CN116544147A - 去胶机台及其使用方法 - Google Patents
去胶机台及其使用方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116544147A CN116544147A CN202310615285.9A CN202310615285A CN116544147A CN 116544147 A CN116544147 A CN 116544147A CN 202310615285 A CN202310615285 A CN 202310615285A CN 116544147 A CN116544147 A CN 116544147A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cavity
- air pressure
- vacuum transmission
- pipeline
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 71
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 50
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 23
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70841—Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明提供一种去胶机台,包括真空传输腔和多个腔室,每个腔室与真空传输腔连接;腔室和真空传输腔中分别设置有第一、二控压机构,控压机构分别用于调节腔室、真空传输腔中的气压值;腔室和真空传输腔中分别设置有第一、二气压传感器,第一、二气压器分别用于获取腔室、真空传输腔中的气压值;控制器,控制器用于接收第一、二气压传感器的电信号,其用于在腔室完成测试作业后启动第一控压机构使得腔室与真空传输腔中的气压差减小至设置值。本发明在腔室测试作业完成后,通过减少腔室与真空传输腔中的气压差,腔室作业环境与真空传输区域的压力平衡,降低压差将腔室累积的颗粒物吹散到低压区域的表面,降低晶圆表面形成缺陷的概率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种去胶机台及其使用方法。
背景技术
随着半导体晶圆从尺寸逐渐增大,而晶圆工艺从宽线宽向小线宽45/40nm甚至28/20nm升级,晶圆对良率的要求越来越高。
去胶机台在测完漏率后后,压力会抽到底压,真空传输区域(VTM)没有控压装置,会保持底压状态直至开始作业晶圆。腔室压力会在晶圆作业时升至指定压力,此时腔室和真空传输区域存在压差,在腔室门打开的瞬间,腔室内因作业带光刻胶晶圆而积累的聚合物会被气流带到低压处等待测试作业的晶圆表面,形成颗粒缺陷。
为解决上述问题,需要提供出一种新型的去胶机台及其使用方法,以改善颗粒缺陷。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种去胶机台及其使用方法,用于解决现有技术中腔室和真空传输区域存在压差,在腔室门打开的瞬间,腔室内因作业带光刻胶晶圆而积累的聚合物会被气流带到低压处等待测试作业的晶圆表面,形成颗粒缺陷的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种去胶机台,包括:
真空传输腔和多个腔室,每个所述腔室与所述真空传输腔连接;
所述腔室和所述真空传输腔中分别设置有第一、二控压机构,所述控压机构分别用于调节所述腔室、所述真空传输腔中的气压值;
所述腔室和所述真空传输腔中分别设置有第一、二气压传感器,所述第一、二气压器分别用于获取所述腔室、所述真空传输腔中的气压值;
控制器,所述控制器用于接收所述第一、二气压传感器的电信号,其用于在所述腔室完成测试作业后启动所述第一控压机构使得所述腔室与所述真空传输腔中的气压差减小至设置值。
优选地,所述第一控压机构包括第一管路,所述第一管路的一端与所述腔室连通,所述第一管路的另一端与第一气压泵连接,所述第一管路上设置有第一阀门。
优选地,所述第二控压机构包括第二管路,所述第二管路的一端与所述腔室连通,所述第二管路的另一端与第二气压泵连接,所述第二管路上设置有第二阀门。
优选地,所述腔室与所述真空传输腔间设置有密封腔门。
优选地,所述去胶机台及其使用方法还包括机械臂,所述腔室与所述真空传输腔之间利用所述机械臂移动晶圆。
本发明提供一种去胶机台的使用方法,包括:
步骤一、提供去胶机台,所述去胶机台中设置有真空传输腔和多个腔室,每个所述腔室与所述真空传输腔连接,至少一个所述腔室中设置有带光刻胶的晶圆;
所述腔室和所述真空传输腔中分别设置有第一、二控压机构,所述控压机构分别用于调节所述腔室、所述真空传输腔中的气压值;
所述腔室和所述真空传输腔中分别设置有第一、二气压传感器,所述第一、二气压器分别用于获取所述腔室、所述真空传输腔中的气压值;
控制器,所述控制器用于接收所述第一、二气压传感器的电信号;
步骤二、利用所述第二控压机构将所述真空传输腔中的气压调整为第一气压值,之后在所述腔室中完成测试作业;
步骤三、利用所述第一控压机构将所述腔室中的气压调整为第二气压值,使得所述第一、二气压值的差值为设置值,之后打开所述腔室与所述真空传输腔间的密封腔门。
优选地,步骤一中的所述第一控压机构包括第一管路,所述第一管路的一端与所述腔室连通,所述第一管路的另一端与第一气压泵连接,所述第一管路上设置有第一阀门。
优选地,步骤一中的所述第二控压机构包括第二管路,所述第二管路的一端与所述腔室连通,所述第二管路的另一端与第二气压泵连接,所述第二管路上设置有第二阀门。
优选地,步骤一中的所述去胶机台及其使用方法还包括机械臂,所述腔室与所述真空传输腔之间利用所述机械臂移动晶圆。
优选地,步骤二中的所述测试作业为机台漏率测试。
如上所述,本发明的去胶机台及其使用方法,具有以下有益效果:
本发明在腔室测试作业完成后,通过减少腔室与真空传输腔中的气压差,腔室作业环境与真空传输区域的压力平衡,降低压差将腔室累积的颗粒物吹散到低压区域的表面,降低晶圆表面形成缺陷的概率。
附图说明
图1显示为本发明的去胶机构的部分结构示意图;
图2显示为本发明的第一控压机构结构示意图;
图3显示为本发明的第二控压机构结构示意图;
图4显示为本发明的去胶机台的使用方法示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1,本发明提供一种去胶机台,包括:
真空传输腔103和多个腔室102,每个腔室102与真空传输腔103连接;
在本发明的实施例中,腔室102与真空传输腔103间设置有密封腔门,在现有技术中,在腔室102完成测试作业后,由于腔室102和真空传输腔103之间存在压力差,密封腔门打开的瞬间,腔室102内因测试作业带光刻胶晶圆而积累的聚合物会被气流带到等待作业的晶圆表面,形成表面颗粒。
在本发明的实施例中,去胶机台10及其使用方法还包括机械臂,腔室102与真空传输腔103之间利用机械臂移动晶圆。
腔室102和真空传输腔103中分别设置有第一、二控压机构,控压机构分别调节腔室102、真空传输腔103中的气压值;
在本发明的实施例中,请参阅图2,第一控压机构20包括第一管路202,第一管路202的一端与腔室102连通,第一管路202的另一端与第一气压泵201连接,第一管路202上设置有第一阀门203。需要说明的是,第一控压机构20也可以采用其他类型的结构。
在本发明的实施例中,请参阅图3,第二控压机构30包括第二管路302,第二管路302的一端与腔室102连通,第二管路302的另一端与第二气压泵301连接,第二管路302上设置有第二阀门303。需要说明的是,第二控压机构30也可以采用其他类型的结构。
第一腔室102和真空传输腔103中分别设置有第一、二气压传感器,第一、二气压器分别用于获取腔室102、真空传输腔103中的气压值;
控制器,控制器用于接收第一、二气压传感器的电信号,其用于在腔室102完成测试作业后启动第一控压机构20使得腔室102与真空传输腔103中的气压差减小至设置值,即相对于现有技术,在腔室102测试作业完成后,通过减少腔室102与真空传输腔103中的气压差,腔室102作业环境与真空传输区域的压力平衡,降低压差将腔室102累积的颗粒物吹散到低压区域的表面,降低晶圆表面形成缺陷的概率。
请参阅图4,本发明提供一种去胶机台10的使用方法,包括:
步骤一、提供去胶机台10,去胶机台10中设置有真空传输腔103和多个腔室102,每个腔室102与真空传输腔103连接,至少一个腔室102中设置有带光刻胶的晶圆,在现有技术中,在腔室102完成测试作业后,由于腔室102和真空传输腔103之间存在压力差,密封腔门打开的瞬间,腔室102内因测试作业带光刻胶晶圆而积累的聚合物会被气流带到等待测试作业的晶圆表面,形成表面颗粒;
腔室102和真空传输腔103中分别设置有第一、二控压机构,控压机构分别用于调节腔室102、真空传输腔103中的气压值;
腔室102和真空传输腔103中分别设置有第一、二气压传感器,第一、二气压器分别用于获取腔室102、真空传输腔103中的气压值;
控制器,控制器用于接收第一、二气压传感器的电信号;
在本发明的实施例中,请参阅图2,步骤一中的第一控压机构20包括第一管路202,第一管路202的一端与腔室102连通,第一管路202的另一端与第一气压泵201连接,第一管路202上设置有第一阀门203。需要说明的是,第一控压机构20也可以采用其他类型的结构。
在本发明的实施例中,请参阅图3,步骤一中的第二控压机构30包括第二管路302,第二管路302的一端与腔室102连通,第二管路302的另一端与第二气压泵301连接,第二管路302上设置有第二阀门303。需要说明的是,第二控压机构30也可以采用其他类型的结构。
在本发明的实施例中,步骤一中的去胶机台10及其使用方法还包括机械臂,腔室102与真空传输腔103之间利用机械臂移动晶圆。
步骤二、利用第二控压机构30将真空传输腔103中的气压调整为第一气压值,之后在腔室102中完成测试作业;
在本发明的实施例中,步骤二中的测试作业为机台漏率测试,即检查腔体的气密性。
步骤三、利用第一控压机构20将腔室102中的气压调整为第二气压值,使得第一、二气压值的差值为设置值,之后打开腔室102与真空传输腔103间的密封腔门,即相对于现有技术,在腔室102测试作业完成后,通过减少腔室102与真空传输腔103中的气压差,腔室102作业环境与真空传输区域的压力平衡,降低压差将腔室102累积的颗粒物吹散到低压区域的表面,降低晶圆表面形成缺陷的概率。
需要说明的是,本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想,遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制,其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变,且其组件布局型态也可能更为复杂。
综上所述,本发明在腔室测试作业完成后,通过减少腔室与所述真空传输腔中的气压差,腔室作业环境与真空传输区域的压力平衡,降低压差将腔室累积的颗粒物吹散到低压区域的表面,降低晶圆表面形成缺陷的概率。所以,本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效,而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下,对上述实施例进行修饰或改变。因此,举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变,仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种去胶机台及其使用方法,其特征在于,包括:
真空传输腔和多个腔室,每个所述腔室与所述真空传输腔连接;
所述腔室和所述真空传输腔中分别设置有第一、二控压机构,所述控压机构分别用于调节所述腔室、所述真空传输腔中的气压值;
所述腔室和所述真空传输腔中分别设置有第一、二气压传感器,所述第一、二气压器分别用于获取所述腔室、所述真空传输腔中的气压值;
控制器,所述控制器用于接收所述第一、二气压传感器的电信号,其用于在所述腔室完成测试作业后启动所述第一控压机构使得所述腔室与所述真空传输腔中的气压差减小至设置值。
2.根据权利要求1所述的去胶机台及其使用方法,其特征在于:所述第一控压机构包括第一管路,所述第一管路的一端与所述腔室连通,所述第一管路的另一端与第一气压泵连接,所述第一管路与所述腔室间设置有第一阀门。
3.根据权利要求1所述的去胶机台及其使用方法,其特征在于:所述第二控压机构包括第二管路,所述第二管路的一端与所述真空传输腔连通,所述第二管路的另一端与第二气压泵连接,所述第二管路与所述真空传输腔间设置有第二阀门。
4.根据权利要求1所述的去胶机台及其使用方法,其特征在于:所述腔室与所述真空传输腔间设置有密封腔门。
5.根据权利要求1述的去胶机台及其使用方法,其特征在于:所述去胶机台及其使用方法还包括机械臂,所述腔室与所述真空传输腔之间利用所述机械臂移动晶圆。
6.根据权利要求1至5仍一项所述的去胶机台及其使用方法的使用方法,其特征在于,包括:
步骤一、提供去胶机台,所述去胶机台中设置有真空传输腔和多个腔室,每个所述腔室与所述真空传输腔连接,至少一个所述腔室中设置有带光刻胶的晶圆;
所述腔室和所述真空传输腔中分别设置有第一、二控压机构,所述控压机构分别用于调节所述腔室、所述真空传输腔中的气压值;
所述腔室和所述真空传输腔中分别设置有第一、二气压传感器,所述第一、二气压器分别用于获取所述腔室、所述真空传输腔中的气压值;
控制器,所述控制器用于接收所述第一、二气压传感器的电信号;
步骤二、利用所述第二控压机构将所述真空传输腔中的气压调整为第一气压值,之后在所述腔室中完成测试作业;
步骤三、利用所述第一控压机构将所述腔室中的气压调整为第二气压值,使得所述第一、二气压值的差值为设置值,之后打开所述腔室与所述真空传输腔间的密封腔门。
7.根据权利要求6所述的去胶机台及其使用方法,其特征在于:步骤一中的所述第一控压机构包括第一管路,所述第一管路的一端与所述腔室连通,所述第一管路的另一端与第一气压泵连接,所述第一管路上设置有第一阀门。
8.根据权利要求6所述的去胶机台及其使用方法,其特征在于:步骤一中的所述第二控压机构包括第二管路,所述第二管路的一端与所述腔室连通,所述第二管路的另一端与第二气压泵连接,所述第二管路上设置有第二阀门。
9.根据权利要求6所述的去胶机台及其使用方法,其特征在于:步骤一中的所述去胶机台及其使用方法还包括机械臂,所述腔室与所述真空传输腔之间利用所述机械臂移动晶圆。
10.根据权利要求6所述的去胶机台及其使用方法,其特征在于:步骤二中的所述测试作业为机台漏率测试。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310615285.9A CN116544147A (zh) | 2023-05-29 | 2023-05-29 | 去胶机台及其使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310615285.9A CN116544147A (zh) | 2023-05-29 | 2023-05-29 | 去胶机台及其使用方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116544147A true CN116544147A (zh) | 2023-08-04 |
Family
ID=87450622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310615285.9A Pending CN116544147A (zh) | 2023-05-29 | 2023-05-29 | 去胶机台及其使用方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116544147A (zh) |
-
2023
- 2023-05-29 CN CN202310615285.9A patent/CN116544147A/zh active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100271758B1 (ko) | 반도체장치 제조설비 및 이의 구동방법 | |
US20100133735A1 (en) | Substrate holding apparatus, substrate holding method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
US7556246B2 (en) | Unloading method of object, program storage medium, and mounting mechanism | |
CN111599715B (zh) | 晶圆传输控制方法 | |
CN104241174B (zh) | 片盒腔室、等离子体加工设备及片盒腔室的吹扫方法 | |
TW201933505A (zh) | 半導體元件處理系統、半導體元件處理裝置及半導體元件處理方法 | |
JP2009252953A (ja) | 真空処理装置 | |
CN116544147A (zh) | 去胶机台及其使用方法 | |
CN108400103B (zh) | 基板处理装置、其控制方法及计算机可读存储介质 | |
US20100163181A1 (en) | Vacuum processing apparatus | |
CN108807233A (zh) | 薄片产品键合后解键合用的工作台及装夹方法 | |
JP2016152334A (ja) | プローブ装置 | |
CN211263094U (zh) | 一种检测半导体设备的装置 | |
CN110544660B (zh) | 模块化晶圆传输系统和半导体设备 | |
CN106971963B (zh) | 干法蚀刻机台制程腔及其快速抽底压漏率的方法 | |
KR101132261B1 (ko) | 불순물 감소를 위한 슬릿밸브의 동작 압력 가변 장치를 구비한 반도체 제조장비 | |
CN109727898B (zh) | 半导体干法刻蚀机台传输腔体抽真空管路及其控制方法 | |
US20200357675A1 (en) | Methods and apparatus for dechucking wafers | |
CN109841552B (zh) | 模块加压工作站及利用其处理半导体的方法 | |
CN111430290A (zh) | 一种晶圆冷却卡盘 | |
KR20080060773A (ko) | 로드락 챔버 및 그 챔버에서의 벤트 방법 | |
KR100676197B1 (ko) | 로드락 챔버의 공기흐름 조절장치 | |
CN102122627A (zh) | 传递工件进出真空制程腔的装置及方法 | |
CN218471928U (zh) | 一种热板用的硅片承载装置 | |
CN201315315Y (zh) | 抽气装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |