CN116364512A - 用于处理基板的装置 - Google Patents

用于处理基板的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN116364512A
CN116364512A CN202211583420.8A CN202211583420A CN116364512A CN 116364512 A CN116364512 A CN 116364512A CN 202211583420 A CN202211583420 A CN 202211583420A CN 116364512 A CN116364512 A CN 116364512A
Authority
CN
China
Prior art keywords
waveguide
support plate
microwave
plate
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211583420.8A
Other languages
English (en)
Inventor
崔伦硕
丁宣旭
朴钟源
李昈骏
朴珉相
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University
Original Assignee
Semes Co Ltd
University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd, University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN116364512A publication Critical patent/CN116364512A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32201—Generating means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32229—Waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32238—Windows
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32311—Circuits specially adapted for controlling the microwave discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/327—Arrangements for generating the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明的示例性实施方案提供一种用于处理基板的装置。用于处理基板的装置包括：在其中具有处理空间的工艺腔室、用于在处理空间中支承基板的支承单元、用于向处理空间供应处理气体的气体供应单元、以及用于将微波施用到处理气体以产生等离子体的微波施用单元；其中，微波施用单元可以包括：用于施用第一微波的第一电源；具有形成在其上表面上的凹槽的支承板，并且该支承板在支承单元上方与工艺腔室结合以限定处理空间；插入到凹槽中以将第一微波辐射到处理空间的第一传输板；以及设置为与第一传输板的上部重叠并且联接到第一电源的第一波导，其中，可以设置多个凹槽，并且当从顶部观察时，多个凹槽可以在支承板的边缘区域中沿周向方向形成。

Description

用于处理基板的装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月28日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2021-0190313的韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利的全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明涉及一种用于处理基板的装置，更具体地涉及一种用于等离子处理基板的处理基板的装置。
背景技术
等离子体是指由离子、基团和电子构成的离子化气体状态。该等离子体由非常高的温度、强电场、或RF(radio frequency，射频)电磁场产生。在半导体设备制造工艺中，使用等离子体执行各种工艺。
图1是示意性地示出了用于使用微波处理基板的一般基板处理装置的图。参考图1，基板W支承在工艺腔室1000的处理空间1001中，并且使用微波激发供应到处理空间1001中的处理气体以产生等离子体，从而处理基板W。具有狭槽1102的天线板1100设置在基板W的上区域中。在天线板1100的上方设置有介电板1200，并且在天线板1100的下方设置有传输板1300。当将微波施用到天线板1100时，微波沿着天线板1100的径向方向传输，然后通过狭槽1102和传输板1300传输到处理空间1001。
当使用具有图1所示的结构的基板处理装置时，设置在处理空间1001上方的部件的结构复杂性随之增加。在处理空间1001的上区域存在许多空间限制。另外，天线板1100具有较薄的厚度、以向传输板1300平稳地传输微波。传输到天线板1100的微波在穿过狭槽1102的情况下产生电流。由于产生电流，天线板1100被加热，从而造成上结构的热变形。当进一步安装冷却结构以抑制热量产生时，上空间的结构复杂性增加。当不抑制热量产生时，设置有较薄厚度的天线板1100可能变形，使得微波不能平稳地传输到处理空间1001。此外，传输板1300与天线板1100一体地形成、以联接到工艺腔室1000的一个侧壁。当传输板1300由于从天线板1100传输的热量而变形时，维护成本增加。另外，为了更换一体形成的透射板1300，由于基板处理装置的天线板1100、介电板1200和传输板1300都需要拆卸，所以更换不容易，并且维护所需的时间增加。
另外，当微波通过天线板1100传输到处理空间1001时，存在微波仅集中在处理空间1001的中心区域中的问题。因此，与处理空间1001的中心区域相比，处理空间的边缘区域中的微波密度相对较弱。由于这个原因，执行基板的边缘区域上的等离子体处理是不容易的。另外，由于天线板1100、介电板1200和传输板1300的结构，不能从处理空间1001的上部供应处理气体。因此，处理气体不能被平稳地供应到处理空间1001中，从而损害了在处理空间1001中形成的等离子体的均匀性。
发明内容
本发明致力于提供一种用于处理基板的装置，该装置能够在待处理基板的处理空间中均匀地形成等离子体。
本发明还致力于提供一种用于处理基板的装置，该装置能够使基板处理装置的结构复杂性最小化。
本发明还致力于提供一种用于处理基板的装置，该装置能够使由于在传输微波的工艺中产生的热量而导致的构件变形最小化。
本发明还致力于提供一种用于处理基板的装置，该装置能够有效地更换传输板。
本发明所要解决的问题不限于上述问题，并且本领域技术人员将从本说明书和附图清楚地理解未提及的问题。
本发明的示例性实施方案提供了一种用于处理基板的装置。用于处理基板的装置包括：工艺腔室，该工艺腔室在其中具有处理空间；支承单元，该支承单元用于在处理空间中支承基板；气体供应单元，该气体供应单元用于向处理空间供应处理气体；以及微波施用单元，该微波施用单元用于将微波施用到处理气体以产生等离子体，其中，微波施用单元可以包括：第一电源，该第一电源用于施用第一微波；支承板，该支承板具有形成在其上表面上的凹槽，并且该支承板在支承单元上方与工艺腔室结合以限定处理空间；第一传输板，该第一传输板插入到凹槽中、以将第一微波辐射到处理空间；以及第一波导，该第一波导设置为与第一传输板的上部重叠并且联接到第一电源，其中，可以设置有多个凹槽，并且当从顶部观察时，多个凹槽可以沿周向方向形成在支承板的边缘区域中。
在示例性实施方案中，可以设置多个第一传输板，并且当从顶部观察时，多个第一传输板可以彼此结合以具有环形形状。
在示例性实施方案中，当从顶部观察时，第一波导可以形成为环形形状。
在示例性实施方案中，在第一波导的下表面上可以形成有多个第一狭槽，并且该多个第一狭槽可以沿第一波导的周向方向彼此间隔开。
在示例性实施方案中，当从前部截面观察第一波导时，多个第一狭槽可以设置成多排。
在示例性实施方案中，多个第一狭槽可以设置成打开和关闭。
在示例性实施方案中，在支承板的上表面上还可以形成有中心凹槽，该中心槽形成在包括支承板的中心的区域中，并且微波施用单元还可以包括：第二电源，该第二电源用于施用第二微波；第二传输板，该第二传输板插入到中心凹槽中、以将第二微波辐射到处理空间；以及第二波导，该第二波导设置在第二传输板的上方并且联接到第二电源，其中在第二波导的下表面上形成有至少一个或多个第二狭槽。
在示例性实施方案中，凹槽可以包括：第一凹槽，该第一凹槽形成在支承板的边缘区域的周向方向的部分中；以及第二凹槽，该第二凹槽形成在支承板的边缘区域的周向方向的其他部分中；其中，第一凹槽和第二凹槽彼此结合以形成环形形状。
在示例性实施方案中，第一传输板可以被插入到第一凹槽，并且微波施用单元可以包括：第三电源，该第三电源用于施用第三微波；第三传输板，该第三传输板插入到第二凹槽中以将第三微波辐射到处理空间；以及第三波导，该第三波导设置在第三传输板的上方并且联接到第三电源，其中，在第三波导的下表面上可以形成有多个第三狭槽，并且该多个第三狭槽可以沿第三波导的周向方向彼此间隔开。
在示例性实施方案中，基板处理装置还可以包括气体供应单元，该气体供应单元用于向处理空间供应处理气体；其中，在支承板中可以形成有气体通道，该处理气体流动通过该气体通道。
在示例性实施方案中，支承板可以是接地的。
在示例性实施方案中，可以将高频功率施用到支承板。
本发明的另一示例性实施方案提供了一种用于处理基板的装置。用于处理基板的装置包括：腔室，该腔室具有限定在其中的处理空间；支承单元，该支承单元用于在处理空间中支承基板；以及微波施用单元，该微波施用单元用于将微波施用到向处理空间供应的处理气体、以产生等离子体，其中，微波施用单元可以包括：第一电源，该第一电源用于施用第一微波；支承板，该支承板具有形成在其上表面上的凹槽，并且该支承板在支承单元上方与腔室结合以限定处理空间；第一传输板，该第一传输板插入到凹槽中以将第一微波辐射到处理空间；以及第一波导，该第一波导设置为在第一传输板的上方与第一传输板重叠并且联接到第一电源，其中，当从顶部观察时，第一波导可以设置为环形形状。
在示例性实施方案中，在第一波导的下表面上可以形成有多个第一狭槽，并且该多个第一狭槽可以沿第一波导的周向方向彼此间隔开。
在示例性实施方案中，多个第一狭槽可以设置成多个环形形状。
在示例性实施方案中，可以设置多个凹槽，并且当从顶部观察时，多个凹槽可以沿周向方向形成在支承板的边缘区域中，其中可以设置有多个第一传输板，并且当从顶部观察时，多个第一传输板彼此结合以具有环形形状。
在示例性实施方案中，在支承板的上表面上还可以形成有中心凹槽，该中心槽形成在包括支承板的中心的区域中，微波施用单元还可以包括：第二电源，该第二电源用于施用第二微波；第二传输板，该第二传输板插入到中心凹槽中以将第二微波辐射到处理空间；以及第二波导，该第二波导设置在第二传输板的上方并且联接到第二电源，其中在第二波导的下表面上形成有至少一个或多个第二狭槽。
在示例性实施方案中，凹槽可以包括：第一凹槽，该第一凹槽形成在支承板的边缘区域的周向方向的部分中，并且该第一凹槽插入有第一传输板；以及第二凹槽，该第二凹槽形成在支承板的边缘区域的周向方向的其他部分中；其中，第一凹槽和第二凹槽可以彼此结合以形成环形形状；并且微波施用单元可以包括：第三电源，该第三电源用于施用第三微波；第三传输板，该第三传输板插入到第二凹槽中以将第三微波辐射到处理空间；以及第三波导，该第三波导设置在第三传输板的上方并且联接到第三电源，其中，在第三波导的下表面上可以形成有多个第三狭槽，并且该多个第三狭槽可以沿第三波导的周向方向彼此间隔开。
本发明的又一示例性实施方案提供了一种用于处理基板的装置。该基板处理装置包括：工艺腔室，该工艺腔室具有形成在其中的处理空间；支承单元，该支承单元用于在处理空间中支承基板；气体供应单元，该气体供应单元用于向处理空间供应处理气体；第一电源，该第一电源用于施用第一微波；第二电源，该第二电源用于施用第二微波；支承板，该支承板在支承单元的上方与工艺腔室结合以限定处理空间；第一传输板，该第一传输板设置在支承板的上方以将第一微波辐射到处理空间；以及第二传输板，该第二传输板设置在支承板的上方以将第二微波辐射到所述处理空间；第一波导，该第一波导联接到第一电源并设置在第一传输板的上表面上，并且该第一波导具有形成在其下表面上的多个第一狭槽；以及第二波导，该第二波导联接到第二电源并设置在第二传输板的上表面上，并且第二波导具有形成在其下表面上的至少一个或多个第二狭槽；其中，支承板的上表面可以具有：中心凹槽，该中心凹槽形成在包括支承板的中心的区域中；以及凹槽，该凹槽形成在面向支承板的边缘的区域中，该凹槽围绕中心凹槽，其中第一传输板可以被插入到凹槽中，并且第二传输板可以被插入到中心凹槽中。
在示例性实施方案中，可以设置有多个凹槽，并且当从顶部观察时，多个凹槽可以沿支承板的周向方向形成，其中可以设置有多个第一传输板，且当从顶部观察时，多个第一传输板彼此结合以具有环形形状，并且当从顶部观察时，第一波导可以形成为环形形状。
根据本发明的示例性实施方案，能够在待处理基板的处理空间中均匀地形成等离子体。
进一步地，根据本发明的示例性实施方案，能够使基板处理装置的结构复杂性最小化。
此外，根据本发明的示例性实施方案，可以使由于在传输微波的工艺中产生的热量而导致的构件变形最小化。
根据本发明的示例性实施方式，能够有效地更换传输板。
本发明的效果不限于上述效果，并且本领域技术人员将从本说明书和附图中清楚地理解未提及的效果。
附图说明
图1为示意性地示出了一般基板处理装置的视图。
图2为示意性示出了根据本发明的示例性实施方案的基板处理装置的图。
图3为根据图2的示例性实施方案的微波施用单元的分解立体图。
图4为示意性地示出了从顶部观察时图2的支承板和第一波导的图。
图5A和图5B为示意性地示出微波在图2中的第一传输板和第一波导中流动的状态的图。
图6和图7为示意性地示出从顶部观察时根据图2的另一示例性实施方案的第一波导的图。
图8为示意性示出了根据本发明的另一示例性实施方案的基板处理装置的图
图9为示意性地示出根据图8的示例性实施方案的支承板、第一波导、第二波导和第三波导的立体图。
图10为示意性地示出了从顶部观察时图9的支承板、第一波导、第二波导和第三波导的图。
图11为示意性地示出根据图8的另一示例性实施方案的支承板、第一波导、第二波导的图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更加详细地描述本发明的示例性实施方案。可以以各种形式修改本发明的示例性实施方案，并且不应将本发明的范围解释为限于下述的示例性实施方案。提供示例性实施方案以向本领域的技术人员更加完整描述本发明。因此，附图中的组件的形状等被夸大以强调更清楚的描述。
诸如第一和第二等术语用于描述各种组成元件，但是这些构成元件并不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与其他组件区别开。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一构成元件可以命名为第二构成元件，并且相似地，第二构成元件可以命名为第一构成元件。
在下文中，将参照附图2至图11更加详细地描述本发明的示例性实施方案。
图2为示意性示出了根据本发明的示例性实施方案的基板处理装置的图。参考图2，基板处理装置10处理基板W。基板处理装置10可以施用等离子体处理基板W。例如，基板处理装置10可以执行用于使用等离子体除去基板W上的薄膜的蚀刻工艺、用于除去光刻胶膜的灰化工艺、在基板W上形成薄膜的沉积工艺、或者干式清洁工艺。
任选地，基板处理装置10可以使用氢等离子体在基板W上执行退火工艺。然而，本公开不限于此，并且通过基板处理装置10执行的等离子体处理工艺可以各种修改为已知的等离子体处理工艺。可以将在其上已经部分执行了处理工艺的基板W作为载入到基板处理装置10中的基板W进行载入。例如，载入基板处理装置10中的基板W可以是在其上执行蚀刻工艺、光刻工艺等的基板W。
基板处理装置10可以包括工艺腔室100、支承单元200、微波施用单元300、以及气体供应单元400。
工艺腔室100可以包括本体110和盖120。本体110具有敞开的上表面并且可以具有内部空间。例如，本体110可以具有内部空间并且具有带敞开的上表面的柱形形状。盖120可以设置在本体110的上端。盖120可以密封本体110的敞开的上表面。例如，盖120可以设置为具有敞开的下表面的柱形形状。可以通过将本体110和盖120彼此结合来限定工艺腔室100。盖120可以设置有下端的阶梯状内侧，使得上空间具有比下空间更大的半径。支承板310(下面将进行描述)的外端可以设置在盖120的下端内侧的阶梯状部分处。
工艺腔室100具有在其中的处理空间101。将处理空间101设置为通过下面将进行描述的本体110、盖120和支承板310彼此结合而形成的空间。处理空间101提供在其中处理基板W的空间。
然而，与上述实施例不同，根据本发明的示例性实施方案，盖120可以不设置在工艺腔室100中。例如，本体110和支承板310可以彼此结合以提供处理空间101。本体110可以具有敞开的上表面，支承板310可以密封本体110的敞开的上表面。支承板310的外端可以联接到本体110的外上端以限定处理空间101。
在工艺腔室100的侧壁中形成开口(未示出)，通过该开口将基板W从处理空间101中载出或者将基板W载入处理空间101中。开口(未示出)可以选择性地由门(未示出)遮蔽。例如，可以在本体110的一侧壁处形成开口(未示出)。可以对工艺腔室100的内壁进行涂覆。例如，工艺腔室100的内壁可以用包括石英的材料进行涂覆。
排放孔130形成在工艺腔室100的底表面上。例如，排放孔130可以形成在本体110的底表面中。排放孔130可以与排放管线140连接。排放管线140排出在处理空间101中流动的颗粒、工艺副产物等。排放管线140的一端连接到排放孔130，并且排放管线140的另一端连接到提供负压的减压单元(未示出)。减压单元(未示出)可以是泵。然而，本发明不限于此，减压单元(未示出)可以设置为作为用于提供负压的已知装置而进行各种修改。
支承单元200可以定位在处理空间101中。支承单元200可以在处理空间101中支承基板W。根据示例性实施方案，支承单元200可以是能够使用静电力夹持基板W的ESC(electrostatic chuck，静电卡盘)。任选地，支承单元200可以通过机械夹持来物理地支承基板W。任选地，支承单元200不提供用于固定基板W的装置，并且基板W可以设置在支承单元200上。
支承单元200可以包括本体210和加热器220。本体210支承基板W。本体210的上表面可以设置为用于支承基板W的支承表面。基板W安置在本体210的上表面上。本体210可以设置有介电物质。本体210可以设置为具有基本上盘形的介电板。根据示例性实施方案，本体210的上表面的直径可以设置为相对大于基板W的直径。
加热器220加热基板W。加热器220可以加热支承在本体210的上表面上的基板W。加热器220可以通过增加本体210的温度来加热基板W。例如，加热器220可以设置为通过抵抗施用的电流而产生热量的加热元件。加热器230可以是诸如钨的加热元件。然而，加热器230的类型不限于此，并且可以设置为对已知的加热元件进行各种修改。
产生的热量可以通过本体210传输到基板W。基板W可以通过加热器220中产生的热量来维持在工艺所需的预定温度。另外，加热器220可以增加本体210的温度，从而防止从基板W分离的杂质(例如，氧化膜)在处理基板W的情况下、重新粘附到基板W。
尽管未示出，但是根据示例性实施方案，多个加热器220可以设置为螺旋线圈。这些加热器220可以分别设置在本体210的不同区域中。例如，可以分别设置用于加热本体210的中心区域的加热器220和用于加热本体210的边缘区域的加热器220，并且这些加热器220可以彼此独立地调节产热度(degree of heat generation)。
图3为根据图2的示例性实施方案的微波施用单元的分解立体图。图4为示意性地示出了从顶部观察时图2的支承板和第一波导的图。在下文中，将参照图2至图4更加详细地描述根据本发明的示例性实施方案的微波施用单元。
微波施用单元300在处理空间101中产生等离子体。微波施用单元300可以将微波施用到向处理空间101供应的处理气体、以激发处理空间101中的处理气体。微波施用单元300可以包括支承板310、第一传输板330、第一波导340、第一电源350和第一匹配网络360。
支承板310设置在支承单元200的上方。支承板310可以与本体110和盖120结合以限定处理空间101。支承板310用作处理空间101的上壁。支承板310可以设置成盘状。例如，支承板310可以以具有基本上厚度的盘状设置。支承板310的外部下端可以设置在盖120的阶梯状空间中。支承板310的下表面可以设置为平坦的。然而，本发明不限于此，并且支承板310的下表面的边缘区域可以形成为向下突出。
凹槽H形成在支承板310中。凹槽H可以在距支承板310的上表面预定距离处形成为凹入。当从顶部观察时，凹槽H可以形成在支承板310的边缘区域中。可以形成多个凹槽H。多个凹槽H可形成在支承板310的边缘区域中、以沿支承板310的周向方向彼此隔开。凹槽H的高度可以与第一传输板330(下面将进行描述)的高度相对应。另外，凹槽H的宽度可以与第一传输板330的宽度相对应。例如，当从顶部观察时，凹槽H和第一传输板330可以具有彼此一致的形状。因此，第一传输板330可以插入到在支承板310中形成的多个凹槽H中。
支承板310可以设置有含金属的材料。支承板310可以是接地的。任选地，尽管未示出，但是可以将高频功率施用到支承板310。与在支承板310中形成的凹槽H的下部相对应的支承板310的区域320可以不设置有金属材料。例如，与支承板310的凹槽H的下部相对应的区域320可以设置有能够传输微波的材料(例如，石英)。
气体通道312形成在支承板310中。气体通道312可以设置为从支承板310的上端穿透到下端的凹槽。气体通道312可以与气体管线440(下面将进行描述)连通。从气体供应单元400(下面将进行描述)供应的处理气体依次穿过气体管线440和气体通道312而被供应到处理空间101。
可以设置有多个气体通道312。多个气体通道312可以形成在包括支承板310的中心和支承板310的边缘区域的区域中。多个气体通道312可以形成为沿支承板310的周向方向彼此间隔开。多个气体通道312形成在当从顶部观察时不与第一波导330(下面将进行描述)重叠的位置处。
第一传输板330将从第一波导340(下面将进行描述)接收的第一微波传输到处理空间101。当从顶部观察时，第一传输板330可以设置在与支承板310的边缘区域相对应的位置处。第一传输板330被插入到凹槽H中。当从顶部观察时，第一传输板330可以具有与凹槽H相对应的形状。另外，第一传输板330具有的高度可以与凹槽H的高度相对应。可以设置有多个第一传输板330。例如，第一传输板330可以设置为与在支承板310中形成的多个凹槽H相对应的数量。多个第一传输板330可以分别被插入到多个凹槽H中。当从顶部观察时，多个第一传输板330可以彼此结合以具有环形形状。
第一传输板330设置有可以传输微波的材料。第一传输板330设置有将微波辐射到处理空间101的材料。例如，第一传输板330可以设置有包括石英的材料。任选地，第一传输板330可以设置有介电材料，该介电材料诸如为氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、蓝宝石或氮化硅(SiN)。
第一波导340设置在第一传输板330的上方。第一波导340定位为与第一传输板330接触。例如，第一波导340的下表面可以与第一传输板330的上表面进行表面接触。当从顶部观察时，第一波导340可以设置为与第一传输板330重叠。当从顶部观察时，第一波导340可以形成为环形形状。例如，当从顶部观察时，第一波导340可以具有带切割部分的环形形状。
第一波导340可以设置有金属材料。例如，第一波导340可以设置有包括铜或铝的材料。第一波导340的内表面设置为导体。例如，第一波导340的内表面可以设置有金或银。第一波导340可以设置为具有多边形截面的管状形状。第一波导340具有形成在其中的通道。从第一电源350(下面将进行描述)施用的第一微波可以通过第一波导340的内部通道传输到第一传输板330。
第一波导340可以具有第一部341、第二部342以及第三部343。第一部341、第二部342和第三部343可以一体地形成。第一部341可以设置成环形形状。第一部341可以具有相对于支承板310的中心的环形形状。当从顶部观察时，第一部341可以设置在面向支承板310的边缘区域的位置处。第一部341形成有切割部分。第一部341可以设置成间断的环形形状。
第一狭槽345形成在第一部341的底表面上。第一狭槽345可以设置为穿过第一部341的底表面的贯通狭槽。任选地，第一狭槽345可以填充有传输第一微波的材料。第一狭槽345的纵向方向可以形成在从第一部341的一个侧表面朝向面向一个侧表面的另一侧表面的方向上。
可以设置有多个第一狭槽345。多个第一狭槽345可以设置为沿第一部341的周向方向彼此间隔开。当从第一部341的正面截面观察时，多个第一狭槽345可以设置成多排。因此，多个第一狭槽345可以在第一部341中以多个环形形状布置。与附图所示不同，多个第一狭槽345也可以相对于支承板310的中心以不同角度布置。
第一狭槽345可以设置为打开和关闭。例如，构件(未示出)可以在第一狭槽345中滑动以打开和关闭第一狭槽345。可以分别打开和关闭多个第一狭槽345。因此，多个第一狭槽345分别被打开和关闭，从而控制用于处理空间101的每个区域的待传输微波的强度。
第二部342可以从第一部341延伸。例如，第二部342可以从第一部341的上表面向上延伸。第二部342可以在与在第一部341中形成的切割表面相邻的位置处联接到第一部341的上表面。
第三部343可以从第二部342延伸。例如，第三部343可以在水平方向上从第二部342的上表面延伸。第三部343可以联接到第一电源350(下面将进行描述)。
第一电源350产生第一微波。第一电源350可以连接至第一波导340。例如，由第一电源350产生的第一微波可以具有约2.3GHz至2.5GHz的频率。第一匹配网络360可以设置在第一电源350与第一波导340之间。第一匹配网络360可以将通过第一电源350传输的第一微波与预定频率进行匹配。
图5A和图5B为示意性地示出了微波在图2中的第一传输板和第一波导中流动的状态的图。参考图5A和图5B，可以将从第一电源350产生的第一微波传输到第一波导340。从第一电源350产生的第一微波可以通过第一匹配网络360、第一波导340的第三部343和第二部342传输到第一部341。传输到第一部341的第一微波可以沿形成为环形的第一部341传输到第一部341的切割部分。第一微波在第一部341的内部空间中传输，并通过穿过在第一部341的下表面上形成的第一狭槽345而传输到与第一狭槽345表面接触的第一传输板330。第一微波可以从第一传输板330辐射以被传输到处理空间101。
根据本发明的示例性实施方案，微波施用单元300可以设置为包括设置在处理空间101上方的支承板310、插入到在支承板310中形成的凹槽H中的第一传输板330、以及设置为与第一传输板330表面接触的第一波导340。因此，第一波导340直接将微波传输到第一传输板330，从而使其中设置有微波施用单元300的处理空间101的上区域的结构复杂性最小化。也就是说，由于根据本发明示例性实施方案的第一波导管340用作天线，因此不安装单独的天线构件，从而消除了结构复杂性。
另外，通过采用将从第一波导340接收第一微波的第一传输板330插入到在支承板310中形成的凹槽H中的结构，当第一传输板330由于热量产生等而变形时，可以容易地执行维护。另外，当从顶部观察时，第一传输板330和第一波导340设置在面向处理空间101的边缘区域的位置处，从而减轻微波集中在处理空间101的中心区域中的现象。因此，由于微波可以均匀地传输到处理空间101，所以等离子体可以均匀地形成在处理空间101中。
返回参考图2，气体供应单元400向处理空间101供应处理气体。气体供应单元400可以包括气体供应源420和气体管线440。气体供应源420可以储存和/或供应处理气体。处理气体可以包括氢气。气体管线440与气体供应源420和气体通道312连接。气体管线440的一端可以连接到气体供应源420，并且气体管线594的另一端可以与气体通道312连通。从气体供应源420供应的处理气体可以通过气体管线440和气体通道312而供应到处理空间101。例如，处理气体可以朝向由支承单元200支承的基板W的上部供应。
在上述实施例中，作为实施例，已经描述了气体管线440的另一端与在支承板310中形成的气体通道312连通。然而，本发明不限于此，气体管线440的另一端可以分支。气体管线440的分支的另一端可以分别联接到气体通道312和工艺腔室100的一个侧壁。联接至工艺腔室100的一个侧壁的、气体通道312的另一端可以从处理空间101的侧表面朝向处理空间101供应处理气体。气体通道312的另一端可以沿工艺腔室100的一个侧壁的周向方向联接至多个点。
根据上述本发明的示例性实施方案，处理气体可以沿在支承板310中形成的气体通道312朝向处理空间101的上部供应。因此，能够在处理空间101中有效地产生向基板W施用的等离子体，并且改善基板W的处理效率。
图6和图7为示意性地示出从顶部观察时根据图2的另一示例性实施方案的第一波导的示图。
除了额外描述的情况，根据下面将描述的示例性实施方案的第一波导以与参考图2至图4描述的第一波导的结构基本相似的结构提供。因此，将省略重复配置的描述。
参考图6，第一狭槽345形成在第一部341的底表面上。第一狭槽345可以设置为穿过第一部341的上表面和下表面的贯通狭槽。任选地，第一狭槽345可以填充有传输微波的材料。第一狭槽345的纵向方向可以形成在与从第一部341的一个侧表面、面向一个侧表面的另一个侧表面平行的方向上。可以设置多个第一狭槽345。多个第一狭槽345可以设置为沿第一部341的周向方向彼此间隔开。与附图所示不同，多个第一狭槽345可以相对于支承板310的中心以不同角度布置。
参考图7，在第一部341的底面上形成的第一狭槽345的纵向方向可以沿第一部341的周向方向形成。例如，第一狭槽345可以具有在与第一部341的一个侧表面平行的方向上的纵向方向。可以设置多个第一狭槽345。多个第一狭槽345可以设置为沿第一部341的周向方向彼此间隔开。当从第一部341的正面截面观察时，多个第一狭槽345可以设置成多排。因此，多个第一狭槽345可以在第一部341中以多个环形形状布置。与附图所示不同，多个第一狭槽345可以相对于支承板310的中心以不同角度布置。
图8为示意性示出了根据本发明的另一示例性实施方案的基板处理装置的图。图9为示意性地示出根据图8的示例性实施方案的支承板、第一波导、第二波导和第三波导的立体图。图10为示意性地示出了从顶部观察时图9的支承板、第一波导、第二波导和第三波导的图。在下文中，将参考附图8至图10更加详细地描述根据本发明的另一示例性实施方案的基板处理装置。
微波施用单元300包括支承板310、第一传输板330、第一波导340、第一电源350、第二传输板530、第二波导540、第二电源550、第三传输板630、第三波导640和第三电源650。
可以在支承板310中形成凹槽H和中心凹槽CH。凹槽H可以在距支承板310的上表面预定距离处形成为凹入。当从顶部观察时，凹槽H可以形成在支承板310的边缘区域中。可以形成多个凹槽H。多个凹槽H可以形成在支承板310的边缘区域中，以沿支承板310的周向方向彼此隔开。
凹槽H可以具有第一凹槽4120和第二凹槽4130。第一凹槽H1可以形成在支承板310的边缘区域的周向方向的部分中。例如，第一凹槽H1可以形成在穿过支承板310的中心的虚拟直线的一侧上。第一传输板330可以被插入到第一凹槽H1中。当从顶部观察时，第一凹槽H1可以具有与第一传输板330相对应的形状。另外，第一凹槽H1的高度可以与第一传输板330的高度相对应。
第二凹槽H2可以形成在支承板310的边缘区域的周向方向的其他部分中。例如，第二凹槽H2可以形成在穿过支承板310的中心的虚拟直线的另一侧上。当从顶部观察时，第一凹槽H1和第二凹槽H2可以形成在支承板310上彼此对称的区域中。第三传输板630(下面将进行描述)可以被插入到第二凹槽H2中。当从顶部观察时，第二凹槽H2可以具有与第三传输板630相对应的形状。另外，第二凹槽H2的高度可以与第三传输板630的高度相对应。第一凹槽H1和第二凹槽H2可以彼此结合以具有当从顶部观察时基本上环形形状。
中心凹槽CH可以形成在包括支承板310的中心的区域中。中心凹槽CH可以形成为与第一凹槽H1和第二凹槽H2间隔开。第二传输板530(下面将进行描述)可以被插入到中心凹槽CH中。当从顶部观察时，中心凹槽CH可以具有与第二传输板530相对应的形状。另外，中心凹槽CH的高度可以与第二传输板530的高度相对应。
与第一凹槽H1、第二凹槽H2和中心凹槽CH的下表面中的每一者相对应的支承板310的一个区域可以设置有能够传输微波的材料。例如，与支承板310的第一凹槽H1的下部、第二凹槽H2的下部和中心凹槽CH的下部相对应的区域320的每一者都可以设置有能够传输微波的材料(例如，石英)。
第一波导340可以具有第一部341、第二部342以及第三部343。第一部341、第二部342和第三部343可以一体地形成。
第一部341可以设置成基本上环形形状。第一部341可以设置成切环形状。第一部341可以以半圆形设置在相对于支承板310的中心、面向支承板310的边缘区域的位置处。例如，第一部341可以设置为围绕支承板310的上边缘区域的部分，在该部分上设置有插入到第一凹槽H1中的第一传输板330。第二部342从第一部341延伸，并且第三部343从第二部342延伸。由于第二部342和第三部343与参照图2至图4描述的第二部342和第三部343的描述基本相似，因此将省略对第二部和第三部的描述。
第二传输板530将从第二波导540(下面将进行描述)接收的第二微波传输到处理空间101。当从顶部观察时，第二传输板530可以设置在与包括支承板310的中心的区域相对应的位置处。例如，当从顶部观察时，第二传输板530可以设置在与由支承单元200支承的基板W的中心重叠的位置处。第二传输板530被插入到中心凹槽CH中。
第二传输板530设置有能够传输微波的材料。第二传输板530设置有将微波辐射到处理空间101的材料。例如，第二传输板530可以设置有包括石英的材料、以将微波辐射到处理空间101的中心区域。任选地，第二传输板530可以设置有介电材料，该介电材料诸如为氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、蓝宝石或氮化硅(SiN)。
第二波导540设置在第二传输板530的上方。第二波导540定位为与第二传输板530的上表面接触。例如，第二波导540的下表面可以与第二传输板530的上表面进行表面接触。当从顶部观察时，第二波导540可以设置为与第二传输板530重叠。当从顶部观察时，第二波导540可以与定位在支承单元200中的基板W的中心重叠。
第二波导540可以设置为与第一波导340和第三波导640(下面将进行描述)间隔开。气体管线440可以设置在第一波导340、第二波导540和第三波导640彼此间隔开的空间中。因此，气体通道312可以形成在支承板310的上表面上，该支承板的上表面面向第一波导340、第二波导540和第三波导640彼此隔开的位置。因此，当从顶部观察时，气体通道312可以形成在不与第一波导340、第二波导540和第三波导640重叠的位置处、以向处理空间101的上部供应处理气体。
第二狭槽545形成在第二波导540的下表面上。第二狭槽545可以穿过第二波导540的下表面。任选地，第二狭槽545可以填充有传输第二微波(下面将进行描述)的材料。可以设置至少一个或多个第二狭槽545。当从顶部观察时，第二狭槽545可以设置在与由支承单元200支承的基板W的中心重叠的位置处。根据示例性实施方案，第二狭槽545可以设置成与第一狭槽345相似地打开和关闭。
第二电源550产生第二微波。例如，由第二电源550产生的第二微波可以具有约0.8GHz至1.2GHz的频率。第二匹配网络560设置在第二波导540中。第二匹配网络560设置在第二电源550与第二波导540之间。第二匹配网络560可以将通过第二电源550传输的第二微波与预定频率进行匹配。
第三传输板630被插入到第二凹槽H2中。第三传输板630与第一传输板330的结构相似地设置。因此，将省略其详细描述以避免重复的内容。
第三波导640可以具有第一部641、第二部642以及第三部643。第一部641、第二部642和第三部643可以一体地形成。第一部641可以设置成基本上环形形状。第一部641可以设置成切环形状。第一部641可以以半圆形设置在相对于支承板310的中心、面向支承板310的边缘区域的位置处。例如，第一部641可以设置为围绕支承板310的上边缘区域的其他部分，在该其他部分上设置有被插入到第二凹槽H2中的第三传输板630。当从顶部观察时，第三波导640的第一部641和第一波导340的第一部341可以彼此组合以形成环形形状。第三波导640的第一部641的一端可以与第一波导340的第一部分341的一端间隔开预定距离以面向彼此。另外，第三波导640的第一部641的另一端可以与第一波导340的第一部341的另一端间隔开预定距离以面向彼此。
第三狭槽645形成在第一部641的底表面上。第三狭槽645可以设置为穿过第一部641的底表面的贯通狭槽。任选地，第三狭槽645可以填充有传输第三微波(下面将进行描述)的材料。第三狭槽645的纵向方向、布置和/或形状可以设置成与第一狭槽345的纵向方向、布置和/或形状基本相似。因此，将省略对第三狭槽645的纵向方向、布置和/或形状的描述，以避免对重复内容的描述。
第二部642可以从第一部641延伸。例如，第二部642可以从第一部641的上表面向上延伸。第二部642可以定位在穿过支承板310的中心的虚拟直线上。例如，第一波导340的第二部342可以定位成在虚拟直线上面向第三波导640的第二部642。
第三部643可以从第二部642延伸。例如，第三部643可以在竖直方向上从第二部642的上表面延伸。第三部643可以连接到第一电源650(下面将进行描述)。
第三电源650产生第三微波。第三电源650可以连接至第三波导640。例如，由第三电源650产生的第三微波可以具有约2.3GHz至2.5GHz的频率。第三匹配网络660设置在第三波导640中。第三匹配网络660设置在第三电源650与第三波导640之间。第三匹配网络660可以将通过第三电源650传输的第三微波与预定频率进行匹配。
从第一电源350产生的第一微波可以具有第一强度。从第二电源550产生的第二微波可以具有第二强度。另外，从第三电源650产生的第三微波可以具有第三强度。第一强度、第二强度和第三强度可以具有不同的大小。任选地，第一强度和第三强度可以具有彼此相对应的大小，并且第二强度可以具有比第一强度和第三强度更小的大小。
根据上述本发明的示例性实施方案，第一传输板330、第二传输板530和第三传输板630分别被插入到在支承板310的上边缘区域中形成的第一凹槽H1和第二凹槽H2、以及在包括支承板310的中心的区域中形成的中心凹槽CH中。另外，通过其传输第一微波的第一波导340设置在第一传输板330中，通过其传输第二微波的第二波导540设置在第二传输板530中，通过其传输第三微波的第三波导640设置在第三传输板630中。因此，从第一波导340、第二波导540和第三波导640中的每一者传输到处理空间101的微波的强度可以变化。微波的强度可以根据处理基板W的工艺而单独控制。因此，可以通过根据针对处理空间101的每一区域形成的等离子体的大小而控制具有不同大小的微波的供应来对处理空间101中的等离子体的均匀性进行补偿。
图11为示意性地示出根据图8的另一示例性实施方案的支承板、第一波导、第二波导的立体图。参考图11，微波施用单元300可以包括支承板310、第一传输板330、第一波导340、第一电源350、第二传输板530、第二波导540以及第二电源550。
凹槽H形成在支承板310中。凹槽H可以在距支承板310的上表面预定距离处形成为凹入。当从顶部观察时，凹槽H可以形成在支承板310的边缘区域中。可以形成多个凹槽H。多个凹槽H可以形成在支承板310的边缘区域中，以沿支承板310的周向方向彼此隔开。凹槽H的高度可以与第一传输板330(下面将进行描述)的高度相对应。另外，凹槽H的宽度可以与第一传输板330(下面将进行描述)的宽度相对应。例如，当从顶部观察时，凹槽H和第一传输板330可以具有彼此一致的形状。因此，第一传输板330可以被插入到在支承板310中形成的多个凹槽H中。
第一波导340设置在第一传输板330的上方。第一波导340定位为与第一传输板330接触。例如，第一波导340的下表面可以与第一传输板330的上表面进行表面接触。当从顶部观察时，第一波导340可以设置为与第一传输板330重叠。当从顶部观察时，第一波导340可以形成为环形形状。例如，当从顶部观察时，第一波导340可以具有带切割部分的环形形状。
第一电源350、第二传输板530、第二波导540和第二电源550设置为与参照图9和图10描述的第一电源350、第二传输板530、第二波导540和第二电源550基本相似，因此，将省略对它们的描述。
前述详细的描述说明了本发明。进一步地，以上内容展示并描述了本发明的示例性实施方案，并且本发明可以用于各种其他结合、修改和环境中。即，在本说明书中所公开的发明构思的范围、与本公开的发明构思等同的范围和/或本领域的技术或知识的范围内，可以对前述内容进行修改或修正。前述示例性实施方案描述了实施本发明的技术精神的最佳状态，并且本发明的具体应用领域和用途中所需的各种改变是可能的。因此，本发明的上述详细描述并不旨在将本发明限制于所公开的示例性实施方案。进一步地，所附权利要求也应被解释为包括其他示例性实施方案。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的基板处理装置，所述基板处理装置包括：
工艺腔室，所述工艺腔室在其中具有处理空间；
支承单元，所述支承单元配置为在所述处理空间中支承所述基板；
气体供应单元，所述气体供应单元配置为向所述处理空间供应处理气体；以及
微波施用单元，所述微波施用单元配置为将微波施用到所述处理气体以产生等离子体，
其中，所述微波施用单元包括：
第一电源，所述第一电源配置为施用第一微波；
支承板，所述支承板具有形成在其上表面上的凹槽，并且所述支承板在所述支承单元的上方与所述工艺腔室结合以限定所述处理空间；
第一传输板，所述第一传输板插入到所述凹槽中、以将所述第一微波辐射到所述处理空间；以及
第一波导，所述第一波导设置为与所述第一传输板的上部重叠并且联接至所述第一电源，
其中，设置有多个凹槽，并且
当从顶部观察时，所述多个凹槽沿周向方向形成在所述支承板的边缘区域中。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
设置有多个第一传输板，并且
当从顶部观察时，所述多个第一传输板彼此结合以具有环形形状。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
当从顶部观察时，所述第一波导形成为环形形状。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
在所述第一波导的下表面上形成有多个第一狭槽，
所述多个第一狭槽沿所述第一波导的周向方向彼此间隔开。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
当从前部截面观察所述第一波导时，所述多个第一狭槽设置成多排。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
所述多个第一狭槽设置成打开和关闭。
7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
在所述支承板的所述上表面上还形成有中心凹槽，所述中心凹槽形成在包括所述支承板的中心的区域中，
其中，所述微波施用单元还包括：
第二电源，所述第二电源配置为施用第二微波；
第二传输板，所述第二传输板插入到所述中心凹槽中、以将所述第二微波辐射到所述处理空间；以及
第二波导，所述第二波导设置在所述第二传输板的上方并且联接到所述第二电源，
其中，在所述第二波导的下表面上形成有至少一个或多个第二狭槽。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，
所述凹槽包括：
第一凹槽，所述第一凹槽形成在所述支承板的所述边缘区域的周向方向的部分中；以及
第二凹槽，所述第二凹槽形成在所述支承板的所述边缘区域的周向方向的其他部分中；
其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽彼此结合以形成环形形状。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，
所述第一传输板被插入到所述第一凹槽中，
其中，所述微波施用单元还包括：
第三电源，所述第三电源配置为施用第三微波；
第三传输板，所述第三传输板插入到所述第二凹槽中、以将所述第三微波辐射到所述处理空间；以及
第三波导，所述第三波导设置在所述第三传输板的上方并且联接到所述第三电源，
其中，在所述第三波导的下表面上形成有多个第三狭槽，并且
所述多个第三狭槽沿所述第三波导的周向方向彼此间隔开。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括：
气体供应单元，所述气体供应单元配置为向所述处理空间供应所述处理气体；
其中，在所述支承板中形成有气体通道，所述处理气体流动通过所述气体通道。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中
所述支承板是接地的。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
将高频功率施用到所述支承板。
13.一种用于处理基板的基板处理装置，所述基板处理装置包括：
腔室，所述腔室具有限定在其中的处理空间；
支承单元，所述支承单元配置为在所述处理空间中支承所述基板；以及
微波施用单元，所述微波施用单元配置为将微波施用到向所述处理空间供应的所述处理气体、以产生等离子体，
其中，所述微波施用单元包括：
第一电源，所述第一电源配置为施用第一微波；
支承板，所述支承板具有形成在其上表面上的凹槽，并且所述支承板在所述支承单元的上方与所述腔室结合、以限定所述处理空间；
第一传输板，所述第一传输板插入到所述凹槽中以将所述第一微波辐射到所述处理空间；以及
第一波导，所述第一波导设置为在所述第一传输板的上方与所述第一传输板重叠并且联接到所述第一电源，
其中，当从顶部观察时，所述第一波导设置为环形形状。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，
在所述第一波导的下表面上形成有多个第一狭槽，
所述多个第一狭槽沿所述第一波导的周向方向彼此间隔开。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，
所述多个第一狭槽设置成多个环形形状。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，
设置有多个凹槽，并且
当从顶部观察时，所述多个凹槽沿周向方向形成在所述支承板的边缘区域中，
其中，设置有多个第一传输板，并且
当从顶部观察时，所述多个第一传输板彼此结合以具有环形形状。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其中，
在所述支承板的所述上表面上还形成有中心凹槽，所述中心凹槽形成在包括所述支承板的中心的区域中，
其中，所述微波施用单元还包括：
第二电源，所述第二电源配置为施用第二微波；
第二传输板，所述第二传输板插入到所述中心凹槽中、以将所述第二微波辐射到所述处理空间；以及
第二波导，所述第二波导设置在所述第二传输板的上方并且联接到所述第二电源，
其中，在所述第二波导的下表面上形成有至少一个或多个第二狭槽。
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其中，
所述凹槽包括：
第一凹槽，所述第一凹槽形成在所述支承板的所述边缘区域的周向方向的部分中、并且插入有所述第一传输板；以及
第二凹槽，所述第二凹槽形成在所述支承板的所述边缘区域的周向方向的其他部分中；
其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽彼此结合以形成环形形状，
其中，所述微波施用单元还包括：
第三电源，所述第三电源配置为施用第三微波；
第三传输板，所述第三传输板插入到所述第二凹槽中、以将所述第三微波辐射到所述处理空间；以及
第三波导，所述第三波导设置在所述第三传输板的上方并且联接到所述第三电源，
其中，在所述第三波导的下表面上形成有多个第三狭槽，并且
所述多个第三狭槽沿所述第三波导的周向方向彼此间隔开。
19.一种用于处理基板的基板处理装置，所述基板处理装置包括：
工艺腔室，所述工艺腔室具有形成在其中的处理空间；
支承单元，所述支承单元配置为在所述处理空间中支承所述基板；
气体供应单元，所述气体供应单元配置为向所述处理空间供应处理气体；
第一电源，所述第一电源配置为施用第一微波；
第二电源，所述第二电源配置为施用第二微波；
支承板，所述支承板在所述支承单元的上方与所述工艺腔室结合、以限定所述处理空间；
第一传输板，所述第一传输板设置在所述支承板的上方、以将第一微波辐射到所述处理空间；以及
第二传输板，所述第二传输板设置在所述支承板的上方、以将第二微波辐射到所述处理空间；
第一波导，所述第一波导联接到所述第一电源并设置在所述第一传输板的上表面上，并且所述第一波导具有形成在其下表面上的多个第一狭槽；以及
第二波导，所述第二波导联接到所述第二电源并设置在所述第二传输板的上表面上，并且所述第二波导具有形成在其下表面上的至少一个或多个第二狭槽；
其中，所述支承板的上表面具有：
中心凹槽，所述中心凹槽形成在包括所述支承板的中心的区域中；以及
凹槽，所述凹槽形成在面向所述支承板的边缘的区域中，所述凹槽围绕所述中心凹槽，
其中，所述第一传输板被插入到所述凹槽中，并且
其中，所述第二传输板被插入到所述中心凹槽中。
20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其中
设置有多个凹槽，并且
当从顶部观察时，所述多个凹槽沿所述支承板的周向方向形成，
其中，设置有多个第一传输板，并且
当从顶部观察时，所述多个第一传输板彼此结合以具有环形形状，
其中，当从顶部观察时，所述第一波导形成为环形形状。
CN202211583420.8A 2021-12-28 2022-12-09 用于处理基板的装置 Pending CN116364512A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2021-0190313 2021-12-28
KR1020210190313A KR20230100442A (ko) 2021-12-28 2021-12-28 기판 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116364512A true CN116364512A (zh) 2023-06-30

Family

ID=86897173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211583420.8A Pending CN116364512A (zh) 2021-12-28 2022-12-09 用于处理基板的装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230207271A1 (zh)
KR (1) KR20230100442A (zh)
CN (1) CN116364512A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230100442A (ko) 2023-07-05
US20230207271A1 (en) 2023-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100927913B1 (ko) 기판 탑재 기구 및 기판 처리 장치
US6417626B1 (en) Immersed inductively—coupled plasma source
JP6097471B2 (ja) 環状のバッフル
TW201810353A (zh) 真空處理室及製造真空處理的板狀基板的方法
US6729261B2 (en) Plasma processing apparatus
JP2022179495A (ja) プラズマ処理方法
CN113170568B (zh) 等离子体处理装置和等离子体处理方法
CN110867363A (zh) 等离子体处理装置
CN112655076A (zh) 载置台和基片处理装置
US20220406571A1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
US20190279845A1 (en) Antenna device and plasma processing apparatus
CN116364512A (zh) 用于处理基板的装置
US20230207272A1 (en) Apparatus for treating substrate
US11664198B2 (en) Plasma processing apparatus
KR20210131886A (ko) 배관 시스템 및 처리 장치
US20240212995A1 (en) Apparatus for treating substrate
TW202114024A (zh) 載置台及基板處理裝置
US20220199364A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
KR102240923B1 (ko) 기판 처리 장치
KR100855880B1 (ko) 기판 처리 장치 및 플라즈마 밀도의 제어 방법
CN110010438B (zh) 等离子体处理装置和等离子体处理装置的制作方法
KR101281191B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 반응기
KR101966807B1 (ko) 기판 처리 장치
TWI394200B (zh) 經由腔室構件導入處理流體的方法與系統
CN116387127A (zh) 基板加工装置及基板加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination