CN116315718A - 一种紧凑的宽带高隔离度双极化超表面天线 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种紧凑的宽带高隔离度双极化超表面天线,属于天线技术领域。该天线由2×2超表面以及两个具有矩形槽和U型缝隙的L型探针结构组成。天线采用L型探针结构和超表面结构,而没有采用复杂的馈电网络,从而获得了紧凑的天线尺寸。每个端口都能在工作频段内有效地激励两种线极化辐射模式,从而实现了宽带效果。利用特征模分析方法,在L型探针上蚀刻了矩形槽,使得高次模得到抑制,并且提升了天线的隔离度。并且还在L型探针上蚀刻了U型缝隙,使得天线具有高隔离度特性。本发明具有宽带、尺寸紧凑、剖面低、隔离度高、前后比高和交叉极化低的优点,具有潜在的应用价值。
Description
技术领域
本发明属于天线技术领域,涉及一种紧凑的宽带高隔离度双极化超表面天线。
背景技术
双极化天线可以提供一对工作频率相同且极化方式正交的通信信道,可以实现频率复用和极化分集,具有信号传输容量大和抗多径衰落能力强等优点,被广泛应用于移动通信系统中。随着现代射频前端的快速发展,对于双极化天线集成化的要求也越来越高,留给天线的空间越来越小。双极化微带天线因为其体积小、重量轻、成本低、易于与电路集成等优势而备受关注。然而,在兼顾阻抗带宽、隔离度和前后比等性能的同时,实现紧凑的宽带双极化微带天线仍然具有一定挑战性。
为了实现良好端口隔离性能的宽带双极化天线,本领域提出了多种方案,例如,在文献“Lin F H,Chen Z N.Resonant metasurface antennas with resonant apertures:Characteristic mode analysis and dual-polarized broadband low-profile design[J].IEEE Transactions on Antennas and Propagation,2020,69(6):3512-3516.”中,通过缝隙耦合馈电的方式,利用两条馈电微带线,激励作为辐射体的超表面和地板缝隙的线极化辐射模式,实现具有高隔离度的宽带双极化超表面天线;然而,缝隙耦合馈电的方式会导致低前后比。此外,在文献“Wong H,Lau K L,Luk K M.Design of dual-polarized L-probe patch antenna arrays with high isolation[J].IEEE Transactions onAntennas and Propagation,2004,52(1):45-52.”中,采用四个L型探针结构,结合具有180°移相与功分功能的馈电网络,实现了高隔离度和低交叉极化的宽带双极化微带天线。然而,馈电网络不仅会带来额外的损耗,还增加了天线的尺寸。
在实现紧凑的高隔离度双极化微带天线方面,学者们也提出了一些研究方案。例如在文献“Qin X,Li Y.Compact dual-polarized cross-slot antenna with colocatedfeeding[J].IEEE Transactions on Antennas and Propagation,2019,67(11):7139-7143.”中,提出了一种尺寸仅为0.293λ0×0.293λ0×0.008λ0(λ0是中心频率处的自由空间波长)的高隔离度双极化交叉槽天线,但是该天线的带宽仅为6.0%,且方向性差。而利用两个探针激励贴片的辐射模式,可以实现高隔离度、高前后比和紧凑的尺寸,但是天线工作带宽窄。在文献“Gou Y,Yang S,Zhu Q,et al.A compact dual-polarized double E-shapedpatch antenna with high isolation[J].IEEE Transactions on Antennas andPropagation,2013,61(8):4349-4353.”中,通过两个探针分别激励两层E型贴片,从而使天线具有高于30dB的端口隔离度和稳定的增益,但是工作带宽仅为7.7%。而在另一些研究中,采用两个L型探针和矩形贴片的结构,虽然可以实现宽带、高前后比和紧凑的天线尺寸,但是天线的隔离度和交叉极化差。
因此,为了满足移动通信系统对双极化天线小型化、宽带、高隔离度、低交叉极化和高前后比等需求,设计出紧凑的宽带高隔离度双极化超表面天线具有重要的意义。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种紧凑的宽带高隔离度双极化超表面天线,解决现有紧凑的高隔离度双极化微带天线带宽窄且前后比低的问题。
为达到上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种紧凑的宽带高隔离度双极化超表面天线,其包括左馈电探针1、右馈电探针2、上层介质基板4、中层介质基板5和下层介质基板6。在上层介质基板4的上表面设有超表面7;中层介质基板的上表面设有第一贴片8;下层介质基板6的上表面设有第二贴片9,其下表面设有金属地13。左馈电探针1与第一贴片8连接形成左L型探针;右馈电探针2与第二贴片9连接形成右L型探针。
可选地,第一贴片8和第二贴片9的宽度不相同,以减少由高度不同引起的水平极化和垂直极化辐射性能的差异。
可选地,第一贴片8和第二贴片9上均刻蚀有一U型缝隙10,并且两者中部相对的两侧均刻蚀有一矩形槽12。其中U型缝隙10以及矩形槽12的尺寸相同。
可选地,在左馈电探针1和右馈电探针2处,均设有一大过孔和一小过孔。其中大过孔用于防止在焊接馈电探针以及贴片时,在上、中、下三层介质基板间留下气隙;小过孔则用于放置探针。
左馈电探针1处的大过孔贯穿上层介质基板4,小过孔贯穿中层介质基板5和下层介质基板6。右馈电探针2处的大过孔贯穿上层介质基板4和中层介质基板5,小过孔贯穿下层介质基板6。所有的大过孔和小过孔内壁均不镀金属。
可选地,本发明还具有端口Ⅰ和端口Ⅱ两个端口。其中端口Ⅰ通过左馈电探针1进行馈电,端口Ⅱ通过右馈电探针2进行馈电。
本发明的有益效果在于:本发明采用超表面以及两个具有矩形槽和U型缝隙的L型探针结构,没有复杂的馈电网络,从而获得了紧凑的天线尺寸;此外,天线的每个端口都能在工作频段内有效地激励两种线极化辐射模式,从而实现了宽带效果。同时,矩形槽使得高次模得到抑制,并且提升了天线的隔离度;U型缝隙使得天线具有高隔离度特性。因此本发明具有宽带、尺寸紧凑、剖面低、隔离度高、前后比高和交叉极化低的优点,具有潜在的应用价值。
本发明的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述,并且在某种程度上,基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的,或者可以从本发明的实践中得到教导。本发明的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。
附图说明
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作优选的详细描述,其中:
图1为本发明紧凑的宽带高隔离度双极化超表面天线结构示意图;
图2为特征模分析的结构以及其12种模式的模式重要性曲线;
图3为六种能被探针激励模式的模式电流;(a)为模式1和模式2(在4.9GHz),(b)为模式7和模式8(在7.2GHz),(c)为模式11和模式12(在8.7GHz);
图4为特征模分析的结构以及其六种能被探针激励模式的模式重要性曲线;
图5为六种能被探针激励模式的模式电流;(a)为模式1和模式2(在4.3GHz),(b)为模式7和模式8(在6GHz),(c)为模式11和模式12(在8.5GHz);
图6为无U型缝隙的天线和矩形槽宽度Lb对S参数的影响;
图7为有无U型缝隙的天线S参数对比;
图8为左馈电探针、右馈电探针、第一贴片和第二贴片上的表面电流;(a)为无U型缝隙时,(b)为有U型缝隙时;
图9为本发明实施例天线的尺寸标注图;
图10为本发明实施例天线的S参数和增益曲线;
图11为本发明实施例天线的前后比曲线;
图12为本发明实施例天线仅由端口Ⅰ激励时的天线辐射方向图;(a)为在4.9GHz时,(b)为在5.3GHz时,(c)为在5.8GHz时;
图13为本发明实施例天线仅由端口Ⅱ激励时的天线辐射方向图;(a)为在4.9GHz时,(b)为在5.3GHz时,(c)为在5.8GHz时。
附图标记:1-左馈电探针;2-右馈电探针;3-左大过孔;4-上层介质基板;5-中层介质基板;6-下层介质基板;7-超表面;8-第一贴片;9-第二贴片;10-U型缝隙;11-右大过孔;12-矩形槽;13-金属地;14-左小过孔;15-右小过孔。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需要说明的是,以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想,在不冲突的情况下,以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
其中,附图仅用于示例性说明,表示的仅是示意图,而非实物图,不能理解为对本发明的限制;为了更好地说明本发明的实施例,附图某些部件会有省略、放大或缩小,并不代表实际产品的尺寸;对本领域技术人员来说,附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
本发明实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件;在本发明的描述中,需要理解的是,若有术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明,不能理解为对本发明的限制,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
如图1所示为一种紧凑的宽带高隔离度双极化超表面天线,其包括左馈电探针1、右馈电探针2、上层介质基板4、中层介质基板5和下层质基板6。其中左馈电探针1和第一贴片8构成左L型探针,右馈电探针2和第二贴片9构成右L型探针。上层介质基板4的上表面金属部分设有2×2排布的超表面7,下表面无金属,并有一个左大过孔3和一个右大过孔11。中层介质基板5的上表面设有第一贴片8,下表面无金属,并有一个右大过孔11和一个左小过孔14。下层介质基板6的上表面设有第二贴片9,下表面设有金属地13,并有一个左小过孔14和一个右小过孔15。第一贴片8和第二贴片9上都各蚀刻了相同尺寸的一个U型缝隙10和两个矩形槽12。
其中,左大过孔3内壁不镀金属,贯穿了上层介质基板4。右大过孔11内壁不镀金属,贯穿了上层介质基板4和中层介质基板5。左大过孔3和右大过孔11其作用均是避免焊接左馈电探针1和第一贴片8、以及焊接右馈电探针2和第二贴片9后在三层介质基板之间留下气隙。左小过孔14和右小过孔15内壁不镀金属,其作用是分别在其中放置左馈电探针1和右馈电探针2,使它们通过介质基板。由于第一贴片8与第二贴片9的高度不同,因此第一贴片8与第二贴片9设计了不同的宽度,以减少由高度不同引起的水平极化和垂直极化辐射性能的差异。左馈电探针1穿过下层介质基板6、中层介质基板5,连接到中层介质基板5上表面的第一贴片8。右馈电探针2穿过下层介质基板6,连接到下层介质基板6上表面的第二贴片9。端口Ⅰ通过左馈电探针1进行馈电,端口Ⅱ通过右馈电探针2进行馈电。
天线的工作模式可以通过特征模分析方法来说明。在本发明中,特征模分析方法用于识别天线的潜在辐射模式,并指导天线结构的改进。在特征模理论中,任意的感应电流J都可以分解为多个加权的模式电流,即表示为:
其中,模式加权系数αn表示模式电流Jn对天线总感应电流J的贡献值,反映了模式被激励的程度,表示为:
αn=1/(1+jλn)∫Jn·EidS (2)
其中λn表示模式n的特征值,Ei表示外部激励电场,S表示导体表面面积。式(2)前面部分的幅值称为模式重要性(MS),表示如下:
MS=1/|1+jλn| (3)
当MS=1,即λn=0时,对应的模式n谐振,辐射效率最高。式(2)的后面部分称为模式激励系数Vi,表示如下:
Vi=∫Jn·EidS (4)
上式体现了模式电流与外加激励的关系,值越大表示天线的激励效果越好。
为了说明天线的设计过程,首先给出了超表面7、没有蚀刻矩形槽12和U型缝隙10的第一贴片8、没有蚀刻矩形槽12和U型缝隙10的第二贴片9的模式特性,如图2和图3所示。可以看出,模式1、模式2、模式7、模式8、模式11和模式12的模式电流在第一贴片8或第二贴片9上较强,并且电流方向一致,因此这些模式容易被左馈电探针1或右馈电探针2激励。而其他模式不容易被激励或者超出了考虑的频段,因此可以不考虑其影响。
对于模式1、模式2、模式7和模式8,超表面7上的模式电流方向表现出一致性,是满足设计要求的线极化模式。其中模式1和模式2,模式7和模式8的模式重要性曲线比较接近,并且模式1和模式7的模式电流集中在第一贴片8上,模式2和模式8的模式电流集中在第二贴片9上。因此容易让端口1激励模式1和模式7,端口2激励模式2和模式8,实现宽带双线极化天线。对于模式11和模式12,超表面7上的模式电流方向不一致,是不需要的高阶模式。但是从模式重要性曲线可以看出,这两种模式容易与模式7和模式8激励在相同频段,引起交叉极化等性能的恶化,因此需要将它们移出模式7和模式8的工作频段。
由图3可以看出,模式11和模式12的模式电流主要集中在超表面7上,而模式1、模式2、模式7和模式8的模式电流主要集中在第一贴片8或第二贴片9上。因此改变第一贴片8和第二贴片9的结构对模式1、模式2、模式7和模式8影响大,对模式11和模式12影响小。
由于模式1、模式2、模式7和模式8的模式电流在第一贴片8或第二贴片9的中间最强,因此选择在第一贴片8或第二贴片9中部蚀刻矩形槽12。图4和图5,给出了超表面7、蚀刻了矩形槽12的第一贴片8、蚀刻了矩形槽12的第二贴片9结构的部分模式重要性曲线和部分模式电流。可以看出,模式1和模式2的模式重要性曲线向低频移动了约0.6GHz,模式7和模式8的模式重要性曲线向低频移动了约1.2GHz,模式11和模式12的模式重要性曲线向低频移动了约0.2GHz。模式11和模式12的模式重要性曲线移动较少,因此模式11和模式12基本已经远离了模式7和模式8的工作频段。同时可以看出,各个模式的模式电流方向性没有受到矩形槽12影响。所以,最终效果为端口Ⅰ激励模式1和模式7,端口Ⅱ激励模式2和模式8。需要注意的是,这里的模式分析未考虑激励和探针结构的影响,因此增加激励和探针后的实际工作频率会发生一定程度的偏移。
图6给出了无U型缝隙10的天线S参数随矩形槽12宽度Lb的变化曲线。可以看出,|S11|曲线的第二个谐振点随矩形槽12宽度的增加而降低,与图2到图4的MS曲线变化较为一致。根据图3和图5的模式电流分布,目标模式1、2、7、8的模式电流在第一贴片8和第二贴片9的中间较强,而在这个位置,两个贴片的距离近,耦合强。这意味着矩形槽12可以减少这部分的面积,降低耦合,从而提升隔离度,这可以从|S21|随矩形槽12宽度Lb的增加而降低看出。
为了进一步增加隔离度,在矩形槽12的基础上在第一贴片8和第二贴片9上蚀刻了相同的U型缝隙10,如图1所示。图7显示了蚀刻的U型缝隙10对天线S参数的影响。可以看出,蚀刻的U型缝隙10对天线的|S11|和|S22|影响较小。同时可以看出,蚀刻了U型缝隙10的天线,带内|S21|最大值从-25dB下降到-31dB,隔离度明显增加。图8描述了在5.5GHz处,端口Ⅱ馈电时左馈电探针1、右馈电探针2、第一贴片8和第二贴片9上的表面电流分布。可以看出,蚀刻的U型缝隙10会让表面电流沿着缝隙边缘流动,使得探针上耦合的电流减弱,因此U型缝隙10能够起到增加隔离度的作用。
由前面分析可知,本发明提出的双极化天线结构,抑制了高阶模式,每个端口都能在工作频段内有效地激励两种线极化辐射模式,实现了宽带性能。并且天线的两个端口之间还具有高隔离度。通过调节超表面、贴片、矩形槽和U型缝隙的尺寸可以控制天线的工作频率范围和模式特性,从而使天线在较宽的频率范围内实现良好的辐射性能。
本实施例中提出本发明的一优选结构,该实施例样品为工作频率4.73GHz-5.91GHz的一种紧凑的宽带高隔离度双极化超表面天线,该天线的尺寸为30mm×30mm×3.75mm,即0.53λ0×0.53λ0×0.067λ0(λ0表示中心频率对应的自由空间波长)。天线采用了三层介质基板,介质基板的相对介电常数均为2.65,损耗角正切为0.01。上层介质基板的厚度为1.5mm,中间层介质基板的厚度为0.25mm,下层介质基板的厚度为2mm。
本实施例样品的具体尺寸标注如图9所示,天线的具体尺寸见表1所示:
表1天线的具体尺寸
使用仿真软件HFSS进行仿真,本实施例样品的S参数和增益曲线如图10所示。该天线具有两个谐振点,|S11|和|S22|都小于-10dB的频率范围为4.73GHz-5.91GHz,即-10dB相对带宽为22.2%。|S11|和|S22|都小于-15dB的频率范围为4.88GHz-5.77GHz,即-15dB相对带宽为16.7%。|S21|在工作频带内小于-31dB,天线具有高端口隔离度。当端口Ⅰ馈电时天线带内增益变化范围为6.04dBi至6.72dBi,当端口Ⅱ馈电时天线带内增益变化范围为5.77dBi至6.77dBi,天线增益稳定。由图11可以看出,端口Ⅰ或者端口Ⅱ馈电时,在工作频带内天线的前后比都大于22dB,天线后向辐射弱。图12和图13分别给出了分别激励端口Ⅰ和端口Ⅱ时的辐射方向图。可以看出在工作频带内,天线的辐射方向性良好,交叉极化小于-26dB,交叉极化低。
最后说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本技术方案的宗旨和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (9)
1.一种紧凑的宽带高隔离度双极化超表面天线,其特征在于:包括左馈电探针(1)、右馈电探针(2)、上层介质基板(4)、中层介质基板(5)和下层介质基板(6);所述上层介质基板(4)的上表面设有超表面(7);所述中层介质基板的上表面设有第一贴片(8);所述下层介质基板(6)的上表面设有第二贴片(9),下表面设有金属地(13);所述左馈电探针(1)与所述第一贴片(8)连接形成左L型探针;所述右馈电探针(2)与所述第二贴片(9)连接形成右L型探针。
2.根据权利要求1所述的一种紧凑的宽带高隔离度双极化超表面天线,其特征在于:所述第一贴片(8)和第二贴片(9)的宽度不相同,以减少由高度不同引起的水平极化和垂直极化辐射性能的差异。
3.根据权利要求1所述的一种紧凑的宽带高隔离度双极化超表面天线,其特征在于:所述第一贴片(8)和第二贴片(9)上均刻蚀有一U型缝隙(10)。
4.根据权利要求1所述的一种紧凑的宽带高隔离度双极化超表面天线,其特征在于:所述第一贴片(8)和第二贴片(9)中部相对的两侧均刻蚀有一矩形槽(12)。
5.根据权利要求3或4所述的一种紧凑的宽带高隔离度双极化超表面天线,其特征在于:第一贴片(8)和第二贴片(9)的U型缝隙(10)以及矩形槽(12)的尺寸相同。
6.根据权利要求1所述的一种紧凑的宽带高隔离度双极化超表面天线,其特征在于:在所述左馈电探针(1)和右馈电探针(2)处,均设有一大过孔和一小过孔;所述大过孔用于防止在焊接馈电探针以及贴片时,在上、中、下三层介质基板间留下气隙;所述小过孔用于放置探针。
7.根据权利要求6所述的一种紧凑的宽带高隔离度双极化超表面天线,其特征在于:左馈电探针(1)处的大过孔贯穿上层介质基板(4),小过孔贯穿中层介质基板(5)和下层介质基板(6);大过孔和小过孔内壁均不镀金属。
8.根据权利要求6所述的一种紧凑的宽带高隔离度双极化超表面天线,其特征在于:右馈电探针(2)处的大过孔贯穿上层介质基板(4)和中层介质基板(5),小过孔贯穿下层介质基板(6);大过孔和小过孔内壁均不镀金属。
9.根据权利要求1所述的一种紧凑的宽带高隔离度双极化超表面天线,其特征在于:该天线还设有端口Ⅰ和端口Ⅱ;所述端口Ⅰ通过左馈电探针(1)进行馈电;所述端口Ⅱ通过右馈电探针(2)进行馈电。
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CN116666990A (zh) * | 2023-07-26 | 2023-08-29 | 南京理工大学 | 可重构超表面吸波器的特征模式设计方法及超表面吸波器 |
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- 2023-05-10 CN CN202310522317.0A patent/CN116315718A/zh active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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