CN116568794A - 光致抗蚀剂移除剂组合物 - Google Patents

光致抗蚀剂移除剂组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN116568794A
CN116568794A CN202180084072.7A CN202180084072A CN116568794A CN 116568794 A CN116568794 A CN 116568794A CN 202180084072 A CN202180084072 A CN 202180084072A CN 116568794 A CN116568794 A CN 116568794A
Authority
CN
China
Prior art keywords
alkylene
mixture
composition according
hydrate
solvent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180084072.7A
Other languages
English (en)
Inventor
吴恒鹏
D·伦尼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Merck Patent GmbH
Original Assignee
Merck Patent GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Merck Patent GmbH filed Critical Merck Patent GmbH
Publication of CN116568794A publication Critical patent/CN116568794A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
    • C11D3/3418—Toluene -, xylene -, cumene -, benzene - or naphthalene sulfonates or sulfates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
    • C11D3/3472—Organic compounds containing sulfur additionally containing -COOH groups or derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/43—Solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/264—Aldehydes; Ketones; Acetals or ketals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5022—Organic solvents containing oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5031—Azeotropic mixtures of non-halogenated solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明涉及一种组合物，其包括至少一种具有结构(I)的磺基水杨酸或其水合物及其混合物，及具有结构(I)的磺基水杨酸或其水合物，主溶剂，其选自丙酮及甲基乙基酮或这些溶剂的混合物，任选的辅助溶剂，其为乙醇酸类衍生物或至少两种乙醇酸类衍生物的混合物及任选的表面活性剂。

Description

光致抗蚀剂移除剂组合物
技术领域
本发明涉及低pK a移除剂溶液的组合物，该组合物由以下组成：选自具有结构(I)的磺基水杨酸的磺酸、选自丙酮及甲基乙基酮的主溶剂，或此主溶剂的混合物，以及作为乙醇酸类衍生物(glycol ic der ivat ive)的任选的辅助溶剂。
背景技术
本发明涉及一种化学剥离剂组合物，该化学剥离剂组合物使用本发明的移除剂组合物移除交联聚合物涂层，该移除剂组合物不会促进金属基板的腐蚀，但其出乎意料地也不需要存在金属保护螯合化合物或具有电荷络合特性的聚合物来防止显著腐蚀。
通过这些本发明配制剂移除的材料包括正型及负型化学增幅型(例如环氧树脂)及酸催化的光可成像涂层。用于微电子涂层的诸多商品化剥离剂表现得不足以满足最低制造需求。本发明提供一种商业构架，用于交联系统的移除产品，该交联系统在酸性介质中响应而没有通常在含有诸如铜或锡的金属的装置上观测到的有害刻蚀及损害效应，但同时不含有在移除/剥离工艺期间可有害地形成颗粒物质的金属螯合化合物。
对于各种处理条件，直至并包括硬烘烤，或另外被称作完全固化，组合物在高温下使用常规浸渍条件将在数分钟内移除及溶解经化学增幅反应的化合物，而对敏感性金属诸如铜或锡没有损害效应。发现此类完全固化涂层对通常包含碱性成分的常规有机剥离剂具有抗性，如美国专利第6,551,973号中所示例。当使用这些常规剥离剂时，不发生溶解。取而代之的，观测到这些常规碱性剥离剂通过剥离(l ift ing)或破裂成片的机制来移除涂层。此剥离(l ift-off)机制从如微机电系统(MEMS)装置中常见的复杂三维形貌产生不完全移除。未溶解的材料将产生在整个浴液中循环的颗粒，从而引起未溶解的片件再沉积于装置的其他区域上。发生在这些微小、受计算机控制的齿轮、传感器、弹簧、泵及相关微米或纳米级固定装置上的此类污染导致污染及装置故障。本发明的一目标为在给定剥离及移除期间，实现非所需的聚合物材料的完全溶解。
一些移除交联涂层的低pK a系统通过完全溶解而非剥离这么做。然而，这些材料含有金属腐蚀抑制剂，由于在移除工艺期间这些抑制剂组分的沉淀，而出乎意料地引起颗粒问题。这些腐蚀抑制剂为金属络合添加剂，其经添加以在移除工艺期间通过与金属基板络合来防止由低pK a移除剂引起的金属基板腐蚀。此类腐蚀抑制剂的实例为含有烯醇种类的部分(例如，含有邻近于醇官能基的不饱和碳链)的小分子、低聚物或聚合物。代表性烯醇抑制剂包括反丁烯二酸、顺丁烯二酸及邻苯二甲酸。抑制剂的更特定实例为松香种类的那些抑制剂；这些抑制剂为例如反丁烯二酸化松香。通过低pK a移除剂中的金属腐蚀抑制剂所形成的颗粒可沉积至装置的其他区域上，从而有害地影响最终装置的性能。含有此类金属腐蚀抑制剂的此类低pK a移除剂系统的非限制性实例描述于WO2016/142507中。
在这些微电路或微装置的制造期间，诸如单晶硅及多晶硅的各种无机基板、诸如砷化镓的混合半导体及金属经有机涂层(“光致抗蚀剂”或“抗蚀剂”)涂布，该涂层形成永久性或暂时性设计的抗蚀构架且在经历光刻工艺之后展现图案。可利用光致抗蚀剂以隔离导体或保护基板表面(诸如硅、二氧化硅或铝)的所选择区域免受湿(化学物质)及干(等离子体)两种形式的化学物质的作用。在将材料用作光致抗蚀剂的情况下，基板的暴露区域可进行所需刻蚀(移除)或沉积(添加)工艺。在完成此操作之后且在后续冲洗或调节之后，必需移除抗蚀剂及任何施加的刻蚀后残余物，以准许基本精加工操作。在移除光致抗蚀剂之后，留下特定微刻蚀或沉积图案。重复掩模及图案化工艺若干次以产生包含最终装置的技术的分层配置。每一步骤需要完全的抗蚀剂剥离及溶解，以确保最终形式装置以相对高产量产生且性能令人满意，无颗粒形成，且光致抗蚀剂膜完全溶解，并非仅将光致抗蚀剂膜分层。视采用何种类型的光致抗蚀剂而定，这些材料可含有可易于形成颗粒的添加剂，诸如光活性化合物(例如DNQ)、光酸产生剂(PAG)及光自由基产生剂。任何颗粒在此工艺期间沉积至活性区域中有害地影响装置的产量及性能。此外，待解决的另一个问题为在用于金属剥离应用的光致抗蚀剂中能够极快速地移除光致抗蚀剂，以及完全溶解。这是因为金属覆盖整个光致抗蚀剂图案，其中一些区域用于移除剂化学物质的穿透点极少。因此，需要移除剂溶液来迅速溶解光致抗蚀剂以实现快速金属剥离。
发明内容
本发明为一种改良剥离组合物，其将移除包括由不同类型的负型及正型抗蚀剂系统两者形成的图案化光致抗蚀剂膜的广泛范围的不同图案化光致抗蚀剂膜，且即使当这些光致抗蚀剂膜在金属膜下方时也可在2分钟或更短时间内移除厚光致抗蚀剂膜。在这些不同类型中，实例为可通过可见光、宽带i线、g线、h线、UV、248nm、193nm、193nm浸没、深UV、EUV、电子或电子束成像的抗蚀剂。特别地，本发明改良剥离组合物可在2分钟或更短时间内提供对厚光致抗蚀剂膜中的所有组分的快速完全溶解。此外，在不侵蚀底层的经暴露银、铜及/或锡以及其他金属、不使用金属腐蚀抑制剂添加剂(因为此类添加剂在抗蚀剂图案移除期间也易于促进颗粒形成)的情况下，从基板进行此光致抗蚀剂移除。
本发明移除剂组合物通过极快速且完全溶解来自由许多不同类型的抗蚀剂形成的图案的光致抗蚀剂图案来赋予这些有利特性，对于厚度为约10μm至约100μm的光致抗蚀剂膜通常在30至20秒或更短时间内，视厚度、图案类型及光致抗蚀剂类型而定。此移除在不形成剥离抗蚀剂膜或由移除剂中的树脂或添加剂产生的颗粒且在不腐蚀经光致抗蚀剂膜涂布的金属基板的情况下受影响。当此类光致抗蚀剂膜在抑制移除剂进入光致抗蚀剂膜的金属层下方时，视双金属几何结构而定，本发明配制剂可在少至约2分钟或更短时间内移除该膜，是其他移除剂约2倍至约10倍快。同时，出乎意料地，此移除剂组合物不需要任何抑制剂添加剂的存在来抑制腐蚀(无显著腐蚀)，且不引起诸如银、铜、锡及类似物的金属基板的腐蚀，且在使用这些本发明移除剂组合物的移除工艺期间不具有金属腐蚀抑制剂的沉淀问题。已发现这些本发明的移除剂组合物及其使用工艺尤其适用于制造半导体晶圆、MEMS装置及显示器。总之，这些本发明移除剂组合物具有以下优点：(1)不需要抗腐蚀剂；(2)溶解光致抗蚀剂膜而非仅将其分层；(3)即使当在金属层下方时，也保持极快速溶解速率。因此，这些本发明移除剂组合物能够在用于金属剥离应用的光致抗蚀剂中快速移除光致抗蚀剂。作为此类光致抗蚀剂的一非限制性实例为负型i线光致抗蚀剂及包含酚醛清漆(Novolak)树脂的宽带光致抗蚀剂。
在其方面之一中，本发明涉及一种组合物，其基本上由以下组成：至少一种具有结构(I)的磺基水杨酸、其水合物，或该磺基水杨酸与其水合物的混合物；选自丙酮及甲基乙基酮或这些溶剂的混合物的主溶剂，任选的辅助溶剂(其为乙醇酸类衍生物或至少两种乙醇酸类衍生物的混合物)，以及任选的表面活性剂。
在另一方面中，本发明涉及使用以上组合物以从基板移除光致抗蚀剂膜。
具体实施方式
应理解，上述一般描述及以下详细描述两者均为说明性及解释性的，且并不限定如所要求保护的主题。在本申请中，除非另外特定陈述，否则单数的使用包括复数，词语“一(a/an)”意指“至少一个”，且“或”的使用意指“及/或”。此外，术语“包括(including)”以及其他形式(诸如“包括(includes)”及“包括(included)”)的使用不具限制性。此外，除非另外具体说明，否则诸如“元件”或“组件”的术语涵盖包含一个单元的元件及组件以及包含超过一个单元的元件或组件两者。如本文中所使用，除非另外指明，否则连接词“及”意欲为包含性的且连接词“或”不意欲为排他性的。举例而言，短语“或替代地”意欲为排他性的。如本文所使用，术语“及/或”是指包括使用单个元件的前述元件的任何组合。
术语(甲基)丙烯酸酯为在一个术语中包含丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯两者的术语。
术语“剥离剂”与“移除剂”同义。
表述“基本上由……组成”具有以下意义：成分形成组合物的至少90wt％、更优选至少95wt％、最优选至少99wt％。
术语“基本上”意欲意指组合物中不存在与所列组分类似的其他组分。
根据本发明的一个实施方案，术语“基本上由……组成”可经“由……组成”替换，由此使组合物中无其他组分。
本文所使用的章节标题出于组织目的而不应被理解为限制所描述的主题。在本申请中所引用的所有文献或文献的部分(包括但不限于专利、专利申请、文章、书籍及论文)在此明确地以全文引用的方式并入本文中用于任何目的。在所并入文献及类似材料中的一或多者以与本申请中术语的定义矛盾的方式定义该术语的情况下，以本申请为准。
术语烷基是指C-1至C-8直链烷基、C-2至C-9支链烷基及C-5至C-8环烷基。
术语烷基羧酸酯是指部分烷基-(C＝O)-O-[烷基CO 2-]。
当提及以wt％为单位的组合物时，应理解，在任何情况下，包括非必需组分(诸如杂质)的所有组分的wt％总计为不超过100wt％。在组合物含有一些少量非必需污染物或杂质的情况下，所有必需组分的组成可总计为小于100wt％。否则，若不存在显著非必需杂质组分，则应理解所有必需组分的组成将基本上总计为100wt％。
本文所用的术语乙醇酸类衍生物是指烷二醇、低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇[HO-(亚烷基-O-亚烷基-O)n-H](n＝1至4)；烷二醇、低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇[HO-(亚烷基-O-亚烷基-O)n-H](n＝1至4)的单烷基醚及二烷基醚；烷二醇、低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇[HO-(亚烷基-O-亚烷基-O)n-H](n＝1至4)的单烷基羧酸酯及二烷基羧酸酯；一个羟基官能化为烷基醚且另一羟基经烷基羧酸酯官能化的低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇[HO-(亚烷基-O-亚烷基-O)n-H](n＝1至4)。
在其方面之一中，本发明涉及一种组合物，其基本上由以下组成：
a)一种具有结构(I)的磺基水杨酸、其水合物或该磺基水杨酸与其水合物的混合物；
b) 主溶剂，其选自丙酮及甲基乙基酮，或这些溶剂的混合物，
c) 任选的辅助溶剂，其为乙醇酸类衍生物或至少两种乙醇酸类衍生物的混合物；及
d)任选的表面活性剂，本文分别描述，呈不同浓度。
在此实施方案中，以上组分的组合量不必等于100wt％(例如，成分可形成至少90wt％、更优选至少95wt％、更优选至少99wt％、更优选至少99.5wt％、最优选至少99.9wt％)，且可包括实质上不影响移除剂的性能的其他成分。在此实施方案的另一方面中，组合物由组分a)、b)、c)及d)组成。
本发明组合物的一些实施方案基本上由以下组成：
a)至少一种具有结构(I)的磺基水杨酸、其水合物或该磺基水杨酸与其水合物的混合物中之一；
b)主溶剂，其选自丙酮及甲基乙基酮，或这些溶剂的混合物；及
c)辅助溶剂，其为乙醇酸类衍生物或至少两种乙醇酸类衍生物的混合物；本文中描述，呈不同浓度。
在此实施方案中，以上组分的组合量不可超过100wt％，但不必等于100wt％(例如，成分可形成组合物的至少90wt％、更优选至少95wt％、更优选至少99wt％、更优选至少99.5wt％、最优选至少99.9wt％)，且可包括实质上不影响移除剂的性能的其他成分。在此实施方案的另一方面中，本发明组合物由以上组分a)、b)及c)组成。
在其方面之一中，本发明涉及一种组合物，其基本上由以下组成：
a)至少一种具有结构(I)的磺基水杨酸、其水合物或该磺基水杨酸与其水合物的混合物中之一；
b)主溶剂，其选自丙酮及甲基乙基酮，或这些溶剂的混合物；及
c)及表面活性剂。
在此实施方案中，组分a)、b)及c)的组合量不可超过100wt％，但不一定等于100wt％。若其他材料不影响移除剂配制剂的性能，则可存在不影响此移除剂材料的性能的这些材料。在一个实施方案中，组分a)、b)及c)形成组合物的至少90wt％、更优选至少95wt％、更优选至少99wt％、更优选至少99.5wt％、最优选至少99.9wt％。
在其方面之一中，本发明涉及一种组合物，其由以下组成：
a)至少一种具有结构(I)的磺基水杨酸、其水合物或该磺基水杨酸与其水合物的混合物中之一；
b)主溶剂，其选自丙酮及甲基乙基酮，或这些溶剂的混合物；及
c)及表面活性剂。
在此实施方案中，上述组分的组合量为100wt％且无其他材料显著存在。
在其方面之一中，本发明涉及一种组合物，其由以下组成：
a)至少一种具有结构(I)的磺基水杨酸、其水合物或该磺基水杨酸与其水合物的混合物中之一；
b)主溶剂，其选自丙酮及甲基乙基酮，或这些溶剂的混合物。
在此实施方案中，上述组分的组合量为100wt％且无其他材料显著存在。
在其方面之一中，本发明涉及一种组合物，其基本上由以下组成：
a)至少一种具有结构(I)的磺基水杨酸、其水合物或该磺基水杨酸与其水合物的混合物中之一；
b)主溶剂，其选自丙酮及甲基乙基酮，或这些溶剂的混合物。
在此实施方案中，组分a)及b)的组合量不可超过100wt％，但不一定等于100wt％。若其他材料不影响移除剂配制剂的性能，则可存在不影响此移除剂材料的性能的这些材料。在一个实施方案中，组分a)及b)形成组合物的至少90wt％、更优选至少95wt％、更优选至少99wt％、更优选至少99.5wt％、最优选至少99.9wt％。
在本文中所描述的具有结构(I)的磺基水杨酸(或其水合物)作为其组分中之一的组合物的实施方案中，这些的更特定实施方案选自具有结构(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)(或其水合物)及其混合物的那些。
在一些实施方案中，结构(I)的磺基水杨酸(或其水合物)为具有结构(Ia)的化合物(或其水合物)。
在一些实施方案中，结构(I)的磺基水杨酸(或其水合物)为具有结构(Ib)的化合物(或其水合物)。
在一些实施方案中，结构(I)的磺基水杨酸(或其水合物)为具有结构(Ic)的化合物(或其水合物)。
在一些实施方案中，结构(I)的磺基水杨酸(或其水合物)为具有结构(Id)的化合物(或其水合物)。
在此组合物的上述方面中的任一者的另一实施方案中，磺基水杨酸组分为具有结构(I)的磺基水杨酸(或为水合物)，且其在溶液的总wt中具有约0.5wt％至约10wt％范围内的wt％负载量。在此实施方案的另一方面中，此酸的wt％负载量为约0.75wt％至约7.00wt％。在此实施方案的另一方面中，此酸的wt％负载量为约1.00wt％至约6.00wt％。在此实施方案的另一方面中，wt％为约1.50wt％至约5.00wt％。在此实施方案的另一方面中，wt％为约1.50wt％至约4.00wt％。在此实施方案的另一方面中，wt％为约1.75wt％至约3.00wt％。在此实施方案的另一方面中，wt％为约1.80wt％至约2.75wt％。在此实施方案的另一方面中，wt％为约1.90wt％至约2.50wt％。在此实施方案的另一方面中，wt％为约1.90wt％至约2.30wt％。在此实施方案的另一方面中，wt％为约1.90wt％至约2.20wt％。在此实施方案的另一方面中，wt％为约2wt％。在此实施方案的另一方面中，磺基水杨酸可为具有结构(Ib)的磺基水杨酸(或其水合物)。在此实施方案的另一方面中，磺基水杨酸可为具有结构(Ic)的磺基水杨酸(或其水合物)。在此实施方案的另一方面中，磺基水杨酸可为具有结构(Id)的磺基水杨酸(或其水合物)。
在本文所描述的组合物的一个实施方案中，该主溶剂为丙酮。
在本文所描述的组合物的一个实施方案中，该主溶剂为甲基乙基酮。
在本文所描述的组合物的一个实施方案中，该主溶剂为丙酮与甲基乙基酮的混合物。在此实施方案的一个方面中，主溶剂混合物中丙酮的wt％在约1wt％至约99.5wt％范围内。在此实施方案的一个方面中，组合物中不存在辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分。在此实施方案的另一方面中，还存在辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分。在此主溶剂混合物的另一方面中，其含有约95wt％丙酮。在另一方面中，此主溶剂混合物含有约90wt％丙酮。在此主溶剂混合物的又一方面中，其含有约85wt％丙酮。在此主溶剂混合物的又一方面中，其含有约80wt％丙酮。在此实施方案的又一方面中，此主溶剂混合物含有约75wt％丙酮。在此主溶剂混合物的又一方面中，其含有约65wt％丙酮。在此主溶剂混合物的又一方面中，其含有约60wt％丙酮。在此主溶剂混合物的又一方面中，其含有约55wt％丙酮。在此主溶剂混合物的又一方面中，其含有约50wt％丙酮。在此主溶剂混合物的又一方面中，其含有约45wt％丙酮。在此主溶剂混合物的又一方面中，其含有约40wt％丙酮。在此主溶剂混合物的又一方面中，其含有约35wt％丙酮。在此主溶剂混合物的又一方面中，其含有约30wt％丙酮。在此主溶剂混合物的又一方面中，其含有约25wt％丙酮。在此主溶剂混合物的又一方面中，其含有约20wt％丙酮。在此主溶剂混合物的又一方面中，其含有约15wt％丙酮。在此主溶剂混合物的又一方面中，其含有约10wt％丙酮。在此主溶剂混合物的又一方面中，其含有约5wt％丙酮。
在含有辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分的本文所描述的组合物的实施方案中，此辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分为以下二者之一：单一辅助乙醇酸类衍生物溶剂或来自这些类型溶剂中的至少两者的混合物。此辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分以经合并的主溶剂及辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分的约1wt％至约30wt％存在。在一个实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约1wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约2wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约3wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约4wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约5wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约6wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约7wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约8wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约9wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约10wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约11wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约12wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约13wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约14wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约15wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约16wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约17wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约18wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约19wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约20wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约21wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约23wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约23wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约24wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约25wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约26wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约27wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约28wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约29wt％。在另一实施方案中，其为经合并的溶剂组分的约30wt％。
在这些实施方案的另一方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分选自烷二醇、低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇[HO-(亚烷基-O-亚烷基-O)n-H](n＝1至4)、烷二醇的单烷基醚、低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇的单烷基醚、烷二醇的二烷基醚、低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇的二烷基醚、羟基中之一经官能化为烷基羧酸酯且另一者经官能化为醚的烷二醇、羟基中之一经官能化为烷基羧酸酯且另一者经官能化为醚的低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇、羟基中之一经官能化为烷基羧酸酯的烷二醇、羟基中之一经官能化为烷基羧酸酯的低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇、两个羟基均经官能化为烷基羧酸酯的烷二醇、两个羟基均经官能化为烷基羧酸酯的低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇，或选自这些溶剂类型中的至少两者的混合物。
在这些实施方案的另一方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分为烷二醇。
在这些实施方案的另一方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分为低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇[HO-(亚烷基-O-亚烷基-O)n-H](n＝1至4)。
在这些实施方案的另一方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分为烷二醇的单烷基醚。
在这些实施方案的另一方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分为低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇[HO-(亚烷基-O-亚烷基-O)n-H](n＝1至4)的单烷基醚。
在这些实施方案的另一方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分为烷二醇的二烷基醚。
在这些实施方案的另一方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分为低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇[HO-(亚烷基-O-亚烷基-O)n-H](n＝1至4)的二烷基醚。
在这些实施方案的另一方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分为烷二醇，其中一个羟基官能化为烷基醚且另一羟基官能化为烷基羧酸酯。
在这些实施方案的另一方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分为低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇[HO-(亚烷基-O-亚烷基-O)n-H](n＝1至4)，其中一个羟基官能化为烷基醚且另一羟基官能化为烷基羧酸酯。
在这些实施方案的另一方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分为烷二醇，其中羟基中之一经官能化为烷基羧酸酯。
在这些实施方案的另一方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分为低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇[HO-(亚烷基-O-亚烷基-O)n-H](n＝1至4)，其中羟基中之一经官能化为烷基羧酸酯。
在这些实施方案的另一方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分为烷二醇，其中两个羟基均官能化为烷基羧酸酯。
在这些实施方案的另一方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分为低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇[HO-(亚烷基-O-亚烷基-O)n-H](n＝1至4)，其中两个羟基均官能化为烷基羧酸酯。
在这些实施方案的另一方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分为低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇[HO-(亚烷基-O-亚烷基-O)n-H](n＝1至4)。
在该辅助乙醇酸类衍生物溶剂组分的一更特定实施方案中，亚烷基部分选自C-2至C-6直链亚烷基、或C-3至C-7支链亚烷基，或在低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇的情况下，选自这些的混合物。在一更特定实施方案中，亚烷基部分为C-3亚烷基。
在羟基官能化为烷基醚(作为单烷基醚或二烷基醚)的该辅助乙醇酸类衍生物的一更特定实施方案中，烷基独立地选自甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、异丁基。
在羟基经烷基羧酸酯官能化的该辅助乙醇酸类衍生物的一更特定实施方案中，这些烷基羧酸酯选自乙酸酯、丙酸酯、异丁酸酯及丁酸酯。
在乙醇酸类衍生物溶剂的此方面的另一特定实施方案中，其选自乙二醇、丙二醇、乙酸1-甲氧基-2-丙醇酯(PGMEA)、1-甲氧基-2-丙醇(PGME)、具有式(CH3O)C3H6OC3H6(OH)的二丙二醇单甲醚(II)(CAS#34590-94-8.)、二丙二醇二甲醚(III)(DPGDME)(CAS#111109-77-4)及二丙二醇(IV)(CAS#25265-71-825265-71)或这些溶剂中的至少两者的混合物。在此实施方案的一更特定方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂为乙二醇。在此实施方案的一更特定方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂为丙二醇。在此实施方案的一更特定方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂为乙酸1-甲氧基-2-丙醇酯。在此实施方案的一更特定方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂为1-甲氧基-2-丙醇。在此实施方案的一更特定方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂为二丙二醇单甲醚。在此实施方案的一更特定方面中，该辅助乙醇酸类衍生物溶剂为二丙二醇二甲醚(III)。
前述二丙二醇单甲醚(II)辅助乙醇酸类衍生物溶剂为包含以下异构化合物的复杂混合物：1-(2-甲氧基丙氧基)-2-丙醇(CAS 13429-07-7)(IIa)；1-(2-甲氧基-1-甲基乙氧基)-2-丙醇(CAS 20324-32-7)(IIb)、2-(2-甲氧基丙氧基)-1-丙醇(CAS 13588-28-8)(IIc)；2-(2-(2-甲氧基丙氧基)-1-丙醇(CAS 55956-21-3)(IId)，及其光学异构体。在含有辅助乙醇酸类衍生物溶剂的本文所描述的本发明组合物的另一实施方案中，这些单独溶剂或IIa至IId中的至少两者的混合物(及其光学异构体)为辅助乙醇酸类衍生物溶剂。
前述二丙二醇二甲醚(III)辅助乙醇酸类衍生物溶剂为包含以下异构化合物的复杂混合物：2-甲氧基-1-(2-甲氧丙氧基)丙烷(CAS#63019-84-1)(IIIa)；2-甲氧基-1-((1-甲氧基丙-2-基)氧基)丙烷(CAS 89399-28-0)(IIIb)、2-甲氧基-1-((1-甲氧基丙-2-基)氧基)丙烷(CAS#189354-80-1)(IIIc)，其具有以下通用结构IIIa、IIIb及IIIc，及其光学异构体。在含有辅助乙醇酸类衍生物溶剂的本文所描述的本发明组合物的另一实施方案中，这些单独溶剂或IIIa至IIIc中的至少两者的混合物(及其光学异构体)为辅助乙醇酸类衍生物溶剂。
前述二丙二醇单甲醚(IV)辅助乙醇酸类衍生物溶剂为包含以下异构化合物的复杂混合物：双(2-羟丙基)醚(CAS#110-98-5)(IVa)；2-(2-羟丙氧基)-1-丙醇(CAS#106-62-7)(IVb)、2,2'-氧基双[1-丙醇](CAS#189354-80-1)(IVc)，其具有以下通用结构IVa、IVb及IVc，及其光学异构体。在含有辅助乙醇酸类衍生物溶剂的本文所描述的本发明组合物的另一实施方案中，这些单独溶剂或IVa至IVc中的至少两者的混合物(及其光学异构体)为辅助乙醇酸类衍生物溶剂。
在含有表面活性剂的本文所描述的本发明组合物的实施方案中，表面活性剂不存在特定限制，且其实例包括聚氧乙烯烷基醚，诸如聚氧乙烯月桂基醚、十甘醇单十二烷基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯鲸蜡基醚及聚氧乙烯油精醚(polyoxyethylene oleinether)；聚氧乙烯烷芳基醚，诸如聚氧乙烯辛基苯酚醚及聚氧乙烯壬基苯酚醚；聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物；脱水山梨糖醇脂肪酸酯，诸如脱水山梨糖醇单月桂酸酯、脱水山梨糖醇单棕榈酸酯及脱水山梨糖醇单硬脂酸酯；聚氧乙烯脱水山梨糖醇脂肪酸酯的非离子表面活性剂，诸如聚氧乙烯脱水山梨糖醇单月桂酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇单棕榈酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇单硬脂酸酯、聚乙烯脱水山梨糖醇三油酸酯及聚氧乙烯脱水山梨糖醇三硬酯酸酯；氟化表面活性剂，诸如F-Top EF301、EF303及EF352(由Jemco Inc.制造)、MegafacF171、F172、F173、R08、R30、R90及R94(由Dainippon Ink&Chemicals,Inc.制造)、FC-430、FC-431、FC-4430及FC-4432(由Sumitomo 3M Ltd.制造)、Asahi GuardAG710、Surflon S-381、S-382、S-386、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106、E1004、KH-10、KH-20、KH-30及KH-40(由Asahi Glass Co.,Ltd.制造)；有机硅氧烷聚合物，诸如KP-341、X-70-092及X-70-093(由Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造)；及丙烯酸或甲基丙烯酸聚合物，诸如PolyflowTM75号及95号(由Kyoeisha YushikagakuKogyo K.K.制造)。
在前述本发明组合物的另一实施方案中，表面活性剂以小于组合物的总重量的1wt％的量存在。在另一实施方案中，表面活性剂以小于约0.1wt％的量存在。
在上述组合物中的任一者的另一实施方案中，表面活性剂为具有结构(III)的聚合表面活性剂，其中n”'为聚合物中重复单元的数目且na为CH2间隔基部分的数目，其为8至14的整数。在组合物的此方面的另一实施方案中，该聚合表面活性剂具有结构(IIIa)。
在本发明的实施方案中为含有具有结构(III)或(IIIa)的表面活性剂的组合物，该表面活性剂各可单独地以约0.005wt％至约0.100wt％存在于组合物中。在另一实施方案中，约0.010wt％至约0.050wt％。在又一实施方案中，约0.015wt％至约0.040wt％。在再一实施方案中，约0.020wt％至约0.035wt％。在又一实施方案中，约0.022wt％至约0.030wt％。在再一实施方案中，约0.023wt％至约0.028wt％。在又一实施方案中，约0.024wt％至约0.026wt％。在再一实施方案中，约0.025wt％。在这些实施方案中的一些中，当表面活性剂存在时，进一步定义为对应于结构(III)或(IIIa)的表面活性剂，优选组合物中不存在与这些结构不同的其他表面活性剂。
在本发明的一个方面中，从本文所描述的本发明组合物专门排除可由于颗粒沉积而实质上改变移除剂的有效性的一类材料。这些已排除材料的实例为颗粒、颜料、染料、抗氧化剂及松香种类的抑制剂；诸如反丁烯二酸化松香及可在剥离期间形成颗粒及沉积于基板上的其他材料。
在本发明的另一方面中，另一类可通过对金属基材造成腐蚀而实质上改变移除剂的效果的材料为pKa小于5的其他酸性材料，该酸性材料从本文所描述的本发明组合物专门排除。这些酸性材料的实例为磺酸，除本文所描述的本发明组合物中存在的具有结构(I)(及子结构(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id))的磺酸外，此类其他类型磺酸的非限制性实例为芳基磺酸(例如苯磺酸、萘磺酸、烷基苯磺酸(例如对甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸)、烷基磺酸(例如甲磺酸、丁磺酸)、三氟甲磺酸、全氟烷基磺酸(例如全氟丁烷磺酸)、部分氟化烷基磺酸(例如2,2,2-三氟乙磺酸)、其他芳基磺酸(经取代或未经取代，例如苯磺酸、氟苯磺酸、二氟苯磺酸、五氟苯磺酸、丙基苯磺酸)、硝基苯磺酸、二硝基苯磺酸、苯二磺酸及类似物。也排除氨基磺酸，诸如非限制性实例氨基磺酸、环己氨磺酸(cyclamic acid)及甲基氨基磺酸。也排除强无机酸(pKa低于0)，诸如非限制性实例氟磺酸、硝酸、硫酸、盐酸及类似物。pKa大于0的无机酸、氢氟酸、含有呈氧化态+1的P的含磷含氧酸[例如H3PO2(或H2PO(OH))、次磷酸或次膦酸、单质子酸]；含有呈氧化态+3的P的含磷含氧酸[例如(H3PO3(或HPO(OH)2)、亚磷酸或膦酸、二质子酸]，含有呈氧化态+5的P的含磷含氧酸(例如磷酸：H3PO4(或PO(OH)3)、磷酸、三元酸磷酸)。也排除羧酸，诸如非限制性实例甲酸、烷基羧酸(例如乙酸、丙酸及类似酸)、全氟烷基羧酸(例如三氟乙酸及类似酸)、芳基羧酸(例如苯甲酸及类似酸)、烷基苯甲酸(例如甲苯甲酸及类似酸)、芳基亚烷基羧酸(例如苯乙酸、苯丙酸及类似酸)、二羧酸(例如草酸、顺丁烯二酸、丙二酸及类似酸)、三羧酸(例如柠檬酸、异柠檬酸、乌头酸、丙烷-1,2,3-三羟酸、对称苯三甲酸及类似酸)。在此实施方案的另一方面中，从剥离剂配制剂排除如上文所描述的pKa小于0的其他材料。在此实施方案的一个方面中，从配制剂中排除pKa小于0的其他磺酸。
在本发明的另一方面中，如本文中在其不同方面中所单独描述，可通过引起颗粒沉积或通过引起金属腐蚀而实质上改变移除剂组合物的有效性的两种类别的材料被排除在组分之外。
本发明的另一实施方案为一种包括以下步骤的方法：
i)将上述本发明组合物中的任一者的温度热调节至约15℃至约80℃的温度下，产生热调节组合物，
ii)用该热调节组合物处理涂布有光致抗蚀剂膜的基板持续约1分钟至约60分钟的时间，直至产生光致抗蚀剂膜经移除的基板为止，
iii)在步骤ii)之后，用异丙醇、异丙醇与水的混合物或水中之一冲洗该基板，以移除来自步骤ii)的任何残余组合物，从而产生干净基板，
iv)干燥该干净基板。
在此方法的一更特定实施方案中，在步骤i)中该组合物热调节至约20℃至约60℃。在此方法的另一特定实施方案中，在步骤i)中该组合物热调节至约20℃至约40℃。在又一特定实施方案中，在步骤ii)中，基板为金属。在又一特定实施方案中，在步骤ii)中，基板为铜。在又一特定实施方案中，在步骤ii)中，基板为锡。在又一特定实施方案中，在步骤ii)中，基板为银。在再一特定实施方案中，在步骤ii)中，处理基板持续约1分钟至约20分钟。在再一特定实施方案中，在步骤iii)中该冲洗用水与异丙醇的混合物进行，该混合物具有在约5wt％至约95wt％范围内的水组成。
在上述本发明方法的一个实施方案中，在该步骤ii)中经移除的该光致抗蚀剂膜的该处理为选自由以下组成的组的处理：图案化光致抗蚀剂膜、不具有图案的毯覆式(blanket)曝光的光致抗蚀剂膜及未曝光的光致抗蚀剂膜。在一个实施方案中，其为图案化光致抗蚀剂膜。在另一实施方案中，其为未曝光的光致抗蚀剂膜。在另一实施方案中，其为毯覆式曝光的光致抗蚀剂膜。
在上述本发明方法的一个实施方案中，在步骤ii)中，通过将该基板浸渍至该本发明组合物中、用该热调节本发明组合物喷涂，或通过将该热调节组合物覆液(puddling)至该光致抗蚀剂膜上来进行该处理。在此实施方案的一个方面中，使用浸渍。在此实施方案的另一方面中，使用喷涂。在此实施方案的另一方面中，使用覆液。
在上述本发明方法的另一实施方案中，在步骤i)中该组合物热调节至约30℃至约65℃。
在上述本发明方法的另一实施方案中，在步骤iv)中，通过在空气中离心干燥，使用气流(诸如氮气、空气或一些其他惰性气体)、异丙醇(IPA)干燥或Marangoni干燥来干燥该干净基板。在一个方面中，该干燥通过离心干燥进行。在另一方面中，该干燥通过使用该气流进行。在另一方面中，该干燥通过使用IPA干燥来进行。在又另一方面中，该干燥通过该Marangoni干燥来进行。
在上述本发明方法的一个方面中，该光致抗蚀剂膜为负型光致抗蚀剂膜。
在上述本发明方法的一个方面中，该光致抗蚀剂膜为正型光致抗蚀剂膜。
在上述本发明方法的另一方面中，该光致抗蚀剂膜为化学增幅型光致抗蚀剂膜。
在上述实施方案中的任一者的另一方面中，该光致抗蚀剂膜为图案化负型光致抗蚀剂膜或毯覆式曝光的负型光致抗蚀剂膜。在一个方面中，其为图案化负型光致抗蚀剂膜。在另一方面中，其为毯覆式曝光的负型光致抗蚀剂膜。在这些实施方案的一个方面中，该负型光致抗蚀剂为化学增幅型光致抗蚀剂。
如本文所描述的图案化光致抗蚀剂膜是指已用碱水溶液显影剂或基于溶剂的显影剂曝光或显影以产生该图案化的光致抗蚀剂膜，视用于形成膜的光致抗蚀剂类型而定，该显影可在曝光后烘烤之后发生。
毯覆式曝光的光致抗蚀剂膜是指已曝光于辐射(例如i线、g线、UV、深UV、宽带、EUV、电子束及类似物)的光致抗蚀剂膜，但其中在曝光期间未使用掩模来产生经曝光图案，该经曝光图案在显影之后将产生图案化光致抗蚀剂膜。
在上述本发明方法的另一实施方案中，在步骤ii)中，基板为金属。在此实施方案的一个方面中，该金属选自铜、铝、铝/铜合金、银、锡、钛、钨及镍。在该方法的此实施方案的另一方面中，该金属选自铝、铝/铜合金及铜。在上述本发明方法的再一实施方案中，在步骤ii)中，基板为铜。在上述本发明方法的再一实施方案中，在步骤ii)中，基板为锡。
在上述本发明方法的再一实施方案中，在步骤ii)中，该基板为含有双金属图案的基板，该双金属图案由选自铝、铝/铜合金、锡、银及铜的两种不同金属构成。在一个方面中，该双金属图案为铜及锡中之一。在另一方面中，该双金属为银及铝。在又一方面中，该双金属图案具有银及铝/铜合金中之一。在又一实施方案中，该双金属图案为银及锡中之一。在又一实施方案中，该双金属图案为银及铜中之一。在又一实施方案中，该双金属图案为银及钛中之一。在又一实施方案中，该双金属图案为银及钨中之一。在又一实施方案中，该双金属图案为银及镍中之一。
在上述本发明方法的另一实施方案中，在步骤ii)中，处理基板持续约1分钟至约20分钟。在此实施方案的另一方面中，在步骤ii)中，处理基板持续约5分钟至约20分钟。
在上述本发明方法的另一实施方案中，在步骤iii)中，用水进行冲洗。
本发明的移除剂组合物可用于以上述发明方法中以从如下许多不同类型的光致抗蚀剂图案移除图案。
视应用，IC装置、IC装置互连件、电路板、焊料板应用、MEM、显示器及类似物，本发明的移除剂可用于移除具有各种厚度的图案化抗蚀剂膜。通常，厚度与所制造的装置大小一致，从用于现有技术IC的约数十纳米开始，至用于较大IC装置的若干微米范围，至用于诸如MEM的极大装置的10至500微米。
本发明的移除剂可与抗蚀剂图案一起使用，该抗蚀剂图案由能够形成图案的负型及正型光致抗蚀剂材料产生，该材料可选自可使用不同类型的辐射形成图案的材料。举例而言，作为非限制性实例，移除的抗蚀剂图案可由i线光致抗蚀剂、g线光致抗蚀剂、248nm光致抗蚀剂、193nm光致抗蚀剂、极紫外光致抗蚀剂、电子束光致抗蚀剂及粒子束光致抗蚀剂形成。本发明的移除剂可与可由光致抗蚀剂产生的光致抗蚀剂图案一起使用，该光致抗蚀剂可通过用于获得图案的化学物质类型而进一步如下分类。
举例而言，本发明组合物的移除剂可用于移除通过可见光、i线、h线及g线曝光且通过碱水溶液采用基于酚醛清漆树脂及重氮萘醌敏化剂(DNQ)敏化剂材料的光致抗蚀剂显影而产生的正型图案，这些类型的抗蚀剂系统也可经由色调反转工艺产生负型图像。基于重氮萘醌-酚醛清漆的抗蚀剂描述于(Diazonapththoquinone-based Resists,第2章,Basic Chemistry of DNQ/Novolak resists,SPIE Optional Engineering Press,第TT11卷,第9页,1993)中，其以全文引用的方式并入本文中。
另外，本发明组合物的移除剂可用于移除由通过碱水溶液或溶剂显影的负型或正型光致抗蚀剂两者产生的抗蚀剂膜及图案。
另外，本发明组合物的移除剂可用于移除化学增幅型及碱水溶液可显影的抗蚀剂。通常，抗蚀剂图案由248nm、193nm、EUV形成以能够实现较高分辨率图案，但也可使用较长波长(诸如可见光、宽带UV、i线、g线及h线)来产生光致抗蚀剂图案。
本发明的移除剂可用于移除由正型化学增幅型抗蚀剂产生的抗蚀剂图案，潜在地为碱水溶液可溶的树脂(诸如(甲基)丙烯酸酯共聚物、苯乙烯类共聚物、酚醛清漆、酚树脂)通过使遮蔽碱水溶液增溶部分的酸可裂解基团去保护而使得碱水溶液可溶。碱增溶部分可为羧酸、酚或通常具有低于11的pK a的其他部分，使得碱水溶液将在大程度上使其电离。通过光酸产生化合物在光致抗蚀剂膜的曝光区域中产生酸。此酸经由酸解或水解工艺使酸可裂解基团去保护，释放游离碱增溶部分，从而允许光致抗蚀剂膜在曝光区域中为碱水溶液可溶性的。
本发明的移除剂可用于移除由负型化学增幅型产生的抗蚀剂图案，其的固有碱水溶液溶解度并未通过任何保护基遮蔽。相反，在此方法中，诸如基于碱水溶液可溶的(甲基)丙烯酸酯共聚物、苯乙烯类共聚物、酚醛清漆及类似物的固有碱可溶树脂(粘合剂树脂)是通过光酸经由酸交联部分催化地交联。这些部分可侧接至粘合剂树脂本身、存在于交联添加剂(交联剂)上或存在于树脂及添加剂两者上。曝光区域中的酸催化的交联受由PAG生成的光酸影响，其在碱水溶液显影之后产生负型图像。通常，当采用交联添加剂时，交联添加剂为能够在与光酸相互作用时形成碳鎓离子的部分(诸如氨基塑料)或含有酸可交联基团的添加剂(诸如环氧化合物)。类似地，若交联部分存在于树脂上，则其可为能够与酸形成碳鎓离子的部分或为可与酸进行交联的部分(诸如环氧部分)。以下参考为化学增幅型抗蚀剂的综述：H.I to,Adv Polym Sci,2005,I 72，第37页。
本发明的移除剂可用以移除由负型化学增幅型抗蚀剂产生的光致抗蚀剂图案，其中粘合剂树脂可包含酚醛清漆，例如衍生自经取代酚，诸如邻甲酚、间甲酚、对甲酚、2,4-二甲苯酚、2,5-二甲苯酚、3,4-二甲苯酚、3,5-二甲苯酚、麝香草酚及其混合物的酚醛清漆，该经取代酚已与醛(诸如甲醛)缩合。在其他方法中，粘合剂树脂也可包含聚(乙烯基苯酚)，诸如聚(对羟基苯乙烯)；聚(对羟基-α-甲基苯乙烯；对羟基苯乙烯或对羟基-α-甲基苯乙烯与苯乙烯、乙酰氧基苯乙烯或丙烯酸及/或甲基丙烯酸的共聚物；羟基苯基烷基甲醇均聚物；或酚醛清漆/聚(乙烯基苯酚)共聚物。用于此类负型化学增幅型抗蚀剂的交联添加剂可为含于小化合物、有机低聚物或聚合物内的醚化氨基塑料交联官能基。此类氨基塑料在酸裂解之后提供碳鎓离子且用以在由辐射(优选成像辐射)生成的酸的存在下交联粘合剂树脂。此交联使得粘合剂树脂在曝光区中不溶于碱性介质。此类交联剂可由各种氨基塑料与含有多个羟基、羧基、酰胺或酰亚胺基团的化合物或低分子量聚合物组合来制备。氨基低聚物或聚合物的一些实例为通过使胺(诸如脲、三聚氰胺或甘脲(glycolurea))与醛(诸如甲醛)反应所获得的氨基塑料。适合的氨基塑料可包括脲甲醛、三聚氰胺甲醛、苯并胍胺甲醛及甘脲甲醛树脂，及任意这些的组合。在一些应用中，氨基塑料为六(甲氧基甲基)三聚氰胺低聚物。此类材料的非限制性实例描述于美国专利第6,576,394号中。
实施例
现将参照本发明的更特定实施方案及对这些实施方案提供支持的实验结果。然而，申请人提示，以下公开内容仅出于说明性目的且不意欲以任何方式限制所要求保护的主题的范围。
化学品
用于这些实施例的光致抗蚀剂产品nLOF 2070、/>3DT、/>4620、/>15nXT均获自EMD Performance Materials,Branchburg,NJ 08876。所有其他化学品购自Millipore Sigma(3050Spruce St.,St.Louis,MO 63103)。
处理
对于光致抗蚀剂剥离测试，将硅晶圆用作无机基板，在该无机基板上涂覆且处理化学增幅型负型光致抗蚀剂nLOF 2070(EMD Performance Materials,Branchburg,NJ 08876的产品)。处理由以下组成：将抗蚀剂旋涂至所需厚度且在加热板上在110℃下施加软烘烤90秒以形成10μm厚膜。随后经由接触孔图案化掩模使抗蚀剂暴露于220mJ/cm 2的光下。在加热板上在110℃下进行曝光后烘烤90秒，随后使抗蚀剂显影。使用AZ 300MIF显影剂在两个水坑中显影各60秒，随后用去离子水冲洗。
将具有150nm银溅镀涂层的硅200mm(8”)晶圆用于银腐蚀测试。将镀银硅晶圆试样浸没于光致抗蚀剂移除剂溶液中，持续足以剥离光致抗蚀剂的一段时间。进行规律性检查以通过目视及显微镜检查作为腐蚀指示的表面混浊度的存在来检查金属表面状况。表面混浊度可在比重量分析更敏感的水平下鉴别及确认
银腐蚀及光致抗蚀剂剥离测试1
通过将2wt％5-磺基水杨酸二水合物(CAS:5965-83-3)溶解于丙酮(CAS:67-64-1)中来制备光致抗蚀剂移除剂溶液。将室温溶液放置于具有磁搅拌棒(300rpm)的150ml烧杯中。将具有nLOF 2070光致抗蚀剂图案的硅晶圆试样浸没于溶液中。光致抗蚀剂在20秒内溶解。相同溶液及装备用于银腐蚀测试。将银晶圆试样浸没于溶液中60分钟。通过目视及显微镜检查，银表面没有混浊度且基本上完好无损，且没有任何颗粒沉积。
银腐蚀及光致抗蚀剂剥离测试2
通过将2wt％5-磺基水杨酸二水合物(CAS:5965-83-3)溶解于甲醚酮(CAS:78-93-3)中来制备光致抗蚀剂移除剂溶液。将室温溶液放置于具有磁搅拌棒(300rpm)的150ml烧杯中。将具有nLOF 2070光致抗蚀剂图案的硅晶圆试样浸没于溶液中。光致抗蚀剂在20秒内溶解。相同溶液及装备用于银腐蚀测试。将银晶圆试样浸没于溶液中60分钟。通过目视及显微镜检查，银表面没有混浊度且基本上完好无损，且没有任何颗粒沉积。
银腐蚀及光致抗蚀剂剥离测试3
通过将2wt％5-磺基水杨酸二水合物(CAS:5965-83-3)溶解于丙酮(CAS:67-64-1)与二(丙二醇)甲醚(CAS:34590-94-8)(重量比：80:20)的混合物中来制备光致抗蚀剂移除剂溶液。将室温溶液放置于具有磁搅拌棒(300rpm)的150ml烧杯中。将具有nLOF 2070光致抗蚀剂图案的硅晶圆试样浸没于溶液中。光致抗蚀剂在20秒内溶解。相同溶液及装备用于银腐蚀测试。将银晶圆试样浸没于溶液中60分钟。通过目视及显微镜检查，银表面没有混浊度且基本上完好无损，且没有任何颗粒沉积。
银腐蚀及光致抗蚀剂测试4
通过将10wt％5-磺基水杨酸二水合物(CAS:5965-83-3)溶解于丙酮(CAS:67-64-1)与二(丙二醇)甲醚(CAS:34590-94-8)(重量比：80:20)的混合物中来制备光致抗蚀剂移除剂溶液。将室温溶液放置于具有磁搅拌棒(300rpm)的150ml烧杯中。将具有nLOF2070光致抗蚀剂图案的硅晶圆试样浸没于溶液中。光致抗蚀剂在20秒内溶解。相同溶液及装备用于银腐蚀测试。将银晶圆试样浸没于溶液中60分钟。通过目视及显微镜检查，银表面没有混浊度且基本上完好无损，且没有任何颗粒沉积。
银腐蚀及光致抗蚀剂测试5
通过将2wt％5-磺基水杨酸二水合物(CAS:5965-83-3)溶解于丙酮(CAS:67-64-1)与PGMEA(重量比：80:20)的混合物中来制备光致抗蚀剂移除剂溶液。将室温溶液放置于具有磁搅拌棒(300rpm)的150ml烧杯中。将具有nLOF 2070光致抗蚀剂图案的硅晶圆试样浸没于溶液中。光致抗蚀剂在20秒内溶解。相同溶液及装备用于银腐蚀测试。将银晶圆试样浸没于溶液中60分钟。通过目视及显微镜检查，银表面没有混浊度且基本上完好无损，且没有任何颗粒沉积。
银腐蚀及光致抗蚀剂测试6
通过将2wt％5-磺基水杨酸二水合物(CAS:5965-83-3)溶解于丙酮(CAS:67-64-1)与PGME(重量比：80:20)的混合物中来制备光致抗蚀剂移除剂溶液。将室温溶液放置于具有磁搅拌棒(300rpm)的150ml烧杯中。将具有nLOF 2070光致抗蚀剂图案的硅晶圆试样浸没于溶液中。光致抗蚀剂在20秒内溶解。相同溶液及装备用于银腐蚀测试。将银晶圆试样浸没于溶液中60分钟。通过目视及显微镜检查，银表面没有混浊度且基本上完好无损，且没有任何颗粒沉积。
银腐蚀及光致抗蚀剂测试7
通过将2wt％5-磺基水杨酸二水合物(CAS:5965-83-3)溶解于丙酮(CAS:67-64-1)与丙二醇(CAS编号：57-55-6)(重量比：80:20)的混合物中来制备光致抗蚀剂移除剂溶液。将室温溶液放置于具有磁搅拌棒(300rpm)的150ml烧杯中。将具有nLOF 2070光致抗蚀剂图案的硅晶圆试样浸没于溶液中。光致抗蚀剂在20秒内溶解。相同溶液及装备用于银腐蚀测试。将银晶圆试样浸没于溶液中60分钟。通过目视及显微镜检查，银表面没有混浊度且基本上完好无损，且没有任何颗粒沉积。
银腐蚀及光致抗蚀剂测试8
通过将2wt％5-磺基水杨酸二水合物(CAS:5965-83-3)溶解于丙酮(CAS:67-64-1)与二(丙二醇)二甲醚(CAS:111109-77-4)(重量比：80:20)的混合物中来制备光致抗蚀剂移除剂溶液。将室温溶液放置于具有磁搅拌棒(300rpm)的150ml烧杯中。将具有nLOF2070光致抗蚀剂图案的硅晶圆试样浸没于溶液中。光致抗蚀剂在20秒内溶解。相同溶液及装备用于银腐蚀测试。将银晶圆试样浸没于溶液中60分钟。通过目视及显微镜检查，银表面没有混浊度且基本上完好无损，且没有任何颗粒沉积。
银腐蚀及光致抗蚀剂测试9
通过将10wt％5-磺基水杨酸二水合物(CAS:5965-83-3)溶解于丙酮(CAS:67-64-1)与丙二醇(CAS编号：57-55-6)(重量比：80:20)的混合物中来制备光致抗蚀剂移除剂溶液。将室温溶液放置于具有磁搅拌棒(300rpm)的150ml烧杯中。将具有nLOF 2070光致抗蚀剂图案的硅晶圆试样浸没于溶液中。光致抗蚀剂在20秒内溶解。相同溶液及装备用于银腐蚀测试。将银晶圆试样浸没于溶液中60分钟。通过目视及显微镜检查，银表面没有混浊度且基本上完好无损，且没有任何颗粒沉积。
其他类型的光致抗蚀剂的剥离
针对其他类型的光致抗蚀剂进行银腐蚀及光致抗蚀剂剥离测试1，其均展示厚光致抗蚀剂膜的快速移除(20秒或更短时间)而不腐蚀诸如银或铜的金属且也无颗粒沉积，如表1中所概述。
表1
比较光致抗蚀剂剥离测试1
通过将2wt％5-磺基水杨酸二水合物(CAS:5965-83-3)溶解于二(丙二醇)甲醚(CAS:34590-94-8)中来制备光致抗蚀剂移除剂溶液。将室温溶液放置于具有磁搅拌棒(300rpm)的150ml烧杯中。将具有nLOF 2070光致抗蚀剂图案的硅晶圆试样浸没于溶液中。光致抗蚀剂溶解花费至少20分钟。
比较光致抗蚀剂剥离测试2
通过将2wt％5-磺基水杨酸二水合物(CAS:5965-83-3)溶解于2-庚酮(CAS:110-43-0)中来制备光致抗蚀剂移除剂溶液。将室温溶液放置于具有磁搅拌棒(300rpm)的150ml烧杯中。将具有nLOF 2070光致抗蚀剂图案的硅晶圆试样浸没于溶液中。光致抗蚀剂溶解花费至少20分钟。
比较光致抗蚀剂剥离测试3
通过将2wt％5-磺基水杨酸二水合物(CAS:5965-83-3)溶解于环己酮(CAS:108-94-1)中来制备光致抗蚀剂移除剂溶液。将室温溶液放置于具有磁搅拌棒(300rpm)的150ml烧杯中。将具有nLOF 2070光致抗蚀剂图案的硅晶圆试样浸没于溶液中。光致抗蚀剂溶解花费至少20分钟。
比较光致抗蚀剂剥离测试4
通过将2wt％5-磺基水杨酸二水合物(CAS:5965-83-3)溶解于二(丙二醇)二甲醚(CAS:111109-77-4)中来制备光致抗蚀剂移除剂溶液。将室温溶液放置于具有磁搅拌棒(300rpm)的150ml烧杯中。将具有nLOF 2070光致抗蚀剂图案的硅晶圆试样浸没于溶液中。光致抗蚀剂溶解花费至少20分钟。
比较金属腐蚀测试1
通过将2wt％十二烷基苯磺酸(CAS:68584-22-5)溶解于丙酮中来制备光致抗蚀剂移除剂溶液。将溶液放置具有于磁搅拌棒(300rpm)的150ml烧杯中。将银晶圆试样浸没于溶液中。在5分钟之后，硅晶圆上的银层变得混浊，表明腐蚀。

Claims (41)

1.一种组合物，其基本上由以下组分组成：
至少一种具有结构(I)的磺基水杨酸、其水合物或该磺基水杨酸与其水合物的混合物中之一；
主溶剂，其选自丙酮及甲基乙基酮，或这些溶剂的混合物，
任选的辅助溶剂，其为乙醇酸类衍生物或至少两种乙醇酸类衍生物的混合物，及任选的表面活性剂；
2.根据权利要求1的组合物，其由以下组分组成：
至少一种具有结构(I)的磺基水杨酸、其水合物或该磺基水杨酸与其水合物的混合物中之一；
主溶剂，其选自丙酮及甲基乙基酮，或这些溶剂的混合物，
任选的辅助溶剂，其为乙醇酸类衍生物或至少两种乙醇酸类衍生物的混合物，及任选的表面活性剂；
3.根据权利要求1的组合物，其基本上由以下组分组成：
至少一种具有结构(I)的磺基水杨酸、其水合物或该磺基水杨酸与其水合物的混合物中之一；
主溶剂，其选自丙酮及甲基乙基酮，或这些溶剂的混合物；及辅助溶剂，其为乙醇酸类衍生物或至少两种乙醇酸类衍生物的混合物。
4.根据权利要求1至3中任一项的组合物，其由以下组分组成：
至少一种具有结构(I)的磺基水杨酸、其水合物或该磺基水杨酸与其水合物的混合物中之一；
主溶剂，其选自丙酮及甲基乙基酮，或这些溶剂的混合物；及辅助溶剂，其为乙醇酸类衍生物或至少两种乙醇酸类衍生物的混合物。
5.根据权利要求1的组合物，其基本上由以下组分组成：
至少一种具有结构(I)的磺基水杨酸、其水合物或该磺基水杨酸与其水合物的混合物中之一；主溶剂，其选自丙酮及甲基乙基酮，或这些溶剂的混合物；及辅助溶剂，其为乙醇酸类衍生物或至少两种乙醇酸类衍生物的混合物；以及表面活性剂。
6.根据权利要求1或2的组合物，其由以下组分组成：
至少一种具有结构(I)的磺基水杨酸、其水合物或该磺基水杨酸与其水合物的混合物中之一；
主溶剂，其选自丙酮及甲基乙基酮，或这些溶剂的混合物；及辅助溶剂，其为乙醇酸类衍生物或至少两种乙醇酸类衍生物的混合物；以及表面活性剂。
7.根据权利要求1的组合物，其基本上由以下组分组成：至少一种具有结构(I)的磺基水杨酸、其水合物或该磺基水杨酸与其水合物的混合物；主溶剂，其选自丙酮及甲基乙基酮，或这些溶剂的混合物中之一；及
表面活性剂。
8.根据权利要求1或2的组合物，其由以下组分组成：
至少一种具有结构(I)的磺基水杨酸、其水合物或该磺基水杨酸与其水合物的混合物；
主溶剂，其选自丙酮及甲基乙基酮，或这些溶剂的混合物中之一；及
表面活性剂。
9.根据权利要求1的组合物，其基本上由以下组分组成：
至少一种具有结构(I)的磺基水杨酸、其水合物或该磺基水杨酸与其水合物的混合物中之一；及
主溶剂，其选自丙酮及甲基乙基酮，或这些溶剂的混合物。
10.根据权利要求1或2的组合物，其由以下组分组成：
至少一种具有结构(I)的磺基水杨酸、其水合物或该磺基水杨酸与其水合物的混合物中之一；及
主溶剂，其选自丙酮及甲基乙基酮，或这些溶剂的混合物。
11.根据权利要求1至10中任一项的组合物，其中所述磺基水杨酸为具有结构(Ia)的磺基水杨酸或其水合物：
12.根据权利要求1至10中任一项的组合物，其中所述磺基水杨酸为具有结构(Ib)的磺基水杨酸或其水合物：
13.根据权利要求1至10中任一项的组合物，其中所述磺基水杨酸为具有结构(Ic)的磺基水杨酸或其水合物：
14.根据权利要求1至10中任一项的组合物，其中所述磺基水杨酸为具有结构(Id)的磺基水杨酸或其水合物：
15.根据权利要求1至14中任一项的组合物，其中该主溶剂为丙酮。
16.根据权利要求1至14中任一项的组合物，其中该主溶剂为甲基乙基酮。
17.根据权利要求1至14中任一项的组合物，其中该主溶剂为丙酮及甲基乙基酮的混合物。
18.根据权利要求1至3及11至16中任一项的组合物，其中所述辅助溶剂选自由以下组成的组：烷二醇、低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇[HO-(亚烷基-O-亚烷基-O)n-H](n＝1至4)、烷二醇的单烷基醚、低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇的单烷基醚、烷二醇的二烷基醚、低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇的二烷基醚、羟基中之一经官能化为烷基羧酸酯且另一者经官能化为醚的烷二醇、羟基中之一经官能化为烷基羧酸酯且另一者经官能化为醚的低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇、羟基中之一经官能化为烷基羧酸酯的烷二醇、羟基中之一经官能化为烷基羧酸酯的低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇、两个羟基均经官能化为烷基羧酸酯的烷二醇、两个羟基均经官能化为烷基羧酸酯的低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇。
19.根据权利要求18的组合物，其中所述辅助溶剂为烷二醇。
20.根据权利要求18的组合物，其中所述辅助溶剂为低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇[HO-(亚烷基-O-亚烷基-O)n-H](n＝1至4)。
21.根据权利要求18的组合物，其中所述辅助溶剂为烷二醇的单烷基醚。
22.根据权利要求18的组合物，其中所述辅助溶剂为低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇[HO-(亚烷基-O-亚烷基-O)n-H](n＝1至4)的单烷基醚。
23.根据权利要求18的组合物，其中所述辅助溶剂为烷二醇的二烷基醚。
24.根据权利要求18的组合物，其中所述辅助溶剂为低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇[HO-(亚烷基-O-亚烷基-O)n-H](n＝1至4)的二烷基醚。
25.根据权利要求18的组合物，其中所述辅助溶剂为烷二醇，其中一个羟基经官能化为烷基醚且另一羟基经官能化为烷基羧酸酯。
26.根据权利要求18的组合物，其中所述辅助溶剂为低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇[HO-(亚烷基-O-亚烷基-O)n-H](n＝1至4)，其中一个羟基经官能化为烷基醚且另一羟基经官能化为烷基羧酸酯。
27.根据权利要求18的组合物，其中所述辅助溶剂为烷二醇，其中羟基中之一经官能化为烷基羧酸酯。
28.根据权利要求18的组合物，其中所述辅助溶剂为低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇[HO-(亚烷基-O-亚烷基-O)n-H](n＝1至4)，其中羟基中之一经官能化为烷基羧酸酯。
29.根据权利要求18的组合物，其中所述辅助溶剂为烷二醇，其中两个羟基均经官能化为烷基羧酸酯。
30.根据权利要求18的组合物，其中所述辅助溶剂为低聚(亚烷基氧基亚烷基)二醇[HO-(亚烷基-O-亚烷基-O)n-H](n＝1至4)，其中两个羟基均经官能化为烷基羧酸酯。
31.根据权利要求1至5及6至13中任一项的组合物，其中所述辅助溶剂选自以下二者之一：选自由PGME、PGMEA、丙二醇、二丙二醇(IV)、二丙二醇单甲醚(II)、二丙二醇二甲醚(III)组成的组的溶剂，或这些溶剂中的至少两者的混合物。
32.一种方法，其包括以下步骤：
i)将根据权利要求1至31中任一项的组合物热调节至在约15℃至约80℃的温度下，从而产生热调节组合物，
ii)用所述热调节组合物处理涂布有光致抗蚀剂膜的基板持续约1分钟至约60分钟的时间，直至产生光致抗蚀剂膜经移除的基板为止，
iii)在步骤ii)之后，用异丙醇、异丙醇与水的混合物或水中之一冲洗光致抗蚀剂膜经移除的所述基板，以移除来自步骤ii)的任何残余组合物，从而产生干净基板，
iv)干燥所述干净基板。
33.根据权利要求32的方法，其中在步骤i)中，该组合物经热调节至约20℃至约60℃。
34.根据权利要求32的方法，其中在步骤i)中，该组合物经热调节至约20℃至约40℃。
35.根据权利要求32至34中任一项的方法，其中在步骤ii)中，该基板为金属。
36.根据权利要求32至35中任一项的方法，其中在步骤ii)中，该基板为铜。
37.根据权利要求32至36中任一项的方法，其中在步骤ii)中，该基板为锡。
38.根据权利要求19至23中任一项的方法，其中在步骤ii)中，该基板为银。
39.根据权利要求19至23中任一项的方法，其中在步骤ii)中，处理该基板持续约1分钟至约20分钟。
40.根据权利要求19至27中任一项的方法，其中在步骤iii)中，该冲洗是用水与异丙醇的混合物进行，该混合物具有在约5wt％至约95wt％范围内的水组成。
41.一种根据权利要求1至31中任一项的组合物的用途，其用于从基板移除光致抗蚀剂膜。
CN202180084072.7A 2020-12-15 2021-12-13 光致抗蚀剂移除剂组合物 Pending CN116568794A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202063125666P 2020-12-15 2020-12-15
US63/125,666 2020-12-15
PCT/EP2021/085370 WO2022128844A1 (en) 2020-12-15 2021-12-13 Photoresist remover compositions

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116568794A true CN116568794A (zh) 2023-08-08

Family

ID=79259327

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180084072.7A Pending CN116568794A (zh) 2020-12-15 2021-12-13 光致抗蚀剂移除剂组合物

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20240004303A1 (zh)
EP (1) EP4263776A1 (zh)
JP (1) JP2024500368A (zh)
KR (1) KR20230120663A (zh)
CN (1) CN116568794A (zh)
TW (1) TW202232252A (zh)
WO (1) WO2022128844A1 (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6576394B1 (en) 2000-06-16 2003-06-10 Clariant Finance (Bvi) Limited Negative-acting chemically amplified photoresist composition
US6551973B1 (en) 2001-10-09 2003-04-22 General Chemical Corporation Stable metal-safe stripper for removing cured negative-tone novolak and acrylic photoresists and post-etch residue
KR100791687B1 (ko) * 2006-02-27 2008-01-03 채종근 결정성 클로피도그렐 설포살리실산 염을 포함하는 제제
JP2010535422A (ja) * 2007-08-02 2010-11-18 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド マイクロ電子デバイスから残渣を除去するための非フッ化物含有組成物
KR102327568B1 (ko) 2015-03-12 2021-11-17 리지필드 액퀴지션 낮은 pKa 구동의 폴리머 스트리핑 동안에 전하 착화 구리 보호를 촉진하는 조성물 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW202232252A (zh) 2022-08-16
US20240004303A1 (en) 2024-01-04
JP2024500368A (ja) 2024-01-09
EP4263776A1 (en) 2023-10-25
WO2022128844A1 (en) 2022-06-23
KR20230120663A (ko) 2023-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2022191267A (ja) フォトレジストリムーバ組成物
US11366392B2 (en) Photoresist remover compositions
EP3752887B1 (en) Photoresist remover compositions
EP3997521B1 (en) Photoresist remover compositions
JP2628615B2 (ja) 迅速なジアゾキノンポジレジスト
CN116568794A (zh) 光致抗蚀剂移除剂组合物
TWI838356B (zh) 光阻移除劑組合物

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination