CN116507178A - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，包括：阵列基板；在所述阵列基板上阵列设置多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素，每一所述子像素均包括层叠设置的第一电极、发光层、第二电极，所述第一电极为透明电极，不同所述子像素对应的所述第一电极的厚度不同，且不同厚度的所述第一电极在同一道工序中制备而成。通过对应不同颜色的子像素设置不同厚度的透明电极，使得不同颜色的光线在透过不同厚度的电极层时，可以提高对应颜色光线的透过率，进而可以提高显示面板的光线透过率及显示性能。
Description
技术领域
本申请一般涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光(Organic Light-Emitting Diode，以下简称OLED)器件，具有主动发光、温度特性好、功耗小、响应快、可柔性化、超轻薄和成本低等优点，有可能成为代替液晶显示的下一代显示器件。OLED平板显示技术正趋向于量产技术日益成熟与市场需求高速增长的阶段。
OLED器件按照出光方向可以分为三种：底发射OLED器件、双面发射OLED器件和顶发射OLED器件。底发射OLED器件是指光从基板射出的OLED器件。双面发射OLED器件是指光同时从基板和器件顶部射出的OLED器件。顶发射OLED器件是指光从器件顶部射出的OLED器件。
在现有的大尺寸底发射OLED显示产品中，通常采用ITO薄膜做透明像素电极，RGB的像素ITO厚度是一样的，不同颜色的光在通过ITO的时候，透过率不一样，严重影响了显示性能。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，可以提高显示面板的光线透过率及显示性能。
第一方面，本申请提供了一种显示面板，包括：
阵列基板；
在所述阵列基板上阵列设置多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素，每一所述子像素均包括层叠设置的第一电极、发光层、第二电极，所述第一电极为透明电极，不同所述子像素对应的所述第一电极的厚度不同，且不同厚度的所述第一电极在同一道工序中制备而成。
可选地，所述子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一电极包括对应第一子像素的第一透明电极、对应第二子像素的第二透明电极、对应第三子像素的第三透明电极，所述第一透明电极和所述第二透明电极的厚度均小于所述第三透明电极的厚度。
可选地，所述第一透明电极的厚度与所述第二透明电极的厚度相同。
可选地，所述第一子像素为红色子像素，所述第一透明电极的厚度为700～800埃；所述第二子像素为绿色子像素，所述第二透明电极的厚度为1000～1200埃；所述第三子像素为蓝色子像素，所述第三透明电极的厚度为1000～1200埃。
可选地，所述阵列基板包括衬底基板以及在所述衬底基板上阵列设置的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括层叠设置的有源层、栅绝缘层、栅金属层、源漏金属层、钝化层；
设置在所述阵列基板表面的彩膜层，所述彩膜层包括阵列设置的多个滤光块，所述滤光块在所述阵列基板上的正投影与所述子像素在所述阵列基板上的正投影至少部分重叠，所述滤光块包括对应第一子像素的第一滤光块、对应第二子像素的第二滤光块、对应第三子像素的第三滤光块。
可选地，还包括：
设置在所述阵列基板上的平坦层，所述平坦层覆盖在多个所述滤光块上，所述平坦层在远离所述阵列基板一侧的上表面平齐；
所述平坦层上设置有贯穿所述平坦层的多个过孔，所述透明电极层形成在所述平坦层的上表面，所述透明电极层通过所述过孔与所述源漏金属层接触。
第二方面，本申请提供了一种显示面板的制备方法，所述方法包括：
提供阵列基板；
在所述阵列基板的表面形成阵列设置的多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素，每一所述子像素均包括层叠设置的第一电极、发光层、第二电极，所述第一电极为透明电极，不同所述子像素对应的所述第一电极的厚度不同。
可选地，所述第一电极包括对应第一子像素的第一透明电极、对应第二子像素的第二透明电极、对应第三子像素的第三透明电极；
在所述阵列基板的表面形成阵列设置的多个像素单元，方法包括：
在所述阵列基板上形成透明电极层；
在所述透明电极层形成光刻胶；
利用掩膜版对所述光刻胶进行曝光、显影形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括光刻胶部分去除的第一区域和第二区域、光刻胶全部保留的第三区域、光刻胶全部去除的第四区域；所述第一区域和所述第二区域上光刻胶的厚度均小于所述第三区域上光刻胶的厚度；
通过刻蚀形成电极图案，所述电极图案包括在第一区域形成的第一电极块、在第二区域形成的第二电极块以及在第三区域上形成的第三电极块，所述第一电极块、第二电极块和第三电极块的厚度相同。
可选地，所述透明电极层的厚度与所述第三透明电极的厚度相同，所述第一透明电极的厚度与所述第二透明电极的厚度相同，所述方法还包括：
通过光刻胶剥离工艺完全去除所述第一区域和第二区域上的光刻胶并保留部分厚度所述第三区域上的光刻胶；
通过刻蚀对所述电极图案进行减薄，在所述第一电极块上形成预设厚度的第一透明电极以及在所述第二电极块上形成预设厚度的第二透明电极；
通过光刻胶剥离工艺完全去除所述第三区域上的光刻胶，形成所述第三透明电极。
第三方面，本申请提供了一种显示装置，包括如以上所述的显示面板或者采用如以上任一所述方法制备而成的显示面板。
本申请的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
本申请实施例提供的显示面板，通过对应不同颜色的子像素设置不同厚度的透明电极，使得不同颜色的光线在透过不同厚度的电极层时，可以提高对应颜色光线的透过率，进而可以提高显示面板的光线透过率及显示性能。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本申请的实施例提供的一种光线透过率的示意图；
图2为本申请的实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图3为本申请的实施例提供的一种光线透过率的对比示意图；
图4-11为本申请的实施例提供的一种显示面板制备过程的形成的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
本实施例中的显示面板可以为主动发光型显示面板，例如有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板，主动矩阵有机发光二极管(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示面板，被动矩阵有机发光二极管(Passive Matrix OLED)显示面板、量子点有机发光二极管(Quantum Dot Light EmittingDiodes，QLED)显示面板等。本申请中以OLED显示面板为例进行示例性描述。
蓝光的频率范围为700～700THz，波长范围为500～430nm，红光的频率范围为380～480THz，波长范围为780～620nm，绿光的频率范围为520～610THz，波长范围为577～492nm。
通过研究发现，随着光线波长的减小，显示面板上子像素的透过率降低，例如，如图所示1(a)所示，在透明电极的厚度为时，不同颜色光线的透过率，其中，B-T％＝81％，G-T％＝83％，R-T％＝85％；可以发现蓝B光在短波段的透过率通常比较低，远低于R光和G光的透过率；进一步的做成OLED显示器件，蓝光的透过率只有5.5％，如图1(b)所示，严重影响了产品的显示性能。
如图2所示，本申请提供了一种显示面板，包括：
阵列基板100；
在所述阵列基板100上阵列设置多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素，每一所述子像素均包括层叠设置的第一电极200、发光层300、第二电极400，所述第一电极200为透明电极，不同所述子像素对应的所述第一电极200的厚度不同，且不同厚度的所述第一电极200在同一道工序中制备而成。
所述子像素包括第一子像素310、第二子像素320和第三子像素330，可以理解的是，在本申请实施例中子像素的颜色可以为第一颜色、第二颜色和第三颜色，本申请实施例中对于子像素的颜色并不限制，本申请中以所述子像素包括红色R子像素、绿色G子像素和蓝色B子像素进行示例性描述，但是本发明不限于此。第一颜色、第二颜色和第三颜色也可以是青色、品红色和黄色。此外，像素单元可以包括白色子像素，在不同实施例中根据需要进行选择。
本申请通过研究发现，不同厚度的透明电极对于蓝色光线的透过率不同，通过研究发现随着波长增大，蓝光的透过率有一定增长，并在透明电极的厚度时具有较高的透过率。图3中示出了不同光线在透明电极为/>和/>时的透过率。
所述第一电极200包括对应第一子像素310的第一透明电极201、对应第二子像素320的第二透明电极202、对应第三子像素330的第三透明电极203。所述第一透明电极201和所述第二透明电极202的厚度均小于所述第三透明电极203的厚度。所述第一透明电极201的厚度为所述第二透明电极202的厚度为/> 所述第三透明电极203的厚度为/>
需要说明的是，本申请实施例中并不限制所述第一透明电极201、所述第二透明电极202、第三透明电极203的具体厚度，根据应用场景的不同，可以设置不同厚度的透明电极，本申请实施例中并不限制。本申请实施例中并不严格限制所述第一电极200的厚度，在不同实施例中根据阳极材料的不同、出光方向或者其他膜层结构的不同，可以进行适当的调整。
通过研究发现，在透明电极的厚度为时，红光和绿光的透过率满足显示面板的要求，因此，本申请实施例中以第一透明电极201的厚度和第二透明电极202的厚度相同进行示例性描述。通过设置第一透明电极201和第二透明电极202的厚度相同，还可以简化显示面板的制备，提高制备效率。在本申请实施中以第一透明电极201的厚度为/>第二透明电极202和第三透明电极203的厚度为/>进行示例性描述。
可选地，所述阵列基板100包括衬底基板110以及在所述衬底基板110上阵列设置的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括层叠设置的有源层120、栅绝缘层130、栅金属层140、源漏金属层150、钝化层160。
所述衬底基板110为所述显示面板中的其他膜层结构的载体，其可以为刚性衬底基板110或柔性衬底基板110，其材质包括玻璃、塑料、二氧化硅、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚氨酯中的至少一种。
所述薄膜晶体管包括用于驱动子像素的像素驱动电路、栅线、数据线、电源线等。通常，每个子像素的像素驱动电路包括驱动晶体管、开关晶体管、电容等，并且与相应的栅线、数据线、电源线电连接。在本实施例中，薄膜晶体管可以为顶栅结构、底栅结构或者双栅结构，本申请对此并不限制。在本申请实施例中以顶栅结构进行示例性描述。该驱动晶体管的源极或者漏极与像素电极电性连接。
需要说明的是，在不同实施例中该薄膜晶体管还可以包括更少的层或者更多层，例如设置在有源层120靠近衬底基板110一侧的缓冲层180和遮光层190、设置在源漏金属层150与缓冲层180之间的层间介质层等，本申请对此并不限制。根据应用场景的不同，所述金属导电层可以为栅金属层140或源漏金属层150。
可以理解的是，在本申请中显示面板可以应用于底发射子像素发光结构，在本申请中底发射子像素发光结构包括从下至上依次层叠设置的透明阳极、发光层300以及反射阴极，因此，本申请实施例中对应的第一电极200可以为阳极，第二电极400可以为阴极。本申请实施例中所述显示面板还可以应用于顶发射子像素发光结构，例如，顶发射子像素发光结构包括从上至下依次层叠设置的反射阳极、发光层300以及透明阴极，因此，本实施例中对应的第一电极200可以为阴极，第二电极400可以为阳极。在本申请实施例中以底发射子像素结构进行示例性说明。
为了进一步实现显示效果，所述显示面板还包括：设置在所述阵列基板100表面的彩膜层600，所述彩膜层600包括阵列设置的多个滤光块，所述滤光块在所述阵列基板100上的正投影与所述子像素在所述阵列基板100上的正投影至少部分重叠，所述滤光块包括对应第一子像素310的第一滤光块610、对应第二子像素320的第二滤光块620、对应第三子像素330的第三滤光块630。例如，所述蓝色滤光块330用于滤除除蓝色光之外的光，仅允许蓝光通过。通过设置彩色滤光片可以提高显示面板的显示均匀性。
另外，所述显示面板还包括：
设置在所述阵列基板100上的平坦层170，所述平坦层170覆盖在多个所述滤光块上，所述平坦层170在远离所述阵列基板100一侧的上表面平齐；所述平坦层170上设置有贯穿所述平坦层170的多个过孔，所述透明电极层210形成在所述平坦层170的上表面，所述透明电极层210通过所述过孔与所述源漏金属层150接触。
基于相同的发明构思，本申请还提供了一种显示面板的制备方法，所述方法包括：
S100、提供阵列基板100。
S200、在所述阵列基板100的表面形成阵列设置的多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素，每一所述子像素均包括层叠设置的第一电极200、发光层300、第二电极400，所述第一电极200为透明电极，不同所述子像素对应的所述第一电极200的厚度不同。形成后的结构如图2所示。
在显示技术领域中，图案化工艺，可只包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的图案化工艺。
具体地，在步骤S100中形成所述阵列基板100的方法包括：
S101、通过等离子体增强化学气相沉积方法形成半导体材料层，通过曝光机的光刻工艺和刻蚀机的刻蚀工艺形成层晶体管的有源层120；所述半导体材料层可以为金属氧化物半导体的材料，例如铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)或铟镓锌锡氧化物(IGZTO)。也可为非晶硅(a-Si)半导体层、多晶硅(p-Si)半导体层或有机半导体层。厚度为
S102、通过等离子体增强化学气相沉积方法形成栅绝缘层130，所述栅绝缘层130的材料可以为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等材料，例如，材料为SiNx，厚度为
S103、在栅绝缘层130上通过溅射方法沉积一层栅金属层140，通过曝光机的光刻工艺和刻蚀机的刻蚀工艺形成栅线和薄膜晶体管的栅极；其中所述栅金属层140可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或多种。例如，可以采用NbMo/Cu的双层材料，厚度分别为
S104、通过溅射方法沉积一层源漏金属层150，通过曝光机的光刻工艺和刻蚀机的刻蚀工艺形成数据线、层晶体管的源极和漏极；所述源漏金属层150的材料可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或多种。例如，可以为Mo/AlI/Mo三层结构，厚度分别为
S105、通过等离子体增强化学气相沉积方法，沉积钝化层160。所述钝化层160的材料可以为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)中的一种或多种，例如，材料为SiN厚度为形成的结构如图4所示。
透明电极层210的材质包括透明金属氧化物导电材料或其它合适的材料，其例如是(但不限于)：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)、锌氧化物(ZnO)、铟镓锌氧化物(IGZO)或其它合适的材料。本申请实施例中以ITO进行示例性描述。
本申请中在步骤S200形成像素单元之间，所述方法还包括：
S110、在所述阵列基板100的表面形成彩膜层600，通过图案化形成阵列设置的多个滤光块，所述滤光块在所述阵列基板100上的正投影与所述子像素在所述阵列基板100上的正投影至少部分重叠，所述滤光块包括对应红色子像素的红色滤光块、对应绿色子像素的绿色滤光块、对应蓝色子像素的蓝色滤光块。
所述彩膜层600可以是将红、绿、蓝三种颜色的染料分散在有机单体中形成的有机色阻，也可以是将红、绿、蓝三种颜色的量子点材料分散在有机溶剂中形成的量子点墨水经干燥烘烤后形成的色阻，本申请实施例中对此并不限制。形成后的结构如图5所示。
S121、在所述阵列基板100上形成平坦层170，所述平坦层170覆盖在多个所述滤光块上，所述平坦层170在远离所述阵列基板100一侧的上表面平齐。
所述平坦层170的材料可以为聚硅氧烷、聚硅氮烷等杂化树脂(Hybrid Resin)材料，所述平坦层170的厚度为3～4μm，所述平坦层170可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种形成在阵列基板100(钝化层160)的表面。
S122、通过曝光机的光刻工艺和刻蚀机的刻蚀工艺在所述平坦层170和所述钝化层160上形成贯穿平坦层170和所述钝化层16的多个过孔，以使透明电极层通过该过孔与源漏金属层150电连接。所述透明电极层210形成在所述平坦层170的上表面，所述透明电极层210通过所述过孔与所述源漏金属层150接触。形成后的结构如图6所示。
本申请实施例中在对应步骤S200中具体包括：
S201、在平坦层170表面形成透明电极层210；所述透明电极层210的厚度与待形成的第三透明电极203的厚度相同。
S202、在所述透明电极层210形成光刻胶700。
本发明实施例中的光刻胶700材料可以为正性光刻胶700，在经过掩膜版的曝光显影后，可以是曝光区域的光刻胶700层在显影过程中被去除，未曝光区域的光刻胶700在显影过程中被保留。也可以采用一种负性光刻胶700层，即在曝光区域的光刻胶700层在显影过程中被保留，而未曝光区域的光刻胶700在显影过程中被去除。本发明对此不作限制。但是以下实施例，均是以正性光刻胶700为例进行的说明。
所述光刻胶700的材料包括丙二醇单甲醚(PGME)、乙酸-1-甲氧基2-丙基酯、丙二醇甲醚醋酸酯、重氮萘醌、丙二醇一甲醚乙酸酯中的一种或多种，所述光刻胶700的厚度为2.5～5.0μm。在本申请实施例中以3.0μm为例。
S203、如图7所示，利用掩膜版对所述光刻胶700进行曝光、显影形成光刻胶700图案，所述光刻胶700图案包括光刻胶700部分去除的第一区域D1和第二区域D2、光刻胶700全部保留的第三区域D3、光刻胶700全部去除的第四区域D4；所述第一区域D1和所述第二区域D2上光刻胶700的厚度均小于所述第三区域D3上光刻胶700的厚度。形成后的结构如图8所示。
本发明实施例中，对于能够在曝光、显影的过程中，在光刻胶700上形成全保留部分、半保留部分和去除区域的掩膜板，称为半透掩膜板。其中，半透掩膜板包括半色调掩膜(Half Tone Mask，简称HTM)、单缝掩膜板(Single Slit Mask，简称SSM)等。
本申请实施例中，在所述光刻胶700部分去除的第一区域D1和第二区域D2上，所述第一区域D1和所述第二区域D2上光刻胶700的厚度相同，例如，所述光刻胶700的厚度为1.5μm。在光刻胶700全部保留的第三区域D3的区域上，所述光刻胶700的厚度为3.0μm。
S204、通过刻蚀形成电极图案，所述电极图案包括在第一区域D1形成的第一电极块、在第二区域D2形成的第二电极400块以及在第三区域D3上形成的第三电极块213，所述第一电极块、第二电极400块和第三电极块213的厚度相同。
本申请实施例中由于在第一区域D1、第二区域D2、第三区域D3上均有光刻胶700图案，因此，在对应光刻胶700图案的区域，形成电极块，且通过刻蚀形成的电极块的厚度相同。刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。
S205、通过光刻胶700剥离工艺完全去除所述第一区域D1和第二区域D2上的光刻胶700并保留部分厚度所述第三区域D3上的光刻胶700。
本申请实施例中所述光刻胶700剥离工艺可以为激光切割或者激光灰化工艺，在对光刻胶700图案进行灰化后，通过控制灰化能量，可以使得第一区域D1和第二区域D2上较薄的光刻胶700被完全剥离，而第三区域D3上的光刻胶700还可以保留部分厚度。例如，采用激光灰化工艺对光刻胶700图案进行扫描，激光类型可以采用二氧化碳激光，能量密度：190mJ/cm2～280mJ/cm2，在经过灰化后，第三区域D3上的光刻胶700的厚度为1.5μm。可以理解的是，根据光刻胶700的厚度不同，激光灰化的能量可以不同，本申请对此并不限制。形成后的结构如图9所示。
S206、通过刻蚀对所述电极图案进行减薄，在所述第一电极块上形成预设厚度的第一透明电极201以及在所述第二电极400块上形成预设厚度的第二透明电极202。所述第一透明电极201的厚度与所述第二透明电极202的厚度相同。
在本步骤中继续对步骤S204中上形成的电极图案进行刻蚀，由于第一区域D1和第二区域D2上的未存在光刻胶700，而第三区域D3上仍然保留一定厚度的光刻胶700，因此，在刻蚀时间等工艺控制下，第一区域D1和第二区域D2上的部分电极块继续被刻蚀，并减薄到预设厚度，而第三区域D3上的第三电极块213的厚度不变，即第三透明电极203的厚度。形成后的结构如图10所示。
S207、通过光刻胶700剥离工艺完全去除所述第三区域D3上的光刻胶700，形成所述第三透明电极203。本申请实施例中，光刻胶700剥离工艺可以选择灰化工艺。形成后的结构如图11所示。
本申请实施例中步骤S300中，所述在所述透明电极层210的表面形成发光层300和第二电极400，方法包括：
S310、在所述平坦层170上形成像素界定层500，并图案化形成界定所述子像素的开口；所述开口在所述阵列基板100上的正投影位于所述第一电极200在所述阵列基板100上的正投影范围内。
S320、在所述开口内形成发光层300。
示例性地，所述子像素为OLED器件，所述子像素的制备工艺与现有OLED结构相同。可选的，此结构中HIL(Hole Inject Layer；空穴注入层)、HTL(Hole Transport Layer；空穴传输层)、HBL(Hole Blocking Layer；空穴阻挡层)、ETL(Electron Transport Layer；电子传输层)、EIL(Electron Inject Layer；电子注入层)、CPL(Capping Layer；光提取层)层为公共层，B Prime(缓冲层180)、EML(Emitting Layer；发光层)、G Prime、GEML、R Prime、REML层为非公共层。这些膜层均与现有技术中的相同，在此不做详述。
本申请中子像素的第一电极200和第二电极400，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从第二电极400和第一电极200注入到电子注入层和空穴注入层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层300，并在发光层300中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
S330、在所述像素界定层500的表面形成所述第二电极400。
所述第二电极400可以为不透光金属，所述第二电极400的材料包括但不限于钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或多种。所述第二电极400的厚度为形成后的结构如图2中所示。
本申请还提供了一种显示装置，包括如以上所述的显示面板。该显示装置可以是电视，也可以是PC、智能手机、平板电脑、电子书阅读器、MP3(Moving Picture ExpertsGroup Audio Layer III，动态影像专家压缩标准音频层面)播放器、MP4(Moving PictureExperts Group Audio Layer IV，动态影像专家压缩标准音频层面)播放器、便携计算机等具有显示功能的显示显示终端设备。
需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
除非另有定义，本文中所使用的技术和科学术语与本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中使用的术语只是为了描述具体的实施目的，不是旨在限制本发明。本文中出现的诸如“设置”等术语既可以表示一个部件直接附接至另一个部件，也可以表示一个部件通过中间件附接至另一个部件。本文中在一个实施方式中描述的特征可以单独地或与其它特征结合地应用于另一个实施方式，除非该特征在该另一个实施方式中不适用或是另有说明。
本发明已经通过上述实施方式进行了说明，但应当理解的是，上述实施方式只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施方式范围内。本领域技术人员可以理解的是，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板；
在所述阵列基板上阵列设置多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素，每一所述子像素均包括层叠设置的第一电极、发光层、第二电极，
所述第一电极为透明电极，不同所述子像素对应的所述第一电极的厚度不同，且不同厚度的所述第一电极在同一道工序中制备而成。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一电极包括对应所述第一子像素的第一透明电极、对应所述第二子像素的第二透明电极、对应所述第三子像素的第三透明电极，所述第一透明电极和所述第二透明电极的厚度均小于所述第三透明电极的厚度。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一透明电极的厚度与所述第二透明电极的厚度相同。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素为红色子像素，所述第一透明电极的厚度为700～800埃；所述第二子像素为绿色子像素，所述第二透明电极的厚度为1000～1200埃；所述第三子像素为蓝色子像素，所述第三透明电极的厚度为1000～1200埃。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板以及在所述衬底基板上阵列设置的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括层叠设置的有源层、栅绝缘层、栅金属层、源漏金属层、钝化层；
设置在所述阵列基板表面的彩膜层，所述彩膜层包括阵列设置的多个滤光块，所述滤光块在所述阵列基板上的正投影与所述子像素在所述阵列基板上的正投影至少部分重叠，所述滤光块包括对应第一子像素的第一滤光块、对应第二子像素的第二滤光块、对应第三子像素的第三滤光块。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，还包括：
设置在所述阵列基板上的平坦层，所述平坦层覆盖在多个所述滤光块上，所述平坦层在远离所述阵列基板一侧的上表面平齐；
所述平坦层上设置有贯穿所述平坦层的多个过孔，所述透明电极层形成在所述平坦层的上表面，所述透明电极层通过所述过孔与所述源漏金属层接触。
7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供阵列基板；
在所述阵列基板的表面形成阵列设置的多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素，每一所述子像素均包括层叠设置的第一电极、发光层、第二电极，所述第一电极为透明电极，不同所述子像素对应的所述第一电极的厚度不同。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一电极包括对应第一子像素的第一透明电极、对应第二子像素的第二透明电极、对应第三子像素的第三透明电极；
在所述阵列基板的表面形成阵列设置的多个像素单元，方法包括：
在所述阵列基板上形成透明电极层；
在所述透明电极层形成光刻胶；
利用掩膜版对所述光刻胶进行曝光、显影形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括光刻胶部分去除的第一区域和第二区域、光刻胶全部保留的第三区域、光刻胶全部去除的第四区域；所述第一区域和所述第二区域上光刻胶的厚度均小于所述第三区域上光刻胶的厚度；
通过刻蚀形成电极图案，所述电极图案包括在第一区域形成的第一电极块、在第二区域形成的第二电极块以及在第三区域上形成的第三电极块，所述第一电极块、第二电极块和第三电极块的厚度相同。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述透明电极层的厚度与所述第三透明电极的厚度相同，所述第一透明电极的厚度与所述第二透明电极的厚度相同，所述方法还包括：
通过光刻胶剥离工艺完全去除所述第一区域和第二区域上的光刻胶并保留部分厚度所述第三区域上的光刻胶；
通过刻蚀对所述电极图案进行减薄，在所述第一电极块上形成预设厚度的第一透明电极以及在所述第二电极块上形成预设厚度的第二透明电极；
通过光刻胶剥离工艺完全去除所述第三区域上的光刻胶，形成所述第三透明电极。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6所述的显示面板或者采用如权利要求7-9任一所述方法制备而成的显示面板。
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- 2023-05-24 CN CN202310609763.5A patent/CN116507178A/zh active Pending
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