CN116381467B - 双端口近场探头非对称补偿方法、装置、设备和存储介质 - Google Patents
双端口近场探头非对称补偿方法、装置、设备和存储介质 Download PDFInfo
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Abstract
本申请涉及一种双端口近场探头非对称补偿方法、装置、设备和存储介质。该方法包括：获取第一散射参数，第一散射参数由基于对称双端口近场探头建立的对称双端口网络采集得到；获取第二散射参数，第二散射参数由基于非对称元件建立的非对称双端口网络采集得到；获取磁场环境下校准网络的整体响应，校准网络基于对称双端口近场探头以及非对称元件建立；根据对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、以及磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子；根据校准因子对对称双端口近场探头进行补偿，从而解决非对称问题，提高了非对称系统的测量精度。
Description
技术领域
本申请涉及探头校准技术领域，特别是涉及一种双端口近场探头非对称补偿方法、装置、计算机设备和存储介质。
背景技术
随着科技水平的高速发展，集成电路正在朝着更加小型化、高频化和高密度化的方向发展，该技术在给人们的生活带来便利的同时，也出现了集成电路的电磁可靠性降低的问题。
由于近场扫描法是检测电磁可靠性十分有效的诊断方法，因此，针对集成电路的电磁可靠性降低的问题，传统技术通过近场扫描法来解决电磁可靠性降低的问题。在近场扫描法中，近场探头作为近场扫描中重要的组成部分，而复合探头是近场探头中十分具有优势的探头类型，但是复合探头在应用过程中往往面临非对称性的问题，因此解决其非对称性问题，对近场探头进行非对称补偿，意义重大。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种准确的双端口近场探头非对称补偿方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。
第一方面，本申请提供了一种双端口近场探头非对称补偿方法。所述方法包括：
获取第一散射参数，所述第一散射参数由基于对称双端口近场探头建立的对称双端口网络采集得到；
获取第二散射参数，所述第二散射参数由基于非对称元件建立的非对称双端口网络采集得到；
获取磁场环境下校准网络的整体响应，所述校准网络基于所述对称双端口近场探头以及所述非对称元件建立；
根据所述对称双端口近场探头的散射参数、所述非对称元件的散射参数、以及所述磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子；
根据所述校准因子对对称双端口近场探头进行补偿。
在其中一个实施例中，所述根据所述对称双端口近场探头的散射参数、所述非对称元件的散射参数、以及所述磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子包括：
根据所述对称双端口近场探头的散射参数、所述非对称元件的散射参数、以及所述磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，获得所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的响应；
基于所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的响应，确定校准因子。
在其中一个实施例中，所述根据所述对称双端口近场探头的散射参数、所述非对称元件的散射参数、以及所述磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，获得所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的响应包括：
基于所述校准网络的第一传输链路，构建第一传输方程；
基于所述校准网络的第二传输链路，构建第二传输方程，其中，所述第一传输链路与所述第二传输链路为所述对称双端口近场探头在两个相反方向的传输链路；
根据所述对称双端口近场探头的散射参数、所述非对称元件的散射参数、所述第一传输方程、以及所述第二传输方程，确定所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的响应。
在其中一个实施例中，所述根据所述对称双端口近场探头的散射参数、所述非对称元件的散射参数、所述第一传输方程、以及所述第二传输方程，确定所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的响应包括：
将所述第一传输方程与所述第二传输方程进行变换，得到所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的第一响应表达式以及所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的第二响应表达式；
根据所述磁场环境下校准网络的整体响应、对称双端口近场探头的散射参数、所述非对称元件的散射参数、预设特征参数以及所述第一响应表达式进行计算，得到所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的第一响应；
从所述磁场环境下校准网络的整体响应中提取第二传输链路的整体响应，根据所述第二传输链路的整体响应、所述非对称元件的散射参数、预设特征参数以及所述第二响应表达式进行计算，得到所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的第二响应。
在其中一个实施例中，所述基于所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的响应，确定校准因子包括：
基于所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的响应以及预设电压表达式，确定校准网络的输出电压；
获取磁场信号，基于所述磁场信号以及所述输出电压，得到校准因子。
在其中一个实施例中，所述基于所述磁场信号以及所述输出电压，得到校准因子包括：
将所述磁场信号的对数乘以预设乘数，得到磁场乘积；
将所述输出电压除以输入信号，得到信号除数，并确定所述信号除数的绝对值；
计算所述磁场乘积与所述信号除数的绝对值之差，得到校准因子。
在其中一个实施例中，所述校准网络包括矢量网络分析仪、对称双端口近场探头、非对称元件、以及校准件，所述矢量网络分析仪包括第一接口、第二接口、第三接口以及第四接口；
所述校准件的两侧分别与所述矢量网络分析仪的第一接口、第四接口连接；所述对称双端口近场探头的一侧与矢量网络分析仪的第二接口连接，所述对称双端口近场探头的另一侧与所述非对称元件连接；所述非对称元件的一侧与矢量网络分析仪的第三接口连接，所述非对称元件的另一侧与所述对称双端口近场探头连接；所述对称双端口近场探头位于在所述校准件的预设轨道上。
第二方面，本申请还提供了一种双端口近场探头非对称补偿装置。所述装置包括：
第一获取模块，用于获取第一散射参数，所述第一散射参数由基于对称双端口近场探头建立的对称双端口网络采集得到；
第二获取模块，用于获取第二散射参数，所述第二散射参数由基于非对称元件建立的非对称双端口网络采集得到；
响应获取模块，用于获取磁场环境下校准网络的整体响应，所述校准网络基于所述对称双端口近场探头以及所述非对称元件建立；
计算模块，用于根据所述对称双端口近场探头的散射参数、所述非对称元件的散射参数、以及所述磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子；
补偿模块，用于根据所述校准因子对对称双端口近场探头进行补偿。
第三方面，本申请还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：
获取第一散射参数，所述第一散射参数由基于对称双端口近场探头建立的对称双端口网络采集得到；
获取第二散射参数，所述第二散射参数由基于非对称元件建立的非对称双端口网络采集得到；
获取磁场环境下校准网络的整体响应，所述校准网络基于所述对称双端口近场探头以及所述非对称元件建立；
根据所述对称双端口近场探头的散射参数、所述非对称元件的散射参数、以及所述磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子；
根据所述校准因子对对称双端口近场探头进行补偿。
第四方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
获取第一散射参数，所述第一散射参数由基于对称双端口近场探头建立的对称双端口网络采集得到；
获取第二散射参数，所述第二散射参数由基于非对称元件建立的非对称双端口网络采集得到；
获取磁场环境下校准网络的整体响应，所述校准网络基于所述对称双端口近场探头以及所述非对称元件建立；
根据所述对称双端口近场探头的散射参数、所述非对称元件的散射参数、以及所述磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子；
根据所述校准因子对对称双端口近场探头进行补偿。
第五方面，本申请还提供了一种计算机程序产品。所述计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
获取第一散射参数，所述第一散射参数由基于对称双端口近场探头建立的对称双端口网络采集得到；
获取第二散射参数，所述第二散射参数由基于非对称元件建立的非对称双端口网络采集得到；
获取磁场环境下校准网络的整体响应，所述校准网络基于所述对称双端口近场探头以及所述非对称元件建立；
根据所述对称双端口近场探头的散射参数、所述非对称元件的散射参数、以及所述磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子；
根据所述校准因子对对称双端口近场探头进行补偿。
上述双端口近场探头非对称补偿方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，获取第一散射参数，第一散射参数由基于对称双端口近场探头建立的对称双端口网络采集得到；获取第二散射参数，第二散射参数由基于非对称元件建立的非对称双端口网络采集得到；获取磁场环境下校准网络的整体响应，校准网络基于对称双端口近场探头以及非对称元件建立；根据对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、以及磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子；根据校准因子对对称双端口近场探头进行补偿。整个方案首先单独获取对称双端口近场探头的第一散射参数以及非对称元件的第二散射参数，然后在校准网络中，获取磁场环境下校准网络的整体响应，进而根据第一散射参数以及第二散射参数以及磁场环境下校准网络的整体响应，计算出校准网络中的校准因子，根据校准因子对对称双端口近场探头进行补偿，从而解决非对称问题，提高了非对称系统的测量精度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一个实施例中双端口近场探头非对称补偿方法的应用环境图；
图2为一个实施例中双端口近场探头非对称补偿方法的流程示意图；
图3为一个实施例中校准网络的结构示意图；
图4为一个实施例中校准网络的数据传输流向示意图；
图5为一个实施例中应用本申请双端口近场探头非对称补偿方法的验证示意图；
图6为一个实施例中应用本申请双端口近场探头非对称补偿方法的结果示意图；
图7为一个实施例中应用本申请双端口近场探头非对称补偿方法的结果对比图；
图8为又一个实施例中应用本申请双端口近场探头非对称补偿方法的结果对比图；
图9为又一个实施例中应用本申请双端口近场探头非对称补偿方法的结果对比图；
图10为另一个实施例中双端口近场探头非对称补偿方法的流程示意图；
图11为一个实施例中双端口近场探头非对称补偿装置的结构框图；
图12为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
传统的复合探头是建立在对称性的基础上，但是实际生产和应用过程中难免会引入不对称因素，不对称因素的引入会对探头的探测精度产生较大的影响。目前并没有相关的非对称性补偿测量技术方案，而非对称问题是双端口近场探测系统常见问题，严重的不对称会导致系统测量失效。本申请可以解决复合探头应用过程中的非对称性问题。
本申请实施例提供的双端口近场探头非对称补偿方法，可以应用于如图1所示的应用环境中。其中，终端102通过网络与校准网络104进行通信。终端102获取第一散射参数，第一散射参数由基于对称双端口近场探头建立的对称双端口网络采集得到；获取第二散射参数，第二散射参数由基于非对称元件建立的非对称双端口网络采集得到；获取磁场环境下校准网络104的整体响应，校准网络基于对称双端口近场探头以及非对称元件建立；根据对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、以及磁场环境下校准网络104的整体响应进行计算，确定校准因子；根据校准因子对对称双端口近场探头进行补偿。其中，终端102可以但不限于是各种个人计算机、笔记本电脑、智能手机、平板电脑、物联网设备和便携式可穿戴设备，物联网设备可为智能音箱、智能电视、智能空调、智能车载设备等。便携式可穿戴设备可为智能手表、智能手环、头戴设备等。本申请提供的双端口近场探头非对称补偿方法适用于复合电磁场探测系统、差分磁场探头系统以及差分双环路磁场探测系统。
在一个实施例中，如图2所示，提供了一种双端口近场探头非对称补偿方法，以该方法应用于图1中的终端102为例进行说明，包括以下步骤：
步骤202，获取第一散射参数。
其中，第一散射参数由基于对称双端口近场探头建立的对称双端口网络采集得到。对称双端口网络包括对称双端口近场探头以及矢量网络分析仪，对称双端口近场探头包括端口2和端口5，由矢量网络分析仪测量双端口近场探头的端口5与端口2之间的S参数矩阵[P22P25；P52P55]，又叫散射参数矩阵，其中，P25表示第一散射参数，表示端口5对端口2的反向传输系数，也就是隔离；P52表示端口5与端口2之间的正向传输系数，也就是增益，P22表示端口5与端口2之间的输入反射系数，也就是输入回波损耗，P55表示端口5与端口2之间的输出反射系数，也就是输出回波损耗。
具体地，终端获取双端口近场探头的散射参数矩阵，从中提取端口5对端口2的反向传输系数，得到第一散射参数。
步骤204，获取第二散射参数。
其中，第二散射参数由基于非对称元件建立的非对称双端口网络采集得到。非对称双端口网络包括非对称元件以及矢量网络分析仪，非对称元件的输出端口为端口3，如图4所示，端口3与双端口近场探头的端口5连接，由矢量网络分析仪测量双端口近场探头的端口5与端口3之间的S参数矩阵[A55A53；A35A33]，又叫散射参数矩阵，其中，A35表示第二散射参数，表示端口5对端口3的反向传输系数，也就是隔离；A53表示端口5与端口3之间的正向传输系数，也就是增益，A33表示端口5与端口3之间的输入反射系数，也就是输入回波损耗，A55表示端口5与端口3之间的输出反射系数，也就是输出回波损耗。非对称元件可以为线缆、连接器或者线缆中的任意一种，也可为其他非对称的元件，本实施例在此不作限定。
具体地，终端获取非对称元件的散射参数矩阵，从中提取端口5对端口3的反向传输系数，得到第二散射参数。
步骤206，获取磁场环境下校准网络的整体响应。
其中，校准网络基于对称双端口近场探头以及非对称元件建立。校准网络为对对称双端口近场探头进行非对称校准的系统。
在一个可选的实施例中，如图3所示，校准网络包括矢量网络分析仪、对称双端口近场探头、非对称元件、以及校准件，矢量网络分析仪包括第一接口、第二接口、第三接口以及第四接口；校准件的两侧分别与矢量网络分析仪的第一接口、第四接口连接；对称双端口近场探头的一侧与矢量网络分析仪的第二接口连接，对称双端口近场探头的另一侧与非对称元件连接；非对称元件的一侧与矢量网络分析仪的第三接口连接，非对称元件的另一侧与对称双端口近场探头连接；对称双端口近场探头位于在校准件的预设轨道上。
其中，VNA（Vector Network Analyzer，矢量网络分析仪）也可以用示波器代替，SMA（SubMiniature version A，SMA接口）为校准件的接口。具体地，在对对称双端口近场探头进行校准时，需要将对称双端口近场探头设置于一个已知近场中，近场可以是纯净电场环境，也可以是纯净磁场环境，本实施例以纯净磁场环境为例进行举例说明。标准件用于对称双端口近场探头测量，与校准件连接的第一接口以及第四接口用于接收矢量网络分析仪的输入信号，输入信号可以是对称双端口近场探头受当前近场激发产生的射频信号。矢量网络分析仪的第二接口和第三接口是用来接收信号的，接收对称双端口近场探头的端口2返回信号以及非对称元件的端口3的返回信号。
具体地，矢量网络分析仪对对称双端口近场探头施加电磁近场，即矢量网络分析仪通过第一接口输入信号a1，然后获取对称双端口近场探头以及非对称元件在近场激发下产生的射频信号，即获取端口2和端口3的整体响应，得到磁场环境下校准网络的整体响应。其中，磁场环境下校准网络的整体响应包括端口2的整体响应b2以及端口3的整体响应b3，可以通过矢量网络分析仪测量得到端口2的整体响应b2以及端口3的整体响应b3。然后，终端获取端口2的整体响应b2以及端口3的整体响应b3，得到磁场环境下校准网络的整体响应。
步骤208，根据对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、以及磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子。
具体地，由于输入信号a1通过对称双端口近场探头以及非对称元件所在的传输线，从对称双端口近场探头到非对称元件之间的阻抗发生了突变，信号会发生发射和折射，因此磁场环境下校准网络的整体响应包括磁场环境下对对称双端口近场探头的响应以及对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数的多种信号的作用。终端基于校准网络中的信号图流以及散射参数进行建模，获取预设校准表达式，根据对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、磁场环境下校准网络的整体响应以及预设校准表达式进行计算，确定校准因子。
步骤210，根据校准因子对对称双端口近场探头进行补偿。
具体地，终端将校准因子发送至校准网络，以使校准网络对对称双端口近场探头进行补偿，解决非对称性问题，保障获取更加精准的定位信息和更弱的电磁信息。
上述双端口近场探头非对称补偿方法中，获取第一散射参数，第一散射参数由基于对称双端口近场探头建立的对称双端口网络采集得到；获取第二散射参数，第二散射参数由基于非对称元件建立的非对称双端口网络采集得到；获取磁场环境下校准网络的整体响应，校准网络基于对称双端口近场探头以及非对称元件建立；根据对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、以及磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子；根据校准因子对对称双端口近场探头进行补偿。整个方案首先单独获取对称双端口近场探头的第一散射参数以及非对称元件的第二散射参数，然后在校准网络中，获取磁场环境下校准网络的整体响应，进而根据第一散射参数以及第二散射参数以及磁场环境下校准网络的整体响应，计算出校准网络中的校准因子，根据校准因子对对称双端口近场探头进行补偿，从而解决非对称问题，提高了非对称系统的测量精度。
在一个可选的实施例中，根据对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、以及磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子包括：
根据对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、以及磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，获得磁场环境下对称双端口近场探头的响应；
基于磁场环境下对称双端口近场探头的响应，确定校准因子。
其中，磁场环境下对称双端口近场探头的响应为称双端口近场探头的零阶响应。双端口近场探头的零阶响应包括双端口近场探头端口2的零阶响应以及双端口近场探头端口5的零阶响应。
具体地，终端基于校准网络中的信号图流、对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、以及磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，获得磁场环境下对称双端口近场探头的零阶响应。然后，终端磁场环境下对称双端口近场探头的响应以及预设校准表达式进行计算，确定校准因子。
本实施例中，基于校准网络中的信号图流，可以准确确定信号在探头两端的传输路径，进而可以准确计算磁场环境下对称双端口近场探头的响应，然后，根据准确的磁场环境下对称双端口近场探头的响应进行校准因子计算，得到的校准因子更加准确。
在一个可选的实施例中，根据对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、以及磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，获得磁场环境下对称双端口近场探头的响应包括：
基于校准网络的第一传输链路，构建第一传输方程；
基于校准网络的第二传输链路，构建第二传输方程；
根据对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、第一传输方程、以及第二传输方程，确定磁场环境下对称双端口近场探头的响应。
其中，第一传输链路与第二传输链路为对称双端口近场探头在两个相反方向的传输链路。对称双端口近场探头的端口5、端口2与矢量网络分析仪的第二接口形成的传输链路为第一传输链路。对称双端口近场探头的端口5、非对称元件的端口3与矢量网络分析仪的第三接口形成的传输链路为第二传输链路。端口5被非对称元件遮挡，因此为虚拟端口5，信号在虚拟端口5处发生反射和折射。
具体地，第一传输方程表征磁场环境下对称双端口近场探头端口2的整体响应b2的具体组成，包括磁场环境下对称双端口近场探头端口2的零阶响应与第一响应信号的叠加，第一响应信号表征信号在经过端口5的反射后与端口5的零阶响应的叠加，第一响应信号具体为磁场环境下对称双端口近场探头端口5的零阶响应与端口5对端口2的反向传输系数以及预设第一特征参数的乘积。终端基于校准网络的第一传输链路的信号图流，构建第一传输方程，第一传输方程如公式（1）所示：
（1）
其中，b2表示磁场环境下对称双端口近场探头端口2的整体响应，表示磁场环境下对称双端口近场探头端口2的零阶响应，/>表示第一响应信号，/>表示磁场环境下对称双端口近场探头端口5的零阶响应，M表示预设第一特征参数，具体表达式如下：
（2）
其中，表示第n次反射后端口5对端口3的输出反射系数，表示第n-1次反射
后端口5与端口2之间的输出反射系数。
第二传输方程表征磁场环境下非对称元件端口3的整体响应b3的具体组成，包括第二响应信号，第二响应信号表征信号在经过端口5的反射后与端口5的零阶响应的叠加，第二响应信号具体为磁场环境下对称双端口近场探头端口5的零阶响应与端口5对端口3的反向传输系数以及预设第二特征参数的乘积。终端基于校准网络的第一传输链路的信号图流，构建第二传输方程，第二传输方程如公式（3）所示：
（3）
其中，b3表示磁场环境下非对称元件端口3的整体响应，N表示预设第二特征参数，具体表达式如下：
（4）
其中，表示第n次反射后端口5与端口2之间的输出反射系数。
在一个可选的实施例中，根据对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、第一传输方程、以及第二传输方程，确定磁场环境下对称双端口近场探头的响应包括：
将第一传输方程与第二传输方程进行变换，得到磁场环境下对称双端口近场探头的第一响应表达式以及磁场环境下对称双端口近场探头的第二响应表达式；
根据磁场环境下校准网络的整体响应、对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、预设特征参数以及第一响应表达式进行计算，得到磁场环境下对称双端口近场探头的第一响应；
从磁场环境下校准网络的整体响应中提取第二传输链路的整体响应，根据第二传输链路的整体响应、非对称元件的散射参数、预设特征参数以及第二响应表达式进行计算，得到磁场环境下对称双端口近场探头的第二响应。
其中，对称双端口近场探头的第一响应表达式表示端口2的零阶响应表达式，磁场环境下对称双端口近场探头的第二响应表达式表示端口5的零阶响应表达式。预设特征参数包括预设第一特征参数M以及预设第二特征参数N。
具体地，终端将第二传输方程进行形式变换，得到磁场环境下对称双端口近场探头端口5的零阶响应表达式，如公式（5）所示：
（5）
然后，将第二响应表达式带入第一传输方程（公式（1）），并将第一传输方程进行形式变换，得到磁场环境下对称双端口近场探头端口2的零阶响应表达式，如公式（6）所示：
（6）
第二特征参数M以及预设第二特征参数N的确定过程如下：
由于，当输入信号经过第一次反射后，端口5、端口2以及端口3的一
阶响应表示如下：
其中，表示磁场环境下对称双端口近场探头端口5的一阶响应，/>表示磁场环境下对称双端口近场探头端口2的一阶响应，/>表示磁场环境下非对称元件端口3的一阶响应。
当输入信号经过第二次反射后，端口5、端口2以及端口3的二阶响应表示如下：
其中，表示磁场环境下对称双端口近场探头端口5的二阶响应，/>表示磁场环境下对称双端口近场探头端口2的二阶响应，/>表示磁场环境下非对称元件端口3的二阶响应，/>表示第二次反射后端口5对端口3的输出反射系数，/>表示第2次反射后端口5与端口2之间的输出反射系数。
类似的，当输入信号经过第n次反射后，端口5、端口2以及端口3的n阶响应表示如下：
其中，表示磁场环境下对称双端口近场探头端口5的n阶响应，/>表示磁场环境下对称双端口近场探头端口2的n阶响应，/>表示磁场环境下非对称元件端口3的n阶响应。/>表示第n次反射后端口5对端口3的输出反射系数，/>表示第n次反射后端口5与端口2之间的输出反射系数，/>表示第n-1次反射后端口5与端口2之间的输出反射系数。
因此，提取公共部分，可得到预设第一特征参数M的定义以及预设第二特征参数N的定义，进而可以得到磁场环境下对称双端口近场探头端口2的整体响应b2的第一传输方程以及磁场环境下非对称元件端口3的整体响应b3的第二传输方程。
在一个可选的实施例中，基于磁场环境下对称双端口近场探头的响应，确定校准因子包括：
基于磁场环境下对称双端口近场探头的响应以及预设电压表达式，确定校准网络的输出电压；
获取磁场信号，基于磁场信号以及输出电压，得到校准因子。
其中，将对称双端口近场探头的第一响应与对称双端口近场探头的第二响应的差值除以预设电压系数，得到预设电压表达式。预设电压系数可以为。
具体地，基于预设电压表达式如公式（7）所示：
（7）
预设电压表达式展开，可得到公式（8）：
（8）
终端将端口2的零阶响应与端口5的零阶响应输入预设电压表达式进行计算，得到校准网络的输出电压。获取磁场信号，将磁场信号以及输出电压输入预设校准表达式进行计算，得到校准因子。
在一个可选的实施例中，基于磁场信号以及输出电压，得到校准因子包括：
将磁场信号的对数乘以预设乘数，得到磁场乘积；
将输出电压除以输入信号，得到信号除数，并确定信号除数的绝对值；
计算磁场乘积与信号除数的绝对值之差，得到校准因子。
具体地，预设校准表达式如公式（9）所示，
（9）
其中，H为磁场，表示校准件在单位电流激励下的磁场，可通过仿真计算得到。表示端口1的输入信号，/>表示输出电压，基于预设校准表达式，将磁场信号的常用对数乘以预设乘数，得到磁场乘积，将输出电压除以输入信号，得到信号除数，并确定信号除数的绝对值，计算磁场乘积与信号除数的绝对值之差，得到校准因子的绝对值|CF|。
如图5所示，将本申请提供的双端口近场探头非对称补偿方法进行验证，得到的结果图如图6所示，横坐标Frequency表示频率，纵坐标H-field表示归一化的磁场信号，经过校准后双端口近场探头可以测量近场的磁场信号强度，可以测量更弱的电磁信号，适用的频率范围更广。
接着，使用连接器、衰减器、线缆等作为非对称元件分别进行验证。如图7所示，在对称双端口近场探头的某一传输链路中串联一个连接器，并确定校准因子，对双端口近场探头进行非对称补偿，使用校准后双端口近场探头测量近场的磁场信号强度，再使用传统补偿方法与本申请提供的双端口近场探头非对称补偿方法进行对比，图7中Analytical表示理论计算值，具体计算表达式如下所示：
（10）
其中，表示沿着传输线的归一化驻波磁性，x表示开路点和测量点之间的距离，L表示单位长度的电感；C表示单位长度的电容；w为角频率。
DLMPS为传统补偿方法的测量值，FACM为本申请提供的双端口近场探头非对称补偿方法的测量值，由图7可以看出，本申请提供的双端口近场探头非对称补偿方法与理论计算值更为接近，因此，非对称补偿准确率更高。
如图8所示，在对称双端口近场探头的某一传输链路中串联一个线缆，并确定校准因子，对双端口近场探头进行非对称补偿，使用校准后双端口近场探头测量近场的磁场信号强度，再使用传统补偿方法与本申请提供的双端口近场探头非对称补偿方法进行对比，由图8可以看出，本申请提供的双端口近场探头非对称补偿方法与传统补偿方法的测量的磁场信号强度均与理论计算值接近。
如图9所示，在对称双端口近场探头的某一传输链路中串联一个衰减器，并确定校准因子，对双端口近场探头进行非对称补偿，使用校准后双端口近场探头测量近场的磁场信号强度，再使用传统补偿方法与本申请提供的双端口近场探头非对称补偿方法进行对比，由图9可以看出，本申请提供的双端口近场探头非对称补偿方法与理论计算值更为接近，因此，非对称补偿准确率更高。
综上，采用上述实施例提供的双端口近场探头非对称补偿方法对近场探头进行校准后，测量近场的特征参数更为准确，相比于传统方法，具有更强的带宽，验证其带宽可以达到20GHz。
为了易于理解本申请实施例提供的技术方案，如图10以完整的双端口近场探头非对称补偿过程对本申请实施例提供的双端口近场探头非对称补偿方法进行简要说明：
步骤1001，获取第一散射参数。
步骤1002，获取第二散射参数。
步骤1003，获取磁场环境下校准网络的整体响应。
步骤1004，基于校准网络的第一传输链路，构建第一传输方程；基于校准网络的第二传输链路，构建第二传输方程。
步骤1005，将第一传输方程与第二传输方程进行变换，得到磁场环境下对称双端口近场探头的第一响应表达式以及磁场环境下对称双端口近场探头的第二响应表达式。
步骤1006，根据磁场环境下校准网络的整体响应、对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、预设特征参数以及第一响应表达式进行计算，得到磁场环境下对称双端口近场探头的第一响应。
步骤1007，从磁场环境下校准网络的整体响应中提取第二传输链路的整体响应，根据第二传输链路的整体响应、非对称元件的散射参数、预设特征参数以及第二响应表达式进行计算，得到磁场环境下对称双端口近场探头的第二响应。
步骤1008，基于磁场环境下对称双端口近场探头的响应以及预设电压表达式，确定校准网络的输出电压。其中，磁场环境下对称双端口近场探头的响应包括第一响应和第二响应。
步骤1009，将磁场信号的对数乘以预设乘数，得到磁场乘积；将输出电压除以输入信号，得到信号除数，并确定信号除数的绝对值；计算磁场乘积与信号除数的绝对值之差，得到校准因子。
步骤1010，根据校准因子对对称双端口近场探头进行补偿。
应该理解的是，虽然如上的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的双端口近场探头非对称补偿方法的双端口近场探头非对称补偿装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个双端口近场探头非对称补偿装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于双端口近场探头非对称补偿方法的限定，在此不再赘述。
在一个实施例中，如图11所示，提供了一种双端口近场探头非对称补偿装置，包括：第一获取模块1102、第二获取模块1104、响应获取模块1106、计算模块1108和补偿模块1110，其中：
第一获取模块1102，用于获取第一散射参数，第一散射参数由基于对称双端口近场探头建立的对称双端口网络采集得到；
第二获取模块1104，用于获取第二散射参数，第二散射参数由基于非对称元件建立的非对称双端口网络采集得到；
响应获取模块1106，用于获取磁场环境下校准网络的整体响应，校准网络基于对称双端口近场探头以及非对称元件建立；
计算模块1108，用于根据对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、以及磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子；
补偿模块1110，用于根据校准因子对对称双端口近场探头进行补偿。
在其中一个实施例中，计算模块1108还用于根据对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、以及磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，获得磁场环境下对称双端口近场探头的响应；基于磁场环境下对称双端口近场探头的响应，确定校准因子。
在其中一个实施例中，计算模块1108还用于基于校准网络的第一传输链路，构建第一传输方程；基于校准网络的第二传输链路，构建第二传输方程，其中，第一传输链路与第二传输链路为对称双端口近场探头在两个相反方向的传输链路；根据对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、第一传输方程、以及第二传输方程，确定磁场环境下对称双端口近场探头的响应。
在其中一个实施例中，计算模块1108还用于将第一传输方程与第二传输方程进行变换，得到磁场环境下对称双端口近场探头的第一响应表达式以及磁场环境下对称双端口近场探头的第二响应表达式；根据磁场环境下校准网络的整体响应、对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、预设特征参数以及第一响应表达式进行计算，得到磁场环境下对称双端口近场探头的第一响应；从磁场环境下校准网络的整体响应中提取第二传输链路的整体响应，根据第二传输链路的整体响应、非对称元件的散射参数、预设特征参数以及第二响应表达式进行计算，得到磁场环境下对称双端口近场探头的第二响应。
在其中一个实施例中，计算模块1108还用于基于磁场环境下对称双端口近场探头的响应以及预设电压表达式，确定校准网络的输出电压；获取磁场信号，基于磁场信号以及输出电压，得到校准因子。
在其中一个实施例中，计算模块1108还用于将磁场信号的对数乘以预设乘数，得到磁场乘积；将输出电压除以输入信号，得到信号除数，并确定信号除数的绝对值；计算磁场乘积与信号除数的绝对值之差，得到校准因子。
在其中一个实施例中，校准网络包括矢量网络分析仪、对称双端口近场探头、非对称元件、以及校准件，矢量网络分析仪包括第一接口、第二接口、第三接口以及第四接口；校准件的两侧分别与矢量网络分析仪的第一接口、第四接口连接；对称双端口近场探头的一侧与矢量网络分析仪的第二接口连接，对称双端口近场探头的另一侧与非对称元件连接；非对称元件的一侧与矢量网络分析仪的第三接口连接，非对称元件的另一侧与对称双端口近场探头连接；对称双端口近场探头位于在校准件的预设轨道上。
上述双端口近场探头非对称补偿装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图12所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、通信接口、显示屏和输入装置。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的通信接口用于与外部的终端进行有线或无线方式的通信，无线方式可通过WIFI、移动蜂窝网络、NFC（近场通信）或其他技术实现。该计算机程序被处理器执行时以实现一种双端口近场探头非对称补偿方法。该计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
本领域技术人员可以理解，图12中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中，还提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现上述各方法实施例中的步骤。
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述各方法实施例中的步骤。
在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述各方法实施例中的步骤。
需要说明的是，本申请所涉及的用户信息（包括但不限于用户设备信息、用户个人信息等）和数据（包括但不限于用于分析的数据、存储的数据、展示的数据等），均为经用户授权或者经过各方充分授权的信息和数据。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器（Read-OnlyMemory，ROM）、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器（ReRAM）、磁变存储器（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）、铁电存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）、相变存储器（Phase Change Memory，PCM）、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）或动态随机存取存储器（Dynamic RandomAccessMemory，DRAM）等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种双端口近场探头非对称补偿方法，其特征在于，所述方法包括：
获取第一散射参数，所述第一散射参数由对称双端口网络采集得到，所述对称双端口网络包括对称双端口近场探头与矢量网络分析仪，所述对称双端口近场探头包括第二端口和第五虚拟端口，所述矢量网络分析仪包括第一接口、第二接口、第三接口以及第四接口，所述第二端口与所述矢量网络分析仪的第二接口连接；
获取第二散射参数，所述第二散射参数由非对称双端口网络采集得到，所述非对称双端口网络包括非对称元件与矢量网络分析仪，所述非对称元件的输出端口为第三端口，所述第三端口与所述矢量网络分析仪的第三接口连接，所述非对称元件的输入端口与所述对称双端口近场探头的第五虚拟端口连接；
获取磁场环境下校准网络的整体响应，所述校准网络基于所述对称双端口近场探头以及所述非对称元件建立，其中，所述校准网络包括矢量网络分析仪、对称双端口近场探头、非对称元件、以及校准件，所述校准件的两侧分别与所述矢量网络分析仪的第一接口、第四接口连接，所述对称双端口近场探头的第二端口与所述矢量网络分析仪的第二接口连接，所述对称双端口近场探头的第五虚拟端口与所述非对称元件连接；所述非对称元件的第三端口与所述矢量网络分析仪的第三接口连接；
根据所述对称双端口近场探头的散射参数、所述非对称元件的散射参数、以及所述磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子；
根据所述校准因子对对称双端口近场探头进行补偿。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述对称双端口近场探头的散射参数、所述非对称元件的散射参数、以及所述磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子包括：
根据所述对称双端口近场探头的散射参数、所述非对称元件的散射参数、以及所述磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，获得所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的响应；
基于所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的响应，确定校准因子。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述对称双端口近场探头的散射参数、所述非对称元件的散射参数、以及所述磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，获得所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的响应包括：
基于所述校准网络的第一传输链路，构建第一传输方程；
基于所述校准网络的第二传输链路，构建第二传输方程，其中，所述第一传输链路与所述第二传输链路为所述对称双端口近场探头在两个相反方向的传输链路；
根据所述对称双端口近场探头的散射参数、所述非对称元件的散射参数、所述第一传输方程、以及所述第二传输方程，确定所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的响应。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述对称双端口近场探头的散射参数、所述非对称元件的散射参数、所述第一传输方程、以及所述第二传输方程，确定所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的响应包括：
将所述第一传输方程与所述第二传输方程进行变换，得到所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的第一响应表达式以及所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的第二响应表达式；
根据所述磁场环境下校准网络的整体响应、对称双端口近场探头的散射参数、所述非对称元件的散射参数、预设特征参数以及所述第一响应表达式进行计算，得到所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的第一响应；
从所述磁场环境下校准网络的整体响应中提取第二传输链路的整体响应，根据所述第二传输链路的整体响应、所述非对称元件的散射参数、预设特征参数以及所述第二响应表达式进行计算，得到所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的第二响应。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的响应，确定校准因子包括：
基于所述磁场环境下所述对称双端口近场探头的响应以及预设电压表达式，确定校准网络的输出电压；
获取磁场信号，基于所述磁场信号以及所述输出电压，得到校准因子。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述基于所述磁场信号以及所述输出电压，得到校准因子包括：
将所述磁场信号的对数乘以预设乘数，得到磁场乘积；
将所述输出电压除以输入信号，得到信号除数，并确定所述信号除数的绝对值；
计算所述磁场乘积与所述信号除数的绝对值之差，得到校准因子。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对称双端口近场探头位于在所述校准件的预设轨道上。
8.一种双端口近场探头非对称补偿装置，其特征在于，所述装置包括：
第一获取模块，用于获取第一散射参数，所述第一散射参数由对称双端口网络采集得到，所述对称双端口网络包括对称双端口近场探头与矢量网络分析仪，所述对称双端口近场探头包括第二端口和第五虚拟端口，所述矢量网络分析仪包括第一接口、第二接口、第三接口以及第四接口，所述第二端口与所述矢量网络分析仪的第二接口连接；
第二获取模块，用于获取第二散射参数，所述第二散射参数由非对称双端口网络采集得到，所述非对称双端口网络包括非对称元件与矢量网络分析仪，所述非对称元件的输出端口为第三端口，所述第三端口与所述矢量网络分析仪的第三接口连接，所述第三端口通过所述非对称元件的输入端口与所述对称双端口近场探头的第五虚拟端口连接；
响应获取模块，用于获取磁场环境下校准网络的整体响应，所述校准网络基于所述对称双端口近场探头以及所述非对称元件建立，其中，所述校准网络包括矢量网络分析仪、对称双端口近场探头、非对称元件、以及校准件，所述校准件的两侧分别与所述矢量网络分析仪的第一接口、第四接口连接，所述对称双端口近场探头的第二端口与所述矢量网络分析仪的第二接口连接，所述对称双端口近场探头的第五虚拟端口与所述非对称元件连接；所述非对称元件的第三端口与所述矢量网络分析仪的第三接口连接；
计算模块，用于根据所述对称双端口近场探头的散射参数、所述非对称元件的散射参数、以及所述磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子；
补偿模块，用于根据所述校准因子对对称双端口近场探头进行补偿。
9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至7中任一项所述的方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述的方法的步骤。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5172597A (en) * | 1990-11-14 | 1992-12-22 | General Electric Company | Method and application for measuring sound power emitted by a source in a background of ambient noise |
| US5442296A (en) * | 1992-12-12 | 1995-08-15 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Method for calibrating a network analyzer |
| GB0107397D0 (en) * | 2000-03-23 | 2001-05-16 | Lexmark Int Inc | Calibration rod and testing apparatus for magnetic rolls |
| US9000776B1 (en) * | 2010-12-09 | 2015-04-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Structure characteristic impedance estimator using current probe |
| CN106100760A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-11-09 | 深圳市新益技术有限公司 | 一种用于mimo测试系统的探头校准方案 |
| CN107533122A (zh) * | 2015-04-08 | 2018-01-02 | 深谷波股份公司 | 用于微波分析或测量仪器的校准装置和方法 |
| CN113900058A (zh) * | 2021-09-14 | 2022-01-07 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 近场探头的校准方法、装置、系统、设备及存储介质 |
| CN115113124A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-09-27 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 复合探头校准方法、装置、计算机设备和存储介质 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007147511A2 (de) * | 2006-06-21 | 2007-12-27 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Verfahren und vorrichtung zur kalibrierung eines netzwerkanalysators für messungen an differentiellen anschlüssen |
-
2023
- 2023-06-05 CN CN202310652188.7A patent/CN116381467B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5172597A (en) * | 1990-11-14 | 1992-12-22 | General Electric Company | Method and application for measuring sound power emitted by a source in a background of ambient noise |
| US5442296A (en) * | 1992-12-12 | 1995-08-15 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Method for calibrating a network analyzer |
| GB0107397D0 (en) * | 2000-03-23 | 2001-05-16 | Lexmark Int Inc | Calibration rod and testing apparatus for magnetic rolls |
| US9000776B1 (en) * | 2010-12-09 | 2015-04-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Structure characteristic impedance estimator using current probe |
| CN107533122A (zh) * | 2015-04-08 | 2018-01-02 | 深谷波股份公司 | 用于微波分析或测量仪器的校准装置和方法 |
| CN106100760A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-11-09 | 深圳市新益技术有限公司 | 一种用于mimo测试系统的探头校准方案 |
| CN113900058A (zh) * | 2021-09-14 | 2022-01-07 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 近场探头的校准方法、装置、系统、设备及存储介质 |
| CN115113124A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-09-27 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 复合探头校准方法、装置、计算机设备和存储介质 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 应用于近场测量的超宽带有源磁场探头设计;陈志坚 等;华南理工大学学报（自然科学版）;第49卷(第6期);第131-139页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116381467A (zh) | 2023-07-04 |
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