CN116387286A - 显示面板和包括该显示面板的显示装置 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 275
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 89
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 25
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 25
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 19
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 43
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 13
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 4
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical class [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical class [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical class O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Chemical class 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/585—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries comprising conductive layers or plates or strips or rods or rings
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8794—Arrangements for heating and cooling
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
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- H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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Abstract
公开了显示面板和包括该显示面板的显示装置。该显示面板能够通过借助于改善在面板层上部设置的部件的导电性来防止在面板层内部产生偏移现象,从而消除偏绿现象。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月30日提交的韩国专利申请第10-2021-0192362号的优先权,该韩国专利申请的全部内容出于所有目的通过引用并入本文中。
技术领域
本公开内容涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
作为显示装置的示例,使用液晶显示器(LCD)、场发射显示装置(FED)、电润湿显示装置(EWD)和有机发光显示装置(OLED)。
这样的显示装置可以包括由玻璃或塑料材料制成的覆盖窗,以保护显示面板免受外部冲击。然而,存在如下问题:由覆盖窗与外部物体之间的摩擦产生的电荷或由外部产生的电荷堆积在覆盖窗中。另外,这样的电荷可以从显示面板的一侧转移到显示面板内部的面板层,并且这可能引起阈值电压的偏移,阈值电压的偏移使安装在显示层内部的驱动薄膜晶体管的阈值电压偏移。
如果驱动薄膜晶体管的阈值电压由于偏移现象而偏移得更高,则显示面板以高于之前的电压发光,并且可能发生显示面板的端部或侧部区域比其他区域发射更亮的光的偏绿现象,导致图像质量劣化。或者,如果驱动薄膜晶体管的阈值电压由于偏移现象而降低,则显示面板以低于发射信号的信号发光,这可能导致造成起比其他区域发射更亮的光的偏绿现象,从而导致图像质量劣化。
公开内容
本公开内容的目的是通过防止覆盖窗的表面上的摩擦所产生的电荷进入显示面板的内部来解决作为偏绿现象的这种问题。
本公开内容提供了一种显示面板,其能够通过借助于在面板层下方设置导电带以通过引力感应在覆盖窗上产生的电荷来防止在覆盖窗上产生的电荷进入显示面板的内部,从而防止偏绿现象。
一个实施方式是显示面板,包括:覆盖窗;设置在覆盖窗下方的面板层;以及设置在面板层下方的支撑构件。支撑构件可以包括:第一粘合剂层;设置在第一粘合剂层下方的第一缓冲层;设置在第一缓冲层下方的导电带,导电带被第一缓冲层覆盖并且包括导电材料;以及散热片,其设置在导电带下方并且与导电带电连接。
根据一个实施方式,第一缓冲层可以包括光阻挡材料。
根据一个实施方式,导电带可以通过与散热片直接接触而与散热片电连接。
根据一个实施方式,显示面板还可以包括:设置在第一缓冲层下方的第二粘合剂层;以及设置在第二粘合剂层下方的第二缓冲层。
根据一个实施方式,导电带还可以包括竖直部分,该竖直部分向外突出并且沿着第一缓冲层的一侧竖直形成。
根据一个实施方式,显示面板还可以包括设置在第一缓冲层下方的第三粘合剂层,第三粘合剂层覆盖导电带的底部并且与散热片直接接触。
根据一个实施方式,第三粘合剂层可以包括导电材料,并且导电带可以通过第三粘合剂层与散热片电连接。
根据一个实施方式,导电带还可以包括竖直部分,该竖直部分向外突出并且沿着第一缓冲层的一侧竖直形成。
根据一个实施方式,显示面板还可以包括设置在覆盖窗与面板层之间的粘合构件。
根据一个实施方式,显示面板还可以包括设置在粘合构件与面板层之间的偏振器。
根据一个实施方式,显示面板还可以包括设置在面板层与第一粘合剂层之间的背板。
根据一个实施方式,显示面板还可以包括黑矩阵,黑矩阵形成在覆盖窗下方并且与导电带交叠。
另一实施方式是显示面板,包括覆盖窗;设置在覆盖窗下方的面板层;以及设置在面板层下方的支撑构件。支撑构件可以包括第一粘合剂层;设置在第一粘合剂层下方的第一缓冲层;设置在第一粘合剂层下方并且包括导电材料的导电带;设置在第一缓冲层下方的第二粘合剂层;第二缓冲层,其设置在第二粘合剂层和导电带下方并且覆盖导电带的底部;以及散热片,其设置在第二缓冲层下方。
根据一个实施方式,第二缓冲层可以包括光阻挡材料。
根据一个实施方式,第二缓冲层可以包括导电材料,并且导电带可以通过第二缓冲层与散热片电连接。
根据一个实施方式,导电带还可以包括竖直部分,该导电带向外突出并且沿着面板层的一侧竖直形成的。
根据一个实施方式,显示面板还可以包括:设置在覆盖窗与面板层之间的粘合构件;设置在粘合构件与面板层之间的偏振器;以及设置在面板层与第一粘合剂层之间的背板。
根据一个实施方式,显示面板还可以包括黑矩阵,黑矩阵形成在覆盖窗下方并且与导电带交叠。
另一个实施方式是包括如上所述的显示面板的显示装置。
根据本公开内容的一个实施方式,在覆盖窗中产生的电荷不会进入面板层中。
根据本公开内容的一个实施方式,可以防止面板层内部的晶体管中的偏移现象。
根据本公开内容的一个实施方式,可以防止在面板层中出现的偏绿现象。
根据本公开内容的一个实施方式,在覆盖窗中产生的电荷可以通过导电带被释放到散热片。
根据本公开内容的一个实施方式,可以减少导电带的反射感觉。
附图说明
图1是根据本公开内容的实施方式的显示面板的框图。
图2是根据本公开内容的实施方式的显示面板中包括的子像素的电路图。
图3是根据本公开内容的实施方式的显示面板的平面图。
图4是沿着图3的I-I’截取的面板层的截面图。
图5是沿着图3的II-II’截取的面板层的截面图。
图6是根据本公开内容的实施方式的柔性面板的透视图。
图7是示出根据本公开内容的实施方式的柔性面板的弯曲状态的透视图。
图8是示出根据本公开内容的实施方式的弯曲柔性面板的平面图。
图9示出了根据本公开内容的实施方式的沿图8的显示面板的A-A’方向截取的截面。
图10是图9的实施方式的修改,并且示出了沿图8中的显示面板的A-A’方向截取的截面。
图11示出了根据本公开内容的另一实施方式的沿图8中的显示面板的A-A’方向截取的截面。
图12是图11的实施方式的修改,并且示出了沿图8中的显示面板的A-A’方向截取的截面。
图13示出了根据本公开内容的另一实施方式的沿图8中的显示面板的A-A’方向截取的截面。
图14是图13的实施方式的修改,并且示出了图8中的显示面板的A-A’方向上的截面。
具体实施方式
在下文中,将参照附图描述实施方式。当元件(或区域、层、部分等)“在另一元件上”、与另一元件“连接”或与另一元件“耦接”时,该元件可以直接与另一元件连接或直接耦接至另一元件,或者第三中间元件可以设置在其间。
附图中相同的附图标记表示相同的元件。另外,为了便于描述本说明书,附图中的元件的厚度、比率和尺寸被放大。术语“和/或”包括一个或多个相关列出项的任何和所有组合。
虽然使用诸如“第一”或“第二”的术语来描述各种部件,但是这些部件不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个部件与另一部件区分开。例如,在不脱离本发明的各个实施方式的权利的范围的情况下,第一部件可以被称为第二部件,并且类似地,第二部件可以被称为第一部件。本文表达的单数形式也旨在包括复数形式,除非上下文另外明确指出。
使用诸如“在……下方”、“在下部”、“在……上”、“在上部”等的术语来描述附图中示出的部分的位置关系。这些术语具有相对概念,并且基于附图中标记的方向来说明。
应当理解,诸如“包括”或“具有”等术语仅用于指定存在特征、数字、步骤、操作、部件、部分或其组合,但是这些术语并不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数字、步骤、操作、部件、部分或其组合。
此外,为了便于描述,本公开内容决定将有机发光显示装置作为示例进行说明。然而,本公开内容的概念不受有机发光显示装置限制,并且可以以相同的方式应用于其他类型的显示面板,例如液晶显示面板、微型LED显示面板等。
图1是根据本公开内容的实施方式的显示面板的框图。
参照图1,显示面板100可以包括图像处理器151、定时控制器152、数据驱动器153、栅极驱动器154和面板层110。
图像处理器151可以输出从外部提供的数据使能信号(DE)和数据信号(DATA)。除了数据使能信号(DE)之外,图像处理器151可以输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或更多个信号。
定时控制器152被提供以数据信号(DATA)和驱动信号,该驱动信号包括来自图像处理器151的数据使能信号(DE)、垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号。定时控制器152可以输出用于控制栅极驱动器154的操作定时的栅极定时控制信号(GDC)以及用于控制数据驱动器153的操作定时的数据定时控制信号(DDC)。
响应于从定时控制器152提供的数据定时控制信号(DDC),数据驱动器153可以通过采样和锁存将数据信号(DATA)转换为伽马基准电压,然后将其输出。数据驱动器153可以通过数据线(DL1~DLn)输出数据信号(DATA)。
栅极驱动器154可以输出栅极信号,同时响应于由定时控制器152提供的栅极定时控制信号(GDC)而改变栅极电压的电平。栅极驱动器154可以通过栅极线(GL1~GLm)输出栅极信号。
在子像素(P)通过响应于由数据驱动器153和栅极驱动器154提供的数据信号(DATA)和栅极信号而发光时,面板层110可以显示图像。将参照图2至图5描述子像素(P)的详细结构。
图2是根据本公开内容的实施方式的显示面板中包括的子像素的电路图。
参照图2,显示面板100的子像素可以包括开关晶体管(ST)、驱动晶体管(DT)、补偿电路135和发光元件130。
发光元件130可以通过驱动晶体管(DT)形成的驱动电流进行操作以发光。
开关晶体管(ST)可以操作开关,使得响应于通过栅极线116提供的栅极信号通过数据线117提供的数据信号可以作为数据电压保存在电容器中。
通过对应于存储在电容器中的数据电压,驱动晶体管(DT)可以进行操作以使常规驱动电流在高电位电力线(VDD)与低电位电力线(GND)之间流动。
补偿电路135补偿驱动晶体管(DT)等的阈值电压,并且补偿电路135可以包括一个或更多个薄膜晶体管和电容器。补偿电路135的构造可以根据补偿方式而有很大变化。例如,图2中的子像素被构造为2T1C(两个晶体管和一个电容器)结构,该2T1C结构包括开关晶体管(ST)、驱动晶体管(DT)、电容器和发光元件130。然而,如果向其添加补偿电路135,则子像素可以被不同地构造,诸如3T1C、4T2C、5T2C、6T1C、6T2C、7T1C、7T2C等。
图3是根据本公开内容的实施方式的显示面板的平面图。
图3示出了显示面板100的面板层没有弯曲的状态的示例。
参照图3,面板层110可以包括有源区域(AA)和非有源区域(NA),在有源区域(AA)中,通过薄膜晶体管和发光元件发光的像素设置在柔性基板111上,非有源区域(NA)是围绕有源区域(AA)的边缘的边框区域。
在柔性基板111的非有源区域(NA)中,可以设置诸如用于驱动面板层110的栅极驱动器54等的电路,以及诸如扫描线(SL)等的各种信号的布线。
用于驱动面板层110的电路可以以板内栅极(GIP)的方式设置在柔性基板111上,或者以载带封装(TCP)或膜上芯片(COF)的方式连接至柔性基板111。
弯曲区域(BA)可以形成在非有源区域(NA)的一侧上。弯曲区域(BA)可以是指柔性基板111的被构造成在箭头方向上弯曲的区域。
在柔性基板111的非有源区域(NA)中,设置有用于驱动屏幕的驱动电路和布线。由于在非有源区域(NA)中不显示图像,因此不需要从柔性基板111的前表面确认非有源区域(NA)。因此,通过弯曲柔性基板111的非有源区域(NA)的一些区域,可以确保用于安置布线和驱动电路的区域,同时减小边框。
可以在柔性基板111上形成各种布线。布线可以形成在柔性基板111的有源区域(AA)或非有源区域(NA)中。电路的布线140由导电材料形成,并且可以由具有优异柔性的导电材料形成,以便减少在柔性基板111弯曲时可能出现的裂纹。电路的布线140可以由具有优异柔性的导电材料形成。电路的布线140可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)等的具有优异柔性的导电材料形成。或者,电路的布线140可以由镁(Mg)和银(Ag)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的合金形成。电路的布线140可以形成为包括各种导电材料的多层结构,例如,电路的布线140可以形成为由钛(Ti)、铝(Al)和钛(Ti)组成的三层结构。
弯曲区域(BA)中形成的电路的布线140在弯曲时受到拉伸力。在柔性基板111中沿着与弯曲方向相同的方向延伸的电路的布线140受到最大的拉伸力。因此,设置在弯曲区域(BA)中的电路的布线140中的一些可以形成为在与弯曲方向不同的对角线方向上延伸。
图4是沿着图3的I-I’截取的面板层的截面图。
图5是沿着图3的II-II’截取的面板层的截面图。
将参照图4和图5描述根据本公开内容的面板层110。
参照图4,柔性基板111是设置在底部处的板状构造,并且用于支撑和保护柔性基板111上设置的其他部件。柔性基板111可以由玻璃或塑料形成。例如,柔性基板111可以由膜形成,该膜包括以下组成的组中的一个:聚酯聚合物、有机硅聚合物、丙烯酸聚合物、聚烯烃聚合物、以及它们的共聚物。
可以在柔性基板111中进一步设置缓冲层(未示出)。缓冲层防止湿气或异物从外部渗透到柔性基板111中,并且可以使柔性基板111的表面变平。缓冲层不是必需的构造,并且可以根据设置在柔性基板111中的薄膜晶体管120的类型而省略。
薄膜晶体管120设置在柔性基板111中,并且可以包括栅电极121、源电极122、漏电极123和半导体层124。半导体层124可以由非晶硅或多晶硅形成。半导体层124可以由氧化物半导体形成。半导体层124可以包括漏区、包含p型或n型杂质的源区、以及存在于源区与漏区之间的沟道区。另外,半导体层124还可以包括位于与沟道区相邻的源区或漏区中的轻掺杂区。
源区或漏区重掺杂有杂质,并且薄膜晶体管120的源电极122和漏电极123可以分别连接至源区和漏区。
根据NMOS或PMOS的薄膜晶体管的结构,半导体层124的沟道区可以掺杂有n型或p型杂质。
第一绝缘层115a可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或多层结构形成。第一绝缘层115a可以被设置成使得流经半导体层124的电流不会流向栅电极121。
栅电极121可以用作开关,其用于基于通过栅极线从外部传送的电信号来导通或关断薄膜晶体管120。源电极122和漏电极123连接至数据线,并且可以允许从外部传送的电信号从薄膜晶体管120传送至发光元件130。
可以在第一绝缘层115a和栅电极121上形成第二绝缘层115b。第二绝缘层115b可以由硅氧化物或硅氮化物的单层或多层形成,以使栅电极121、源电极122和漏电极123彼此绝缘。
可以在第二绝缘层115b上设置第一平坦化层115c和第二平坦化层115d。第一平坦化层115c和第二平坦化层115d可以是保护薄膜晶体管120并使得由薄膜晶体管120形成的台阶变平的构造。第一平坦化层115c和第二平坦化层115d可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯中的一种或更多种材料形成。
中间电极125可以通过第一平坦化层115c中形成的接触孔而连接至薄膜晶体管120。中间电极125可以将阳极电极131和薄膜晶体管120的漏电极123电连接。
可以在第二平坦化层115d上设置发光元件130。发光元件130可以包括阳极电极131、发光部分132和阴极电极133。
阳极电极131设置在第二平坦化层115d上,并且可以用于向发光部分132提供空穴。阳极电极131可以通过形成为穿透第二平坦化层115d的接触孔而与中间电极125接触。阳极电极131可以由作为透明导电材料的铟锌氧化物、铟锡氧化物等形成。
可以在阳极电极131和第二平坦化层115d上设置堤115e。堤115e可以通过划分实际发光的区域来限定子像素。间隔物115f可以设置在堤115e上,以防止在与沉积掩模接触时产生的损坏。
发光部分132可以设置在阳极电极131上。发光部分132可以用于发光。发光部分132可以包括通过电信号自身发光的有机发光材料。发光部分132可以包括发射例如红色、绿色、蓝色、白色等颜色的有机发光材料。
阴极电极133可以设置在发光部分132上。阴极电极133可以用于向发光部分132提供电子。阴极电极133可以由金属材料形成,例如镁(Mg)、银和镁的合金等。另外,阴极电极133可以由透明导电氧化物形成,诸如锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡氧化物、铟锌锡氧化物、锌氧化物等系列。
可以在阴极电极133上设置封装层115g。封装层115g可以用于防止在从外部引入的湿气、氧气或异物渗入到设置在下方的部件中之后由于部件的氧化而引起的损坏。可以通过层叠多个阻挡膜而形成封装层115g。封装层115g可以由作为无机物质的铝氧化物或硅氮化物形成。
在描述图5时,将省略与上述内容冗余的描述。
参照图5,根据本公开内容的显示面板100可以包括:在包括弯曲区域(BA)的非有源区域(NA)中以双层构造的第一布线141和第二布线142。
具体地,在柔性基板111上可以形成第一布线141。在第一布线141上可以形成第一平坦化层115c。在第一平坦化层115c上可以形成第二布线142。在第二布线142上可以形成第二平坦化层115d。在第二平坦化层115d上可以形成微涂覆层(micro-coating layer)145。
第一布线141和第二布线142旨在连接面板层110和焊盘区域(PA)。第一布线141和第二布线142可以由诸如银、金、铝等的具有优异柔性的导电材料形成。或者,第一布线141和第二布线142可以由钼、铬、钛、镍、钕、铜、银等的合金形成。
当柔性基板111被弯曲时,对弯曲区域(BA)施加巨大的应力。由于这样的应力,在缠绕布线的层中可能出现裂纹。此外,当在单层中形成布线时,需要大的空间来布置布线。如在本公开内容中那样,通过将穿过弯曲区域(BA)的布线构造为以多层结构形成,可以减小在缠绕布线的层中出现的应力并且减少布置布线的空间。
图6是根据本公开内容的实施方式的柔性面板的透视图。
图7是示出根据本公开内容的实施方式的柔性面板的弯曲状态的透视图。
图8是示出根据本公开内容的实施方式的弯曲柔性面板的平面图。
参照图6至图8,将说明根据本公开内容的柔性基板。
参照图6,柔性基板111可以被分成有源区域(AA)和围绕有源区域(AA)的边缘的非有源区域(NA)。在非有源区域(NA)中,可以划分设置有焊盘的焊盘区域(PA)。在有源区域(AA)中设置有多个子像素。可以由彼此交叉的栅极线和数据线划分子像素。
电路元件161可以是与柔性基板111的焊盘区域(PA)中的焊盘连接的构造。电路元件161可以包括凸起或台阶。电路元件161的凸起可以通过各向异性导电膜与焊盘区域(PA)的焊盘连接。电路元件161可以是驱动器IC安装在柔性膜中的膜上芯片(COF)。另外,电路元件161可以通过玻璃上芯片(COG)工艺直接接合至焊盘。此外,电路元件161可以是诸如柔性印刷电路(FPC)的柔性电路。将基于以COF作为电路元件161的示例来描述本公开内容。
参照图7,柔性基板111可以在后方向上弯曲,使得与焊盘区域(PA)接触的一侧可以具有预定曲率。当柔性基板111弯曲时,焊盘区域(PA)可以在有源区域(AA)的后方向上与有源区域(AA)交叠。从显示面板100的正面看,电路元件161或驱动器IC 165可能不可见。为了弯曲,柔性基板111可以由柔性材料形成。例如,柔性基板111可以由诸如聚酰亚胺的塑料材料形成。
参照图8,在弯曲的柔性基板111的表面上,可以耦接覆盖窗180。覆盖窗180形成为大于弯曲的柔性基板111,使得覆盖窗180可以在其内部容纳柔性基板111。
此外,在弯曲的柔性基板111的另一表面上,可以耦接背板101。背板101可以用于保持显示面板100的刚性,防止异物附接至显示面板100的底部,并且吸收外部冲击。背板101可以实现为由聚酰亚胺制成的塑料薄膜。不在弯曲区域(BA)中形成背板101可以是适当的。
图9示出了根据本公开内容的实施方式的沿图8的显示面板的A-A’方向截取的截面。
下面将参照图9说明根据本公开内容的实施方式的显示面板100。
显示面板100可以包括:设置在最上层的覆盖窗180、设置在覆盖窗180下方的粘合构件163、设置在粘合构件163下方的偏振器190和设置在偏振器190下方的面板层110。如参照图4所描述的,面板层110可以包括柔性基板并且可以在弯曲区域中弯曲。图9是沿着图8的A-A’截取的截面图,并且不是柔性基板或面板层110弯曲的区域。
覆盖窗180设置在显示面板100的最上表面上,并且可以由玻璃或塑料形成。覆盖窗180用作保护显示面板100的内部元件的保护层,并且暴露在外部。因此,当显示装置的用户触摸覆盖窗180时,覆盖窗180与用户的手指接触,然后可能由于摩擦而产生电荷。由摩擦等产生的电荷可以沿着覆盖窗180的一侧转移并进入显示面板100的内部。
粘合构件163设置在覆盖窗180下方,并且用于将覆盖窗180粘合到偏振器190。粘合构件163例如可以是光学透明粘合剂(OCA)或压敏粘合剂(PSA),并且可以具有透明材料。
偏振器190可以由具有偏振特征的膜形成。当在外部观看显示装置时,偏振器190可以抑制外部光的反射并减少反射感觉。偏振器190可以设置在有源区域(AA)中。
面板层110是如下的层:其中形成像素,并且在像素中形成包括栅电极、源电极、漏电极和半导体层等的晶体管。此外,面板层110可以是其中形成包括阳极电极、发光层、阴极电极等的发光二极管的层。如果摩擦电荷进入上述面板层110的内部,则晶体管可能具有偏移现象,并且可能由偏绿现象引起显示质量的劣化。
背板101是形成在面板层110下方的坚固结构,并且可以用于增强面板层110的刚性。背板101可以由塑料薄膜形成。
支撑构件170可以包括第一粘合剂层171、第一缓冲层172、第二粘合剂层173、第二缓冲层175和散热片179。另外,支撑构件170还可以包括导电带177。
第一粘合剂层171可以设置在背板101的后表面上。第一粘合剂层171可以包括浮雕图案。浮雕图案可以改善可能在其中形成的气泡的问题。第一缓冲层172可以用于在向其施加外力时受压并吸收冲击。第一缓冲层172可以设置在第一粘合剂层171的后表面上。第二粘合剂层173可以设置在第一缓冲层172的后表面上。第二粘合剂层173可以用于将第一缓冲层172和第二缓冲层175粘合在一起。第二粘合剂层173例如可以包括双面胶带。
第一缓冲层172可以完全覆盖设置在第一缓冲层172下方的导电带177。第一缓冲层172可以包括光阻挡材料。光阻挡材料可以包括黑色墨水。例如,光阻挡材料可以具有能够阻挡光的颜色,例如黑色、深灰色、灰色等。
导电带177可以设置在第一缓冲层172下方。导电带177可以被第一缓冲层172覆盖。导电带177可以与第二粘合剂层173设置在相同的层上。导电带177可以沿着覆盖窗180的外边缘设置。例如,导电带177可以沿着显示面板100的覆盖窗180的外边缘形成,如参照图8说明的。然而,由于柔性基板111被构造成在显示面板100的下边缘处弯曲,因此导电带177可以不形成在显示面板100的下边缘处。
再次参照图9,导电带177的高度可以等于第二粘合剂层173和第二缓冲层175的高度之和。例如,在形成第二粘合剂层173和第二缓冲层175之后,可以分别去除第二粘合剂层173和第二缓冲层175的具有预定宽度的部分,并且导电带177可以设置在去除的部分中。
导电带177可以包括导电材料。例如,导电带177可以包括金属材料。例如,导电带177可以由银(Ag)等形成。因此,导电带177可以具有导电性。导电带177可以与散热片179直接接触。例如,导电带177可以通过施加在后表面上的诸如压敏粘合剂(PSA)的粘合剂材料而与散热片179直接接触。通过这样做,导电带177和散热片179可以彼此电连接。
散热片179可以设置在导电带177下方,并且可以与导电带177电连接。散热片179可以用于散热。散热片179可以由诸如铜、铝等的金属材料形成,以消散在部件中,例如在驱动器IC 165或电路元件161中,产生的热量。另外,散热片179可以用作地,该地对通过引力由导电带177感应的摩擦电荷进行释放,如稍后描述的。
黑矩阵(BM)可以形成在覆盖窗180下方的一些区域中。黑矩阵(BM)可以沿着显示面板100的边缘形成。黑矩阵(BM)可以由黑色墨水形成。
根据本公开内容的实施方式,具有导电性的导电带177可以设置在第一缓冲层172下方,并且导电带177可以与包括金属材料的散热片179直接接触。因此,可以促使在覆盖窗180中产生的摩擦电荷被转移。例如,导电带177可以邻近面板层110设置。例如,背板101的厚度可以是88μm,第一粘合剂层171的厚度可以是60μm,第一缓冲层172的厚度可以是30μm。因此,导电带177与面板层110之间的距离可以是178μm。这样的距离很短,可能会通过引力感应摩擦电荷。换言之,导电带177具有导电性,并且可以具有感应负电荷的引力。因此,在覆盖窗180中产生的摩擦电荷可以在不进入面板层110的情况下转移到导电带177。可以通过散热片179释放被转移到导电带177的摩擦电荷。因此,根据实施方式,面板层110内的晶体管不会经历偏移现象,因此可以防止偏绿现象。
此外,根据实施方式,无法从显示面板100的正面识别导电带177。根据现有技术的设置在显示面板100下方的支撑构件170通常由三层形成。根据现有技术的支撑构件170被构造为由第一粘合剂层171、第一缓冲层172和散热片179组成的三层。如果将实施方式公开的导电带177应用到根据现有技术的三层的支撑构件170,则应当去除第一缓冲层172的具有与导电带177相同的宽度的一部分。另外,导电带177应设置在去除的部分中。此外,可能阻止了导电带177被第一缓冲层172覆盖。因此,如果应用现有技术,可能从显示面板100的前表面识别导电带177,这是一个问题。即使在其上设置黑矩阵(BM),也可能出现这样的问题。本公开内容的实施方式可以将支撑构件170构造为由第一粘合剂层171、第一缓冲层172、第二粘合剂层173、第二缓冲层175和散热片179组成的五层。换言之,根据本公开内容的实施方式,设置在导电带177上的第一缓冲层172可以形成为完全覆盖导电带177。另外,如上所述,第一缓冲层172可以包括光阻挡材料。因此,可以解决从显示面板100的正面识别导电带177的问题。
图10是图9的实施方式的修改,并且示出了沿图8中的显示面板的A-A’方向截取的截面。
参照图10,将说明图9的实施方式的修改。此外,在描述图10时,将省略与上述内容冗余的描述。
参照图10,导电带177还可以包括竖直部分178,该竖直部分178向外突出,并沿着第一缓冲层172的一侧在竖直方向上形成。
具体地,本公开内容中的向外是指与显示面板100的中心相反的方向。基于图10,向外是指从切割线A到切割线A’的方向。从同样的观点来看,向内是指从切割线A’到切割线A的方向。
竖直部分178可以从导电带177突出,并且在朝向面板层110的方向上延伸。例如,竖直部分178可以附接在第一缓冲层172的一侧、第一粘合剂层171的一侧和面板层110的一侧上。
根据本公开内容的实施方式,竖直部分178可以形成为从导电带177延伸,并且可以由与导电带177相同的材料形成。换言之,竖直部分178可以包括金属材料。例如,竖直部分178可以由银(Ag)形成。竖直部分178可以在朝向面板层110的方向上延伸。因此,竖直部分178可以使在覆盖窗180中产生的摩擦电荷被有效地感应到导电带177。此外,如果竖直部分178形成为完全覆盖面板层110的一侧,则可以提高阻挡摩擦电荷试图进入面板层110的效率。
图11示出了根据本公开内容的另一实施方式的沿图8中的显示面板的A-A’方向截取的截面。
在下文中,将参照图11说明根据本公开内容的实施方式的显示面板100。
参照图11,显示面板100可以包括:最上层上的覆盖窗180、设置在覆盖窗180下方的粘合构件163、设置在粘合构件163下方的偏振器190和设置在偏振器190下方的面板层110。如上面参照图4所说明的,面板层110可以包括柔性基板并且可以在弯曲区域中弯曲。图11是沿着图8的A-A’截取的截面图,并且不落在柔性基板或面板层110弯曲的区域内。
覆盖窗180可以设置在显示面板100的最上层上,并且由玻璃或塑料材料形成。覆盖窗180用作保护显示面板100的内部元件的保护层,并且暴露在外部。因此,当显示装置的用户触摸覆盖窗180时,覆盖窗180与用户的手指接触,然后可能由于摩擦而产生电荷。由摩擦等产生的电荷可以沿着覆盖窗180的一侧转移并进入显示面板100的内部。
粘合构件163设置在覆盖窗180下方,并且用于将覆盖窗180粘合到偏振器190。粘合构件163例如可以是光学透明粘合剂(OCA)或压敏粘合剂(PSA),并且可以具有透明材料。
偏振器190可以由具有偏振特征的膜形成。当在外部观看显示装置时,偏振器190可以抑制外部光的反射并减少反射感觉。偏振器190可以设置在有源区域(AA)中。
面板层110是如下的层:其中形成像素,并且在像素中形成包括栅电极、源电极、漏电极和半导体层等的晶体管。此外,面板层110可以是其中形成包括阳极电极、发光层、阴极电极等的发光二极管的层。如果摩擦电荷进入上述面板层110的内部,则晶体管可能具有偏移现象,并且可能由偏绿现象引起显示质量的劣化。
背板101是形成在面板层110下方的坚固结构,并且可以用于增强面板层110的刚性。背板101可以由塑料薄膜形成。
支撑构件170可以包括第一粘合剂层171、第一缓冲层172、第三粘合剂层174和散热片179。另外,支撑构件170还可以包括导电带177。
第一粘合剂层171可以设置在背板101的后表面上。第一粘合剂层171可以包括浮雕图案。浮雕图案可以改善可能在其中形成的气泡的问题。第一缓冲层172可以用于在向其施加外力时受压并吸收冲击。第一缓冲层172可以设置在第一粘合剂层171的后表面上。第三粘合剂层174可以设置在第一缓冲层172的后表面上。第三粘合剂层174可以用于将第一缓冲层172和散热片179粘合在一起。第三粘合剂层174可以由压敏粘合剂(PSA)制成。此外,第三粘合剂层174可以具有导电性。例如,第三粘合剂层174可以包括导电金属球或导电金属线。导电球或导电线可以由银(Ag)材料形成。导电带177和第三粘合剂层174具有导电性,并且散热片179可以由金属材料形成。此外,第三粘合剂层174可以与散热片179直接接触。因此,导电带177可以通过第三粘合剂层174与散热片179电连接。
第一缓冲层172可以完全覆盖设置在第一缓冲层172下方的导电带177。第一缓冲层172可以包括光阻挡材料。光阻挡材料可以包括黑色墨水。例如,光阻挡材料可以具有能够阻挡光的颜色,例如黑色、深灰色、灰色等。
导电带177可以设置在第一缓冲层172下方。导电带177可以被第一缓冲层172覆盖。导电带177可以与第三粘合剂层174设置在相同的层上。导电带177可以沿着覆盖窗180的外边缘设置。例如,导电带177可以沿着显示面板100的覆盖窗180的外边缘形成,如参照图8说明的。然而,由于柔性基板111被构造成在显示面板100的下边缘处弯曲,因此导电带177可以不形成在显示面板100的下边缘处。
再次参照图11,导电带177的高度可以小于第三粘合剂层174的高度。例如,第三粘合剂层174可以由诸如压敏粘合剂(PSA)的材料制成。PSA可以是在其硬化之前具有粘性的柔性材料。因此,通过在第一缓冲层172下方插入导电带177并且通过应用第三粘合剂层174对散热片179施加压力,第三粘合剂层174可以被硬化。因此,第三粘合剂层174可以被设置在导电带177下方并且在导电带177与散热片179之间。因此,第三粘合剂层174可以覆盖导电带177的底部。
导电带177可以包括导电材料。例如,导电带177可以包括金属材料。例如,导电带177可以由银(Ag)等形成。因此,导电带177可以具有导电性。导电带177和散热片179可以通过具有导电性的第三粘合剂层174彼此电连接。
散热片179可以设置在导电带177下方,并且可以与导电带177电连接。散热片179可以用于散热。散热片179可以由诸如铜、铝等的金属材料形成,以消散在部件中,例如在驱动器IC 165或电路元件161中,产生的热量。另外,散热片179可以用作地,该地对通过引力由导电带177感应的摩擦电荷进行释放,如稍后描述的。
黑矩阵(BM)可以形成在覆盖窗180下方的一些区域中。黑矩阵(BM)可以沿着显示面板100的边缘形成。黑矩阵(BM)可以由黑色墨水形成。
根据本公开内容的实施方式,具有导电性的导电带177可以设置在第一缓冲层172下方,并且导电带177可以与包括金属材料的散热片179直接接触。因此,导电带177可以与散热片179电连接。因此,可以促使在覆盖窗180中产生的摩擦电荷被转移。例如,导电带177可以邻近面板层110设置。例如,背板101的厚度可以是88μm,第一粘合剂层171的厚度可以是60μm,第一缓冲层172的厚度可以是30μm。因此,导电带177与面板层110之间的距离可以是178μm。这样的距离很短,可能会通过引力感应摩擦电荷。换言之,导电带177具有导电性并且可以具有感应负电荷的引力。因此,在覆盖窗180中产生的摩擦电荷可以在不进入面板层110的情况下被转移到导电带177。可以通过散热片179释放被转移到导电带177的摩擦电荷。因此,根据实施方式,面板层110内的晶体管不会经历偏移现象,因此可以防止偏绿现象。
此外,根据实施方式,无法从显示面板100的正面识别导电带177。根据现有技术的设置在显示面板100下方的支撑构件170通常由三层形成。例如,根据现有技术的支撑构件170被构造为由第一粘合剂层171、第一缓冲层172和散热片179组成的三层。如果将实施方式公开的导电带177应用到根据现有技术的三层的支撑构件170,则应当去除第一缓冲层172的具有与导电带177相同的宽度的一部分。另外,导电带177应设置在去除的部分中。此外,可能阻止了导电带177被第一缓冲层172覆盖。因此,如果应用现有技术,可能从显示面板100的前表面识别导电带177,这是一个问题。即使在其上设置黑矩阵(BM),也可能出现这样的问题。本公开内容的实施方式可以将支撑构件170构造为由第一粘合剂层171、第一缓冲层172、第三粘合剂层174和散热片179组成的四层。换言之,根据本公开内容的实施方式,设置在导电带177上的第一缓冲层172可以形成为完全覆盖导电带177。另外,如上所述,第一缓冲层172可以包括光阻挡材料。因此,可以解决从显示面板100的正面识别导电带177的问题。
图12是图10的实施方式的修改,并且示出了沿图8中的显示面板的A-A’方向截取的截面。
参照图12,下文将说明图10的实施方式的修改。此外,在描述图12时,将省略与上述内容冗余的描述。
参照图12,导电带177还可以包括竖直部分178,该竖直部分178向外突出,并且沿着第一缓冲层172的一侧在竖直方向上形成。
竖直部分178可以从导电带177突出并且在朝向面板层110的方向上延伸。例如,竖直部分178可以附接在第一缓冲层172的一侧、第一粘合剂层171的一侧和面板层110的一侧上。
根据本公开内容的实施方式,竖直部分178可以形成为从导电带177延伸,并且可以由与导电带177相同的材料形成。换言之,竖直部分178可以包括金属材料。例如,竖直部分178可以由银(Ag)形成。竖直部分178可以在朝向面板层110的方向上延伸。因此,竖直部分178可以使得在覆盖窗180中产生的摩擦电荷被有效地感应到导电带177。此外,如果竖直部分178形成为完全覆盖面板层110的一侧,则可以提高阻挡摩擦电荷试图进入面板层110的效率。
图13示出了根据本公开内容的实施方式的沿图8中的显示面板的A-A’方向截取的截面。
在下文中,将参照图13说明根据本公开内容的实施方式的显示面板100。
参照图13,显示面板100可以包括:最上层上的覆盖窗180、设置在覆盖窗180下方的粘合构件163、设置在粘合构件163下方的偏振器190和设置在偏振器190下方的面板层110。如上面参照图4所说明的,面板层110可以包括柔性基板并且可以在弯曲区域中弯曲。图13是沿着图8的A-A’截取的截面图,并且不落在柔性基板或面板层110弯曲的区域内。
覆盖窗180可以设置在显示面板100的最上层上,并且可以由玻璃或塑料材料形成。覆盖窗180用作保护显示面板100的内部元件的保护层,并且暴露在外部。因此,当显示装置的用户触摸覆盖窗180时,覆盖窗180与用户的手指接触,然后可能由于摩擦而产生电荷。由摩擦等产生的电荷可以沿着覆盖窗180的一侧转移并进入显示面板100的内部。
粘合构件163设置在覆盖窗180下方,并且用于将覆盖窗180粘合到偏振器190。粘合构件163例如可以是光学透明粘合剂(OCA)或压敏粘合剂(PSA),并且可以具有透明材料。
偏振器190可以由具有偏振特征的膜形成。当在外部观看显示装置时,偏振器190可以抑制外部光的反射并减少反射感觉。偏振器190可以设置在有源区域(AA)中。
面板层110是如下的层:其中形成像素,并且在像素中形成包括栅电极、源电极、漏电极和半导体层等的晶体管。此外,面板层110可以是其中形成包括阳极电极、发光层、阴极电极等的发光二极管的层。如果摩擦电荷进入上述面板层110的内部,则晶体管可能具有偏移现象,并且可能由偏绿现象引起显示质量的劣化。
背板101是形成在面板层110下方的坚固结构,并且可以用于增强面板层110的刚性。背板101可以由塑料薄膜形成。
支撑构件170可以包括第一粘合剂层171、第一缓冲层172、第二粘合剂层173、第二缓冲层175和散热片179。另外,支撑构件170还可以包括导电带177。
第一粘合剂层171可以设置在背板101的后表面上。第一粘合剂层171可以包括浮雕图案。浮雕图案可以改善可能在其中形成的气泡的问题。第一缓冲层172可以用于在向其施加外力时受压并吸收冲击。第一缓冲层172可以设置在第一粘合剂层171的后表面上。第二粘合剂层173可以设置在第一缓冲层172的后表面上。第二粘合剂层173可以用于将第一缓冲层172和第二缓冲层175粘合在一起。第二粘合剂层173例如可以包括双面胶带。
第二缓冲层175可以设置在第二粘合剂层173和导电带177下方。另外,第二缓冲层175可以完全覆盖设置在第二缓冲层175上的导电带177。第二缓冲层175可以包括光阻挡材料。光阻挡材料可以包括黑色墨水。例如,光阻挡材料可以具有能够阻挡光的颜色,例如黑色、深灰色、灰色等。
此外,第二缓冲层175可以包括导电材料。例如,第二缓冲层175可以由导电泡沫垫构成。第二缓冲层175可以附接至设置在第二缓冲层175上的导电带177。此外,第二缓冲层175可以与设置在第二缓冲层175下方的散热片179接触。因此,导电带177可以通过导电的第二缓冲层175而与散热片179电连接。
导电带177可以附接至设置在导电带177下方的第二缓冲层175。第二缓冲层175可以完全覆盖导电带177的底部。导电带177可以与第一缓冲层172设置在相同的层上。导电带177可以沿着覆盖窗180的外边缘设置。例如,导电带177可以沿着显示面板100的覆盖窗180的外边缘形成,如参照图8说明的。然而,由于柔性基板111被构造成在显示面板100的下边缘处弯曲,因此导电带177可以不形成在显示面板100的下边缘处。
再次参照图13,导电带177的高度可以等于第一缓冲层172的高度和第二粘合剂层173的高度之和。例如,在形成第一缓冲层172和第二粘合剂层173之后,可以分别去除第一缓冲层172和第二粘合剂层173的具有预定宽度的部分,并且导电带177可以设置在去除的部分中。
导电带177可以包括导电材料。例如,导电带177可以包括金属材料。例如,导电带177可以由银(Ag)等形成。因此,导电带177可以具有导电性。导电带177可以与第二缓冲层175直接接触。另外,第二缓冲层175可以具有导电性。此外,第二缓冲层175可以与散热片179直接接触。因此,导电带177和散热片179可以通过第二缓冲层175彼此电连接。
散热片179可以设置在导电带177下方,并且可以与导电带177电连接。散热片179可以用于散热。散热片179可以由诸如铜、铝等的金属材料形成,以消散在部件中,例如在驱动器IC 165或电路元件161中,产生的热量。另外,散热片179可以用作为地,该地对通过引力由导电带177感应的摩擦电荷进行释放,如稍后描述的。
黑矩阵(BM)可以形成在覆盖窗180下方的一些区域中。黑矩阵(BM)可以沿着显示面板100的边缘形成。黑矩阵(BM)可以由黑色墨水形成。
根据本公开内容的实施方式,具有导电性的第二缓冲层175可以与导电带177直接接触,并且可以与散热片179直接接触。因此,导电带177可以与散热片179电连接。因此,可以促使在覆盖窗180中产生的摩擦电荷被转移。例如,导电带177可以邻近面板层110设置。例如,背板101的厚度可以是88μm,第一粘合剂层171的厚度可以是60μm。因此,导电带177与面板层110之间的距离可以是148μm。这样的距离很短,可能会通过引力感应摩擦电荷。换言之,导电带177具有导电性并且可以具有感应负电荷的引力。因此,在覆盖窗180中产生的摩擦电荷可以在不进入面板层110的情况下被转移到导电带177。转移到导电带177的摩擦电荷可以通过第二缓冲层175转移到散热片179并被释放。因此,根据实施方式,面板层110内的晶体管不会经历偏移现象,因此可以防止偏绿现象。
此外,根据实施方式,可以从显示面板100的正面较少识别导电带177。换言之,根据本公开内容的实施方式,在导电带177下方,包括光阻挡材料的第二缓冲层175可以被设置成完全覆盖导电带177。因此,当从显示面板100的正面观看时,由于光阻挡材料完全施加在导电带177下方,因此可以减少导电带177的反射感觉。
图14是图13的实施方式的修改,并且示出了图8中的显示面板的A-A’方向上的截面。
参照图14,将说明图13的实施方式的修改。此外,在描述图14时,将省略与上述内容冗余的描述。
参照图14,导电带177还可以包括竖直部分178,该竖直部分178向外突出,并沿着第一缓冲层172的一侧在竖直方向上形成。
竖直部分178可以从导电带177突出,并且在朝向面板层110的方向上延伸。例如,竖直部分178可以附接在背板101的一侧和面板层110的一侧上。
根据本公开内容的实施方式,竖直部分178可以形成为从导电带177延伸,并且可以由与导电带177相同的材料形成。换言之,竖直部分178可以包括金属材料。例如,竖直部分178可以由银(Ag)形成。竖直部分178可以在朝向面板层110的方向上延伸。因此,竖直部分178可以使得在覆盖窗180中产生的摩擦电荷被有效地感应到导电带177。此外,如果竖直部分178形成为完全覆盖面板层110的一侧,则可以提高阻挡摩擦电荷试图进入面板层110的效率。
本领域技术人员可以理解,在不脱离本公开内容的技术概念或基本特征的情况下,本文所描述的本公开内容可以以其他具体形式来实现。因此,应当理解,上文描述的实施方式在所有方面都是示例,并且不限制本公开内容。本公开内容的范围将由权利要求而不是详细描述来表示。另外,应当理解,从权利要求的含义、范围和等效概念得出的所有修改或变化都包含在本公开内容的范围内。
附图标记
100:显示面板
110:面板层
101:背板
180:覆盖窗
163:粘合构件
190:偏振器
170:支撑构件
171:第一粘合剂层
172:第一缓冲层
173:第二粘合剂层
174:第三粘合剂层
175:第二缓冲层
177:导电带
178:竖直部分
179:散热片
Claims (17)
1.一种显示面板,包括:
覆盖窗;
设置在所述覆盖窗下方的面板层;以及
设置在所述面板层下方的支撑构件,
其中,所述支撑构件包括:
第一粘合剂层;
设置在所述第一粘合剂层下方的第一缓冲层;
设置在所述第一缓冲层下方的导电带,所述导电带被所述第一缓冲层覆盖并且包括导电材料;以及
散热片,所述散热片设置在所述导电带下方,并且与所述导电带电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述第一缓冲层包括光阻挡材料。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述导电带通过与所述散热片直接接触而与所述散热片电连接。
4.根据权利要求1所述的显示面板,还包括:
设置在所述第一缓冲层下方的第二粘合剂层;以及
设置在所述第二粘合剂层下方的第二缓冲层。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述导电带还包括竖直部分,所述竖直部分向外突出并且沿着所述第一缓冲层的一侧竖直形成。
6.根据权利要求2所述的显示面板,还包括:
设置在所述第一缓冲层下方的第三粘合剂层,所述第三粘合剂层覆盖所述导电带的底部并且与所述散热片直接接触。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述第三粘合剂层包括导电材料,
并且其中,所述导电带通过所述第三粘合剂层与所述散热片电连接。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述导电带还包括竖直部分,所述竖直部分向外突出并且沿着所述第一缓冲层的一侧竖直形成。
9.根据权利要求1所述的显示面板,还包括:
设置在所述覆盖窗与所述面板层之间的粘合构件;
设置在所述粘合构件与所述面板层之间的偏振器;以及
设置在所述面板层与所述第一粘合剂层之间的背板。
10.根据权利要求1所述的显示面板,还包括:黑矩阵,所述黑矩阵形成在所述覆盖窗下方并且与所述导电带交叠。
11.一种显示面板,包括:
覆盖窗;
设置在所述覆盖窗下方的面板层;以及
设置在所述面板层下方的支撑构件,
其中,所述支撑构件包括:
第一粘合剂层;
设置在所述第一粘合剂层下方的第一缓冲层;
设置在所述第一粘合剂层下方并且包括导电材料的导电带;
设置在所述第一缓冲层下方的第二粘合剂层;
第二缓冲层,所述第二缓冲层设置在所述第二粘合剂层和所述导电带下方,并且覆盖所述导电带的底部;以及
设置在所述第二缓冲层下方的散热片。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其中,所述第二缓冲层包括光阻挡材料。
13.根据权利要求11所述的显示面板,其中,所述第二缓冲层包括导电材料,并且所述导电带通过所述第二缓冲层与所述散热片电连接。
14.根据权利要求13所述的显示面板,其中,所述导电带还包括竖直部分,所述竖直部分向外突出并且沿着所述面板层的一侧竖直形成。
15.根据权利要求11所述的显示面板,还包括:
设置在所述覆盖窗与所述面板层之间的粘合构件;
设置在所述粘合构件与所述面板层之间的偏振器;以及
设置在所述面板层与所述第一粘合剂层之间的背板。
16.根据权利要求11所述的显示面板,还包括黑矩阵,所述黑矩阵形成在所述覆盖窗下方并且与所述导电带交叠。
17.一种显示装置,包括根据权利要求1-16中任一项所述的显示面板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210192362A KR20230102328A (ko) | 2021-12-30 | 2021-12-30 | 표시 패널 |
KR10-2021-0192362 | 2021-12-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116387286A true CN116387286A (zh) | 2023-07-04 |
Family
ID=86977460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211694893.5A Pending CN116387286A (zh) | 2021-12-30 | 2022-12-28 | 显示面板和包括该显示面板的显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230217683A1 (zh) |
KR (1) | KR20230102328A (zh) |
CN (1) | CN116387286A (zh) |
-
2021
- 2021-12-30 KR KR1020210192362A patent/KR20230102328A/ko unknown
-
2022
- 2022-11-16 US US17/988,607 patent/US20230217683A1/en active Pending
- 2022-12-28 CN CN202211694893.5A patent/CN116387286A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230102328A (ko) | 2023-07-07 |
US20230217683A1 (en) | 2023-07-06 |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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