CN116540428A - 一种电光调制装置 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 160
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 160
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 79
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 62
- 239000000382 optic material Substances 0.000 claims abstract description 49
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 28
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 16
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRMGGYGDQCMPKP-UHFFFAOYSA-N gold lithium Chemical compound [Li].[Au] RRMGGYGDQCMPKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0305—Constructional arrangements
- G02F1/0316—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0327—Operation of the cell; Circuit arrangements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
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Abstract
本发明公开了一种电光调制装置，其中，电光调制装置在垂直方向依次包括顶层金属层、电光材料层、金属面夹层和二氧化硅层，电光材料层分别与电光材料层表面的金属件和底板的金属面夹层形成表面等离激元，表面等离激元可以将光场局域在电光材料中，同时也可以局域电场并增强调制电场大小，因而本发明的电光调制装置中光场和电场的重叠因子可以极大增强从而提高调制效率；其中，第一金属件施加电信号，第二金属件接地，所形成的左右两个垂直电光材料层表面等离子体狭缝波导对电光材料折射率的调控是相反的，进而可以实现高效的调制功能。
Description
技术领域
本发明涉及光通信器件技术领域，尤其涉及一种电光调制装置。
背景技术
在光通信传输中，调制器、光放大器、探测器等器件扮演了重要角色。调制器是光通信系统发射端核心器件，是实现将电域信号加载到光域信号的关键元件。
在常规的电光调制器中，由于波导光场和电极设计的限制，使光场和调制电场的重叠因子仍然较小。
目前的电光调制器可以利用金属和电光材料界面上表面等离激元对光场和电场的局域能力，可以提高调制器的效率，但是由于电光材料界面的垂直方向上光场局域能力较弱以及电场在水平方向上有一定衰减，使垂直方向电光材料的折射率的调控能力还存在不足，电光调制器的效率还需要进一步改善。
上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种电光调制装置，能够解决现有调制器由于电光材料界面在垂直方向的折射率的调控能力较弱，导致调制效率不高的问题。
为解决以上技术问题，本发明提供一种电光调制装置，包括电光材料层和二氧化硅层，所述二氧化硅层与所述电光材料层之间设置有一金属面夹层，所述电光材料层的表面设置有信号输入区域、调制区域和信号输出区域，所述调制区域位于所述信号输入区域与所述信号输出区域之间；
所述调制区域包括在所述电光材料层的表面相对设置的第一金属件和第二金属件，所述第一金属件接入电信号，所述第二金属件接地，所述第一金属件与所述金属面夹层及电光材料层构成第一相位调制臂，所述第二金属件与所述金属面夹层及电光材料层构成第二相位调制臂；
所述信号输入区域用于接收光纤传输的原始光信号；
所述信号输入区域，还用于将所述原始光信号分别传导至所述第一相位调制臂和所述第二相位调制臂，以对所述原始光信号进行相位调制，得到第一信号；
所述信号输出区域，还用于使得所述第一信号产生干涉，以对所述原始光信号进行强度调制，得到第二信号，并所述第二信号进行耦合处理后得到目标光信号。
在一个实施例中，所述信号输入区域包括第一金属光栅和第一Y形分支结，所述信号输出区域包括第二金属光栅和第二Y形分支结，所述第一金属光栅和第二金属光栅分别布设于所述电光材料层表面的两侧，第一Y形分支结和所述第二Y形分支结相对设置，所述调制区域位于所述第一Y形分支结与所述第二Y形分支结之间；
第一金属光栅用于接收所述原始光信号，所述第二金属光栅用于对所述目标光信号进行输出；
所述第一Y形分支结用于通过分束侧将所述原始光信号分别传导至所述第一相位调制臂和所述第二相位调制臂以产生相位调制，得到第一信号；
所述第二Y形分支结用于通过合束侧使得所述第一信号发生干涉以对所述原始光信号进行强度调制，得到第二信号；将所述第二信号传导至所述第二金属光栅，使得所述第二金属光栅对所述第二信号进行耦合处理，得到目标光信号。
在一个实施例中，所述第一金属光栅的第一侧接入外部光纤，所述第一金属光栅的第二侧与所述第一Y形分支结的合束侧相对应，所述第一Y形分支结的分束侧分别与所述第一金属件和所述第二金属件相对，用于将所述原始光信号分别传导至所述第一金属件和所述第二金属件；
所述第二Y形分支结的分束侧分别与所述第一金属件和所述第二金属件相对，用于传导所述第一信号；
所述第二Y形分支结的合束侧与所述第二金属光栅的第一侧相对应，用于对所述第一信号进行重新耦合处理，得到目标光信号。
在一个实施例中，所述第二金属光栅的第二侧作为输出端，用于将所述目标光信号输出至光纤进行传输。
在一个实施例中，所述电光材料层基于铌酸锂材料实现；其中，所述电光材料层与所述金属面夹层以及所述调制区域中的金属件相互作用以形成表面等离激元。
在一个实施例中，所述信号输入区域与所述调制区域中间设有厚度为纳米量级的第一空气间隔层，所述信号输出区域与所述调制区域中间设有厚度为纳米量级的第二空气间隔层。
在一个实施例中，所述电光材料层的厚度的取值范围为40nm至200nm之间；所述第一金属件和所述第二金属件的厚度的取值范围为50nm至300nm之间；所述金属面夹层的厚度的取值范围为50nm至200nm之间；所述第一金属件和所述第二金属件的宽度的取值范围为200nm至800nm之间；所述二氧化硅层的厚度的取值范围为2μm至4.7μm之间。
本发明提供的电光调制装置在垂直方向依次包括顶层金属层、电光材料层、金属面夹层和二氧化硅层，所述顶层金属层包括金属件形成的调制区域；电光材料层分别与电光材料层表面的金属件和底板的金属面夹层形成表面等离激元，表面等离激元可以将光场局域在电光材料中，同时也可以局域电场并增强调制电场大小，因而本发明的电光调制装置中光场和电场的重叠因子可以极大增强从而提高调制效率；在第一金属件施加电信号，第二金属件接地，所形成的左右两个垂直电光材料层表面等离子体狭缝波导对电光材料折射率的调控是相反的，进而可以实现高效的调制功能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一实施例提供的电光调制装置的立体结构示意图；
图2是本申请实施例提供的电光调制区域的横截面分布结构示意图；
图3是本申请又一实施例提供的电光调制装置的立体结构示意图；
图4a是本申请一实施例中顶层金属件的宽度与厚度对调制效率影响的曲线图；
图4b是本申请一实施例中铌酸锂厚度对调制效率影响的曲线图；
图5是本申请实施例电光调制装置的调制传输与电压关系的曲线图与常规电光调制装置的调制传输与电压关系的曲线图之间的结果对比结果图；
附图标记：
01-电光材料层；
02-二氧化硅层；
03-金属面夹层；
10-信号输入区域
11-第一金属光栅；
12-第一Y形分支结；
20-调制区域；
21-第一金属件；
22-第二金属件；
30-输出区域；
31-第二金属光栅；
32-第二Y形分支结；
04-衬底。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
应当理解，当在本申请说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
另外，在本申请说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。
本发明实施例的公开一种电光调制装置，如图1所示，包括电光材料层01和二氧化硅层02，所述二氧化硅层02与所述电光材料层01之间设置有一金属面夹层03，所述电光材料层01的表面设置有信号输入区域10、调制区域20(顶层金属层)和信号输出区域30，所述调制区域20位于所述信号输入区域10与所述信号输出区域30之间；
具体地，所述调制区域20包括：在所述电光材料层的表面相对设置的第一金属件21和第二金属件22，其中，所述第一金属件21接入电信号，所述第二金属件22接地；所述第一金属件21与所述金属面夹层03及电光材料层01构成第一相位调制臂，所述第二金属件22与所述金属面夹层03及电光材料层01构成第二相位调制臂，这样每个相位调制臂构成一垂直狭缝波导(垂直于所述电光材料层的表面)；
所述信号输入区域10，用于接收光纤传输的原始光信号；
所述信号输入区域10，还用于将所述原始光信号分别传导至所述第一相位调制臂和所述第二相位调制臂，以对所述原始光信号进行相位调制，得到第一信号；
所述信号输出区域30，还用于使得所述第一信号产生干涉，以实现对所述原始光信号进行强度调制，得到第二信号，并对所述第二信号进行耦合处理后得到目标光信号。
需要说明的是，在具体实现中，光纤传输的原始光信号通过信号输入区域10耦合转化成表面等离激元模式实现片上传输，然后(进入调制区域20)分别进入第一相位调制臂和第二相位调制臂，第一相位调制臂接入电信号端，第二相位调制臂接地，通过普克尔斯电光效应改变电光材料层的折射率，折射率的改变引起两相位调制臂光模式的有效折射率改变，进而产生相位调制(得到第一信号)；然后通过输出区域30使相位调制之后的信号发生干涉，实现强度调制(得到第二信号)，最后对经强度调制后的得到第二光信号进行耦合进入光纤传输。
可理解的是，电光材料层01分别与第一金属件21/第二金属件22和金属面夹层03形成表面等离激元，表面等离激元可以将光场局域在电光材料中，同时也可以局域电场并增强调制电场大小，因而本实施例的调制装置中光场和电场的重叠因子可以极大增强从而提高调制效率。在第一金属件21施加电信号，第二金属件22接地，所形成的左右两个垂直表面等离子体狭缝波导对电光材料折射率的调控是相反的，进而可以实现高效的调制功能。
在一个实施例中，本发明的所述电光材料层优选基于铌酸锂材料实现，在本发明的其他实施例中，以铌酸锂作为本发明电光材料层的材料为例进行实例说明；
可理解的是，铌酸锂材料具有较高的电光系数(30pm/V)，可通过电压调控材料折射率改变模式有效折射率从而实现相位调制，成为了主流的电光调制材料之一。特别是薄膜铌酸锂工艺的突破，提高了体铌酸锂调制器的效率，减小了尺寸，使集成的薄膜铌酸锂调制器芯片受到广泛的关注。
而常规的薄膜铌酸锂调制器中，由于波导光场和电极设计的限制，使光场和调制电场的重叠因子仍然较小，调制效率2Vcm，需要至少mm量级的尺寸，才能将电压控制在5V以下，难以做到更小尺寸且更高效率的调制器。
现有技术中所采用表面等离子体铌酸锂技术，是利用金属和铌酸锂界面上表面等离激元对光场和电场的局域能力，可以提高薄膜铌酸锂调制器效率(0.23Vcm)，同时保持大于10GHz的带宽特性，但是由于垂直方向上光场局域能力较弱以及电场在水平方向上有一定衰减，使垂直方向铌酸锂折射率的调控能力还存在不足。
而在本实施例中，参考图2，图2为本实施例的调制区域的横截面分布结构示意图，铌酸锂薄膜(即电光材料层01)顶部的两个金属条(即第一金属件21和第二金属件22)和底部的金属面夹层03与中间的铌酸锂材料分别构建了两个垂直型表面等离子体狭缝波导(即金-铌酸锂-金的垂直狭缝结构)，构成了调制装置的两个相位调制臂。本实施例主要是通过两个金属/铌酸锂界面上的表面等离激元增强铌酸锂材料中的光场限制。此外，所述电光调制装置还包括半导体材料的衬底04，所述二氧化硅层02覆盖于所述衬底04，所述衬底04优选使用硅材质。
可理解的是，铌酸锂薄膜分别与(第一/第二)金属件和金属面夹层形成表面等离激元，表面等离激元可以将光场局域在铌酸锂材料中，同时也可以局域电场并增强调制电场大小，因而本实施例的调制装置中光场和电场的重叠因子可以极大增强从而提高调制效率。在第一金属件施加电信号，第二金属件接地，构成左右两个垂直表面等离子体狭缝波导对铌酸锂折射率的调控是相反的，进而可以实现高效的调制功能。
此外，在一些实施例中，电光材料也可以选用其他电光材料，其他电光材料的电光系数相对铌酸锂材料来说电光系数需要更高且光通过该电光材料产生的损耗在可接受范围内，另外如果其他电光材料的制作工艺与CMOS工艺兼容，则可以采用其他电光材料替换本发明在一个实施例中铌酸锂作为电光材料层01的材料。然后根据电光材料层01、第一金属件21、第二金属件22和金属面夹层03的结构仿真得到不同结构和尺寸下的调制效率，找到最佳的结构尺寸，最后进行工艺制作以及测试、应用等。
参考图3，图3为本发明电光调制装置的又一实施例的结构示意图；
本实施例中，所述信号输入区域10包括第一金属光栅11和第一Y形分支结12，所述信号输出区域30包括第二金属光栅31和第二Y形分支结32；其中，所述第一金属光栅11和第二金属光栅31分别布设于所述电光材料层01表面的两侧；第一Y形分支结12和所述第二Y形分支32结相对设置；且所述调制区域20位于所述第一Y形分支结12与所述第二Y形分支结32之间；
具体地，第一金属光栅11用于接收光纤传输的原始光信号，所述第二金属光栅31用于对调制后得到的目标光信号进行输出；
在具体实现中，所述第一Y形分支结12用于通过分束侧将所述原始光信号分别传导至所述第一相位调制臂和所述第二相位调制臂以产生相位调制，得到第一信号；
所述第二Y形分支结32用于通过合束侧使得所述第一信号发生干涉以对所述原始光信号进行强度调制，得到第二信号；将所述第二信号传导至所述第二金属光栅31，使得所述第二金属光栅31对所述第二信号进行耦合处理，得到目标光信号。
参考图3，具体结构包括：所述第一金属光栅11的第一侧接入外部光纤，所述第一金属光栅11的第二侧与所述第一Y形分支结12的合束侧相对应，所述第一Y形分支结12的分束侧分别与所述第一金属件21和所述第二金属件22相对，用于将所述原始光信号分别传导至所述第一金属件21和所述第二金属件22；
所述第二Y形分支结32的分束侧分别与所述第一金属件21和所述第二金属件22相对，用于传导所述第一信号；所述第二Y形分支结32的合束侧与所述第二金属光栅31的第一侧相对应，用于对所述第一信号进行重新耦合处理，得到目标光信号。所述第二金属光栅31的第二侧作为输出端，用于将所述目标光信号输出至光纤进行传输。
可理解的是，本实施例在具体实现中，光纤传输的原始光信号可通过第一金属光栅耦合转化成表面等离激元模式实现片上传输，然后通过第一Y形分支结的分束分别进入两个(第一和第二)相位调制臂中，两相位调制臂分别加信号端和接地，通过普克尔斯电光效应改变铌酸锂的折射率，折射率的改变引起两相位调制臂的光模式的有效折射率改变，进而产生相位调制，接着通过第二Y形分支结的合束使信号发生干涉，实现强度调制，最后通过第二金属光栅重新耦合进入光纤传输。
在本实施例中，可在信号输入区域10(信号输出区域30)与所述调制区域20中间设有厚度为纳米量级的空气间隔层，即在每个Y形分支结的分束侧和调制区的金属件之间设置厚度为纳米量级的空气间隔层(输入区域10对应第一空气间隔层，输出区域30对应第二空气间隔层)，使得电信号不会短路。
本实施例中，对本发明的电光调制装置进行电场和光场的仿真，可以实现如下技术效果：
由于铌酸锂是各向异性材料，本实施例主要调制轴在垂直方向(即z轴)，故而提高z方向上的电场限制可以更大程度的改变材料折射率，实现更有效的有效模式折射率调控，有效模式折射率的改变体现在相位变化上，通过本实施例的电光调制装置的结构实现强度调制。
具体的仿真方式为：本实施例电光调制装置的第一金属件施加25V的电信号，第二金属件接地。本实施例的表面等离子体狭缝的双层金属结构对光场限制能力相对于常规的调制器的光场限制能力会更强，在z方向上场分布比例更大。此外，本实施例的铌酸锂薄膜表面的表面等离子体狭缝的双层金属结构使电场在垂直方向上更加局域，与常规的调制器在相同电压下实现了更强的调制电场局域，本实施例的铌酸锂薄膜表面等离子体狭缝的双层金属结构使电场分量更多的在垂直方向上分布，从而实现电场z分量3倍的增强。
在一些其他实施例中，所述电光材料层的厚度的取值范围为40nm至200nm之间；所述第一金属件和所述第二金属件的厚度的取值范围为50nm-300nm之间；所述金属面夹层的厚度的取值范围为50nm-200nm之间；所述第一金属件和所述第二金属件的宽度的取值范围为200nm-800nm之间；所述二氧化硅层的厚度的取值范围为2μm至4.7μm之间。
在具体实现中，所述电光材料优选铌酸锂材质，该方案中调制器效率随顶层金属结构参数和铌酸锂厚度的变化关系如图4a和图4b所示。图4a为顶层(第一/第二)金属件的宽度与厚度对调制效率影响的曲线图，图4b为铌酸锂厚度对调制效率影响的曲线图，从以上两张曲线图可以看出：
铌酸锂厚度对器件的调制效率影响较大，调制效率随厚度的减小逐渐增大，充分体现了表面等离子体狭缝波导对提高调制效率的优势。在铌酸锂厚度越小时，即垂直狭缝结构的狭缝宽度越窄，表面等离子狭缝波导中的光场局域和调制电场局域能力越强。基于实际工艺条件，本实施例的表面等离子体狭缝波导的铌酸锂厚度设计为100nm；顶层的两个金属件的厚度为80nm、宽度为375nm；底层金属面夹层的厚度为100nm，在该器件参数下可以实现0.045Vcm的调制效率(推挽模式下)，相比常规的表面等离子体铌酸锂调制器性能提高了约4到5倍。
在一个实施例中，本发明的电光调制装置的器件采取以下材料和设备进行制作：采用定制的绝缘体上铌酸锂基片，其中顶层铌酸锂厚度为100nm，二氧化硅厚度为4.7μm，铌酸锂和二氧化硅中间金厚度为100nm，基片最下面衬底硅厚度为525μm。采用电子束光刻机为VistecEBPG5000plus进行电子束光刻，最小线宽为7nm。另外，电子束光刻时采用导电聚合物AR-PC 5090用于在绝缘衬底上耗散电子束电荷的顶层，采用高分辨率正胶AR-P
6200(CSAR62)作为电子束胶。采用电子束蒸发镀膜系统Ohmiker-50B用于Au材料的蒸发镀膜。
本发明的上述实施例相对于常规的调制装置具有更高调制效率(0.045Vcm，提高了4-5倍)，同时具有小尺寸(15μm)，大带宽(理论带宽>1.4THz)的特点。本发明主要引入了光场和电场局域能力更好的表面等离子体狭缝波导结构(上下两层金属实现对光场和电场的局域)，增强了光场和电场间的重叠因子，从而提高了调制效率。另外由于狭缝波导结构调制效率高，器件尺寸仅15μm，在这里垂直型表面等离子体狭缝波导的顶层金属结构可以作为电极，器件整体电容较小，结合铌酸锂的电光效应，具有THz量级的调制带宽。
此外，在一些实施例中，对本发明的调制器调制效率进行试验计算，对比了单金属/铌酸锂界面(现有技术常规调制器的方案)和双金属/铌酸锂(本发明增加底部金属面夹层的方案)的调制效率；在两种方案的工作波长均选取为1550nm，铌酸锂调制区长度均为15μm的基础上，两种方案得到的调制效率的对比结果如图5所示，图5是本申请实施例电光调制装置的调制传输与电压关系的曲线图与常规电光调制装置的调制传输与电压关系的曲线图之间的结果对比结果图：
从传输曲线随电压改变量可以看出在加底部金属面夹层之前，单金属/铌酸锂界面结构调制效率约为0.23Vcm；而在本发明调制装置增加底部金属面夹层后，在双金属/铌酸锂界面调制效率约为0.045Vcm，可以看出，调制装置增加底部金属面夹层之后，调制效率提高了约5倍。调制效率的增强将降低对输入射频信号和器件尺寸的要求，减小器件功耗的同时可以减小器件整体尺寸。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种电光调制装置，其特征在于，包括电光材料层和二氧化硅层，所述二氧化硅层与所述电光材料层之间设置有一金属面夹层，所述电光材料层的表面设置有信号输入区域、调制区域和信号输出区域，所述调制区域位于所述信号输入区域与所述信号输出区域之间；
所述调制区域包括在所述电光材料层的表面相对设置的第一金属件和第二金属件，所述第一金属件接入电信号，所述第二金属件接地，所述第一金属件与所述金属面夹层及电光材料层构成第一相位调制臂，所述第二金属件与所述金属面夹层及电光材料层构成第二相位调制臂；
所述信号输入区域用于接收光纤传输的原始光信号；
所述信号输入区域，还用于将所述原始光信号分别传导至所述第一相位调制臂和所述第二相位调制臂，以对所述原始光信号进行相位调制，得到第一信号；
所述信号输出区域，还用于使得所述第一信号产生干涉，以对所述原始光信号进行强度调制，得到第二信号，并所述第二信号进行耦合处理后得到目标光信号。
2.如权利要求1所述的电光调制装置，其特征在于，所述信号输入区域包括第一金属光栅和第一Y形分支结，所述信号输出区域包括第二金属光栅和第二Y形分支结，所述第一金属光栅和第二金属光栅分别布设于所述电光材料层表面的两侧，第一Y形分支结和所述第二Y形分支结相对设置，所述调制区域位于所述第一Y形分支结与所述第二Y形分支结之间；
第一金属光栅用于接收所述原始光信号，所述第二金属光栅用于对所述目标光信号进行输出；
所述第一Y形分支结用于通过分束侧将所述原始光信号分别传导至所述第一相位调制臂和所述第二相位调制臂以产生相位调制，得到第一信号；
所述第二Y形分支结用于通过合束侧使得所述第一信号发生干涉以对所述原始光信号进行强度调制，得到第二信号；将所述第二信号传导至所述第二金属光栅，使得所述第二金属光栅对所述第二信号进行耦合处理，得到目标光信号。
3.如权利要求2所述的电光调制装置，其特征在于，所述第一金属光栅的第一侧接入外部光纤，所述第一金属光栅的第二侧与所述第一Y形分支结的合束侧相对应，所述第一Y形分支结的分束侧分别与所述第一金属件和所述第二金属件相对，用于将所述原始光信号分别传导至所述第一金属件和所述第二金属件；
所述第二Y形分支结的分束侧分别与所述第一金属件和所述第二金属件相对，用于传导所述第一信号；
所述第二Y形分支结的合束侧与所述第二金属光栅的第一侧相对应，用于对所述第一信号进行重新耦合处理，得到目标光信号。
4.如权利要求3所述的电光调制装置，其特征在于，所述第二金属光栅的第二侧作为输出端，用于将所述目标光信号输出至光纤进行传输。
5.如权利要求1-4任一项所述的电光调制装置，其特征在于，所述电光材料层基于铌酸锂材料实现；其中，所述电光材料层与所述金属面夹层以及所述调制区域中的金属件相互作用以形成表面等离激元。
6.如权利要求1-4任一项所述的电光调制装置，其特征在于，所述信号输入区域与所述调制区域中间设有厚度为纳米量级的第一空气间隔层，所述信号输出区域与所述调制区域中间设有厚度为纳米量级的第二空气间隔层。
7.如权利要求1-4任一项所述的电光调制装置，其特征在于，所述电光材料层的厚度的取值范围为40nm至200nm之间；所述第一金属件和所述第二金属件的厚度的取值范围为50nm至300nm之间；所述金属面夹层的厚度的取值范围为50nm至200nm之间。
8.如权利要求7所述的电光调制装置，其特征在于，所述第一金属件和所述第二金属件的宽度的取值范围为200nm至800nm之间。
9.如权利要求7所述的电光调制装置，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度的取值范围为2μm至4.7μm之间。
10.如权利要求1-4任一项所述的电光调制装置，其特征在于，所述电光调制装置还包括半导体材料的衬底，所述二氧化硅层覆盖于所述衬底。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=87454953
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Country Status (1)
| Country | Link |
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