CN116441197A - 极耳坏品模切方法以及电池极耳 - Google Patents
极耳坏品模切方法以及电池极耳 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116441197A CN116441197A CN202310437812.1A CN202310437812A CN116441197A CN 116441197 A CN116441197 A CN 116441197A CN 202310437812 A CN202310437812 A CN 202310437812A CN 116441197 A CN116441197 A CN 116441197A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pole piece
- span
- tab
- bad
- difference
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 132
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 23
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 12
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 7
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000013072 incoming material Substances 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B07—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS; SORTING
- B07C—POSTAL SORTING; SORTING INDIVIDUAL ARTICLES, OR BULK MATERIAL FIT TO BE SORTED PIECE-MEAL, e.g. BY PICKING
- B07C5/00—Sorting according to a characteristic or feature of the articles or material being sorted, e.g. by control effected by devices which detect or measure such characteristic or feature; Sorting by manually actuated devices, e.g. switches
- B07C5/34—Sorting according to other particular properties
- B07C5/342—Sorting according to other particular properties according to optical properties, e.g. colour
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B07—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS; SORTING
- B07C—POSTAL SORTING; SORTING INDIVIDUAL ARTICLES, OR BULK MATERIAL FIT TO BE SORTED PIECE-MEAL, e.g. BY PICKING
- B07C5/00—Sorting according to a characteristic or feature of the articles or material being sorted, e.g. by control effected by devices which detect or measure such characteristic or feature; Sorting by manually actuated devices, e.g. switches
- B07C5/36—Sorting apparatus characterised by the means used for distribution
- B07C5/361—Processing or control devices therefor, e.g. escort memory
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M50/00—Constructional details or processes of manufacture of the non-active parts of electrochemical cells other than fuel cells, e.g. hybrid cells
- H01M50/50—Current conducting connections for cells or batteries
- H01M50/531—Electrode connections inside a battery casing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Connection Of Batteries Or Terminals (AREA)
Abstract
本申请提供一种极耳坏品模切方法以及电池极耳。所述包括获取极耳带的极片坏品跨距;将所述极片坏品跨距与预设跨距进行跨极标差处理,得到极坏跨差量;根据所述极坏跨差量向极耳坏品标识系统发送切不良标识启禁信号,以对所述极耳带上的坏品极片进行模切。通过对极片坏品跨距的采集,便于获取极耳带的任意一个存在坏点的极片进行跨距情况,将其与预设跨距进行跨极标差处理,以确定有坏点的极片在其中的具体位置差异,最后根据坏点的位置差异确定此坏点对极片的损坏程度,便于对此有坏点的极片进行不良标记,有效地提高了对不良标识位置的标记精度。
Description
技术领域
本发明涉及电池技术领域,特别是涉及一种极耳坏品模切方法以及电池极耳。
背景技术
锂电池正负极片在经过涂布、分切、焊接极耳工序后,进入卷绕工序,在卷绕机上将正负极片和隔膜卷绕成电芯。目前卷绕机极片的来料一般以卷料的形式存在,在电芯的生产过程中不可避免地会存在极片坏片的情况。
然而,目前在锂电行业裁切工艺均采用模切标记坏品,卷绕识别坏品标识并剔废,例如,申请号为CN201510306325.7的中国专利申请,容易导致模切工序贴不良标识位置精度低,成功率低,卷绕识别不准等问题,从而坏品带来的损失巨大。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中的不足之处,提供一种有效提高对不良标识位置的标记精度的极耳坏品模切方法以及电池极耳。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
一种极耳坏品模切方法,所述方法包括:
获取极耳带的极片坏品跨距;
将所述极片坏品跨距与预设跨距进行跨极标差处理,得到极坏跨差量;
根据所述极坏跨差量向极耳坏品标识系统发送切不良标识启禁信号,以对所述极耳带上的坏品极片进行模切。
在其中一个实施例中,所述获取极耳带的极片坏品跨距,包括:获取所述极耳带的极片坏末间距,所述极片坏末间距为所述极耳带的当前极片的坏点与其末端的跨距。
在其中一个实施例中,所述将所述极片坏品跨距与预设跨距进行跨极标差处理,得到极坏跨差量,包括:求取所述极片坏末间距与预设跨距之间的跨距差,以得到第一跨距差量。
在其中一个实施例中,所述根据所述极坏跨差量向极耳坏品标识系统发送切不良标识启禁信号,以对所述极耳带上的坏品极片进行模切,包括:检测所述第一跨距差量与第一预设差量是否匹配;当所述第一跨距差量与所述第一预设差量匹配时,向所述极耳坏品标识系统发送切端信号,以对所述极耳带的当前极片末端进行模切。
在其中一个实施例中,所述检测所述第一跨距差量与第一预设差量是否匹配,之后还包括:当所述第一跨距差量与所述第一预设差量不匹配时,向所述极耳坏品标识系统发送切不良标识启动信号,以对所述极耳带的坏点后进行标识模切。
在其中一个实施例中,所述当所述第一跨距差量与所述第一预设差量不匹配时,向所述极耳坏品标识系统发送切不良标识启动信号,以对所述极耳带的坏点后进行标识模切,之后还包括:对所述极耳带的极片末端进行端点重置模切。
在其中一个实施例中,所述获取极耳带的极片坏品跨距,包括:获取所述极耳带的极片坏始间距,所述极片坏始间距为所述极耳带的当前极片的坏点与其首端的跨距。
在其中一个实施例中,所述将所述极片坏品跨距与预设跨距进行跨极标差处理,得到极坏跨差量,包括:求取所述极片坏始间距与预设跨距之间的跨距差,以得到第二跨距差量。
在其中一个实施例中,所述根据所述极坏跨差量向极耳坏品标识系统发送切不良标识启禁信号,以对所述极耳带上的坏品极片进行模切,包括:检测所述第二跨距差量与第二预设差量是否匹配;当所述第二跨距差量与所述第二预设差量匹配时,向所述极耳坏品标识系统发送切端信号,以对所述极耳带的极片末端进行模切。
一种电池极耳,包括采用上述任一实施例所述极耳坏品模切方法制备得到。
与现有技术相比,本发明至少具有以下优点:
通过对极片坏品跨距的采集,便于获取极耳带的任意一个存在坏点的极片进行跨距情况,将其与预设跨距进行跨极标差处理,以确定有坏点的极片在其中的具体位置差异,最后根据坏点的位置差异确定此坏点对极片的损坏程度,便于对此有坏点的极片进行不良标记,有效地提高了对不良标识位置的标记精度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为一实施例中极耳坏品模切方法的流程图。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明涉及一种极耳坏品模切方法。在其中一个实施例中,所述极耳坏品模切方法包括获取极耳带的极片坏品跨距;将所述极片坏品跨距与预设跨距进行跨极标差处理,得到极坏跨差量;根据所述极坏跨差量向极耳坏品标识系统发送切不良标识启禁信号,以对所述极耳带上的坏品极片进行模切。通过对极片坏品跨距的采集,便于获取极耳带的任意一个存在坏点的极片进行跨距情况,将其与预设跨距进行跨极标差处理,以确定有坏点的极片在其中的具体位置差异,最后根据坏点的位置差异确定此坏点对极片的损坏程度,便于对此有坏点的极片进行不良标记,有效地提高了对不良标识位置的标记精度。
请参阅图1,其为本发明一实施例的极耳坏品模切方法的流程图。所述极耳坏品模切方法包括以下步骤的部分或者全部。
S100:获取极耳带的极片坏品跨距。
在本实施例中,所述极片坏品跨距为所述极耳带的坏点距离,即所述极片坏品跨距为所述极耳带上有坏点的极片与端部之间的距离,也即所述极片坏品跨距为当前极片上坏点与其端部之间的横跨间距。通过对所述极片坏品跨距的采样,便于确定所述极耳带上有坏点的极片的位置,从而便于确定所述极耳带的当前坏品极片上的坏点与其端部之间的距离,进而便于确定所述极耳带的任意一个坏点相对于其所在的极片上的具体位置,使得极片上的坏点位置被精准定位。在另一个实施例中,通过CCD或者CMOS相机对所述极耳带上各极片的表面损坏情况进行检测,以便于确定坏点在极片上的位置。
S200:将所述极片坏品跨距与预设跨距进行跨极标差处理,得到极坏跨差量。
在本实施例中,所述极片坏品跨距为所述极耳带的坏点距离,即所述极片坏品跨距为所述极耳带上有坏点的极片与端部之间的距离,也即所述极片坏品跨距为当前极片上坏点与其端部之间的横跨间距。通过对所述极片坏品跨距的采样,便于确定所述极耳带上有坏点的极片的位置,从而便于确定所述极耳带的当前坏品极片上的坏点与其端部之间的距离,进而便于确定所述极耳带的任意一个坏点相对于其所在的极片上的具体位置,使得极片上的坏点位置被精准定位。在另一个实施例中,通过CCD或者CMOS相机对所述极耳带上各极片的表面损坏情况进行检测,以便于确定坏点在极片上的位置。所述预设跨距为所述极耳带的坏点的标准距离,即所述预设跨距为所述极耳带上有坏点的极片与端部之间的指定距离,也即所述预设跨距为任意一个极片上坏点与其端部之间的标准横跨间距,具体地,所述预设跨距为CCD或者CMOS相机与激光模切器之间的距离。通过对所述极片坏品跨距与所述预设跨距的比较,便于确定当前极片上坏点在其上的跨距与标准跨距之间的差距,从而便于确定坏品极片上的坏点所在位置与允许所在位置之间的差异情况。
S300:根据所述极坏跨差量向极耳坏品标识系统发送切不良标识启禁信号,以对所述极耳上的坏品极片进行模切。
在本实施例中,所述极坏跨差量是基于所述极片坏品跨距和所述预设跨距获取的,所述极片坏品跨距为所述极耳带的坏点距离,即所述极片坏品跨距为所述极耳带上有坏点的极片与端部之间的距离,也即所述极片坏品跨距为当前极片上坏点与其端部之间的横跨间距。通过对所述极片坏品跨距的采样,便于确定所述极耳带上有坏点的极片的位置,从而便于确定所述极耳带的当前坏品极片上的坏点与其端部之间的距离,进而便于确定所述极耳带的任意一个坏点相对于其所在的极片上的具体位置,使得极片上的坏点位置被精准定位。在另一个实施例中,通过CCD或者CMOS相机对所述极耳带上各极片的表面损坏情况进行检测,以便于确定坏点在极片上的位置。所述预设跨距为所述极耳带的坏点的标准距离,即所述预设跨距为所述极耳带上有坏点的极片与端部之间的指定距离,也即所述预设跨距为任意一个极片上坏点与其端部之间的标准横跨间距,具体地,所述预设跨距为CCD或者CMOS相机与激光模切器之间的距离。通过对所述极片坏品跨距与所述预设跨距的比较,便于确定当前极片上坏点在其上的跨距与标准跨距之间的差距,从而便于确定坏品极片上的坏点所在位置与允许所在位置之间的差异情况。这样,在确定了所述极坏跨差量后,根据所述极耳带中坏品极片的坏点所在的位偏情况,对所述极耳带的当前极片进行对应的模切,例如,坏点在需要裁切的位置时及时启动模切,而坏点不在需要裁切的位置时不用进行模切。
在上述各实施例中,通过对极片坏品跨距的采集,便于获取极耳带的任意一个存在坏点的极片进行跨距情况,将其与预设跨距进行跨极标差处理,以确定有坏点的极片在其中的具体位置差异,最后根据坏点的位置差异确定此坏点对极片的损坏程度,便于对此有坏点的极片进行不良标记,有效地提高了对不良标识位置的标记精度。
在其中一个实施例中,所述获取极耳带的极片坏品跨距,包括:获取所述极耳带的极片坏末间距,所述极片坏末间距为所述极耳带的当前极片的坏点与其末端的跨距。在本实施例中,所述极片坏品跨距为所述极耳带的坏点距离,即所述极片坏品跨距为所述极耳带上有坏点的极片与端部之间的距离,也即所述极片坏品跨距为当前极片上坏点与其端部之间的横跨间距。通过对所述极片坏品跨距的采样,便于确定所述极耳带上有坏点的极片的位置,从而便于确定所述极耳带的当前坏品极片上的坏点与其端部之间的距离,进而便于确定所述极耳带的任意一个坏点相对于其所在的极片上的具体位置,使得极片上的坏点位置被精准定位。在另一个实施例中,通过CCD或者CMOS相机对所述极耳带上各极片的表面损坏情况进行检测,以便于确定坏点在极片上的位置。所述极片坏品跨距为极片坏末间距,所述极片坏末间距为所述极耳带的当前极片的坏点与其末端的跨距,所述极片坏末间距用于计算坏品极片上的坏点与所在的极片末端之间的距离,便于确定所述坏品极片上的坏点距离此极片的末端的长短情况,从而便于确定所述坏品极片上的坏点是否在此极片的关键位置,进而便于确定所述坏品极片上的坏点是否损坏了整个极片。
进一步地,所述将所述极片坏品跨距与预设跨距进行跨极标差处理,得到极坏跨差量,包括:求取所述极片坏末间距与预设跨距之间的跨距差,以得到第一跨距差量。在本实施例中,所述极片坏品跨距为所述极耳带的坏点距离,即所述极片坏品跨距为所述极耳带上有坏点的极片与端部之间的距离,也即所述极片坏品跨距为当前极片上坏点与其端部之间的横跨间距。通过对所述极片坏品跨距的采样,便于确定所述极耳带上有坏点的极片的位置,从而便于确定所述极耳带的当前坏品极片上的坏点与其端部之间的距离,进而便于确定所述极耳带的任意一个坏点相对于其所在的极片上的具体位置,使得极片上的坏点位置被精准定位。在另一个实施例中,通过CCD或者CMOS相机对所述极耳带上各极片的表面损坏情况进行检测,以便于确定坏点在极片上的位置。所述预设跨距为所述极耳带的坏点的标准距离,即所述预设跨距为所述极耳带上有坏点的极片与端部之间的指定距离,也即所述预设跨距为任意一个极片上坏点与其端部之间的标准横跨间距。通过对所述极片坏品跨距与所述预设跨距的比较,便于确定当前极片上坏点在其上的跨距与标准跨距之间的差距,从而便于确定坏品极片上的坏点所在位置与允许所在位置之间的差异情况。所述极片坏末间距为所述极耳带的当前极片的坏点与其末端的跨距,所述极片坏末间距用于计算坏品极片上的坏点与所在的极片末端之间的距离,便于确定所述坏品极片上的坏点距离此极片的末端的长短情况,从而便于确定所述坏品极片上的坏点是否在此极片的关键位置,进而便于确定所述坏品极片上的坏点是否损坏了整个极片。所述预设跨距为所述极耳带的极片的坏点与其末端的标准跨距,即所述预设跨距为所述极耳带的极片的坏点与其末端的安全跨距,例如,所述预设跨距为CCD或者CMOS相机与激光模切器之间的距离。所述第一跨距差量作为所述极片坏末间距与预设跨距之间的差值,便于确定所述极耳带的极片的坏点与其末端的距离与安全跨距之间的差异,从而便于确定所述极耳带的极片的坏点位置与安全区域位置之间的差异程度。
更进一步地,所述根据所述极坏跨差量向极耳坏品标识系统发送切不良标识启禁信号,以对所述极耳带上的坏品极片进行模切,包括:检测所述第一跨距差量与第一预设差量是否匹配;当所述第一跨距差量与所述第一预设差量匹配时,向所述极耳坏品标识系统发送切端信号,以对所述极耳带的当前极片末端进行模切。在本实施例中,所述第一跨距差量作为所述极片坏末间距与预设跨距之间的差值,即所述第一跨距差量为所述极片坏末间距与所述预设跨距之间的差量,所述极片坏品跨距为所述极耳带的坏点距离,即所述极片坏品跨距为所述极耳带上有坏点的极片与端部之间的距离,也即所述极片坏品跨距为当前极片上坏点与其端部之间的横跨间距。通过对所述极片坏品跨距的采样,便于确定所述极耳带上有坏点的极片的位置,从而便于确定所述极耳带的当前坏品极片上的坏点与其端部之间的距离,进而便于确定所述极耳带的任意一个坏点相对于其所在的极片上的具体位置,使得极片上的坏点位置被精准定位。在另一个实施例中,通过CCD或者CMOS相机对所述极耳带上各极片的表面损坏情况进行检测,以便于确定坏点在极片上的位置。所述预设跨距为所述极耳带的坏点的标准距离,即所述预设跨距为所述极耳带上有坏点的极片与端部之间的指定距离,也即所述预设跨距为任意一个极片上坏点与其端部之间的标准横跨间距。通过对所述极片坏品跨距与所述预设跨距的比较,便于确定当前极片上坏点在其上的跨距与标准跨距之间的差距,从而便于确定坏品极片上的坏点所在位置与允许所在位置之间的差异情况。所述极片坏末间距为所述极耳带的当前极片的坏点与其末端的跨距,所述极片坏末间距用于计算坏品极片上的坏点与所在的极片末端之间的距离,便于确定所述坏品极片上的坏点距离此极片的末端的长短情况,从而便于确定所述坏品极片上的坏点是否在此极片的关键位置,进而便于确定所述坏品极片上的坏点是否损坏了整个极片。所述第一预设差量为标准的跨距差量,即所述第一预设差量为所述坏品极片上的坏点与其末端部之间的标准间距,所述第一跨距差量与所述第一预设差量匹配,表明了所述坏品极片上的坏点与其末端部之间跨距差距在安全差距范围内,即表明了所述坏品极片上的坏点在该极片的非关键区域,也即表明了所述坏品极片上的坏点靠近该极片的末端裁切位置,为了减少模切次数,直接将本该在坏点后的裁切标记位置与卷绕工序中的模切重合,不仅能对坏品极片进行不良标识,还能提高对极耳带的模切效率。
再进一步地,所述检测所述第一跨距差量与第一预设差量是否匹配,之后还包括:当所述第一跨距差量与所述第一预设差量不匹配时,向所述极耳坏品标识系统发送切不良标识启动信号,以对所述极耳带的坏点后进行标识模切。在本实施例中,所述第一跨距差量作为所述极片坏末间距与预设跨距之间的差值,即所述第一跨距差量为所述极片坏末间距与所述预设跨距之间的差量,所述极片坏品跨距为所述极耳带的坏点距离,即所述极片坏品跨距为所述极耳带上有坏点的极片与端部之间的距离,也即所述极片坏品跨距为当前极片上坏点与其端部之间的横跨间距。通过对所述极片坏品跨距的采样,便于确定所述极耳带上有坏点的极片的位置,从而便于确定所述极耳带的当前坏品极片上的坏点与其端部之间的距离,进而便于确定所述极耳带的任意一个坏点相对于其所在的极片上的具体位置,使得极片上的坏点位置被精准定位。在另一个实施例中,通过CCD或者CMOS相机对所述极耳带上各极片的表面损坏情况进行检测,以便于确定坏点在极片上的位置。所述预设跨距为所述极耳带的坏点的标准距离,即所述预设跨距为所述极耳带上有坏点的极片与端部之间的指定距离,也即所述预设跨距为任意一个极片上坏点与其端部之间的标准横跨间距。通过对所述极片坏品跨距与所述预设跨距的比较,便于确定当前极片上坏点在其上的跨距与标准跨距之间的差距,从而便于确定坏品极片上的坏点所在位置与允许所在位置之间的差异情况。所述极片坏末间距为所述极耳带的当前极片的坏点与其末端的跨距,所述极片坏末间距用于计算坏品极片上的坏点与所在的极片末端之间的距离,便于确定所述坏品极片上的坏点距离此极片的末端的长短情况,从而便于确定所述坏品极片上的坏点是否在此极片的关键位置,进而便于确定所述坏品极片上的坏点是否损坏了整个极片。所述第一预设差量为标准的跨距差量,即所述第一预设差量为所述坏品极片上的坏点与其端部之间的标准间距,所述第一跨距差量与所述第一预设差量不匹配,表明了所述坏品极片上的坏点与其端部之间跨距差距在安全差距范围外,即表明了所述坏品极片上的坏点在该极片的关键区域,也即表明了所述坏品极片上的坏点远离该极片的末端裁切位置,向所述极耳坏品标识系统发送切不良标识启动信号,以对所述极耳带的坏点后进行标识模切,便于对坏点上的极片进行不良位置的标记,还便于将坏点后的合格部分截取下来,有效地节省了材料。
又进一步地,所述当所述第一跨距差量与所述第一预设差量不匹配时,向所述极耳坏品标识系统发送切不良标识启动信号,以对所述极耳带的坏点后进行标识模切,之后还包括:对所述极耳带的极片末端进行端点重置模切。在本实施例中,在本实施例中,所述第一跨距差量作为所述极片坏末间距与预设跨距之间的差值,即所述第一跨距差量为所述极片坏末间距与所述预设跨距之间的差量,所述极片坏品跨距为所述极耳带的坏点距离,即所述极片坏品跨距为所述极耳带上有坏点的极片与端部之间的距离,也即所述极片坏品跨距为当前极片上坏点与其端部之间的横跨间距。通过对所述极片坏品跨距的采样,便于确定所述极耳带上有坏点的极片的位置,从而便于确定所述极耳带的当前坏品极片上的坏点与其端部之间的距离,进而便于确定所述极耳带的任意一个坏点相对于其所在的极片上的具体位置,使得极片上的坏点位置被精准定位。在另一个实施例中,通过CCD或者CMOS相机对所述极耳带上各极片的表面损坏情况进行检测,以便于确定坏点在极片上的位置。所述预设跨距为所述极耳带的坏点的标准距离,即所述预设跨距为所述极耳带上有坏点的极片与端部之间的指定距离,也即所述预设跨距为任意一个极片上坏点与其端部之间的标准横跨间距。通过对所述极片坏品跨距与所述预设跨距的比较,便于确定当前极片上坏点在其上的跨距与标准跨距之间的差距,从而便于确定坏品极片上的坏点所在位置与允许所在位置之间的差异情况。所述极片坏末间距为所述极耳带的当前极片的坏点与其末端的跨距,所述极片坏末间距用于计算坏品极片上的坏点与所在的极片末端之间的距离,便于确定所述坏品极片上的坏点距离此极片的末端的长短情况,从而便于确定所述坏品极片上的坏点是否在此极片的关键位置,进而便于确定所述坏品极片上的坏点是否损坏了整个极片。所述第一预设差量为标准的跨距差量,即所述第一预设差量为所述坏品极片上的坏点与其端部之间的标准间距,所述第一跨距差量与所述第一预设差量不匹配,表明了所述坏品极片上的坏点与其端部之间跨距差距在安全差距范围外,即表明了所述坏品极片上的坏点在该极片的关键区域,也即表明了所述坏品极片上的坏点远离该极片的末端裁切位置,向所述极耳坏品标识系统发送切不良标识启动信号,以对所述极耳带的坏点后进行标识模切,便于对坏点上的极片进行不良位置的标记。这样,在对坏品极片的坏点进行标记后,继续对该极片进行末端模切,便于后续在正常模切时将整个坏品极片剔除,还能对下一个极片的首端进行重新设置,便于对后续的极片进行模切。
在其中一个实施例中,所述获取极耳带的极片坏品跨距,包括:获取所述极耳带的极片坏始间距,所述极片坏始间距为所述极耳带的当前极片的坏点与其首端的跨距。在本实施例中,所述极片坏品跨距为所述极耳带的坏点距离,即所述极片坏品跨距为所述极耳带上有坏点的极片与端部之间的距离,也即所述极片坏品跨距为当前极片上坏点与其端部之间的横跨间距。通过对所述极片坏品跨距的采样,便于确定所述极耳带上有坏点的极片的位置,从而便于确定所述极耳带的当前坏品极片上的坏点与其端部之间的距离,进而便于确定所述极耳带的任意一个坏点相对于其所在的极片上的具体位置,使得极片上的坏点位置被精准定位。在另一个实施例中,通过CCD或者CMOS相机对所述极耳带上各极片的表面损坏情况进行检测,以便于确定坏点在极片上的位置。所述极片坏品跨距为极片坏始间距,所述极片坏始间距为所述极耳带的当前极片的坏点与其首端的跨距,所述极片坏始间距用于计算坏品极片上的坏点与所在的极片首端之间的距离,便于确定所述坏品极片上的坏点距离此极片的首端的长短情况,从而便于确定所述坏品极片上的坏点是否在此极片的关键位置,进而便于确定所述坏品极片上的坏点是否损坏了整个极片。
进一步地,所述将所述极片坏品跨距与预设跨距进行跨极标差处理,得到极坏跨差量,包括:求取所述极片坏始间距与预设跨距之间的跨距差,以得到第二跨距差量。在本实施例中,所述极片坏品跨距为所述极耳带的坏点距离,即所述极片坏品跨距为所述极耳带上有坏点的极片与端部之间的距离,也即所述极片坏品跨距为当前极片上坏点与其端部之间的横跨间距。通过对所述极片坏品跨距的采样,便于确定所述极耳带上有坏点的极片的位置,从而便于确定所述极耳带的当前坏品极片上的坏点与其端部之间的距离,进而便于确定所述极耳带的任意一个坏点相对于其所在的极片上的具体位置,使得极片上的坏点位置被精准定位。在另一个实施例中,通过CCD或者CMOS相机对所述极耳带上各极片的表面损坏情况进行检测,以便于确定坏点在极片上的位置。所述预设跨距为所述极耳带的坏点的标准距离,即所述预设跨距为所述极耳带上有坏点的极片与端部之间的指定距离,也即所述预设跨距为任意一个极片上坏点与其端部之间的标准横跨间距。通过对所述极片坏品跨距与所述预设跨距的比较,便于确定当前极片上坏点在其上的跨距与标准跨距之间的差距,从而便于确定坏品极片上的坏点所在位置与允许所在位置之间的差异情况。所述极片坏始间距为所述极耳带的当前极片的坏点与其首端的跨距,所述极片坏始间距用于计算坏品极片上的坏点与所在的极片首端之间的距离,便于确定所述坏品极片上的坏点距离此极片的首端的长短情况,从而便于确定所述坏品极片上的坏点是否在此极片的关键位置,进而便于确定所述坏品极片上的坏点是否损坏了整个极片。所述预设跨距为所述极耳带的极片的坏点与其首端的标准跨距,即所述预设跨距为所述极耳带的极片的坏点与其首端的安全跨距,例如,所述预设跨距为CCD或者CMOS相机与激光模切器之间的距离。所述第二跨距差量作为所述极片坏始间距与预设跨距之间的差值,便于确定所述极耳带的极片的坏点与其首端的距离与安全跨距之间的差异,从而便于确定所述极耳带的极片的坏点位置与安全区域位置之间的差异程度。在另一个实施例中,安全区域还可以为极片的中部。
更进一步地,所述根据所述极坏跨差量向极耳坏品标识系统发送切不良标识启禁信号,以对所述极耳带上的坏品极片进行模切,包括:检测所述第二跨距差量与第二预设差量是否匹配;当所述第二跨距差量与所述第二预设差量匹配时,向所述极耳坏品标识系统发送切端信号,以对所述极耳带的极片末端进行模切。在本实施例中,所述第一跨距差量作为所述极片坏末间距与预设跨距之间的差值,即所述第一跨距差量为所述极片坏末间距与所述预设跨距之间的差量,所述极片坏品跨距为所述极耳带的坏点距离,即所述极片坏品跨距为所述极耳带上有坏点的极片与端部之间的距离,也即所述极片坏品跨距为当前极片上坏点与其端部之间的横跨间距。通过对所述极片坏品跨距的采样,便于确定所述极耳带上有坏点的极片的位置,从而便于确定所述极耳带的当前坏品极片上的坏点与其端部之间的距离,进而便于确定所述极耳带的任意一个坏点相对于其所在的极片上的具体位置,使得极片上的坏点位置被精准定位。在另一个实施例中,通过CCD或者CMOS相机对所述极耳带上各极片的表面损坏情况进行检测,以便于确定坏点在极片上的位置。所述预设跨距为所述极耳带的坏点的标准距离,即所述预设跨距为所述极耳带上有坏点的极片与端部之间的指定距离,也即所述预设跨距为任意一个极片上坏点与其端部之间的标准横跨间距。通过对所述极片坏品跨距与所述预设跨距的比较,便于确定当前极片上坏点在其上的跨距与标准跨距之间的差距,从而便于确定坏品极片上的坏点所在位置与允许所在位置之间的差异情况。所述极片坏始间距为所述极耳带的当前极片的坏点与其首端的跨距,所述极片坏始间距用于计算坏品极片上的坏点与所在的极片首端之间的距离,便于确定所述坏品极片上的坏点距离此极片的首端的长短情况,从而便于确定所述坏品极片上的坏点是否在此极片的关键位置,进而便于确定所述坏品极片上的坏点是否损坏了整个极片。所述第二预设差量为标准的跨距差量,即所述第二预设差量为所述坏品极片上的坏点与其首端部之间的标准间距,所述第二跨距差量与所述第二预设差量匹配,表明了所述坏品极片上的坏点与其首端部之间跨距差距在安全差距范围内,即表明了所述坏品极片上的坏点在该极片的非关键区域,也即表明了所述坏品极片上的坏点靠近该极片的首端裁切位置,向所述极耳坏品标识系统发送切端信号,以对所述极耳带的极片末端进行模切,便于在卷绕前将坏品极耳整个裁切剔除。
在对所述极耳带进行实际的坏品模切时,所述极耳带上的各极片通常是涂覆有正极或负极浆料的,极耳带需要经过多个辊轮进行传输,在传输经过辊轮前后,极片受到的应力会有一个变化的过程,极片上容易出现的微小缺陷,容易被导电浆料所覆盖,从而无法准确对极片上的极小坏点进行确定,进而容易导致对极片的坏点标记精度较差。
为了进一步提高对极耳带的极片上坏点检测精准度,所述获取极耳带的极片坏品跨距,之前还包括:
获取所述极耳带的第一极单阻值以及第二极单阻值;
检测所述第一极单阻值与所述第二极单阻值是否相等;
当所述第一极单阻值与所述第二极单阻值不等时,执行步骤S100。
在本实施例中,所述第一极单阻值以及所述第二极单阻值为同一个极片在传输过程中的两个不同阻值,即所述第一极单阻值以及所述第二极单阻值为同一个极片在传输过程中经过辊轮前后的两个阻值,也即所述第一极单阻值以及所述第二极单阻值与传输过程中的两个不同位置对应,具体地,在对所述极耳带的各极片进行外观缺陷检测的同时,在传输辊轮的前后分两次进行单个极片的电性能检测,以便于确定同一个极片在经过传输辊轮前后的阻值变化情况,从而便于确定各极片的电导通性能,进而便于确定各极片的极小缺陷情况。所述第一极单阻值与所述第二极单阻值不等,表明了所述极耳带的当前极片在经过传输辊轮后的阻值发生突变,即表明了所述极耳带的当前极片在经过传输辊轮后存在极片撕裂的情况,也即表明了所述极耳带的当前极片在经过传输辊轮后有坏点,此时直接获取所述极耳带的极片坏品跨距即可对当前有坏点的极片进行后续的标记定位,进一步地提高了对不良标识位置的标记精度。
进一步地,所述获取所述极耳带的第一极单阻值以及第二极单阻值,之后还包括以下步骤:
根据所述第一极单阻值获取第一电检时间,以及根据所述第二极单阻值获取第二电检时间;
求取所述第一电检时间与所述第二电检时间的电检时差;
检测所述电检时差是否小于预设时差;
当所述电检时差小于所述预设时差时,向所述极耳坏品标识系统发送采首信号,以采集极片坏始间距并作为所述极片坏品跨距。
在本实施例中,所述第一电检时间与所述第一极单阻值的采样时间对应,所述第二电检时间与所述第二极单阻值的采样时间对应,即所述第一电检时间和所述第二电检时间为所述极耳带的极片在经过传输辊轮前后的电性能检测时间,所述电检时差为所述第一电检时间与所述第二电检时间的时间差,即所述电检时差为所述极耳带的极片在经过传输辊轮前后的电性能检测时间差值,所述预设时差为所述极耳带的坏品极片上坏点与其首端之间的传输时间,所述电检时差小于所述预设时差,表明了所述极耳带的坏品极片上坏点将正常传输至激光模切器,即表明了所述极耳带的坏品极片上坏点到达激光模切器时该极片还未完成单片的外观缺陷检测,此时向所述极耳坏品标识系统发送采首信号,以采集极片坏始间距并作为所述极片坏品跨距,确保了所述极耳带的坏品极片上坏点在到达激光模切器时,所述激光模切器可及时对靠近坏点的后面位置进行模切标记,避免在所述极耳带的坏品极片上坏点越过所述激光模切器才对所述极片坏品跨距的确定,以提高对极片的不良位置进行精准标记。
在其中一个实施例中,本申请还提供一种电池极耳,包括采用上述任一实施例所述极耳坏品模切方法制备得到。在本实施例中,所述极耳坏品模切方法包括获取极耳带的极片坏品跨距;将所述极片坏品跨距与预设跨距进行跨极标差处理,得到极坏跨差量;根据所述极坏跨差量向极耳坏品标识系统发送切不良标识启禁信号,以对所述极耳带上的坏品极片进行模切。通过对极片坏品跨距的采集,便于获取极耳带的任意一个存在坏点的极片进行跨距情况,将其与预设跨距进行跨极标差处理,以确定有坏点的极片在其中的具体位置差异,最后根据坏点的位置差异确定此坏点对极片的损坏程度,便于对此有坏点的极片进行不良标记,有效地提高了对不良标识位置的标记精度。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种极耳坏品模切方法,其特征在于,包括:
获取极耳带的极片坏品跨距;
将所述极片坏品跨距与预设跨距进行跨极标差处理,得到极坏跨差量;
根据所述极坏跨差量向极耳坏品标识系统发送切不良标识启禁信号,以对所述极耳带上的坏品极片进行模切。
2.根据权利要求1所述的极耳坏品模切方法,其特征在于,所述获取极耳带的极片坏品跨距,包括:
获取所述极耳带的极片坏末间距,所述极片坏末间距为所述极耳带的当前极片的坏点与其末端的跨距。
3.根据权利要求2所述的极耳坏品模切方法,其特征在于,所述将所述极片坏品跨距与预设跨距进行跨极标差处理,得到极坏跨差量,包括:
求取所述极片坏末间距与预设跨距之间的跨距差,以得到第一跨距差量。
4.根据权利要求3所述的极耳坏品模切方法,其特征在于,所述根据所述极坏跨差量向极耳坏品标识系统发送切不良标识启禁信号,以对所述极耳带上的坏品极片进行模切,包括:
检测所述第一跨距差量与第一预设差量是否匹配;
当所述第一跨距差量与所述第一预设差量匹配时,向所述极耳坏品标识系统发送切端信号,以对所述极耳带的当前极片末端进行模切。
5.根据权利要求4所述的极耳坏品模切方法,其特征在于,所述检测所述第一跨距差量与第一预设差量是否匹配,之后还包括:
当所述第一跨距差量与所述第一预设差量不匹配时,向所述极耳坏品标识系统发送切不良标识启动信号,以对所述极耳带的坏点后进行标识模切。
6.根据权利要求5所述的极耳坏品模切方法,其特征在于,所述当所述第一跨距差量与所述第一预设差量不匹配时,向所述极耳坏品标识系统发送切不良标识启动信号,以对所述极耳带的坏点后进行标识模切,之后还包括:
对所述极耳带的极片末端进行端点重置模切。
7.根据权利要求1所述的极耳坏品模切方法,其特征在于,所述获取极耳带的极片坏品跨距,包括:
获取所述极耳带的极片坏始间距,所述极片坏始间距为所述极耳带的当前极片的坏点与其首端的跨距。
8.根据权利要求7所述的极耳坏品模切方法,其特征在于,所述将所述极片坏品跨距与预设跨距进行跨极标差处理,得到极坏跨差量,包括:
求取所述极片坏始间距与预设跨距之间的跨距差,以得到第二跨距差量。
9.根据权利要求8所述的极耳坏品模切方法,其特征在于,所述根据所述极坏跨差量向极耳坏品标识系统发送切不良标识启禁信号,以对所述极耳带上的坏品极片进行模切,包括:
检测所述第二跨距差量与第二预设差量是否匹配;
当所述第二跨距差量与所述第二预设差量匹配时,向所述极耳坏品标识系统发送切端信号,以对所述极耳带的极片末端进行模切。
10.一种电池极耳,其特征在于,包括采用如权利要求1至9中任一项所述极耳坏品模切方法制备得到。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310437812.1A CN116441197A (zh) | 2023-04-18 | 2023-04-18 | 极耳坏品模切方法以及电池极耳 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310437812.1A CN116441197A (zh) | 2023-04-18 | 2023-04-18 | 极耳坏品模切方法以及电池极耳 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116441197A true CN116441197A (zh) | 2023-07-18 |
Family
ID=87131856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310437812.1A Pending CN116441197A (zh) | 2023-04-18 | 2023-04-18 | 极耳坏品模切方法以及电池极耳 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116441197A (zh) |
-
2023
- 2023-04-18 CN CN202310437812.1A patent/CN116441197A/zh active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109358064B (zh) | 极片制片卷绕缺陷全功能检测方法、设备、介质及系统 | |
CN111312995B (zh) | 一种锂离子电池极片缺陷检测方法 | |
JP5415017B2 (ja) | 二次電池、二次電池の製造方法、及び製造システム | |
CN115360319B (zh) | 一种多极耳电芯极片信息追溯方法 | |
CN113782819B (zh) | 一种卷芯极耳边距确定方法及卷绕设备校正方法 | |
CN110943198A (zh) | 锂电池制片设备 | |
CN113156528B (zh) | 极耳翻折检测装置和检测方法 | |
CN111180650A (zh) | 极耳成型方法及成型装置 | |
CN114799573B (zh) | 一种锂电池极片的模切装置及方法 | |
CN109309022B (zh) | 一种缺陷抽检方法 | |
CN115205198A (zh) | 一种极耳质量检测方法、系统、设备及存储介质 | |
CN109269420A (zh) | 裸电芯外观尺寸和极片纠偏检测方法、设备、介质及系统 | |
CN115911250A (zh) | 极片加工设备、电芯和其制作方法、电池装置及用电设备 | |
CN116352290A (zh) | 极耳模切方法及模切装置 | |
CN114674261B (zh) | 一种缺陷定位方法、装置及存储介质 | |
EP4249877A1 (en) | Detection apparatus and electrode plate extension device | |
CN116523921A (zh) | 一种针对极耳翻折情况的检测方法、装置和系统 | |
CN116441197A (zh) | 极耳坏品模切方法以及电池极耳 | |
CN111761364B (zh) | 一种间歇涂布式极片用模切焊接设备以及模切焊接方法 | |
CN104934628B (zh) | 具有极片和隔膜检测的电芯制备系统及方法 | |
CN213084840U (zh) | 一种具有毛刺全检装置的分切机 | |
CN200995302Y (zh) | 一种电池极片切割机 | |
CN113591308B (zh) | 卷绕电芯的质量评估方法、装置、电子设备及存储介质 | |
CN218240936U (zh) | 适于翻折检测的极片结构和极耳翻折检测装置 | |
CN114122481A (zh) | 一种电芯的制备方法以及电芯 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |