CN116458998A - 脱毛仪 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种脱毛仪，所述脱毛仪包括外壳、PCB板和半导体光源；所述外壳设有出光口；所述PCB板设于所述外壳内；所述半导体光源设于所述外壳内，所述PCB板与所述半导体光源电连接，所述半导体光源具有输出端，所述输出端朝向所述出光口设置，所述输出端输出的激光波长为808～812纳米和/或848～852纳米。本发明技术方案旨在通过发出具有高度集中性的光波进行脱毛，以提升光源输出的激光的利用率。

Description

脱毛仪

技术领域

本发明涉及医疗美容设备技术领域，特别涉及一种脱毛仪。

背景技术

现有的脱毛仪主要利用石英管发出激光，产生较高的能量密度照射皮肤，并通过高温破坏毛囊，以使毛囊失去活性从而达到长久脱毛的目的。

然而，石英管为宽谱光源，具有较多脱毛效果不佳甚至无法产生脱毛效应的激光，从而降低了脱毛仪的激光的利用率，造成脱毛仪的能量浪费。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种脱毛仪，旨在通过发出具有高度集中性的光波进行脱毛，以提升光源输出的激光的利用率。

为实现上述目的，本发明提出一种脱毛仪，包括：

外壳，设有出光口；

PCB板，设于所述外壳内；以及

半导体光源，设于所述外壳内，所述PCB板与所述半导体光源电连接，所述半导体光源具有输出端，所述输出端朝向所述出光口设置，所述输出端输出的激光波长为808～812纳米和/或848～852纳米。

可选地，所述输出端输出的激光波长为810纳米和/或850纳米。

可选地，所述输出端设有多个共振腔，所述共振腔的腔口的朝向与所述输出端同向设置，所述共振腔呈阵列排布。

可选地，所述共振腔具有第一共振腔和第二共振腔，所述第一共振腔输出的激光波长为810纳米，所述第二共振腔输出的激光波长为850纳米；

所述输出端分别设有多个所述第一共振腔和所述第二共振腔，所述第一共振腔和所述第二共振腔相互交错；或，所述输出端设置多个第一共振腔；或，所述输出端设置多个第二共振腔。

可选地，所述输出端与所述出光口间隔设置，自所述出光口输出的激光的发散角为α，所述α满足18°≤α≤25°。

可选地，所述半导体光源输出的激光的照度值为β，所述β≤500Lux。

可选地，所述外壳上设置有控制开关，所述控制开关与所述PCB板连接。

可选地，所述脱毛仪还包括散热件，所述散热件邻近所述半导体光源设置。

可选地，所述散热件的材质为陶瓷，所述外壳对应所述散热件设置有散热格栅。

可选地，所述脱毛仪还包括滤光盖，所述滤光盖封盖于所述出光口。

可选地，所述脱毛仪还包括电池，所述电池设于所述外壳内，所述PCB板与所述电池电连接。

可选地，所述外壳设有用于电连接于外部电源的接电口，所述PCB板与所述接电口连通。

本发明技术方案通过半导体光源产生波长为808～812纳米或848～852纳米或808～812纳米与848～852纳米混合的激光，利用输出端和出光口的引导，以将半导体光源产生的激光应用于脱毛美容中，如此，相对于石英管发出的宽谱激光中，只有部分能够用于脱毛，本发明脱毛仪所输出的激光为红外光，毛囊的色素细胞更倾向于吸收红外光，并且，该半导体光源输出的激光可以穿透皮肤表层而直接作用于毛干和毛囊，使得脱毛仪所输出的激光的全部能量都能作用在毛囊的色素细胞，而达到较好激光脱毛的效果，从而提升了光源输出的激光的利用率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明脱毛仪一实施例的结构示意图；

图2为本发明脱毛仪一实施例的剖视图；

图3为图2中A处的放大图；

图4为本发明脱毛仪另一实施例的结构示意图；

图5为本发明脱毛仪又一实施例的结构示意图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				100	外壳	110	接电口
120	出光口	130	控制开关
				140	散热格栅	200	PCB板
300	半导体光源	310	输出端
				311	第一共振腔	312	第二共振腔
400	散热件	500	电池
				600	滤光盖

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提出一种脱毛仪。

在本发明实施例中，请参照图1至图5，该脱毛仪包括外壳100、PCB板和半导体光源300；外壳100设有出光口120；PCB板设于外壳100内；半导体光源300设于外壳100内，PCB板与半导体光源300电连接，半导体光源300具有输出端310，输出端310朝向出光口120设置，输出端310输出的激光波长为808～812纳米和/或848～852纳米。

需要说明的是，毛囊的色素细胞更倾向于吸收波长在810纳米附近和850纳米附近的激光，同时，该波长的激光具有良好的单一性和较好的穿透力，可以直接穿透皮肤表层而直接作用于毛干和毛囊，对毛囊的色素细胞进行加热，从而有效抑制毛囊的生长，达到较好的脱毛效果。

本发明技术方案通过半导体光源300产生波长为808～812纳米或848～852纳米或808～812纳米与848～852纳米混合的激光，利用输出端310和出光口120的引导，以将半导体光源300产生的激光应用于脱毛美容中，如此，相对于石英管发出的宽谱激光中，只有部分能够用于脱毛，本发明脱毛仪所输出的激光为红外光，毛囊的色素细胞更倾向于吸收红外光，并且，该半导体光源300输出的激光可以穿透皮肤表层而直接作用于毛干和毛囊，使得脱毛仪所输出的激光的全部能量都能作用在毛囊的色素细胞，而达到较好激光脱毛的效果，从而提升了光源输出的激光的利用率。

其中，由于波长为808～812纳米和/或848～852纳米的激光直接作用于毛囊的色素细胞，并没有其余能量作用于皮肤的其他部位，而使得本发明的脱毛仪可以在短时间内对同一位置多次进行脱毛操作，避免如利用石英管产生激光进行脱毛的脱毛仪般在24小时内对一次位置仅能脱毛一次，从而提高了脱毛效率也避免皮肤的非毛囊区域受到损伤。

而对于需要进行大面积脱毛操作时，由于本发明的脱毛仪输出的激光直接作用于毛干和毛囊，即其仅能抑制毛囊的色素细胞生长，使得本发明的脱毛仪可以在短时间内完成大面积的脱毛操作，而不对皮肤的非毛囊区域造成损伤，从而提升了脱毛效率。

同理，相对于石英管作为光源的脱毛仪，本发明的脱毛仪并未对皮肤的保护层造成损伤，如此，用户在使用本发明的脱毛仪时无需对脱毛区进行保护性处理，亦无需在脱毛操作前、后的一周以上保持防晒、防化学和机械刺激等的保护，从而简化了脱毛的操作的复杂度。

进一步地，在本实施例中，请参照图2和图3，输出端310输出的激光波长为810纳米和/或850纳米。需要说明的是，毛囊的色素细胞倾向于吸收红外光，并且，相对于其他波长的激光，处于这两个波长的激光可以深入人体表层组织，并直接作用于毛囊和毛干，使得这两个波长的激光在非毛囊区域的能量损耗更低。如此，半导体光源300产生的激光将更好地作用于毛囊和毛干，从而提升了脱毛效率和光源利用率。当然，在其他实施例中，输出端310输出的激光波长为809纳米和/或849纳米；亦或者，输出端310输出的激光波长为808纳米和/或848纳米；亦或者，输出端310输出的激光波长为811纳米和/或851纳米；亦或者，输出端310输出的激光波长为812纳米和/或852纳米。

具体而言，请参照图1至图5，输出端310设有多个共振腔，共振腔的腔口的朝向与输出端310同向设置，共振腔呈阵列排布。如此，设置不同数量共振腔，以调节输出端310输出的激光的最大照度值，以满足不同人种的皮肤的脱毛需求，同时，当多个共振腔的部分损坏时，输出端310依然可以依靠剩余的共振腔输出足够的激光进行脱毛操作，从而提升了脱毛仪的稳定性和可靠性。当然，在其他实施例中，多个共振腔可以呈环形排布；亦或者，多个共振腔呈直线排布等；亦或者，在半导体光源300输出的激光的能量满足脱毛需求的情况下，输出端310可以仅设置一个共振腔。

进一步地，在本实施例中，请参照图1至图3，共振腔具有第一共振腔311和第二共振腔312，第一共振腔311输出的激光波长为810纳米，第二共振腔312输出的激光波长为850纳米；输出端310分别设有多个第一共振腔311和第二共振腔312，第一共振腔311和第二共振腔312相互交错。可以理解，通过同一输出端310上的第一共振腔311和第二共振腔312的数量比，以使半导体光源300可以产生不同的波长为810纳米和850纳米的混合光，以更好适配不同部位的皮肤，调节脱毛所需要的时间，从而提升脱毛效率。在另一实施例中，请参照图4，输出端310仅设置多个第一共振腔311，以使半导体光源300仅输出810纳米波长的激光，在同等照度值的情况下，对毛囊的色素细胞产生更高的能量，以提升脱毛效率。亦或者，在又一实施例中，输出端310仅设置多个第二共振腔312。

在一实施例中，请参照图1至图3，输出端310与出光口120间隔设置，自出光口120输出的激光的发散角为α，α满足18°≤α≤25°。如此，在用户使用脱毛仪时，半导体光源300输出的激光不容易照射到眼睛，避免在调节激光至较高能量时对人眼的伤害，同时，该出光角度还可以更好地将激光集中于脱毛部位，避免自出光口120输出的激光发散过大而降低了能量密度，从而保障了脱毛效率。当然，在其他实施例中，在满足作用于毛囊的能量密度的情况下，α可以＞25°；亦或者，在脱毛部位适配出光口120大小的情况下，α＜18°。

在一实施例中，半导体光源300输出的激光的照度值为β，β≤500Lux。如此，可以避免用户在误操作的情况下输出照度值较大的激光，对眼睛造成损害，从而保障了脱毛仪的可靠性和安全性。当然，在其他实施例中，β≤800Lux。

在一实施例中，请参照图1至图5，外壳100上设置有控制开关130，控制开关130与PCB板连接。如此，用户可以通过控制开关130输入控制指令，PCB板识别该控制指令并调节半导体光源300，以将半导体光源300输出的激光更好的适配用户的脱毛需求。不失一般性，控制开关130可以是两个，一个控制开关130控制脱毛仪的开启和关闭，另一个控制开关130调节半导体光源300输出的激光的能量密度，比如通过多次点击该控制开关130，实现多等级的能量密度的循环切换。当然，在其他实施例中，在脱毛仪连接外部电源时即开启，而无需在外壳100上设置控制开关130。

在一实施例中，请参照图1至图5，脱毛仪还包括散热件400，散热件400邻近半导体光源300设置。可以理解，半导体光源300输出激光时需要消耗能量，同时，激光本身即为能量的载体，如此，脱毛仪单次使用时间的越长，半导体光源300积累的热量将更多，通过邻近半导体光源300设置的散热件400，可以更好地散去堆积在半导体光源300上的热量，从而降低半导体光源300的温度，保障半导体光源300的输出功率，提升其输出激光的稳定性。不失一般性，在本实施例中，由于采用半导体光源300，其电光转换率近40％，并且半导体光源300输出810纳米和/或850纳米的激光的能量绝大部分直接作用在毛囊的色素细胞中，如此，本发明的脱毛仪相较于采用石英管作光源的脱毛仪，散热件400可以设置为简化的小型散热结构，从而减小了脱毛仪的体积，使得脱毛仪便于携带和操作。

进一步地，在本实施例中，请参照图2和图3，散热件400的材质为陶瓷，外壳100对应散热件400设置有散热格栅140。可以理解，陶瓷本身的微孔结构，大大增加了其与空气接触的面积，同时，陶瓷的热容量小、不蓄热，进而可以直接散热，如此，陶瓷材质的散热件400可以快速吸收半导体光源300上的热量，并外壳100上的散热格栅140快速地将吸收的热量散出外壳100，从而达到较好的散热效果。不失一般性，外壳100内还设置有散热风扇，以将陶瓷散出的热量排出外壳100。当然，在其他实施例中，散热件400的材质还可以是铜铝合金。

在一实施例中，请参照图1至图5，脱毛仪还包括滤光盖600，滤光盖600封盖于出光口120。可以理解，输出端310通过出光口120与外界连通，而滤光盖600可以将输出端310封盖在出光口120内或者将输出端310与外界隔绝但并不影响激光通过，如此，能够避免外界污染或损坏半导体光源300，从而保障半导体光源300的稳定性。不失一般性，滤光盖600可以仅供波长为810纳米和850纳米的激光通过，进一步保障自出光口120输出的激光的波长为810纳米和/或850纳米。当然，在其他实施例中，可以仅对应共振腔的腔口设置保护盖，以保障半导体光源300的稳定性。

在一实施例中，请参照图1至图5，脱毛仪还包括电池500，电池500设于外壳100内，PCB板与电池500电连接。需要说明的是，本发明的脱毛仪光电转换率可以高达40％，并且仅发出波长为810纳米和/或850纳米的激光，所需要的电能相较于采用石英管作为光源的脱毛仪而言并不高，如此，设置内部电池500即可满足脱毛仪的耗能需求。不失一般性，在本实施例中，电池500为可重复充电的锂电池，该锂电池可通过接电口110与外部电源电连接，在该锂电池的电量需要补充时，即可通过接电口110与外部电源电连接，以补充电量，实现充电循环，提升脱毛仪的实用性。在另一实施例中，电池500为干电池，外壳100内设置有电池仓，外壳100上对应电池仓可以设置有开合盖以更换干电池；亦或者，在又一实施例中，外壳100不设置开合盖，直至干电池电量耗尽后更换新的脱毛仪。当然，在其他实施例中，外壳100设有用于电连接于外部电源的接电口110，PCB板与接电口110电连接，当用户需要使用脱毛仪时，可以通过接电口110接通外部电源，为半导体光源300提供电能。不失一般性，外部电源可以是恒流电源也可以是恒压电源，以提升半导体光源300的稳定性和耐久性。

以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种脱毛仪，其特征在于，包括：

外壳，设有出光口；

PCB板，设于所述外壳内；以及

半导体光源，设于所述外壳内，所述PCB板与所述半导体光源电连接，所述半导体光源具有输出端，所述输出端朝向所述出光口设置，所述输出端输出的激光波长为808～812纳米和/或848～852纳米。

2.如权利要求1所述的脱毛仪，其特征在于，所述输出端输出的激光波长为810纳米和/或850纳米。

3.如权利要求1所述的脱毛仪，其特征在于，所述输出端设有多个共振腔，所述共振腔的腔口的朝向与所述输出端同向设置，所述共振腔呈阵列排布。

4.如权利要求3所述的脱毛仪，其特征在于，所述共振腔具有第一共振腔和第二共振腔，所述第一共振腔输出的激光波长为810纳米，所述第二共振腔输出的激光波长为850纳米；

所述输出端分别设有多个所述第一共振腔和所述第二共振腔，所述第一共振腔和所述第二共振腔相互交错；或

所述输出端设置多个第一共振腔；或

所述输出端设置多个第二共振腔。

5.如权利要求1所述的脱毛仪，其特征在于，所述输出端与所述出光口间隔设置，自所述出光口输出的激光的发散角为α，所述α满足18°≤α≤25°；

和/或，所述半导体光源输出的激光的照度值为β，所述β≤500Lux。

6.如权利要求1所述的脱毛仪，其特征在于，所述外壳上设置有控制开关，所述控制开关与所述PCB板连接。

7.如权利要求1所述的脱毛仪，其特征在于，所述脱毛仪还包括散热件，所述散热件邻近所述半导体光源设置。

8.如权利要求7所述的脱毛仪，其特征在于，所述散热件的材质为陶瓷，所述外壳对应所述散热件设置有散热格栅。

9.如权利要求1所述的脱毛仪，其特征在于，所述脱毛仪还包括滤光盖，所述滤光盖封盖于所述出光口。

10.如权利要求1至9中任意一项所述的脱毛仪，其特征在于，所述脱毛仪还包括电池，所述电池设于所述外壳内，所述PCB板与所述电池电连接；

和/或，所述外壳设有用于电连接于外部电源的接电口，所述PCB板与所述接电口电连接。