CN116436296A - 一种斩波器控制方法及相关装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种斩波器控制方法及相关装置，控制方法包括：对耦合储能磁体两侧的斩波器进行电流解耦控制，实现了两侧电流的独立控制，在充分利用储能容量的情况下避免耦合超导磁体失超。进一步地，耦合磁体的参数实时校核方法。实时测量耦合磁体的电压、电流参数，从而计算耦合磁体实时参数，防止由于参数变动对充放电造成影响。从而解决了耦合磁体充放电时两侧电流无法独立控制的问题。

Description

一种斩波器控制方法及相关装置

技术领域

本申请涉及超导磁技术领域，尤其涉及一种斩波器控制方法及相关装置。

背景技术

超导磁储能系统(Superconducting Magnetic Energy Storage:SMES)以其高密度、高效率储能、快速的四象限功率响应而具有独特的魅力，可以提高系统稳定性、改善供电品质，在可再生能源及分布式发电系统中也可作为有效的能量存储和调节装置，还可用作重要设备的不间断电源。

根据电路拓扑结构，超导磁储能系统的功率调节系统用变流器可分为电流源型(Current Source Converter，CSC)和电压源型(Voltage Source Converter，VSC)两种基本结构。这两种基础的SMES拓扑中，都只采用了单个超导磁体进行储能。而在最新的超导磁储能系统中，有项目采用内外两层的耦合超导磁体进行储能。

在储能磁体容量逐渐增大、储能磁体采用耦合磁体的情况下，传统的变流器拓扑结构及控制方式没有考虑储能磁体的参数差异及磁路耦合关系，无法完成耦合储能磁体的充放电任务；该方案主要存在以下问题：(1)耦合储能磁体中的两个磁体因为电感不同且磁路耦合，若采用一个斩波器对两个磁体共同充放电，会导致其电流上升速率不同。(2)两个磁体由于材料不同、结构不同、空间位置不同，临界电流不同，若采用同一个斩波器控制充放电，会导致二者电流无法独立控制，造成充电容量降低、单一磁体失超会导致另一磁体也无法继续充电的问题；若采用传统的多DC/DC斩波器独立对耦合的两个磁体充放电，由于磁路耦合，一个斩波器的输出电压会对另一侧的磁体电流造成影响，无法对耦合磁体进行电流解耦控制。(3)在SMES运行过程中，耦合磁体的互感、自感可能发生微小变化，会对耦合磁体的电流解耦控制效果产生影响，导致耦合磁体的电流比例与预期不符，造成不均流的问题。

发明内容

本申请提供了一种斩波器控制方法及相关装置，用于解决耦合磁体充放电时两侧电流无法独立控制的问题。

有鉴于此，本申请第一方面提供了一种斩波器控制方法，所述方法包括：

S1、初始化耦合超导磁体储能电路的电路参数，所述电路参数包括：直流母线电压、耦合超导磁体自感及互感、耦合磁体两侧的临界电流；

S2、对斩波器输入功率指令，所述功率指令为耦合超导磁体储能电路中两个耦合磁体总的充放电功率指令；

S3、根据磁体的实时运行情况以及耦合磁体两侧的临界电流，计算耦合磁体两侧电流变化的比值，从而防止某一侧达到临界电流时另一侧还有较大的电流上升裕度；

S4、计算两个斩波器的输出电压，并将两个斩波器的输出电压换算成占空比，从而控制斩波器的占空比，并根据斩波器的充放电状态确定斩波器最终的占空比。

可选地，所述根据斩波器的充放电状态确定斩波器最终的占空比，具体包括：

判断斩波器是否停止充放电；

当斩波器处于充放电状态时，校核耦合超导磁体储能电路的电流参数；当耦合超导磁体第i侧电流接近或达到临界值，则降低或归零第i侧电流上升值，否则返回步骤S2；

当斩波器停止充放电时，将耦合磁体的两个斩波器的置于续流状态，从而使磁体与变流器不再交换能量。。

可选地，所述计算两个斩波器的输出电压，并将两个斩波器的输出电压换算成占空比，具体包括：

根据第一计算公式和第二计算公式计算出耦合超导磁体两侧变流器分别的输出电压并换算成占空比；

其中，所述第一计算公式为：

所述第二计算公式为：

p＝p₁+p₂＝u₁i₁+u₂i₂；

式中，u₁和u₂分别为两个耦合磁体的平均端电压，i₁和i₂分别为两个耦合磁体的电流，L₁和L₂分别为耦合超导磁体储能电路的两个电感值，M为互感值，K₁为两个磁体的电流变化比值，K₂为两个磁体的电压变化比值，p₁和p₂分别为两个斩波器分别的输入功率。

可选地，步骤S2之后还包括：根据实时的超导磁体充放电电压、电流数据对电感的自感及互感数值进行重新整定。

可选地，所述根据实时的超导磁体充放电电压、电流数据对电感的自感及互感数值进行重新整定，具体包括：

基于第三计算公式，根据实时的超导磁体充放电电压、电流数据对电感的自感及互感数值进行重新整定；

其中，所述第三计算公式为：

式中，T为采样周期，采集六个时刻t₀-T，t₀，t₀+T，t₁-T，t₁，t₁+T的电压、电流数据即可重新整定超导耦合磁体的自感、互感参数。

本申请第二方面提供一种斩波器控制系统，所述系统包括：

初始化单元，用于初始化耦合超导磁体储能电路的电路参数，所述电路参数包括：直流母线电压、耦合超导磁体自感及互感、耦合磁体两侧的临界电流；

输入单元，用于对斩波器输入功率指令，所述功率指令为耦合超导磁体储能电路中两个耦合磁体总的充放电功率指令；

第一计算单元，用于根据磁体的实时运行情况以及耦合磁体两侧的临界电流，计算耦合磁体两侧电流变化的比值，从而防止某一侧达到临界电流时另一侧还有较大的电流上升裕度；

第二计算单元，用于计算两个斩波器的输出电压，并将两个斩波器的输出电压换算成占空比，从而控制斩波器的占空比，并根据斩波器的充放电状态确定斩波器最终的占空比。

可选地，所述第二计算单元，具体用于：

根据第一计算公式和第二计算公式计算出耦合超导磁体两侧变流器分别的输出电压并换算成占空比；

判断斩波器是否停止充放电；

当斩波器处于充放电状态时，校核耦合超导磁体储能电路的电流参数；当耦合超导磁体第i侧电流接近或达到临界值，则降低或归零第i侧电流上升值，否则返回步骤S2；

当斩波器停止充放电时，将耦合磁体的两个斩波器的置于续流状态，从而使磁体与变流器不再交换能量。；

其中，所述第一计算公式为：

所述第二计算公式为：

p＝p₁+p₂＝u₁i₁+u₂i₂；

式中，u₁和u₂分别为两个耦合磁体的平均端电压，i₁和i₂分别为两个耦合磁体的电流，L₁和L₂分别为耦合超导磁体储能电路的两个电感值，M为互感值，K₁为两个磁体的电流变化比值，K₂为两个磁体的电压变化比值，p₁和p₂分别为两个斩波器分别的输入功率。

可选地，还包括：调整单元，所述调整单元，具体用于：

基于第三计算公式，根据实时的超导磁体充放电电压、电流数据对电感的自感及互感数值进行重新整定；

其中，所述第三计算公式为：

式中，T为采样周期，采集六个时刻t₀-T，t₀，t₀+T，t₁-T，t₁，t₁+T的电压、电流数据即可重新整定超导耦合磁体的自感、互感参数。

本申请第三方面提供一种斩波器控制设备，所述设备包括处理器以及存储器：

所述存储器用于存储程序代码，并将所述程序代码传输给所述处理器；

所述处理器用于根据所述程序代码中的指令，执行如上述第一方面所述的斩波器控制方法的步骤。

本申请第四方面提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质用于存储程序代码，所述程序代码用于执行上述第一方面所述的斩波器控制方法。

从以上技术方案可以看出，本申请具有以下优点：

本申请提供了一种斩波器控制方法，设计了耦合超导磁体的斩波器充放电策略，填补了耦合储能磁体斩波器控制方法研究的空白，解决了耦合磁体充放电时两侧电流无法独立控制的问题。本控制方法具有以下优势：

(1)充分利用耦合储能磁体的储能容量。可以独立控制耦合磁体两侧的电流大小，合理对两侧电流大小进行调控，防止某一侧达到临界值而另一侧电流仍较小。

(2)对超导磁体起到失超保护作用。充放电过程中对超导磁体的运行状态进行实时监测，当耦合磁体的某一侧出现失超风险时降低该侧电流，可以有效避免耦合磁体出现失超故障。

(3)耦合磁体的电流控制更为精确。对耦合磁体的磁体参数进行实时校核，避免了环境变化、测量误差导致充放电时耦合磁体电流与预期值出现较大偏差。

附图说明

图1为本申请实施例中提供的一种斩波器控制方法实施例的流程示意图；

图2为本申请实施例中提供的一种耦合超导磁体储能电路图；

图3为本申请实施例中提供的一种耦合超导磁体电路图；

图4为本申请实施例中提供的一种斩波器控制系统实施例的结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

以下为本申请对耦合超导磁体储能电路的分析说明：

1、电路拓扑及原理：

耦合超导磁体储能电路如图2所示，耦合超导磁体由两个磁路耦合的磁体组成，两个磁体由同一条直流母线供电，采用两个DC/DC斩波器分别控制两个磁体的输入电压的占空比，从而实现电流的独立控制。

两个超导磁体电感数值分别为L₁，L₂，互感值为M，耦合系数为k，满足：

斩波器输出电压和单个超导磁体的情况相同，充电时，Q₂及Q₄恒定闭合，d₁与d₂分别为Q₁和Q₃的占空比，充电电压满足：

式(2)中，u₁、u₂表示两个耦合磁体的平均端电压。实际情况中，超导磁体端电压为幅值为udc的脉冲电压，这里只考虑其平均值。放电时，Q₁及Q₃恒定断开，d₁与d₂分别为Q₂和Q₄的占空比，放电电压满足：

由于磁体磁路耦合，磁体两侧控制需统筹考虑。磁体的端电压不仅取决于该侧电流的变化率，也会受到另一侧的电流变化率的影响。耦合磁体电路拓扑如图3所示：

耦合超导磁体电路方程为：

由式(4)可知控制u₁及u₂即可控制i₁及i₂的上升速率，但由于耦合系数M的存在，磁体端电压会受到另一侧电流的变化的影响。因此充放电过程中，即使只想改变一侧的电流指令，也需统筹规划，同时改变两个斩波器的控制策略。

斩波器输入功率方程为：

p＝p₁+p₂＝u₁i₁+u₂i₂ (5)

其中，p1、p2表示两个斩波器分别的输入功率。

2、电流解耦控制方法：

由于两个磁体的材料临界电流、材料临界磁场、磁体空间位置、磁体电感值均不一样，这会造成两个磁体的临界电流不相等。因此在本控制方法中，两个磁体同时充放电时，设定二者电流变化比值为K₁，让电流呈比例变化，防止某一磁体还有较大的电流裕度时，另一磁体已经达到临界电流而失超。

该控制方法的直接控制目标包括两点：控制总充电/放电功率；控制耦合电感两侧的电流变化比值。设电流比值为K₁，即：

将式(4)中的两式相除可得电压比值K₂：

根据电压比值及功率方程计算u₁、u₂，即联立斩波器功率方程式(5)及电压比值式(7)，可得u₁、u₂的具体数值：

通过上述对耦合超导磁体的分析，得出下述斩波器控制方法。

请参阅图1，本申请实施例中提供的一种斩波器控制方法，包括：

步骤101、初始化耦合超导磁体储能电路的电路参数，电路参数包括：直流母线电压、耦合超导磁体自感及互感、耦合磁体两侧的临界电流；

步骤102、对斩波器输入功率指令，功率指令为耦合超导磁体储能电路中两个耦合磁体总的充放电功率指令；

步骤103、根据磁体的实时运行情况以及耦合磁体两侧的临界电流，计算耦合磁体两侧电流变化的比值，从而防止某一侧达到临界电流时另一侧还有较大的电流上升裕度；

步骤104、计算两个斩波器的输出电压，并将两个斩波器的输出电压换算成占空比，从而控制斩波器的占空比，并根据斩波器的充放电状态确定斩波器最终的占空比。

需要说明的是：

首先，根据第一计算公式和第二计算公式，也就是根据上述分析中的式7和8计算出耦合超导磁体两侧变流器分别的输出电压并换算成占空比；

其中，第一计算公式为：

第二计算公式为：

p＝p₁+p₂＝u₁i₁+u₂i₂；

式中，u₁和u₂分别为两个耦合磁体的平均端电压，i₁和i₂分别为两个耦合磁体的电流，L₁和L₂分别为耦合超导磁体储能电路的两个电感值，M为互感值，K₁为两个磁体的电流变化比值，K₂为两个磁体的电压变化比值，p₁和p₂分别为两个斩波器分别的输入功率。

接着，判断斩波器是否停止充放电；

当斩波器处于充放电状态时，校核耦合超导磁体储能电路的电流参数；当耦合超导磁体第i侧电流接近或达到临界值，则降低或归零第i侧电流上升值，否则返回步骤102；

当斩波器停止充放电时，将耦合磁体的两个斩波器的置于续流状态，从而使磁体与变流器不再交换能量。

进一步地，在一个实施例中，本申请的斩波器控制方法，还包括：根据实时的超导磁体充放电电压、电流数据对电感的自感及互感数值进行重新整定。

需要说明的是，在电流解耦控制方法中，用到了的参数包括两个电感的自感L₁，L₂和互感M。但实际运行过程中，由于这些参数测量的误差、环境变化等等因素，这自感互感的参数会随时间而发生微小的偏移，导致控制出现偏差，因此需要根据实时的超导磁体充放电电压、电流数据对电感的自感及互感数值重新整定。对式(4)进行离散化，可得：

式(9)中，T为采样周期。采集六个时刻t₀-T，t₀，t₀+T，t₁-T，t₁，t₁+T的电压、电流数据即可重新整定超导耦合磁体的自感、互感参数。

本申请实施例提供的一种斩波器控制方法，对耦合储能磁体两侧的斩波器进行电流解耦控制，实现了两侧电流的独立控制，在充分利用储能容量的情况下避免耦合超导磁体失超。进一步地，耦合磁体的参数实时校核方法。实时测量耦合磁体的电压、电流参数，从而计算耦合磁体实时参数，防止由于参数变动对充放电造成影响。

以上为本申请实施例中提供的一种斩波器控制方法，以下为本申请实施例中提供的一种斩波器控制系统。

请参阅图4，本申请实施例中提供的一种斩波器控制系统，包括：

初始化单元201，用于初始化耦合超导磁体储能电路的电路参数，电路参数包括：直流母线电压、耦合超导磁体自感及互感、耦合磁体两侧的临界电流；

输入单元202，用于对斩波器输入功率指令，功率指令为耦合超导磁体储能电路中两个耦合磁体总的充放电功率指令；

第一计算单元203，用于根据磁体的实时运行情况以及耦合磁体两侧的临界电流，计算耦合磁体两侧电流变化的比值，从而防止某一侧达到临界电流时另一侧还有较大的电流上升裕度；

第二计算单元204，用于计算两个斩波器的输出电压，并将两个斩波器的输出电压换算成占空比，从而控制斩波器的占空比，并根据斩波器的充放电状态确定斩波器最终的占空比。

进一步地，本申请实施例中还提供了一种斩波器控制设备，设备包括处理器以及存储器：

所述存储器用于存储程序代码，并将所述程序代码传输给所述处理器；

所述处理器用于根据所述程序代码中的指令，执行如上述方法实施例所述的斩波器控制方法的步骤。

进一步地，本申请实施例中还提供了计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质用于存储程序代码，所述程序代码用于执行上述方法实施例所述的斩波器控制方法。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

本申请的说明书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

应当理解，在本申请中，“至少一个(项)”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，用于描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，“A和/或B”可以表示：只存在A，只存在B以及同时存在A和B三种情况，其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b或c中的至少一项(个)，可以表示：a，b，c，“a和b”，“a和c”，“b和c”，或“a和b和c”，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统，装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(英文全称：Read-OnlyMemory，英文缩写：ROM)、随机存取存储器(英文全称：Random Access Memory，英文缩写：RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述，以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种斩波器控制方法，其特征在于，包括：

S1、初始化耦合超导磁体储能电路的电路参数，所述电路参数包括：直流母线电压、耦合超导磁体自感及互感、耦合磁体两侧的临界电流；

S2、对斩波器输入功率指令，所述功率指令为耦合超导磁体储能电路中两个耦合磁体总的充放电功率指令；

S3、根据磁体的实时运行情况以及耦合磁体两侧的临界电流，计算耦合磁体两侧电流变化的比值，从而防止某一侧达到临界电流时另一侧还有较大的电流上升裕度；

S4、计算两个斩波器的输出电压，并将两个斩波器的输出电压换算成占空比，从而控制斩波器的占空比，并根据斩波器的充放电状态确定斩波器最终的占空比。

2.根据权利要求1所述的斩波器控制方法，其特征在于，所述根据斩波器的充放电状态确定斩波器最终的占空比，具体包括：

判断斩波器是否停止充放电；

当斩波器处于充放电状态时，校核耦合超导磁体储能电路的电流参数；当耦合超导磁体第i侧电流接近或达到临界值，则降低或归零第i侧电流上升值，否则返回步骤S2；

当斩波器停止充放电时，将耦合磁体的两个斩波器的置于续流状态，从而使磁体与变流器不再交换能量。

3.根据权利要求1所述的斩波器控制方法，其特征在于，所述计算两个斩波器的输出电压，并将两个斩波器的输出电压换算成占空比，具体包括：

根据第一计算公式和第二计算公式计算出耦合超导磁体两侧变流器分别的输出电压并换算成占空比；

其中，所述第一计算公式为：

所述第二计算公式为：

p＝p₁+p₂＝u₁i₁+u₂i₂；

式中，u₁和u₂分别为两个耦合磁体的平均端电压，i₁和i₂分别为两个耦合磁体的电流，L₁和L₂分别为耦合超导磁体储能电路的两个电感值，M为互感值，K₁为两个磁体的电流变化比值，K₂为两个磁体的电压变化比值，p₁和p₂分别为两个斩波器分别的输入功率。

4.根据权利要求3所述的斩波器控制方法，其特征在于，步骤S2之后还包括：根据实时的超导磁体充放电电压、电流数据对电感的自感及互感数值进行重新整定。

5.根据权利要求4所述的斩波器控制方法，其特征在于，所述根据实时的超导磁体充放电电压、电流数据对电感的自感及互感数值进行重新整定，具体包括：

基于第三计算公式，根据实时的超导磁体充放电电压、电流数据对电感的自感及互感数值进行重新整定；

其中，所述第三计算公式为：

式中，T为采样周期，采集六个时刻t₀-T，t₀，t₀+T，t₁-T，t₁，t₁+T的电压、电流数据即可重新整定超导耦合磁体的自感、互感参数。

6.一种斩波器控制系统，其特征在于，包括：

初始化单元，用于初始化耦合超导磁体储能电路的电路参数，所述电路参数包括：直流母线电压、耦合超导磁体自感及互感、耦合磁体两侧的临界电流；

输入单元，用于对斩波器输入功率指令，所述功率指令为耦合超导磁体储能电路中两个耦合磁体总的充放电功率指令；

第一计算单元，用于根据磁体的实时运行情况以及耦合磁体两侧的临界电流，计算耦合磁体两侧电流变化的比值，从而防止某一侧达到临界电流时另一侧还有较大的电流上升裕度；

第二计算单元，用于计算两个斩波器的输出电压，并将两个斩波器的输出电压换算成占空比，从而控制斩波器的占空比，并根据斩波器的充放电状态确定斩波器最终的占空比。

7.根据权利要求6所述的斩波器控制系统，其特征在于，所述第二计算单元，具体用于：

根据第一计算公式和第二计算公式计算出耦合超导磁体两侧变流器分别的输出电压并换算成占空比；

判断斩波器是否停止充放电；

当斩波器处于充放电状态时，校核耦合超导磁体储能电路的电流参数；当耦合超导磁体第i侧电流接近或达到临界值，则降低或归零第i侧电流上升值，否则返回步骤S2；

当斩波器停止充放电时，将耦合磁体的两个斩波器的置于续流状态，从而使磁体与变流器不再交换能量；

其中，所述第一计算公式为：

所述第二计算公式为：

p＝p₁+p₂＝u₁i₁+u₂i₂；

式中，u₁和u₂分别为两个耦合磁体的平均端电压，i₁和i₂分别为两个耦合磁体的电流，L₁和L₂分别为耦合超导磁体储能电路的两个电感值，M为互感值，K₁为两个磁体的电流变化比值，K₂为两个磁体的电压变化比值，p₁和p₂分别为两个斩波器分别的输入功率。

8.根据权利要求6所述的斩波器控制系统，其特征在于，还包括：调整单元，所述调整单元，具体用于：

基于第三计算公式，根据实时的超导磁体充放电电压、电流数据对电感的自感及互感数值进行重新整定；

其中，所述第三计算公式为：

式中，T为采样周期，采集六个时刻t₀-T，t₀，t₀+T，t₁-T，t₁，t₁+T的电压、电流数据即可重新整定超导耦合磁体的自感、互感参数。

9.一种斩波器控制设备，其特征在于，所述设备包括处理器以及存储器：

所述存储器用于存储程序代码，并将所述程序代码传输给所述处理器；

所述处理器用于根据所述程序代码中的指令执行权利要求1-5任一项所述的斩波器控制方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质用于存储程序代码，所述程序代码用于执行权利要求1-5任一项所述的斩波器控制方法。

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