CN116387093A - Mems开关继电器及其控制方法与功率设备 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 16
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 7
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- 229910000519 Ferrosilicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000863 Ferronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000001727 in vivo Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
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Abstract
本申请提供了一种MEMS开关继电器以及控制方法和功率设备,MEMS开关继电器包括源极、漏极、栅极、电感线圈、悬梁臂、锚和基板;源极、栅极与漏极沿第一方向依次设置于基板的第一表面,源极与栅极之间用于连接第一电源以产生静电力;悬梁臂的固定端通过锚与源极连接,所述悬梁臂悬空设置于所述基板的第一表面;电感线圈位于基板内,且设置于基板靠近栅极的一侧,电感线圈用于连接第二电源以产生磁场力。通过在静电型MEMS开关继电器中增加电感线圈,可以降低驱动电压,同时也可以提高隔离电压。
Description
技术领域
本申请涉及电力电子技术领域,尤其涉及一种MEMS开关继电器及其控制方法与功率设备。
背景技术
近年来,电力电子技术向着高电流高电压的方向发展飞速,而开关继电器作为电力电子系统的重要组成部分,对其性能的要求也越来越高。开关继电器是一种输入信号较小,控制输出电路导通或断开的可控开关。继电器控制的输出电路通常承载大电压或大电流。继电器的开关一般是机械触点开关。继电器断开是物理断开,安全性能高。传统继电器的缺点:体积大,笨重,驱动功率大,开关速度慢ms量级。
为了解决传统继电器的缺点,新型MEMS(Micro E lectr ica l Mechan ica lSystem)继电器使用MEMS工艺制作继电器,革新传统开关继电器,使得继电器小型化、芯片化。MEMS开关继电器使用隔离小信号控制继电器,机械接触,快速响应。当前的MEMS开关继电器的主要类型为静电型继电器,但是静电型继电器的驱动电压高,同时由于其结构限制,其控制的电压不能太大,在当前的高压大电流场景下,使用越来越受限,因此需要一种新型的MEMS开关继电器,来满足当前的需求。
发明内容
为此本申请的实施例提供一种新型的MEMS开关继电器及其控制方法与功率设备,本申请中的MEMS开关继电器采用静电力与磁场力双重控制,降低MEMS的栅极电压Vgs,提高MEMS的隔离电压Vds。由于电感线圈产生磁场力的施力范围更大,达到比静电力更长的距离。因此漏极和悬梁臂的隔离电压Vds比静电型MEMS开关继电器更大。
第一方面,本申请提供一种MEMS开关继电器,所述MEMS开关继电器包括源极、漏极、栅极、电感线圈、悬梁臂、锚和基板;所述源极、所述栅极与所述漏极沿第一方向依次设置于所述基板的第一表面上,所述悬梁臂的固定端通过所述锚与所述源极连接,所述悬梁臂悬空设置于所述基板的第一表面,所述电感线圈位于所述基板内,且设置于所述基板靠近所述栅极的一侧。
可以理解的,第一方面提供的MEMS开关继电器中的源极与栅极之间用于连接第一电源Vgs以产生静电力,所述电感线圈用于连接第二电源Vcoi l以产生磁场力,以控制所述悬梁臂的活动端与所述漏极之间的断开与闭合。栅极与电感线圈共同控制悬梁臂的运功。首先启动电感线圈加电压Vcoi l(几伏)使得线圈有电流,电感线圈的电流产生磁场控制MEMS开关闭合。驱动电压Vcoi l(几伏)比静电力MEMS继电器驱动电压(几十伏)低。同时,磁场力的作用范围更广,因此可以增加悬梁臂和漏极之间的距离,使得MEMS开关继电器的源极与漏极之间控制更高的隔离电压Vds。
一种可能的实施方式中,所述漏极包括第一漏极与第二漏极,所述栅极包括第一栅极与第二栅极,所述第一漏极、所述第一栅极、所述源极、所述第二栅极与所述第二漏极沿第一方向依次设置于所述基板的第一表面;所述悬梁臂包括第一悬梁臂与第二悬梁臂,所述第一悬梁臂与所述第二悬梁臂共用固定端,所述第一悬梁臂与第二悬梁臂均悬空设置于所述基板的第一表面;所述电感线圈包括设置所述基板内的第一电感线圈与第二电感线圈,所述第一电感线圈位于所述基板靠近所述第一栅极的一侧,所述第二电感线圈设置于所述基板靠近所述第二栅极的一侧。
可以理解的,MEMS开关继电器中的所述源极与所述第一栅极之间和所述源极与所述第二栅极之间分别用于连接第一电源,所述第一电感线圈和所述第二电感线圈分别用于连接第二电源Vcoi l,以控制所述第一悬梁臂的活动端与所述第一漏极以及所述第二悬梁臂的活动端与所述第二漏极之间的同时断开与闭合。悬梁臂具有两个活动端,且两个活动端分别在固定端两侧,当两个活动端执行闭合或关断的动作时,对两个活动端同时控制,相比于悬梁臂具有单个活动端的情况,锚同时受到两个大小相同但方向相反的切向拉力或张力,使锚的受力达到平衡,增强了锚的结构稳定性,增加了MEMS开关继电器的使用寿命。
一种可能的实施方式中,所述MEMS开关继电器还包括绝缘层,所述绝缘层设置于所述基板的第一表面,且位于所述源极、所述漏极、所述栅极与所述基板之间。可以理解的,一般的,基板、源极、漏极以及栅极都具有导电特性,如果基板与源极、漏极或栅极直接接触,有时会出现短路现象,因此需要利用绝缘层将基板与源极、漏极以及栅极隔离。
一种可能的实施方式中,所述MEMS开关继电器还包括触点,所述触点包括第一触点与第二触点,所述第一触点与所述第二触点相对设置,所述第一触点设置于所述悬梁臂活动端靠近所述漏极的一侧,所述第二触点设置于所述漏极靠近所述悬梁臂活动端的一侧。可以理解的,MEMS开关继电器通过第一触点与第二触点的闭合或断开,来实现控制电路的闭合或断开,因此,一般的,所述触点具有良好的电学与热学性能,可以很好的导电以及导热。
一种可能的实施方式中,所述MEMS开关继电器中的电感线圈可以为包括磁芯也可以没有磁芯,只要电感线圈可以产生磁场力即可。可以理解的,有磁芯的电感线圈,产生的磁场力更大,更容易完成对悬梁臂的控制,没有磁芯的电感线圈,成本更低,根据不同的场景需要,选择相适应的电感线圈设计方案。
一种可能的实施方式中,所述MEMS开关继电器中的电感线圈可以为一个也可以为多个。可以理解的,当电感线圈为多个时,可以将磁场力分散的更为均匀,便于对悬梁臂的控制,提高电感线圈控制的灵活性,当电感线圈为一个时,可以更节省成本。
一种可能的实施方式中,所述MEMS开关继电器中的电感线圈设置于所述基板靠近所述栅极的一侧,所述电感线圈在第二方向的投影与所述栅极在第二方向的投影相互重叠,所述第二方向与所述第一方向相互垂直。可以理解的,所述MEMS开关继电器中的栅极用于产生静电力,而电感线圈用于产生磁场力,静电力与磁场力相互配合共同控制悬梁臂的运动。电感线圈设置在栅极的下方,可以使静电力与磁场力尽可能的重叠,使悬梁臂的控制更加容易。
一种可能的实施方式中,所述MEMS开关继电器的悬梁臂悬空设置于所述基板的第一表面,所述悬梁臂与所述漏极之间形成活动空间;所述悬梁臂的活动端悬空设置于所述漏极背离所述基板的一侧的正上方,所述悬梁臂与所述栅极之间形成施力空间。可以理解的,悬梁臂只有固定端通过锚与源极连接,其余部分均处于悬空状态,悬梁臂与栅极之间的施力空间,为电场力与磁场力的施力空间,悬梁臂活动端与漏极之间形成活动空间,在活动空间中,悬梁臂活动端通过上下活动,完成与漏极的连接以及断开。
一种可能的实施方式中,所述MEMS开关继电器还包括壳体,所述壳体内设置有高介电强度气体,所述壳体用于封装所述MEMS开关继电器。一般的,高介电强度气体为SF6气体,或其他如氮气、氩气、氧气等。可以理解的,高介电强度气体可以起到电气隔离的作用,保护MEMS开关继电器,减少MEMS开关继电器短路的发生。
一种可能的实施方式中,所述悬梁臂的材料为金属材料,所述基板的材料为半导体材料硅,或其他材料例如:玻璃、石英、陶瓷,所述源极、所述漏极以及所述栅极为金属电极。一般的,悬梁臂的材料为Ni金属合金、软磁材料以及永磁材料。一般的,基板材料为硅,硅不仅具有良好的机械及电性能,而且加工工艺和手段也较完善。根据微观晶体组成不同又可分为单晶硅和多晶硅。单晶硅断裂强度和硬度比不锈钢的高,而弹性模量与不锈钢相近,密度却仅为不锈钢的1/3,机械稳定性极好。多晶硅是由许多排列和取向无序的单晶颗粒构成的,它一般通过薄膜工艺制作在衬底上,性能受工艺影响较大。硅的导热性较好,硅材料还有多种传感特性。因此,硅是一种十分优良的MEMS开关继电器材料。在加工中,应该注意减少硅片表面、边缘和体内缺陷的形成,尽量少用切、磨、抛光等机械加工;在高温工艺、多重薄膜的淀积中要尽量减少内应力;采取一定的表面钝化、保护措施。一般的,所述源极、所述漏极以及所述栅极为金属材料制成,用于与第二电源或第一电源连接,金属电极的材料可以为金、铜、铂等。
第二方面,本申请提供一种MEMS开关继电器的控制方法,所述控制方法应用于MEMS开关继电器,所述MEMS开关继电器包括源极、漏极、栅极、电感线圈、悬梁臂、锚和基板,所述源极、所述栅极与所述漏极沿第一方向依次设置于所述基板的第一表面,所述源极与所述栅极之间用于连接第一电源以产生静电力,所述悬梁臂的固定端通过所述锚与所述源极连接,所述悬梁臂悬空设置于所述基板的第一表面,所述电感线圈位于所述基板内,且设置于所述基板靠近所述栅极的一侧,所述电感线圈用于连接第二电源以产生磁场力,所述方法包括:
第一步:将所述电感线圈以及所述源极与所述栅极之间分别与第二电源和第一电源连接;
第二步:分别控制所述电感线圈以及所述源极与所述栅极之间与第二电源和第一电源的连接或断开,以使所述悬梁臂的活动端与所述漏极闭合或断开。
可以理解的,电感线圈与第二电源连接,通过控制电感线圈与第二电源的通断或者电感线圈中电流的方向,可以在MEMS继电器的施力空间中控制磁场力的有无以及方向,从而控制悬梁臂的活动端靠近或远离漏极;源极与栅极之间连接第一电源,通过控制源极与栅极之间的第一电源的上电与关断,可以在MEMS继电器的施力空间中控制静电力的有无,从而与磁场力一起控制悬梁臂的活动端靠近或远离漏极。磁场力与静电力相互结合,可以有效的降低静电力作用距离短,所需电压大的问题,同时有效降低维持磁场力的所需的电能消耗。
在一种可能是实施方式中,在上述控制方法的第二步:分别控制所述电感线圈以及所述源极与所述栅极之间与第二电源的连接或断开,以使所述悬梁臂的活动端与所述漏极闭合或断开,具体包括:
首先,导通与所述电感线圈连接的第二电源,以使所述悬梁臂的活动端与所述漏极闭合;
然后,导通所述栅极与所述源极之间的第一电源,断开或减小所述电感线圈中的电流,所述悬梁臂的活动端与所述漏极保持闭合;
最后,断开所述栅极与所述源极之间的第一电源,以使所述悬梁臂的活动端与所述漏极断开。
可以理解的,在MEMS开关继电器工作的过程中,由于磁场力具有较大的施力距离,因此首先导通电感线圈产生磁场力,吸引悬梁臂,将悬梁臂与漏极的距离缩短直至悬梁臂的活动端与漏极闭合。然后将栅极与漏极之间的第一电源导通,使悬梁臂和栅极之间产生正负的感应电荷,从而产生静电力,即使减小电感线圈中的电流或将电感线圈与第二电源断开,降低或撤销磁场力,静电力仍然可以维持悬梁臂活动端与漏极之间的闭合。由于静电力不需要电流维持,因此在闭合状态,MEMS开关继电器不消耗电能。最后,当MEMS开关继电器需要断开时,将栅极与源极之间的第一电源断开,撤销静电力。因此,通过上述方法可以使MEMS开关继电器工作在双稳态中,节省功耗。
在一种可能的实施方式中,导通所述电感线圈中的第二电源,以使所述悬梁臂的活动端向所述漏极靠近,在所述悬梁臂的活动端向所述漏极运动的过程中,导通所述栅极与所述源极之间的第一电源。可以理解的,上述方法,可以提高所述悬梁臂的活动端与所述漏极闭合速度,从而提高MEMS开关继电器的开关频率。
在一种可能的实施方式中,当MEMS开关继电器具有双悬梁臂,与之相适应的,所述漏极包括第一漏极与第二漏极,所述栅极包括第一栅极与第二栅极,所述第一漏极、所述第一栅极、所述源极、所述第二栅极与所述第二漏极沿第一方向依次设置于所述基板的第一表面,所述悬梁臂包括第一悬梁臂与第二悬梁臂,所述第一悬梁臂与所述第二悬梁臂共用固定端,所述第一悬梁臂与第二悬梁臂均悬空设置于所述基板的第一表面,所述电感线圈包括第一电感线圈与第二电感线圈,所述第一电感线圈位于所述基板内,且设置于所述基板靠近所述第一栅极的一侧,所述第二电感线圈位于所述基板内,且设置于所述基板靠近所述第二栅极的一侧,所述MEMS开关继电器控制方法相适应的为:
首先,导通与所述第一电感线圈和所述第二电感线圈连接的第二电源,以使所述第一悬梁臂的活动端与所述第一漏极以及所述第二悬梁臂的活动端与所述第二漏极同时闭合;
然后,导通所述源极与所述第一栅极之间以及所述源极与所述第二栅极之间的第一电源,断开或减小所述第一电感线圈和所述第二电感线圈中的电流,以使所述第一悬梁臂的活动端与所述第一漏极以及所述第二悬梁臂的活动端与所述第二漏极保持闭合;
最后,断开所述源极与所述第一栅极之间以及所述源极与所述第二栅极之间的第一电源,以使所述第一悬梁臂的活动端与所述第一漏极以及所述第二悬梁臂的活动端与所述第二漏极同时断开。
可以理解的,当MEMS开关继电器具有两个悬梁臂时,对两个悬梁臂同时控制,双悬梁臂结构中的锚同时受到两个大小相同但方向相反的切向拉力或张力,可以相互抵消,从而增强锚的结构稳定性,进而增加MEMS开关继电器的使用寿命。
第三方面,本申请提供一种功率设备,所述功率设备包括电路板和至少一个如第一方面申请的MEMS开关继电器,所述至少一个MEMS开关继电器设置于所述电路板上,所述至少一个MEMS开关继电器与电路连接,所述至少一个MEMS开关继电器用于控制所述电路的连接与关断。可以理解的,MEMS开关继电器在功率设备中起到控制电路通断的作用,所述功率设备中使用所述MEMS开关继电器,可以起到如本申请第一方面或第二方面中优点,在此不再复述。
附图说明
图1为本申请中的MEMS开关继电器应用场景示意图;
图2A为现有技术静电型MEMS开关继电器示意图;
图2B为现有技术静电型MEMS开关继电器控制示意图;
图3A、3B、3C为本申请中MEMS开关继电器示意图;
图4为本申请中另一种MEMS开关继电器示意图;
图5A为本申请中MEMS开关继电器控制方法流程图;
图5B为本申请中MEMS开关继电器控制方法细化流程图;
图6为本申请中另一种MEMS开关继电器控制方法流程图。
附图标记:
功率设备-01,电路一-11,电路二-12,继电器-13/14,外部电源或电路等-15,基板-21,绝缘层-22,源极-23,栅极-24、第一栅极-241、第二栅极-242,漏极-25、第一漏极-251、第二漏极-252,锚-26,悬梁臂-27、悬梁臂固定端-27a、悬梁臂活动端-27b、第一悬梁臂-271、第一悬梁臂活动端-271b、第二悬梁臂-272、第二悬梁臂活动端-272b,触点-28、第一触点-28a、第二触点-28b,第一子单元触点-281、第一子单元第一触点-281a、第一子单元第二触点-281b,第二子单元触点-282、第二子单元第一触点-282a、第二子单元第二触点-282b,电感线圈29、第一电感线圈291、第二电感线圈292。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行描述。
继电器在电力电子设备中继电器扮演着重要的角色,一般在电路中起着利用小电压控制大电压的作用。随着电力电子技术向着高压高电流方向的发展,对于继电器的要求也逐渐提高,传统的继电器体积大、开关速度慢,已经不适应于当前应用场景。而MEMS开关继电器,由于其体积小、开关速度快、易于集成的优点,有望逐渐取代传统继电器,成为主流的继电器。
如图1所示,为MEMS开关继电器的应用场景示意图,在功率设备01中具有电路一11与电路二12,同时在两者之间还有MEMS开关继电器13,MEMS开关继电器13可以控制电路一11与电路二12的连接或断开,同时功率设备01还有MEMS开关继电器14,负责控制功率设备01与外部电源或电路等15的连接或断开。图1中的电路一11与电路二12可以由单个的器件组成也可以由多个器件组成。
静电型MEMS开关继电器是当前的主流的MEMS开关继电器,静电力是一种表面力,其驱动能力有限,因此,静电驱动的MEMS开关继电器的驱动电压一般都较大,有的会达到40V甚至是80V;为了降低驱动电压,减小悬梁臂与栅极之间的间距或者增大悬梁臂与栅极间有效作用面积可以提高器件的驱动能力,但间距过小会影响器件的隔离能力,同时对工艺的要求也相应增大;如果要通过提高电极间的作用面积来增大器件的驱动能力,势必会降低芯片面积的使用效率,不利于减小器件的尺寸,也难以降低器件的成本。由于悬梁臂与漏极之间距离也不能太大,因此MEMS开关继电器所控制的电压也会受到限制,一般只能在400V左右,这成为限制静电型MEMS开关继电器发展的主要瓶颈。
如图2所示,为现有的静电型MEMS开关继电器的主视图,静电型MEMS开关继电器包括基板21、绝缘层22、源极23、栅极24、漏极25、锚26、悬梁臂27以及触点28。由图2A可以看出,源极23、栅极24和漏极25沿第一方向依次设置于基板21的第一表面,当存在绝缘层22时,源极23、栅极24和漏极25沿第一方向依次设置于绝缘层22的第一表面,如图2B所示,源极23与栅极24之间用于连接第一电源Vgs,当第一电源Vgs导通时,悬梁臂27与栅极24的相对表面分别形成正负电荷,正负电荷产生相互吸引的静电力,悬梁臂27的活动端27b在静电力的作用下逐渐靠近漏极25,最终第一触点28a与第二触点28b相互接触,这时Vds导通。一般的,Vgs为几十伏左右,Vds为几百伏左右。如果要提高隔离电压Vds,例如Vds为几千伏,则需要增加第一触点28a与第二触点28b之间的距离,以防第一触点28a与第二触点28b由于距离太近而在高压作用下被直接击穿,而第一触点28a与第二触点28b之间的距离的增加,根据平板电容上的静电力公式:
悬梁臂和栅极的距离x越远,悬梁臂的静电力越小,为了使悬梁臂的活动端27b仍然可以与漏极25闭合,需要增大第一电源Vgs的电压。或者增加悬梁臂与栅极的面积S,以在悬梁臂与栅极的表面积累更多的电荷,但是这样会增加这个MEMS开关继电器的体积,不符合当前小型化的发展趋势。
针对以上问题,本申请提供了一种新型的MEMS开关继电器及其控制方法与功率设备。本申请中的MEMS开关继电器采用静电力与磁场力相结合的方案,减小了MEMS开关继电器对于静电力的依赖,降低了驱动电压,同时由于磁场力的施力范围广,悬梁臂与漏极的距离可以做的更长,从而使MEMS开关继电器可以控制更高的电压。
本申请提供的第一种实施例如图3A所示,本申请的第一种实施例提供一种MEMS开关继电器,该MEMS开关继电器包括:基板21、源极23、栅极24、漏极25、锚26、悬梁臂27、电感线圈29,源极23、栅极24和漏极25沿第一方向依次设置于基板21的第一表面,如图3B所示,当基板21的第一表面设置有绝缘层22时,源极23、栅极24和漏极25沿第一方向依次设置于绝缘层22的第一表面,悬梁臂27的固定端27a通过锚26与源极23连接,悬梁臂27悬空设置于基板21的第一表面,悬梁臂27的活动端27b悬空设置于漏极25背离基板21的一侧的正上方。源极23与栅极24之间用于连接第一电源Vgs,当第一电源Vgs导通时,在悬梁臂27与栅极24的相对表面分别产生正负电荷,从而在悬梁臂27与栅极24之间形成静电力,静电力可以使悬梁臂27以锚26为轴产生向下的拉力,从而使悬梁臂27的活动端27b向靠近漏极25的方向运动或与使悬梁臂27的活动端27b与漏极25保持闭合。当然,在一种可行的实施方式中,如图3C所示,悬梁臂的活动端27b悬空可以不设置于漏极25背离基板21的一侧的正上方,允许有一定的偏移。
为了弥补静电力的不足,在栅极24的正下方,即在基板21内部,且靠近栅极24的一侧设置电感线圈29。将电感线圈29与第二电源Vcoi l连接,可以使电感线圈29在电流的作用下产生电磁场,因此通电状态下的电感线圈29可以对悬梁臂27以锚26为轴产生向下的拉力,从而使悬梁臂27的活动端27b向靠近漏极25的方向运动或与使悬梁臂27的活动端27b与漏极25保持闭合。
磁场力能够在较大的作用行程里产生较大的驱动力。由于磁场力相比静电力的施力范围要大,因此在不增加源极23与栅极24之间第一电源Vgs电压值的情况下,悬梁臂27的活动端27b与漏极25之间的距离可以设置的更大,也不用增加悬梁臂27与栅极24之间的相对投影面积,就可以达到提高控制悬梁臂27与漏极25之间电压Vsd的目的,维持了MEMS开关继电器小型化的发展路线。
可选的,在一些磁场力要求较高的场景中,可以在电感线圈29中增加磁芯,在电感线圈29具有磁芯的情况下,电感线圈29中产生的磁感线会更多,从而使电感线圈29在同样大小的电流下产生更多的磁场力。由于软磁材料容易被磁化,也容易被退磁,因此,一般的,选用软磁材料作为磁芯,这类材料的磁滞回线所包围的面积很小、矫顽力很低、剩磁小、磁化曲线在饱和以前上升的很陡,即磁导率很高。常用的软磁材料主要有:电工用纯铁、铁硅合金、铁镍合金和软磁铁氧体等。铁具有高的饱和磁感应强度、高磁导率和低的矫顽力,但纯铁不太适于用薄膜方法制备。铁硅合金的硅含量在45%左右,其磁导率大大增加,矫顽力很小,但剩磁变化不大。软磁铁氧体最大的特点是具有高的电阻率,其磁导率也较高。在机械性能方面,软磁铁氧体既硬又脆,延展性能极差。一般的,可以根据MEMS开关继电器应用场景的不同,选择不同的磁芯材料,以及不同的加工工艺。
一般的,电感线圈29是由绝缘材料包裹的,绝缘材料的选择直接影响并决定着MEMS开关继电器的允许温升和使用寿命。绝缘材料的选用应从其介电强度、绝缘电阻、电介质损耗以及与选用加工工艺相容性等几个方面考虑。同时它还能使铜导线与空气隔绝,以防止导线与空气作用而发生氧化,因而它又起到了保护线圈的作用。
同时也可以根据场景的需要设置多个电感线圈29,设置多个电感线圈29一方面可以增加磁场力,另一方面也可以提高磁场力的控制灵活性,例如将多个电感线圈29按照不同的方式进行排列,可以增加磁场力的施力方向的多样性。
由图3A可以看出,在一种可行的实施方式中,电感线圈29在第二方向上的投影与栅极24在第二方向的投影相互重叠。这样磁场力与静电力在施力空间中可以相互重叠,使磁场力与静电力的结合使用更加方便,提高磁场力与静电力之间的相互补充程度。
由图3A可以看出,在一种可行的实施方式中,悬梁臂27除固定端27a的其他部分均悬空设置于基板21的第一表面。这样悬梁臂27与栅极24之间形成施力空间,同时悬梁臂27的活动端27b与漏极25之间形成活动空间。在施力空间中,由电感线圈29产生的磁场力与由悬梁臂27与栅极24之间产生的静电力均以锚为轴在施力空间中对悬梁臂27产生向下的力矩,从而使悬梁臂27的活动端27b在活动空间中向靠近漏极25的方向运动或使悬梁臂27的活动端27b与漏极25保持闭合。一般的,悬梁臂27的材料为金属材料。可选的,悬梁臂27的材料为Ni金属合金、软磁材料以及永磁材料等。
如图3B所示,在第一种实施例提供的MEMS开关继电器中还包括绝缘层22,绝缘层22设置于基板21的第一表面上,一般的,基板21为半导体材料,如硅,包括多晶硅和单晶硅,而源极23、栅极24以及漏极25为金属材料,绝缘层22可以起到将基板21与源极23、栅极24以及漏极25相隔离的作用,防止基板21与源极23、栅极24以及漏极25之间的短路现象的发生。一般的,绝缘层22所使用的材料可以与电感线圈29中使用的材料相同。当然,基板21也可以为石英,玻璃,陶瓷等。
如图3B所示,在第一种实施例提供的MEMS开关继电器中还包括触点28,触电28包括第一触点28a与第二触点28b,第一触点28a与第二触点28b相对设置,第一触点28a设置于悬梁臂27的活动端27b靠近漏极25的一侧,第二触点28b设置于漏极25靠近悬梁臂27活动端27b的一侧。MEMS开关继电器通过第一触点28a与第二触点28b的闭合或断开,来实现控制电路的闭合或断开。一般的,触点28具有良好的电学与热学性能,可以很好的导电以及导热。
最后,MEMS开关继电器还包括壳体,本申请中没有给出相应的图示,壳体内设置有高介电强度气体,壳体用于封装MEMS开关继电器。一般的,高介电强度气体为SF6气体。高介电强度气体可以起到电气隔离的作用,保护MEMS开关继电器,减少MEMS开关继电器短路的发生。
本申请提供的第二种实施例如图4所示,在实施例一中,MEMS开关继电器的悬梁臂27为单臂,用于连接悬梁臂27与源极23的锚26长时间工作在受力不平衡的状态,随着时间的累积,锚26经常出现结构性的损坏,造成MEMS开关继电器使用寿命的下降。为了克服上述问题,实施例二提供了一种双悬梁臂的MEMS开关继电器。
如图4所示,该双悬梁臂的MEMS开关继电器在实施例一的基础上做了进一步的改进,悬梁臂27包括第一悬梁臂271和第二悬梁臂272,与之相适应的,栅极24包括第一栅极241与第二栅极242,漏极25包括第一漏极251与第二漏极252,电感线圈29包括第一电感线圈291与第二电感线圈292。第一悬梁臂271与第二悬梁臂272共用一个悬梁臂固定端27a,第一悬梁臂271与第二悬梁臂272通过悬梁臂固定端27a与源极23连接,与单悬梁臂类似的,第一悬梁臂与第二悬梁臂均设置于基板21的第一表面,第一悬梁臂的活动端271b悬空设置于第一漏极251背离基板21的一侧的正上方,第二悬梁臂的活动端272b悬空设置于第二漏极252背离基板21的一侧的正上方。第一漏极251、第一栅极241、源极23、第二栅极242与第二漏极252沿第一方向依次设置于基板21的第一表面。第一电感线圈291与第二电感线圈292均设置于基板21内,第一电感线圈291位于基板21靠近第一栅极241的一侧,第二电感线圈292设置于基板21靠近第二栅极242的一侧。
为了使锚26可以达到受力平衡,需要同时控制第一悬梁臂271与第二悬梁臂272的运动。因此,在源极23与第一栅极241之间和源极23与第二栅极242之间分别连接第一电源Vgs1与Vgs2,这样可以分别在对应的施力空间中产生静电力;同时,将第一电感线圈291和第二电感线圈292分别与第二电源Vcoi l连接,这样可以分别在对应的施力空间中产生磁场力。相比于悬梁臂具有单个活动端的情况,利用静电力与磁场力同时控制第一悬梁臂的活动端271b和第二悬梁臂的活动端272b的运动或保持静止,锚26同时受到两个大小相同但方向相反的切向拉力或张力,使锚26的受力达到平衡,增强了锚26的结构稳定性,增加了MEMS开关继电器的使用寿命。实施例二提供的MEMS开关继电器其他部分的特征,可以与实施例一共享,在这里不再赘述。
本申请提供的第三种实施例为本申请提供的MEMS开关继电器的对应的控制方法,对于MEMS开关继电器的结构可以参考实施例一或实施例二提供的描述,在这里不再赘述,如图5A所示,为第三种实施例提供的MEMS开关继电器的控制方法的流程图。包括:
S1:将电感线圈29与第二电源Vcoi l连接,在源极23与栅极24之间连接第一电源Vgs;
S2:分别控制电感线圈29与第二电源Vcoi l以及源极23与栅极24之间和第一电源Vgs的连接或断开,以使悬梁臂27的活动端27b与漏极25的闭合或断开。
电感线圈29与第二电源Vcoi l连接,通过控制电感线圈29与第二电源Vcoi l的通断或者电感线圈29中电流的方向,可以在MEMS继电器的施力空间中控制磁场力的有无以及方向,从而控制悬梁臂27的活动端27b靠近或远离漏极25;源极23与栅极24之间连接第一电源Vgs,通过控制与第一电源Vgs的通断,可以在MEMS继电器的施力空间中控制静电力的有无,从而使静电力与磁场力一起控制悬梁臂27的活动端27b靠近或远离漏极25。磁场力与静电力相互结合,可以有效的降低静电力作用距离短、所需驱动电压大的问题,同时有效降低维持磁场力的所需的电能消耗。
MEMS开关继电器在正常工作时,对于MEMS开关继电器一个完整的开关周期,S2步骤可以进一步的细化,如图5B所示:
S21:导通与电感线圈29连接的第二电源Vcoi l,在悬梁臂27与栅极24之间的施力空间中产生磁场力,以使悬梁臂27的活动端27b在磁场力的作用下与漏极25闭合。由于磁场力比静电力具有更大的施力距离,因此首先使用磁场力使悬梁臂27的活动端27b与漏极25闭合,可以降低对源极23与栅极24之间第一电源Vgs的依赖,降低第一电源Vgs的电压值;
S22:导通栅极24与源极23之间的第一电源Vgs,在悬梁臂27与栅极24之间的施力空间中产生静电力,断开电感线圈29与第二电源Vcoi l的连接,使悬梁臂27的活动端27b与漏极25在静电力的作用下保持闭合。在悬梁臂27的活动端27b与漏极25的闭合状态下,悬梁臂27的活动端27b与漏极25之间的距离很近,根据库伦定理,在第一电源Vgs同样的电压值时,可以在施力空间中产生更大静电力,或者说产生相同大小的静电力,所需的第一电源Vgs的电压值更小。仅在悬梁臂27的活动端27b与漏极25保持闭合时使用静电力,可以降低对第一电源Vgs的依赖,降低第一电源Vgs的电压值,同时在闭合状态下,断开了电感线圈29与第二电源Vcoi l之间的连接,只保持第一电源Vgs工作,降低了电能的消耗,当然也可以减小电感线圈29中的电流,只要悬梁臂27与漏极25保持闭合即可,也可以达到降低能耗的目的;
S23:断开栅极24与源极23之间的第一电源Vgs,撤销在悬梁臂27与栅极24之间的施力空间中产生的静电力,以使悬梁臂27的活动端27b与漏极25断开。结合步骤S21与步骤S22,MEMS开关继电器无论工作在闭合或断开状态,均不会持续的消耗能量,因此本实施例提供的控制方法可以使MEMS开关继电器节能。
本申请提供的第四种实施例是针对第二种实施例中提供的MEMS开关继电器的控制方法,对于实施例二中的MEMS开关继电器具体结构,在此处不再赘述,同时本实施例中的控制方法与实施三的控制方法在整体的控制逻辑上一致,因此这里仅对其中的不同点做出描述,具体的,如图6所示:
S21’:导通第一电感线圈291与第二电感线圈292中的第二电源Vcoi l,同时在第一悬梁臂271与第一栅极241之间的施力空间以及第二悬梁臂272与第二栅极242之间的施力空间中产生磁场力,以使第一悬梁臂的活动端271b与第一漏极251以及第二悬梁臂的活动端272b与第二漏极252在磁场力的作用下同时闭合;
S22’:导通源极23与第一栅极241之间以及源极23与第二栅极242之间的第一电源Vgs1与Vgs2,同时在第一悬梁臂271与第一栅极241之间的施力空间以及第二悬梁臂272与第二栅极242之间的施力空间中产生静电力,同时断开第一电感线圈291与第二电感线圈292中的第二电源Vcoi l,以使第一悬梁臂的活动端271b与第一漏极251以及第二悬梁臂的活动端272b与第二漏极252在静电力的作用下保持闭合;
S23’:断开源极23与第一栅极241之间以及源极23与第二栅极242之间的第一电源Vgs1与Vgs2,同时撤销在第一悬梁臂271与第一栅极241之间的施力空间以及第二悬梁臂272与第二栅极242之间的施力空间中产生的静电力,以使第一悬梁臂的活动端271b与第一漏极251以及第二悬梁臂的活动端272b与第二漏极252同时断开。
本实施例针对实施例二提供的MEMS开关继电器的两个悬梁臂进行同步控制,使MEMS开关继电器的锚26始终处于受力平衡的状态中,从而增强锚26的结构稳定性,提高MEMS开关继电器的使用寿命。
本申请的第五种实施方式提供了一种功率设备。该功率设备包括电路板和至少一个如实施例一到四中的MEMS开关继电器,至少一个MEMS开关继电器设置于电路板上,至少一个MEMS开关继电器与电路连接,至少一个MEMS开关继电器用于控制电路的连接与关断。如图1中所示,至少一个MEMS开关继电器可以控制功率设备内部电路的关断与连接或功率设备与外部电路的关断与连接。可以理解的,MEMS开关继电器在功率设备中起到控制电路通断的作用,功率设备使用如实施例一到四中的MEMS开关继电器,可以起到如实施例一到四中描述的MEMS开关继电器的优点,在此不再复述。
以上,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种MEMS开关继电器,其特征在于,所述MEMS开关继电器包括源极、漏极、栅极、电感线圈、悬梁臂、锚和基板;
所述源极、所述栅极与所述漏极沿第一方向依次设置于所述基板的第一表面,所述源极与所述栅极之间用于连接第一电源以产生静电力;
所述悬梁臂的固定端通过所述锚与所述源极连接,所述悬梁臂悬空设置于所述基板的第一表面;
所述电感线圈位于所述基板内,且设置于所述基板靠近所述栅极的一侧,所述电感线圈用于连接第二电源以产生磁场力。
2.根据权利要求1所述的MEMS开关继电器,其特征在于,所述漏极包括第一漏极与第二漏极,所述栅极包括第一栅极与第二栅极,所述第一漏极、所述第一栅极、所述源极、所述第二栅极与所述第二漏极沿第一方向依次设置于所述基板的第一表面;
所述悬梁臂包括第一悬梁臂与第二悬梁臂,所述第一悬梁臂与所述第二悬梁臂共用固定端,所述第一悬梁臂与第二悬梁臂均悬空设置于所述基板的第一表面;
所述电感线圈包括第一电感线圈与第二电感线圈,所述第一电感线圈位于所述基板靠近所述第一栅极的一侧,所述第二电感线圈设置于所述基板靠近所述第二栅极的一侧。
3.根据权利要求1或2所述的MEMS开关继电器,其特征在于,所述电感线圈设置于所述基板靠近所述栅极的一侧,包括,所述电感线圈在第二方向的投影与所述栅极在第二方向的投影相互重叠,所述第二方向与所述第一方向相互垂直。
4.根据权利要求1-3任一所述的MEMS开关继电器,其特征在于,所述悬梁臂悬空设置于所述基板的第一表面,包括:
所述悬梁臂与所述漏极之间形成活动空间;
所述悬梁臂的活动端悬空设置于所述漏极背离所述基板的一侧的正上方,所述悬梁臂与所述栅极之间形成施力空间。
5.根据权利要求1-4任一所述的MEMS开关继电器,其特征在于,所述MEMS开关继电器还包括绝缘层,所述绝缘层设置于所述基板的第一表面,且位于所述源极、所述漏极、所述栅极与所述基板之间。
6.根据权利要求1-5任一所述的MEMS开关继电器,其特征在于,所述MEMS开关继电器还包括触点,所述触点包括第一触点与第二触点,所述第一触点与所述第二触点相对设置,所述第一触点设置于所述悬梁臂活动端靠近所述漏极的一侧,所述第二触点设置于所述漏极靠近所述悬梁臂活动端的一侧。
7.根据权利要求1-6任一所述的MEMS开关继电器,其特征在于,所述MEMS开关继电器还包括壳体,所述壳体内设置有高介电强度气体,所述壳体用于封装所述MEMS开关继电器。
8.根据权利要求1-7任一所述的MEMS开关继电器,其特征在于,所述悬梁臂的材料为金属材料,所述源极、所述漏极以及所述栅极为金属电极。
9.一种MEMS开关继电器的控制方法,其特征在于,应用于所述MEMS开关继电器,所述MEMS开关继电器包括源极、漏极、栅极、电感线圈、悬梁臂、锚和基板,所述源极、所述栅极与所述漏极沿第一方向依次设置于所述基板的第一表面,所述源极与所述栅极之间用于连接第一电源以产生静电力,所述悬梁臂的固定端通过所述锚与所述源极连接,所述悬梁臂悬空设置于所述基板的第一表面,所述电感线圈位于所述基板内,且设置于所述基板靠近所述栅极的一侧,所述电感线圈用于连接第二电源以产生磁场力,所述方法包括:
将所述电感线圈以及所述源极与所述栅极之间分别与第二电源和第一电源连接;
分别控制所述电感线圈以及所述源极与所述栅极之间与第二电源和第一电源的连接或断开,以使所述悬梁臂的活动端与所述漏极闭合或断开。
10.根据权利要求9所述的控制方法,其特征在于,所述分别控制所述电感线圈以及所述源极与所述栅极之间与第一电源与第二电源的连接或断开,以使所述悬梁臂的活动端与所述漏极闭合或断开包括:
导通与所述电感线圈连接的第二电源,以使所述悬梁臂的活动端与所述漏极闭合;
导通所述栅极与所述源极之间的第一电源,断开或减小所述电感线圈中的电流,所述悬梁臂的活动端与所述漏极保持闭合;
断开所述栅极与所述源极之间的第一电源,以使所述悬梁臂的活动端与所述漏极断开。
11.根据权利要求10所述的控制方法,其特征在于,所述漏极包括第一漏极与第二漏极,所述栅极包括第一栅极与第二栅极,所述第一漏极、所述第一栅极、所述源极、所述第二栅极与所述第二漏极沿第一方向依次设置于所述基板的第一表面,所述悬梁臂包括第一悬梁臂与第二悬梁臂,所述第一悬梁臂与所述第二悬梁臂共用固定端,所述第一悬梁臂与第二悬梁臂均悬空设置于所述基板的第一表面,所述电感线圈包括第一电感线圈与第二电感线圈,所述第一电感线圈位于所述基板内,且设置于所述基板靠近所述第一栅极的一侧,所述第二电感线圈位于所述基板内,且设置于所述基板靠近所述第二栅极的一侧,所述方法包括:
导通与所述第一电感线圈和所述第二电感线圈连接的第二电源,以使所述第一悬梁臂的活动端与所述第一漏极以及所述第二悬梁臂的活动端与所述第二漏极同时闭合;
导通所述源极与所述第一栅极之间以及所述源极与所述第二栅极之间的第一电源,断开或减小所述第一电感线圈和所述第二电感线圈中的电流,以使所述第一悬梁臂的活动端与所述第一漏极以及所述第二悬梁臂的活动端与所述第二漏极保持闭合;
断开所述源极与所述第一栅极之间以及所述源极与所述第二栅极之间的第一电源,以使所述第一悬梁臂的活动端与所述第一漏极以及所述第二悬梁臂的活动端与所述第二漏极同时断开。
12.一种功率设备,其特征在于,所述功率设备包括电路板和至少一个如权利要求1-8所述的MEMS开关继电器,所述至少一个MEMS开关继电器设置于所述电路板上,所述至少一个MEMS开关继电器与电路连接,所述至少一个MEMS开关继电器用于控制所述电路的连接与关断。
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-
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |