CN116546875A - 一种直流电流驱动大功率的自旋振荡器及其制备工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种直流电流驱动大功率的自旋振荡器及其制备工艺，本发明的自旋振荡器由形状相同的第一金属层、第二金属层和衬底层组成；所述第一金属层、第二金属层组成双层异质结结构，第二金属层与直流电流源相连接；所述的双层异质结结构中的第一金属层采用具有强自旋轨道耦合作用的金属材料，第二金属层采用具有强铁磁性的金属材料。本发明利用磁控溅射的工艺两次沉积外延层作为第一金属层和第二金属层，从而使得该自旋振荡器具有直流电流驱动、输出功率大、制备工艺简单及自旋振荡具有相干性的优势，可应用于片上集成的低温相干微波光源、量子计算中量子比特操控。
Description
技术领域
本发明属于电子器件技术领域，更进一步涉及自旋振荡器件技术领域中的一种直流电流驱动大功率的自旋振荡器及其制备工艺。本发明可应用于片上集成的低温相干微波光源、量子计算中量子比特操控。
背景技术
自旋振荡器是利用自旋相关力矩效应，通过自旋极化引起磁性层磁化进动从而产生自旋振荡的器件，与相比当前主流振荡器，诸如石英晶体振荡器、耿氏二极管振荡器等相比，具有结构简单、尺寸小、频率调制范围宽(0.1-100GHz)、工作温度范围宽、以及工作电压低等优点。然而在自旋振荡器通往实际大规模应用的路上，还有一些关键问题亟待解决。
中国科学院微电子研究所在其申请的专利文献“全电控自旋纳米振荡器神经元器件”(专利申请号：CN 202110754795.5，申请公布号：CN 113611794 A)中提出了一种电可控自旋纳米振荡器结构。其结构包括：左电极、右电极、顶电极、重金属层、非磁性金属层、左反铁磁钉扎层、右反铁磁钉扎层和MTJ。在全电场调控下，利用自旋转移矩与形状各向异性、交换作用相互竞争，驱动磁畴壁往复运动实现磁化分量周期性振荡。该器件与现有的CMOS集成工艺兼容，有助于实现高密度神经形态计算的集成应用。然而，该自旋振荡器仍然存在的不足之处是：自旋振荡器尺寸结构在纳米级别，且尺寸与输出功率息息相关，尺寸结构的有限导致输出功率也相对较小，无法适用于大功率集成电路、同时该自旋振荡制备工艺相对复杂。
Liu在其发表的论文“Spin Torque Ferromagnetic Resonance Induced by theSpin Hall Effect”(Physical Reivew Letters,2010,106(3):036601)中公开一种自旋纳米振荡器，该振荡器具有强自旋轨道耦合的重金属薄膜，可以通过自旋霍尔效应激发相邻铁磁薄膜中的自旋振荡。其结构是Pt(6nm)/NiFe(4nm)，物理尺寸为20μm*110μm，通过对Pt/NiFe双层施加交流电流可以在Pt中产生横向自旋电流，由此产生的自旋角动量转移到NiFe引起自旋共振，同时自旋电流产生的效率Js/Jc(NiFe吸收的自旋电流密度除以Pt中的电荷电流密度)是自校准的，Pt/NiFe中自旋电流产生的相对较大的效率对于可能利用SHE操纵铁磁体动力学的应用是有希望的。但是，该自旋振荡器仍然存在的不足之处是，所应用的自旋振荡器产生自旋振荡需要在重金属层施加交流电流，交流电流引起自旋电流的产生效率难以调控且不适于小型化应用，同时，该自旋振荡器中自旋振荡具有非相干性。
发明内容
本发明的目的在于针对上述现有技术的不足，提出一种直流电流驱动大功率的自旋振荡器及其制备工艺，用于解决现有自旋振荡器由于功率较小无法适用于大功率集成电路中，自旋振荡器振荡频率难以调控，自旋振荡不具有相干性，以及自旋振荡制备工艺复杂的问题。
为实现上述的目的，本发明的思路是，本发明的自旋振荡器使用重金属材料和铁磁金属材料，重金属材料具有强自旋轨道耦合性质，在自旋振荡器中通过对重金属层施加直流电流可以在铁磁层中引起自旋振荡，铁磁层中的自旋振荡与重金属层的自旋电流相关，通过改变电流可以对自旋振荡频率进行调控，并且使用重金属材料可以将自旋振荡引起的振荡信号通过逆自旋霍尔效应转化成便于观测的电压信号，具有良好的相干特性。本发明由第一金属层、第二金属层组成双层异质结结构，该双层异质结结构中的第一金属层采用具有强自旋轨道耦合作用的金属材料，第二金属层采用具有强铁磁性的金属材料。由于重金属材料具有低电阻，在自旋振荡器中通过对重金属层施加直流电流可以在铁磁层中引起自旋振荡信号，信号的功率大小与重金属层施加直流电流大小和重金属层的电阻相关，通过提高施加直流电流的大小可以提高输出信号的功率。本发明自旋振荡器中的第二金属层与直流电流源相连接，通过直流电流驱动可以产生大功率的自旋振荡信号，增大施加直流电流的大小可以得到更大功率的输出信号。此外，本发明采用直流磁控溅射工艺，该工艺在保证工艺质量的前提下可以实现室温下大批量多批次制备。
实现本发明目的的技术方案如下：
本发明的自旋振荡器由形状相同的第一金属层、第二金属层和衬底层组成；所述第一金属层、第二金属层组成双层异质结结构，第二金属层与直流电流源相连接；所述的双层异质结结构中的第一金属层采用具有强自旋轨道耦合作用的金属材料，第二金属层采用具有强铁磁性的金属材料。
本发明的自旋振荡器制备工艺的步骤包括如下：
步骤1，将晶向为001的衬底材料依次用丙酮、无水乙醇超声清洗后，再用去离子水冲洗，最后经由高纯N2干燥，得到衬底层；
步骤2，利用直流磁控溅射工艺，在衬底层上沉积厚度为20nm的金属材料，生成外延层作为第二金属层；
步骤3，利用直流磁控溅射工艺，在第二金属层上沉积9-12nm的金属后，生成外延层，作为第一金属层；
所述自旋振荡器的一种直流电流驱动大功率的自旋振荡器制备工艺，步骤2中所述直流磁控溅射工艺为：设置DC功率为50W，生长环境为0.3Pa Ar气工艺条件下，通过控制Ar流速为30sccm，溅射得到外延层。
所述自旋振荡器的一种直流电流驱动大功率的自旋振荡器制备工艺，步骤3中所述直流磁控溅射工艺为：设置DC功率为50W，生长环境为0.3Pa Ar气工艺条件下，通过控制Ar流速为30sccm，溅射得到外延层。
本发明与现有技术相比，具有以下优点：
第一，本发明自旋振荡器由第一金属层、第二金属层组成双层异质结结构，克服现有自旋振荡器由于功率较小无法适用于大功率集成电路的不足，使得本发明提高了自旋振荡器的功率需求，可更好满足于大功率集成电路的应用场景。
第二，本发明自旋振荡器中第一金属层采用具有强自旋轨道耦合作用的金属材料，第二金属层采用具有强铁磁性的金属材料，克服了现有技术自旋振荡器振荡频率难以调控和自旋振荡不具有相干性的缺陷，使得本发明的自旋振荡器具有良好的相干特性和自旋振荡频率的可调控性，可满足于片上集成的相干微波光源的应该场景。
第三，本发明采用直流磁控溅射的工艺，其中磁控溅射具有材料生长速率快，质量高的优势，使得本发明自旋振荡器的制备工艺简单、质量稳定可靠。
附图说明
图1是本发明自旋振荡器的结构示意图；
图2是本发明的仿真图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的详细的说明。
参照图1对本发明的结构作做进一步的详细描述。
本发明的自旋振荡器采用的自旋振荡器由形状相同的第一金属层1、第二金属层2和衬底层3组成。所述第一金属层1、第二金属层2组成双层异质结结构，第二金属层2与直流电流源相连接。所述的双层异质结结构中的第一金属层1采用具有强自旋轨道耦合作用的金属材料，第二金属层2采用具有强铁磁性的金属材料。
本发明的自旋振荡器形状为圆形、正方形、长方形中的任意一种。
本发明自旋振荡器的双层异质结结构中的第二金属层2的尺寸大于第一金属层1，其比例为r，1<r<2。
本发明自旋振荡器工作时，需要直流电流源与重金属层相连，直流电流源施加直流电流的大小与自旋振荡器输出信号存在一定比例关系，ΔV＝Am×MR×I，其中，ΔV表示输出电压信号，Am表示磁矩振荡幅度，MR表示双层异质结结构的电阻，I表示施加的直流电流。
本发明的制备工艺的步骤包括如下：
步骤1，将晶向为001的衬底材料依次用丙酮、无水乙醇超声清洗后，再用去离子水冲洗，最后经由高纯N2干燥，得到衬底层1。
步骤2，利用直流磁控溅射工艺，在衬底上沉积厚度为20nm的金属材料，生成外延层作为第二金属层2。
步骤3，利用直流磁控溅射工艺，在第二金属层上沉积9-12nm的金属后，生成外延层，作为第一金属层3。
所述自旋振荡器制备工艺的步骤2中所述直流磁控溅射工艺为：设置DC功率为50W，生长环境为0.3Pa Ar气工艺条件下，通过控制Ar流速为30sccm，溅射得到外延层。
所述自旋振荡器制备工艺的步骤3中所述直流磁控溅射工艺为：设置DC功率为50W，生长环境为0.3Pa Ar气工艺条件下，通过控制Ar流速为30sccm，溅射得到外延层。
下面结合仿真实验对本发明的效果做进一步地说明。
1.仿真条件：
本发明使用East Changing生产的型号为ET9007输运系统进行了变温输运测量和自旋泵浦和探测实验对本发明的自旋振荡器的特性进行仿真。
2.仿真内容：
本发明的自旋振荡器的特性包括自旋振荡器的输运特性，振荡极性调制特性和振荡磁场调制特性，仿真结果绘制成图2。
3.仿真结果分析：
下面结合图2对本发明的仿真结果做进一步的描述。
图2(a)是本发明自旋振荡器在50K时的输运特性图。图2(a)中的横坐标表示本发明自旋振荡器进行输运测量时的磁场值，单位为特斯拉，图2(a)中的纵坐标表示本发明自旋振荡器在振荡电压信号值，单位为微伏。从图2(a)中本发明自旋振荡器的输运特性图中的峰值点m1可看出，此峰值点m1对应的磁场数值为0.03976T，且在此处对应的电压振荡信号幅值为19.38μV。从图2(a)中的峰值点m2可看出，此峰值点m2对应的磁场数值为-0.0524T，且在此处对应的电压振荡信号幅值为-33.54μV。本发明的自旋振荡器在小磁场测量下产生微伏级别的电压振荡信号，可见本发明的自旋振荡器可以在不引入额外微波激励下产生振荡信号。
图2(b)为本发明自旋振荡器的振荡极性调制特性图。图2(a)中的横坐标表示本发明自旋振荡器进行输运测量时的磁场值，单位为特斯拉，图2(a)中的纵坐标表示本发明自旋振荡器在振荡电压信号值，单位为微伏。从图2(b)的本发明自旋振荡器的振幅调制特性图中点m1可以看出，此峰值点m1对应的磁场数值为-0.0435T，且在此处对应的电压振荡信号幅值为25.52μV，此时施加的电流方向为负方向。从图2(b)的本发明自旋振荡器的振幅调制特性图中点m2可以看出，此峰值点m2对应的磁场数值为-0.0524T，且在此处对应的电压振荡信号幅值为-28.905μV，此时施加的电流方向为正方向。可见本发明的自旋振荡器可以通过改变施加电流的方向来改变自旋振荡的方向，具有良好的自旋振荡振荡极性的调制。
图2(c)为本发明自旋振荡器的振荡磁场调制特性图。图2(c)中的横坐标表示本发明自旋振荡器进行测量时所加的电流值，单位为毫安，图2(c)中的纵坐标表示本发明自旋振荡器在产生振荡时的磁场数值，单位为毫特斯拉。从图2(c)的本发明自旋振荡器的振幅调制特性图中点m1可以看出，此峰值点m1对应的电流数值为1mA，且在此处对应的振荡磁场数值为29.75mT。从图2(c)的本发明自旋振荡器的振幅调制特性图中点m2可以看出，此峰值点m2对应的电流数值为30mA，且在此处对应的振荡磁场数值为39.6mT。可见本发明的自旋振荡器可以通过改变施加电流的大小来改变产生振荡时的磁场数值，具有良好的自旋振荡磁场的调制特性。
图2(d)是本发明自旋振荡器的自旋振荡微波吸收光谱图。图2(d)中的横坐标表示本发明自旋振荡器进行测量时的磁场值，单位为毫特斯拉，图2(d)中的纵坐标表示本发明自旋振荡器在进行微波吸收测量时的共振吸收峰强度。从图2(d)的本发明自旋振荡器的振幅调制特性图中点m1可以看出，此峰值点m1对应的磁场数值为-44.2mT，且在此处对应的微波吸收峰强度为55000。从图2(d)的本发明自旋振荡器的振幅调制特性图中点m2可以看出，此峰值点m2对应的磁场数值为45mT，且在此处对应的微波吸收峰强度为-47500。本发明的自旋振荡器进行自旋泵浦和探针测量中出现了共振微波吸收峰，表明了在铁磁层中实现了自旋振荡，同时共振微波吸收峰的共振磁场点m1，m2与图2(a)中磁场数值位置一致，证明了输运测量中所产生的电压振荡信号来自铁磁层中的自旋振荡。
Claims (7)
1.一种直流电流驱动大功率的自旋振荡器，其特征在于，所述的自旋振荡器由形状相同的第一金属层(1)、第二金属层(2)和衬底层(3)组成；所述第一金属层(1)、第二金属层(2)组成双层异质结结构，第二金属层(2)与直流电流源相连接；所述的双层异质结结构中的第一金属层(1)采用具有强自旋轨道耦合作用的金属材料，第二金属层(2)采用具有强铁磁性的金属材料。
2.根据权利要求1所述的一种直流电流驱动大功率的自旋振荡器，其特征在于，所述自旋振荡器的形状为圆形、正方形、长方形中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的一种直流电流驱动大功率的自旋振荡器，其特征在于，所述的双层异质结结构中的第二金属层(2)的尺寸大于第一金属层(1)，其比例为r，1<r<2。
4.根据权利要求1所述的一种直流电流驱动大功率的自旋振荡器，其特征在于，所述的直流电流源施加直流电流的大小与自旋振荡器输出信号存在一定比例关系，ΔV＝Am×MR×I，其中，ΔV表示输出电压信号，Am表示磁矩振荡幅度，MR表示双层异质结结构的电阻，I表示施加的直流电流。
5.根据权利要求1所述自旋振荡器的一种直流电流驱动大功率的自旋振荡器制备工艺，其特征在于，该制备工艺的步骤包括如下：
步骤1，将晶向为001的衬底材料依次用丙酮、无水乙醇超声清洗后，再用去离子水冲洗，最后经由高纯N2干燥，得到衬底(1)；
步骤2，利用直流磁控溅射工艺，在衬底(1)上沉积厚度为20nm的金属材料，生成外延层作为第二金属层(2)；
步骤3，利用直流磁控溅射工艺，在第二金属层上沉积9-12nm的金属后，生成外延层，作为第一金属层(3)。
6.根据权利要求5所述自旋振荡器的一种直流电流驱动大功率的自旋振荡器制备工艺，其特征在于，步骤2中所述直流磁控溅射工艺为：设置DC功率为50W，生长环境为0.3PaAr气工艺条件下，通过控制Ar流速为30sccm，溅射得到外延层。
7.根据权利要求5所述自旋振荡器的一种直流电流驱动大功率的自旋振荡器制备工艺，其特征在于，步骤3中所述直流磁控溅射工艺为：设置DC功率为50W，生长环境为0.3PaAr气工艺条件下，通过控制Ar流速为30sccm，溅射得到外延层。
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Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010245419A (ja) * | 2009-04-09 | 2010-10-28 | Keio Gijuku | マイクロ波発振素子及びマイクロ波発振装置 |
| CN106463610A (zh) * | 2014-06-18 | 2017-02-22 | 英特尔公司 | 具有可调强度的耦合自旋霍尔纳米振荡器 |
| CN107004440A (zh) * | 2014-07-17 | 2017-08-01 | 康奈尔大学 | 基于用于有效自旋转移矩的增强自旋霍尔效应的电路和装置 |
| CN109437087A (zh) * | 2018-11-02 | 2019-03-08 | 电子科技大学 | 基于面外磁各向异性层的自旋霍尔纳米振荡器及制备方法 |
| CN110504354A (zh) * | 2019-07-16 | 2019-11-26 | 电子科技大学 | 基于反铁磁性材料的纳米太赫兹波振荡器阵列及制备方法 |
| CN110535003A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-12-03 | 北京航空航天大学 | 一种自旋太赫兹发射装置及方法 |
| CN113611794A (zh) * | 2021-07-05 | 2021-11-05 | 中国科学院微电子研究所 | 全电控自旋纳米振荡器神经元器件 |
| CN113838967A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-24 | 电子科技大学 | 一种合金/磁绝缘体自旋异质结及其制备方法和应用 |
-
2023
- 2023-04-23 CN CN202310437897.3A patent/CN116546875A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010245419A (ja) * | 2009-04-09 | 2010-10-28 | Keio Gijuku | マイクロ波発振素子及びマイクロ波発振装置 |
| CN106463610A (zh) * | 2014-06-18 | 2017-02-22 | 英特尔公司 | 具有可调强度的耦合自旋霍尔纳米振荡器 |
| US20170163275A1 (en) * | 2014-06-18 | 2017-06-08 | Intel Corporation | Coupled spin hall nano oscillators with tunable strength |
| CN107004440A (zh) * | 2014-07-17 | 2017-08-01 | 康奈尔大学 | 基于用于有效自旋转移矩的增强自旋霍尔效应的电路和装置 |
| CN109437087A (zh) * | 2018-11-02 | 2019-03-08 | 电子科技大学 | 基于面外磁各向异性层的自旋霍尔纳米振荡器及制备方法 |
| CN110504354A (zh) * | 2019-07-16 | 2019-11-26 | 电子科技大学 | 基于反铁磁性材料的纳米太赫兹波振荡器阵列及制备方法 |
| CN110535003A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-12-03 | 北京航空航天大学 | 一种自旋太赫兹发射装置及方法 |
| CN113611794A (zh) * | 2021-07-05 | 2021-11-05 | 中国科学院微电子研究所 | 全电控自旋纳米振荡器神经元器件 |
| CN113838967A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-24 | 电子科技大学 | 一种合金/磁绝缘体自旋异质结及其制备方法和应用 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| LUQIAO LIU等: ""Spin-Torque Ferromagnetic Resonance Induced by the Spin Hall Effect"", 《PHYSICAL REVIEW LETTERS》, vol. 106, 21 January 2011 (2011-01-21), pages 1 - 4 * |
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