CN116582101A - 滤波器封装结构及封装方法 - Google Patents

滤波器封装结构及封装方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116582101A
CN116582101A CN202310639165.2A CN202310639165A CN116582101A CN 116582101 A CN116582101 A CN 116582101A CN 202310639165 A CN202310639165 A CN 202310639165A CN 116582101 A CN116582101 A CN 116582101A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
groove
adhesive film
filter
functional element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310639165.2A
Other languages
English (en)
Inventor
杨先方
李鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JCET Group Co Ltd
Original Assignee
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd filed Critical Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
Priority to CN202310639165.2A priority Critical patent/CN116582101A/zh
Publication of CN116582101A publication Critical patent/CN116582101A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

一种滤波器封装结构包括：基板具有第一凹槽；滤波芯片设置在第一凹槽内，滤波芯片的第一表面与第一凹槽底部之间具有设定距离，且滤波芯片的第一表面低于基板的第一表面；功能元件设置在基板的第一表面，且功能元件的第一表面与基板的第一表面之间具有设定距离；胶膜覆盖滤波芯片除第一表面以外的其他表面以及功能元件除第一表面以外的其他表面，且填充在第一凹槽内，在第一凹槽内，胶膜覆盖第一凹槽的侧壁及部分底部表面，胶膜、第一凹槽底部与滤波芯片的第一表面围成第一空腔；塑封体覆盖胶膜的表面以及基板的第一表面，且填充在功能元件的第一表面与基板的第一表面之间。该封装结构在提高滤波器封装结构的可靠性的同时具有较低的封装成本。

Description

滤波器封装结构及封装方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种滤波器封装结构及封装方法。
背景技术
在现代通信系统中，滤波器常被用来过滤目标通信频段之外的不必要信号。传统的滤波器封装一般会采用晶圆级滤波器封装，声表面波滤波器(SAW)或体声波滤波器(BAW)倒装在陶瓷基板或有机基板上，再采用聚合薄膜和片状树脂一次压合产生成空腔，可以实现滤波器的电能和机械能之间的转换。
但该些滤波器封装结构中，除包含滤波芯片外，还包含天线开关、低噪放大器、电容、电感等常规的无需空腔即可工作的功能元件。在塑封时，需要在该些功能元件底部填充塑封料以提高该些功能元件的可靠性，这导致封装成本大大提高，无法满足需求。
因此如何降低滤波器封装结构的制造成本，一直是工程设计中的一大挑战。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种滤波器封装结构及封装方法，其能够在提高滤波器封装结构的可靠性的同时降低封装成本。
为了解决上述问题，本发明提供了一种滤波器封装结构，包括：
基板，具有第一表面，且所述基板具有自所述第一表面朝向所述基板内部凹陷的第一凹槽；
滤波芯片，设置在所述第一凹槽内，所述滤波芯片包括朝向所述基板的第一表面，所述滤波芯片的第一表面与所述第一凹槽底部之间具有设定距离，且所述滤波芯片的第一表面低于所述基板的第一表面；
功能元件，设置在所述基板的第一表面，所述功能元件具有朝向所述基板的第一表面，且所述功能元件的第一表面与所述基板的第一表面之间具有设定距离；
胶膜，覆盖所述滤波芯片除第一表面以外的其他表面以及所述功能元件除第一表面以外的其他表面，且填充在所述第一凹槽内，在所述第一凹槽内，所述胶膜覆盖所述第一凹槽的侧壁及部分底部表面，所述胶膜、所述第一凹槽底部与所述滤波芯片的第一表面围成第一空腔；
塑封体，覆盖所述胶膜的表面以及所述基板的第一表面，且填充在所述功能元件的第一表面与所述基板的第一表面之间。
在一实施例中，所述第一凹槽底部的宽度大于所述第一凹槽顶部的宽度。
在一实施例中，所述第一凹槽为梯形凹槽。
在一实施例中，位于所述滤波芯片与所述第一凹槽之间的胶膜的厚度是位于所述功能元件的侧表面的胶膜的厚度的至少五倍。
在一实施例中，所述第一凹槽侧壁与所述滤波芯片侧面的最短距离大于或者等于100微米。
在一实施例中，所述滤波芯片具有与第一表面相背设置的第二表面，所述第二表面低于所述基板的第一表面，或者所述第二表面与所述基板的第一表面平齐。
在一实施例中，还包括屏蔽层，所述屏蔽层覆盖所述塑封体的表面。
本发明一实施例还提供一种滤波器封装结构的封装方法，包括：
提供基板，所述基板具有第一表面，且所述基板具有自所述第一表面朝向所述基板内部凹陷的第一凹槽；
在所述第一凹槽内设置滤波芯片，以及在所述基板的第一表面设置功能元件，所述滤波芯片包括朝向所述基板的第一表面，所述滤波芯片的第一表面与所述第一凹槽底部之间具有设定距离，且所述滤波芯片的第一表面低于所述基板的第一表面，所述功能元件包括朝向所述基板的第一表面，所述功能元件的第一表面与所述基板的第一表面之间具有设定距离；
覆膜，以形成胶膜，所述胶膜覆盖所述滤波芯片除第一表面以外的其他表面以及所述功能元件除第一表面以外的其他表面，且填充在所述第一凹槽内，在所述第一凹槽内，所述胶膜覆盖所述第一凹槽的侧壁及部分底部表面，所述胶膜、所述第一凹槽底部与所述滤波芯片的第一表面围成第一空腔，在所述第一凹槽外，所述胶膜、所述功能元件的第一表面及所述基板的第一表面围成第二空腔；
塑封，以形成塑封体，所述塑封体覆盖所述胶膜的表面以及所述基板的第一表面，且所述塑封体冲破所述胶膜填充在所述第二空腔。
在一实施例中，在提供基板的步骤中，所述第一凹槽底部的宽度大于所述第一凹槽顶部的宽度，在覆膜，以形成胶膜的步骤中，在所述第一凹槽内，所述胶膜底部的宽度大于所述胶膜顶部的宽度。
在一实施例中，覆膜，以形成胶膜的步骤包括：
覆盖胶膜层，所述胶膜层包覆所述基板的第一表面上方的区域；
加热所述胶膜层，加热温度为所述胶膜层的玻璃化温度；
加压使所述胶膜层覆盖所述滤波芯片除第一表面以外的其他表面以及所述功能元件除第一表面以外的其他表面，并进入至所述第一凹槽内；
烘烤固化，形成所述胶膜。
在一实施例中，在塑封，以形成塑封体步骤之后，还包括：在所述塑封体表面形成屏蔽层。
本发明滤波器封装结构及封装方法中，所述滤波芯片设置在所述第一凹槽内，所述胶膜填充所述第一凹槽，则在执行塑封步骤时，塑封料不会进入所述第一空腔，且能够直接穿破所述胶膜而填充在所述功能元件的第一表面与所述基板的第一表面之间，既保护了所述功能元件，又不会对滤波芯片的性能产生影响，提高了滤波器封装结构的可靠性，且无需额外的去除功能元件侧面的胶膜的步骤，大大降低了制造成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本发明一实施例提供的滤波器封装结构的示意图；
图2是本发明一实施例提供的封装方法的步骤示意图；
图3A～图3D是本发明一实施例提供的封装方法的主要步骤形成的结构的示意图；
图4A～图4B是现有的一种滤波器封装结构的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的滤波器封装结构及封装方法的具体实施方式做详细说明。
图1是本发明一实施例提供的滤波器封装结构的示意图，请参阅图1，所述滤波器封装结构包括基板100、滤波芯片110、功能元件120、胶膜130以及塑封体140。
所述基板100具有第一表面100A，且所述基板100具有自所述第一表面100A朝向所述基板100内部凹陷的第一凹槽101。
所述滤波芯片110设置在所述第一凹槽101内，所述滤波芯片110包括朝向所述基板100的第一表面110A，所述滤波芯片110的第一表面110A与所述第一凹槽101底部之间具有设定距离，且所述滤波芯片110的第一表面110A低于所述基板100的第一表面100A。
所述功能元件120设置在所述基板100的第一表面100A，所述功能元件120具有朝向所述基板100的第一表面120A，且所述功能元件120的第一表面120A与所述基板100的第一表面100A之间具有设定距离。
所述胶膜130覆盖所述滤波芯片110除第一表面110A以外的其他表面以及所述功能元件120除第一表面120A以外的其他表面，且填充在所述第一凹槽101内，在所述第一凹槽101内，所述胶膜130覆盖所述第一凹槽101的侧壁及部分底部表面，所述胶膜130、所述第一凹槽101底部与所述滤波芯片110的第一表面110A围成第一空腔150。
所述塑封体140覆盖所述胶膜130的表面以及所述基板100的第一表面100A，且填充在所述功能元件120的第一表面120A与所述基板100的第一表面100A之间。
在本发明实施例提供的滤波器封装结构中，所述胶膜130填充所述第一凹槽101，则所述塑封体140不会进入所述第一空腔150，并能够直接穿破所述胶膜130而填充在所述功能元件120的第一表面120A与所述基板100的第一表面100A之间，既保护了所述功能元件120，又不会对滤波芯片110的性能产生影响，提高了滤波器封装结构的可靠性，且无需额外的去除胶膜130的步骤，大大降低了制造成本。
所述基板100具有相对平整的上表面和下表面，所述上表面以及下表面之间具有电性导通的导电连线，以使得所述滤波芯片110与所述功能元件120之间能够电连接，以及所述滤波芯片110及所述功能元件120能够通过所述基板100与外部电路电连接。在本实施例中，以所述基板100的上表面作为所述基板100的第一表面100A。在一些实施例中，所述基板100可为多层PCB板、陶瓷基板100或者有机基板100等，在本实施例中，以所述基板100为多层PCB板为例进行说明。
在垂直所述基板100的第一表面100A的方向(如图中Z方向)，所述第一凹槽101朝向所述基板100内部凹陷。所述第一凹槽101的底部暴露出所述基板100的导电焊垫。在一些实施例中，所述第一凹槽101的数量可为一个或者多个，其可根据滤波芯片110的数量确定。在本实施例中，以一个所述第一凹槽101为例进行说明。
在一些实施例中，所述第一凹槽101底部的宽度W1(标示于图3A中)大于所述第一凹槽101顶部的宽度W2(标示于图3A中)，即所述第一凹槽101呈现上窄下宽的结构，例如，在一实施例中，所述第一凹槽101为梯形凹槽，所述梯形凹槽包括但不限于等腰梯形凹槽。
所述滤波芯片110可以是声表面波滤波器芯片(SAW芯片)，也可以是体声波滤波器芯片(BAW)。在本实施例中，以所述滤波芯片110为声表面波滤波器芯片为例进行说明。所述滤波芯片110的数量可为一个或者多个，其可根据滤波器封装结构的设计要求而确定。在本实施例中，以一个所述滤波芯片110为例进行说明。
所述滤波芯片110的第一表面110A具有焊垫，所述焊垫通过导电柱或者焊接球等导电结构111与所述第一凹槽101底部的基板100的导电焊垫电连接，并且，可通过设置所述导电结构111的高度来控制所述滤波芯片110的第一表面110A与所述第一凹槽101底部的设定距离，即控制所述第一空腔150的高度，实现滤波芯片110性能的控制。
在垂直所述基板100的第一表面100A的方向(如图1中Z方向)，所述滤波芯片110的第一表面110A低于所述基板100的第一表面100A，即所述滤波芯片110嵌入在所述第一凹槽101内。所述滤波芯片110还包括与第一表面相背设置的第二表面110B，所述第二表面110B突出于所述基板100的第一表面100A，或者所述第二表面110B低于所述基板100的第一表面100A，或者所述第二表面110B与所述基板100的第一表面100A平齐。在本实施例中，以所述第二表面110B低于所述基板100的第一表面100A为例进行说明。
在平行于所述基板100的第一表面100A的方向，例如图1中X方向，以及垂直X方向的方向(附图中未示出)，所述第一凹槽101的宽度大于所述滤波芯片110的宽度，以使得所述滤波芯片110能够放置在所述第一凹槽101内。在一些实施例中，所述第一凹槽101的宽度是指所述第一凹槽101最窄处的宽度，例如，对于梯形凹槽，其最窄处为其顶部，则其宽度指其顶部的宽度。
在一些实施例中，在平行于所述基板100的第一表面100A的方向，所述第一凹槽101侧壁与所述滤波芯片110侧面的最短距离大于或者等于100微米，一方面为所述滤波芯片110放置在所述第一凹槽101内提供足够的空间，另一方面可使形成在所述滤波芯片110与所述第一凹槽101侧壁之间的所述胶膜130具有足够的厚度，避免塑封体140进入所述第一空腔150。在一些实施例中，所述第一凹槽101侧壁与所述滤波芯片110侧面的最短距离是指所述第一凹槽101最窄处的侧壁与所述滤波芯片110侧面的距离，该最短距离大于或者等于100微米。
所述功能元件120无需空腔即可工作，其包括但不限于天线开关、低噪放大器、电容、电感、控制芯片等。所述功能元件120的第一表面120A具有焊垫，所述焊垫通过导电柱或者焊接球等导电结构与所述第一基板100的第一表面100A的导电焊垫电连接，该种导电连接方式使得所述功能元件120的第一表面120A与所述基板100的第一表面100A之间具有设定距离，所述塑封体140填充在所述功能元件120的第一表面120A与所述基板100的第一表面100A之间，以保护及密封所述导电结构，进而以提高所述滤波器封装结构的可靠性。所述功能元件120的数量可根据所述滤波器封装结构的设计需求而定，在本实施例中示意性地绘示两个功能元件120。
所述胶膜130的材料为半固态树脂，其具有较好的柔性和可拉伸性，并且具有一定的粘性，其能够与所述滤波芯片110及所述第一凹槽101侧壁具有较好的粘合度和贴合度，从而防止外物进入第一空腔150内影响所述滤波芯片110的正常工作。
在一些实施例中，在平行于所述基板100的第一表面100A的方向，例如图1中X方向，以及垂直X方向的方向(附图中未示出)，由于所述第一凹槽101底部的宽度大于所述第一凹槽101顶部的宽度，位于所述第一凹槽101内的所述胶膜130能够填充在所述第一凹槽101的角度区域，所述胶膜130的底部的宽度大于顶部的宽度，从而进一步增加了所述第一空腔侧壁的胶膜的厚度。
在一些实施例中，在平行于所述基板100的第一表面100A的方向，例如图1中X方向，以及垂直X方向的方向(附图中未示出)，位于所述滤波芯片110与所述第一凹槽101之间的胶膜130的厚度是位于所述功能元件120的表面的胶膜130的厚度H2的至少五倍，则在形成塑封体140时，所述胶膜130能够保护所述第一空腔150，避免塑封材料进入所述第一空腔150。在一些实施例中，在图1中X方向上，位于所述滤波芯片110与所述第一凹槽101之间的胶膜130的最窄区域的厚度H1是位于所述功能元件120的侧表面的胶膜130的最宽区域的厚度的至少五倍。
所述塑封体140的材料为常规的塑封材料，例如环氧树脂。由于所述胶膜130填充在所述第一凹槽101内，使得所述塑封体140不会进入所述第一空腔150内，以避免塑封体140体进入第一空腔150而对滤波芯片110的性能产生影响。
在一实施例中，所述滤波器封装结构还包括屏蔽层160，所述屏蔽层160覆盖所述塑封体140的表面，以屏蔽干扰，提高滤波器封装结构的性能。所述屏蔽层160可为金属层，其材质包括但不限于铜或不锈钢。
本发明实施例还提供一种上述滤波器封装结构的封装方法。请参阅图2，其是本发明一实施例提供的封装方法的步骤示意图，所述封装方法包括：步骤S20，提供基板，所述基板具有第一表面，且所述基板具有自所述第一表面朝向所述基板内部凹陷的第一凹槽；步骤S21，在所述第一凹槽内设置滤波芯片，以及在所述基板的第一表面设置功能元件，所述滤波芯片包括朝向所述基板的第一表面，所述滤波芯片的第一表面与所述第一凹槽底部之间具有设定距离，且所述滤波芯片的第一表面低于所述基板的第一表面，所述功能元件包括朝向所述基板的第一表面，所述功能元件的第一表面与所述基板的第一表面之间具有设定距离；步骤S22，覆膜，以形成胶膜，所述胶膜覆盖所述滤波芯片除第一表面以外的其他表面以及所述功能元件除第一表面以外的其他表面，且填充在所述第一凹槽内，在所述第一凹槽内，所述胶膜覆盖所述第一凹槽的侧壁及部分底部表面，所述胶膜、所述第一凹槽底部与所述滤波芯片的第一表面围成第一空腔，在所述第一凹槽外，所述胶膜、所述功能元件的第一表面及所述基板的第一表面围成第二空腔；步骤S23，塑封，以形成塑封体，所述塑封体覆盖所述胶膜的表面以及所述基板的第一表面，且所述塑封体冲破所述胶膜填充在所述第二空腔。
在本发明实施例提供的封装方法中，所述滤波芯片设置在所述第一凹槽内，所述胶膜填充所述第一凹槽，则在执行塑封步骤时，塑封料不会进入所述第一空腔，且能够直接穿破所述胶膜而填充在所述功能元件的第一表面与所述基板的第一表面之间，既保护了所述功能元件，又不会对滤波芯片的性能产生影响，提高了滤波器封装结构的可靠性，且无需额外的去除第二空腔侧面的胶膜的步骤，大大降低了制造成本。
图3A～图3D是本发明一实施例提供的封装方法的主要步骤形成的结构的示意图。
请参阅图2及图3A，步骤S20，提供基板300，所述基板300具有第一表面300A，且所述基板300具有自所述第一表面300A朝向所述基板300内部凹陷的第一凹槽301。
在一些实施例中，所述第一凹槽301底部的宽度W1大于所述第一凹槽301顶部的宽度W2，即所述第一凹槽301呈现上窄下宽的结构。在一实施例中，所述第一凹槽301为梯形凹槽，包括但不限于等腰梯形凹槽。
在所述基板300的第一表面及所述第一凹槽301底部均具有导电焊垫，用于与后续形成的滤波芯片310及功能元件320电连接。所述基板300的上表面以及下表面之间具有电性导通的导电连线，所述导电焊垫通过所述导电连线与外部电路电连接。
在该步骤中，可采用刻蚀工艺形成所述第一凹槽301。例如，在所述基板300的第一表面形成图案化的掩膜层，所述掩膜层暴露出需要形成所述第一凹槽301的基板300的区域；以所述掩膜层作为遮挡，刻蚀所述基板300，以形成所述第一凹槽301。
请参阅图2及图3B，步骤S21，在所述第一凹槽301内设置滤波芯片310，以及在所述基板300的第一表面300A设置功能元件320，所述滤波芯片310包括朝向所述基板300的第一表面310A，所述滤波芯片310的第一表面310A与所述第一凹槽301底部之间具有设定距离，且所述滤波芯片310的第一表面310A低于所述基板300的第一表面300A，所述功能元件320包括朝向所述基板300的第一表面320A，所述功能元件320的第一表面320A与所述基板300的第一表面300A之间具有设定距离。
在该步骤中，可通过倒装工艺将所述滤波芯片310设置在所述第一凹槽301的底部，将所述功能元件320设置在所述基板300的第一表面300A。所述滤波芯片310的第一表面310A的焊垫通过导电柱或者焊接球等导电结构311与所述第一凹槽301底部的基板300的导电焊垫电连接，并且所述滤波芯片310的第一表面310A与所述第一凹槽301底部并未接触，而是具有设定距离。所述功能元件320的第一表面320A的焊垫通过导电柱或者焊接球等导电结构与所述基板300的第一表面300A或第一表面300A的导电焊垫连接，并且所述功能元件320的第一表面320A与所述基板300的第一表面300A并未接触，而是具有设定距离。
所述滤波芯片310还包括与第一表面310A相背设置的第二表面310B，所述第二表面突出于所述基板300的第一表面300A，或者所述第二表面310B低于所述基板300的第一表面300A，或者所述第二表面310B与所述基板300的第一表面300A平齐。在本实施例中，以所述第二表面310B低于所述基板300的第一表面300A为例进行说明。
请参阅图2及图3C，步骤S22，覆膜，以形成胶膜330，所述胶膜330覆盖所述滤波芯片310除第一表面310A以外的其他表面以及所述功能元件320除第一表面320A以外的其他表面，且填充在所述第一凹槽301内，在所述第一凹槽301内，所述胶膜330覆盖所述第一凹槽301的侧壁及部分底部表面，所述胶膜330、所述第一凹槽301底部与所述滤波芯片310的第一表面310A围成第一空腔350，在所述第一凹槽301外，所述胶膜330、所述功能元件320的第一表面320A及所述基板300的第一表面300A围成第二空腔370。在该步骤中，所述胶膜330还密封所述功能元件320的第一表面320A及所述基板300的第一表面300A之间的区域，即所述胶膜330还密封所述第二空腔370。
所述胶膜330的材料为半固态树脂，其具有较好的柔性和可拉伸性，并且具有一定的粘性，其能够与所述滤波芯片310及所述第一凹槽301侧壁具有较好的粘合度和贴合度。
作为示例，本发明一实施例提供一种形成胶膜330的方法。在该实施例中，采用真空压合工艺形成所述胶膜330。所述方法包括：
覆盖胶膜层，所述胶膜层包覆所述基板300的第一表面300A上方的区域。在该步骤中，可自所述基板300的第一表面300A贴附胶膜层，以使得所述胶膜层包覆所述基板300的第一表面300A上方的区域，所述基板300的第一表面300A、所述功能元件320、所述第一凹槽301及所述滤波芯片310均位于所述胶膜层的覆盖区域内。将覆盖有所述胶膜层的所述基板300送入真空压合设备内。
加热所述胶膜层，加热温度为所述胶膜层的玻璃化温度。在所述真空压合设备中，对所述胶膜层进行加热，温度升高至所述胶膜层的玻璃化温度Tg，并维持若干时间。其中，胶膜层由硬而脆的玻璃态向软而韧的高弹态转变的温度称为玻璃化温度Tg。所述胶膜层的玻璃化温度Tg可根据胶膜层的材料而定，例如，在一实施例中，所述胶膜层为一种聚合物，其玻璃化温度为90～110摄氏度。
加压使所述胶膜层覆盖所述滤波芯片310除第一表面310A以外的其他表面以及所述功能元件320除第一表面320A以外的其他表面，并进入至所述第一凹槽301内。在该步骤中，通过对所述胶膜层施加高压的方法使所述胶膜层发生形变，挤压进入所述第一凹槽301内，并贴附在所述滤波芯片310除第一表面310A以外的其他表面以及所述功能元件320除第一表面320A以外的其他表面。
烘烤固化，形成所述胶膜330。在该步骤中，可通过加热烘烤的方法使所述胶膜层固化，以形成所述胶膜330。所述烘烤的温度可根据所述胶膜层的材料确定，例如在一实施例中，所述烘烤温度为170摄氏度。
在一些实施例中，所述胶膜层还覆盖所述基板300的裸露的第一表面300A，则在烘烤固化之后，还包括去除覆盖所述基板300的第一表面300A的胶膜层的步骤，以形成所述胶膜330。
请参阅图2及图3D，步骤S23，塑封，以形成塑封体340，所述塑封体340覆盖所述胶膜330的表面以及所述基板300的第一表面，且所述塑封体340冲破所述胶膜330填充在所述第二空腔370。
在该步骤中，在填充塑封料时，塑封料流动的压力能够冲破所述第二空腔370侧壁的胶膜330，并进入所述第二空腔370内，进而填充在所述功能元件320的第一表面320A及所述基板300的第一表面300A之间，而由于所述第一空腔350位于所述第一凹槽301内，且所述第一凹槽301内填充有胶膜330，即所述第一空腔350的侧壁被所述胶膜330保护，在垂直所述基板300第一表面300A的方向上，所述胶膜330厚度较大，所述塑封料的压力不足以突破该胶膜330，进而能够保证所述塑封料不会流入所述第一空腔350。
在现有技术中，如图4A所示，其为现有的一种封装结构的示意图，滤波芯片410及功能元件420设置在基板400的第一表面，胶膜430覆盖功能元件420以及滤波芯片410的表面，并且，所述胶膜430、所述滤波芯片410的第一表面410A及所述基板400的第一表面400A围成第一空腔450，所述胶膜430、所述功能元件420的第一表面420A及所述基板400的第一表面400A围成第二空腔470。在该结构中，所述滤波芯片410及所述功能元件420表面的胶膜430的厚度相同，在执行塑封工艺时，若是利用塑封料的压力冲破胶膜430进入第二空腔470，塑封料同样也会冲破胶膜430进入所述第一空腔450。因此，为了避免塑封料进入所述第一空腔450，在执行塑封工艺之前需要去除所述第二空腔470侧壁的胶膜430，如图4B所示，例如，采用激光灼烧以去除所述第二空腔470侧壁的胶膜430，使第二空腔470被暴露，并控制塑封料的压力，使其填充在第二空腔470内，且无法冲破胶膜430。或者，在一些现有技术中，去除所述第二空腔470侧壁的胶膜430后，采用点胶等工艺在所述第二空腔470中填充隔离物，以提高滤波封装结构的可靠性。但是，该两种方法封装成本高，无法满足需求。
而本发明封装方法中，所述第一空腔350位于所述第一凹槽301内，且其侧壁被所述胶膜330保护，在垂直所述基板300第一表面的方向上，所述胶膜330厚度较大，所述塑封料的压力不足以突破该胶膜330，则在执行塑封工艺时，塑封料仅能够冲破第二空腔370侧壁的胶膜330流入所述第二空腔370内，而无法突破第一空腔350侧壁的胶膜330，进而能够保证所述塑封料不会流入所述第一空腔350，本发明封装方法无需额外的去除胶膜330的步骤，能够在保证所述滤波器封装结构的可靠性的同时降低封装成本。
在一些实施例中，所述第一凹槽301呈现上窄下宽的结构。例如，在一实施例中，所述第一凹槽301为梯形凹槽，则能够确保塑封料受力朝滤波芯片310的第一空腔350反方向流走以进一步降低塑封料流入第一空腔350风险。
在一些实施例中，在平行于所述基板300的第一表面300A的方向，所述第一凹槽301侧壁与所述滤波芯片310侧面的最短距离大于或者等于100微米，则所述第一空腔350侧壁的胶膜330的厚度是所述第二空腔370侧壁的胶膜330厚度的五倍以上，进而能够进一步保证所述第二空腔370侧壁的胶膜330能够被刺穿而所述第一空腔350侧壁的所述胶膜330不会被刺穿。
在一些实施例中，在执行塑封时，可通过控制塑封参数来保证所述第二空腔370侧壁的胶膜330能够被塑封料刺穿而所述第一空腔350侧壁的所述胶膜330不会被塑封料刺穿。例如，在一实施例中，塑封参数为塑封料的流速。
在一些实施例中，在塑封，以形成塑封体340步骤之后，还包括：在所述塑封体340表面形成屏蔽层360。所述屏蔽层360可以通过溅镀工艺镀到塑封体340的表面，并延伸到基板300的侧面。
本发明实施例提供的封装方法在保证可靠性的同时降低了封装成本，有利于滤波器封装结构的推广应用。
需要说明的是，本发明的文件中涉及的术语“包括”和“具有”以及它们的变形，意图在于覆盖不排他的包含。术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序，除非上下文有明确指示，应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换。术语“一个或多个”至少部分取决于上下文，可以用于以单数意义描述特征、结构或特性，或可以用于以复数意义描述特征、结构或特征的组合。术语“基于”可以被理解为不一定旨在表达一组排他性的因素，而是可以替代地，同样至少部分地取决于上下文，允许存在不一定明确描述的其它因素。另外，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。此外，在以上说明中，省略了对公知组件和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。上述各个实施例中，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同/相似的部分互相参见即可。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种滤波器封装结构，其特征在于，包括：
基板，具有第一表面，且所述基板具有自所述第一表面朝向所述基板内部凹陷的第一凹槽；
滤波芯片，设置在所述第一凹槽内，所述滤波芯片包括朝向所述基板的第一表面，所述滤波芯片的第一表面与所述第一凹槽底部之间具有设定距离，且所述滤波芯片的第一表面低于所述基板的第一表面；
功能元件，设置在所述基板的第一表面，所述功能元件具有朝向所述基板的第一表面，且所述功能元件的第一表面与所述基板的第一表面之间具有设定距离；
胶膜，覆盖所述滤波芯片除第一表面以外的其他表面以及所述功能元件除第一表面以外的其他表面，且填充在所述第一凹槽内，在所述第一凹槽内，所述胶膜覆盖所述第一凹槽的侧壁及部分底部表面，所述胶膜、所述第一凹槽底部与所述滤波芯片的第一表面围成第一空腔；
塑封体，覆盖所述胶膜的表面以及所述基板的第一表面，且填充在所述功能元件的第一表面与所述基板的第一表面之间。
2.根据权利要求1所述的滤波器封装结构，其特征在于，所述第一凹槽底部的宽度大于所述第一凹槽顶部的宽度。
3.根据权利要求2所述的滤波器封装结构，其特征在于，所述第一凹槽为梯形凹槽。
4.根据权利要求1所述的滤波器封装结构，其特征在于，位于所述滤波芯片与所述第一凹槽之间的胶膜的厚度是位于所述功能元件的侧表面的胶膜的厚度的至少五倍。
5.根据权利要求1所述的滤波器封装结构，其特征在于，所述第一凹槽侧壁与所述滤波芯片侧面的最短距离大于或者等于100微米。
6.根据权利要求1～5任意一项所述的滤波器封装结构，其特征在于，所述滤波芯片具有与第一表面相背设置的第二表面，所述第二表面低于所述基板的第一表面，或者所述第二表面与所述基板的第一表面平齐。
7.根据权利要求1所述的滤波器封装结构，其特征在于，还包括屏蔽层，所述屏蔽层覆盖所述塑封体的表面。
8.一种滤波器封装结构的封装方法，其特征在于，包括：
提供基板，所述基板具有第一表面，且所述基板具有自所述第一表面朝向所述基板内部凹陷的第一凹槽；
在所述第一凹槽内设置滤波芯片，以及在所述基板的第一表面设置功能元件，所述滤波芯片包括朝向所述基板的第一表面，所述滤波芯片的第一表面与所述第一凹槽底部之间具有设定距离，且所述滤波芯片的第一表面低于所述基板的第一表面，所述功能元件包括朝向所述基板的第一表面，所述功能元件的第一表面与所述基板的第一表面之间具有设定距离；
覆膜，以形成胶膜，所述胶膜覆盖所述滤波芯片除第一表面以外的其他表面以及所述功能元件除第一表面以外的其他表面，且填充在所述第一凹槽内，在所述第一凹槽内，所述胶膜覆盖所述第一凹槽的侧壁及部分底部表面，所述胶膜、所述第一凹槽底部与所述滤波芯片的第一表面围成第一空腔，在所述第一凹槽外，所述胶膜、所述功能元件的第一表面及所述基板的第一表面围成第二空腔；
塑封，以形成塑封体，所述塑封体覆盖所述胶膜的表面以及所述基板的第一表面，且所述塑封体冲破所述胶膜填充在所述第二空腔。
9.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，在提供基板的步骤中，所述第一凹槽底部的宽度大于所述第一凹槽顶部的宽度，在覆膜，以形成胶膜的步骤中，在所述第一凹槽内，所述胶膜底部的宽度大于所述胶膜顶部的宽度。
10.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，覆膜，以形成胶膜的步骤包括：
覆盖胶膜层，所述胶膜层包覆所述基板的第一表面上方的区域；
加热所述胶膜层，加热温度为所述胶膜层的玻璃化温度；
加压使所述胶膜层覆盖所述滤波芯片除第一表面以外的其他表面以及所述功能元件除第一表面以外的其他表面，并进入至所述第一凹槽内；
烘烤固化，形成所述胶膜。
11.根据权利要求8～10任一项所述的封装方法，其特征在于，在塑封，以形成塑封体步骤之后，还包括：在所述塑封体表面形成屏蔽层。
CN202310639165.2A 2023-05-31 2023-05-31 滤波器封装结构及封装方法 Pending CN116582101A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310639165.2A CN116582101A (zh) 2023-05-31 2023-05-31 滤波器封装结构及封装方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310639165.2A CN116582101A (zh) 2023-05-31 2023-05-31 滤波器封装结构及封装方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116582101A true CN116582101A (zh) 2023-08-11

Family

ID=87535721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310639165.2A Pending CN116582101A (zh) 2023-05-31 2023-05-31 滤波器封装结构及封装方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116582101A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117792321A (zh) * 2024-02-26 2024-03-29 甬矽电子(宁波)股份有限公司 芯片封装工艺和芯片封装结构

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117792321A (zh) * 2024-02-26 2024-03-29 甬矽电子(宁波)股份有限公司 芯片封装工艺和芯片封装结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10074614B2 (en) EMI/RFI shielding for semiconductor device packages
KR100203030B1 (ko) 반도체 디바이스 및 그 제조방법과 반도체 칩을 실장하기 위한 가요성 막
EP1670057B1 (en) Manufacturing method of chip integrated substrate
US5854511A (en) Semiconductor package including heat sink with layered conductive plate and non-conductive tape bonding to leads
CN102347287B (zh) 多层布线基板
US6713863B2 (en) Semiconductor device having a carbon fiber reinforced resin as a heat radiation plate having a concave portion
KR100753499B1 (ko) 전자 부품 및 그 제조 방법
US7094626B2 (en) Method for encapsulating an electrical component
US20040080054A1 (en) Wiring board, semiconductor device, and process for production of wiring board
US7816777B2 (en) Semiconductor-element mounting substrate, semiconductor device, and electronic equipment
WO1999057764A1 (en) Laminated integrated circuit package
US7807510B2 (en) Method of manufacturing chip integrated substrate
US7884453B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO1997022146A1 (fr) Boitier de semi-conducteur comportant un circuit a couches multiples et composant a semi-conducteur
KR102144933B1 (ko) 칩 패키지 및 그 제조방법
US7608789B2 (en) Component arrangement provided with a carrier substrate
US6853060B1 (en) Semiconductor package using a printed circuit board and a method of manufacturing the same
CN116582101A (zh) 滤波器封装结构及封装方法
CN112071822A (zh) 半导体装置及制造半导体装置的方法
JP7494432B2 (ja) 電子素子モジュール及びその製造方法
CN114512789A (zh) 天线封装结构及天线封装结构制造方法
CN114512790A (zh) 天线封装结构及天线封装结构制造方法
KR20200015974A (ko) 인쇄회로기판 및 이를 포함하는 패키지 기판
KR20140020767A (ko) 칩형 전자 부품 및 접속 구조체
US6903270B1 (en) Method and structure for securing a mold compound to a printed circuit board

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination