CN116525552A - 高集成半导体电路模块及制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种高集成半导体电路模块及制造方法,包括:多层叠设的多边形半导体电路、设置于多边形半导体电路一侧的散热器、薄膜线路层以及封装体,多边形半导体电路通过薄膜线路层连接;多边形半导体电路包括多个金属基板、设置在金属基板上的绝缘层、设置在绝缘层上的铜箔层、设置在铜箔层上的绿油层、设置在铜箔层上的芯片、贴片电阻、贴片电容、以及导线,相邻的铜箔层之间通过薄膜线路层连接,多个金属基板折叠使其末端相对设置形成安装空间,封装体通过注塑方式形成于安装空间内,芯片与铜箔层通过导线连接。本发明的高集成半导体电路模块散热效果好,能强弱电区分,能提高产品抗干扰能力,满足高集成度电控小型化要求及提高安装效率。
Description
技术领域
本发明涉及智能功率模块技术领域,尤其涉及一种高集成半导体电路模块。
背景技术
半导体电路即模块化智能功率系统MIPS(Module Intelligent Power System)不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起,而且还内藏有过电压,过电流和过热等故障检测电路,并可将检测信号送到CPU或DSP作中断处理。它由高速低工耗的管芯和优化的门级驱动电路以及快速保护电路构成。即使发生负载事故或使用不当,也可以MIPS自身不受损坏。MIPS一般使用IGBT作为功率开关元件,并内藏电流传感器及驱动电路的集成结构。
现有MIPS模块化智能功率系统IC驱动控制电路、MIPS采样放大电路以及PFC电流保护电路等低压控制电路与高压半导体电路组成的逆变电路布局到同一板上,同时现有MIPS模块化智能功率系统都只集成单个MIPS模块,对于多个MIPS模块化智能功率系统集成还没有实现,而面对市场小型化、低成本竞争,对MIPS模块化智能功率系统高集成和高散热技术提出了更高的要求。
然而,上述的高集成半导体电路模块集成麻烦,制冷效果差,安装不方便,适应范围小,市场竞争力差。
发明内容
针对以上相关技术的不足,本发明提出一种集成方便,制冷效果好,安装方便的高集成半导体电路模块。
为了解决上述技术问题,第一方面,本发明实施例提供了一种高集成半导体电路模块,包括:多层叠设的多边形半导体电路、对应设置于所述多边形半导体电路一侧的散热器、薄膜线路层以及封装体,所述多边形半导体电路通过所述薄膜线路层连接;
所述多边形半导体电路包括多个金属基板、设置在所述金属基板上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的铜箔层、设置在所述铜箔层上的绿油层、设置在所述铜箔层上的芯片、贴片电阻、贴片电容、以及导线,相邻的所述铜箔层之间通过所述薄膜线路层连接,多个所述金属基板折叠使其末端相对设置形成安装空间,所述封装体通过注塑方式形成于所述安装空间内,所述芯片与所述铜箔层通过导线连接。
优选的,所述多边形半导体电路包括直角形、三角形、四边形、五边形和六边形中结构的任意一种。
优选的,所述多边形半导体电路为三角形结构时,所述多边形半导体电路为三角柱形结构,所述三角柱形结构中有两个圆角,一个直角。
优选的,所述散热器为三角形结构,所述散热器完全贴装于所述多边形半导体电路。
优选的,所述散热器的表面设有翅片。
优选的,所述高集成半导体电路模块还包括多个引脚,所述多个引脚的一端分别与所述金属基板和所述散热器电连接,所述多个引脚的另一端连接外部电源。
优选的,所述封装体由环氧树脂为基体树脂,以高性能酚醛树脂为固化剂,加入硅微粉为填料,以及添加多种助剂混配而成的粉状模塑料,通过热传递成型法挤压入模腔并将其中的所述多边形半导体电路包埋,同时交联固化成型。
优选的,所述多个金属基板包括第一金属基板、第二金属基板和第三金属基板,所述铜箔层包括第一铜箔层、第二铜箔层和第三铜箔层,所述第一金属基板、所述第二金属基板和所述第三金属基板上分别设有所述第一铜箔层、所述第二铜箔层和所述第三铜箔层,所述线路层分别与所述第一铜箔层、所述第二铜箔层和所述第三铜箔层实现电连接。
优选的,所述高集成多边形半导体电路模块还包括电控板和设置于所述封装体一侧的螺钉孔,所述电控板通过所述多个引脚连接于所述电控板上;所述多边形半导体电路与所述电控板通过螺钉穿过所述螺钉孔固定连接。
第二方面,本发明实施例提供了一种高集成多边形半导体电路模块的制造方法,包括以下步骤:
S1、通过所述薄膜线路层将平放的所述多个金属基板之间连接;
S2、将平放的所述多个金属基板成品放入特制载具,并对所述多个金属基板表面的元器件的所述铜箔层预留的元器件安装位,通过刷锡膏或点银胶将所述多边形半导体电路的半导体逆变电路芯片通过自动粘晶设备放置到所述元器件安装位上;
S3、通过自动贴片SMT设备将元器件半成品,所述贴片电阻及所述贴片电容贴装到所述元器件安装位上;
S4、通过机械手或人工将引线框架放置到所述多个金属基板的对应焊接位,然后将整个所述元器件半成品包括载具一起过回流炉,将所有的元器件焊接到对应安装位上;
S5、通过视觉检查AOI设备对元器件焊接质量进行检测;
S6、通过喷淋和超声的清洗方式,清除残留在所述多个金属基板上的助焊剂和氧化的污染物;
S7、通过绑定线,使所述芯片和所述铜箔层形成电连接,沿着三角形治具最右边的第一金属基板不动,所述第二金属基板和所述第三金属基板顺时针进行折叠形成与三角形治具一样的结构;
S8、将安装在所述三角形治具上的所述多边形半导体电路半成品与治具一起固定到封装模具型腔里面;
S9、通过封装设备在特定模具里面对所述多边形半导体电路半成品进行封装,然后经过激光打标对产品进行标记;
S10、通过高温烘箱对所述产品进行后固化去应力处理;
S11、通过切筋成型设备对引脚的连筋和假引脚进行切除并整型所需形状;
S12、通过测试设备进行电参数测试,最后将三角形的所述散热器内置到所述多边形半导体电路中间形成合格成品。
与相关技术相比,本发明通过多边形半导体电路进行多层叠设形成整体叠层结构,在所述多边形半导体电路一侧的设置散热器用于散热,所述多边形半导体电路通过所述薄膜线路层连接;所述多边形半导体电路包括多个金属基板、设置在所述金属基板上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的铜箔层、设置在所述铜箔层上的绿油层、设置在所述铜箔层上的芯片、贴片电阻、贴片电容、以及导线,相邻的所述铜箔层之间通过所述薄膜线路层连接,多个所述金属基板折叠使其末端相对设置形成安装空间,所述封装体通过注塑方式形成于所述安装空间内,所述芯片与所述铜箔层通过导线连接。散热器设置于多边形半导体电路的金属基板一侧用于散热,可以很好的解决更高规格电流,集成度更高带来的散热问题,应用更广。可以满足高集成度电控小型化要求,多边形的每一面为一个功能电路,实现强弱电区分,能提高产品抗干扰能力。同时,提供一种封装结构,所述封装结构包括电控板、设置于所述电控板上的多个元器件、以及上述的高集成半导体电路模块,所述高集成半导体电路模块通过所述多个引脚连接于所述电控板上。只需安装一颗螺钉即可实现与电控板的固定,提高了安装效率。
附图说明
下面结合附图详细说明本发明。通过结合以下附图所作的详细描述,本发明的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中:
图1为本发明高集成半导体电路模块的整体结构示意图;
图2为本发明多边形半导体电路的结构示意图;
图3为本发明多边形半导体电路的俯视图;
图4为本发明高集成半导体电路模块的结构示意图;
图5为本发明高集成半导体电路模块的剖视图;
图6为本发明高集成半导体电路模块展开工艺的正视图;
图7为本发明高集成半导体电路模块展开工艺的俯视图;
图8为本发明高集成半导体电路模块组装的正视图;
图9为本发明高集成半导体电路模块组装的俯视图;
图10为本发明高集成半导体电路模块组装的左视图;
图11为本发明多边形半导体电路的结构示意图;
图12为本发明高集成半导体电路模块的制造方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的具体实施方式。
在此记载的具体实施方式/实施例为本发明的特定的具体实施方式,用于说明本发明的构思,均是解释性和示例性的,不应解释为对本发明实施方式及本发明范围的限制。除在此记载的实施例外,本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书和说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案,这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案,都在本发明的保护范围之内。
实施例一
如图1-11所示,本发明提供一种高集成半导体电路模块,包括:多层叠设的多边形半导体电路7、对应设置于所述多边形半导体电路7一侧的散热器2、薄膜线路层4以及封装体1,所述多边形半导体电路7通过所述薄膜线路层4连接。封装体1用于将多层叠设的多边形半导体电路7整体封装固定。
所述多边形半导体电路7包括多个金属基板001、设置在所述金属基板上的绝缘层002、设置在所述绝缘层002上的铜箔层003、设置在所述铜箔层003上的绿油层004、设置在所述铜箔层003上的芯片006、贴片电阻007、贴片电容008、以及导线005,相邻的所述铜箔层003之间通过所述薄膜线路层4连接,多个所述金属基板折叠使其末端相对设置形成安装空间8,所述封装体1通过注塑方式形成于所述安装空间8内,所述芯片006与所述铜箔层003通过导线005连接。多个金属基板001作为多边形半导体电路7整个内部的载体且对整个半导体电路起到散热作用。绝缘层002用于防止电路布线层与金属基板通电导致内部电路短路、漏电风险。通过对铜箔层003的蚀刻形成所需电路,制成电路布线层。绿油层004主要对铜箔电路层起保护作用,防止导体电路的物理性断线,焊接工艺中防止因桥连产生的短路,减少对焊接料槽的铜污染,防止因灰尘、水份等外界环境因素造成绝缘恶化、腐蚀。
导线005一般用于绑定金属线(金属线一般为金、铝、铜等材质),金属线用于实现电路里面元器件之间的电连接。芯片006用于实现电路的开、关控制,起到续流作用。其中,芯片006为常用的控制芯片006,此处不再一一描述。贴片电阻007用于在多边形半导体电路7里面IGBT芯片006栅极处接入,通过限流达到限制IGBT开关速度的作用。贴片电容008用于在多边形半导体电路7里面起到滤波、耦合、自举作用。散热器2是通过外置贴装的方式进行安装,然后散热器2的翅片进行散热,散热效果好。
具体的,通过将多层半导体电路进行叠设,并在其叠设安装空间8内注塑形成封装体1,该封装体1用于固定多层叠设的半导体电路。所述多边形半导体电路7通过所述薄膜线路层4连接;所述多边形半导体电路7包括多个金属基板001、设置在所述金属基板上的绝缘层002、设置在所述绝缘层002上的铜箔层003、设置在所述铜箔层003上的绿油层004、设置在所述铜箔层003上的芯片006、贴片电阻007、贴片电容008、以及导线005,相邻的所述铜箔层003之间通过所述薄膜线路层4连接,多个所述金属基板折叠使其末端相对设置形成安装空间8,所述封装体1通过注塑方式形成于所述安装空间8内,所述芯片006与所述铜箔层003通过导线005连接。散热器2设置于多边形半导体电路7的金属基板一侧用于散热,可以很好的解决更高规格电流,集成度更高带来的散热问题,应用更广。可以满足高集成度电控小型化要求,多边形的每一面为一个功能电路,实现强弱电区分,能提高产品抗干扰能力。
本实施例中,所述多边形半导体电路7包括直角形、三角形、四边形、五边形和六边形中结构的任意一种。例如,三角形的半导体电路结构设计,可以满足高集成度电路要求;三角体作为载体的制造的三角形半导体电路,三角体每一面为一个功能电路,实现强弱电区分,能提高产品抗干扰能力,当产品出现问题可以方便排除问题,便于进行失效分析。
本实施例中,所述多边形半导体电路7为三角形结构时,所述多边形半导体电路7为三角柱形结构,所述三角柱形结构中有两个圆角,一个直角。
本实施例中,所述散热器2为三角形结构,所述散热器2完全贴装于所述多边形半导体电路7。多边形半导体电路7外部结构为三角柱形,由三个电路基板折叠后组合而成,三角柱形的三个角有两个是圆角,有一个是直角,这样可以方便安装散热器2且提高与散热器2的结合力。同时,多边形半导体电路7注塑完后,三个电路基板背面都会露出封装体10.1mm,从而使基板与散热器2更好的接触,避免散热不良。
本实施例中,所述散热器2的表面设有翅片。散热器2为三角形通过外包的方式将整个多边形半导体电路7进行全包,且散热器2表面带有翅片,然后通过风冷将热带走实现散热;散热器2安装在产品基板表面,由于现有半导体电路只有一面基板面需要散热所以只需在基板面安装散热器2无需采用全包散热,先通过散热器2对热进行传递,然后通过空气进行散热,实现空冷散热。
本实施例中,所述高集成半导体电路模块还包括多个引脚5,所述多个引脚5的一端分别与所述金属基板和所述散热器2电连接,所述多个引脚5的另一端连接外部电源。引脚5用于实现与电控板6之间进行电连接同时对多边形半导体电路77在电控板6X、Y方向的自由度进行限制。材质采用C194(-1/2H)(化学成分:Cu(≧97.0)Fe:2.4P:0.03Zn:0.12)或KFC(-1/2H)(化学成分:Cu(≧99.6)Fe:0.1(0.05~0.15)P:0.03(0.025~0.04)),通过机加工对0.5mm铜板材进行冲压加工形成所需形状,再对表面进行先镀镍厚度0.1-0.5um,再镀锡厚度2-5um形成。
本实施例中,所述封装体1由环氧树脂为基体树脂,以高性能酚醛树脂为固化剂,加入硅微粉为填料,以及添加多种助剂混配而成的粉状模塑料,通过热传递成型法挤压入模腔并将其中的所述多边形半导体电路7包埋,同时交联固化成型,成为具有一定外形结构器件。
本实施例中,所述多个金属基板001包括第一金属基板、第二金属基板和第三金属基板,所述铜箔层003包括第一铜箔层003、第二铜箔层003和第三铜箔层003,所述第一金属基板、所述第二金属基板和所述第三金属基板上分别设有所述第一铜箔层003、所述第二铜箔层003和所述第三铜箔层003,所述线路层分别与所述第一铜箔层003、所述第二铜箔层003和所述第三铜箔层003实现电连接。线路层用于实现第一金属基板、第二金属基板、第三金属基板的连接。制造工艺:薄膜线路层4可以是一种柔性覆铜板工艺或类似手机显示屏连接电路板的排线工艺,其表面有一层绝缘薄膜中间有导电介质且可弯曲折叠具备这些特征的都可用于薄膜线路层4,通过与基板线路层连接。
本实施例中,所述高集成多边形半导体电路7模块还包括电控板6和设置于所述封装体1一侧的螺钉孔3,所述电控板6通过所述多个引脚5连接于所述电控板6上;所述多边形半导体电路7与所述电控板6通过螺钉穿过所述螺钉孔3固定连接。
具体的,半导体电路当作一个插件安装到电控板6上,然后在螺钉孔3位通过螺钉固定,过波峰焊将引脚5焊接到电控板6实现电连接,然后在半导体电路表面安装散热器2实现对半导体电路全包散热;通过先放置一个支架,其中,支架作用:用于支撑半导体电路及其它功率器件,多边形半导体电路7因把其它功率器件集成到里面,所以无需用支架支撑;将半导体电路及其它功率器件通过螺钉固定到散热器2上,然后将带有散热器2功率器件通过支架安装到电控板6上,通过螺钉将电控板6与散热器2进行固定,过波峰焊使引脚5与电控板6实现电连接。同时,所述高集成半导体电路模块通过所述多个引脚5连接于所述电控板6上。这样只需安装一颗螺钉即可实现与电控板6的固定,提高了安装效率。
实施例二
如图1-12所示,本发明实施例提供了一种高集成多边形半导体电路7模块的制造方法,包括以下步骤:
S1、通过所述薄膜线路层4将平放的所述多个金属基板001之间连接;
S2、将平放的所述多个金属基板001成品放入特制载具,并对所述多个金属基板001表面的元器件的所述铜箔层003预留的元器件安装位,通过刷锡膏或点银胶将所述多边形半导体电路7的半导体逆变电路芯片006通过自动粘晶设备放置到所述元器件安装位上;
S3、通过自动贴片SMT设备将元器件半成品,所述贴片电阻007及所述贴片电容008贴装到所述元器件安装位上;
S4、通过机械手或人工将引线框架放置到所述多个金属基板001的对应焊接位,然后将整个所述元器件半成品包括载具一起过回流炉,将所有的元器件焊接到对应安装位上;
S5、通过视觉检查AOI设备对元器件焊接质量进行检测;
S6、通过喷淋和超声的清洗方式,清除残留在所述多个金属基板001上的助焊剂和氧化的污染物;
S7、通过绑定线,使所述芯片006和所述铜箔层003形成电连接,沿着三角形治具最右边的第一金属基板不动,所述第二金属基板和所述第三金属基板顺时针进行折叠形成与三角形治具一样的结构;
S8、将安装在所述三角形治具上的所述多边形半导体电路7半成品与治具一起固定到封装模具型腔里面;
S9、通过封装设备在特定模具里面对所述多边形半导体电路7半成品进行封装,然后经过激光打标对产品进行标记;
S10、通过高温烘箱对所述产品进行后固化去应力处理;
S11、通过切筋成型设备对引脚5的连筋和假引脚5进行切除并整型所需形状;
S12、通过测试设备进行电参数测试,最后将三角形的所述散热器2内置到所述多边形半导体电路7中间形成合格成品。
具体的,先将已经通过薄膜线路层4连接的各个金属基板平方,然后将平放的金属基板成品放入到特制载具(载具可以是铝、合成石、陶瓷、PPS等耐高温200℃以上的材料),对金属基板表面的元器件的铜箔电路层预留的元器件安装位通过刷锡膏或点银胶将半导体逆变电路芯片006通过自动粘晶设备(DA机)放置到元器件安装位上,通过自动贴片SMT设备将元器件半成品,阻、容件贴装到元器件安装位上,通过机械手或人工将引线框架放置到金属基板对应焊接位,然后将整个半成品包括载具一起过回流炉将所有的元器件焊接到对应安装位上,通过视觉检查AOI设备对元器件焊接质量进行检测,通过喷淋、超声等清洗方式,清除残留在所述基板上的助焊剂和氧化等污染物,通过绑定线,使所述电路元件和所述电路布线形成电连接,沿着三角形治具,最右边基板不动其余基板顺时针进行折叠形成与三角形治具一样的结构,然后将安装在三角形治具上的半导体电路半成品与治具一起固定到封装模具型腔里面,或者封装模具型腔里面本身就自带三角形结构,半导体电路半成品直接沿着封装模具型腔三角形结构顺时针折叠形成三角形结构,通过封装设备在特定模具里面对上述半导体电路半成品进行封装,然后经过激光打标对产品进行标记,通过高温烘箱对产品进行后固化去应力处理,通过切筋成型设备对引脚5的连筋和假引脚5进行切除并整型所需形状,通过测试设备进行电参数测试,最后将三角形散热器2外包到半导体电路基板表面形成最终的多边形半导体电路7合格成品。半导体电路的产品可以是集成逆变电路+驱动电路的双基板直角形半导体电路;可以是集成逆变电路+驱动电路+PFC电路的三基板三角形半导体电路;可以是集成逆变电路+驱动电路+PFC电路+整流桥堆的四基板四边形半导体电路;可以是集成压机逆变电路+压机驱动电路+风机逆变电路+风机驱动电路+PFC电路的五基板五边形双电机驱动半导体电路;可以是集成压机逆变电路+压机驱动电路+风机逆变电路+风机驱动电路+PFC电路+整流桥堆的六基板六边形双电机驱动半导体电路。可以满足不同客户对不同集成等级的半导体电路需求,使客户的电控设计更灵活,产品的市场适应性更好。通过这种制造方法可以根据不同的半导体电路结构设计不同结构的散热器2,实现全包散热功能,可以很好的解决更高规格电流,集成度更高带来的散热问题,应用更广。满足不同客户对不同集成等级的半导体电路需求,使客户的电控设计更灵活,产品的市场适应性更好。多边形的每一面为一个功能电路,当产品出现问题可以方便排除问题,便于进行失效分析。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何纂改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的权利要求范围之内。
Claims (10)
1.一种高集成半导体电路模块,其特征在于,包括:多层叠设的多边形半导体电路、对应设置于所述多边形半导体电路一侧的散热器、薄膜线路层以及封装体,所述多边形半导体电路通过所述薄膜线路层连接;
所述多边形半导体电路包括多个金属基板、设置在所述金属基板上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的铜箔层、设置在所述铜箔层上的绿油层、设置在所述铜箔层上的芯片、贴片电阻、贴片电容、以及导线,相邻的所述铜箔层之间通过所述薄膜线路层连接,多个所述金属基板折叠使其末端相对设置形成安装空间,所述封装体通过注塑方式形成于所述安装空间内,所述芯片与所述铜箔层通过导线连接。
2.如权利要求1所述的高集成半导体电路模块,其特征在于,所述多边形半导体电路包括直角形、三角形、四边形、五边形和六边形中结构的任意一种。
3.如权利要求2所述的高集成半导体电路模块,其特征在于,所述多边形半导体电路为三角形结构时,所述多边形半导体电路为三角柱形结构,所述三角柱形结构中有两个圆角,一个直角。
4.如权利要求1所述的高集成半导体电路模块,其特征在于,所述散热器为三角形结构,所述散热器完全贴装于所述半导体电路。
5.如权利要求4所述的高集成半导体电路模块,其特征在于,所述散热器的表面设有翅片。
6.如权利要求4所述的高集成半导体电路模块,其特征在于,所述高集成半导体电路模块还包括多个引脚,所述多个引脚的一端分别与所述金属基板和所述散热器电连接,所述多个引脚的另一端连接外部电源。
7.如权利要求1所述的高集成半导体电路模块,其特征在于,所述封装体由环氧树脂为基体树脂,以高性能酚醛树脂为固化剂,加入硅微粉为填料,以及添加多种助剂混配而成的粉状模塑料,通过热传递成型法挤压入模腔并将其中的所述多边形半导体电路包埋,同时交联固化成型。
8.如权利要求1所述的高集成半导体电路模块,其特征在于,所述多个金属基板包括第一金属基板、第二金属基板和第三金属基板,所述铜箔层包括第一铜箔层、第二铜箔层和第三铜箔层,所述第一金属基板、所述第二金属基板和所述第三金属基板上分别设有所述第一铜箔层、所述第二铜箔层和所述第三铜箔层,所述线路层分别与所述第一铜箔层、所述第二铜箔层和所述第三铜箔层实现电连接。
9.如权利要求6所述的高集成半导体电路模块,其特征在于,所述高集成半导体电路模块还包括电控板和设置于所述封装体一侧的螺钉孔,所述电控板通过所述多个引脚连接于所述电控板上;所述多边形半导体电路与所述电控板通过螺钉穿过所述螺钉孔固定连接。
10.一种如权利要求1-9任一项所述高集成半导体电路模块的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、通过所述薄膜线路层将平放的所述多个金属基板之间连接;
S2、将平放的所述多个金属基板成品放入特制载具,并对所述多个金属基板表面的元器件的所述铜箔层预留的元器件安装位,通过刷锡膏或点银胶将所述多边形半导体电路的半导体逆变电路芯片通过自动粘晶设备放置到所述元器件安装位上;
S3、通过自动贴片SMT设备将元器件半成品,所述贴片电阻及所述贴片电容贴装到所述元器件安装位上;
S4、通过机械手或人工将引线框架放置到所述多个金属基板的对应焊接位,然后将整个所述元器件半成品包括载具一起过回流炉,将所有的元器件焊接到对应安装位上;
S5、通过视觉检查AOI设备对元器件焊接质量进行检测;
S6、通过喷淋和超声的清洗方式,清除残留在所述多个金属基板上的助焊剂和氧化的污染物;
S7、通过绑定线,使所述芯片和所述铜箔层形成电连接,沿着三角形治具最右边的第一金属基板不动,所述第二金属基板和所述第三金属基板顺时针进行折叠形成与三角形治具一样的结构;
S8、将安装在所述三角形治具上的所述多边形半导体电路半成品与治具一起固定到封装模具型腔里面;
S9、通过封装设备在特定模具里面对所述多边形半导体电路半成品进行封装,然后经过激光打标对产品进行标记;
S10、通过高温烘箱对所述产品进行后固化去应力处理;
S11、通过切筋成型设备对引脚的连筋和假引脚进行切除并整型所需形状;
S12、通过测试设备进行电参数测试,最后将三角形的所述散热器内置到所述多边形半导体电路中间形成合格成品。
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- 2023-04-14 CN CN202310400544.6A patent/CN116525552A/zh active Pending
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CN117059496B (zh) * | 2023-10-10 | 2023-12-12 | 广东汇芯半导体有限公司 | 半导体电路的弹簧式封装模具及使用其的半导体制造方法 |
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