CN116529556A - 声学传感器 - Google Patents

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CN116529556A CN202180071507.4A CN202180071507A CN116529556A CN 116529556 A CN116529556 A CN 116529556A CN 202180071507 A CN202180071507 A CN 202180071507A CN 116529556 A CN116529556 A CN 116529556A
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cavity
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J-F·P·苏仁
许国阳
H·王
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Abstract

公开了一种声学传感器(100、200、300、400、500)，所述传感器包括激光器(105、205、305、405、505)和膜片(140、240、340、440、540)，所述膜片被配置为在存在声波的情况下振动，并且将由所述激光器发射的辐射向后朝所述激光器反射，以产生对应于所述声波的自混合干涉效应。所述传感器还包括将所述膜片与所述激光器分开并在所述激光器的辐射发射表面的后方延伸的空腔(145、245)，所述空腔的大部分体积设置在所述激光器的辐射发射表面(110、210、410、510)的后方。还公开了一种包括该声学传感器的装置(600)以及制造该声学传感器的方法。

Description

声学传感器
技术领域
本公开属于声学传感器领域，并且具体地涉及基于微机电系统(MEMS)的声学传感器。
背景技术
声学传感器可以被实现为一系列电子设备(诸如便携式计算设备、平板设备、智能电话等)中的麦克风。这种声学传感器可以适合于检测声波，例如周围环境中的动态压力变化。通常，声学传感器可以被配置为在特定声学频带上感测周围环境中的声波。
一些声学传感器可以被制造为微机电系统(MEMS)。例如，电容型MEMs声学传感器在本领域中是公知的。这种电容型传感器可能表现出相对有限的灵敏度，因此所得到的信噪比可能不适合于一些音频应用。
近年来，已经开发了使用光学设备进行读出的声学传感器。这种基于光学设备的声学传感器可以在增加的灵敏度、增加的频率范围以及减少的电子和声学噪声方面提供优于常规声学传感器的一些优点。然而，这种基于光学设备的声学传感器也可能固有地昂贵且制造复杂，并且对于其目标应用可能不够紧凑。
声学传感器通常成为电子设备内的高度集成的部件，其中声学传感器设置有越来越复杂的封装设计。此外，特别是当在移动设备中使用时，可对这样的传感器施加严格的尺寸约束。因此，制造声学传感器所需的部件需要相对较小，使得封装的声学传感器足够紧凑。
因此，期望提供一种高灵敏度、低成本、低复杂度和高可靠性的声学传感器，其适合于集成在诸如便携式计算设备、平板设备、智能电话等的电子设备内。
因此，本公开的至少一个方面的至少一个实施例的目的是消除或至少减轻现有技术的上述缺点中的至少一个。
发明内容
本公开属于声学传感器领域，并且具体地涉及用于在诸如便携式计算设备、平板设备、智能电话等的电子设备中使用的基于微机电系统(MEMS)的声学传感器。
根据本公开的第一方面，提供了一种声学传感器，其包括激光器和膜片，该膜片被配置为在存在声波的情况下振动，并且将由激光器发射的辐射向后朝激光器反射以产生对应于声波的自混合干涉(SMI)效应。
声学传感器还包括空腔，该空腔将膜片与激光器分开并且在激光器的辐射发射表面的后方延伸，空腔的大部分体积设置在激光器的辐射发射表面的后方。
有利地，将空腔的大部分体积设置在激光器的辐射发射表面的后方使得能够实现提供足够声电容的空腔，但是不需要将膜片定位在距激光器的辐射发射表面相当远的距离处以实现足够大的空腔。足够大的声电容是这种声学传感器提供足够的灵敏度的要求，并且因此满足信噪比要求。有利地，膜片后面的空气的较大声电容可导致由空腔内的空气的有限压缩性引起的声阻尼或声阻的减小。
有利地，因为规定空腔的大部分体积设置在激光器的辐射发射表面后方使得膜片的位置能够相对靠近激光器的辐射发射表面，所以可以实现由于自混合干涉效应引起的相对高的结电压变化。较高的结电压可以改善声学传感器的信号电平，并因此改善声学传感器的信噪比。例如，在一些实施例中，声学传感器可以被配置为针对1Pa声压级提供10mV峰值范围内的信号。
如果要在激光器的辐射发射表面和膜片之间实现相对大的距离，则由于激光器发射的辐射的非理想准直，辐射可能不充分地聚焦在膜片的反射部分上。因此，并非所有的发射的辐射都会被反射回激光器中以产生必要的自混合干涉效应。也就是说，为了具有足够的自混合干涉效应，膜片的反射率应在90％或更高的范围内。
有利地，通过保持激光器和膜片之间的距离相对较小，如通过规定大部分空腔在激光器的辐射发射表面的后方延伸所实现的，由激光器发射的更大比例的辐射可以被反射回到激光器中以提供自混合干涉效应。
膜片与激光器的辐射发射表面之间的间隙可以是50微米或更小。
在一些实施例中，膜片与激光器的辐射发射表面之间的间隙可以在50微米至10微米的范围内。在一些实施例中，膜片与激光器的辐射发射表面之间的间隙可以是大约12微米。
有利地，膜片与激光器的辐射发射表面之间的减小的距离可以改善激光器与膜片之间的间隙的声阻尼特性。也就是说，间隙内的空气可以表现出声阻抗，例如对被压缩的有效阻力，这可以具有改善声学传感器的频率响应的效果。例如，由于膜片与激光器的紧密接近而导致的在间隙中的较高声阻抗可以帮助防止膜片在特定频率下的不希望的振荡。
此外，如上所述，50微米或更小的范围内的间隙可以有利地改善传感器的整体信噪比，因为更大比例的由激光器发射的辐射被反射回到激光器中以提供自混合干涉效应而引起的增加的结电压。此外，由于间隙的选定尺寸，声阻(例如，膜片与激光器的辐射发射表面之间的间隙中的空气的阻尼效应)将不是包括声学传感器的系统中的主要噪声源，然而该特定构造使得能够充分选择膜片与激光器的辐射发射表面之间的间隙的尺寸。
激光器可以被配置为使得激光器的结电压由于自混合干涉效应而对应于声波。
这样，激光器可以实施为激光二极管。激光器的结电压可以在设置于激光器上或电耦合到激光器的节点或触点处测量。
有利地，自混合干涉效应的使用可以使得能够有效地确定声波的特性，诸如频率和幅度。此外，使用自混合干涉效应来提供指示声波特性的可测量的结电压消除了采用诸如单独光电二极管的单独传感器来检测由膜片反射或通过膜片传播的辐射的必要性。
在一些情况下，由诸如VCSEL的激光器发射的辐射的光子功率可以使用设置在激光器旁边、附近或下方的光电二极管来读出。有利地，通过使膜片相对靠近激光器，由光电二极管检测到的反射辐射的功率可以高得足以提供足够的SNR。
声学传感器可以包括耦合到激光器并且被配置为感测结电压的电路系统。
该电路系统可以包括模数转换器。电路系统可以包括放大器。电路系统可以包括专用集成电路(ASIC)或在其上实现。该电路系统可以包括偏置电路，例如VCSEL偏置电路。电路系统可以包括处理电路系统，诸如被配置为使得能够读出SMI的电路系统。也就是说，电路系统可以被配置为提供与SMI效应相对应的数据或信号。
有利地，由于规定空腔的大部分体积设置在激光器的辐射发射表面的后方而导致的声学传感器的相对小的占用面积，声学传感器可以被提供为包括电路系统的封装模块。在一些实施例中，用作用于耦合到激光器或膜片的衬底的PCB还可以包括被配置为感测结电压的电路系统。
在一些实施例中，耦合到激光器并且被配置为感测结电压的电路系统可以被提供为用于驱动激光器的驱动电路的一部分或集成到用于驱动激光器的驱动电路中。
声学传感器可以包括第一衬底。激光器可以电耦合到第一衬底。
在一些实施例中，可以使用接合线将激光器电耦合到第一衬底。在一些实施例中，激光器可以电耦合如焊接到实施在衬底上的接合焊盘或通孔。
有利地，衬底可以提供将激光器电耦合到用于驱动激光器的驱动器电路系统和/或用于感测结电压的电路系统的装置，并且还提供这样的装置，该装置用于相对于彼此支撑激光器和/或膜片，例如用于在膜片和激光器之间提供间隙。
激光器可以形成在第一衬底上。
激光器可以是直接地形成到、例如光刻形成或外延生长到第一衬底上的半导体激光器。因此，除了形成空腔的至少一部分之外，第一衬底还可以有利地为激光器提供基础衬底。因此，激光器可以高度集成到声学传感器中，从而提供减小的整体传感器尺寸和/或占用面积。此外，在这样的实施例中，可以通过设备组装步骤的总体减少来实现制造效率。
激光器可以安装在第一衬底上。
在一些实施例中，激光器可以使用特定的半导体工艺如GaAs制造，并且安装在不用于相同工艺中的单独的第一衬底如硅衬底或FR-4PCB衬底上。这样，可以优化声学传感器的总体成本效益。
膜片可以设置在第一衬底中的在本领域中称为“声音端口”的孔眼和激光器的辐射发射表面之间。
该孔眼可以允许声波入射到膜片上。这样，第一衬底可以形成包围激光器的空腔的一部分，还提供用于声波入射到膜片上的装置。
在一些实施例中，该孔眼的直径可以对应于膜片的有效直径。
声学传感器可以包括外壳。外壳可以被声学密封到第一衬底。外壳可以包围激光器。外壳可以限定空腔。
外壳可以被实现为罐封装，诸如金属罐封装。外壳可以是罐或壳体。
声学密封可以由设置在外壳和第一衬底之间的密封环或垫圈形成。声学密封可以由粘合剂形成。在一些实施例中，外壳可以焊接到第一衬底以形成声学密封。
衬底可以包括围绕激光器并限定空腔的凹部。
凹部可以被蚀刻到衬底中。凹部可以通过光刻工艺形成。凹部可以切割或研磨到衬底中。
衬底可以包括支撑激光器并且至少部分地限定空腔的台面。台面可以是衬底的凸起部分。台面可以形成基座。
台面或基座可以通过借助于光刻工艺蚀刻台面周围的区域来形成。台面或基座可以被切割或研磨到衬底中。
第一衬底可以耦合到第二衬底。空腔的第一部分可以在膜片和第一衬底之间。空腔的第二部分可以由第二衬底中的凹部限定。空腔的第一部分可以通过第一衬底中的至少一个开口可通信地耦合到空腔的第二部分。
有利地，所述至少一个开口可提供一个或多个用于气流通过第一衬底的导管。这样，开口可以使得空腔的第一部分和第二部分能够作为单个空腔共同操作，以便为声学传感器提供足够的声电容。
激光器可以通过有孔眼的衬底悬挂或支撑在膜片和激光器后方的空腔的一部分之间。
有孔眼的衬底可提供用于气流的一个或多个导管。因此，有孔眼的衬底可以使得空腔的在激光器后方的部分能够耦合到空腔的在激光器和膜片之间的部分，从而为声学传感器提供足够的声电容。
激光器可以是垂直腔表面发射激光器(VCSEL)。
有利地，当与采用光电二极管的声学传感器或用于检测通过膜片的反射和/或透射的其他分立传感器相比时，使用激光器结电压作为自混合信号的源的基于VCSEL的自混合干涉效应可以导致成本节省以及部件成本和复杂性的降低。
膜片可以包括在张力下提供的拉伸膜。
有利地，膜片不需要形成为凸起的微结构。膜片可以具有小于300微米的直径。膜片可以具有大约270微米的直径。
膜片可以具有小于100纳米的厚度。在一些实施例中，膜片的厚度可以在50nm和100nm之间。
膜片可以包括反射器。反射器的直径可以小于100微米。反射器可以用于反射由激光器发射的辐射。
在一些实施方案中，反射器的直径可以在30微米至60微米的范围内。
反射器可以是反射镜。通过将空腔的大部分体积设置在激光器的辐射发射表面的后方，膜片可以相对靠近激光器设置，因此即使在考虑到由激光器发射的辐射的非理想准直时，反射器也可以制造得相对小，例如直径小于100微米。
此外，提供相对小的反射器(例如，具有大于100微米的直径)可以使反射器的质量最小化。因此，膜片和反射器的组合的总质量可以被最小化，这可以有利地减少声学噪声的影响并增加膜片弹性。
在一些实施例中，反射器可以设置在膜片的与激光器的辐射发射表面相对的表面上。
在一些实施例中，反射器可以设置在膜片的外表面上，例如，与激光器的辐射发射表面对立的膜片表面的相反膜片表面。在这样的实施例中，膜片对于由激光器发射的辐射可以是基本上透明的。
在一些实施例中，反射器可以嵌入膜片内。例如，在一些实施例中，反射器可以形成为膜片的整体部件。在一些实施例中，反射器可以设置在膜片的层之间。
在一些实施例中，反射器可以包括金。在一些实施例中，反射器可以包括铝。
在一些实施例中，反射器可以具有在40纳米至60纳米的范围内的厚度。
根据本公开的第二方面，提供了一种包括根据第一方面的声学传感器的装置，其中该装置是以下之一：智能扬声器；智能电话；智能手表；膝上型计算机、平板设备；或者耳机。
根据本公开的第三方面，提供了一种制造声学传感器的方法，所述方法包括：在封装中提供激光器和膜片，使得所述膜片被配置为在存在声波的情况下振动并且将由所述激光器发射的辐射向后朝所述激光器反射，以产生对应于所述声波的自混合干涉效应；以及为所述封装提供空腔，所述空腔将所述膜片与所述激光器分开并且在所述激光器的辐射发射表面的后方延伸，所述空腔的大部分体积设置在所述激光器的辐射发射表面的后方。
以上发明内容旨在仅仅是示例性的而非限制性的。本公开包括单独或以各种组合的一个或多个相应的方面、实施方案或特征，无论是否以该组合或单独地具体陈述(包括要求保护)。应当理解，以上根据本公开的任何方面或以下与本公开的任何特定实施例相关的定义的特征可以单独地或与任何其他定义的特征组合地用于任何其他方面或实施例中，或者用于形成本公开的进一步的方面或实施例。
附图说明
现在将参考附图仅通过示例的方式描述本公开的这些和其他方面，其中：
图1描绘了根据本公开的第一实施例的声学传感器的横截面视图；
图2描绘了根据本公开的第二实施例的声学传感器的横截面视图；
图3a描绘了根据本公开的第三实施例的声学传感器的横截面视图；
图3b描绘了如在图3a中描绘的第三实施例中实现的衬底的俯视图；
图4a描绘了根据本公开的第四实施例的声学传感器的横截面视图和对应的俯视图；
图4b描绘了根据本公开的第四实施例的用于声学传感器中的VCSEL组件的横截面视图、俯视图和局部透视图；
图4c描绘了根据本公开的第四实施例的声学传感器的另一横截面视图；
图5a描绘了根据本公开的第五实施例的用于声学传感器中的VCSEL组件的横截面视图和俯视图；
图5b描绘了根据本公开的第五实施例的声学传感器的横截面视图和对应的俯视图；
图5c描绘了根据本公开的第五实施例的声学传感器的另一横截面视图；
图6是根据本公开的实施例的包括声学传感器的装置；以及
图7是根据本发明的实施例的制造声学传感器的方法。
具体实施方式
图1描绘了根据本公开的第一实施例的声学传感器100的横截面视图。声学传感器100包括激光器105。在图1的示例性实施例中，激光器105是垂直腔表面发射激光器(VCSEL)。应当理解，在其他实施例中，可以采用其他的激光二极管。
激光器105被配置为，相对于激光器105的包括用于给激光器105提供电连接的触点115的后表面，从激光器105的前部处的辐射发射表面110发射辐射。
声学传感器100包括第一衬底120。第一衬底120包括台面125，例如基座，其被配置为支撑激光器105。在一些实施例中，激光器105可以形成在台面125上。在其他实施例中，激光器105被提供为分立设备，其在组装过程期间粘附到台面125。台面125可以例如通过蚀刻第一衬底120来形成。由导电迹线和/或通孔形成的电触点(未示出)可以设置在第一衬底120中/上，以向激光器105供应电流和/或提供用于感测激光器105的结电压的装置，如下面更详细地描述的。
第一衬底120可以包括玻璃或硅等。
声学传感器100还包括第二衬底130。第二衬底130形成有孔眼135，使得声学传感器100可以组装成，第一衬底120的台面125设置在孔眼135内。
第二衬底130可以包括玻璃或硅等。
声学传感器100还包括膜片140。膜片140处于张力下。也就是说，膜片140被提供为在张力下提供的拉伸膜。膜片140在膜片140的周边的至少一部分处固定到第二衬底130。在一些实施例中，膜片140可以包括氮化硅。
在一些实施例中，第二衬底130可以是硅衬底。在一些实施例中，第二衬底130可以包括二氧化硅层150，并且膜片140可以固定、例如粘附或夹紧到二氧化硅层150。
膜片140和第二衬底130可以被提供为在声学传感器100的组装过程期间耦合、例如粘附到第一衬底120的组件。
膜片140包括多个孔155。孔155在膜片140的上表面和下表面之间延伸，从而在膜片140中提供贯穿通道。在使用中，孔155可以用作压力平衡孔。也就是说，静态空气压力水平通常可以在海平面上波动几十个百帕。由于声压级是在1帕斯卡的量级中并且可以小至20微帕斯卡(其被认为是人类听觉的阈值)，因此声学传感器100内部和外部的环境中的相对相等的压力水平对于检测由声波造成的小压力波动引起的膜片140的振动是必要的。
膜片140包括反射器160。
反射器160设置在膜片140的与激光器105的辐射发射表面110相对的表面上。
应当理解，在落入本公开范围内的其他实施例中，反射器160可以设置在膜片140的外表面上，例如，膜片140的与激光器105的辐射发射表面110对立的表面的相反表面。在这样的实施例中，膜片140对于由激光器105发射的辐射可以是基本上透明的，使得由激光器105发射的辐射传播通过膜片140并且被反射器向后通过膜片朝激光器105反射。
反射器160相对于激光器105定位在膜片140上，使得反射器160将由激光器105发射的辐射向后朝激光器105反射以产生自混合干涉效应，如下面更详细地描述的。
在图1的示例性实施例中，反射器160具有在100微米的范围内的直径。在一些实施方案中，反射器160的直径可以小于100微米，例如在30微米至60微米的范围内。提供相对小的反射器160，例如，具有在100微米或更小的范围内的直径，可以使反射器160的质量最小化。因此，膜片140和反射器160的组合的总质量可以最小化，这可以有利地减少声学噪声的影响并增加膜片140的弹性。
反射器160可以是反射镜。反射器160被配置为反射具有与由激光器105发射的辐射的波长相对应的波长的辐射。在一些实施例中，反射器160可以包括金。在一些实施例中，反射器160可以包括铝。反射器160可以被提供为分立元件，该分立元件在组装过程期间粘附到膜片140。可替代地，反射器160可以例如通过沉积工艺等形成在膜片140上。
空腔145将膜片140与激光器105分开，并且在激光器105的辐射发射表面110的后方延伸。空腔145的大部分体积设置在激光器105的辐射发射表面110的后方。有利地，通过在激光器105的辐射发射表面110的后方提供空腔145的大部分体积，膜片140可以相对靠近激光器105设置。因此，即使在考虑由激光器105发射的辐射的非理想准直时，也可以使反射器160相对小，例如直径小于100微米。
在图1的示例性实施例中，膜片140的直径在1.0至1.2毫米的范围内。在一些实施例中，反射器160可以具有在40纳米至60纳米的范围内的厚度。在一些实施例中，反射器160可以厚至100nm。在图1的示例性实施例中，空腔从膜片140到台面125的基部延伸大约500微米的高度。台面125具有大约290微米的横截面宽度。激光器具有从台面125沿朝向膜片140的方向延伸的大约100微米的厚度。膜片140与激光器105的辐射发射表面110之间的间隙为50微米或更小。声学传感器100的总横截面宽度可以在2.4毫米和1.4毫米之间。
应当理解，这些尺寸仅用于示例的目的。因此，应当理解，具有通常与图1的实施例的尺寸相当但单独地或共同地与图1的实施例的尺寸不同的尺寸的实施例也将落入本公开的范围内。
在使用中，入射到膜片140上的声波将引起膜片140中的振动。从激光器105发射的辐射从反射器160反射回到激光器105中以产生自混合效应，其中自混合效应由膜片140的振动调制。所述自混合效应引起激光器105的结电压的可检测变化。这样，由于自混合干涉效应，激光器105的结电压对应于声波。在一些实施例中，声学传感器100可以包括或可以耦合到被配置为感测激光器105的结电压的电路系统。具体地，在一些实施例中，激光器105可以包括或可以耦合到被配置为感测激光器105的结电压的电路系统。
图2描绘了根据本公开的第二实施例的声学传感器200的横截面视图。声学传感器200包括激光器205。在图2的示例性实施例中，激光器205是垂直腔表面发射激光器(VCSEL)。应当理解，在其他实施例中，可以采用其他的激光二极管。
激光器205被配置为，相对于激光器205的包括用于给激光器205提供电连接的触点215的后表面，从激光器205的前部处的辐射发射表面210发射辐射。
声学传感器200包括第一衬底220。第一衬底220包括凹部290。在一些实施例中，凹部290可以形成为沟槽。凹部290形成为包括台面225。台面225被配置为支撑激光器205。在一些实施例中，激光器205可以形成在台面225上。在其他实施例中，激光器205被提供为分立设备，该分立设备在组装过程期间粘附到台面225。凹部290可以例如通过蚀刻第一衬底220来形成。由导电迹线和/或通孔形成的电触点(未示出)可以设置在第一衬底220中，以向激光器205供应电流和/或提供用于感测激光器205的结电压的装置，如下面更详细地描述的。
第一衬底220可以包括玻璃或硅等。
声学传感器200还包括第二衬底230。第二衬底230形成有孔眼235，使得声学传感器200可以组装成，孔眼235与凹部290对准。
声学传感器200可以组装成，第一衬底220的台面225设置在第二孔眼235内。
第二衬底230可以包括玻璃或硅等。
声学传感器200还包括膜片240。膜片240以及相关联的反射器260和压力平衡孔255通常分别类似于图1的膜片140、反射器160和压力平衡孔155，并且为了简洁起见不再进一步详细描述。
在一些实施例中，第二衬底230可以是硅衬底。在一些实施例中，第二衬底230可以包括二氧化硅层250，并且膜片240可以固定到二氧化硅层250。
膜片240和第二衬底230可以被提供为在声学传感器200的组装过程期间耦合、例如粘附到第一衬底220的组件。
类似于图1的示例性实施例，图2的第二实施例还包括空腔245，空腔245将膜片240与激光器205分开并且在激光器205的辐射发射表面210的后方延伸。空腔245的大部分体积设置在激光器205的辐射发射表面210的后方。
图1和图2的实施例的示例尺寸大致相似，因此也不再更详细地描述。
图3a描绘了根据本公开的第三实施例的声学传感器300的横截面视图。类似于图1和图2的声学传感器100、200，声学传感器300包括激光器305和膜片340，其中膜片包括反射器360。
声学传感器300包括第一衬底320。第一衬底320被配置为支撑激光器305。第一衬底320可以包括玻璃或硅等。第一衬底320为有孔眼的衬底。
声学传感器300还包括第二衬底330。第二衬底330形成有凹部325。凹部325可以例如通过蚀刻第二衬底330来形成。第二衬底330可以包括玻璃或硅等。
声学传感器300包括第三衬底395。第三衬底395被配置为支撑膜片340。
声学传感器300被组装成使得第一衬底320设置在第二衬底330和第三衬底395之间，使得第一衬底320中的开口如孔眼365与第二衬底中的凹部325对准，并且激光器305由第一衬底320支撑在第二衬底330和第三衬底395之间。
凹部325和在激光器305与膜片340之间的间隙限定空腔。空腔的第一部分在膜片340和第一衬底320之间，并且空腔的第二部分由第二衬底330中的凹部325限定，其中第一部分通过第一衬底320中的孔眼365被可通信地耦合到第二部分。
也就是说，激光器305通过有孔眼的第一衬底320悬挂或支撑在膜片340与空腔的在激光器后方的部分之间。
有利地，当与图1和图2的示例性实施例相比时，在第二衬底330上台面的缺乏能够使得由凹部325形成的空腔的体积相对较大，从而当与图1和图2的实施例的声电容相比时增加空腔的声电容。
图3b描绘了如在图3a中描绘的第三实施例中采用的第一衬底320的俯视图。第一衬底320包括多个孔眼365。出于示例的目的，描绘了四个孔眼365，但是应当理解，在其他实施例中，可以实现少于或多于四个孔眼365，孔眼365形成在用于支撑激光器305的中心部分和外部部分之间，其中中心部分通过辐条350耦合到外部部分。可以通过蚀刻等在衬底中形成孔眼。
图4a描绘了根据本公开的第四实施例的声学传感器400的横截面视图。
声学传感器400包括激光器405。在图4a的示例性实施例中，激光器405是VCSEL。应当理解，在其他实施例中，可以采用其他激光二极管。
激光器405被配置为从激光器405的辐射发射表面410发射辐射。激光器405还包括用于给激光器405提供电连接的端子465。
声学传感器400包括第一衬底420。第一衬底420可以是印刷电路板(PCB)衬底，诸如FR-4衬底等。第一衬底包括电触点415。在图4a的示例性实施例中，电触点415被提供为通孔，例如延伸穿过第一衬底420的导电元件。
第一衬底420的电触点415导电地耦合到(或者说联接到)激光器405的端子465。在图4a的示例性实施例中，导电粘合剂470用于将电触头415耦合到端子465。应当理解，在其他实施例中，电触头415可以焊接或以其他方式导电地耦合到端子465。
声学传感器400包括膜片440。该膜片由第一支撑结构430和第二支撑结构450支撑在第一衬底420和激光器405之间。第一支撑结构430将该膜片耦合到激光器405。第二支撑结构450将膜片440耦合到第一衬底420。第一支撑结构430支撑所述膜片440，使得空腔的第一部分488设置在膜片440和激光器405的辐射发射表面410之间。第一支撑结构430被配置成将空腔的第一部分488可通信地耦合到空腔的第二部分490，如下面参考图4b更详细地描述的。
膜片440还包括压力平衡孔455，其目的与上面关于图1的实施例描述的目的相同。尽管未在图4a中示出，但是膜片440还包括反射器，如上面参考图1所述。
第二支撑结构450将膜片440支撑在第一衬底420中的孔眼460与激光器405的辐射发射表面之间。这样，在使用中，声波可以传播通过第一衬底420中的孔眼460以入射到膜片440上。
激光器405、膜片440、第一支撑结构430和第二支撑结构450可以被提供为VCSEL组件，其在声学传感器400组装过程期间与外壳480和第一衬底420组装在一起。
声学传感器400包括外壳480。外壳480声学密封到第一衬底420。例如，在一些实施方案中，使用设置在外壳480和第一衬底420之间的密封环或垫圈将外壳480密封到第一衬底。在一些实施例中，声学密封可以由粘合剂形成。在一些实施例中，外壳480可以焊接到第一衬底420以形成声学密封。
外壳480被实现为罐封装。例如，在一些实施例中，外壳480被实现为金属罐封装。
外壳480包围激光器405，并且因此外壳限定空腔的第二部分490。
图4a中还示出了根据本公开的第四实施例的声学传感器400的对应俯视图。俯视图示出了包括孔眼460的第一衬底420，膜片440通过孔眼460可见。还描绘了第一衬底420的电触点415，其导电地耦合到激光器405的端子465，如上所述。出于示例的目的，描绘了四个电触点415，其成对布置，标记为“N”和“P”。标记为“N”的电触点415耦合到激光器405的“N”端子，例如阴极，并且标记为“P”的电触点415耦合到激光器405的“P”端子，例如阳极。在图4a的示例中，每对端子提供用于向激光器405供应电流的端子和用于测量激光器405的结电压的对应端子。应当理解，在其他实施例中，可以存在少至一个“N”端子和一个“P”端子。
在俯视图中还描绘了另一端子485。在一些实施例中，另一端子485提供从第一衬底420到激光器405的基板或衬底的接地连接。
图4b描绘了根据本公开的第四实施例的用于声学传感器400的VCSEL组件的第一横截面视图425、第二横截面视图435、俯视图445和局部透视图475。
VCSEL组件的俯视图445描绘了具有设置在上表面处的端子465的激光器405，其中端子465用于将激光器405导电地耦合到第一衬底420的电触点415。
还描绘了第一支撑结构430。第一支撑结构430被提供为多个支撑元件。膜片440被支撑在第一支撑结构430的支撑元件和第二支撑结构450之间。
第一横截面图425描绘了沿着俯视图445中表示为X-X的线的横截面。空腔的第一部分488设置在膜片440和激光器405的辐射发射表面410之间，其中膜片440由第一支撑结构430的支撑元件支撑。与之相比，第二横截面视图435描绘了沿着俯视图445中表示为Y-Y的线的横截面。在第二横截面视图435中可以看出，第一支撑结构430的多个支撑元件之间的间隙使得气流498能够进出空腔的第一部分488。
这在VCSEL组件的局部透视图475中更清楚地示出，其中描绘了第一支撑结构430的多个支撑元件之间的气流498。
图4c描绘了根据本公开的第四实施例的声学传感器400的另一横截面视图。图4c用等效阻抗标注，当评估声学传感器400的特定构造的特征的影响时可以考虑该等效阻抗。例如：
-R_port：电阻，对应于对第一衬底420中的孔眼460中空气压缩的声阻抗的分量；
-M_port：电感，对应于对第一衬底420中的孔眼460中空气压缩的声阻抗的分量；
-Cfv：电容，对应于前部体积的声电容，前部体积例如为空腔的第一部分(或称为第一空腔部分)488；
-Rsqueeze：电阻，对应于激光器405和膜片440之间的空腔的第一部分488中的空气对压缩的阻力；
-Rslit：电阻，对应于激光器405和膜片440之间的空气流过第一支撑结构430的支撑元件之间的间隙的阻力；
-Rpe：电阻，对应于空气流过膜片440中的压力平衡孔的阻力，并且其中，Rpe在大小上明显大于Rsqueeze和Rslit的串联组合；以及
-Cbv：电容，对应于后部体积的声电容，后部体积例如为由包围激光器405的外壳480形成的空腔的第二部分(或称为第二空腔部分)490。
图4c的声学传感器400的构造的特定尺寸确保Rsqueeze和Rslit提供足够的阻尼，从而给出足够的声学响应。此外，选择Rsqueeze和Rslit的值以还提供相对低的声学噪声。图5a描绘了根据本公开的第五实施例的声学传感器500的横截面视图和对应的俯视图。
声学传感器500包括激光器505。在图5a的示例性实施例中，激光器505是VCSEL。
声学传感器500的特征，例如外壳580、第一衬底520、第一衬底520的电触点515和膜片540，通常与图4a的实施例的特征相当，因此不再进一步详细描述。
与包括“顶部发射”VCSEL激光器405的声学传感器400的第四实施例相反，声学传感器500的第五实施例包括“底部发射”VCSEL激光器505。也就是说，VCSEL被配置为通过其上形成有激光器的衬底发射辐射，例如，通过激光器505的与包括用于给激光器505提供电连接的端子565的一侧相对的一侧。
此外，激光器505的端子565通过接合线570连接到第一衬底520的电触点515。
膜片540由第一支撑结构530和第二支撑结构550支撑在第一衬底520和激光器505之间。第一支撑结构530将膜片540耦合到激光器505。第二支撑结构550将膜片540耦合到第一衬底520。第一支撑结构530支撑所述膜片540，使得空腔的第一部分588设置在膜片540和激光器505的辐射发射表面510之间。第一支撑结构530被配置为将空腔的第一部分588可通信地耦合到空腔的第二部分590，如下面参考图5b更详细地描述的。
第二支撑结构550将膜片540支撑在第一衬底520中的孔眼560与激光器505的辐射发射表面之间。这样，在使用中，声波可以传播通过第一衬底520中的孔眼560以入射在膜片540上。
激光器505、膜片540、第一支撑结构530和第二支撑结构550可以被提供为VCSEL组件，其在声学传感器500组装过程期间与外壳580和第一衬底520组装在一起。
声学传感器500还包括第三支撑结构555。第三支撑结构555将激光器505耦合到第一衬底520，并且还被配置为将空腔的第一部分588可通信地耦合到空腔的第二部分590，如下面参考图5b更详细地描述的。在一些实施例中，第三支撑结构555可以被提供或形成为第一支撑结构530的一部分或与第一支撑结构530一起提供或形成。在一些实施例中，第三支撑结构555可以被提供或形成为第二支撑结构550的一部分或与第二支撑结构550一起提供或形成。第三支撑结构555为声学传感器500提供结构支撑。
图5b描绘了根据本公开的第五实施例的用于声学传感器的VCSEL组件的第一横截面视图525、第二横截面视图535和俯视图545，以及声学传感器500的横截面的另一图示。
VCSEL组件的俯视图545描绘了耦合到第一支撑结构530和第三支撑结构555的激光器505。
第一支撑结构530被提供为多个支撑元件。膜片540被支撑在第一支撑结构530的支撑元件和第二支撑结构550之间。
在一些实施例中，第一支撑结构530由环氧树脂或诸如SU-8等的光致抗蚀剂材料形成。在一些实施例中，可以使用光刻工艺形成第一支撑结构530。
第三支撑结构555也被提供为多个元件，这些元件被布置成形成通常以第一支撑结构530为中心的十字形沟槽布置结构。
在一些实施例中，第三支撑结构555的总高度，例如从激光器505的辐射发射表面510到第一衬底520的距离，在16微米的范围。
在一些实施例中，第一支撑结构530的总高度，例如从激光器505的辐射发射表面510到膜片540的距离，在12微米的范围。
第一横截面图525描绘了沿着俯视图545中表示为A的线的横截面。空腔的第一部分588设置在膜片540和激光器505的辐射发射表面510之间，其中膜片540由第一支撑结构530的多个支撑元件支撑。
第二横截面视图535描绘了沿着俯视图545中表示为B的线的横截面。在第二横截面视图535中可以看出，第三支撑结构555的多个支撑元件之间的沟槽使得气流能够进出空腔的第一部分588。还描绘了声学传感器500的横截面的对应图示。
图5c描绘了根据本公开的第五实施例的声学传感器500的另一横截面视图。类似于图4c的实施例，图5c的声学传感器500的构造的特定尺寸确保Rsqueeze和Rslit提供足够的阻尼，从而提供足够的声学响应。此外，选择Rsqueeze和Rslit的值以还提供相对低的声学噪声。
图6描绘了根据本公开的实施例的包括声学传感器610的装置600。声学传感器600可以是如参考图1至图5d描述的声学传感器100、200、300、400、500。装置600被描绘为通用装置，并且可以对应于例如智能扬声器；智能电话；智能手表；膝上型计算机、平板设备；或者耳机。
装置600包括激光驱动器620。激光驱动器620可以被配置为提供电流以驱动声学传感器610的激光器。
装置600还包括传感器电路系统630。传感器电路系统630被配置为感测声学传感器610的激光器的结电压。因此，传感器电路系统630可配置成确定入射到声学传感器620上的声波的特性。传感器电路系统630可以例如包括模数转换器。传感器电路系统630可以耦合到处理电路系统(未示出)或与处理电路系统集成在一起。
应当理解，在一些实施例中，激光驱动器620和传感器电路系统630可以集成到单个设备中。
图7描绘了根据本发明的实施例的制造声学传感器100、200、300、400、500、600的方法。该方法包括步骤710：在封装中提供激光器和膜片，使得膜片被配置为在存在声波的情况下振动并且将由激光器发射的辐射向后朝激光器反射，以产生对应于声波的自混合干涉效应。
该方法还包括步骤720：为封装提供空腔，该空腔将膜片与激光器分开并且在激光器的辐射发射表面的后方延伸，空腔的大部分体积设置在激光器的辐射发射表面的后方。
应当理解，上述说明书仅作为示例提供，并且本公开可以包括本文中隐含地或明确地概括描述的任何特征或特征的组合，而不限于上述任何定义的范围。还应当理解，可以在本公开的范围内进行各种修改。
附图标记列表
100声学传感器 320第一衬底
105激光器 325凹部
110辐射发射表面 330第二衬底
115触点 340膜片
120第一衬底 350辐条
125台面 360反射器
130第二衬底 365孔眼
135孔眼 395第三衬底
140膜片 400声学传感器
145空腔 405激光器
150层 410辐射发射表面
155压力平衡孔 415电触点
160反射器 420第一衬底
200声学传感器 425第一横截面视图
205激光器 430第一支撑结构
210辐射发射表面 435第二横截面视图
215触点 440膜片
220第一衬底 445俯视图
225台面 450第二支撑结构
230第二衬底 455压力平衡孔
235孔眼 460孔眼
240膜片 465端子
245空腔 470导电粘合剂
250层 475局部透视图
255压力平衡孔 480外壳
260反射器 485另一端子
290凹部 488空腔的第一部分
300声学传感器 490空腔的第二部分
305激光器 498气流
500声学传感器
505激光器
510辐射发射表面
515电触点
520第一衬底
525第一横截面视图
530第一支撑结构
535第二横截面视图
540膜片
545俯视图
550第二支撑结构
555第三支撑结构
560孔眼
565端子
570接合线
580外壳
588空腔的第一部分
590空腔的第二部分
600装置
610声学传感器
620激光驱动器
630传感器电路系统
710步骤
720步骤

Claims (15)

1.一种声学传感器(100、200、300、400、500)，包括：
激光器(105、205、305、405、505)；
膜片(140、240、340、440、540)，其被配置为：
在存在声波的情况下振动；以及
将由所述激光器发射的辐射向后朝所述激光器反射，以产生对应于所述声波的自混合干涉效应；
以及空腔(145、245)，其将所述膜片与所述激光器分开，并且在所述激光器的辐射发射表面的后方延伸，所述空腔的大部分体积设置在所述激光器的辐射发射表面(110、210、410、510)的后方。
2.根据权利要求1所述的声学传感器(100、200、300、400、500)，其中，所述膜片(140、240、340、440、540)与所述激光器(105、205、305、405、505)的所述辐射发射表面(110、210、410、510)之间的间隙为50微米或更小。
3.根据权利要求1或2所述的声学传感器(100、200、300、400、500)，其中，所述激光器(105、205、305、405、505)被配置为使得所述激光器(105、205、305、405、505)的结电压由于所述自混合干涉效应而对应于所述声波。
4.根据权利要求3所述的声学传感器(100、200、300、400、500)，包括耦合到所述激光器(105、205、305、405、505)并且被配置为感测所述结电压的电路系统。
5.根据前述权利要求中任一项所述的声学传感器(100、200、300、400、500)，包括第一衬底(120、220、320、420、520)，所述激光器(105、205、305、405、505)电耦合到所述第一衬底、形成在所述第一衬底上或安装在所述第一衬底上。
6.根据权利要求5所述的声学传感器(100、200、300、400、500)，其中，所述膜片(140、240、340、440、540)设置在所述第一衬底(120、220、320、420、520)中的孔眼(460、560)与所述激光器(105、205、305、405、505)的辐射发射表面(110、210、410、510)之间。
7.根据权利要求5或6所述的声学传感器(100、200、300、400、500)，包括声学密封至所述第一衬底(120、220、320、420、520)并包围所述激光器(105、205、305、405、505)的外壳(480、580)，其中所述外壳限定所述空腔。
8.根据权利要求5所述的声学传感器(100、200、300、400、500)，其中，所述衬底包括围绕所述激光器(105、205、305、405、505)并限定所述空腔的凹部(290)，或者支撑所述激光器并至少部分地限定所述空腔的台面(125、225)。
9.根据权利要求5所述的声学传感器(100、200、300、400、500)，其中，所述第一衬底(120、220、320、420、520)耦合到第二衬底(130、230、330)，所述空腔的第一部分(488、588)位于所述膜片(140、240、340、440、540)和所述第一衬底之间，并且所述空腔的第二部分(490、590)由所述第二衬底中的凹部限定，其中所述第一部分通过所述第一衬底中的至少一个开口(365)被可通信地耦合到所述第二部分。
10.根据前述权利要求中任一项所述的声学传感器(100、200、300、400、500)，其中，所述激光器(105、205、305、405、505)通过有孔眼的衬底悬挂或支撑在所述膜片(140、240、340、440、540)和所述空腔的在所述激光器后方的部分之间。
11.根据前述权利要求中任一项所述的声学传感器(100、200、300、400、500)，其中，所述激光器(105、205、305、405、505)是垂直腔表面发射激光器(VCSEL)。
12.根据前述权利要求中任一项所述的声学传感器(100、200、300、400、500)，其中，所述膜片(140、240、340、440、540)包括在张力下提供的拉伸膜。
13.根据前述权利要求中任一项所述的声学传感器(100、200、300、400、500)，其中，所述膜片(140、240、340、440、540)包括用于反射由所述激光器(105、205、305、405、505)发射的辐射的反射器(160、260、360)，其中所述反射器的直径小于100微米。
14.一种装置(600)，包括根据权利要求1至13中任一项所述的声学传感器，其中，所述装置是以下之一：智能扬声器；智能电话；智能手表；膝上型计算机、平板设备；或者耳机。
15.一种制造声学传感器的方法，所述方法包括：
在封装中提供激光器(105、205、305、405、505)和膜片(140、240、340、440、540)，使得所述膜片被配置为在存在声波的情况下振动并且将由所述激光器发射的辐射向后朝所述激光器反射，以产生对应于所述声波的自混合干涉效应；以及
为所述封装提供空腔(145、245)，所述空腔(145、245)将所述膜片与所述激光器分开并且在所述激光器的辐射发射表面的后方延伸，所述空腔的大部分体积设置在所述激光器的辐射发射表面(110、210、410、510)的后方。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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NO315397B1 (no) * 2001-11-13 2003-08-25 Sinvent As Optisk forskyvnings-sensor
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