CN116399890A - 一种晶体三维定向的方法和晶体的加工方法 - Google Patents

一种晶体三维定向的方法和晶体的加工方法 Download PDF

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CN116399890A CN202310186407.7A CN202310186407A CN116399890A CN 116399890 A CN116399890 A CN 116399890A CN 202310186407 A CN202310186407 A CN 202310186407A CN 116399890 A CN116399890 A CN 116399890A
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唐海跃
苏榕冰
张文杰
王祖建
杨晓明
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Abstract

本申请公开了一种晶体三维定向的方法和晶体的加工方法，所述的方法包括：从待测晶体上切割测试晶片；获取所述测试晶片切割面的X射线衍射图谱，确定测试晶片的X射线衍射图谱中最强衍射峰代表的晶面指数(h1k1l1)；采用X射线定向仪获取晶面(h1k1l1)与所述测试晶片切割面之间的偏角，对所述切割面进行修正，获取晶面指数为(h1k1l1)的切割面；选定一个晶面(h2k2l2)，利用X射线定向仪确定晶面(h2k2l2)和晶面(h1k1l1)的交线方向[uvw]；利用晶面(h1k1l1)和交线方向[uvw]，获取晶体的三维方向。该方法解决了没有劳厄晶体定向仪也能快速准确的对晶体进行三维定向。

Description

一种晶体三维定向的方法和晶体的加工方法
技术领域
本申请涉及一种晶体三维定向的方法和晶体的加工方法，属于晶体技术领域。
背景技术
晶体材料是由结晶物质构成的固体材料，其所含的原子、离子、分子或基团等具有周期性的规则排列和平移对称性，即单晶材料。单晶材料在尖端科学技术中有广泛的应用，晶体材料包括铁电晶体、激光晶体、半导体晶体、闪烁晶体、电光晶体、声光晶体、磁光晶体等。晶体的最大特征是各向异性，晶体的物理性质也是各向异性的，比如光学、电学、力学等物理性能都是有方向性的。因此，晶体在使用时必须明确晶向，这就需要对晶体进行三维定向。
目前大多数使用的晶体都是人工晶体。人工晶体依据生长的方法不一，很多晶体是没有自然生长面的，例如提拉法、坩埚下降法生长的晶体都是圆柱状晶体，这给晶体的三维定向带来了困难。圆柱状晶体的定向，采用最广泛的是劳厄定向法。劳厄晶体定向仪能快速确定晶体的三维方向，但劳厄晶体定向仪价格昂贵，很多研究单位缺少相关设备，不利于广泛使用，耽误了研究周期。其它定向方法有光学方法和X射线定向仪法等。光学方法一般使用光学显微镜观察晶片的形貌、干涉图等来判断晶面取向。这种方法需要加工光学显微镜用的晶片，耗时长。另外定向的精确度低、误差大；X射线定向仪可以测定已知晶面和某结晶面的偏差，但需要预先知道某晶面的大致晶面指数，并只能对已知晶面进行精确一维定向，没有三维定向功能。因此，现有的晶体定向方法效率较低或价格昂贵，需要一种简便的晶体三维定向方法。
发明内容
针对上述技术问题，本申请是提供的晶体三维定向的简便方法及装置、加工方法，能够解决现有晶体定向仪不能三维定向的问题。
本申请的一个方向，提供一种晶体三维定向的方法，所述方法包括：
(1)从待测晶体上切割测试晶片；
(2)获取所述测试晶片的切割面的X射线衍射图谱，和所述待测晶体的粉末X射线衍射图谱比照，确定测试晶片的X射线衍射图谱中最强衍射峰代表的晶面指数(h1k1l1)；
(3)采用X射线定向仪获取所述测试晶片的最强衍射峰所属的晶面(h1k1l1)与所述测试晶片的切割面之间的偏角，获取偏角后，对所述测试晶片的切割面进行修正，获取晶面指数为(h1k1l1)的切割面；
(4)选定一个晶面(h2k2l2)，以晶面(h2k2l2)和晶面(h1k1l1)的晶面夹角δ相对小为原则，利用X射线定向仪确定晶面(h2k2l2)和晶面(h1k1l1)的交线方向[uvw]；
(5)利用晶面(h1k1l1)和两晶面的交线方向[uvw]，获取晶体的三维方向。
具体地，从待测晶体上任意切割一块晶片；获取晶片切割面的全谱X射线衍射图谱，和晶体的全谱粉末X射线衍射图谱比照，确定晶片的全谱X射线衍射图谱中最强衍射峰代表的晶面指数(h1k1l1)；采用普通X射线定向仪确定最强衍射峰所属的晶面与晶片切割面之间的夹角，通过调整切割角度切割出晶面指数为(h1k1l1)的晶片；选择一个晶面(h2k2l2)，以晶面(h2k2l2)和晶面(h1k1l1)的晶面夹角小为原则，利用普通X射线定向仪确定晶面(h2k2l2)和晶面(h1k1l1)的交线方向[uvw]；利用晶面(h1k1l1)和两晶面的交线方向[uvw]就可以确定晶体的三维方向。
作为一种具体的实施方式，所述方法包括：
(1)从待测晶体上任意切割一块晶片；
(2)获取晶片切割面的全谱X射线衍射图谱，和晶体的全谱粉末X射线衍射图谱比照，确定晶片的全谱X射线衍射图谱中最强衍射峰代表的晶面指数(h1k1l1)；
(3)采用普通X射线仪定向仪获取最强衍射峰所属的晶面(h1k1l1)与晶片切割面之间的夹角，通过调整切割角度切割出晶面指数为(h1k1l1)的晶片；
(4)选定一个晶面(h2k2l2)，以晶面(h2k2l2)和晶面(h1k1l1)的晶面夹角小为原则，利用普通X射线定向仪确定晶面(h2k2l2)和晶面(h1k1l1)的交线方向[uvw]；
(5)利用晶面(h1k1l1)和两晶面的交线方向就可获取晶体的三维方向。
本申请中，所述的晶面指数用(hkl)表示，不同晶面用不同下标表示。
可选地，所述的待测晶体为无自然生长面的单晶，即所述的待测晶体是没有自然生长面的大单晶，无法通过自然生长面直观地确定晶体的三维晶向，例如提拉法、坩埚下降法生长的圆柱状晶体。
可选地，所述的晶面(h2k2l2)和晶面(h1k1l1)的晶面夹角δ，满足：
三斜晶系：
Figure BDA0004104236340000031
[S11h1h2+S22k1k2+S33l1l2+S23(k1l2+k2l1)+
S13(l1h2+l2h1)+S12(h1k2+h1k2)]，
其中S11＝b2c2sin2α；S22＝a2c2sin2β；S33＝a2b2sin2γ；S12＝abc2(cosαcosβ-cosγ)；S23＝a2bc(cosβcosγ-cosα)；S13＝ab2c(cosαcosγ-cosβ)；
单斜晶系：
Figure BDA0004104236340000032
正交晶系：
Figure BDA0004104236340000033
三方晶系：
Figure BDA0004104236340000034
Figure BDA0004104236340000035
四方晶系：
Figure BDA0004104236340000036
六方晶系：
Figure BDA0004104236340000037
立方晶系：
Figure BDA0004104236340000038
其中a、b、c、α、β、γ为晶胞参数，d1、d2为晶面(h1k1l1)和晶面(h2k2l2)的晶面间距，V为晶胞体积；
三斜晶系、单斜晶系、正交晶系、三方晶系、四方晶系、六方晶系、立方晶系为所述待测晶体的晶系结构。
可选地，所述晶面(h2k2l2)和晶面(h1k1l1)的交线方向[uvw]满足：
u＝k1l2–l1k2；
v＝l1h2–h1l2；
w＝h1k2–k1h2。
可选地，所述的晶面(h1k1l1)和晶向指数[uvw]即可确定晶体的三维方向。
可选地，所述晶面(h2k2l2)的选取满足：θ2-δ>0或
Figure BDA0004104236340000041
其中，θ2为晶面(h2k2l2)的衍射角；
δ为晶面(h1k1l1)与晶面(h2k2l2)的夹角；
Figure BDA0004104236340000044
为X射线定向仪的样品旋转台的量程/>
Figure BDA0004104236340000045
可选地，所述晶面(h2k2l2)的选取满足：
Figure BDA0004104236340000042
其中，θ2为晶面(h2k2l2)的衍射角；
δ为晶面(h1k1l1)与晶面(h2k2l2)的夹角；
Figure BDA0004104236340000046
为X射线定向仪的样品旋转台的量程/>
Figure BDA0004104236340000047
具体地，所述的晶面(h2k2l2)的选取需满足X射线定向仪的量程。设X射线定向仪的样品旋转台的量程为
Figure BDA0004104236340000048
对应的信号接收器的量程为/>
Figure BDA0004104236340000049
晶面(h1k1l1)的衍射角为θ1，选取的晶面(h2k2l2)的衍射角为θ2，(h1k1l1)面与(h2k2l2)面的夹角为δ，则发生衍射时样品台的位置应该在θ2-δ和θ2+δ处，该位置需要处于X射线定向仪的量程范围内。因此，选取的晶面(h2k2l2)需满足以下条件之一：
Figure BDA0004104236340000043
反之，若夹角过大，则X射线定向仪不能够获得衍射信号。
可选地，选取的晶面(h2k2l2)能够同时满足以上两个不等式，使得两次衍射实验的结果能够相互印证，确保三维定向的准确性。
可选地，选取的晶面(h2k2l2)和晶面(h1k1l1)的晶面夹角θ越小越好。
可选地，所述X射线衍射图谱的获取装置为粉末X射线衍射仪。
可选地，所述X射线定向仪包括：测试晶面固定装置、X射线发射装置、信号接收装置和角度测量装置
作为一种具体的实施方式，所述X射线定向仪为普通X射线定向仪，其配有测试晶面固定、X射线发射、接收以及角度测量装置，在事先确定与测试晶面大致接近的标准晶面后，用其对测试晶面开展X射线衍射实验，即可获得测试晶面与该标准晶面的偏角，从而晶体切割出和标准晶面一致的晶面。该定向仪只能完成已知晶面的修正，无晶体的三维定向功能。
可选地，所述测试晶面固定装置包括360°旋转样品台和定向夹具。
作为一种具体的实施方式，所述的定向装置是一种搭配X射线定向仪使用的晶体固定装置，该装置不仅可以固定待测晶体，还带有带刻度的旋转装置，能够使晶体以晶面法线为轴360°旋转。
本申请的另一个方面，提供一种晶体的加工方法，所述加工方法包括：根据晶体的三维晶向，确定加工的目标晶面，对所述晶体进行切割加工；
其中所述三维晶向根据上述方法确定。
本申请能产生的有益效果包括：
本发明提供的晶体定方法，通过常用的X射线衍射仪和普通X射线定向仪就可以完成对晶体的三维定向。本发明无需昂贵的劳厄晶体定向仪，也不需要光学方法那般繁琐。本发明提供的晶体定方法具有设备简单、效率高、晶体损耗小的特点。
附图说明
图1为本申请实施例1～3中提供的晶体定向方法流程图；
图2为本申请实施例1～3中提供的待测晶体样品的粉末X射线衍射图；
图3为本申请实施例1～3中提供的晶片X射线衍射图谱和晶面交线示意图。其中，(a)图为实施例1获得的任意切割面的X射线衍射图谱、(b)图为实施例1获得的切割面修正后的(111)面X射线衍射图谱、(c)图为实施例1获得的(111)面与(211)面的交线方向、(d)图为实施例2获得的任意切割面的X射线衍射图谱、(e)图为实施例2获得的切割面修正后的(211)面X射线衍射图谱、(f)图为实施例2获得的(311)面与(211)面的交线方向、(g)图为实施例3获得的任意切割面的X射线衍射图谱、(h)图为实施例3获得的切割面修正后的(110)面X射线衍射图谱、(i)图为实施例3获得的(310)面与(110)面的交线方向；
图4为本申请实施例1～3中提供的晶面(h2k2l2)选择示意图；
图5为本申请实施例1～3中提供的晶体定向操作和装置示意图；
图6为本申请实施例1～3中提供的晶面(h2k2l2)和晶面(h1k1l1)交线示意图；
图7为本申请实施例1提供的完成晶体三维定向后切出的标准晶面的X射线衍射图。
具体实施方式
下面结合实施例详述本申请，但本申请并不局限于这些实施例。
如无特别说明，本申请中的实施例，使用的原料均通过商业途径购买。
实施例中，采用的X射线粉末衍射仪为Rigaku公司的MiniFlex 600台式X射线粉末衍射仪；
实施例中，采用的X射线定向仪为辽东射线仪器有限公司的YX-2型X射线晶体定向仪。其样品台的量程为0～60°，相应的X射线信号接收器的量程为0～120°。
实施例1
用坩埚下降法生长的0.72Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.28PbTiO3(PMN-28PT)晶体为圆柱状晶体，无自然结晶面，因此无法通过自然生长面确定晶体的晶向。下面采用图1所示晶体定向方法流程图的步骤对晶体进行三维定向。
步骤一、从PMN-28PT晶体上任意切割一块晶片；
步骤二、对切割的晶体做粉末X射线衍射，得到的粉末X射线衍射图谱如图2所示，并做了指标化。需要说明的是PMN-28PT晶体虽然具有三方晶系结构，但是其晶胞参数α接近90°，故也被看作是赝立方相。因此在三维定向时，可以作为立方晶系来处理。同时对切下的晶片做全谱X射线衍射，获得的测试晶片的X射线衍射图谱如图3中(a)图所示。通过图2和图3中(a)图对比发现，测试晶片X射线衍射图谱的最强峰为(111)面的衍射峰，对应的衍射2θ1角约为39°；
步骤三、将步骤二的测试晶片固定在X射线定向仪上，利用X射线定向仪获取测试晶片晶面与标准(111)面的偏角。获取偏角后，对待测晶体切割面进行修正，获取准确(111)面的切割面，图3中(b)图所示。
步骤四、需要选定一个晶面(h2k2l2)，以晶面(h2k2l2)和晶面(h1k1l1)的晶面夹角小为原则。图4为晶面(h2k2l2)选择示意图，A、B、C面都可以和晶面(h1k1l1)相交的前提下，按照晶面夹角小的原则，选择A晶面作为晶面(h2k2l2)为最优选择。本实施例中晶面(h1k1l1)为(111)面。通过晶面夹角公式计算可知，(111)面与(100)面晶面夹角δ为54.7°，而(100)面的衍射角θ2约为11°，根据前面讨论的X射线定向仪的量程条件讨论的结论，将晶面(h2k2l2)选为(100)面不能满足衍射条件。(111)面与(211)面晶面夹角δ为19.5°，(211)面的衍射角θ2约为28°。θ2-δ或θ2+δ分别为8.5°和47.5°，满足X射线定向仪衍射条件。因此，选择(211)面作为定向的晶面(h2k2l2)。(111)面与(211)面交线的晶向指数为[01_1]，图3中(c)图所示。
将待测晶体固定在定向夹具上，定向夹具置于X射线定向上，如图5所示。将待测晶体(111)切割面分别置于X射线定向样品位置的8.5°和47.5°位置，X射线接收器置于2θ2的56°位置，绕待测晶体(111)切割面的法线方向360°旋转晶体。当晶体旋转到某一角度后，在X射线接收器可接受到衍射信号。此时可确定(111)面与(211)面交线方向，如图6所示。
步骤五、通过晶面(111)和[01_1]晶向就可以确定晶体三维方向了，如图3(c)所示。这时候，如果需要切割出(100)面的单晶元件，只需要(111)面绕着交线旋转54.7°。图7为最终切割出的(100)面的X射线衍射图，确定为(100)面。
实施例2
仍以PMN-28PT晶体为例。
步骤一、从PMN-28PT晶体上任意切割一块晶片；
步骤二、对切割的晶体做粉末X射线衍射，得到的粉末X射线衍射图谱如图2所示，并做了指标化。需要说明的是PMN-28PT晶体虽然具有三方晶系结构，但是其晶胞参数α接近90°，故也被看作是赝立方相。因此在三维定向时，可以作为立方晶系来处理。同时对切下的晶片做全谱X射线衍射，获得的测试晶片的X射线衍射图谱如图3中(d)图所示。通过图2和图3(d)对比发现，测试晶片X射线衍射图谱的最强峰为(211)面的衍射峰，对应的衍射2θ1角约为39°；
步骤三、将步骤二的测试晶片固定在X射线定向仪上，利用X射线定向仪获取测试晶片晶面与标准(211)面的偏角。获取偏角后，对待测晶体切割面进行修正，获取准确的(211)面的切割面，如图3中(e)图所示。
步骤四、需要选定一个晶面(h2k2l2)，以晶面(h2k2l2)和晶面(h1k1l1)的晶面夹角小为原则。本实施例中晶面(h1k1l1)为(211)面。通过晶面夹角公式计算可知，(311)面与(211)面晶面夹角δ为10°，适合将(311)面选为晶面(h2k2l2)。(311)面的衍射角θ2约为39°。θ2-δ或θ2+δ分别为29°和49°。(311)面与(211)面交线的晶向指数为
Figure BDA0004104236340000082
图3中(f)图所示。
将待测晶体固定在定向夹具上，定向夹具置于X射线定向仪上，如图5所示。将待测晶体(211)切割面分别置于X射线定向样品位置的29°和49°位置，X射线接收器置于2θ2的78°位置，绕待测晶体(211)切割面的法线方向360°旋转晶体。当晶体旋转到某一角度后，在X射线接收器可接受到衍射信号。此时可确定(211)面与(311)面交线方向，如图6所示。
步骤五、通过晶面(211)和
Figure BDA0004104236340000081
晶向就可以确定晶体三维方向了，如图3中(f)图所示。这时候，如果需要切割出(100)面的单晶元件，只需要(211)面绕着交线旋转35.3°。
实施例3
仍以PMN-28PT晶体为例。
步骤一、从PMN-28PT晶体上任意切割一块晶片；
步骤二、对切割的晶体做粉末X射线衍射，得到的粉末X射线衍射图谱如图2所示，并做了指标化。需要说明的是PMN-28PT晶体虽然具有三方晶系结构，但是其晶胞参数α接近90°，故也被看作是赝立方相。因此在三维定向时，可以作为立方晶系来处理。同时对切下的晶片做全谱X射线衍射，获得的测试晶片的X射线衍射图谱如图3中(g)图所示。通过图2和图3(d)对比发现，测试晶片X射线衍射图谱的最强峰为(110)面的衍射峰，对应的衍射2θ1角约为31°；
步骤三、将步骤二的测试晶片固定在X射线定向仪上，利用X射线定向仪获取测试晶片晶面与标准(110)面的偏角。获取偏角后，对待测晶体切割面进行修正，获取准确的(110)面的切割面，如图3中(h)图所示。
步骤四、需要选定一个晶面(h2k2l2)，以晶面(h2k2l2)和晶面(h1k1l1)的晶面夹角小为原则。本实施例中晶面(h1k1l1)为(110)面。通过晶面夹角公式计算可知，(110)面与(100)面晶面夹角δ为45°，而(100)面的衍射角θ2约为11°，根据前面讨论的X射线定向仪的量程条件讨论的结论，将晶面(h2k2l2)选为(100)面不能满足衍射条件。进一步地，考虑(110)面与(310)面晶面夹角δ为26.5°，(310)面的衍射角θ2约为37°。θ2-δ或θ2+δ分别为10.5°和63.5°，满足X射线定向仪衍射条件。因此，选择(310)面作为定向的晶面(h2k2l2)。(310)面与(110)面交线的晶向指数为[001]，图3中(i)图所示。
将待测晶体固定在定向夹具上，定向夹具置于X射线定向上，如图5所示。将待测晶体(110)切割面分别置于X射线定向样品位置的10.5°位置，X射线接收器置于2θ2的74°位置，绕待测晶体(110)切割面的法线方向360°旋转晶体。当晶体旋转到某一角度后，在X射线接收器可接受到衍射信号。此时可确定(310)面与(110)面交线方向，如图6所示。
步骤五、通过晶面(110)和[001]晶向就可以确定晶体三维方向了，如图3中(i)图所示。这时候，如果需要切割出(100)面的单晶元件，只需要(100)面绕着交线旋转45°。
以上三个实施例展示了使用本方法进行晶体三维定向的三个典型的情况，在实际操作中，按照本方法中叙述的定向基本步骤，也可完成其他情况下的三维定向，如表1中给出了PMN-28PT单晶另外几种已知(h1k1l1)面的定向数据作为参考，在此不做详述。
表1PMN-28PT单晶定向参考数据
(h1k1l1) (h2k2l2) 2θ1衍射角 2θ2衍射角 晶面夹角δ θ2-δ θ2+δ
(111) (211) ～39° ～56° 19.5° ～8.5° ～47.5°
(211) (311) ～56° ～78° 10° ～29° ～49°
(110) (310) ～31° ～74° 26.5° ～11.5 ～63.5
(100) (210) ～22° ～50° 26.5° ～-1.5° ～51.5°
(200) (310) ～44° ～74° 18.4° ～18.6° ～55.4°
(210) (310) ～50° ～74° 8.1° ～28.9° ～45.1°
(221) (211) ～70° ～56° 17.7° ～10.3° ～45.7°
以上所述，仅是本申请的几个实施例，并非对本申请做任何形式的限制，虽然本申请以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限制本申请，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本申请技术方案的范围内，利用上述揭示的技术内容做出些许的变动或修饰均等同于等效实施案例，均属于技术方案范围内。

Claims (10)

1.一种晶体三维定向的方法，其特征在于，
所述的方法包括：
(1)从待测晶体上切割测试晶片；
(2)获取所述测试晶片的切割面的X射线衍射图谱，和所述待测晶体的粉末X射线衍射图谱比照，确定测试晶片的X射线衍射图谱中最强衍射峰代表的晶面指数(h1k1l1)；
(3)采用X射线定向仪获取所述测试晶片的最强衍射峰所属的晶面(h1k1l1)与所述测试晶片的切割面之间的偏角，获取偏角后，对所述测试晶片的切割面进行修正，获取晶面指数为(h1k1l1)的切割面；
(4)选定一个晶面(h2k2l2)，以晶面(h2k2l2)和晶面(h1k1l1)的晶面夹角δ相对小为原则，利用X射线定向仪确定晶面(h2k2l2)和晶面(h1k1l1)的交线方向[uvw]；
(5)利用晶面(h1k1l1)和两晶面的交线方向[uvw]，获取晶体的三维方向。
2.根据权利要求1所述的晶体三维定向的方法，其特征在于，
所述的待测晶体为无自然生长面的单晶。
3.根据权利要求1所述的晶体三维定向的方法，其特征在于，
所述的晶面(h2k2l2)和晶面(h1k1l1)的晶面夹角δ，满足：
三斜晶系：
Figure QLYQS_1
Figure QLYQS_2
其中S11＝b2c2sin2α；S22＝a2c2sin2β；S33＝a2b2sin2γ；S12＝abc2(cosαcosβ-cosγ)；S23＝a2bc(cosβcosγ-cosα)；S13＝ab2c(cosαcosγ-cosβ)；
单斜晶系：
Figure QLYQS_3
正交晶系：
Figure QLYQS_4
三方晶系：
Figure QLYQS_5
Figure QLYQS_6
四方晶系：
Figure QLYQS_7
六方晶系：
Figure QLYQS_8
立方晶系：
Figure QLYQS_9
其中a、b、c、α、β、γ为晶胞参数，d1、d2为晶面(h1k1l1)和晶面(h2k2l2)的晶面间距，V为晶胞体积；
三斜晶系、单斜晶系、正交晶系、三方晶系、四方晶系、六方晶系、立方晶系为所述待测晶体的晶系结构。
4.根据权利要求1所述的晶体三维定向的方法，其特征在于，
所述晶面(h2k2l2)和晶面(h1k1l1)的交线方向[uvw]满足：
u＝k1l2–l1k2；
v＝l1h2–h1l2；
w＝h1k2–k1h2。
5.根据权利要求1所述的晶体三维定向的方法，其特征在于，
所述晶面(h2k2l2)的选取满足：θ2-δ>0或
Figure QLYQS_10
其中，θ2为晶面(h2k2l2)的衍射角；
δ为晶面(h1k1l1)与晶面(h2k2l2)的夹角；
Figure QLYQS_11
为X射线定向仪的样品旋转台的量程/>
Figure QLYQS_12
6.根据权利要求1所述的晶体三维定向的方法，其特征在于，
所述晶面(h2k2l2)的选取满足：
Figure QLYQS_13
其中，θ2为晶面(h2k2l2)的衍射角；
δ为晶面(h1k1l1)与晶面(h2k2l2)的夹角；
Figure QLYQS_14
为X射线定向仪的样品旋转台的量程/>
Figure QLYQS_15
7.根据权利要求1所述的晶体三维定向的方法，其特征在于，
所述X射线衍射图谱的获取装置为粉末X射线衍射仪。
8.根据权利要求1所述的晶体三维定向的方法，其特征在于，
所述X射线定向仪包括：测试晶面固定装置、X射线发射装置、信号接收装置和角度测量装置。
9.根据权利要求8所述的晶体三维定向的方法，其特征在于，
所述测试晶面固定装置包括360°旋转样品台和定向夹具。
10.一种晶体的加工方法，其特征在于，
所述加工方法包括：根据晶体的三维晶向，确定加工的目标晶面，对所述晶体进行切割加工；
其中所述三维晶向根据权利要求1～9任一项所述的方法确定。
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