CN116468332A - 一种晶体谐振器生产质量评判系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种晶体谐振器生产质量评判系统，涉及晶体谐振器生产技术领域；而本发明包括谐振器图像获取模块、谐振器表观质量分析模块、谐振器测试模块、谐振器测试信息采集模块、谐振器性能分析模块、谐振器质量分析模块和预警终端；通过对指定谐振器制造企业中当前生产批次中各待检测晶体谐振器的表观质量进行分析，进而通过随机抽样对各目标晶体谐振器的灵敏性和稳定性进行分析，解决了当前技术存在的不足，实现了晶体谐振器质量的精准分析，保障了当前生产批次中待检测晶体谐振器的质量，进而提高了后续用户在使用过程中的体验感，也提高了晶体谐振器企业的口碑和销售量。

Description

一种晶体谐振器生产质量评判系统

技术领域

本发明涉及晶体谐振器生产技术领域，具体为一种晶体谐振器生产质量评判系统。

背景技术

晶体谐振器作为一种高精度和抗干扰能力强的振荡器，被广泛的应用与计算机等各类电子产品中，为保障后续人们在使用电子产品时的稳定性，需要对保障晶体谐振器的质量，因此需要对生产后晶体谐振器的生产质量进行监测。

目前，对晶体谐振器的生产质量检测主要是对晶体谐振器的外观和谐振频率进行检测，很显然这种检测方式至少具有以下方面问题：

1、晶体谐振器的稳定性影响着后续电子产品使用的效果，当前技术中并没有对生产批次中晶体谐振器的稳定性进行分析，进而无法有效的保障晶体谐振器的质量，进而影响后续晶体谐振器的使用时长，另一方面，没有对晶体谐振器的灵敏性进行分析，进而无法提高用户在使用过程中的体验感，同时也降低合作企业与晶体谐振器企业的合作效果，降低晶体谐振器企业的口碑和销售量。

2、环境温度影响着晶体谐振器的效果，当前技术中没有对生产批次中晶体谐振器在不同环境温度下的稳定性进行分析，进而无法保障晶体谐振器在各种温度环境下的使用效果，同时也无法丰富晶体谐振器的适用场景，从而无法满足客户在不同环境下的需求，影响后续晶体谐振器企业的销售情况。

发明内容

为了解决上述问题；本发明的目的在于提供一种晶体谐振器生产质量评判系统。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：一种晶体谐振器生产质量评判系统，包括谐振器图像获取模块，用于获取指定谐振器制造企业中当前生产批次中各待检测晶体谐振器对应的图像；

谐振器表观质量分析模块，用于根据各待检测晶体谐振器对应的图像，分析各待检测晶体谐振器对应的表观质量符合系数，进而筛选出表观质量合格的各待检测晶体谐振器，并记为各目标晶体谐振器；

谐振器测试模块，用于从各目标晶体谐振器中提取各测试晶体谐振器，进而设置基准测试组和温度测试组，并对基准测试组和温度测试组进行测试；

谐振器测试信息采集模块，用于当基准测试组和温度测试组进行测试时，采集基准测试组对应的基准测试信息和温度测试组对应的温度测试信息；

谐振器性能分析模块，用于根据基准测试组对应的基准测试信息和温度测试组对应的温度测试信息，分析各测试晶体谐振器对应的性能评估系数；

谐振器质量分析模块，用于分析指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率，进而判断指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格情况；

预警终端，用于当指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率不达标时，进行预警提示。

优选地，所述分析各待检测晶体谐振器对应的表观质量符合系数，具体分析过程如下：

从各待检测晶体谐振器对应的图像中获取各待检测晶体谐振器中基座尺寸、基座厚度、各引线对应的位置、各引线对应的长度，并采集各待检测晶体对应的总重量；

将各待检测晶体谐振器对应的基座尺寸、基座厚度和总重量，分析得到各待检测晶体谐振器对应的第一表观质量符合系数，记为i表示各待检测晶体谐振器对应的编号，i＝1,2......n；

根据各待检测晶体谐振器对应各引线的位置和各引线对应的长度，分析得到各待检测晶体谐振器对应的第二表观质量符合系数，记为

通过计算公式得到各待检测晶体谐振器对应的表观质量符合系数/>其中ε₁、ε₂分别为设定的第一表观质量符合系数、第二表观质量符合系数对应的权重因子。

优选地，所述谐振器稳定性测试模块中具体测试过程如下：

A1、从各目标晶体谐振器中进行随机抽样，得到各测试晶体谐振器，进而按照数量等分的方式划分为各基准测试晶体谐振器和各温度测试晶体谐振器，并将各基准测试晶体谐振器作为基准测试组，将各温度测试晶体谐振器作为温度测试组；

A2、将基准测试组中各基准测试晶体谐振器与指定温度下的外部各测试电路进行连接，进而进行基准测试组的测试；

A3、将温度测试组中各温度测试晶体谐振器与各温度中的目标电路进行连接，进而进行温度测试组的测试。

优选地，所述基准测试组对应的基准测试信息包括各基准测试晶体谐振器的反应时长、各采集时间点的频率和各采集时间点的电压；

温度测试组对应的温度测试信息包括各温度测试晶体谐振器的反应时长、各监测时间点的频率和各监测时间点的温度。

优选地，所述分析各测试晶体谐振器对应的性能评估系数，具体分析过程如下：

将基准测试组中各基准测试晶体谐振器的反应时长代入计算公式中，得到基准测试组中各基准测试晶体谐振器对应的灵敏符合系数α1_j，T_j表示基准测试组中第j个基准测试晶体谐振器的反应时长，T′为设定的晶体谐振器参考反应时长，ΔT′为设定的晶体谐振器的许可反应时长差，γ₁为设定的灵敏符合系数对应的修正因子，j表示各基准测试晶体谐振器对应的编号，j＝1,2......m；

根据计算公式得到基准测试组中各基准测试晶体谐振器对应的性能符合系数α2_j，f_jt、U_jt分别表示基准测试组中第j个基准测试晶体谐振器在第t个采集时间点的频率、电压，f′、U′分别为设定的晶体谐振器对应的标准频率、标准电压，η₁、η₂分别为设定的晶振谐振器频率符合、电压符合对应的权重因子，γ₂为设定的性能符合系数对应的修正因子，t表示各采集时间点对应的编号，t＝1,2......p；

通过计算公式得到基准测试组中各基准测试晶体谐振器对应的性能稳定系数α3_j，f_j(t-1)、U_j(t-1)分别表示基准测试组中第j个基准测试晶体谐振器在第t-1个采集时间点的频率、电压，Δf、ΔU分别为设定的晶体谐振器许可频率差、许可电压差，κ₁、κ₂分别为设定的频率稳定、电压稳定对应的权重因子，γ₃为设定的性能温度系数对应的修正因子；

通过计算公式得到基准测试组中各基准测试晶体谐振器对应的性能评估系数/>分别为设定的灵敏符合系数、性能符合系数、性能稳定系数对应的权重因子；

根据温度测试组对应的温度测试信息，分析得到温度测试组中各温度测试晶体谐振器对应的性能评估系数。

优选地，分析得到温度测试组中各温度测试晶体谐振器对应的性能评估系数，具体分析过程如下：

将温度测试组中各温度测试晶体谐振器的反应时长按照基准测试组中各基准测试晶体谐振器对应的灵敏符合系数的分析过程，分析得到温度测试组中各温度测试晶体谐振器对应的灵敏符合系数，记为β1_j′，j′表示各温度测试晶体谐振器对应的编号，j′＝1′,2′......m′；

根据计算公式

得到温度测试组中各温度测试晶体谐振器对应的性能符合与稳定系数β2_j′，f_j′t′、T_j′t′分别表示温度测试组中第j′个温度测试晶体谐振器在第t′个监测时间点对应的频率、温度，f_{j′(t′-1′)}、T_{j′(t′-1′)}分别表示温度测试组中第j′个温度测试晶体谐振器在第t′-1′个监测时间点对应的频率、温度，μ₁、μ₂分别为设定的温度测试晶体谐振器性能符合、性能稳定对应的权重因子，λ₁、λ₂为设定的温度测试晶体谐振器频率稳定、温度稳定对应的权重因子，t′表示各监测时间点对应的编号，t′＝1′,2′......p′；

通过计算公式得到温度测试组中各温度测试晶体谐振器对应的性能评估系数β_j′，θ₁、θ₂分别为设定的灵敏符合系数、性能符合与稳定系数对应的权重因子，e表示自然常数。

优选地，分析指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率，具体分析过程如下：

将基准测试组中各基准测试晶体谐振器对应的性能评估系数与设定的基准测试晶体谐振器对应的性能评估系数阈值进行对比，若基准测试组中某基准测试晶体谐振器对应的性能评估系数大于或者等于基准测试晶体谐振器对应的性能评估系数阈值，则判定基准测试组中该基准测试晶体谐振器的性能合格，由此统计基准测试组中性能合格的基准测试晶体谐振器数量，并记为Q，同理分析得到温度测试组中性能合格的温度测试晶体谐振器数量，并记为Q′；

根据计算公式得到指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率，m表示基准测试组中基准测试晶体谐振器数量，m′表示温度测试组中温度测试晶体谐振器数量。

优选地，判断指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格情况，具体判断过程如下：

将指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率与设定的标准生产质量合格率进行对比，若当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率大于或者等于标准生产质量合格率，则判定当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率达标，反之则判定当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率不达标。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

1、本发明提供的一种晶体谐振器生产质量评判系统，通过对指定谐振器制造企业中当前生产批次中各待检测晶体谐振器的表观质量进行分析，进而通过随机抽样对各目标晶体谐振器的灵敏性和稳定性进行分析，解决了当前技术存在的不足，实现了晶体谐振器质量的精准分析，大大的保障了当前生产批次中待检测晶体谐振器的质量，提高了晶体谐振器的使用时长，并且也提高了后续用户在使用过程中的体验感，同时也有效的保障了合作企业与晶体谐振器企业的合作效果，保障了晶体谐振器企业的口碑和销售量。

2、本发明在谐振器表观质量分析模块中通过对晶体谐振器的表观质量进行分析，有效的保障了晶体谐振器的外观的质量，也为后续晶体谐振器的抽样检测提供了保障。

3、本发明在谐振器性能分析模块中通过对基准测试组中各基准测试晶体谐振器、温度测试组中各温度测试晶体谐振器的灵敏性和稳定性进行分析，有效的保障了晶体谐振器的性能，保障了晶体谐振器在各种温度环境下的使用效果，同时也丰富了晶体谐振器的适用场景，并且也满足客户在不同环境下的需求，提高了后续晶体谐振器企业的销售情况。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明系统模块结构连接示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1所示，一种晶体谐振器生产质量评判系统，包括谐振器图像获取模块、谐振器表观质量分析模块、谐振器测试模块、谐振器测试信息采集模块、谐振器性能分析模块、谐振器质量分析模块和预警终端。

所述谐振器表观质量分析模块分别与谐振器图像获取模块和谐振器测试模块连接，所述谐振器测试信息采集模块分别与谐振器测试模块和谐振器性能分析模块连接，所述谐振器质量分析模块分别与谐振器性能分析模块和预警终端连接。

谐振器图像获取模块，用于获取指定谐振器制造企业中当前生产批次中各待检测晶体谐振器对应的图像；

上述中，通过摄像头采集指定谐振器制造企业中当前生产批次中各待检测晶体谐振器对应的图像。

谐振器表观质量分析模块，用于根据各待检测晶体谐振器对应的图像，分析各待检测晶体谐振器对应的表观质量符合系数，进而筛选出表观质量合格的各待检测晶体谐振器，并记为各目标晶体谐振器；

在一个具体的实施例中，分析各待检测晶体谐振器对应的表观质量符合系数，具体分析过程如下：

从各待检测晶体谐振器对应的图像中获取各待检测晶体谐振器中基座尺寸、基座厚度、各引线对应的位置、各引线对应的长度，并采集各待检测晶体对应的总重量；

需要说明的是，通过重量传感器采集各待检测晶体谐振器对应的总重量。

将各待检测晶体谐振器对应的基座尺寸、基座厚度和总重量，分析得到各待检测晶体谐振器对应的第一表观质量符合系数，记为i表示各待检测晶体谐振器对应的编号，i＝1,2......n；

上述中，分析得到各待检测晶体谐振器对应的第一表观质量符合系数，具体分析过程如下：将各待检测晶体谐振器对应的基座尺寸、基座厚度和总重量代入计算公式中，得到各待检测晶体谐振器对应的第一表观质量符合系数/>C、H、G分别为晶体谐振器的标准基座尺寸、基座厚度、总重量，C_i、H_i、G_i分别表示第i个待检测晶体谐振器对应的基座尺寸、基座厚度、总重量，τ₁、τ₂、τ₃分别为设定的基座尺寸、基座厚度、总重量对应的权重因子。

需要说明的是，晶体谐振器的标准基座尺寸、基座厚度和总重量从生产管理中心获取。

根据各待检测晶体谐振器对应各引线的位置和各引线对应的长度，分析得到各待检测晶体谐振器对应的第二表观质量符合系数，记为

上述中，分析得到各待检测晶体谐振器对应的第二表观质量符合系数，具体分析过程如下：从生产管理中心获取晶体谐振器中各引线对应的标准位置和引线标准长度，进而将各待检测晶体谐振器对应各引线的位置与其对应的标准位置进行对比，若某待检测晶体谐振器对应某引线的位置与其对应的标准位置不相同，则将该待检测晶体谐振器对应的引线位置符合系数记为b1，若某待检测晶体谐振器对应各引线的位置与其对应的标准位置均相同，则将该待检测晶体谐振器对应的引线位置符合系数记为b2，由此得到各待检测晶体谐振器对应的引线位置符合系数其中/>取值为b1或者b2，且b1＜b2，b1和b2均为自然数；

通过计算公式得到各待检测晶体谐振器对应的第二表观质量符合系数/>L_iu表示第i个待检测晶体谐振器对应第u个引线的长度，L表示晶体谐振器的引线标准长度，ξ₁、ξ₂分别为设定的引线位置符合系数、引线长度对应的权重因子，u表示各引线对应的编号，u＝1,2......v。

通过计算公式得到各待检测晶体谐振器对应的表观质量符合系数/>其中ε₁、ε₂分别为设定的第一表观质量符合系数、第二表观质量符合系数对应的权重因子。

上述中，筛选出表观质量合格的各待检测晶体谐振器，具体筛选过程如下：将各待检测晶体谐振器对应的表观质量符合系数与设定的晶体谐振器对应的标准表观质量符合系数进行对比，若某待检测晶体谐振器对应的表观质量符合系数大于或者等于设定的晶体谐振器对应的标准表观质量符合系数，则判定该待检测晶体谐振器的表观质量合格，以此方式得到表观质量合格的各待检测晶体谐振器。

本发明在谐振器表观质量分析模块中通过对晶体谐振器的表观质量进行分析，有效的保障了晶体谐振器的外观的质量，也为后续晶体谐振器的抽样检测提供了保障。

谐振器测试模块，用于从各目标晶体谐振器中提取各测试晶体谐振器，进而设置基准测试组和温度测试组，并对基准测试组和温度测试组进行测试；

在一个具体的实施例中，谐振器稳定性测试模块中具体测试过程如下：

A1、从各目标晶体谐振器中进行随机抽样，得到各测试晶体谐振器，进而按照数量等分的方式划分为各基准测试晶体谐振器和各温度测试晶体谐振器，并将各基准测试晶体谐振器作为基准测试组，将各温度测试晶体谐振器作为温度测试组；

A2、将基准测试组中各基准测试晶体谐振器与指定温度下的外部各测试电路进行连接，进而进行基准测试组的测试；

需要说明的是，外部各测试电路的通电电压均不相同。

A3、将温度测试组中各温度测试晶体谐振器与各温度中的目标电路进行连接，进而进行温度测试组的测试。

需要说明的是，各温度中的目标电路的通电电压均相同。

谐振器测试信息采集模块，用于当基准测试组和温度测试组进行测试时，采集基准测试组对应的基准测试信息和温度测试组对应的温度测试信息；

在一个具体的实施例中，基准测试组对应的基准测试信息包括各基准测试晶体谐振器的反应时长、各采集时间点的频率和各采集时间点的电压；

上述中，采集基准测试组对应的基准测试信息，具体采集过程如下：通过计时器采集基准测试组中各基准测试晶体谐振器到达设定的晶体谐振器对应的标准频率时对应的时长，并作为各基准测试晶体谐振器的反应时长；

将基准测试组中各基准测试晶体谐振器与频谱分析仪进行连接，进而采集各基准测试晶体谐振器到达设定的晶体谐振器对应的标准频率时对应的时长，并作为各基准测试晶体谐振器的反应时长；

将各基准测试晶体谐振器到达设定的晶体谐振器对应的标准频率时刻作为各基准测试晶体谐振器的开始时间点，进而从各基准测试晶体谐振器的开始时间点按照预设时间间隔布设各采集时间点，进而从频谱分析仪中提取各基准测试晶体谐振器在各采集时间点的频率；

通过电压表采集各基准测试晶体谐振器在各采集时间点的电压。

温度测试组对应的温度测试信息包括各温度测试晶体谐振器的反应时长、各监测时间点的频率和各监测时间点的温度。

上述中，采集温度测试组对应的温度测试信息，具体采集过程如下：按照基准测试组中各基准测试晶体谐振器的反应时长和各采集时间点的电压的采集过程，对温度测试组中各温度测试晶体谐振器的反应时长和各监测时间点的频率进行采集；

通过温度传感器对温度测试组中各温度测试晶体谐振器对应各监测时间点的温度进行采集。

谐振器性能分析模块，用于根据基准测试组对应的基准测试信息和温度测试组对应的温度测试信息，分析各测试晶体谐振器对应的性能评估系数；

在一个具体的实施例中，分析各测试晶体谐振器对应的性能评估系数，具体分析过程如下：

将基准测试组中各基准测试晶体谐振器的反应时长代入计算公式中，得到基准测试组中各基准测试晶体谐振器对应的灵敏符合系数α1_j，T_j表示基准测试组中第j个基准测试晶体谐振器的反应时长，T′为设定的晶体谐振器参考反应时长，ΔT′为设定的晶体谐振器的许可反应时长差，γ₁为设定的灵敏符合系数对应的修正因子，j表示各基准测试晶体谐振器对应的编号，j＝1,2......m；

根据计算公式得到基准测试组中各基准测试晶体谐振器对应的性能符合系数α2_j，f_jt、U_jt分别表示基准测试组中第j个基准测试晶体谐振器在第t个采集时间点的频率、电压，f′、U′分别为设定的晶体谐振器对应的标准频率、标准电压，η₁、η₂分别为设定的晶振谐振器频率符合、电压符合对应的权重因子，γ₂为设定的性能符合系数对应的修正因子，t表示各采集时间点对应的编号，t＝1,2......p；

通过计算公式得到基准测试组中各基准测试晶体谐振器对应的性能稳定系数α3_j，f_j(t-1)、U_j(t-1)分别表示基准测试组中第j个基准测试晶体谐振器在第t-1个采集时间点的频率、电压，Δf、ΔU分别为设定的晶体谐振器许可频率差、许可电压差，κ₁、κ₂分别为设定的频率稳定、电压稳定对应的权重因子，γ₃为设定的性能温度系数对应的修正因子；

通过计算公式得到基准测试组中各基准测试晶体谐振器对应的性能评估系数/>分别为设定的灵敏符合系数、性能符合系数、性能稳定系数对应的权重因子；

根据温度测试组对应的温度测试信息，分析得到温度测试组中各温度测试晶体谐振器对应的性能评估系数。

在另一个具体的实施例中，分析得到温度测试组中各温度测试晶体谐振器对应的性能评估系数，具体分析过程如下：

将温度测试组中各温度测试晶体谐振器的反应时长按照基准测试组中各基准测试晶体谐振器对应的灵敏符合系数的分析过程，分析得到温度测试组中各温度测试晶体谐振器对应的灵敏符合系数，记为β1_j′，j′表示各温度测试晶体谐振器对应的编号，j′＝1′,2′......m′；

根据计算公式

得到温度测试组中各温度测试晶体谐振器对应的性能符合与稳定系数β2_j′，f_j′t′、T_j′t′分别表示温度测试组中第j′个温度测试晶体谐振器在第t′个监测时间点对应的频率、温度，f_{j′(t′-1′)}、T_{j′(t′-1′)}分别表示温度测试组中第j′个温度测试晶体谐振器在第t′-1′个监测时间点对应的频率、温度，μ₁、μ₂分别为设定的温度测试晶体谐振器性能符合、性能稳定对应的权重因子，λ₁、λ₂为设定的温度测试晶体谐振器频率稳定、温度稳定对应的权重因子，t′表示各监测时间点对应的编号，t′＝1′,2′......p′；

通过计算公式得到温度测试组中各温度测试晶体谐振器对应的性能评估系数β_j′，θ₁、θ₂分别为设定的灵敏符合系数、性能符合与稳定系数对应的权重因子，e表示自然常数。

本发明在谐振器性能分析模块中通过对基准测试组中各基准测试晶体谐振器、温度测试组中各温度测试晶体谐振器的灵敏性和稳定性进行分析，有效的保障了晶体谐振器的性能，保障了晶体谐振器在各种温度环境下的使用效果，同时也丰富了晶体谐振器的适用场景，并且也满足客户在不同环境下的需求，提高了后续晶体谐振器企业的销售情况。

谐振器质量分析模块，用于分析指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率，进而判断指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格情况；

在一个具体的实施例中，分析指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率，具体分析过程如下：

将基准测试组中各基准测试晶体谐振器对应的性能评估系数与设定的基准测试晶体谐振器对应的性能评估系数阈值进行对比，若基准测试组中某基准测试晶体谐振器对应的性能评估系数大于或者等于基准测试晶体谐振器对应的性能评估系数阈值，则判定基准测试组中该基准测试晶体谐振器的性能合格，由此统计基准测试组中性能合格的基准测试晶体谐振器数量，并记为Q，同理分析得到温度测试组中性能合格的温度测试晶体谐振器数量，并记为Q′；

根据计算公式得到指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率，m表示基准测试组中基准测试晶体谐振器数量，m′表示温度测试组中温度测试晶体谐振器数量。

在又一个具体的实施例中，判断指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格情况，具体判断过程如下：

将指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率与设定的标准生产质量合格率进行对比，若当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率大于或者等于标准生产质量合格率，则判定当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率达标，反之则判定当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率不达标。

本发明实施例通过对指定谐振器制造企业中当前生产批次中各待检测晶体谐振器的表观质量进行分析，进而通过随机抽样对各目标晶体谐振器的灵敏性和稳定性进行分析，解决了当前技术存在的不足，实现了晶体谐振器质量的精准分析，大大的保障了当前生产批次中待检测晶体谐振器的质量，提高了晶体谐振器的使用时长，并且也提高了后续用户在使用过程中的体验感，同时也有效的保障了合作企业与晶体谐振器企业的合作效果，保障了晶体谐振器企业的口碑和销售量。

预警终端，用于当指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率不达标时，进行预警提示。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (8)

1.一种晶体谐振器生产质量评判系统，其特征在于，包括：

谐振器图像获取模块，用于获取指定谐振器制造企业中当前生产批次中各待检测晶体谐振器对应的图像；

谐振器表观质量分析模块，用于根据各待检测晶体谐振器对应的图像，分析各待检测晶体谐振器对应的表观质量符合系数，进而筛选出表观质量合格的各待检测晶体谐振器，并记为各目标晶体谐振器；

谐振器测试模块，用于从各目标晶体谐振器中提取各测试晶体谐振器，进而设置基准测试组和温度测试组，并对基准测试组和温度测试组进行测试；

谐振器测试信息采集模块，用于当基准测试组和温度测试组进行测试时，采集基准测试组对应的基准测试信息和温度测试组对应的温度测试信息；

谐振器性能分析模块，用于根据基准测试组对应的基准测试信息和温度测试组对应的温度测试信息，分析各测试晶体谐振器对应的性能评估系数；

谐振器质量分析模块，用于分析指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率，进而判断指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格情况；

预警终端，用于当指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率不达标时，进行预警提示。

2.如权利要求1所述的一种晶体谐振器生产质量评判系统，其特征在于，所述分析各待检测晶体谐振器对应的表观质量符合系数，具体分析过程如下：

从各待检测晶体谐振器对应的图像中获取各待检测晶体谐振器中基座尺寸、基座厚度、各引线对应的位置、各引线对应的长度，并采集各待检测晶体对应的总重量；

将各待检测晶体谐振器对应的基座尺寸、基座厚度和总重量，分析得到各待检测晶体谐振器对应的第一表观质量符合系数，记为i表示各待检测晶体谐振器对应的编号，i＝1,2......n；

根据各待检测晶体谐振器对应各引线的位置和各引线对应的长度，分析得到各待检测晶体谐振器对应的第二表观质量符合系数，记为

通过计算公式得到各待检测晶体谐振器对应的表观质量符合系数/>其中ε₁、ε₂分别为设定的第一表观质量符合系数、第二表观质量符合系数对应的权重因子。

3.如权利要求1所述的一种晶体谐振器生产质量评判系统，其特征在于，所述谐振器稳定性测试模块中具体测试过程如下：

A1、从各目标晶体谐振器中进行随机抽样，得到各测试晶体谐振器，进而按照数量等分的方式划分为各基准测试晶体谐振器和各温度测试晶体谐振器，并将各基准测试晶体谐振器作为基准测试组，将各温度测试晶体谐振器作为温度测试组；

A2、将基准测试组中各基准测试晶体谐振器与指定温度下的外部各测试电路进行连接，进而进行基准测试组的测试；

A3、将温度测试组中各温度测试晶体谐振器与各温度中的目标电路进行连接，进而进行温度测试组的测试。

4.如权利要求3所述的一种晶体谐振器生产质量评判系统，其特征在于，所述基准测试组对应的基准测试信息包括各基准测试晶体谐振器的反应时长、各采集时间点的频率和各采集时间点的电压；

温度测试组对应的温度测试信息包括各温度测试晶体谐振器的反应时长、各监测时间点的频率和各监测时间点的温度。

5.如权利要求4所述的一种晶体谐振器生产质量评判系统，其特征在于，所述分析各测试晶体谐振器对应的性能评估系数，具体分析过程如下：

将基准测试组中各基准测试晶体谐振器的反应时长代入计算公式中，得到基准测试组中各基准测试晶体谐振器对应的灵敏符合系数α1_j，T_j表示基准测试组中第j个基准测试晶体谐振器的反应时长，T′为设定的晶体谐振器参考反应时长，ΔT′为设定的晶体谐振器的许可反应时长差，γ₁为设定的灵敏符合系数对应的修正因子，j表示各基准测试晶体谐振器对应的编号，j＝1,2......m；

根据计算公式得到基准测试组中各基准测试晶体谐振器对应的性能符合系数α2_j，f_jt、U_jt分别表示基准测试组中第j个基准测试晶体谐振器在第t个采集时间点的频率、电压，f′、U′分别为设定的晶体谐振器对应的标准频率、标准电压，η₁、η₂分别为设定的晶振谐振器频率符合、电压符合对应的权重因子，γ₂为设定的性能符合系数对应的修正因子，t表示各采集时间点对应的编号，t＝1,2......p；

通过计算公式得到基准测试组中各基准测试晶体谐振器对应的性能稳定系数α3_j，f_j(t-1)、U_j(t-1)分别表示基准测试组中第j个基准测试晶体谐振器在第t-1个采集时间点的频率、电压，Δf、ΔU分别为设定的晶体谐振器许可频率差、许可电压差，κ₁、κ₂分别为设定的频率稳定、电压稳定对应的权重因子，γ₃为设定的性能温度系数对应的修正因子；

通过计算公式得到基准测试组中各基准测试晶体谐振器对应的性能评估系数α_j，/>分别为设定的灵敏符合系数、性能符合系数、性能稳定系数对应的权重因子；

根据温度测试组对应的温度测试信息，分析得到温度测试组中各温度测试晶体谐振器对应的性能评估系数。

6.如权利要求5所述的一种晶体谐振器生产质量评判系统，其特征在于，所述分析得到温度测试组中各温度测试晶体谐振器对应的性能评估系数，具体分析过程如下：

将温度测试组中各温度测试晶体谐振器的反应时长按照基准测试组中各基准测试晶体谐振器对应的灵敏符合系数的分析过程，分析得到温度测试组中各温度测试晶体谐振器对应的灵敏符合系数，记为β1_j′，j′表示各温度测试晶体谐振器对应的编号，j′＝1′,2′......m′；

根据计算公式得到温度测试组中各温度测试晶体谐振器对应的性能符合与稳定系数β2_j′，f_j′t′、T_j′t′分别表示温度测试组中第j′个温度测试晶体谐振器在第t′个监测时间点对应的频率、温度，f_{j′(t′-1′)}、T_{j′(t′-1′)}分别表示温度测试组中第j′个温度测试晶体谐振器在第t′-1′个监测时间点对应的频率、温度，μ₁、μ₂分别为设定的温度测试晶体谐振器性能符合、性能稳定对应的权重因子，λ₁、λ₂为设定的温度测试晶体谐振器频率稳定、温度稳定对应的权重因子，t′表示各监测时间点对应的编号，t′＝1′,2′......p′；

通过计算公式得到温度测试组中各温度测试晶体谐振器对应的性能评估系数β_j′，θ₁、θ₂分别为设定的灵敏符合系数、性能符合与稳定系数对应的权重因子，e表示自然常数。

7.如权利要求6所述的一种晶体谐振器生产质量评判系统，其特征在于，所述分析指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率，具体分析过程如下：

将基准测试组中各基准测试晶体谐振器对应的性能评估系数与设定的基准测试晶体谐振器对应的性能评估系数阈值进行对比，若基准测试组中某基准测试晶体谐振器对应的性能评估系数大于或者等于基准测试晶体谐振器对应的性能评估系数阈值，则判定基准测试组中该基准测试晶体谐振器的性能合格，由此统计基准测试组中性能合格的基准测试晶体谐振器数量，并记为Q，同理分析得到温度测试组中性能合格的温度测试晶体谐振器数量，并记为Q′；

根据计算公式得到指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率，m表示基准测试组中基准测试晶体谐振器数量，m′表示温度测试组中温度测试晶体谐振器数量。

8.如权利要求7所述的一种晶体谐振器生产质量评判系统，其特征在于，所述判断指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格情况，具体判断过程如下：

将指定谐振器制造企业中当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率与设定的标准生产质量合格率进行对比，若当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率大于或者等于标准生产质量合格率，则判定当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率达标，反之则判定当前生产批次对应目标晶体谐振器的生产质量合格率不达标。