CN116436438A - 横向电场激励谐振器 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种横向电场激励谐振器。该横向电场激励谐振器包括：衬底105；单晶压电薄膜101，其被支撑于所述衬底105表面；电极层102，其设置于所述单晶压电薄膜101的至少一个表面，所述电极层102包括至少两组指电极102a，在第一方向x上，所述至少两组指电极102a交叉设置，各组指电极102a分别与对应的总线102b连接；第二介质层103，其设置于所述单晶压电薄膜101的至少一个表面；以及负载结构M1/D1，其设置于所述第二介质层103表面。本申请能够灵活地调节谐振器的振动频率。
Description
技术领域
本申请涉及微机电(MEMS)技术领域，尤其涉及一种横向电场激励谐振器。
背景技术
电场对压电材料的激励分为横向电场激励(Lateral Field Excitation，LFE)和厚度电场激励(Thickness Field Excitation，TFE)。
横向电场激励是指，电极之间产生的电场方向与压电材料表面的方向平行，即，电场的激励方向相对于压电材料的表面而言是横向。厚度电场激励是指，电极之间产生的电场方向与压电材料表面的方向垂直，即，电场的激励方向沿着压电材料的厚度方向。
应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
发明内容
横向电场激励谐振器是基于横向电场激励的谐振器，如何能够灵活调整谐振器的振动频率，是一个亟待解决的课题。
为了解决至少上述技术问题或类似的技术问题，本申请实施例提供一种横向电场激励谐振器及其制造方法。该横向电场激励谐振器的单晶压电薄膜表面设置介质层，并在介质层表面设置负载结构，通过调整负载结构的尺寸和/或位置，能够在不改变谐振器的机电耦合系数k2的情况下，灵活地调节谐振器的振动频率。
本申请实施例提供一种横向电场激励谐振器，所述横向电场激励谐振器包括：
衬底(105)；
单晶压电薄膜(101)，其被支撑于所述衬底(105)表面；
电极层(102)，其设置于所述单晶压电薄膜(101)的至少一个表面，所述电极层(102)包括至少两组指电极(102a)，在第一方向(x)上，所述至少两组指电极(102a)交叉设置，各组指电极(102a)分别与对应的总线(102b)连接；
第二介质层(103)，其设置于所述单晶压电薄膜(101)的至少一个表面；以及
负载结构(M1/D1)，其设置于所述第二介质层(103)表面。
本申请实施例的有益效果在于：在横向电场激励谐振器的单晶压电薄膜表面设置介质层，并在介质层表面设置负载结构，通过调整负载结构的尺寸和/或位置，能够在不改变谐振器的机电耦合系数k2的情况下，灵活地调节谐振器的振动频率。
参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。
针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。
应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1是第一方面的实施例的横向电场激励谐振器的俯视图；
图2是图1中沿直线AA’剖开形成的剖视图；
图3是第一方面的实施例的横向电场激励谐振器的一个变形例的俯视图；
图4是第一方面的实施例的横向电场激励谐振器的另一个变形例的俯视图；
图5是图2的区域R2的一个放大示意图；
图6是图3的区域R3的一个放大示意图；
图7是图6的一个变形例的示意图；
图8是图6的另一个变形例的示意图；
图9是图8的一个变形例的示意图；
图10是图1的区域R1的放大示意图。
具体实施方式
参照附图，通过下面的说明书，本申请的前述以及其它特征将变得明显。在说明书和附图中，具体公开了本申请的特定实施方式，其表明了其中可以采用本申请的原则的部分实施方式，应了解的是，本申请不限于所描述的实施方式，相反，本申请包括落入所附权利要求的范围内的全部修改、变型以及等同物。下面结合附图对本申请的各种实施方式进行说明。这些实施方式只是示例性的，不是对本申请的限制。
在本申请实施例中，术语“第一”、“第二”、“上”、“下”等用于对不同元素从称谓上进行区分，但并不表示这些元素的空间排列或时间顺序等，这些元素不应被这些术语所限制。术语“和/或”包括相关联列出的术语的一种或多个中的任何一个和所有组合。术语“包含”、“包括”、“具有”等是指所陈述的特征、元素、元件或组件的存在，但并不排除存在或添加一个或多个其他特征、元素、元件或组件。
在本申请实施例中，单数形式“一”、“该”等包括复数形式，应广义地理解为“一种”或“一类”而并不是限定为“一个”的含义；此外术语“所述”应理解为既包括单数形式也包括复数形式，除非上下文另外明确指出。此外术语“根据”应理解为“至少部分根据……”，术语“基于”应理解为“至少部分基于……”，除非上下文另外明确指出。
另外，在本申请的下述说明中，为了说明的方便，将与单晶压电薄膜的表面平行的方向称为“横向”；在“横向”上，第一方向例如被表示为x方向，第二方向例如被表示为y方向，第一方向和第二方向可以交叉，例如，第一方向垂直于第二方向；与单晶压电薄膜的表面垂直的方向称为“纵向”；沿着“纵向”，从单晶压电薄膜指向介质层的方向为“下”方向，反之为“上”方向，其中，“上”方向也可以被表示为z方向。上述对于方向的描述只是为了说明方便，并不用于限定本申请的横向电场激励谐振器在制造和使用时的方向。
第一方面的实施例
本申请第一方面的实施例提供一种横向电场激励谐振器。
图1是第一方面的实施例的横向电场激励谐振器的俯视图，图2是图1中沿直线AA’剖开形成的剖视图。
如图1所示，横向电场激励谐振器1包括：衬底105，单晶压电薄膜101，电极层102，第二介质层103以及负载结构M1/D1。
在图1和图2所示的实施例中，衬底105包括基底100和介质层104。
第一介质层104设置于基底100的表面。第一介质层104的表面具有第一凹陷部104a。第一介质层104可以是单层也可以是复合层。第一介质层104的材料可以包括二氧化硅，氮化硅，氧化铝或氮化铝等，本申请对此不做限制。
在本申请的图1和图2所示的实施例中，衬底105包括基底100和介质层104，且第一凹陷部104a形成于介质层104中。但本申请实施例对形成衬底的具体材料和形式不作限制，形成第一凹陷部104a的方式也不局限于本实施例图中所示。
例如：衬底105可以仅包括基底100，且第一凹陷部104a形成于基底100的表面，即，第一凹陷部104a形成于衬底105的表面即可。
又例如：基底100可以由单晶硅形成，也可以由铌酸锂、钽酸锂、碳化硅(SiC)、蓝宝石(sapphire)、石英(Quartz)等材料形成。
再例如：衬底105可以包括基底100和辅助键合层(未图示)，辅助键合层形成于基底100的表面，辅助键合层例如可由二氧化硅、氮化硅、多晶硅、不定型硅等半导体材料形成或者二氧化硅、氮化硅、多晶硅、不定型硅等构成的复合材料形成。第一凹陷部104a形成于辅助键合层和基底100。
再例如：第一凹陷部104a也可以为贯穿衬底105的通孔结构，或者第一凹陷部104a贯穿介质层104，从而成为通过介质层104合围形成的位于基底100与压电薄膜层101之间的空腔。
本申请不限于此，第一凹陷部104a的形成方式和结构不限于上述的举例，也可以是其它的形成方式或结构。
此外，在本申请中，第一凹陷部104a也可以被替换为布拉格反射层(布拉格反射层是指，在纵向上由高声阻抗层和低声阻抗层交替层叠形成的材料层)，其等效声阻抗特性接近于由第一凹陷部104a形成的空腔声阻抗特性。即，在本申请中，第一凹陷部104a或者布拉格反射层可以被称为形成在衬底105和单晶压电薄膜101之间的反射层。
如图2所示，单晶压电薄膜101可以被支撑于衬底105表面。例如，单晶压电薄膜101被支承于第一凹陷部104a的外周，并覆盖第一凹陷部104a的至少一部分，由此，单晶压电薄膜101与第一凹陷部104a之间形成空腔。该空腔中可以填充有具有预定压力的气体(例如，空气)，或者，空腔中为真空。
单晶压电薄膜101可以由具有压电特性的单晶材料制成，例如，单晶铌酸锂(LiNbO3，LN)或单晶钽酸锂(LiTaO3，LT)等。
电极层102设置于压电薄膜101的至少一个表面，例如，在图2中，电极层102设置在单晶压电薄膜101的第一表面，即，下表面。但是，本申请不限于此，例如，电极层102也可以被设置在单晶压电薄膜101的第二表面，即，上表面；或者，电极层102有一部分被设置在单晶压电薄膜101的第一表面，电极层102的另一部分被设置在单晶压电薄膜101的第二表面。
如图1所示，电极层102可以包括至少两组指电极102a，例如，一组为指电极102a1，另一组为指电极102a2。在第一方向上，该至少两组指电极102a交叉设置，形成叉指电极(IDE)。例如，指电极102a1和102a2交叉设置，其中，交叉设置的形式可以是，两个指电极102a1之间插入一个或多个指电极102a2等。
在至少一个实施例中，各组指电极102a分别与对应的总线102b连接。例如，各指电极102a1与总线102b1连接，各指电极102a2与总线102b2连接。各指电极102a沿第二方向的尺寸可以是L0。
在至少一个实施例中，总线102b可以沿着第一方向延伸，指电极102a与总线102b相交，例如，指电极102a与总线102b垂直。总线102b可以与第一凹陷部104a的沿第一方向延伸的边缘重叠。
在至少一个实施例中，电极层102还可以包括连接部(未图示)，连接部可以将横向电场激励谐振器1的电极信号引出，例如，连接部可以与指电极102a电连接。该连接部可以位于第一凹陷部104a的边界外侧和/或内侧。该连接部能够用于横向电场激励谐振器1之间的电学信号连接和/或横向电场激励谐振器1与外部信号的连接。
如图1和图2所示，在一些实施例中，第二介质层103设置于单晶压电薄膜101的至少一个表面，负载结构M1/D1设置于第二介质层103的表面。如图1所示，负载结构M1/D1沿着第二方向的尺寸被表示为L。在图2中，第二介质层103和负载结构M1/D1设置于单晶压电薄膜101的第一表面，但本申请不限于此，例如：第二介质层103和负载结构M1/D1也可以被设置于单晶压电薄膜101的第二表面；或者，单晶压电薄膜101的第一表面和第二表面都设置有第二介质层103和负载结构M1/D1。
在本申请中，第二介质层103可以是单层也可以是复合层第二介质层103的材料可以包括二氧化硅，氮化硅，氧化铝或氮化铝等，本申请对此不做限制。
在本申请中，负载结构M1/D1的材料可以是金属(例如，铜、铝、银、金，铂，钛，钨，铱，鋨或合金如钛钨等)。由于金属的密度一般较大，当负载结构的材料为金属时，所需的厚度较小，对振动模态的影响更小，产生的声学损耗更小。此外，负载结构的材料为金属时，若负载结构直接放置在单晶压电薄膜101的表面，则会影响电场分布，减小机电耦合系数，所以，在负载结构与单晶压电薄膜101之间设置第二介质层103，可以有效防止该金属材料的负载结构对电场分布的影响，从而保证器件的高机电耦合效率。
此外，本申请可以不限于此，负载结构M1/D1的材料也可以是介质材料(例如，介质材料可以是氧化硅和/或氮化硅等，此外，介质材料也可以是金属氧化物，例如，氧化铝等)，或者是金属材料与介质材料的组合(例如，一部分负载结构是金属材料，另一部分负载结构是介质材料)。
根据本申请第一方面的实施例，负载结构设置在单晶压电薄膜表面，可在不改变谐振器的机电耦合系数K2的前提下通过改变负载结构的尺寸和/或位置等参数实现对每个谐振器振动频率的灵活调节；此外，负载结构的参数也可根据叉指间电场和能量分布调节，从而实现抑制寄生模式提高谐振器性能的功能；此外，负载结构的材料可灵活选择，当选择金属类材料或其他密度较大的材料时，对于一定的目标频率，负载结构的尺寸可以比较小，从而降低了负载结构对压电层整体的几何外观的改变显著度，改善谐振器的性能。
如图1和图2所示，负载结构M1/D1设置在单晶压电薄膜101的与第一凹陷部104a对应的区域，即，负载结构M1/D1设置在第一凹陷部104a的上方。
如图1和图2所示，负载结构M1/D1的数量为2个以上，该2个以上的负载结构M1/D1沿第一方向分布。各负载结构所使用的材料可以相同也可以不同。
在至少一个实施例中，在第一方向上，当某个指电极102a两侧都具有负载结构M1/D1时，该指电极102a两侧的负载结构M1/D1相对于该指电极102a对称设置或者非对称设置。其中，该指电极102a两侧的负载结构M1/D1相对于该指电极102a对称设置是指，两侧的负载结构M1/D1到该指电极102a的中心线的距离相等，并且，两侧的负载结构M1/D1的形状相对于该指电极102a的中心线(例如，该中心线与y方向平行)对称。
在图2中，负载结构M1/D1与指电极102a位于单晶压电薄膜的相同表面一侧，在这种情况下，第二介质层103覆盖指电极102a。但是本申请不限于此，即，负载结构M1/D1与指电极102a可以位于单晶压电薄膜的不同表面一侧。
图3是第一方面的实施例的横向电场激励谐振器的一个变形例的俯视图。在图3中，负载结构M1/D1与指电极位于单晶压电薄膜101的不同表面侧，例如，指电极102位于单晶压电薄膜101的第一表面，第二介质层103和负载结构M1/D1位于单晶压电薄膜101的第二表面。此外，也可以是：指电极102位于单晶压电薄膜101的第二表面，第二介质层103和负载结构M1/D1位于单晶压电薄膜101的第一表面。
图4是第一方面的实施例的横向电场激励谐振器的另一个变形例的俯视图。
如图4所示，单晶压电薄膜101的第一表面和第二表面都设置有指电极，例如，单晶压电薄膜101的第一表面设置的指电极被表示为102a，第二表面设置的指电极被表示为102ai。指电极102a与指电极102ai的形状参数和/或分布参数可以分别相同，也可以不同。
如图4所示，单晶压电薄膜101的第一表面和第二表面都设置有第二介质层103和负载结构M1/D1，例如，单晶压电薄膜101的第一表面设置的第二介质层被表示为103，其表面设置有负载结构M1/D1；第二介质层103第二表面设置的第二介质层被表示为103i，其表面设置有负载结构M2/D2。第二介质层103和第二介质层103i可以是相同种类材料，也可以是不同种类的材料。负载结构M1/D1和负载结构M2/D2可以是相同种类材料，也可以是不同种类的介质材料。负载结构M1/D1和负载结构M2/D2的形状参数和/或分布参数可以分别相同，也可以不同。
图5是图2的区域R2的一个放大示意图。如图5所示，单晶压电薄膜101的第一表面的负载结构M1/D1具有梯形的截面形状。其中，梯形的下底被定义为负载结构M1/D1的宽度w1，梯形的高被定义为负载结构M1/D1的深度h1。第二介质层103的厚度为h2。该梯形截面形状仅为现实中的工艺效果之一，本申请不限于这样的截面形状，也可采用其它工艺获得其它形状的截面，例如矩形、半圆形或者半椭圆等形状的截面。
当负载结构质量一定时，采用密度较大的金属材料M1，如金，铂，钛，钨，铱，鋨或合金如钛钨等时，负载的尺寸w1和h1可具有较小的数值，从而降低了负载对谐振器振动部整体几何外形的影响。
图6是图3的区域R3的一个放大示意图。如图6所示，指电极102a位于单晶压电薄膜101的第一表面，第二介质层103和负载结构M1/D1位于单晶压电薄膜101的第二表面侧。
在图5和图6中，每个负载结构M1/D1设置于两个指电极102a之间，即，在平行于单晶压电薄膜101表面的平面上，负载结构M1/D1的投影与指电极102的投影不重叠。
此外，负载结构M1/D1与指电极102之间也可以具有其它的相对位置关系。
图7是图6的一个变形例的示意图。如图7所示，在平行于单晶压电薄膜101表面的平面上，负载结构M1/D1的投影与指电极102的投影至少部分地重叠。例如，在图7中，在第一方向上，负载结构M1/D1的投影与指电极102的投影部分重叠。
图8是图6的另一个变形例的示意图。在图8中，在第一方向上，负载结构M1/D1的投影与指电极102的投影全部重叠。其中，指电极102的宽度(即，在第一方向上的尺寸)可以小于负载结构M1/D1的宽度w1。
在图8中，负载结构M1/D1的投影的沿着第一方向的中心(即，沿着宽度方向的中心)与指电极102a的投影沿着第一方向的中心(即，沿着宽度方向的中心)不重叠。
图9是图8的一个变形例的示意图。如图8所示，在平行于单晶压电薄膜101表面的平面上，负载结构M1/D1的投影的沿着第一方向的中心(即，沿着宽度方向的中心)与指电极102a的投影沿着第一方向的中心(即，沿着宽度方向的中心)重叠。
下面，结合图1、图10对负载结构M1/D1的形状做进一步说明，该说明内容同样适用于负载结构M1/D1位于单晶压电薄膜101的第二表面时的情况。
图10是图1的区域R1的放大示意图。图10的(a)～(e)是不同的实施例。
如图10的(a)所示的实施例中，负载结构M1/D1具有沿第二方向(例如，y方向)分布的两个以上的子负载结构(例如，各子负载结构被成为区块)。
在图10的(a)中，各子负载结构在第一方向的尺寸均为w1，各子负载结构在第二方向的尺寸均为L1。相邻的子负载结构之间不连通，例如，相邻的子负载结构之间的间隙的尺寸为s。
如图10的(b)所示的实施例中，各子负载结构在第一方向的尺寸均为w1，各子负载结构在第二方向的尺寸均为L1。相邻的子负载结构之间通过连接部连接，该连接部沿第一方向的尺寸w2小于子负载结构沿第一方向的尺寸w1，即，w2<w1。该连接部沿第二方向的尺寸L2小于子负载结构沿第二方向的尺寸L1，即，L2<L1。
如图10的(c)所示的实施例中，各子负载结构在第一方向的尺寸可以变化，例如，沿着第二方向从两侧到中间，各子负载结构在第一方向的尺寸逐渐变大，如图10的(c)所示的各子负载结构在第一方向的尺寸分别为w1、w2、w3，其中，w1<w2<w3。
此外，沿着第二方向从两侧到中间，各子负载结构在第一方向的尺寸也可以逐渐变小。例如，如图10的(f)所示的各子负载结构在第一方向的尺寸分别为w1、w2、w3，其中，w3<w2<w1。
如图10的(c)所示的实施例中，各子负载结构在第二方向的尺寸可以变化，例如，沿着第二方向从两侧到中间，各子负载结构在第二方向的尺寸逐渐变大，如图10的(c)所示的各子负载结构在第二方向的尺寸分别为L1、L2、L3，其中，L1<L2<L3。
此外，沿着第二方向从两侧到中间，各子负载结构在第二方向的尺寸也可以逐渐变小。例如，如图10的(f)所示的各子负载结构在第二方向的尺寸分别为L1、L2、L3，其中，L3<L2<L1。
如图10的(c)所示的实施例中，各子负载结构之间的间隙的尺寸可以变化，例如，沿着第二方向从两侧到中间，各子负载结构之间的间隙的尺寸逐渐变小，如图10的(c)所示的各子负载结构之间的间隙的尺寸分别为s1、s2，其中，s2<s1。此外，沿着第二方向从两侧到中间，各子负载结构之间的间隙的尺寸也可以逐渐变大。
此外，图10的(c)所示的各子负载结构之间的间隙的尺寸的大小关系也可以适用于图10的(f)所示的实施例。
如图10的(d)所示的实施例中，相邻的子负载结构之间彼此接触，即，相邻的子负载结构之间不具有间隙。其中，各子负载结构在第一方向的尺寸可以变化，例如，沿着第二方向从两侧到中间，各子负载结构在第一方向的尺寸逐渐变大，如图10的(d)所示的各子负载结构在第一方向的尺寸分别为w1、w2、w3，其中，w1<w2<w3。
此外，沿着第二方向从两侧到中间，各子负载结构在第一方向的尺寸也可以逐渐变小。例如，如图10的(g)所示的各子负载结构在第一方向的尺寸分别为w1、w2、w3，其中，w3<w2<w1。
如图10的(d)所示的实施例中，各子负载结构在第二方向的尺寸可以变化，例如，沿着第二方向从两侧到中间，各子负载结构在第二方向的尺寸逐渐变大，如图10的(c)所示的各子负载结构在第二方向的尺寸分别为L1、L2、L3，其中，L1<L2<L3。
此外，沿着第二方向从两侧到中间，各子负载结构在第二方向的尺寸也可以逐渐变小。例如，如图10的(g)所示的各子负载结构在第二方向的尺寸分别为L1、L2、L3，其中，L3<L2<L1。
此外，如图10的(d)所示的实施例的一个变形例中，各子负载结构在第一方向的尺寸相等，各子负载结构在第二方向的尺寸相等，例如，俯视观察时，负载结构M1/D1成为矩形形状。
此外，如图10的(d)所示的实施例中，子负载结构的数量增加时，每一个子负载结构在第二方向的尺寸变小，并且，随着子负载结构的数量不断增加，负载结构M1/D1的边缘成为曲线形状，由此，负载结构M1/D1成为具有连续变化宽度w的曲边区域，如图10的(e)所示。
同样地，如图10的(g)所示的实施例中，子负载结构的数量增加时，每一个子负载结构在第二方向的尺寸变小，并且，随着子负载结构的数量不断增加，负载结构M1/D1的边缘成为曲线形状，由此，负载结构M1/D1成为具有连续变化宽度w的曲边区域，如图10的(h)所示。
需要说明的是，各负载结构M1/D1的形状可以彼此相同，也可以不同；各负载结构M1/D1的尺寸可以彼此相同，也可以不同。
根据本申请第一方面的实施例，负载结构设置在单晶压电薄膜表面，可在不改变谐振器的机电耦合系数K2的前提下通过改变负载结构的尺寸和/或位置等参数实现对每个谐振器振动频率的灵活调节；此外，负载结构的参数也可根据叉指间电场和能量分布调节，从而实现抑制寄生模式提高谐振器性能的功能；此外，负载结构的材料可灵活选择，当选择金属类材料或其他密度较大的材料时，对于一定的目标频率，负载结构的尺寸可以比较小，从而降低了负载结构对压电层整体的几何外观的改变显著度，改善谐振器的性能。
以上所述的具体实施例，对本申请的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本申请的具体实施例而已，并不用于限定本申请的保护范围，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (17)
1.一种横向电场激励谐振器，其特征在于，所述横向电场激励谐振器包括：
衬底(105)；
单晶压电薄膜(101)，其被支撑于所述衬底(105)表面；
电极层(102)，其设置于所述单晶压电薄膜(101)的至少一个表面，所述电极层(102)包括至少两组指电极(102a)，在第一方向(x)上，所述至少两组指电极(102a)交叉设置，各组指电极(102a)分别与对应的总线(102b)连接；
第二介质层(103)，其设置于所述单晶压电薄膜(101)的至少一个表面；以及
负载结构(M1/D1)，其设置于所述第二介质层(103)表面。
2.如权利要求1所述的横向电场激励谐振器，其特征在于，
所述衬底(105)和所述单晶压电薄膜(101)之间形成有反射层，
所述反射层包括形成于所述衬底(105)表面的第一凹陷部(104a)或布拉格反射层。
3.如权利要求2所述的横向电场激励谐振器，其特征在于，
所述负载结构(M1/D1)设置在所述第二介质层(103)的与所述第一凹陷部(104a)对应的区域。
4.如权利要求1所述的横向电场激励谐振器，其特征在于，
所述负载结构(M1/D1)的数量为2个以上，
2个以上的所述负载结构(M1/D1)沿所述第一方向分布。
5.如权利要求1所述的横向电场激励谐振器，其特征在于，
所述负载结构(M1/D1)与所述指电极位于所述单晶压电薄膜(101)的相同表面侧或不同表面侧。
6.如权利要求1所述的横向电场激励谐振器，其特征在于，
在所述负载结构(M1/D1)与所述指电极位于所述单晶压电薄膜(101)的相同表面侧时，
所述第二介质层(103)覆盖所述指电极。
7.如权利要求1所述的横向电场激励谐振器，其特征在于，
在平行于所述单晶压电薄膜(101)表面的平面上，
所述负载结构(M1/D1)与所述指电极的投影不重叠。
8.如权利要求7所述的横向电场激励谐振器，其特征在于，
在平行于所述单晶压电薄膜(101)表面的平面上，
所述负载结构(M1/D1)位于沿着所述第一方向相邻设置的两个所述指电极之间。
9.如权利要求1所述的横向电场激励谐振器，其特征在于，
在平行于所述单晶压电薄膜(101)表面的平面上，
所述负载结构(M1/D1)与所述指电极的投影至少部分地重叠。
10.如权利要求9所述的横向电场激励谐振器，其特征在于，
在平行于所述单晶压电薄膜(101)表面的平面上，
所述负载结构(M1/D1)的投影的沿着所述第一方向的中心与所述指电极的投影沿着所述第一方向的中心重叠。
11.如权利要求1所述的横向电场激励谐振器，其特征在于，
所述负载结构(M1/D1)具有沿第二方向分布的两个以上的子负载结构，
其中，在平行于所述单晶压电薄膜(101)表面的平面上，所述第二方向垂直于所述第一方向。
12.如权利要求11所述的横向电场激励谐振器，其特征在于，
相邻的所述子负载结构之间不连通；或者
相邻的所述子负载结构之间通过连接部连接，所述连接部沿所述第一方向的尺寸小于所述子负载结构沿所述第一方向的尺寸；或者
相邻的所述子负载结构之间彼此接触。
13.如权利要求11或12所述的横向电场激励谐振器，其特征在于，
相邻的所述子负载结构沿所述第一方向的尺寸相同或不同；和/或
相邻的所述子负载结构沿所述第二方向的尺寸相同或不同。
14.如权利要求13所述的横向电场激励谐振器，其特征在于，
所述负载结构(M1/D1)在所述第二方向的中心部位的沿所述第一方向的尺寸大于或小于在所述第二方向的两侧部位的沿所述第一方向的尺寸；和/或
所述负载结构(M1/D1)在所述第二方向的中心部位的沿所述第二方向的尺寸大于或小于在所述第二方向的两侧部位的沿所述第二方向的尺寸。
15.如权利要求1所述的横向电场激励谐振器，其特征在于，
所述单晶压电薄膜为单晶铌酸锂或单晶钽酸锂。
16.如权利要求1所述的横向电场激励谐振器，其特征在于，
在所述第一方向上，当所述指电极(102a)两侧都具有所述负载结构(M1/D1)时，所述指电极(102a)两侧的所述负载结构(M1/D1)相对于所述指电极(102a)对称设置或者非对称设置。
17.如权利要求1所述的横向电场激励谐振器，其特征在于，
所述负载结构的材料为金属。
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| CN202310328859.4A CN116436438A (zh) | 2023-03-30 | 2023-03-30 | 横向电场激励谐振器 |
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