CN116507161A - 一种阵列基板，其驱动方法、制备方法及显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 41
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 101100069049 Caenorhabditis elegans goa-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/128—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two independent displays, e.g. for emitting information from two major sides of the display
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种阵列基板，其驱动方法、制备方法及显示装置，在一个子像素中设置有顶发射发光区和透明发光区，并且通过在像素电路中设置发光控制切换模块，可以在一个子像素中分别驱动顶发射发光区中的顶发射发光器件和透明发光区中的透明显示发光器件。从而可以在阵列基板中采用顶发射显示以实现较好的场景显示；采用透明显示以实现双面显示并且降低功耗；同时采用顶发射显示和透明显示从而在保障发光亮度的同时扩大发光面积，进而提升发光器件的寿命。
Description
本申请是分案申请，原申请的申请号是202010401647.0，原申请日是2020年5月13日，原申请的名称是《一种阵列基板，其驱动方法、制备方法及显示装置》，原申请的全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板，其驱动方法、制备方法及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)、量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)等电致发光二极管具有自发光、低能耗等优点，是当今电致发光显示装置应用研究领域的热点之一。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板，其驱动方法、制备方法及显示装置，可以实现顶发射显示和透明显示。
因此，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括阵列排布的多个子像素；所述子像素包括像素电路、第一有机发光器件和第二有机发光器件；
所述像素电路包括发光控制切换模块；所述发光控制切换模块分别与所述第一有机发光器件和所述第二有机发光器件电连接；
所述阵列基板还包括多条第一发光控制信号线和多条第二发光控制信号线；所述发光控制切换模块包括第一发光控制模块和第二发光控制模块；
所述第一发光控制模块被配置为根据所述第一发光控制信号线的信号，驱动所述第一有机发光器件发光；
所述第二发光控制模块被配置为根据所述第二发光控制信号线的信号，驱动所述第二有机发光器件发光；
所述阵列基板中还包括第一驱动电路和第二驱动电路，所述第一驱动电路和所述第二驱动电路分别设置于所述阵列排布的多个子像素的两侧；
所述第一驱动电路与所述多条第一发光控制信号线电连接，用于对所述多条第一发光控制信号线加载信号；
所述第二驱动电路与所述多条第二发光控制信号线电连接，用于对所述多条第二发光控制信号线加载信号；
所述像素电路还包括：驱动晶体管、第一数据写入晶体管、第二数据写入晶体管、复位晶体管、阳极复位晶体管和存储电容；其中：
所述第一数据写入晶体管的第一端与数据信号端电连接，所述第一数据写入晶体管的控制端与扫描信号端电连接，所述第一数据写入晶体管的第二端与所述驱动晶体管的第一极电连接；
所述第二数据写入晶体管的第一端与所述驱动晶体管的栅极电连接，所述第二数据写入晶体管的控制端与所述扫描信号端电连接，所述第二数据写入晶体管的第二端与所述驱动晶体管的第二极电连接；
所述复位晶体管的第一端与初始化信号端电连接，所述复位晶体管的控制端与复位信号端电连接，所述复位晶体管的第二端与所述驱动晶体管的栅极电连接；
所述阳极复位晶体管的控制端与所述扫描信号端电连接，所述阳极复位晶体管的第二端与所述第一有机发光器件的阳极层电连接；
所述存储电容的第一端与第一电源端电连接，所述存储电容的第二端与所述驱动晶体管的栅极电连接；
所述第一发光控制模块包括第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管，所述第二发光控制模块包括第三发光控制晶体管和第四发光控制晶体管；其中：
所述第一发光控制晶体管的第一端与所述第一电源端电连接，所述第一发光控制晶体管的控制端与所述第一发光控制信号线电连接，所述第一发光控制晶体管的第二端与所述驱动晶体管的第一极电连接；
所述第二发光控制晶体管的第一端与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第二发光控制晶体管的控制端与所述第一发光控制信号线电连接，所述第二发光控制晶体管的第二端与所述第一有机发光器件的阳极层电连接；
所述第三发光控制晶体管的第一端与所述第一电源端电连接，所述第三发光控制晶体管的控制端与所述第二发光控制信号线电连接，所述第三发光控制晶体管的第二端与所述驱动晶体管的第一极电连接；
所述第四发光控制晶体管的第一端与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第四发光控制晶体管的控制端与所述第二发光控制信号线电连接，所述第四发光控制晶体管的第二端与所述第二有机发光器件的阳极层电连接。
可选地，所述子像素具有顶发射发光区和透明发光区，所述顶发射发光区包括所述像素电路和顶发射发光器件；所述透明发光区包括透明显示发光器件；所述发光控制切换模块分别与所述顶发射发光器件和所述透明显示发光器件连接；
所述发光控制切换模块用于在第一显示模式，驱动所述顶发射发光器件和所述透明显示发光器件发光，在第二显示模式，驱动所述顶发射发光器件发光，在第三显示模式，驱动所述透明显示发光器件发光。
可选地，所述像素电路设置在所述衬底基板与所述第一有机发光器件之间。
可选地，所述像素电路设置在所述衬底基板与所述顶发射发光器件之间。
可选地，所述多条第一发光控制信号线和所述多条第二发光控制信号线相互平行。
可选地，所述顶发射发光器件和所述透明显示发光器件包括阳极层、发光层和阴极层；其中，所述顶发射发光器件的阳极层包括：第一透明电极层、金属层、第二透明电极层；所述透明显示发光器件的阳极层包括第三透明电极层。
可选地，所述第一透明电极层和第三透明电极层的材料包括多晶氧化铟锡；所述金属层的材料包括银；所述第二透明电极层的材料包括非晶氧化铟锡。
相应地，本发明实施例还提供了一种上述任一种阵列基板的驱动方法，包括：
第一显示模式，依次对每行子像素中的第一发光控制信号线和第二发光控制信号线加载相同的信号，使驱动晶体管的第二极与第一有机发光器件和第二有机发光器件导通，驱动所述第一有机发光器件和所述第二有机发光器件发光；
第二显示模式，对第二发光控制信号线加载截止信号，依次对每行子像素中的第一发光控制信号线加载导通信号，使驱动晶体管的第二极与所述第一有机发光器件导通，驱动所述第一有机发光器件发光；
第三显示模式，对第一发光控制信号线加载截止信号，依次对每行子像素中的第二发光控制信号线加载导通信号，使驱动晶体管的第二极与所述第二有机发光器件，驱动所述第二有机发光器件发光。
相应地，本发明实施例还提供了一种上述任一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括衬底基板，包括：
在衬底基板上形成像素电路；
在所述像素电路背离所述衬底基板一侧形成第一有机发光器件和第二有机发光器件。
可选地，所述子像素具有顶发射发光区和透明发光区，所述顶发射发光区包括所述像素电路和顶发射发光器件；所述透明发光区包括透明显示发光器件；所述在所述像素电路背离所述衬底基板一侧形成第一有机发光器件和第二有机发光器件，包括：
采用一次构图工艺形成顶发射发光器件的阳极层和透明显示发光器件的阳极层；
采用一次构图工艺在所述阳极层背离所述衬底基板一侧形成发光层；
在所述发光层背离所述衬底基板一侧形成阴极层。
可选地，所述采用一次构图工艺形成顶发射发光器件的阳极层和透明显示发光器件的阳极层，具体包括：
沿所述像素电路背离所述衬底基板的方向，依次形成多晶氧化铟锡层、银层、非晶氧化铟锡层；
在衬底基板上形成覆盖所述衬底基板的光刻胶；
采用半色调掩膜版对所述光刻胶进行曝光后显影，使所述顶发射发光区具有第一厚度的光刻胶以及使所述透明发光区具有第二厚度的光刻胶；其中，所述第一厚度大于所述第二厚度；
对所述衬底基板进行刻蚀，保留所述顶发射发光区和所述透明发光区中的多晶氧化铟锡层、银层、非晶氧化铟锡层；
对所述顶发射发光区和所述透明发光区中的光刻胶进行处理，去除所述透明发光区中的光刻胶，并减薄所述顶发射发光区中的光刻胶；
采用第一刻蚀液对所述衬底基板进行刻蚀，去除所述透明发光区中的非晶氧化铟锡层和银层，保留所述透明发光区中的多晶氧化铟锡层以及保留所述顶发射发光区中的多晶氧化铟锡层、银层、非晶氧化铟锡层；
去除所述顶发射发光区中的光刻胶。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一种阵列基板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的一种阵列基板，其驱动方法、制备方法及显示装置，在一个子像素中设置有顶发射发光区和透明发光区，并且通过在像素电路中设置发光控制切换模块，可以在一个子像素中分别驱动顶发射发光区中的顶发射发光器件和透明发光区中的透明显示发光器件。从而可以在阵列基板中采用顶发射显示以实现较好的场景显示；采用透明显示以实现双面显示并且降低功耗；同时采用顶发射显示和透明显示从而在保障发光亮度的同时扩大发光面积，进而提升发光器件的寿命。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板中子像素的俯视图；
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板中子像素的剖视图；
图4为本发明实施例提供的一种像素电路的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的又一种阵列基板的示意图；
图6为本发明实施例提供的顶发射发光器件和透明显示发光器件的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种信号时序图；
图8为本发明实施例提供的又一种信号时序图；
图9为本发明实施例提供的又一种信号时序图；
图10为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法的部分流程图；
图11a为本发明实施例提供的一种制备中的阵列基板的示意图；
图11b为本发明实施例提供的又一种制备中的阵列基板的示意图；
图11c为本发明实施例提供的又一种制备中的阵列基板的示意图；
图11d为本发明实施例提供的又一种制备中的阵列基板的示意图；
图11e为本发明实施例提供的又一种制备中的阵列基板的示意图；
图11f为本发明实施例提供的又一种制备中的阵列基板的示意图；
图11g为本发明实施例提供的又一种制备中的阵列基板的示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“电连接”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
本发明实施例提供的一种阵列基板，如图1-4所示，包括：衬底基板10，阵列排布的多个子像素P；子像素P具有顶发射发光区A和透明发光区B，顶发射发光区A可以包括像素电路100和顶发射发光器件AL；透明发光区B可以包括透明显示发光器件BL；
像素电路100可以包括发光控制切换模块110；发光控制切换模块110分别与顶发射发光器件AL和透明显示发光器件BL电连接；
发光控制切换模块110用于在第一显示模式，驱动顶发射发光器件AL和透明显示发光器件BL发光，在第二显示模式，驱动顶发射发光器件AL发光，在第三显示模式，驱动透明显示发光器件BL发光。
本发明实施例提供的阵列基板，在一个子像素P中设置有顶发射发光区A和透明发光区B，并且通过在像素电路100中设置发光控制切换模块110，可以在一个子像素P中分别驱动顶发射发光区A中的顶发射发光器件AL和透明发光区B中的透明显示发光器件BL。从而可以在阵列基板中采用顶发射显示以实现较好的场景显示；采用透明显示以实现双面显示并且降低功耗；同时采用顶发射显示和透明显示从而在保障发光亮度的同时扩大发光面积，进而提升发光器件的寿命。
在具体实施时，为了在子像素P中的透明发光区B实现双面显示，需要将不透明的像素电路100设置在顶发射发光区A，具体地，如图2与图3所示，可以将像素电路100设置在衬底基板10与顶发射发光器件AL之间。
在具体实施时，顶发射发光器件AL和透明显示发光器件BL可以均为有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)，在此不作限定。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图4与图5所示，阵列基板还可以包括多条第一发光控制信号线EM1和多条第二发光控制信号线EM2；发光控制切换模块110可以包括第一发光控制模块111和第二发光控制模块112；
第一发光控制模块111被配置为根据第一发光控制信号线EM1的信号，驱动顶发射发光器件AL发光；
第二发光控制模块112被配置为根据第二发光控制信号线EM2的信号，驱动透明显示发光器件BL发光。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图4所示，像素电路100还可以包括：驱动晶体管DTFT、第一数据写入晶体管D1、第二数据写入晶体管D2、复位晶体管R、阳极复位晶体管LR和存储电容Cst；其中：第一数据写入晶体管D1的第一端与数据信号端Data电连接，第一数据写入晶体管D1的控制端与扫描信号端Gate电连接，第一数据写入晶体管D1的第二端与驱动晶体管DTFT的第一极电连接；第二数据写入晶体管D2的第一端与驱动晶体管DTFT的栅极电连接，第二数据写入晶体管D2的控制端与扫描信号端Gate电连接，第二数据写入晶体管D2的第二端与驱动晶体管DTFT的第二极电连接；复位晶体管R的第一端与初始化信号端Vinit电连接，复位晶体管R的控制端与复位信号端电连接，复位晶体管R的第二端与驱动晶体管DTFT的栅极电连接；阳极复位晶体管LR的第一端与初始化信号端Vinit电连接，阳极复位晶体管LR的控制端与扫描信号端Gate电连接，阳极复位晶体管LR的第二端与顶发射发光器件AL的阳极层电连接；存储电容Cst的第一端与第一电源端ELVDD电连接，存储电容Cst的第二端与驱动晶体管DTFT的栅极电连接。当然，在具体实施时，对于像素电路100中除发光控制切换模块110之外的其他必须的组成部分不限于本发明实施例提供的上述结构，也可以与现有技术中相同，在此不作限定。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图4所示，第一发光控制模块111可以包括第一发光控制晶体管E1和第二发光控制晶体管E2，第二发光控制模块112可以包括第三发光控制晶体管E3和第四发光控制晶体管E4；其中：
第一发光控制晶体管E1的第一端与第一电源端ELVDD电连接，第一发光控制晶体管E1的控制端与第一发光控制信号线EM1电连接，第一发光控制晶体管E1的第二端与驱动晶体管DTFT的第一极电连接；
第二发光控制晶体管E2的第一端与驱动晶体管DTFT的第二极电连接，第二发光控制晶体管E2的控制端与第一发光控制信号线EM1电连接，第二发光控制晶体管E2的第二端与顶发射发光器件AL的阳极层电连接；
第三发光控制晶体管E3的第一端与第一电源端ELVDD电连接，第三发光控制晶体管E3的控制端与第二发光控制信号线EM2电连接，第三发光控制晶体管E3的第二端与驱动晶体管DTFT的第一极电连接；
第四发光控制晶体管E4的第一端与驱动晶体管DTFT的第二极电连接，第四发光控制晶体管E4的控制端与第二发光控制信号线EM2电连接，第四发光控制晶体管E4的第二端与透明显示发光器件BL的阳极层电连接。
在具体实施时，第一发光控制晶体管E1和第二发光控制晶体管E2均受第一发光控制信号线EM1的信号控制，当第一发光控制晶体管E1和第二发光控制晶体管E2导通时，导通的第一发光控制晶体管E1将第一电源端ELVDD的信号提供给驱动晶体管DTFT的第一极，导通的第二发光控制晶体管E2将驱动晶体管DTFT的第二极的信号提供给顶发射发光器件AL，从而驱动顶发射发光器件AL发光。第三发光控制晶体管E3和第四发光控制晶体管E4均受第二发光控制信号线EM2的信号控制，当第三发光控制晶体管E3和第四发光控制晶体管E4导通时，导通的第三发光控制晶体管E3将第一电源端ELVDD的信号提供给驱动晶体管DTFT的第一极，导通的第四发光控制晶体管E4将驱动晶体管DTFT的第二极的信号提供给透明显示发光器件BL，从而驱动透明显示发光器件BL发光。
具体地，为了制作工艺统一，本发明实施例提供的阵列基板中，如图4所示，所有晶体管可以均为P型晶体管。当然，所有晶体管也可以均为N型晶体管，在此不作限定。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，P型晶体管在低电平信号作用下导通，在高电平信号作用下截止；N型晶体管在高电平信号作用下导通，在低电平信号作用下截止。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，上述各晶体管可以是薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)，也可以是金属氧化物半导体场效应管(MOS，Metal OxideScmiconductor)，在此不作限定。并且根据上述各晶体管的类型不同以及各晶体管的栅极的信号的不同，将各晶体管的控制端作为栅极，并可以将上述开关晶体管的第一端作为源极，第二端作为漏极，或者将开关晶体管的第一端作为漏极，第二端作为源极，在此不作具体区分。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图5所示，阵列基板中还可以包括第一驱动电路GOA1和第二驱动电路GOA2，第一驱动电路GOA1和第二驱动电路GOA2分别设置于阵列排布的多个子像素P的两侧；
第一驱动电路GOA1与多条第一发光控制信号线EM1电连接，用于对多条第一发光控制信号线EM1加载信号；
第二驱动电路GOA2与多条第二发光控制信号线EM2电连接，用于对多条第二发光控制信号线EM2加载信号。
通过在阵列排布的多个子像素P的两侧设置两个驱动电路分别对第一发光控制信号线EM1和第二发光控制信号线EM2加载信号，从而可以避免将驱动电路设置于同一侧，减少由于设置第一驱动电路和第二驱动电路对实现窄边框造成的不利影响。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图6所示，顶发射发光器件AL可以包括阳极层AL-10、发光层AL-20和阴极层AL-30。其中，顶发射发光器件AL的阳极层AL-10包括：第一透明电极层AL-11、金属层AL-12、第二透明电极层AL-13。示例性地，顶发射发光器件AL和透明显示发光器件BL的阴极层通常均采用透明导电材料。顶发射发光器件AL的阳极层AL-10采用两层透明电极层中夹一层金属层，通过金属层将发光层AL-20发出的光反射，使顶发射发光器件AL仅从阴极层AL-30出光，实现顶发射显示。示例性地，第一透明电极层AL-11的材料可以包括多晶氧化铟锡，金属层AL-12的材料可以包括银，第二透明电极层AL-13的材料可以包括非晶氧化铟锡。当然，各透明电极层和金属层的材料也可以为本领域技术人员所知的其他材料，在此不作限定。发光层可以为有机发光层，具体地，可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层，当然，发光层也可以是本领域技术人员所知的其他结构，在此不做限定。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图6所示，透明显示发光器件BL也以包括阳极层BL-10、发光层BL-20和阴极层BL-30；透明显示发光器件BL的阳极层包括第三透明电极层BL-11。透明显示发光器件BL的阳极层BL-10和阴极层BL-30可以采用透明导电材料，从而可以使透明显示发光器件BL既从阴极层BL-30出光也从阳极层BL-10出光，以实现双面显示。示例性地，第三透明电极层BL-11的材料可以包括多晶氧化铟锡。当然，也可以为本领域技术人员所知的其他材料，在此不作限定。发光层可以为有机发光层，具体地，可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层，当然，发光层也可以是本领域技术人员所知的其他结构，在此不做限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种上述任一种阵列基板的驱动方法，包括：
第一显示模式，依次对每行子像素P中的第一发光控制信号线EM1和第二发光控制信号线EM2加载相同的信号，使驱动晶体管DTFT的第二极与顶发射发光器件AL和透明显示发光器件BL导通，驱动顶发射发光器件和透明显示发光器件发光；
第二显示模式，对第二发光控制信号线EM2加载截止信号，依次对每行子像素P中的第一发光控制信号线EM1加载导通信号，使驱动晶体管DTFT的第二极与顶发射发光器件AL导通，驱动顶发射发光器件发光；
第三显示模式，对第一发光控制信号线EM1加载截止信号，依次对每行子像素P中的第二发光控制信号线EM2加载导通信号，使驱动晶体管DTFT的第二极与透明显示发光器件BL，驱动透明显示发光器件发光。
其中，阵列基板处于第二显示模式时，即阵列基板采用顶发射显示；阵列基板处于第三显示模式时，即阵列基板采用透明显示；阵列基板处于第一显示模式时，即阵列基板同时采用顶发射显示和透明显示。
下面结合具体实施例，对本发明进行详细说明。需要说明的是，本实施例中是为了更好的解释本发明，但不限制本发明。
下面结合电路时序图对本发明实施例提供的阵列基板的工作过程作以描述。下述描述中以1表示高电平，0表示低电平。需要说明的是，1和0是逻辑电平，其仅是为了更好的解释本发明实施例的具体工作过程，而不是具体的电压值。
实施例一、
下面以图4所示的像素电路100为例，结合图7所示的信号时序图对本发明实施例提供的上述阵列基板在第一显示模式的工作过程作以描述。具体地，选取如图7所示的信号时序图中的第一阶段t1、第二阶段t2、第三阶段t3共三个阶段进行说明。
在第一阶段t1，EM1＝1，Reset＝0，Gate＝1，EM2＝1。
由于EM1＝1，第一发光控制晶体管E1和第二发光控制晶体管E2截止，则顶发射发光器件AL不发光。由于EM2＝1，第三发光控制晶体管E3和第四发光控制晶体管E4截止，则透明显示发光器件BL不发光。由于Reset＝0，复位晶体管R导通，导通的复位晶体管R将初始化信号端Vinit的信号提供给驱动晶体管DTFT的栅极以对驱动晶体管DTFT的栅极进行复位。由于Gate＝1，第一数据写入晶体管D1、第二数据写入晶体管D2和阳极复位晶体管LR均截止。
在第二阶段t2，EM1＝1，Reset＝1，Gate＝0，EM2＝1。
由于EM1＝1，第一发光控制晶体管E1和第二发光控制晶体管E2截止，则顶发射发光器件AL不发光。由于EM2＝1，第三发光控制晶体管E3和第四发光控制晶体管E4截止，则透明显示发光器件BL不发光。由于Reset＝1，复位晶体管R截止。由于Gate＝0，第一数据写入晶体管D1、第二数据写入晶体管D2和阳极复位晶体管LR均导通，导通的第一数据写入晶体管D1将数据信号端Data的信号写入驱动晶体管DTFT的第一极；第二数据写入晶体管D2将驱动晶体管DTFT的第二极与栅极导通，使驱动晶体管DTFT形成二极管结构，以将数据信号端Data的信号和驱动晶体管DTFT的阈值电压写入驱动晶体管DTFT的栅极；导通的阳极复位晶体管LR将初始化信号端Vinit的信号提供给顶发射发光器件AL的阳极，以对其进行复位。
在第三阶段t3，EM1＝0，Reset＝1，Gate＝1，EM2＝0。
由于EM1＝0，第一发光控制晶体管E1和第二发光控制晶体管E2导通。由于EM2＝0，第三发光控制晶体管E3和第四发光控制晶体管E4导通。由于Reset＝1，复位晶体管R截止。由于Gate＝1，第一数据写入晶体管D1、第二数据写入晶体管D2和阳极复位晶体管LR均截止。导通的第一发光控制晶体管E1和第三发光控制晶体管E3将第一电源端ELVDD的信号提供给驱动晶体管DTFT的第一极，使驱动晶体管DTFT在其栅极的信号和第一极的信号的控制下产生驱动电流。导通的第三发光控制晶体管E3将驱动晶体管DTFT的第二极与顶发射发光器件AL的阳极导通，以使顶发射发光器件AL发光。导通的第四发光控制晶体管E4将驱动晶体管DTFT的第二极与透明发光器件的阳极导通，以使透明发光器件发光。
实施例二、
下面以图4所示的像素电路100为例，结合图8所示的信号时序图对本发明实施例提供的上述阵列基板在第二显示模式的工作过程作以描述。下面仅说明本实施例与实施例一的区别之处，其相同之处在此不做赘述。
在第一阶段t1至第三阶段t3，EM2＝1，则第三发光控制晶体管E3和第四发光控制晶体管E4保持截止，透明发光器件不发光。
实施例三、
下面以图4所示的像素电路100为例，结合图9所示的信号时序图对本发明实施例提供的上述阵列基板在第三显示模式的工作过程作以描述。下面仅说明本实施例与实施例一的区别之处，其相同之处在此不做赘述。
在第一阶段t1至第三阶段t3，EM1＝1，则第一发光控制晶体管E1和第二发光控制晶体管E2保持截止，顶发射发光器件AL不发光。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种上述任一种阵列基板的制备方法，包括：
S100、在衬底基板上形成像素电路；
S200、在像素电路背离衬底基板一侧形成顶发射发光器件和透明显示发光器件。
在具体实施时，在衬底基板上形成像素电路的具体方法可以与现有技术中相同，在此不做赘述。
在具体实施时，在本发明实施例中，在像素电路背离衬底基板一侧形成顶发射发光器件和透明显示发光器件，包括：
S210、采用一次构图工艺形成顶发射发光器件的阳极层和透明显示发光器件的阳极层；
S220、采用一次构图工艺在阳极层背离衬底基板一侧形成发光层；
S230、在发光层背离衬底基板一侧形成阴极层。
在具体实施时，在本发明实施例中，采用一次构图工艺形成顶发射发光器件的阳极层和透明显示发光器件的阳极层，如图10、图11a至图11g所示，具体包括：
S211、沿像素电路100背离衬底基板10的方向，依次形成多晶氧化铟锡层31、银层32、非晶氧化铟锡层33；如图11a所示。
S212、在衬底基板10上形成覆盖衬底基板10的光刻胶34；如图11b所示。
S213、采用半色调掩膜版对光刻胶34进行曝光后显影，使顶发射发光区A具有第一厚度的光刻胶34以及使透明发光区B具有第二厚度的光刻胶34；如图11c所示。
S214、对衬底基板10进行刻蚀，保留顶发射发光区A和透明发光区B中的多晶氧化铟锡层31、银层32、非晶氧化铟锡层33；如图11d所示。
S215、对顶发射发光区A和透明发光区B中的光刻胶34进行处理，去除透明发光区B中的光刻胶34，并减薄顶发射发光区A中的光刻胶34；如图11e所示。例如，可以采用灰化工艺，去除透明发光区B中的光刻胶34，并减薄顶发射发光区A中的光刻胶34。
S216、采用第一刻蚀液对衬底基板10进行刻蚀，去除透明发光区B中的非晶氧化铟锡层33和银层32，保留透明发光区B中的多晶氧化铟锡层31以及保留顶发射发光区A中的多晶氧化铟锡层31、银层32、非晶氧化铟锡层33；如图11f所示。
S217、去除顶发射发光区A中的光刻胶34；如图11g所示。
在具体实施时，沿像素电路100背离衬底基板10的方向，依次形成多晶氧化铟锡层31、银层32、非晶氧化铟锡层33，并在衬底基板10上形成覆盖衬底基板10的光刻胶34的具体方法可以与现有技术中基本相同，在此不做赘述。
在具体实施时，如图11c所示，步骤S213中第一厚度可以大于第二厚度。半色调掩膜版通常具有不透光区、半透光区和完全透光区，在步骤S213中，对于顶发射发光区A中的光刻胶34，可以采用不透光区进行曝光，对于透明发光区B中的光刻胶34，可以采用透光度较低的半透光区进行曝光，从而在显影后可以使顶发射发光区A保留的光刻胶厚度大于透明发光区B保留的光刻胶厚度。当然，在具体实施时，使第一厚度大于第二厚度的方法也可以是本领域技术人员所知的其它方法，在此不作限定。对于除顶发射发光区A和透明发光区B之外的区域，例如顶发射发光区A和透明发光区B之间的间隔区域C，可以采用完全透光区对间隔区域C中的光刻胶34进行曝光，从而在显影时可以将间隔区域C中的光刻胶34完全去除。
在具体实施时，在步骤S214中，可以采用刻蚀液对衬底基板10进行刻蚀，顶发射发光区A和透明发光区B中由于仍保留有光刻胶34，则顶发射发光区A和透明发光区B中多晶氧化铟锡层31、银层32、非晶氧化铟锡层33不会直接与刻蚀液接触。而对于除顶发射发光区A和透明发光区B之外的区域，其中的光刻胶34在步骤S213中被去除，则其中的多晶氧化铟锡层31、银层32、非晶氧化铟锡层33会被刻蚀掉。例如，如图11d所示，间隔区域C中的多晶氧化铟锡层31、银层32、非晶氧化铟锡层33被刻蚀掉。
在具体实施时，在步骤S215中，可以采用灰化工艺对光刻胶34进行处理，从而可以如图11e所示去除透明发光区B中的光刻胶34，并减薄顶发射发光区A中的光刻胶34。
在具体实施时，在步骤S216中，采用的第一刻蚀液仅会将银层32和非晶氧化铟锡层33刻蚀掉，对多晶氧化铟锡层31无刻蚀作用。由于透明发光区B中的光刻胶34在步骤S215中被去除，而顶发射发光区A中仍保留有光刻胶34，则仅透明发光区B中的银层32和非晶氧化铟锡层33被刻蚀掉。
在具体实施时，在步骤S217，即去除顶发射发光区A中的光刻胶33之后，继续在顶发射发光区A和透明发光区B分别形成顶发射发光器件AL和透明显示发光器件BL的发光层、阴极层，其具体制备方法可以与现有技术中基本相同，在此不做赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述任一种阵列基板。该显示装置的实施可以参见上述阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。
在具体实施时，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
本发明实施例提供的一种阵列基板，其驱动方法、制备方法及显示装置，在一个子像素中设置有顶发射发光区和透明发光区，并且通过在像素电路中设置发光控制切换模块，可以在一个子像素中分别驱动顶发射发光区中的顶发射发光器件和透明发光区中的透明显示发光器件。从而可以在阵列基板中采用顶发射显示以实现较好的场景显示；采用透明显示以实现双面显示并且降低功耗；同时采用顶发射显示和透明显示从而在保障发光亮度的同时扩大发光面积，进而提升发光器件的寿命。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (12)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括阵列排布的多个子像素；所述子像素包括像素电路、第一有机发光器件和第二有机发光器件；
所述像素电路包括发光控制切换模块；所述发光控制切换模块分别与所述第一有机发光器件和所述第二有机发光器件电连接；
所述阵列基板还包括多条第一发光控制信号线和多条第二发光控制信号线；所述发光控制切换模块包括第一发光控制模块和第二发光控制模块；
所述第一发光控制模块被配置为根据所述第一发光控制信号线的信号，驱动所述第一有机发光器件发光；
所述第二发光控制模块被配置为根据所述第二发光控制信号线的信号，驱动所述第二有机发光器件发光；
所述阵列基板中还包括第一驱动电路和第二驱动电路，所述第一驱动电路和所述第二驱动电路分别设置于所述阵列排布的多个子像素的两侧；
所述第一驱动电路与所述多条第一发光控制信号线电连接，用于对所述多条第一发光控制信号线加载信号；
所述第二驱动电路与所述多条第二发光控制信号线电连接，用于对所述多条第二发光控制信号线加载信号；
所述像素电路还包括：驱动晶体管、第一数据写入晶体管、第二数据写入晶体管、复位晶体管、阳极复位晶体管和存储电容；其中：
所述第一数据写入晶体管的第一端与数据信号端电连接，所述第一数据写入晶体管的控制端与扫描信号端电连接，所述第一数据写入晶体管的第二端与所述驱动晶体管的第一极电连接；
所述第二数据写入晶体管的第一端与所述驱动晶体管的栅极电连接，所述第二数据写入晶体管的控制端与所述扫描信号端电连接，所述第二数据写入晶体管的第二端与所述驱动晶体管的第二极电连接；
所述复位晶体管的第一端与初始化信号端电连接，所述复位晶体管的控制端与复位信号端电连接，所述复位晶体管的第二端与所述驱动晶体管的栅极电连接；
所述阳极复位晶体管的控制端与所述扫描信号端电连接，所述阳极复位晶体管的第二端与所述第一有机发光器件的阳极层电连接；
所述存储电容的第一端与第一电源端电连接，所述存储电容的第二端与所述驱动晶体管的栅极电连接；
所述第一发光控制模块包括第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管，所述第二发光控制模块包括第三发光控制晶体管和第四发光控制晶体管；其中：
所述第一发光控制晶体管的第一端与所述第一电源端电连接，所述第一发光控制晶体管的控制端与所述第一发光控制信号线电连接，所述第一发光控制晶体管的第二端与所述驱动晶体管的第一极电连接；
所述第二发光控制晶体管的第一端与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第二发光控制晶体管的控制端与所述第一发光控制信号线电连接，所述第二发光控制晶体管的第二端与所述第一有机发光器件的阳极层电连接；
所述第三发光控制晶体管的第一端与所述第一电源端电连接，所述第三发光控制晶体管的控制端与所述第二发光控制信号线电连接，所述第三发光控制晶体管的第二端与所述驱动晶体管的第一极电连接；
所述第四发光控制晶体管的第一端与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第四发光控制晶体管的控制端与所述第二发光控制信号线电连接，所述第四发光控制晶体管的第二端与所述第二有机发光器件的阳极层电连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述子像素具有顶发射发光区和透明发光区，所述顶发射发光区包括所述像素电路和顶发射发光器件；所述透明发光区包括透明显示发光器件；所述发光控制切换模块分别与所述顶发射发光器件和所述透明显示发光器件连接；
所述发光控制切换模块用于在第一显示模式，驱动所述顶发射发光器件和所述透明显示发光器件发光，在第二显示模式，驱动所述顶发射发光器件发光，在第三显示模式，驱动所述透明显示发光器件发光。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电路设置在所述衬底基板与所述第一有机发光器件之间。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电路设置在所述衬底基板与所述顶发射发光器件之间。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多条第一发光控制信号线和所述多条第二发光控制信号线相互平行。
6.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述顶发射发光器件和所述透明显示发光器件包括阳极层、发光层和阴极层；其中，所述顶发射发光器件的阳极层包括：第一透明电极层、金属层、第二透明电极层；所述透明显示发光器件的阳极层包括第三透明电极层。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极层和第三透明电极层的材料包括多晶氧化铟锡；所述金属层的材料包括银；所述第二透明电极层的材料包括非晶氧化铟锡。
8.一种如权利要求1-7任一项所述的阵列基板的驱动方法，其特征在于，包括：
第一显示模式，依次对每行子像素中的第一发光控制信号线和第二发光控制信号线加载相同的信号，使驱动晶体管的第二极与第一有机发光器件和第二有机发光器件导通，驱动所述第一有机发光器件和所述第二有机发光器件发光；
第二显示模式，对第二发光控制信号线加载截止信号，依次对每行子像素中的第一发光控制信号线加载导通信号，使驱动晶体管的第二极与所述第一有机发光器件导通，驱动所述第一有机发光器件发光；
第三显示模式，对第一发光控制信号线加载截止信号，依次对每行子像素中的第二发光控制信号线加载导通信号，使驱动晶体管的第二极与所述第二有机发光器件，驱动所述第二有机发光器件发光。
9.一种如权利要求1-7任一项所述的阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括衬底基板，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成像素电路；
在所述像素电路背离所述衬底基板一侧形成第一有机发光器件和第二有机发光器件。
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述子像素具有顶发射发光区和透明发光区，所述顶发射发光区包括所述像素电路和顶发射发光器件；所述透明发光区包括透明显示发光器件；所述在所述像素电路背离所述衬底基板一侧形成第一有机发光器件和第二有机发光器件，包括：
采用一次构图工艺形成顶发射发光器件的阳极层和透明显示发光器件的阳极层；
采用一次构图工艺在所述阳极层背离所述衬底基板一侧形成发光层；
在所述发光层背离所述衬底基板一侧形成阴极层。
11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述采用一次构图工艺形成顶发射发光器件的阳极层和透明显示发光器件的阳极层，具体包括：
沿所述像素电路背离所述衬底基板的方向，依次形成多晶氧化铟锡层、银层、非晶氧化铟锡层；
在衬底基板上形成覆盖所述衬底基板的光刻胶；
采用半色调掩膜版对所述光刻胶进行曝光后显影，使所述顶发射发光区具有第一厚度的光刻胶以及使所述透明发光区具有第二厚度的光刻胶；其中，所述第一厚度大于所述第二厚度；
对所述衬底基板进行刻蚀，保留所述顶发射发光区和所述透明发光区中的多晶氧化铟锡层、银层、非晶氧化铟锡层；
对所述顶发射发光区和所述透明发光区中的光刻胶进行处理，去除所述透明发光区中的光刻胶，并减薄所述顶发射发光区中的光刻胶；
采用第一刻蚀液对所述衬底基板进行刻蚀，去除所述透明发光区中的非晶氧化铟锡层和银层，保留所述透明发光区中的多晶氧化铟锡层以及保留所述顶发射发光区中的多晶氧化铟锡层、银层、非晶氧化铟锡层；
去除所述顶发射发光区中的光刻胶。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310544495.3A CN116507161A (zh) | 2020-05-13 | 2020-05-13 | 一种阵列基板，其驱动方法、制备方法及显示装置 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310544495.3A CN116507161A (zh) | 2020-05-13 | 2020-05-13 | 一种阵列基板，其驱动方法、制备方法及显示装置 |
| CN202010401647.0A CN111477671B (zh) | 2020-05-13 | 2020-05-13 | 一种阵列基板，其驱动方法、制备方法及显示装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010401647.0A Division CN111477671B (zh) | 2020-05-13 | 2020-05-13 | 一种阵列基板，其驱动方法、制备方法及显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116507161A true CN116507161A (zh) | 2023-07-28 |
Family
ID=71765064
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310544495.3A Pending CN116507161A (zh) | 2020-05-13 | 2020-05-13 | 一种阵列基板，其驱动方法、制备方法及显示装置 |
| CN202010401647.0A Active CN111477671B (zh) | 2020-05-13 | 2020-05-13 | 一种阵列基板，其驱动方法、制备方法及显示装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010401647.0A Active CN111477671B (zh) | 2020-05-13 | 2020-05-13 | 一种阵列基板，其驱动方法、制备方法及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (2) | CN116507161A (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11847965B2 (en) | 2020-09-28 | 2023-12-19 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Pixel structure, driving method thereof and display device |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5078267B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| CN103715230B (zh) * | 2013-12-31 | 2018-12-07 | 北京维信诺科技有限公司 | 一种透明oled器件及其显示装置 |
| TWI533448B (zh) * | 2014-09-26 | 2016-05-11 | 友達光電股份有限公司 | 有機發光二極體的畫素結構 |
| CN104900682A (zh) * | 2015-06-10 | 2015-09-09 | 昆山国显光电有限公司 | 透明显示器及其显示结构和像素单元结构 |
-
2020
- 2020-05-13 CN CN202310544495.3A patent/CN116507161A/zh active Pending
- 2020-05-13 CN CN202010401647.0A patent/CN111477671B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111477671B (zh) | 2023-08-04 |
| CN111477671A (zh) | 2020-07-31 |
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