第一单元101可包含第一组图案元素102的第一部分102a。第一组图案元素102可与此项技术中已知的任何计量模式兼容,包含(但不限于)任何基于散射的叠加(SCOL)计量模式。在此方面,第一组图案元素102可经配置以包含用于使用基于SCOL的计量方法进行计量的周期性及/或分段结构(例如,光栅上光栅结构,或此项技术中已知的适用于衍射、散射及/或反射照明光束的任何结构)。第一组图案元素102可具有第一节距(例如,第一组图案元素102的重复参考特征之间的周期性距离)。通过另一实例,第一组图案元素102可与任何基于图像的叠加计量模式兼容,包含(但不限于)先进成像计量(AIM)模式、框中框计量模式或此项技术中已知的适用于捕捉叠加信号(例如,定位于不同样本层上的叠加目标特征的图像)的任何其它计量模式。第一组图案元素102的第一部分102a可经配置用于沿着第一测量方向的计量。例如,第一组图案元素102的第一部分102a可经配置用于沿着y方向的测量。
第一单元101可包含第二组图案元素104的第一部分104a。第二组图案元素104可沿着第一测量方向与此项技术中已知的任何计量模式兼容,包含(但不限于)任何基于散射的叠加(SCOL)计量模式。在此方面,第二组图案元素104可经配置以包含用于使用基于SCOL的计量方法进行计量的周期性及/或分段结构(例如,光栅上光栅结构,或此项技术中已知的适用于衍射、散射及/或反射照明光束的任何结构)。第二组图案元素104可具有第二节距(例如,第二组图案元素104的重复参考特征之间的周期性距离)。通过另一实例,第二组图案元素104可与任何基于图像的叠加计量模式兼容,包含(但不限于)先进成像计量(AIM)模式、框中框计量模式或此项技术中已知的适用于捕捉叠加信号(例如,定位于不同样本层上的叠加目标特征的图像)的任何其它计量模式。应具体注意,在一些实施例中,第二节距可不等效于第一节距。
第一单元101可包含第三组图案元素106的第一部分106a。第三组图案元素106可沿着第一测量方向与此项技术中已知的任何计量模式兼容,包含(但不限于)任何基于散射的叠加(SCOL)计量模式。在此方面,第三组图案元素106可经配置以包含用于使用基于SCOL的计量方法进行计量的周期性及/或分段结构(例如,光栅上光栅结构,或此项技术中已知的适用于衍射、散射及/或反射照明光束的任何结构)。第三组图案元素106可具有第三节距(例如,第三组图案元素106的重复参考特征之间的周期性距离)。通过另一实例,第三组图案元素106可与任何基于图像的叠加计量模式兼容,包含(但不限于)先进成像计量(AIM)模式、框中框计量模式或此项技术中已知的适用于捕捉叠加信号(例如,定位于不同样本层上的叠加目标特征的图像)的任何其它计量模式。第三组图案元素106可具有第三节距。应具体注意,在一些实施例中,第三节距可不等效于第一节距或第二节距中的任一者。
图1B是根据本公开的一或多个实施例的计量目标100的俯视图。计量目标100可包含第二单元103。第二单元103可包含第一组图案元素102的第二部分102b。第一组图案元素102的第二部分102b可经配置用于沿着第二测量方向的计量。例如,第一组图案元素102的第二部分102b可经配置用于沿着x方向的测量。第二单元103可包含第二组图案元素104的第二部分104b。第二组图案元素104的第二部分104b可经配置用于沿着第二测量方向的计量。第二单元103可包含第三组图案元素106的第二部分106b。第三组图案元素106的第二部分106b可经配置用于沿着第二测量方向的计量。
第一单元101及第二单元103可经形成使得第一单元101及第二单元103彼此邻近。例如,如图1B中展示,第二单元103可形成到第一单元101的侧。应注意,第一单元101及第二单元103中的每一者可经配置使得第一测量方向及第二测量方向中的每一者彼此垂直。在此方面,第一单元101及第二单元103可为四重旋转对称的。在另一实施例中,第一单元101及第二单元103可为二重旋转对称的。在一些实施例中,第一单元101及/或第二单元103的大小可允许计量目标100用于样本的小区域中。例如,在一些实施例中,计量目标100可经配置以仅包含第一单元101以便遵守关于样本的空间考虑。在其它实施例中,计量目标100可经配置以仅包含第二单元103以便遵守关于样本的空间考虑。在其它实施例中,计量目标100可经配置以包含第一单元101及第二单元103两者以便遵守关于样本的空间考虑。
在一些实施例中,如图1C及1D中展示,计量目标100可经配置以占用样本上的较小量的表面积。例如,计量目标100可经配置使得第一单元101及第二单元103形成“光栅上光栅”结构。通过另一实例,第一单元101可形成于计量目标100的第一层中,且第二单元103可形成于计量目标100的第二层中。在此方面,第二单元103可形成于第一单元101之上(例如,沿着z方向),使得第一组图案元素的第一部分102a、第二组图案元素的第一部分104a及第三组图案元素的第一部分106a可形成占用样本上的较小表面积的“光栅上光栅”结构。
应注意,计量目标100的图案元素(例如,第一单元101及/或第二单元103)可经配置使得引导到第一单元图案元素108及/或第二单元图案元素112的一或多个部分的入射辐射可由第一组图案元素102、第二组图案元素104及/或第三组图案元素106的一或多个部分衍射,且经衍射辐射可经检测且经分析(例如,通过一或多个计量子系统)以基于经衍射辐射及/或指示经衍射辐射的一或多个信号确定一或多个叠加测量。
应注意,包含(但不限于)计量目标100的组件(例如,第一单元101、第二单元103、第一组图案元素102、第二组图案元素104及/或第三组图案元素106)的本公开的实施例可经配置以减少执行叠加测量所需的时间量。例如,因为第一组图案元素的第一部分102a、第二组图案元素的第一部分104a及第三组图案元素的第一部分106a中的每一者经配置用于沿着第一测量方向的测量,所以第一单元101的配置可减少计量子系统从第一单元101的图案元素中的每一者捕捉信号所需的时间。在此方面,通过沿着第一测量方向形成第一单元101的图案元素的部分中的每一者,计量子系统可从此类图案元素捕捉信号而无需调整与测量方向相关的一或多个测量参数(即,计量子系统可相对于给定单元仅沿着一个测量方向从计量目标100接收信号)。
图2说明根据本公开的一或多个实施例的计量系统200的简化框图。在一个实施例中,计量系统200包含一或多个计量子系统202。一或多个计量子系统202可经配置以在成像模式抑或非成像模式中操作。例如,在成像模式中,个别叠加目标元件可在样本上的经照明光点内分辨(例如,作为明场图像、暗场图像、相位对比度图像或类似者的部分)。通过另一实例,一或多个计量子系统202可操作为基于散射的叠加(SCOL)计量工具,其中在光瞳面处分析来自样本的辐射以特性化来自样本的辐射的角分布(例如,与辐射由样本的散射及/或衍射相关联)。
一或多个计量子系统202可将照明引导到样本且可进一步收集从样本发出的辐射以产生适用于确定两个或更多个样本层的叠加的叠加信号。一或多个计量子系统可包含此项技术中已知的适用于产生叠加信号(其适用于确定与样本上的叠加目标相关联的叠加)的任何类型的叠加计量工具,包含(但不限于)任何光学计量工具(例如,先进成像计量(AIM)工具、先进裸片中成像计量(AIMid)工具、三重先进成像计量(三重AIM)工具及类似者)、任何基于粒子的计量工具(例如,电子束计量工具)或基于散射的叠加(SCOL)计量工具。应注意,本公开的实施例不限于仅具有一个计量子系统202的计量系统200,且计量系统200可包含至少两个计量子系统。例如,计量系统200可包含光学计量工具及基于散射的叠加(SCOL)计量工具。
一或多个计量子系统202可配置以基于定义用于获取适用于确定叠加目标的叠加的叠加信号的测量参数的任何数目个配方产生叠加信号。例如,一或多个计量子系统202的配方可包含(但不限于)照明波长、从样本发出的辐射的经检测波长、样本上的照明的光点大小、入射照明的角度、入射照明的偏光、入射光束的波平面、入射照明光束在叠加目标上的位置、叠加目标在叠加计量工具的焦体积中的位置或类似者。
在另一实施例中,叠加计量系统200包含通信地耦合到一或多个计量子系统202的控制器204。控制器204可经配置以引导一或多个计量子系统202基于一或多个选定配方产生叠加信号。控制器204可进一步经配置以从一或多个计量子系统202接收数据,包含(但不限于)叠加信号。另外,控制器204可经配置以基于经获取叠加信号确定与叠加目标相关联的叠加。
在另一实施例中,控制器204包含一或多个处理器206。例如,一或多个处理器206可经配置以执行维持于存储器装置208或存储器中的一组程序指令。控制器204的一或多个处理器206可包含此项技术中已知的任何处理元件。在此意义上,一或多个处理器206可包含经配置以执行算法及/或指令的任何微处理器型装置。此外,存储器装置208可包含此项技术中已知的适用于存储可由相关联的一或多个处理器206执行的程序指令的任何存储媒体。例如,存储器装置208可包含非暂时性存储器媒体。作为额外实例,存储器装置208可包含(但不限于)只读存储器、随机存取存储器、磁性或光学存储器装置(例如,磁盘)、磁带、固态硬盘及类似者。进一步应注意,存储器装置208可与一或多个处理器206一起容置于共同控制器外壳中。
在一个实施例中,计量子系统202可将照明引导到样本且可进一步收集从样本发出的辐射以产生适用于确定两个或更多个样本层的叠加的叠加信号。计量子系统202可配置以基于定义用于获取适用于确定叠加目标的叠加的叠加信号的测量参数的任何数目个配方产生叠加信号。例如,计量子系统202的配方可包含(但不限于)照明波长、从样本发出的辐射的经检测波长、样本上的照明的光点大小、入射照明的角度、入射照明的偏光、入射照明光束在叠加目标上的位置、叠加目标在叠加计量工具的焦体积中的位置或类似者。
在一个实施例中,如图3中展示,一或多个计量子系统202可包含光学计量子系统202,例如包含光学计量工具的计量子系统。光学计量子系统202可包含此项技术中已知的适用于产生样本的计量数据的任何类型的光学计量工具,包含(但不限于)经配置以产生及/或检测具有x射线、紫外线(UV)、红外线(IR)或可见光波长的光学照明光束的光学计量工具。通过另一实例,一或多个计量子系统202可包含先进成像计量(AIM)工具、先进裸片中成像计量(AIMid)工具或三重先进成像计量(三重AIM)工具。
在一个实施例中,一或多个计量子系统202可包含经配置以产生光学照明光束326的光学照明源324。光学照明光束326可包含一或多个选定波长的辐射,包含(但不限于)x射线、紫外(UV)光、可见光或红外(IR)光。
光学照明源324可包含适用于提供光学照明光束326的任何类型的照明源。在一个实施例中,光学照明源324是激光源。例如,光学照明源324可包含(但不限于)一或多个窄带激光源、宽带激光源、超连续激光源、白光激光源或类似者。在此方面,光学照明源324可提供具有高同调性(例如,高空间同调性及/或时间同调性)的光学照明光束326。在另一实施例中,光学照明源324包含激光持续等离子体(LSP)源。例如,光学照明源324可包含(但不限于)适用于装纳在由激光源激发成等离子体状态时可发射宽带照明的一或多个元件的LSP灯、LSP灯泡或LSP腔室。在另一实施例中,光学照明源324包含灯源。例如,光学照明源324可包含(但不限于)弧光灯、放电灯、无电极灯或类似者。在此方面,光学照明源324可提供具有低同调性(例如,低空间同调性及/或时间同调性)的光学照明光束326。
在另一实施例中,光学照明源324经由照明路径328将光学照明光束326引导到样本316。照明路径328可包含适用于修改及/或调节光学照明光束326的一或多个照明路径透镜334或额外光学组件332。例如,一或多个光学组件332可包含(但不限于)一或多个偏光器、一或多个滤光片、一或多个光束分离器、一或多个漫射体、一或多个均质器、一或多个变迹器或一或多个光束整形器。照明路径326可进一步包含经配置以将光学照明光束326引导到样本316的物镜338。
在另一实施例中,样本316安置于样本载物台318上。样本载物台318可包含适用于在一或多个计量子系统202b内定位及/或扫描样本318的任何装置。例如,样本载物台316可包含线性平移载物台、旋转载物台、翻转/倾斜载物台或类似者的任何组合。
在另一实施例中,一或多个计量子系统202包含经配置以通过集光路径330捕捉从样本316发出的光的一或多个检测器322。集光路径330可包含(但不限于)用于从样本316收集光的一或多个集光路径透镜326、340。例如,一或多个检测器322可经由一或多个集光路径透镜326、340接收从样本316反射或散射(例如,经由镜面反射、漫反射及类似者)的光。通过另一实例,一或多个检测器322可接收由样本316产生的光(例如,与光学照明光束326的吸收相关联的发光或类似者)。通过另一实例,一或多个检测器322可从样本316接收光的一或多个衍射级(例如,0级衍射、±1级衍射、±2级衍射及类似者)。
应注意,一或多个检测器322可经配置以同时捕捉从样本316的多个部分(例如第一组图案元素102、第二组图案元素104及/或第三组图案元素106)发出的光。以此方式,计量系统200可经配置使得确定叠加误差所需的时间量减少,这是因为计量系统200的操作可“实时”执行且操作不需要在每一个别叠加测量之间中断。
一或多个检测器322可包含此项技术中已知的适用于测量从样本316接收的照明的任何类型的检测器。例如,检测器322可包含(但不限于)CCD检测器、TDI检测器、光电倍增管(PMT)、雪崩光电二极管(APD)、互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器或类似者。在另一实施例中,检测器322可包含适用于识别从样本316发出的光的波长的光谱检测器。
在一个实施例中,一或多个检测器322近似法向于样本316的表面定位。在另一实施例中,一或多个计量子系统202包含经定向使得物镜338可同时将光学照明光束326引导到样本316及收集从样本316发出的光的光束分离器。此外,照明路径326及集光路径330可共享一或多个额外元件(例如,物镜338、光圈、滤光片或类似者)。
如先前描述,一或多个计量子系统202可包含通信地耦合到一或多个计量子系统202的控制器204。控制器204可经配置以引导一或多个计量子系统204基于一或多个选定配方产生叠加信号。控制器204可进一步经配置以从一或多个计量子系统202接收数据,包含(但不限于)叠加信号。另外,控制器204可经配置以基于经获取叠加信号确定与叠加目标相关联的叠加。
控制器204可经配置以基于样本的一或多个叠加测量确定样本316的叠加值。例如,控制器204可经配置以基于指示从样本316的一或多个部分(例如,第一组图案元素102、第二组图案元素104及/或第三组图案元素106)发出的照明的一或多个信号产生样本316的一或多个叠加测量。样本202的一或多个叠加测量可对应于样本316的一或多个层的叠加位置。
样本316的一或多个叠加测量可包含从第一组图案元素102、第二组图案元素104及/或第三组图案元素106发出的照明的强度的一或多个测量。例如,控制器204可经配置以确定由一或多个检测器322(及/或粒子检测器320)收集的照明的强度。通过另一实例,控制器204可经配置以在样本316以速度v移动(举例来说,例如通过载物台318的平移)时根据等式1确定从第一组图案元素102(具有节距P1)、第二组图案元素104(具有节距P2)及/或第三组图案元素106(具有节距P3)发出的照明的强度。
等式1
应注意,由控制器204使用等式1确定的强度是在具有+1衍射级的上下文中展示。应明确审慎考虑,本公开的实施例不限于此上下文,且控制器204可经配置以确定从样本316发出的具有各种衍射级(例如,-1衍射级)的照明的强度。
控制器204可经配置以进一步确定从样本316的各种部分发出的照明的强度的相对变动(例如,从第一组图案元素102及第二组图案元素104及/或第三组图案元素106发出的照明之间的强度差)。例如,控制器204可根据等式2确定从第一组图案元素102及第二组图案元素104及/或第三组图案元素106发出的照明之间的强度变动。
等式2
应注意,由控制器204使用等式2确定的强度是在具有+1衍射级的照明的上下文中展示。应明确审慎考虑,本公开的实施例不限于此上下文,且控制器104可经配置以确定从样本316发出的具有各种衍射级(例如,-1衍射级)的照明的强度。
控制器204进一步可经配置以关于从第一组图案元素102及第二组图案元素104及/或第三组图案元素106发出的照明确定相位差。例如,控制器104可根据等式3确定从第一组图案元素102及第二组图案元素104发出的照明之间的相位差(此相位差由б12表示)、从第二组图案元素104及第三组图案元素106发出的照明之间的相位差(此相位差由б23表示)及/或从第一组图案元素102及第三组图案元素106发出的照明之间的相位差(此相位差由б13表示)。
等式3
控制器104可进一步经配置以基于根据等式3运算的相位差确定样本316的两个层之间的叠加值(例如,叠加误差)。例如,控制器204可经配置以根据等式4确定样本316的第一层与样本316的第二层之间的叠加误差(例如,OVL1-2)。
等式4
控制器204的一或多个处理器206可包含此项技术中已知的任何处理器或处理元件。为了本公开的目的,术语“处理器”或“处理元件”可广泛定义为涵盖具有一或多个处理或逻辑元件的任何装置(例如,一或多个微处理器装置、一或多个专用集成电路(ASIC)装置、一或多个场可编程门阵列(FPGA)或一或多个数字信号处理器(DSP))。在此意义上,一或多个处理器206可包含经配置以执行算法及/或指令(例如,存储在存储器中的程序指令)的任何装置。在一个实施例中,一或多个处理器206可体现为桌面计算机、主计算机系统、工作站、图像计算机、平行处理器、联网计算机,或经配置以执行程序(其经配置以操作计量系统200或结合计量系统200操作)的任何其它计算机系统,如贯穿本公开所描述。此外,贯穿本公开描述的步骤可通过单个控制器204或替代地多个控制器实行。另外,控制器204可包含容置于共同外壳中或在多个外壳内的一或多个控制器。以此方式,任何控制器或控制器的组合可单独封装为适用于集成到计量系统200中的模块。此外,控制器204可分析从一或多个计量子系统202接收的数据且将数据馈送到计量系统200内或计量系统200外部的额外组件。
存储器媒体208可包含此项技术中已知的适用于存储可由相关联的一或多个处理器204执行的程序指令的任何存储媒体。例如,存储器媒体208可包含非暂时性存储器媒体。通过另一实例,存储器媒体208可包含(但不限于)只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、磁性或光学存储器装置(例如,磁盘)、磁带、固态硬盘及类似者。进一步应注意,存储器媒体208可与一或多个处理器206一起容置于共同控制器外壳中。在一个实施例中,存储器媒体208可相对于一或多个处理器206及控制器204的物理位置远程定位。例如,控制器204的一或多个处理器206可存取可通过网络(例如,因特网、内部网络及类似者)存取的远程存储器(例如,服务器)。
在一个实施例中,用户接口(未展示)通信地耦合到控制器204。用户接口可包含(但不限于)一或多个台式计算机、膝上型计算机、平板计算机及类似者。在另一实施例中,用户接口包含用于将计量系统200的数据显示给用户的显示器。用户接口的显示器可包含此项技术中已知的任何显示器。例如,显示器可包含(但不限于)液晶显示器(LCD)、基于有机发光二极管(OLED)的显示器或CRT显示器。所属领域的技术人员应认知,能够与用户接口集成的任何显示装置适用于本公开中的实施方案。在另一实施例中,用户可响应于显示给用户的数据而经由用户接口的用户输入装置输入选择及/或指令。
在另一实施例中,控制器204通信地耦合到计量系统200的一或多个元件。在此方面,控制器204可传输数据及/或从计量系统200的任何组件接收数据。例如,控制器204可通信地耦合到检测器320、322以从检测器320、322接收一或多个图像。此外,控制器204可通过产生相关联组件的一或多个控制信号而引导或以其它方式控制计量系统200的任何组件。
图4说明描绘根据本公开的一或多个实施例的测量样本的叠加的方法400的步骤的过程流程图。
在步骤402中,照明包含一或多个计量目标100的样本。例如,计量系统200可将照明光束引导到样本316上。如本文中使用,术语“照明光束”可指代任何辐射光束,包含(但不限于)光学照明光束326。
在步骤404中,检测从计量目标100的第一组图案元素102、第二组图案元素104及第三组图案元素106发出的照明。例如,可检测光学照明光束326。
在步骤406中,产生一或多个第一叠加测量。例如,控制器204可经配置以基于指示从第一组图案元素102的一或多个部分发出的照明的一或多个信号产生样本316的一或多个第一叠加测量。样本316的一或多个第一叠加测量可包含一或多个强度测量(例如,控制器204可根据等式1到3确定一或多个强度及/或相位差)。
在步骤408中,产生一或多个第二叠加测量。例如,控制器204可经配置以基于指示从第二组图案元素104的一或多个部分发出的照明的一或多个信号产生样本316的一或多个第二叠加测量。样本316的一或多个第二叠加测量可包含一或多个强度测量(例如,控制器204可根据等式1到3确定一或多个强度及/或相位差)。
在步骤410中,产生一或多个第三叠加测量。例如,控制器204可经配置以基于指示从第三组图案元素106的一或多个部分发出的照明的一或多个信号产生样本316的一或多个第三叠加测量。样本316的一或多个第三叠加测量可包含一或多个强度测量(例如,控制器204可根据等式1到3确定一或多个强度及/或相位差)。
在步骤412中,基于一或多个第一叠加测量、一或多个第二叠加测量及/或一或多个第三叠加测量确定叠加误差。例如,控制器204可经配置以使用等式4产生样本316的第一层与样本316的第二层之间的叠加误差。
在一些实施例中,方法400可包含一或多个额外步骤(例如,任选步骤414),其中基于在至少步骤412中确定的一或多个叠加值提供一或多个叠加可校正量。例如,一或多个额外步骤可包含控制器204产生用于调整一或多个工艺工具(例如,光刻工具)的一或多个参数(例如,制造设定、配置及类似者)的一或多个控制信号(或对控制信号的校正)。控制信号(或对控制信号的校正)可由控制器204提供作为反馈及/或前馈控制回路的部分。控制器204可引起一或多个工艺工具基于一或多个控制信号(或对控制信号的校正)执行对一或多个工艺工具的一或多个参数的一或多个调整。在一些实施例中,控制器204可警示用户作出一或多个调整。在此意义上,一或多个控制信号可补偿一或多个工艺工具的一或多个制造工艺的误差,且因此可使一或多个工艺工具能够跨相同或不同批次中的后续样本上的多次曝光将叠加维持在选定公差内。
图5说明根据本公开的一或多个实施例的工艺流程图,其说明形成计量目标100的方法500的步骤。
在步骤502中,在样本的第一单元101及第二单元103内形成第一组图案元素102。例如,可在第一单元101内形成第一组图案元素102的第一部分,且可在第二单元103内形成第一组图案元素102的第二部分。可通过一或多个工艺步骤(例如(但不限于)一或多个沉积、光刻或蚀刻步骤)制造第一组图案元素102。可使用一或多个工艺工具(例如,光刻工具)形成第一组图案元素102。
在步骤504中,在样本的第一单元101及第二单元103内形成第二组图案元素104。例如,可在第一单元101内形成第二组图案元素104的第一部分,且可在第二单元103内形成第二组图案元素104的第二部分。可通过一或多个工艺步骤(例如(但不限于)一或多个沉积、光刻或蚀刻步骤)制造第二组图案元素104。可使用一或多个工艺工具(例如,光刻工具)形成第二组图案元素104。
在步骤506中,在样本的第一单元101及第二单元103内形成第三组图案元素106。例如,可在第一单元101内形成第三组图案元素106的第一部分,且可在第二单元103内形成第三组图案元素106的第二部分。可通过一或多个工艺步骤(例如(但不限于)一或多个沉积、光刻或蚀刻步骤)制造第三组图案元素106。可使用一或多个工艺工具(例如,光刻工具)形成第三组图案元素106。
本文中描述的全部方法可包含将方法实施例的一或多个步骤的结果存储在存储器中。结果可包含本文中描述的任何结果且可以此项技术中已知的任何方式存储。存储器可包含本文中描述的任何存储器或此项技术中已知的任何其它适合存储媒体。在已存储结果之后,结果可在存储器中存取且通过本文中描述的任何方法或系统实施例使用、经格式化以显示给用户、由另一软件模块、方法或系统使用等。此外,结果可“永久地”、“半永久地”、“暂时地”存储或存储达某一时段。例如,存储器可为随机存取存储器(RAM),且结果可能不需要无限期地保存在存储器中。
进一步经审慎考虑,上文描述的方法的实施例中的每一者可包含本文中描述的任何其它方法的任何其它步骤。另外,上文描述的方法的实施例中的每一者可通过本文中描述的任何系统执行。
所属领域的技术人员将认知,为概念清楚起见,将本文中描述的组件、操作、装置、对象及伴随其的论述用作实例,且审慎考虑各种配置修改。因此,如本文中所使用,所阐述的特定范例及所附论述旨在表示其更一般类别。一般来说,使用任何特定范例旨在表示其类别,且未包含特定组件、操作、装置及对象不应被视为限制性的。
如本文中所使用,例如“顶部”、“底部”、“上方”、“下方”、“上”、“向上”、“下”、“向下”及“往下”的方向性术语旨在为描述的目的而提供相对位置,且并不旨在指定绝对参考系。所属领域的技术人员将明白对所描述实施例的各种修改,且本文中定义的一般原理可应用于其它实施例。
关于本文中的大体上任何复数及/或单数术语的使用,所属领域的技术人员可视上下文及/或应用来将复数转化成单数及/或将单数转化成复数。为清楚起见,本文中未明确阐述各种单数/复数排列。
本文中描述的标的物有时说明含于其它组件内或与其它组件连接的不同组件。应理解,此类所描绘架构仅为示范性的,且事实上可实施实现相同功能性的许多其它架构。在概念意义上,用以实现相同功能性的组件的任何布置经有效“相关联”使得实现所要功能性。因此,在本文中经组合以实现特定功能性的任何两个组件可被视为彼此“相关联”使得实现所要功能性而不考虑架构或中间组件。同样地,如此相关联的任何两个组件还可被视为彼此“连接”或“耦合”以实现所要功能性,且能够如此相关联的任何两个组件还可被视为彼此“可耦合”以实现所要功能性。可耦合的特定实例包含(但不限于)可物理配合及/或物理交互组件及/或可无线交互及/或无线交互组件及/或逻辑交互及/或可逻辑交互组件。
此外,应理解,本发明由所附权利要求书定义。所属领域的技术人员将理解,一般来说,在本文中及尤其在所附权利要求书(例如,所附权利要求书的主体)中所使用的术语一般旨在为“开放式”术语(例如,术语“包含(including)”应被解释为“包含(但不限于)”,术语“具有”应被解释为“至少具有”,术语“包括(includes)”应被解释为“包括(但不限于)”,及类似者)。所属领域的技术人员进一步将了解,如果预期经引入权利要求叙述的特定数目,那么此意图将在权利要求中明确叙述,且在缺乏此叙述的情况下不存在此意图。例如,作为理解的辅助,以下所附权利要求书可含有引导性词组“至少一个”及“一或多个”的使用以引入权利要求叙述。然而,此类词组的使用不应被解释为暗示:由不定冠词“一(a/an)”引入权利要求叙述将含有此经引入权利要求叙述的任何特定权利要求限制为仅含有一个此叙述的发明,即使相同权利要求包含引导性词组“一或多个”或“至少一个”及例如“一(a/an)”的不定冠词(例如,“一(a及/或an)”通常应被解释为意味着“至少一个”或“一或多个”);上述内容对用于引入权利要求叙述的定冠词的使用同样适用。另外,即使明确叙述经引入权利要求叙述的特定数目,但所属领域的技术人员还将认知,此叙述通常应被解释为意味着至少所叙述数目(例如,“两条叙述”的基本叙述(无其它修饰语)通常意味着至少两条叙述或两条或更多条叙述)。此外,在其中使用类似于“A、B及C中的至少一者及类似者”的惯用表述的例子中,一般在所属领域的技术人员将理解所述惯用表述的意义上预期此构造(例如,“具有A、B及C中的至少一者的系统”将包含(但不限于)仅具有A、仅具有B、仅具有C、同时具有A及B、同时具有A及C、同时具有B及C及/或同时具有A、B及C的系统,等)。在其中使用类似于“A、B或C中的至少一者及类似者”的惯用表述的例子中,一般在所属领域的技术人员将理解所述惯用表述的意义上预期此构造(例如,“具有A、B或C中的至少一者的系统”将包含(但不限于)仅具有A、仅具有B、仅具有C、同时具有A及B、同时具有A及C、同时具有B及C及/或同时具有A、B及C的系统,等)。所属领域的技术人员进一步将了解,无论在描述、权利要求书或附图中,呈现两个或更多个替代项的实际上任何转折连词及/或词组应被理解为考虑以下可能性:包含所述项中的一者、所述项中的任一者或两项。例如,词组“A或B”将被理解为包含“A”或“B”或“A及B”的可能性。
相信通过前述描述将理解本公开及许多其伴随优点,且将明白,可对组件的形式、构造及布置作出各种改变而不脱离所公开的标的物或不牺牲全部其材料优点。所描述的形式仅为说明性的,且以下权利要求书的意图是涵盖且包含此类改变。此外,应理解,本发明由所附权利要求书定义。
Claims (24)
1.一种计量目标,其包括第一单元,其中所述第一单元包括:
第一组图案元素的第一部分,其沿着第一测量方向形成,其中所述第一组图案元素包括具有第一节距的分段图案元素;
第二组图案元素的第一部分,其沿着所述第一测量方向形成,其中所述第二组图案元素包括具有第二节距的分段图案元素;及
第三组图案元素的第一部分,其沿着所述第一测量方向形成,其中所述第三组图案元素包括具有第三节距的分段图案元素。
2.根据权利要求1所述的计量目标,其进一步包括第二单元,其中所述第二单元包括:
所述第一组图案元素的第二部分,其中所述第一组图案元素的所述第二部分沿着第二测量方向形成;
所述第二组图案元素的第二部分,其中所述第二组图案元素的所述第二部分沿着所述第二测量方向形成;及
所述第三组图案元素的第二部分,其中所述第三组图案元素的所述第二部分沿着所述第二测量方向形成。
3.根据权利要求2所述的计量目标,其中所述计量目标与基于散射的叠加(SCOL)计量模式兼容。
4.根据权利要求3所述的计量目标,其中所述计量目标与一或多个实时计量模式兼容。
5.根据权利要求2所述的计量目标,其中所述第一组图案元素、所述第二组图案元素及所述第三组图案元素中的两者中的每一者的至少一部分形成于样本的不同层上。
6.根据权利要求5所述的计量目标,其中所述第一组图案元素及所述第三组图案元素中的每一者的至少一部分形成于所述样本的第一层上,且其中所述第二组图案元素的至少一部分形成于所述样本的第二层上。
7.根据权利要求1所述的计量目标,其中所述样本包括半导体晶片。
8.一种系统,其包括:
一或多个控制器,其具有通信地耦合到一或多个计量子系统的一或多个处理器,其中所述一或多个处理器经配置以执行维持于存储器中的一组程序指令,其中所述一组程序指令经配置以致使所述一或多个处理器:
从所述一或多个计量子系统接收指示从样本的一或多个计量目标的第一组图案元素、第二组图案元素及第三组图案元素发出的照明的一或多个信号,其中所述样本的所述一或多个计量目标包括:第一单元,所述第一单元包括沿着第一测量方向形成的第一组图案元素的第一部分,其中所述第一组图案元素包括具有第一节距的分段图案元素;沿着所述第一测量方向形成的第二组图案元素的第一部分,其中所述第二组图案元素包括具有第二节距的分段图案元素;及沿着所述第一测量方向形成的第三组图案元素的第一部分,其中所述第三组图案元素包括具有第三节距的分段图案元素;
基于所述第一组图案元素获取第一叠加测量;
基于所述第二组图案元素获取第二叠加测量;
基于所述第三组图案元素获取第三叠加测量;及
基于所述第一叠加测量、所述第二叠加测量或所述第三叠加测量中的至少两者确定叠加误差。
9.根据权利要求8所述的系统,其中所述样本的所述一或多个计量目标进一步包括第二单元,其中所述第二单元包括:
所述第一组图案元素的第二部分,其中所述第一组图案元素的所述第二部分沿着第二测量方向形成;
所述第二组图案元素的第二部分,其中所述第二组图案元素的所述第二部分沿着所述第二测量方向形成;及
所述第三组图案元素的第二部分,其中所述第三组图案元素的所述第二部分沿着所述第二测量方向形成。
10.根据权利要求8所述的系统,其中所述一或多个计量子系统包括:
照明源;
一或多个照明元件,其经配置以将来自所述照明源的照明光束引导到所述样本上;
一或多个检测器;及
一或多个投影元件,其经配置以收集从所述样本发出的照明且将所述照明引导到所述一或多个检测器。
11.根据权利要求10所述的系统,其中所述一或多个计量子系统包括一或多个基于散射的叠加(SCOL)计量子系统。
12.根据权利要求11所述的系统,其中所述第一叠加测量、所述第二叠加测量及所述第三叠加测量经实时获取。
13.根据权利要求10所述的系统,其中所述第一组图案元素、所述第二组图案元素或所述第三组图案元素中的两者中的每一者的至少一部分形成于样本的不同层上。
14.根据权利要求13所述的系统,其中所述第一组图案元素及所述第三组图案元素中的每一者的至少一部分形成于所述样本的第一层上,且其中所述第二组图案元素的至少一部分形成于所述样本的第二层上。
15.根据权利要求8所述的系统,其中所述样本包括半导体晶片。
16.一种测量叠加的方法,其包括:
照明具有一或多个计量目标的样本;
检测指示从所述样本的所述一或多个计量目标的第一组图案元素、第二组图案元素及第三组图案元素发出的照明的一或多个信号,其中所述样本的所述一或多个计量目标包括:第一单元,所述第一单元包括沿着第一测量方向形成的第一组图案元素的第一部分,其中所述第一组图案元素包括具有第一节距的分段图案元素;沿着所述第一测量方向形成的第二组图案元素的第一部分,其中所述第二组图案元素包括具有第二节距的分段图案元素;及沿着所述第一测量方向形成的第三组图案元素的第一部分,其中所述第三组图案元素包括具有第三节距的分段图案元素;
基于指示从所述第一组图案元素发出的照明的所述一或多个信号获取第一叠加测量;
基于指示从所述第二组图案元素发出的照明的所述一或多个信号获取第二叠加测量;
基于指示从所述第三组图案元素发出的照明的所述一或多个信号获取第三叠加测量;及
基于所述第一叠加测量、所述第二叠加测量或所述第三叠加测量中的至少一者确定叠加误差。
17.根据权利要求16所述的方法,其中所述样本的所述一或多个计量目标进一步包括第二单元,其中所述第二单元包括:
所述第一组图案元素的第二部分,其中所述第一组图案元素的所述第二部分沿着第二测量方向形成;
所述第二组图案元素的第二部分,其中所述第二组图案元素的所述第二部分沿着所述第二测量方向形成;及
所述第三组图案元素的第二部分,其中所述第三组图案元素的所述第二部分沿着所述第二测量方向形成。
18.根据权利要求17所述的方法,其中所述一或多个计量目标与基于散射的叠加(SCOL)计量模式兼容。
19.根据权利要求18所述的方法,其中所述第一叠加测量、所述第二叠加测量及所述第三叠加测量经实时获取。
20.根据权利要求17所述的方法,其中所述第一组图案元素、所述第二组图案元素及所述第三组图案元素中的两者中的每一者的至少一部分形成于样本的不同层上。
21.根据权利要求20所述的方法,其中所述第一组图案元素及所述第三组图案元素中的每一者的至少一部分形成于所述样本的第一层上,且其中所述第二组图案元素的至少一部分形成于所述样本的第二层上。
22.根据权利要求16所述的系统,其中所述样本包括半导体晶片。
23.一种形成计量目标的方法,其包括:
形成第一单元,所述第一单元包括沿着第一测量方向形成的第一组图案元素的第一部分,其中所述第一组图案元素包括具有第一节距的分段图案元素;沿着所述第一测量方向形成的第二组图案元素的第一部分,其中所述第二组图案元素包括具有第二节距的分段图案元素;及沿着所述第一测量方向形成的第三组图案元素的第一部分,其中所述第三组图案元素包括具有第三节距的分段图案元素。
24.根据权利要求23所述的方法,其进一步包括:
形成第二单元,所述第二单元包括所述第一组图案元素的第二部分,其中所述第一组图案元素的所述第二部分沿着第二测量方向形成;所述第二组图案元素的第二部分,其中所述第二组图案元素的所述第二部分沿着所述第二测量方向形成;及所述第三组图案元素的第二部分,其中所述第三组图案元素的所述第二部分沿着所述第二测量方向形成。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17/119,536 US11378394B1 (en) | 2020-12-11 | 2020-12-11 | On-the-fly scatterometry overlay metrology target |
US17/119,536 | 2020-12-11 | ||
PCT/US2021/061296 WO2022125340A1 (en) | 2020-12-11 | 2021-11-30 | On-the-fly scatterometry overlay metrology target |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116583742A true CN116583742A (zh) | 2023-08-11 |
Family
ID=81942344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202180081102.9A Pending CN116583742A (zh) | 2020-12-11 | 2021-11-30 | 实时散射叠加计量目标 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11378394B1 (zh) |
EP (1) | EP4251980A1 (zh) |
JP (1) | JP2023553053A (zh) |
KR (1) | KR20230116841A (zh) |
CN (1) | CN116583742A (zh) |
TW (1) | TW202240323A (zh) |
WO (1) | WO2022125340A1 (zh) |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7541201B2 (en) | 2000-08-30 | 2009-06-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry |
US7068833B1 (en) | 2000-08-30 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
US20030002043A1 (en) | 2001-04-10 | 2003-01-02 | Kla-Tencor Corporation | Periodic patterns and technique to control misalignment |
US7440105B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-10-21 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Continuously varying offset mark and methods of determining overlay |
US7671990B1 (en) * | 2006-07-28 | 2010-03-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Cross hatched metrology marks and associated method of use |
KR101185992B1 (ko) | 2011-01-03 | 2012-09-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 오버레이 모니터링 패턴 및 이를 이용한 반도체 소자의 정렬도 측정방법 |
CN103582819B (zh) | 2011-04-06 | 2016-09-14 | 科磊股份有限公司 | 用于提供经改进过程控制的质量度量的方法及系统 |
NL2011816A (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-04 | Asml Netherlands Bv | Method of determining dose and focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method. |
US9885961B1 (en) * | 2013-05-29 | 2018-02-06 | Kla-Tencor Corporation | Partly disappearing targets |
WO2014194095A1 (en) | 2013-05-30 | 2014-12-04 | Kla-Tencor Corporation | Combined imaging and scatterometry metrology |
US9214317B2 (en) | 2013-06-04 | 2015-12-15 | Kla-Tencor Corporation | System and method of SEM overlay metrology |
TWI648515B (zh) | 2013-11-15 | 2019-01-21 | 美商克萊譚克公司 | 計量目標及其計量量測、目標設計檔案、計量方法及以電腦為基礎之設備 |
WO2015196168A1 (en) | 2014-06-21 | 2015-12-23 | Kla-Tencor Corporation | Compound imaging metrology targets |
CN105511238B (zh) | 2014-09-26 | 2017-11-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光刻对准标记结构及形成方法、半导体结构的形成方法 |
WO2016078862A1 (en) | 2014-11-21 | 2016-05-26 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus |
WO2018004511A1 (en) | 2016-06-27 | 2018-01-04 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and method for the measurement of pattern placement and size of pattern and computer program therefor |
US10705435B2 (en) | 2018-01-12 | 2020-07-07 | Globalfoundries Inc. | Self-referencing and self-calibrating interference pattern overlay measurement |
-
2020
- 2020-12-11 US US17/119,536 patent/US11378394B1/en active Active
-
2021
- 2021-10-04 TW TW110136808A patent/TW202240323A/zh unknown
- 2021-11-30 KR KR1020237021572A patent/KR20230116841A/ko unknown
- 2021-11-30 WO PCT/US2021/061296 patent/WO2022125340A1/en active Application Filing
- 2021-11-30 EP EP21904129.0A patent/EP4251980A1/en active Pending
- 2021-11-30 CN CN202180081102.9A patent/CN116583742A/zh active Pending
- 2021-11-30 JP JP2023534382A patent/JP2023553053A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220187062A1 (en) | 2022-06-16 |
WO2022125340A1 (en) | 2022-06-16 |
KR20230116841A (ko) | 2023-08-04 |
US11378394B1 (en) | 2022-07-05 |
JP2023553053A (ja) | 2023-12-20 |
EP4251980A1 (en) | 2023-10-04 |
TW202240323A (zh) | 2022-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102274473B1 (ko) | 비-제로 오프셋 예측에 의한 오버레이 제어 | |
JP7446447B2 (ja) | 複合的オーバレイ計測ターゲット | |
CN114402205B (zh) | 应用谐波检测率以作为用于基于成像的叠加测量的质量指标的系统及方法 | |
US20240035812A1 (en) | Metrology target for one-dimensional measurement of periodic misregistration | |
US20230037093A1 (en) | System and method for focus control in extreme ultraviolet lithography systems using a focus-sensitive metrology target | |
WO2022235424A1 (en) | Self-calibrating overlay metrology | |
US11378394B1 (en) | On-the-fly scatterometry overlay metrology target | |
US11874102B2 (en) | Thick photo resist layer metrology target |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |