CN116454169A - 制备太阳电池的方法和太阳电池 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了制备太阳电池的方法和太阳电池，所述方法包括：提供单晶硅片；在单晶硅片相对的两侧分别形成第一非晶钝化层、第二非晶钝化层；在第一非晶钝化层远离所述单晶硅片的一侧形成N型掺杂层；在第二非晶钝化层远离单晶硅片的一侧形成P型纳米晶种子层，形成P型纳米晶种子层的反应气体包括硅烷、氢气、掺杂剂，掺杂剂包括乙硼烷、三甲基硼烷、二氧化碳的至少一种；在P型纳米晶种子层远离第二非晶钝化层的一侧形成P型纳米晶掺杂层。由此，由该方法所制备的P型纳米晶种子层可以诱导P型纳米晶掺杂层晶化，大幅度提升了电池的填充因子，有效的提高了电池的转换效率。

Description

制备太阳电池的方法和太阳电池
技术领域
本发明属于太阳电池领域，具体涉及制备太阳电池的方法和太阳电池。
背景技术
能源一直是人类赖以生存和发展的重要物质基础，光伏作为新兴低碳能源，产业规模已不断扩大化。太阳能电池为了追求更高的光电转换效率(简称效率)，其更新迭代也十分迅速，其中，HJT太阳能电池(Silicon Heterojunction solar cell，硅异质结太阳能电池，简称异质结太阳能电池)具有结构对称、低温制备工艺、高开路电压、温度特性好、薄硅片化等优势，属于新一代晶硅太阳电池产品之一。众所周知，提效降本一直是太阳能电池行业永恒不变的目标追求，提效可以通过提升电池片转换效率或者提升组件发电功率。然而，现有的太阳电池存在电池转换效率较低的问题。
因此，有必要对太阳电池进行改进。
发明内容
本发明是基于发明人对以下事实和问题的发现和认识所做出的。
太阳能电池的转换效率＝(开路电压*短路电流*填充因子)/(电池面积*光照幅度)*100％，太阳能电池的转换效率和填充因子(FF)成正比。
硅异质结纳米晶电池包括P型纳米晶种子层，现有的P型纳米晶种子层的制作过程中，仅采用硅烷、氢气作为反应气体，制备得到的硅异质结纳米晶电池填充因子(FF)非常低，是制约电池片效率提升的一大障碍。
为改善上述技术问题，本发明提供一种制备太阳电池的方法，所述方法包括：提供单晶硅片；在所述单晶硅片相对的两侧分别形成第一非晶钝化层、第二非晶钝化层；在所述第一非晶钝化层远离所述单晶硅片的一侧形成N型掺杂层；在所述第二非晶钝化层远离所述单晶硅片的一侧形成P型纳米晶种子层，形成P型纳米晶种子层的反应气体包括硅烷、氢气、掺杂剂，其中，所述掺杂剂包括乙硼烷(B2H6)、三甲基硼烷(C3H9B)、二氧化碳(CO2)的至少一种；在所述P型纳米晶种子层远离所述第二非晶钝化层的一侧形成P型纳米晶掺杂层。由此，由该方法所制备的P型纳米晶种子层可以诱导P型纳米晶掺杂层晶化，大幅度提升了电池的填充因子，在不影响其他电性能参数的情况下提高了电池的转换效率。
根据本发明的实施例，所述方法满足以下条件的至少之一：当所述掺杂剂包括乙硼烷时，所述乙硼烷的流量与所述硅烷的流量的百分比为0.1～15％；当所述掺杂剂包括三甲基硼烷时，所述三甲基硼烷的流量与所述硅烷的流量的百分比为0.1～15％；当所述掺杂剂包括二氧化碳时，所述二氧化碳的流量与所述硅烷的流量的百分比为10～500％。由此，可以进一步提升电池的填充因子和转换效率。
根据本发明的实施例，所述P型纳米晶种子层是通过等离子体增强化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法、化学气相沉积法中的任意一种形成的。
根据本发明的实施例，形成所述P型纳米晶种子层时，衬底温度为150～250℃，工艺腔压力为100～600Pa，功率为0.5～10kw。
根据本发明的实施例，所述P型纳米晶种子层的厚度为0.3～1nm。
根据本发明的实施例，所述方法满足以下条件的至少一种：所述单晶硅片为N型单晶硅片或P型单晶硅片；所述单晶硅片的厚度为50～300μm；所述第一非晶钝化层、所述第二非晶钝化层彼此独立地选自本征非晶硅层、本征非晶硅氧层、本征非晶硅碳层中的任意一种；所述第一非晶钝化层的形成方式、所述第二非晶钝化层的形成方式彼此独立地选自等离子体增强化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法、化学气相沉积法中的任意一种；所述第一非晶钝化层的厚度、所述第二非晶钝化层的厚度彼此独立地选自5～10nm；形成所述第一非晶钝化层、形成所述第二非晶钝化层时，衬底温度为150～250℃，工艺腔压力为10～400Pa。
根据本发明的实施例，所述方法满足以下条件的至少一种：所述N型掺杂层为N型非晶硅层、N型非晶硅氧层、N型纳米晶硅氧层中的任意一种；所述N型掺杂层是通过等离子体增强化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法、化学气相沉积法中的任意一种形成的；形成所述N型掺杂层的反应气体包括PH3和硅烷，所述PH3的流量与所述硅烷的流量百分比为1～10％，衬底温度为150～250℃，工艺腔压力为50～600Pa，功率为0.2～10kw；所述N型掺杂层的厚度为5～25nm；所述P型纳米晶掺杂层是通过等离子体增强化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法、化学气相沉积法中的任意一种形成的；形成所述P型纳米晶掺杂层的反应气体包括B2H6和硅烷，所述B2H6的流量与所述硅烷的流量的百分比为0.1～10％，衬底温度为150～250℃，工艺腔压力为100～600Pa，功率为0.5～10kw；所述P型纳米晶掺杂层的厚度为15～35nm。
根据本发明的实施例，在形成P型纳米晶掺杂层之后，所述方法还包括：在所述N型掺杂层远离所述第一非晶钝化层的一侧形成第一透明导电层；在所述P型纳米晶掺杂层远离P型纳米晶种子层的一侧形成第二透明导电层；在所述第一透明导电层远离所述N型掺杂层的一侧形成第一金属栅线电极；在所述第二透明导电层远离所述P型纳米晶掺杂层的一侧形成第二金属栅线电极。
根据本发明的实施例，所述方法满足以下条件的至少一种：所述第一透明导电层的形成方式、所述第二透明导电层的形成方式彼此独立地选自物理气相沉积法、化学气相沉积法中的任意一种；所述第一透明导电层、所述第二透明导电层的厚度彼此独立地选自70～100nm；形成所述第一透明导电层的材料、形成所述第二透明导电层的材料彼此独立地选自氧化铟掺锡、氧化铟掺钨、氧化铟掺铯、氧化锌掺铝中的至少一种；所述第一金属栅线电极、所述第二金属栅线电极彼此独立地选自银电极、银包铜电极、电镀铜电极中的任意一种；所述第一金属栅线电极的形成方式、所述第二金属栅线电极的形成方式彼此独立地选自丝网印刷、蒸镀、磁控溅射、喷墨打印、电镀、激光转印中的任意一种。
本发明还提供一种太阳电池，所述太阳电池是由前文所述的方法制备得到的。由此，该太阳电池具有前文所述的方法所具有的全部特征和优点，在此不再赘述。此外，该方法还具有操作简单、生产成本低的优点。
附图说明
图1是本发明一个实施例中，制备太阳电池的方法流程图；
图2是本发明一个实施例中，太阳电池的结构示意图；
图3是本发明另一个实施例中，制备太阳电池的方法流程图；
图4是本发明另一个实施例中，太阳电池的结构示意图。
附图标记说明
100-单晶硅片，200-第一非晶钝化层，300-第二非晶钝化层，400-N型掺杂层，500-P型纳米晶种子层，600-P型纳米晶掺杂层，700-第一透明导电层，800-第二透明导电层，900-第一金属栅线电极，1000-第二金属栅线电极。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
本发明提供一种制备太阳电池的方法，参考图1和图2，所述方法包括：
S100、提供单晶硅片100；
根据本发明的实施例，所述单晶硅片100为N型单晶硅片或P型单晶硅片。
根据本发明的实施例，所述单晶硅片100的厚度为50～300μm，例如50μm、100μm、150μm、200μm、250μm、300μm。
根据本发明的一些实施例，所述方法还包括对单晶硅片进行清洗和双面化学抛光的步骤，以去除硅片表面的油渍、去除切割损伤层，形成洁净的金字塔陷光结构。
S200、在所述单晶硅片100相对的两侧分别形成第一非晶钝化层200、第二非晶钝化层300；
根据本发明的实施例，第一非晶钝化层200、第二非晶钝化层300彼此独立地选自a-Si：H(i)(本征非晶硅层)、a-SiOx：H(i)(本征非晶硅氧层)、a-SiCx：H(i)(本征非晶硅碳层)中的任意一种。
根据本发明的实施例，第一非晶钝化层200的形成方式、第二非晶钝化层300的形成方式彼此独立地选自等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)、热丝化学气相沉积法(HWCVD)、化学气相沉积法(CVD)中的任意一种。
根据本发明的实施例，第一非晶钝化层200的厚度、第二非晶钝化层300的厚度彼此独立地选自5～10nm，例如5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm。
根据本发明的实施例，形成第一非晶钝化层200、形成第二非晶钝化层300时，衬底温度为150～250℃(例如150℃、200℃、250℃)，工艺腔压力为10～400Pa(例如10Pa、30Pa、120Pa、400Pa)。
S300、在所述第一非晶钝化层200远离所述单晶硅片100的一侧形成N型掺杂层400；
根据本发明的实施例，N型掺杂层400为a-Si：H(n)(N型非晶硅层)、a-SiOx：H(n)(N型非晶硅氧层)、μc-SiOx：H(n)(N型纳米晶硅氧层)中的任意一种。
根据本发明的实施例，N型掺杂层400是通过等离子体增强化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法、化学气相沉积法中的任意一种形成的。
根据本发明的实施例，形成N型掺杂层400的反应气体包括PH3和硅烷，所述PH3的流量与所述硅烷的流量百分比为1～10％(例如1％、5％、10％)，衬底温度为150～250℃(例如150℃、200℃、250℃)，工艺腔压力为50～600Pa(例如50Pa、400Pa、600Pa)，功率为0.2～10kw(例如0.2kw、4kw、10kw)。
根据本发明的实施例，N型掺杂层400的厚度为5～25nm，例如5nm、10nm、15nm、20nm、25nm。
S400、在所述第二非晶钝化层300远离所述单晶硅片100的一侧形成P型纳米晶种子层500，形成P型纳米晶种子层500的反应气体包括硅烷、氢气、掺杂剂，其中，所述掺杂剂包括乙硼烷、三甲基硼烷、二氧化碳的至少一种；
本发明方法通过在制备P型纳米晶种子层500的步骤中加入掺杂剂，可以诱导P型纳米晶掺杂层600晶化，大幅度提升了电池的填充因子，在不影响其他电性能参数的情况下提高了电池的转换效率。
根据本发明的实施例，所述方法满足以下条件的至少之一：当掺杂剂包括乙硼烷时，乙硼烷的流量与硅烷的流量的百分比为0.1～15％，例如0.1％、1％、2％、3％、4％、5％、6％、7％、8％、9％、10％、11％、12％、13％、14％、15％；当掺杂剂包括三甲基硼烷时，三甲基硼烷的流量与硅烷的流量的百分比为0.1～15％，例如0.1％、1％、2％、3％、4％、5％、6％、7％、8％、9％、10％、11％、12％、13％、14％、15％；当掺杂剂包括二氧化碳时，二氧化碳的流量与硅烷的流量的百分比为10～500％，例如10％、50％、100％、200％、300％、400％、500％。由此，当掺杂剂的含量在上述范围内时，一方面可以通过改善功函数匹配，来改善掺杂层和本征层的接触，另一方面可以诱导P型纳米晶掺杂层晶化，提高电池的填充因子，进而提高电池的转换效率。如果掺杂剂的含量过小，起不到改善功函数匹配，改善接触的效果。如果掺杂剂的含量过大，不利于P型纳米晶掺杂层晶化。
根据本发明的实施例，P型纳米晶种子层500是通过等离子体增强化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法、化学气相沉积法中的任意一种形成的。
根据本发明的实施例，形成P型纳米晶种子层500时，衬底温度为150～250℃(例如150℃、200℃、250℃)，工艺腔压力为100～600Pa(例如100Pa、300Pa、600Pa)，功率为0.5～10kw(例如0.5kw、3kw、10kw)。
根据本发明的实施例，P型纳米晶种子层500的厚度为0.3～1nm，例如0.3nm、0.4nm、0.5nm、0.6nm、0.7nm、0.8nm、0.9nm、1nm。
S500、在所述P型纳米晶种子层500远离所述第二非晶钝化层300的一侧形成P型纳米晶掺杂层600。
根据本发明的实施例，P型纳米晶掺杂层600是通过等离子体增强化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法、化学气相沉积法中的任意一种形成的。
根据本发明的实施例，形成P型纳米晶掺杂层600的反应气体包括B2H6和硅烷，所述B2H6的流量与所述硅烷的流量的百分比为0.1～10％(例如0.1％、5％、10％)，衬底温度为150～250℃(例如150℃、200℃、250℃)，工艺腔压力为100～600Pa(例如100Pa、400Pa、600Pa)，功率为0.5～10kw(例如0.5kw、6kw、10kw)。
根据本发明的实施例，P型纳米晶掺杂层600的厚度为15～35nm，例如15nm、20nm、25nm、30nm、35nm。
根据本发明的实施例，在形成P型纳米晶掺杂层600之后，参考图3和图4，所述方法还包括：
S600、在所述N型掺杂层400远离所述第一非晶钝化层200的一侧形成第一透明导电层700；
根据本发明的实施例，第一透明导电层700的形成方式选自物理气相沉积法(PVD)、化学气相沉积法(CVD)中的任意一种，物理气相沉积法包括真空蒸发、溅射、脉冲激光、离子镀中的任意一种。
根据本发明的实施例，第一透明导电层700的厚度选自70～100nm，例如70nm、80nm、90nm、100nm。
根据本发明的实施例，形成第一透明导电层700的材料选自ITO(氧化铟掺锡)、IWO(氧化铟掺钨)、ICO(氧化铟掺铯)、AZO(氧化锌掺铝)中的至少一种。
S700、在所述P型纳米晶掺杂层600远离P型纳米晶种子层500的一侧形成第二透明导电层800；
根据本发明的实施例，第二透明导电层800的形成方式选自物理气相沉积法、化学气相沉积法中的任意一种。
根据本发明的实施例，第二透明导电层800的厚度选自70～100nm，例如70nm、80nm、90nm、100nm。
根据本发明的实施例，形成第二透明导电层800的材料选自氧化铟掺锡、氧化铟掺钨、氧化铟掺铯、氧化锌掺铝中的至少一种。
S800、在所述第一透明导电层700远离所述N型掺杂层400的一侧形成第一金属栅线电极900；
根据本发明的实施例，第一金属栅线电极900选自银电极、银包铜电极、电镀铜电极中的任意一种。
根据本发明的实施例，第一金属栅线电极900的形成方式选自丝网印刷、蒸镀、磁控溅射、喷墨打印、电镀、激光转印中的任意一种。
根据本发明的实施例，第一金属栅线电极900包括细栅和主栅，细栅的高度为5-50μm(例如5μm、18μm、50μm)、细栅的宽度为10-100μm(例如10μm、48μm、100μm)，主栅的高度为5-50μm(例如5μm、40μm、50μm)、主栅的宽度为50-150μm(例如50μm、100μm、150μm)。
S900、在所述第二透明导电层800远离所述P型纳米晶掺杂层600的一侧形成第二金属栅线电极1000。
根据本发明的实施例，第二金属栅线电极1000选自银电极、银包铜电极、电镀铜电极中的任意一种。
根据本发明的实施例，第二金属栅线电极1000的形成方式选自丝网印刷、蒸镀、磁控溅射、喷墨打印、电镀、激光转印中的任意一种。
根据本发明的实施例，第二金属栅线电极1000包括细栅和主栅，细栅的高度为5-50μm(例如5μm、18μm、50μm)、细栅的宽度为10-100μm(例如10μm、48μm、100μm)，主栅的高度为5-50μm(例如5μm、40μm、50μm)、主栅的宽度为50-150μm(例如50μm、100μm、150μm)。
本发明还提供一种太阳电池，所述太阳电池是由前文所述的方法制备得到的。由此，该太阳电池具有前文所述的方法所具有的全部特征和优点，在此不再赘述。
下面参考具体实施例，对本发明进行描述，需要说明的是，这些实施例仅仅是描述性的，而不以任何方式限制本发明。
实施例1
按照以下步骤制备太阳电池：
1.提供单晶硅片100：单晶硅片预清洗后进行双面化学抛光，去除硅片表面的油渍、去除切割损伤层，形成洁净的金字塔陷光结构，以得到单晶硅片100，单晶硅片100的厚度为150μm；
2.制备第一非晶钝化层200、第二非晶钝化层300：采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)在单晶硅片100的正反面分别沉积本征非晶硅基钝化层和本征非晶硅基钝化层，在单晶硅片100的正反面分别形成第一非晶钝化层200、第二非晶钝化层300，第一非晶钝化层200和第二非晶钝化层300的厚度为10nm，衬底温度为200℃，工艺腔压力为30-120Pa；
3.制备N型掺杂层400：采用PECVD在第一非晶钝化层200上沉积N型掺杂层400，N型掺杂层400为μc-SiOx：H(n)(N型纳米晶硅氧层)，N型掺杂层400的厚度为25nm，通入PH3和硅烷，所述PH3的流量与所述硅烷的流量百分比为5％，衬底温度为200℃，工艺腔压力为400Pa，功率为4kw；
4.制备P型纳米晶种子层500：采用PECVD法(化学气相沉积法)，在第二非晶钝化层300上沉积P型纳米晶种子层500，P型纳米晶种子层500的厚度为0.5nm，通入硅烷、氢气和掺杂剂，掺杂剂为CO2，CO2的流量与硅烷的流量的百分比为200％，衬底温度为200℃，工艺腔压力为300Pa，功率为3kw；
5.制备P型纳米晶掺杂层600：采用PECVD法(化学气相沉积法)，在第二非晶钝化层300上沉积P型纳米晶掺杂层600，P型纳米晶掺杂层600为μc-Si：H(p+)(P型纳米晶硅层)，P型纳米晶掺杂层600的厚度为30nm，反应气体包括B2H6和硅烷，B2H6的流量与硅烷的流量的百分比为10％，衬底温度为200℃，工艺腔压力为400Pa，功率为6kw；
6.制备第一透明导电层700、第二透明导电层800：采用PVD方法(物理气相沉积法)，在N型掺杂层400和P型纳米晶掺杂层600上分别沉积第一透明导电层700和第二透明导电层800，第一透明导电层700、第二透明导电层800的厚度为80nm；
7.制备第一金属栅线电极900和第二金属栅线电极1000：在第一透明导电层700和第二透明导电层800上采用丝网印刷方式分别制备第一金属栅线电极900和第二金属栅线电极1000，第一金属栅线电极900和第二金属栅线电极1000采用银浆材料，第一金属栅线电极900和第二金属栅线电极1000均包括细栅和主栅，细栅的高度均为18μm，细栅的宽度均为48μm，主栅的高度均为40μm，主栅的宽度均为100μm。
实施例2
参照实施例1的方法制备太阳电池，其它步骤与实施例1相同，不同之处在于：实施例2中的第4步在制备P型纳米晶种子层500时，通入硅烷、氢气和掺杂剂，掺杂剂为B2H6，B2H6的流量与硅烷的流量的百分比为10％。
实施例3
参照实施例1的方法制备太阳电池，其它步骤与实施例1相同，不同之处在于：实施例3中的第4步在制备P型纳米晶种子层500时，通入硅烷、氢气和掺杂剂，掺杂剂为三甲基硼烷(C3H9B)，C3H9B的流量与硅烷的流量的百分比为10％。
实施例4
参照实施例1的方法制备太阳电池，其它步骤与实施例1相同，不同之处在于：实施例4中的第4步在制备P型纳米晶种子层500时，通入硅烷、氢气和掺杂剂，掺杂剂为CO2和B2H6，CO2的流量与硅烷的流量的百分比为200％，B2H6的流量与硅烷的流量的百分比为10％。
对比例1
参照实施例1的方法制备太阳电池，其它步骤与实施例1相同，不同之处在于：对比例1中的第4步在制备P型纳米晶种子层500时，通入硅烷和氢气，不通入掺杂剂。
按照实施例1-4和对比例1的方法制备多个太阳电池，对实施例1-4和对比例1的方法制备得到的太阳电池采用IV测试仪进行电性能测试，测试结果见下表1。
表1
其中，Eff是指电池的转换效率，Max-Eff是指多个相同结构的太阳电池中、电池转换效率的最大值，Voc指电池的开路电压，Isc指电池的短路电流，FF指电池的填充因子。
实施例1-4在制备P型纳米晶种子层500时，通入了掺杂剂，对比例1在制备P型纳米晶种子层500时，未通入掺杂剂，由表1可知，实施例1-4电池的FF、Eff高于对比例1电池的FF、Eff，其它的电性能参数相近，说明在制备P型纳米晶种子层500时通入掺杂剂，可以在确保产品质量和其他电性能参数无影响的前提下，提升电池的填充因子以达到提升电池转换效率的目的。实施例1、实施例2、实施例3中仅通入了一种掺杂剂，实施例4中通入了两种掺杂剂，实施例4电池的FF、Eff高于实施例1-3电池的FF、Eff，说明当通入的掺杂剂种类增加时，可以进一步提高电池的填充因子和转换效率。
需要说明的是，本说明书中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。术语“上”、“下”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“另一个实施方式”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种制备太阳电池的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供单晶硅片；
在所述单晶硅片相对的两侧分别形成第一非晶钝化层、第二非晶钝化层；
在所述第一非晶钝化层远离所述单晶硅片的一侧形成N型掺杂层；
在所述第二非晶钝化层远离所述单晶硅片的一侧形成P型纳米晶种子层，形成P型纳米晶种子层的反应气体包括硅烷、氢气、掺杂剂，其中，所述掺杂剂包括乙硼烷、三甲基硼烷、二氧化碳的至少一种；
在所述P型纳米晶种子层远离所述第二非晶钝化层的一侧形成P型纳米晶掺杂层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法满足以下条件的至少之一：
当所述掺杂剂包括乙硼烷时，所述乙硼烷的流量与所述硅烷的流量的百分比为0.1～15％；
当所述掺杂剂包括三甲基硼烷时，所述三甲基硼烷的流量与所述硅烷的流量的百分比为0.1～15％；
当所述掺杂剂包括二氧化碳时，所述二氧化碳的流量与所述硅烷的流量的百分比为10～500％。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型纳米晶种子层是通过等离子体增强化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法、化学气相沉积法中的任意一种形成的。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述P型纳米晶种子层时，衬底温度为150～250℃，工艺腔压力为100～600Pa，功率为0.5～10kw。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型纳米晶种子层的厚度为0.3～1nm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法满足以下条件的至少一种：
所述单晶硅片为N型单晶硅片或P型单晶硅片；
所述单晶硅片的厚度为50～300μm；
所述第一非晶钝化层、所述第二非晶钝化层彼此独立地选自本征非晶硅层、本征非晶硅氧层、本征非晶硅碳层中的任意一种；
所述第一非晶钝化层的形成方式、所述第二非晶钝化层的形成方式彼此独立地选自等离子体增强化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法、化学气相沉积法中的任意一种；
所述第一非晶钝化层的厚度、所述第二非晶钝化层的厚度彼此独立地选自5～10nm；
形成所述第一非晶钝化层、形成所述第二非晶钝化层时，衬底温度为150～250℃，工艺腔压力为10～400Pa。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法满足以下条件的至少一种：
所述N型掺杂层为N型非晶硅层、N型非晶硅氧层、N型纳米晶硅氧层中的任意一种；
所述N型掺杂层是通过等离子体增强化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法、化学气相沉积法中的任意一种形成的；
形成所述N型掺杂层的反应气体包括PH3和硅烷，所述PH3的流量与所述硅烷的流量百分比为1～10％，衬底温度为150～250℃，工艺腔压力为50～600Pa，功率为0.2～10kw；
所述N型掺杂层的厚度为5～25nm；
所述P型纳米晶掺杂层是通过等离子体增强化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法、化学气相沉积法中的任意一种形成的；
形成所述P型纳米晶掺杂层的反应气体包括B2H6和硅烷，所述B2H6的流量与所述硅烷的流量的百分比为0.1～10％，衬底温度为150～250℃，工艺腔压力为100～600Pa，功率为0.5～10kw；
所述P型纳米晶掺杂层的厚度为15～35nm。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成P型纳米晶掺杂层之后，所述方法还包括：
在所述N型掺杂层远离所述第一非晶钝化层的一侧形成第一透明导电层；
在所述P型纳米晶掺杂层远离P型纳米晶种子层的一侧形成第二透明导电层；
在所述第一透明导电层远离所述N型掺杂层的一侧形成第一金属栅线电极；
在所述第二透明导电层远离所述P型纳米晶掺杂层的一侧形成第二金属栅线电极。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法满足以下条件的至少一种：
所述第一透明导电层的形成方式、所述第二透明导电层的形成方式彼此独立地选自物理气相沉积法、化学气相沉积法中的任意一种；
所述第一透明导电层、所述第二透明导电层的厚度彼此独立地选自70～100nm；
形成所述第一透明导电层的材料、形成所述第二透明导电层的材料彼此独立地选自氧化铟掺锡、氧化铟掺钨、氧化铟掺铯、氧化锌掺铝中的至少一种；
所述第一金属栅线电极、所述第二金属栅线电极彼此独立地选自银电极、银包铜电极、电镀铜电极中的任意一种；
所述第一金属栅线电极的形成方式、所述第二金属栅线电极的形成方式彼此独立地选自丝网印刷、蒸镀、磁控溅射、喷墨打印、电镀、激光转印中的任意一种。
10.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池是由权利要求1-9任一项所述的方法制备得到的。
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