CN116454028A - 一种高效散热的igbt模块及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种高效散热的IGBT模块，包括下金属板，下金属板的上板面依次铺设绝缘层、上金属板，多个芯片分别通过烧结层与上金属板连接；还包括将绝缘层、上金属板、芯片包裹的罩体，罩体与下金属板固接于一体，下金属板的下板面置于罩体外，下金属板的下板面设有散热结构；罩体上还设有信号端子口和功率端子口，信号端子口和功率端子口分别穿装有信号端子和功率端子，信号端子和功率端子一端分别伸入罩体内与上金属板连接；各芯片通过多个键合线与上金属板电连接。通过上述设计可以降低IGBT模块中的不同材料的不同热膨胀系数（CTE）带来的影响，从而避免器件分层和器件失效，延长IGBT模块使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及IGBT 模块散热技术领域，尤其是涉及一种高效散热的IGBT模块及其制备方法。
背景技术
每年在工业应用或电动车辆中使用数百万个千瓦范围或以上的IGBT模块。此类模块广泛应用于电动汽车的逆变器、电梯、风扇控制器等工业应用的驱动器中。这些IGBT模块必须每秒有效地打开和关闭1000次，预期寿命为10至30年。目前，每年约有1000万台此类IGBT模块正在生产。随着模块的广泛使用，客户对产品的可靠性水平要求也提高。高效冷却和尽量少的机械连接设计（焊料、烧结或焊接接头）是实现高可靠性和寿命的关键因素。
图4为现有技术的IGBT模块内部结构侧视图，它包芯片94，芯片94通过烧结层与上金属板93连接，上金属板93下表面与绝缘层92连接，绝缘层92下表面与下金属板91连接。下金属板91通过烧结层与金属底板95连接，金属底板95下表面与散热结构96连接。
IGBT 模块的主要问题是金属底板和下金属板之间的焊料或烧结层的老化。特别是在火车、公共汽车或汽车等电动车辆的牵引应用中，IGBT模块要进行多次加速和减速的运行，在此过程中模块会发生在寿命期内累积循环数百万次的强烈的温度循环。因IGBT模块中使用的材料具有不同的热膨胀系数（CTE），会对焊料或烧结层造成应力，最终导致模块分层和器件失效，现今虽可以根据芯片的型号调整金属部件的CTE，选择适当的金属板材料。但是在大多数情况下，下金属板与金属底板（铜、铝或AlSiC）的CTE失配仍然很严重，并且焊料或烧结接合面积大，应力依然很高，仍然会造成器件失效。
因此，针对上述问题本发明急需提供一种高效散热的IGBT模块及其制备方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高效散热的IGBT模块及其制备方法，解决现有IGBT模块冷却效率低，下金属板与金属底板（铜、铝或AlSiC）的CTE失配，造成器件失效问题。
一种高效散热的IGBT模块，包括下金属板，下金属板的上板面依次铺设绝缘层、上金属板，多个芯片分别通过烧结层与上金属板连接；
还包括将绝缘层、上金属板、芯片包裹的罩体，罩体与下金属板固接于一体，下金属板的下板面置于罩体外，下金属板的下板面设有散热结构；
罩体上还设有信号端子口和功率端子口，信号端子口和功率端子口分别穿装有信号端子和功率端子，信号端子和功率端子一端分别伸入罩体内与上金属板连接；各芯片通过多个键合线与上金属板电连接。
优选的，散热结构为呈波纹状的金属散热带。
优选的，金属散热带采用金属韧性材料制备。
优选的，金属韧性材料包括铝或铜中的至少一种。
优选的，绝缘层的材料包括氮化铝、氧化铝或氮化硅中的至少一种。
优选的，罩体的材料包括玻璃纤维增强塑料或模塑料中的至少一种。
优选的，下金属板与散热结构的连接方式为焊接、键合或烧结的中的一种。
优选的，信号端子和功率端子分别与上金属板的连接方式为焊接、键合或烧结中的一种。
优选的，罩体为长方体，罩体的尺寸为（45-65）mm x（85-105）。
本发明提供还提供了一种如上述中任一项所述的高效散热的IGBT模块的制备方法，包括如下步骤：
通过绝缘层将上金属板粘结于下金属板的上板面；将多个芯片通过烧结层粘附于上金属板上板面，通过键合线将各芯片与上金属板电连接，将信号端子和功率端子一端与上金属板连接，获得预制件；
将预制件放入模具中，在模具中浇注液态的玻璃纤维增强塑料或模塑料中，固化后，获得IGBT模块，其中下金属板部分裸露于罩体外；
将散热结构与裸露于罩体外的下金属板连接，获得高效散热的IGBT模块。
本发明提供的一种高效散热的IGBT模块及其制备方法与现有技术相比具有以下进步：
1、将散热结构直接连接于下金属板底部，利用罩体机械加固下金属板,使得下金属板稳固，进而保证下金属板稳固，以抵抗来自散热结构的压力峰值，并保护芯片免受环境影响。
2、这种直接冷却方式可避免大面积焊接，并且散热结构直接连接于下金属板底部，节省了原有结构中的金属底板和烧结层（如背景技术中所述），进而可减少或消除由于金属底板、烧结层与芯片的热膨胀系数不同，影响IGBT模块使用寿命的技术问题，有效的延长IGBT模块使用寿命，有效避免器件分层和器件失效。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明中所述高效散热的IGBT模块内部结构示意图（正视图）；
图2为本发明中所述高效散热的IGBT模块结构示意图（立体图）；
图3为本发明中所述高效散热的IGBT模块结构示意图（立体图）；
图4为现有技术的IGBT模块内部结构（侧视图）。
附图标记说明：
下金属板；2、绝缘层；3、上金属板；4、芯片；5、罩体；51、信号端子；52、功率端子；6、散热结构；7、键合线；91、下金属板；92、绝缘层；93、上金属板；94、芯片；95、金属底板；96、散热结构。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
如图1至图3所示，本实施例提供的一种高效散热的IGBT模块，包括下金属板1，下金属板1的上板面依次铺设绝缘层2、上金属板3，多个芯片4分别通过烧结层与上金属板3连接；还包括将绝缘层2、上金属板3、芯片4包裹的罩体5，罩体5与下金属板1固接于一体，下金属板1的下板面置于罩体5外，下金属板1的下板面设有散热结构6；罩体5上还设有信号端子口和功率端子口，信号端子口和功率端子口分别穿装有信号端子51和功率端子52，信号端子51和功率端子52一端分别伸入罩体5内与上金属板3连接；各芯片4通过多个键合线7与上金属板3电连接。
本发明通过上述结构设计,将散热结构6直接连接于下金属板1底部，利用罩体5机械加固下金属板1,使得下金属板1稳固，进而保证下金属板1稳固，以抵抗来自散热结构6的压力峰值，并保护芯片4免受环境影响，并且散热结构6直接连接于下金属板1底部，节省了原有结构中的金属底板95和烧结层（如背景技术中所述），进而可减少或消除由于金属底板95、烧结层与芯片4的热膨胀系数不同，影响IGBT模块使用寿命的技术问题，有效的延长IGBT模块使用寿命，有效避免器件分层和器件失效。
本实施例的散热结构6为呈波纹状的金属散热带。
本发明通过上述结构设计，将散热机构6制备成波纹状，增大与空气的接触面积，使得散热效率更快。
具体地，金属散热带采用金属韧性材料制备，采用金属韧性材料有助于将散热机构6制备成波纹状，增加散热面积；能充分接触流过的空气或充分浸泡在冷却液中，使得散热效果更佳。
具体地，金属韧性材料包括铝或铜中的至少一种；采用铝或铜材质作为金属散热带，散热效果好。
本实施例的绝缘层2的材料包括氮化铝、氧化铝或氮化硅中的至少一种；采用氮化铝、氧化铝或氮化硅作为绝缘材料，耐磨损，硬度大，绝缘效果好。
本实施例的罩体5的材料包括玻璃纤维增强塑料或模塑料中的至少一种。
本发明通过上述结构设计将罩体5和下金属板1通过注塑一体成型，无需胶水粘接，使得罩体5和下金属板1结合的更加牢固，提高下金属板1的稳固性，以抵抗来自散热结构6的压力峰值，使用寿命更长久。
本实施例的下金属板1与散热结构6的连接方式为焊接、键合或烧结的中的一种，可以根据具体工艺要求，选择合适的连接方式。
本实施例的信号端子51和功率端子52分别与上金属板3的连接方式为焊接、键合或烧结中的一种，可以根据具体工艺要求，选择合适的连接方式。
本发明的下金属板1与散热结构6不限于一种连接方式，信号端子51和功率端子52与上金属板3不限于一种连接方式，制作工艺简单。
具体地，罩体5为长方体，罩体5的尺寸为（45-65）mm x（85-105）mm。
本发明提供还提供了一种高效散热的IGBT模块的制备方法，包括如下步骤：
S1)通过绝缘层2将上金属板3粘结于下金属板1的上板面；将多个芯片4通过烧结层粘附于上金属板3上板面，通过键合线7将各芯片与上金属板3电连接，将信号端子51和功率端子52一端与上金属板3连接，获得预制件；
S2)将预制件放入模具中，在模具中浇注液态的玻璃纤维增强塑料或模塑料，固化后，获得IGBT模块，其中下金属板1部分裸露于罩体外；
S3）将散热结构6与裸露于罩体5外的下金属板1连接，获得高效散热的IGBT模块。
本实施例通过上述设计实现罩体1包裹绝缘层2、上金属板3和芯片4，保护芯片4免受环境影响，且利用罩体5机械支撑上金属板3，将散热结构6直接连接于下金属板1底部，利用罩体5机械加固下金属板1,使得下金属板1稳固，进而保证下金属板1稳固，以抵抗来自散热结构6的压力峰值，并保护芯片4免受环境影响，并且散热结构6直接连接于下金属板1底部，节省了原有结构中的金属底板95和烧结层（如背景技术中所述），且散热结构6为波纹状，可以扩大散热面积，提高散热效率，进而可减少或消除由于金属底板95、烧结层与芯片94的热膨胀系数不同，影响IGBT模块使用寿命的技术问题，有效的延长IGBT模块使用寿命，有效避免器件分层和器件失效。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种高效散热的IGBT模块，其特征在于：包括下金属板（1），下金属板（1）的上板面依次铺设绝缘层（2）、上金属板（3），多个芯片（4）分别通过烧结层与上金属板（3）连接；
还包括将绝缘层（2）、上金属板（3）、芯片（4）包裹的罩体（5），罩体（5）与下金属板（1）固接于一体，下金属板（1）的下板面置于罩体（5）外，下金属板（1）的下板面设有散热结构（6）；
罩体（5）上还设有信号端子口和功率端子口，信号端子口和功率端子口分别穿装有信号端子（51）和功率端子（52），信号端子（51）和功率端子（52）一端分别伸入罩体（5）内与上金属板（3）连接；
各芯片（4）通过多个键合线（7）与上金属板（3）电连接。
2.根据权利要求1所述的高效散热的IGBT模块，其特征在于：散热结构（6）为呈波纹状的金属散热带。
3.根据权利要求2所述的高效散热的IGBT模块，其特征在于：金属散热带采用金属韧性材料制备。
4.根据权利要求3所述的高效散热的IGBT模块，其特征在于：金属韧性材料包括铝或铜中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的高效散热的IGBT模块，其特征在于：绝缘层（2）的材质包括氮化铝、氧化铝或氮化硅中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的高效散热的IGBT模块，其特征在于：罩体（5）的材质为玻璃纤维增强塑料或模塑料。
7.根据权利要求6所述的高效散热的IGBT模块，其特征在于：下金属板（1）与散热结构（6）的连接方式为焊接、键合或烧结的中的一种。
8.根据权利要求7所述的高效散热的IGBT模块，其特征在于：信号端子（51）和功率端子（52）分别与上金属板（3）的连接方式为焊接、键合或烧结中的一种。
9.根据权利要求8所述的高效散热的IGBT模块，其特征在于，罩体（5）为长方体，罩体（5）的尺寸为（45-65）mm x（85-105）mm。
10.一种如权利要求1-9中任一项所述的高效散热的IGBT模块的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
通过绝缘层（2）将上金属板（3）粘结于下金属板（1）的上板面；将多个芯片（4）通过烧结层粘附于上金属板（3）上板面，通过键合线（7）将各芯片与上金属板（3）电连接，将信号端子（51）和功率端子（52）一端与上金属板（3）连接，获得预制件；
将预制件放入模具中，在模具中浇注液态的玻璃纤维增强塑料或模塑料，固化后，获得IGBT模块，其中下金属板（1）部分裸露于罩体外；
将散热结构（6）与裸露于罩体（5）外的下金属板（1）连接，获得高效散热的IGBT模块。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117637674A (zh) * | 2024-01-03 | 2024-03-01 | 广东巨风半导体有限公司 | 一种igbt模块以及生产方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006013080A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
| US20160254217A1 (en) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | Delta Electronics, Inc. | Package module of power conversion circuit and manufacturing method thereof |
| CN113571484A (zh) * | 2021-08-24 | 2021-10-29 | 无锡利普思半导体有限公司 | 功率模块用连接结构及其制备方法、功率模块 |
| CN114388451A (zh) * | 2022-01-11 | 2022-04-22 | 浙江翠展微电子有限公司 | 一种绝缘型双面散热的新型功率模块 |
| EP4187589A1 (en) * | 2021-11-24 | 2023-05-31 | SwissSEM Technologies AG | Directly cooled power module |
-
2023
- 2023-06-14 CN CN202310701922.4A patent/CN116454028A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006013080A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
| US20160254217A1 (en) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | Delta Electronics, Inc. | Package module of power conversion circuit and manufacturing method thereof |
| CN113571484A (zh) * | 2021-08-24 | 2021-10-29 | 无锡利普思半导体有限公司 | 功率模块用连接结构及其制备方法、功率模块 |
| EP4187589A1 (en) * | 2021-11-24 | 2023-05-31 | SwissSEM Technologies AG | Directly cooled power module |
| CN114388451A (zh) * | 2022-01-11 | 2022-04-22 | 浙江翠展微电子有限公司 | 一种绝缘型双面散热的新型功率模块 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117637674A (zh) * | 2024-01-03 | 2024-03-01 | 广东巨风半导体有限公司 | 一种igbt模块以及生产方法 |
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