CN116525497A - 一种引线框架卷式蚀刻工艺 - Google Patents

一种引线框架卷式蚀刻工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN116525497A
CN116525497A CN202310543129.6A CN202310543129A CN116525497A CN 116525497 A CN116525497 A CN 116525497A CN 202310543129 A CN202310543129 A CN 202310543129A CN 116525497 A CN116525497 A CN 116525497A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead frame
shell
inner shell
fixedly connected
alkali solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202310543129.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN116525497B (zh
Inventor
康小明
康亮
张博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianshui Huayang Electronic Technology Co ltd
Original Assignee
Tianshui Huayang Electronic Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianshui Huayang Electronic Technology Co ltd filed Critical Tianshui Huayang Electronic Technology Co ltd
Priority to CN202310543129.6A priority Critical patent/CN116525497B/zh
Publication of CN116525497A publication Critical patent/CN116525497A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN116525497B publication Critical patent/CN116525497B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明涉及引线框架蚀刻领域,尤其涉及一种引线框架卷式蚀刻工艺,该引线框架蚀刻工艺包括以下步骤:步骤一:选材,选取铜材基板,进行水洗除尘的表面清洗;步骤二:涂布,将油膜涂布或者压膜在铜材质上面;本发明通过设置基座、壳体、喷头、吸头、L形喷射管、化学吸液棉辊和活塞板,使得强碱溶液与引线框架顶面反应后,残留的强碱溶液能够会收集并重新与引线框架顶面和底面接触反应,提高了强碱溶液的利用率,同时引线框架的双面都能与强碱溶液接触,提高了对引线框架的清理效果,并且在喷头和L形喷射管的作用下,能够将膨松状态下的感光胶去除,有利于强碱溶液与更深层的感光胶接触,从而有利于提高对引线框架的清理能力。

Description

一种引线框架卷式蚀刻工艺
技术领域
本发明涉及引线框架蚀刻领域,尤其涉及一种引线框架卷式蚀刻工艺。
背景技术
引线框架是半导体封装的基础材料,是集成电路的芯片载体,是电子信息产业中重要的基础材料。芯片的引线框架起着稳固芯片、电路连接、散热等作用。随着集成电路向小型化、薄型化、轻量化和多功能化发展,高强高导型引线框架材料逐步成为市场主流,按照生产工艺分类,可将引线框架分为冲压和蚀刻引线框架,其中蚀刻工艺产品具备精度高的优势,蚀刻工艺又分为卷式蚀刻和片式蚀刻,卷式蚀刻工艺流程具体为卷料准备、清洁、贴膜、曝光、显影、蚀刻、脱膜、成品。
在引线框架蚀刻结束后要进行脱膜,通过在引线框架表面喷射强碱溶液与引线框架表面的感光胶层进行反应,由于感光胶层为酸性,会和强碱溶液发生中和反应,使得感光胶层变的膨松,反应结束后将引线框架经过清洗液中,通过超声波将膨松的感光胶层从引线框架表面去除;
然而在强碱溶液通过喷射的方式接触到引线框架表面的感光胶表面的过程中,由于引线框架一直在运输,导致强碱溶液容易从引线框架表面流走,从而造成强碱溶液没有和感光胶发生进行充分反应,一方面容易导致强碱溶液利用率低下,造成浪费,另一方面,不利于喷射的强碱溶液与感光胶层进行充分反应,进而导致对感光胶层膨松不彻底。
为此,本发明提供了一种引线框架卷式蚀刻工艺,以解决上述问题。
发明内容
本发明提出的一种引线框架卷式蚀刻工艺,目的是为了解决现有技术中在强碱溶液通过喷射的方式接触到引线框架表面的感光胶表面的过程中,由于引线框架一直在运输,导致强碱溶液容易从引线框架表面流走,从而造成强碱溶液没有和感光胶发生进行充分反应,一方面容易导致强碱溶液利用率低下,造成浪费,另一方面,不利于喷射的强碱溶液与感光胶层进行充分反应,进而导致对感光胶层膨松不彻底的问题。
为达到以上目的,本发明采用的技术方案为:一种引线框架卷式蚀刻工艺,该引线框架蚀刻工艺包括以下步骤:
步骤一:选材,选取铜材基板,进行水洗除尘的表面清洗;
步骤二:涂布,将油膜涂布或者压膜在铜材质上面;
步骤三:曝光,通过光聚合反应将菲林上面需要蚀刻的引线框架转移到基材上;
步骤四:显影,显影后进入蚀刻机进行蚀刻;
步骤五:通过蚀刻机用蚀刻液对铜材进行腐蚀,有感光油膜或者干膜的保护,将引线框架线路、图形进行腐蚀成型;
步骤六:脱膜,通过脱膜装置脱去铜材上的感光膜;
其中步骤六中所述脱膜装置包括机壳,所述机壳内底端对称固定连接有第一内壳和第二内壳,所述机壳左端设置有引线框架,所述引线框架右端从所述机壳左端穿入后依次穿过所述第一内壳和所述第二内壳,所述引线框架右端从机壳右侧穿出,所述机壳两端设置有用于限位所述引线框架位置的定位机构;所述第一内壳顶端设置有用于喷射强碱溶液的第一喷射器,所述第二内壳顶端设置有用于喷射清洗液的第二喷射器,所述第一内壳内壁在所述第一喷射器的右侧阵列固定连接有两个基座,所述基座两端分别与所述第一内壳两侧固定连接,所述基座顶端固定连接有壳体,所述壳体左侧顶端具有弧形安装槽,所述弧形安装槽内转动连接有化学吸液棉辊,所述化学吸液棉辊与所述引线框架顶端接触,所述化学吸液棉辊内固定连接有转动轴,所述转动轴端部贯穿所述第一内壳和所述机壳并与所述第一内壳和所述机壳转动连接,两个所述转动轴端部共同设置有用于驱动所述转动轴转动的第一驱动机构,所述壳体左侧底端阵列固定连通有多个吸头,所述壳体右侧顶端阵列固定连通有多个喷头,所述壳体右侧顶端对称固定连通有L形喷射管,所述L形喷射管顶端喷口与所述引线框架顶面平齐,所述吸头的端部固定安装有第一单向阀,所述喷头、所述L形喷射管端部、所述弧形安装槽的内壁底端均固定连通有第二单向阀,两个所述壳体内壁均滑动连接有活塞板,两个所述活塞板侧壁共同设置有用于推动所述活塞板沿壳体内滑动的第二驱动机构,所述第一内壳右端底部设置有第一排料机构,所述第二内壳侧壁设置有第二排料机构;其中强碱溶液具体为氢氧化钠溶液。
优选的,所述引线框架的右端依次穿过所述机壳左端和所述第一内壳左端并从所述第一内壳右端顶部穿出,所述引线框架右端从所述第二内壳左侧顶端穿入随后沿水平延伸至所述第二内壳右侧并从所述第二内壳右侧顶端穿出,所述引线框架右端穿过所述机壳右侧壁,所述机壳的内侧壁、所述第一内壳的内侧壁和所述第二内壳的内侧壁在所述引线框架转折处分别转动连接有限位辊,所述限位辊表面与所述引线框架底端接触,所述第二内壳两侧固定连接有超声波振板。
优选的,第一驱动机构包括电机,所述电机固定连接在所述机壳外壁上,所述电机的输出轴端部与对应位置上所述转动轴固定连接,两个所述所述转动轴表面共同传动连接有同步带。
优选的,所述第二驱动机构包括两对折形杆和两个驱动板,两对所述折形杆端部分别固定连接在两个所述活塞板的侧壁上,所述折形杆远离对应位置的所述活塞板的一端固定连接有连接销,所述第一内壳和所述第二内壳的两个侧壁上均开设有两个横向滑槽,所述驱动板对称滑动连接在所述第一内壳侧壁上,所述驱动板和所述第一内壳侧壁之间连接有滑动支撑件,所述驱动板侧壁对应两个所述横向滑槽的位置开设有两个驱动槽,两个所述驱动槽呈八字状分布,所述连接销远离所述折形杆的一端穿过所述横向滑槽和所述驱动槽后与所述横向滑槽和所述驱动槽滑动连接,所述驱动板侧壁对应所述转动轴位置开设有纵向滑槽,所述转动轴位于所述纵向滑槽内,所述驱动板侧壁在两个所述转动轴的上方均固定连接有弧形推动座,两个所述转动轴表面均固定连接有和所述弧形推动座相适配的凸轮,所述凸轮具有远端和近端,所述凸轮的凸轮面上开设有轨道槽,所述轨道槽的内部滑动连接有牵引销,所述牵引销固定连接在对应位置的弧形推动座的底面上;所述滑动支撑件包括两个滑杆,所述滑杆底端固定连接在所述驱动板顶端,两个所述滑杆顶端共同滑动连接有安装板,所述安装板固定连接在所述第一内壳侧壁上,所述所述滑杆表面套接有弹簧,所述弹簧两端分别固定连接在所述驱动板和所述安装板上。
优选的,所述定位机构包括四个连接座,四个所述连接座对称固定连接在所述机壳的内外壁上,同一位置上的两个所述连接座共同转动连接有两个定位辊,四个所述定位辊表面与所述引线框架表面接触。
优选的,所述第一排料机构包括第一排料管,所述第一排料管顶端与所述第一内壳右侧底部固定连通,所述第一排料管底端贯穿所述机壳底部后与所述机壳固定连通。
优选的,所述第二排料机构包括第二排料管,所述第二排料管一端贯穿所述第二内壳侧壁后与所述第二内壳固定连通,所述第二排料管在所述引线框架顶面的上方,所述第二排料管的另一端贯穿所述机壳侧壁后与所述机壳侧壁固定连通。
优选的,所述第一喷射器包括第一水泵,所述第一水泵固定连接在所述第一内壳顶端,所述第一水泵侧壁固定连通有第一注液管,所述第一注液管端部通过导管与外设存储强碱溶液的储存罐固定连通,所述第一水泵底端固定连通有两个第一排液管,所述第一排液管底端贯穿所述第一内壳顶端后与所述第一内壳固定连通,所述第一排液管底端固定连通有第一花洒。
优选的,所述第二喷射器包括第二水泵,所述第二水泵固定连接在所述第二内壳顶端,所述第二水泵侧壁固定连通有第二注液管,所述第二注液管端部通过导管与外设存储清洗液的储存罐固定连通,所述第二水泵底端固定连通有两个第二排液管,所述第二排液管底端贯穿所述第二内壳顶端后与所述第二内壳固定连通,所述第二排液管底端固定连通有第二花洒。
优选的,所述驱动板侧壁在所述驱动槽处固定连接有密封壳。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
一、本发明通过设置基座、壳体、喷头、吸头、L形喷射管、化学吸液棉辊和活塞板,使得强碱溶液与引线框架顶面反应后,残留的强碱溶液能够会收集并重新与引线框架顶面和底面接触反应,提高了强碱溶液的利用率,同时引线框架的双面都能与强碱溶液接触,提高了对引线框架的清理效果,并且在喷头和L形喷射管的作用下,能够将膨松状态下的感光胶去除,有利于强碱溶液与更深层的感光胶接触,从而有利于提高对引线框架的清理能力。
二、本发明通过设置折形杆和驱动板,使得左侧的吸头吸取强碱溶液,右侧的喷头和L形喷射管喷射强碱溶液,从而使得当一侧的喷头和L形喷射管未喷射时,另一侧的喷头和喷射管对引线框架喷射强碱溶液,从而有利于将引线框架整段都能够被膨化处理,并且实现两次与喷射的强碱接触反应的机会,从而有利于提高对引线框架的膨化效果。
三、本发明通过限位辊将引线框架从第二内壳左侧顶端穿入随后沿水平延伸至第二内壳右侧并从第二内壳右侧顶端穿出,从而保证第二内壳中的清洗液的液面高于引线框架表面,能够将引线框架淹没,随后在超声波振板的作用下,使得引线框架底面和顶面残留的感光胶能够被有效清理。
附图说明
图1为本发明蚀刻工艺流程图;
图2为本发明的脱膜装置整体结构第一示意图;
图3为本发明的脱膜装置整体结构第一示意图;
图4为本发明的脱膜装置中机壳、第一内壳和第二内壳连接图;
图5为本发明的脱膜装置中引线框架与机壳、第一内壳和第二内壳连接情况图;
图6为本发明的脱膜装置中第一内壳的侧剖图;
图7为本发明的脱膜装置中第一内壳的上剖图;
图8为本发明的脱膜装置中壳体、活塞板、第一驱动机构和第二驱动机构连接情况图;
图9为本发明的脱膜装置中壳体的侧剖图;
图10为本发明的脱膜装置中壳体、弧形安装槽、喷头和L形喷射管的连接图;
图11为本发明的脱膜装置中第一喷射器连接情况图;
图12为本发明的脱膜装置中第一喷射器连接情况图;
图13为本发明的脱膜装置中弧形推动座和凸轮侧剖图。
图中:1、机壳;2、第一内壳;3、第二内壳;4、引线框架;5、基座;6、壳体;7、密封壳;8、弧形安装槽;9、化学吸液棉辊;10、转动轴;11、吸头;1101、第一单向阀;12、喷头;13、L形喷射管;14、第二单向阀;15、活塞板;16、限位辊;17、超声波振板;18、电机;19、同步带;20、折形杆;21、驱动板;22、连接销;23、横向滑槽;24、驱动槽;25、纵向滑槽;26、弧形推动座;2601、牵引销;27、凸轮;2701、轨道槽;28、滑杆;29、安装板;30、弹簧;31、连接座;32、定位辊;33、第一排料管;34、第二排料管;35、第一水泵;36、第一注液管;37、第一排液管;38、第一花洒;39、第二水泵;40、第二注液管;41、第二排液管;42、第二花洒。
具体实施方式
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例,本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。
如图1至图13所示的一种引线框架卷式蚀刻工艺,该引线框架蚀刻工艺包括以下步骤:
步骤一:选材,选取铜材基板,进行水洗除尘的表面清洗;
步骤二:涂布,将油膜涂布或者压膜在铜材质上面;
步骤三:曝光,通过光聚合反应将菲林上面需要蚀刻的引线框架转移到基材上;
步骤四:显影,显影后进入蚀刻机进行蚀刻;
步骤五:通过蚀刻机用蚀刻液对铜材进行腐蚀,有感光油膜或者干膜的保护,将引线框架线路、图形进行腐蚀成型;
步骤六:脱膜,通过脱膜装置脱去铜材上的感光膜;
其中步骤六中脱膜装置包括机壳1,机壳1内底端对称固定连接有第一内壳2和第二内壳3,机壳1左端设置有引线框架4,引线框架4右端从机壳1左端穿入后依次穿过第一内壳2和第二内壳3,引线框架4右端从机壳1右侧穿出,机壳1两端设置有用于限位引线框架4位置的定位机构;
第一内壳2顶端设置有用于喷射强碱溶液的第一喷射器,第二内壳3顶端设置有用于喷射清洗液的第二喷射器,第一内壳2内壁在第一喷射器的右侧阵列固定连接有两个基座5,基座5两端分别与第一内壳2两侧固定连接,基座5顶端固定连接有壳体6,壳体6左侧顶端具有弧形安装槽8,弧形安装槽8内转动连接有化学吸液棉辊9,化学吸液棉辊9与引线框架4顶端接触,化学吸液棉辊9内固定连接有转动轴10,转动轴10端部贯穿第一内壳2和机壳1并与第一内壳2和机壳1转动连接,两个转动轴10端部共同设置有用于驱动转动轴10转动的第一驱动机构,壳体6左侧底端阵列固定连通有多个吸头11,壳体6右侧顶端阵列固定连通有多个喷头12,壳体6右侧顶端对称固定连通有L形喷射管13,L形喷射管13顶端喷口与引线框架4顶面平齐,吸头11的端部固定安装有第一单向阀1101,喷头12、L形喷射管13端部、弧形安装槽8的内壁底端均固定连通有第二单向阀14,两个壳体6内壁均滑动连接有活塞板15,两个活塞板15侧壁共同设置有用于推动活塞板15沿壳体6内滑动的第二驱动机构,第一内壳2右端底部设置有第一排料机构,第二内壳3侧壁设置有第二排料机构;其中强碱溶液具体为氢氧化钠溶液;
工作时,现有技术中在强碱溶液通过喷射的方式接触到引线框架表面的感光胶表面的过程中,由于引线框架一直在运输,导致强碱溶液容易从引线框架表面流走,从而造成强碱溶液没有和感光胶发生进行充分反应,一方面容易导致强碱溶液利用率低下,造成浪费,另一方面,不利于喷射的强碱溶液与感光胶层进行充分反应,进而导致对感光胶层膨松不彻底的问题,该技术方案可以解决上述问题,具体操作如下,通过第一喷射器,将强碱溶液喷射到引线框架4顶面,使得强碱溶液与引线框架4顶面接触并发生中和反应,使得引线框架4顶面的感光胶层变的膨松,由于引线框架4一直向右输送,部分强碱溶液会从引线框架4表面脱离,并汇聚到第一内壳2底部,由于在第一喷射器的右侧阵列固定有两个基座5,且基座5的两端均与第一内壳2侧壁固定,从而将第一内壳2分隔成左中右三个区域,当强碱溶液从引线框架4顶面脱离后会先落入到第一内壳2左侧区域中,随后通过第二驱动机构使得壳体6内的活塞板15沿着壳体6内壁向右滑动,降低壳体6内的压强,在第二单向阀14的作用下,喷头12、L形喷射管13和弧形安装槽8底端处于单向封闭状态,使得吸头11吸取第一内壳2中的强碱溶液,将强碱溶液吸入到壳体6内,在第一单向阀1101的单向限位作用下使得吸头11吸入的强碱溶液将无法通过吸头11排出,随后通过启动第一驱动机构,使得化学吸液棉辊9旋转,通过蘸取壳体6内的强碱溶液,将强碱溶液涂刷在引线框架4底端,使强碱溶液与引线框架4底面的感光胶层接触并发生反应,从而有利于将引线框架4底端的感光胶进行清理,随后通过第二驱动机构,使得活塞板15沿着可以内壁向左滑动,使得壳体6内的压强增大,在第一单向阀1101的单向限位作用下使得吸头11吸入的强碱溶液将无法通过吸头11排出,使得壳体6内的强碱溶液从喷头12、L形喷射管13端部和弧形安装槽8底端喷出,喷头12对着引线框架4底面喷射,有利于将引线框架4底面膨松状态下的感光胶去除,同时有利于强碱溶液与更深层的感光胶接触,从而有利于提高对引线框架4底面的感光胶层清理效果,L形喷射管13对着引线框架4顶面喷射,利于将引线框架4顶面膨松状态下的感光胶去除,同时有利于强碱溶液与更深层的感光胶接触,随后在第二驱动机构的作用下,再次将活塞板15沿着壳体6内向右滑动,降低壳体6内的压强,使得吸头11吸取第一内壳2中的强碱溶液,将强碱溶液吸入到壳体6内,完成对壳体6内强碱溶液的更换,并且在壳体6向外喷液的过程中,弧形安装槽8底端喷出的强碱溶液会被化学吸液棉辊9吸附,可以对化学吸液棉辊9进行补充强碱溶液的同时,将表面的杂质进行冲洗,一方面有利于将化学吸液棉辊9表面的携带的感光胶进行清理,从而提高化学吸液棉辊9蘸取强碱溶液的能力,另一方面,可以对化学吸液棉辊9补充补充强碱溶液,维持对引线框架表面涂覆强碱溶液的能力,当喷头12和L形喷射管13将强碱溶液喷射出去后,强碱溶液会汇聚到第一内壳2的中间区域,与上述原理相同,继续对引线框架4表面的感光胶层进行清理,直到强碱溶液汇聚到第一内壳2的右侧区域中,通过第一排料机构将反应结束后的强碱溶液排出第一内壳2中,随后引线框架4通过第二内壳3,通过第二喷射器,将清洗液喷射到引线框架4表面,将引线框架4表面残留的膨松的感光胶进行清理,该脱膜装置通过设置两个基座5、壳体6、喷头12、吸头11、L形喷射管13、化学吸液棉辊9和活塞板15,使得强碱溶液与引线框架4顶面反应后,残留的强碱溶液能够会收集并重新与引线框架4顶面和底面接触反应,提高了强碱溶液的利用率,同时引线框架4的双面都能与强碱溶液接触,提高了对引线框架4的清理效果,并且在喷头12和L形喷射管13的作用下,能够将膨松状态下的感光胶去除,有利于强碱溶液与更深层的感光胶接触,从而有利于提高对引线框架4的清理能力。
作为本发明的一种实施方式,引线框架4的右端依次穿过机壳1左端和第一内壳2左端并从第一内壳2右端顶部穿出,引线框架4右端从第二内壳3左侧顶端穿入随后沿水平延伸至第二内壳3右侧并从第二内壳3右侧顶端穿出,引线框架4右端穿过机壳1右侧壁,机壳1的内侧壁、第一内壳2的内侧壁和第二内壳3的内侧壁在引线框架4转折处分别转动连接有限位辊16,限位辊16表面与引线框架4底端接触,第二内壳3两侧固定连接有超声波振板17;工作时,通过限位辊16将引线框架4从第二内壳3左侧顶端穿入随后沿水平延伸至第二内壳3右侧并从第二内壳3右侧顶端穿出,从而保证第二内壳3中的清洗液的液面高于引线框架4表面,能够将引线框架4淹没,随后在超声波振板17的作用下,使得引线框架4底面和顶面残留的感光胶能够被有效清理。
作为本发明的一种实施方式,第一驱动机构包括电机18,电机18固定连接在机壳1外壁上,电机18的输出轴端部与对应位置上转动轴10固定连接,两个转动轴10表面共同传动连接有同步带19;工作时,通过设置电机18的使得电机18的输出轴与沿逆时针转动,使得转动轴10带动化学吸液棉辊9逆时针转动,其中图5箭头标记为逆时针方向,使得化学吸液棉辊9与引线框架4产生相对挤压作用力,从而有利于化学吸液棉辊9将强碱溶液涂在引线框架4上。
作为本发明的一种实施方式,第二驱动机构包括两对折形杆20和两个驱动板21,两对折形杆20端部分别固定连接在两个活塞板15的侧壁上,折形杆20远离对应位置的活塞板15的一端固定连接有连接销22,第一内壳2和第二内壳3的两个侧壁上均开设有两个横向滑槽23,驱动板21对称滑动连接在第一内壳2侧壁上,驱动板21和第一内壳2侧壁之间连接有滑动支撑件,驱动板21侧壁对应两个横向滑槽23的位置开设有两个驱动槽24,两个驱动槽24呈八字状分布,连接销22远离折形杆20的一端穿过横向滑槽23和驱动槽24后与横向滑槽23和驱动槽24滑动连接,驱动板21侧壁对应转动轴10位置开设有纵向滑槽25,转动轴10位于纵向滑槽25内,驱动板21侧壁在两个转动轴10的上方均固定连接有弧形推动座26,两个转动轴10表面均固定连接有和弧形推动座26相适配的凸轮27,凸轮27具有远端和近端,凸轮27的凸轮面上开设有轨道槽2701,轨道槽2701的内部滑动连接有牵引销2601,牵引销2601固定连接在对应位置的弧形推动座26的底面上;
滑动支撑件包括两个滑杆28,滑杆28底端固定连接在驱动板21顶端,两个滑杆28顶端共同滑动连接有安装板29,安装板29固定连接在第一内壳2侧壁上,滑杆28表面套接有弹簧30,弹簧30两端分别固定连接在驱动板21和安装板29上。;工作时,通过设置折形杆20和驱动板21,当转动轴10转动时,使得凸轮27发生转动,在凸轮27的远端向弧形推动座26底端靠近的过程中,驱动板21向上运动,弹簧30被压缩,其中左侧的连接销22在驱动槽24的作用下沿着横向滑槽23向左运动,使得左侧的两个折形杆20带动活塞板15向左运动,使得壳体6内的压强增大,喷头12和L形喷射管13喷射强碱溶液,右侧的连接销22在驱动槽24的作用下沿着横向滑槽23向右运动,使得右侧的两个折形杆20带动活塞板15向右运动,使得壳体6内的压强降低,吸头11吸入强碱溶液,同理,在凸轮27的近端靠近弧形推动座26的过程中,轨道槽2701拉动牵引销2601,使得驱动板21向下运动,按上述相同原理,使得左侧的吸头11吸取强碱溶液,右侧的喷头12和L形喷射管13喷射强碱溶液,从而使得当一侧的喷头12和L形喷射管13未喷射时,另一侧的喷头12和喷射管对引线框架4喷射强碱溶液,从而有利于将引线框架4整段都能够被膨化处理,并且实现两次与喷射的强碱接触反应的机会,从而有利于提高对引线框架4的膨化效果。
作为本发明的一种实施方式,定位机构包括四个连接座31,四个连接座31对称固定连接在机壳1的内外壁上,同一位置上的两个连接座31共同转动连接有两个定位辊32,四个定位辊32表面与引线框架4表面接触;工作时,通过设置定位管,用于维持和支撑引线框架4,提高输送时引线框架4的稳定。
作为本发明的一种实施方式,第一排料机构包括第一排料管33,第一排料管33顶端与第一内壳2右侧底部固定连通,第一排料管33底端贯穿机壳1底部后与机壳1固定连通;工作时,通过设置第一排料管33,当强碱溶液汇聚到第一内壳2右端后,通过第一排料管33排出,减少第一内壳2强碱溶液的容积。
作为本发明的一种实施方式,第二排料机构包括第二排料管34,第二排料管34一端贯穿第二内壳3侧壁后与第二内壳3固定连通,第二排料管34在引线框架4顶面的上方,第二排料管34的另一端贯穿机壳1侧壁后与机壳1侧壁固定连通;工作时,通过设置第二排料管34,由于第二喷射器始终向第二内壳3中补充新的清洗液,而第二排料管34在引线框架4顶面的上方,从而有利于维持第二清洗液的高度。
作为本发明的一种实施方式,第一喷射器包括第一水泵35,第一水泵35固定连接在第一内壳2顶端,第一水泵35侧壁固定连通有第一注液管36,第一注液管36端部通过导管与外设存储强碱溶液的储存罐固定连通,第一水泵35底端固定连通有两个第一排液管37,第一排液管37底端贯穿第一内壳2顶端后与第一内壳2固定连通,第一排液管37底端固定连通有第一花洒38;工作时,通过设置第一水泵35,将强碱溶液泵送到第一水泵35内,随后通过第一花洒38将强碱溶液喷射到引线框架4顶面。
作为本发明的一种实施方式,第二喷射器包括第二水泵39,第二水泵39固定连接在第二内壳3顶端,第二水泵39侧壁固定连通有第二注液管40,第二注液管40端部通过导管与外设存储清洗液的储存罐固定连通,第二水泵39底端固定连通有两个第二排液管41,第二排液管41底端贯穿第二内壳3顶端后与第二内壳3固定连通,第二排液管41底端固定连通有第二花洒42;工作时,通过设置第二水泵39,将清洗液泵送到第二水泵39内,随后通过第二花洒42将清洗液喷射到第二内壳3中。
作为本发明的一种实施方式,驱动板21侧壁在驱动槽24处固定连接有密封壳7;工作时,通过设置密封壳7,将驱动槽24处进行密封,提高了第一内壳2的密封性。
本发明工作原理:通过第一喷射器,将强碱溶液喷射到引线框架4顶面,使得强碱溶液与引线框架4顶面接触并发生中和反应,使得引线框架4顶面的感光胶层变的膨松,由于引线框架4一直向右输送,部分强碱溶液会从引线框架4表面脱离,并汇聚到第一内壳2底部,由于在第一喷射器的右侧阵列固定有两个基座5,且基座5的两端均与第一内壳2侧壁固定,从而将第一内壳2分隔成左中右三个区域,当强碱溶液从引线框架4顶面脱离后会先落入到第一内壳2左侧区域中,随后通过第二驱动机构使得壳体6内的活塞板15沿着壳体6内壁向右滑动,降低壳体6内的压强,在第二单向阀14的作用下,喷头12、L形喷射管13和弧形安装槽8底端处于单向封闭状态,使得吸头11吸取第一内壳2中的强碱溶液,将强碱溶液吸入到壳体6内,在第一单向阀1101的单向限位作用下使得吸头11吸入的强碱溶液将无法通过吸头11排出,随后通过启动第一驱动机构,使得化学吸液棉辊9旋转,通过蘸取壳体6内的强碱溶液,将强碱溶液涂刷在引线框架4底端,使强碱溶液与引线框架4底面的感光胶层接触并发生反应,从而有利于将引线框架4底端的感光胶进行清理,随后通过第二驱动机构,使得活塞板15沿着可以内壁向左滑动,使得壳体6内的压强增大,在第一单向阀1101的单向限位作用下使得吸头11吸入的强碱溶液将无法通过吸头11排出,使得壳体6内的强碱溶液从喷头12、L形喷射管13端部和弧形安装槽8底端喷出,喷头12对着引线框架4底面喷射,有利于将引线框架4底面膨松状态下的感光胶去除,同时有利于强碱溶液与更深层的感光胶接触,从而有利于提高对引线框架4底面的感光胶层清理效果,L形喷射管13对着引线框架4顶面喷射,利于将引线框架4顶面膨松状态下的感光胶去除,同时有利于强碱溶液与更深层的感光胶接触,随后在第二驱动机构的作用下,再次将活塞板15沿着壳体6内向右滑动,降低壳体6内的压强,使得吸头11吸取第一内壳2中的强碱溶液,将强碱溶液吸入到壳体6内,完成对壳体6内强碱溶液的更换,并且在壳体6向外喷液的过程中,弧形安装槽8底端喷出的强碱溶液会被化学吸液棉辊9吸附,可以对化学吸液棉辊9进行补充强碱溶液的同时,将表面的杂质进行冲洗,一方面有利于将化学吸液棉辊9表面的携带的感光胶进行清理,从而提高化学吸液棉辊9蘸取强碱溶液的能力,另一方面,可以对化学吸液棉辊9补充补充强碱溶液,维持对引线框架表面涂覆强碱溶液的能力,当喷头12和L形喷射管13将强碱溶液喷射出去后,强碱溶液会汇聚到第一内壳2的中间区域,与上述原理相同,继续对引线框架4表面的感光胶层进行清理,直到强碱溶液汇聚到第一内壳2的右侧区域中,通过第一排料机构将反应结束后的强碱溶液排出第一内壳2中,随后引线框架4通过第二内壳3,通过第二喷射器,将清洗液喷射到引线框架4表面,将引线框架4表面残留的膨松的感光胶进行清理。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。

Claims (10)

1.一种引线框架卷式蚀刻工艺,其特征在于,该引线框架蚀刻工艺包括以下步骤:
步骤一:选材,选取铜材基板,进行水洗除尘的表面清洗;
步骤二:涂布,将油膜涂布或者压膜在铜材质上面;
步骤三:曝光,通过光聚合反应将菲林上面需要蚀刻的引线框架转移到基材上;
步骤四:显影,显影后进入蚀刻机进行蚀刻;
步骤五:通过蚀刻机用蚀刻液对铜材进行腐蚀,有感光油膜或者干膜的保护,将引线框架线路、图形进行腐蚀成型;
步骤六:脱膜,通过脱膜装置脱去铜材上的感光膜;
其中步骤六中所述脱膜装置包括机壳(1),所述机壳(1)内底端对称固定连接有第一内壳(2)和第二内壳(3),所述机壳(1)左端设置有引线框架(4),所述引线框架(4)右端从所述机壳(1)左端穿入后依次穿过所述第一内壳(2)和所述第二内壳(3),所述引线框架(4)右端从机壳(1)右侧穿出,所述机壳(1)两端设置有用于限位所述引线框架(4)位置的定位机构;
所述第一内壳(2)顶端设置有用于喷射强碱溶液的第一喷射器,所述第二内壳(3)顶端设置有用于喷射清洗液的第二喷射器,所述第一内壳(2)内壁在所述第一喷射器的右侧阵列固定连接有两个基座(5),所述基座(5)两端分别与所述第一内壳(2)两侧固定连接,所述基座(5)顶端固定连接有壳体(6),所述壳体(6)左侧顶端具有弧形安装槽(8),所述弧形安装槽(8)内转动连接有化学吸液棉辊(9),所述化学吸液棉辊(9)与所述引线框架(4)顶端接触,所述化学吸液棉辊(9)内固定连接有转动轴(10),所述转动轴(10)端部贯穿所述第一内壳(2)和所述机壳(1)并与所述第一内壳(2)和所述机壳(1)转动连接,两个所述转动轴(10)端部共同设置有用于驱动所述转动轴(10)转动的第一驱动机构,所述壳体(6)左侧底端阵列固定连通有多个吸头(11),所述壳体(6)右侧顶端阵列固定连通有多个喷头(12),所述壳体(6)右侧顶端对称固定连通有L形喷射管(13),所述L形喷射管(13)顶端喷口与所述引线框架(4)顶面平齐,所述吸头(11)的端部固定安装有第一单向阀(1101),所述喷头(12)、所述L形喷射管(13)端部、所述弧形安装槽(8)的内壁底端均固定连通有第二单向阀(14),两个所述壳体(6)内壁均滑动连接有活塞板(15),两个所述活塞板(15)侧壁共同设置有用于推动所述活塞板(15)沿壳体(6)内滑动的第二驱动机构,所述第一内壳(2)右端底部设置有第一排料机构,所述第二内壳(3)侧壁设置有第二排料机构。
2.根据权利要求1所述的一种引线框架卷式蚀刻工艺,其特征在于,所述引线框架(4)的右端依次穿过所述机壳(1)左端和所述第一内壳(2)左端并从所述第一内壳(2)右端顶部穿出,所述引线框架(4)右端从所述第二内壳(3)左侧顶端穿入随后沿水平延伸至所述第二内壳(3)右侧并从所述第二内壳(3)右侧顶端穿出,所述引线框架(4)右端穿过所述机壳(1)右侧壁,所述机壳(1)的内侧壁、所述第一内壳(2)的内侧壁和所述第二内壳(3)的内侧壁在所述引线框架(4)转折处分别转动连接有限位辊(16),所述限位辊(16)表面与所述引线框架(4)底端接触,所述第二内壳(3)两侧固定连接有超声波振板(17)。
3.根据权利要求1所述的一种引线框架卷式蚀刻工艺,其特征在于,第一驱动机构包括电机(18),所述电机(18)固定连接在所述机壳(1)外壁上,所述电机(18)的输出轴端部与对应位置上所述转动轴(10)固定连接,两个所述所述转动轴(10)表面同步轮共同传动连接有同步带(19)。
4.根据权利要求3所述的一种引线框架卷式蚀刻工艺,其特征在于,所述第二驱动机构包括两对折形杆(20)和两个驱动板(21),两对所述折形杆(20)端部分别固定连接在两个所述活塞板(15)的侧壁上,所述折形杆(20)远离对应位置的所述活塞板(15)的一端固定连接有连接销(22),所述第一内壳(2)和所述第二内壳(3)的两个侧壁上均开设有两个横向滑槽(23),所述驱动板(21)对称滑动连接在所述第一内壳(2)侧壁上,所述驱动板(21)和所述第一内壳(2)侧壁之间连接有滑动支撑件,所述驱动板(21)侧壁对应两个所述横向滑槽(23)的位置开设有两个驱动槽(24),两个所述驱动槽(24)呈八字状分布,所述连接销(22)远离所述折形杆(20)的一端穿过所述横向滑槽(23)和所述驱动槽(24)后与所述横向滑槽(23)和所述驱动槽(24)滑动连接,所述驱动板(21)侧壁对应所述转动轴(10)位置开设有纵向滑槽(25),所述转动轴(10)位于所述纵向滑槽(25)内,所述驱动板(21)侧壁在两个所述转动轴(10)的上方均固定连接有弧形推动座(26),两个所述转动轴(10)表面均固定连接有和所述弧形推动座(26)相适配的凸轮(27),所述凸轮(27)具有远端和近端,所述凸轮(27)的凸轮面上开设有轨道槽(2701),所述轨道槽(2701)的内部滑动连接有牵引销(2601),所述牵引销(2601)固定连接在对应位置的弧形推动座(26)的底面上;
所述滑动支撑件包括两个滑杆(28),所述滑杆(28)底端固定连接在所述驱动板(21)顶端,两个所述滑杆(28)顶端共同滑动连接有安装板(29),所述安装板(29)固定连接在所述第一内壳(2)侧壁上,所述所述滑杆(28)表面套接有弹簧(30),所述弹簧(30)两端分别固定连接在所述驱动板(21)和所述安装板(29)上。
5.根据权利要求1所述的一种引线框架卷式蚀刻工艺,其特征在于,所述定位机构包括四个连接座(31),四个所述连接座(31)对称固定连接在所述机壳(1)的内外壁上,同一位置上的两个所述连接座(31)共同转动连接有两个定位辊(32),四个所述定位辊(32)表面与所述引线框架(4)表面接触。
6.根据权利要求1所述的一种引线框架卷式蚀刻工艺,其特征在于,所述第一排料机构包括第一排料管(33),所述第一排料管(33)顶端与所述第一内壳(2)右侧底部固定连通,所述第一排料管(33)底端贯穿所述机壳(1)底部后与所述机壳(1)固定连通。
7.根据权利要求1所述的一种引线框架卷式蚀刻工艺,其特征在于,所述第二排料机构包括第二排料管(34),所述第二排料管(34)一端贯穿所述第二内壳(3)侧壁后与所述第二内壳(3)固定连通,所述第二排料管(34)在所述引线框架(4)顶面的上方,所述第二排料管(34)的另一端贯穿所述机壳(1)侧壁后与所述机壳(1)侧壁固定连通。
8.根据权利要求1所述的一种引线框架卷式蚀刻工艺,其特征在于,所述第一喷射器包括第一水泵(35),所述第一水泵(35)固定连接在所述第一内壳(2)顶端,所述第一水泵(35)侧壁固定连通有第一注液管(36),所述第一注液管(36)端部通过导管与外设存储强碱溶液的储存罐固定连通,所述第一水泵(35)底端固定连通有两个第一排液管(37),所述第一排液管(37)底端贯穿所述第一内壳(2)顶端后与所述第一内壳(2)固定连通,所述第一排液管(37)底端固定连通有第一花洒(38)。
9.根据权利要求1所述的一种引线框架卷式蚀刻工艺,其特征在于,所述第二喷射器包括第二水泵(39),所述第二水泵(39)固定连接在所述第二内壳(3)顶端,所述第二水泵(39)侧壁固定连通有第二注液管(40),所述第二注液管(40)端部通过导管与外设存储清洗液的储存罐固定连通,所述第二水泵(39)底端固定连通有两个第二排液管(41),所述第二排液管(41)底端贯穿所述第二内壳(3)顶端后与所述第二内壳(3)固定连通,所述第二排液管(41)底端固定连通有第二花洒(42)。
10.根据权利要求4所述的一种引线框架卷式蚀刻工艺,其特征在于,所述驱动板(21)侧壁在所述驱动槽(24)处固定连接有密封壳(7)。
CN202310543129.6A 2023-05-15 2023-05-15 一种引线框架卷式蚀刻工艺 Active CN116525497B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310543129.6A CN116525497B (zh) 2023-05-15 2023-05-15 一种引线框架卷式蚀刻工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310543129.6A CN116525497B (zh) 2023-05-15 2023-05-15 一种引线框架卷式蚀刻工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN116525497A true CN116525497A (zh) 2023-08-01
CN116525497B CN116525497B (zh) 2023-09-29

Family

ID=87399282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310543129.6A Active CN116525497B (zh) 2023-05-15 2023-05-15 一种引线框架卷式蚀刻工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116525497B (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203708646U (zh) * 2014-02-28 2014-07-09 昆山迅凯电路板有限公司 一种基板强碱退洗槽
CN209843677U (zh) * 2019-06-20 2019-12-24 天水迈格智能设备有限公司 一种引线框架蚀刻用清尘设备
CN111405772A (zh) * 2020-03-10 2020-07-10 昆山一鼎工业科技有限公司 半导体器件的表面处理方法
CN112144095A (zh) * 2020-11-02 2020-12-29 昆山一鼎工业科技有限公司 引线框架粗铜表面制造设备
CN112331565A (zh) * 2020-10-23 2021-02-05 泰兴市永志电子器件有限公司 高密度引线框架蚀刻方法
CN114146984A (zh) * 2021-12-01 2022-03-08 天水华洋电子科技股份有限公司 一种集成电路引线框架清洗生产工艺
CN216137823U (zh) * 2021-07-20 2022-03-29 湖北茂华化工科技有限公司 一种用于泡沫清洗系统的吸液装置
CN216585220U (zh) * 2021-11-08 2022-05-24 昆山弗莱吉电子科技有限公司 用于引线框架的双面蚀刻装置
CN115458413A (zh) * 2022-09-21 2022-12-09 天水华洋电子科技股份有限公司 一种集成电路引线框架表面处理工艺

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203708646U (zh) * 2014-02-28 2014-07-09 昆山迅凯电路板有限公司 一种基板强碱退洗槽
CN209843677U (zh) * 2019-06-20 2019-12-24 天水迈格智能设备有限公司 一种引线框架蚀刻用清尘设备
CN111405772A (zh) * 2020-03-10 2020-07-10 昆山一鼎工业科技有限公司 半导体器件的表面处理方法
CN112331565A (zh) * 2020-10-23 2021-02-05 泰兴市永志电子器件有限公司 高密度引线框架蚀刻方法
CN112144095A (zh) * 2020-11-02 2020-12-29 昆山一鼎工业科技有限公司 引线框架粗铜表面制造设备
CN216137823U (zh) * 2021-07-20 2022-03-29 湖北茂华化工科技有限公司 一种用于泡沫清洗系统的吸液装置
CN216585220U (zh) * 2021-11-08 2022-05-24 昆山弗莱吉电子科技有限公司 用于引线框架的双面蚀刻装置
CN114146984A (zh) * 2021-12-01 2022-03-08 天水华洋电子科技股份有限公司 一种集成电路引线框架清洗生产工艺
CN115458413A (zh) * 2022-09-21 2022-12-09 天水华洋电子科技股份有限公司 一种集成电路引线框架表面处理工艺

Also Published As

Publication number Publication date
CN116525497B (zh) 2023-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4421611B2 (ja) 基板処理装置
CN110035620A (zh) Ses生产线
CN102441843B (zh) 一种cmp机台内置清洗结构及方法
CN103801536B (zh) 一种晶片清洗装置
CN116525497B (zh) 一种引线框架卷式蚀刻工艺
CN209969066U (zh) 一种太阳能多晶硅片超声波清洗设备
CN112188746B (zh) 一种印制电路板用蚀刻设备
CN112355011A (zh) 一种用于电子玻璃的自动除尘设备
CN115258317B (zh) 一种抗衰老面膜的包装设备及方法
CN111906063A (zh) 一种电路板加工用的清洗装置
CN116329025A (zh) 一种半导体硅片自动涂胶装置及方法
CN209577602U (zh) 一种印刷电路板药水清洁装置
CN210280118U (zh) 一种用于冰箱隔板高效清洗装置
CN117881100B (zh) 一种cof封装装置
CN113600413A (zh) 一种半导体封装自动刷胶装置
CN106057711B (zh) 一种应用于晶圆片涂胶清洗设备的除水雾装置
CN113117979A (zh) 一种半导体晶片加工处理装置
CN205467894U (zh) 一种旋转型印刷辊超声波清洗机
CN115532707B (zh) 一种适用于无膜划切设备的集成式清洗装置
CN117729703B (zh) 一种pcb电路板酸洗设备
CN219880738U (zh) 一种清洗机构及清洗装置
CN213831010U (zh) 一种用于数码印花喷头的循环清洗装置
CN118139302A (zh) 一种厚铜陶瓷线路板生产工艺
KR101230442B1 (ko) 기판 세정 장치 및 이를 이용한 세정 방법
WO1992009935A1 (en) Method of and device for removing resist

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant