CN116314201A - 显示装置 - Google Patents

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李建雨
S·郑
赵镕勋
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Abstract

根据本公开的一个方面，显示装置包括：基板，包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域；多个发光二极管，设置在显示区域中，并且每个发光二极管包括阴极；接触电极，设置在非显示区域中；以及多个绝缘层，设置在基板上。多个绝缘层中的至少一者包括设置在基板和接触电极之间的多个突起，并且接触电极由与多个突起重叠的凸部和多个突起之间的凹部组成。因此，根据本公开，接触电极的表面积由于多个突起而增大，使得可以减小接触电极和阴极之间的电阻。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0177723号的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种其中降低了用于提供低电位电源电压的接触电极和阴极之间的电阻的显示装置。
背景技术
用于计算机监视器、TV、移动电话等的显示装置包括自身发射光的有机发光显示器(OLED)、需要单独光源的液晶显示器(LCD)等。
随着显示装置越来越多地应用于诸如计算机监视器、TV和个人移动装置等多种领域，已经研究了具有大显示面积和减小的体积和重量的显示装置。
此外，近年来，显示元件、线等形成在由诸如塑料的柔性材料制成的柔性基板上。因此，可以制造出柔性显示装置以即使像纸一样弯曲或卷起时也显示图像，并且因此作为下一代显示装置吸引了很多关注。
发明内容
本公开要实现的目的是提供一种显示装置，其中阴极和用于向阴极提供低电位电源电压的接触电极之间的电阻减小了。
本公开要实现的另一个目的是提供一种显示装置，其中增大了接触电极和阴极之间的接触面积。
本公开要实现的又一个目的是提供一种显示装置，其中接触电极和阴极之间的电流密度降低了并且发热减少。
本公开要实现的又一个目的是提供一种显示装置，其中在不增大边框面积的情况下增大了接触电极和阴极之间的接触面积。
本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员可以根据以下描述清楚地理解以上未提及的其他目的。
根据本公开的一方面，一种显示装置，包括基板，所述基板包括显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域。此外，所述显示装置包括多个发光二极管，所述多个发光二极管设置在所述显示区域中，并且每个发光二极管包括阴极。此外，所述显示装置包括接触电极，所述接触电极设置在所述非显示区域中，并且向所述阴极提供低电位电源电压。此外，所述显示装置包括多个绝缘层，所述多个绝缘层设置在所述基板上。所述多个绝缘层中的至少一者包括多个突起，所述多个突起设置在所述基板和所述接触电极之间以与所述接触电极重叠。所述接触电极由与所述多个突起重叠的凸部和所述多个突起之间的凹部组成。因此，根据本公开，接触电极的表面积由于多个突起而增大。因此，减小接触电极和阴极之间的电阻，并且最小化来自接触电极的发热，是可能的。
示例性实施例的其他详细内容包括在具体实施方式和附图中。
根据本公开，增大接触电极和阴极之间的接触面积，并且从而降低电流密度并减小电阻，是可能的。
根据本公开，增大接触电极和阴极之间的接触面积，并且从而减少发热并提高显示装置的可靠性，是可能的。
根据本公开，在不增大边框面积的情况下增大接触电极和阴极之间的接触面积是可能的。
根据本公开的效果不限于以上例示的内容，并且本说明书中包括更多的各种效果。
附图说明
本公开的以上和其他方面、特征和其他优点将从以下结合附图的详细描述中得到更清楚的理解，其中：
图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置的示意性配置图示；
图2是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的子像素的截面视图；
图3是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的接触电极的放大平面视图；
图4是沿图3的线IV-IV'截取的截面视图；
图5是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的多个突起的放大截面视图；
图6是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的截面视图；以及
图7和图8是示出根据本公开的各种示例性实施例的显示装置的接触电极的平面视图。
具体实施方式
通过参考下面与附图一起详细描述的示例性实施例，本公开的优点和特征及实现优点和特征的方法将是清楚的。然而，本公开不限于本文公开的示例性实施例，而是可以以各种不同的形式实施。这些示例性实施例仅以举例的方式提供，以便本领域技术人员能够充分理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围限定。
附图中示出的用于描述本公开的示例性实施例的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅仅是示例，并且本公开不限于此。贯穿本说明书，相似的附图标记通常表示相似的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细解释以避免不必要地使本公开的主题模糊不清。本文使用的诸如“包括”、“具有”和“由……组成”的术语通常旨在允许添加其他组件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用都可以包括复数。
即使没有明确说明，组件也被解释为包括通常误差范围。
当使用诸如“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“邻近”的术语来描述两个部分之间的位置关系时，一个或多个部分可以位于该两个部分之间，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。
当元件或层设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可以直接插入在该另一元件上或它们之间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种组件，但是这些组件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与其他组件区分开来。因此，以下提及的第一组件可以是本公开的技术概念中的第二组件。
在整个说明书中，相似的附图标记通常表示相似的元件。
图中所示的每个组件的尺寸和厚度是为了描述方便而示出的，并且本公开不限于所示出的组件的尺寸和厚度。
本公开的各个实施例的特征可以部分地或全部地彼此粘附或组合，并且可以在技术上以各种方式互锁和操作，并且实施例可以彼此独立地或关联地执行。
在下文中，将参考附图详细描述根据本公开的示例性实施例的显示装置。
图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置的示意性配置图示。在图1中，为了描述方便，仅示出了显示装置100的各种组件中的显示面板PN、栅极驱动器GD、数据驱动器DD、电源单元PD和时序控制器TC。
参考图1，显示装置100包括：显示面板PN，显示面板PN包括多个子像素SP；以及用于向显示面板PN提供各种信号的栅极驱动器GD和数据驱动器DD。此外，显示装置100包括用于控制栅极驱动器GD和数据驱动器DD的时序控制器TC以及用于提供各种电力的电源单元PD。
栅极驱动器GD响应于从时序控制器TC提供的多个栅极控制信号GCS向多条扫描线SL提供扫描信号。图1示出了将单个栅极驱动器GD设置为与显示面板PN的一侧间隔开，但是栅极驱动器GD的数量和布置不限于此。
数据驱动器DD响应于从时序控制器TC提供的多个数据控制信号DCS，使用伽马电压将从时序控制器TC输入的图像数据RGB转换为数据电压。数据驱动器DD可以从伽马电压中选择与图像数据RGB的灰度对应的伽马电压并产生数据电压。然后，数据驱动器DD可以将产生的数据电压提供给多条数据线DL。
电源单元PD可以产生要施加到数据驱动器DD或显示面板PN的电力。电源单元PD可以提供用于驱动数据驱动器DD的电力。电源单元PD可以提供用于驱动显示面板PN的高电位电源电压VDD和低电位电源电压VSS。
时序控制器TC对齐从外部输入的图像数据RGB并将对齐的图像数据RGB提供给数据驱动器DD。时序控制器TC可以使用从外部输入的同步信号(例如，点时钟信号、数据使能信号和水平/垂直同步信号)来产生栅极控制信号GCS和数据控制信号DCS。此外，时序控制器TC可以将产生的栅极控制信号GCS和数据控制信号DCS分别提供给栅极驱动器GD和数据驱动器DD，以控制栅极驱动器GD和数据驱动器DD。
显示面板PN被配置为向用户显示图像，并且包括多个子像素SP。在显示面板PN中，多条扫描线SL和多条数据线DL彼此交叉，并且多个子像素SP中的每者都连接到扫描线SL和数据线DL。此外，可以向多个子像素SP中的每者提供高电位电源电压VDD、低电位电源电压VSS等。
显示面板PN包括显示区域AA和非显示区域NA。
显示区域AA是显示图像的区域。在显示区域AA中，设置有用于显示图像的多个子像素SP和用于驱动多个子像素SP的电路单元。电路单元可以包括用于驱动多个子像素SP的各种晶体管、电容器和线。例如，电路单元可以包括诸如驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、存储电容器、扫描线SL和数据线DL的各种组件，但不限于此。
多个子像素SP是用于形成图像的最小单位，并且若干子像素SP可以形成单个像素。多个子像素SP中的每者包括发光二极管和用于驱动发光二极管的像素电路。可以根据显示面板PN的类型以不同方式定义多个发光二极管。例如，当显示面板PN是有机发光显示面板时，发光二极管可以是包括阳极、发射层和阴极的有机发光二极管。替代地，可以使用包括发光二极管(LED)或量子点(QD)的量子点发光二极管(QLED)作为发光二极管。
非显示区域NA是不显示图像的区域。在非显示区域NA中，可以设置用于驱动设置在显示区域AA中的多个子像素SP的各种线和驱动器IC。例如，栅极驱动器GD等可以设置在非显示区域NA中。
同时，在图1中，非显示区域NA被定义为显示区域AA周围的区域。然而，非显示区域NA可以定义为从显示区域AA的一侧延伸的区域，但不限于此。
同时，在非显示区域NA中，设置有用于将低电位电源电压VSS提供给发光二极管的阴极的接触电极。接触电极设置在非显示区域NA中并且可以将来自电源单元PD的低电位电源电压VSS提供给阴极。稍后将参考图3和图4描述接触电极。
在下文中，将参考图2一起更详细地描述多个子像素SP。
图2是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的子像素的截面视图。参考图2，根据本公开的示例性实施例的显示装置100包括基板110、缓冲层111和栅绝缘层112。此外，显示装置100包括钝化层113、平坦化层114、堤部115、遮光层LS、驱动晶体管DT、滤色器CF和发光二极管120。
遮光层LS设置在基板110上。遮光层LS可以阻挡从基板110下方入射到驱动晶体管DT的有源层ACT的光，从而使漏电流最小化。例如，遮光层LS可以设置在驱动晶体管DT之下以阻挡入射到有源层ACT的光。同时，当光照射到有源层ACT时，会发生漏电流。因此，驱动晶体管DT的可靠性降低。因此，由于可以阻挡光的遮光层LS设置为与驱动晶体管DT重叠，所以提高驱动晶体管DT的可靠性是可能的。遮光层LS可以由不透明的导电材料制成，该不透明的导电材料是诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金，但是不限于此。
缓冲层111设置在基板110和遮光层LS上。缓冲层111可以抑制从基板110的外部渗透的水分和/或氧气的扩散。缓冲层111可以由无机材料制成。例如，缓冲层111可以形成为氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的单层或多层，但不限于此。
驱动晶体管DT设置在缓冲层111上。驱动晶体管DT可以设置在显示区域AA的多个子像素SP中的每者中。设置在多个子像素SP中的每者中的驱动晶体管DT可以用作显示装置100的驱动元件。驱动晶体管DT可以是例如薄膜晶体管(TFT)、N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管、P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管、场效应晶体管(FET)等，但不限于此。在下文中，假设多个驱动晶体管DT为薄膜晶体管，但不限于此。
驱动晶体管DT包括栅电极GE、有源层ACT、源电极SE和漏电极DE。
驱动晶体管DT的有源层ACT设置在缓冲层111上。例如，有源层ACT可以由氧化物半导体、非晶硅或多晶硅制成，但不限于此。
栅电极GE设置在有源层ACT上。栅电极GE可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)或其合金的导电材料制成，但不限于此。
栅绝缘层112设置在栅电极GE和有源层ACT之间。栅绝缘层112被配置为使栅电极GE与有源层ACT绝缘。栅绝缘层112可以由无机材料制成。例如，栅绝缘层112可以形成为氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的单层或多层，但不限于此。
源电极SE和漏电极DE设置在有源层ACT上并且彼此间隔开。源电极SE和漏电极DE可以通过形成在栅绝缘层112中的接触孔电连接到有源层ACT。源电极SE和漏电极DE可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)或其合金的导电材料制成，但不限于此。
在这种情况下，漏电极DE可以通过形成在缓冲层111中的接触孔电连接到遮光层LS。遮光层LS可以不浮置并且可以具有与漏电极DE相同的电位并且因此不会影响驱动晶体管DT的驱动。然而，遮光层LS也可以连接至其他组件，但不限于此。
钝化层113设置在驱动晶体管DT上。钝化层113是用于保护钝化层113之下的组件的绝缘层。钝化层113可以由无机材料制成。例如，钝化层113可以形成为氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的单层或多层，但不限于此。此外，根据设计可以省略钝化层113。
滤色器CF设置在钝化层113上。滤色器CF可以将从发光二极管120发射的光转换成各种颜色的光。滤色器CF设置为与多个子像素SP中的每者中的发光二极管120重叠。滤色器CF可以包括各种滤色器，诸如红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。然而，根据从发光二极管120发射的光的颜色，可以省略滤色器CF。
平坦化层114设置在钝化层113和滤色器CF上。平坦化层114可以平坦化包括驱动晶体管DT的基板110的上部部分。平坦化层114可以设置在整个显示区域AA中和部分非显示区域NA中。平坦化层114可以由有机材料制成。例如，平坦化层114可以形成为基于丙烯酸的有机材料的单层或多层，但不限于此。
在显示区域AA中，发光二极管120设置在平坦化层114上。发光二极管120是发射光的自发光元件并且可以设置在多个子像素SP中的每者中并由多个驱动晶体管DT驱动。发光二极管120包括阳极121、发射层122和阴极123。
同时，根据从发光二极管120发射的光的发射方向，显示装置100可以配置为顶部发射型或底部发射型。
对于顶部发射型，从发光二极管120发射的光发射到基板110的上部部分。在顶部发射型的情况下，可以在阳极121下方形成反射层以允许从发光二极管120发射的光传播到基板110的上部部分，即，朝向阴极123。
对于底部发射型，从发光二极管120发射的光发射到基板110的下部部分。在底部发射型的情况下，阳极121可以仅由透明导电材料制成，并且阴极123可由具有高反射率的金属材料制成，以允许从发光二极管120发射的光传播到基板110的下部部分。
在下文中，为了描述方便，将假定根据本公开的示例性实施例的显示装置100为底部发射型显示装置100，但其不限于此。
阳极121可以向发射层122提供空穴并且可以由具有高功函数的导电材料制成。例如，阳极121可以由氧化锡(TO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锌锡(ITZO)制成，但不限于此。
堤部115设置在阳极121上。堤部115设置为与整个显示区域AA和部分非显示区域NA重叠并且覆盖阳极121的边缘。堤部115设置在彼此相邻的子像素SP之间的边界处，以抑制分别从多个子像素SP的发光二极管120发射的光的颜色混合。堤部115可以由绝缘材料制成。例如，堤部115可由聚酰亚胺、丙烯酸或苯并环丁烯(BCB)基树脂制成，但其不限于此。
发射层122设置在从堤部115暴露的阳极121上。发射层122被提供有来自阳极121的空穴并且被提供有来自阴极123的电子以发光。根据从发射层122发射的光的颜色，发射层122可以被配置为红色发射层、绿色发射层、蓝色发射层和白色发射层。
阴极123设置在发射层122和堤部115上。阴极123可以设置在整个多个子像素SP中。也就是说，多个子像素SP的发光二极管120可以共享阴极123。阴极123可以向发射层122提供电子并且可以由具有低功函数的导电材料制成。例如，阴极123可以由选自由诸如镁(Mg)、银(Ag)和铝(Al)的金属及其合金组成的组中的任何一种或多种制成，但不限于此。此外，由于显示装置100是底部发射型，所以阴极123可以将从发射层122发射的光朝向基板110反射。
同时，阴极123不仅可以进一步设置在显示区域AA中，而且还可以设置在部分非显示区域NA中。因此，阴极123可以电连接到接触电极并被提供有来自接触电极的低电位电源电压VSS。
在下文中，将参考图3到图5更详细地描述多个接触电极。
图3是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的接触电极的放大平面视图。图4是沿图3的线IV-IV'截取的截面视图。图5是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的多个突起的放大截面视图。
参考图3和图4，接触电极130设置在非显示区域NA中。接触电极130包括导电层131和透明导电层132，导电层131包括第一导电层131a和第二导电层131b。
首先，将导电层131的第一导电层131a设置在基板110上。第一导电层131a可以由与设置在显示区域AA中的任何一个组件相同的材料制成。例如，第一导电层131a可以由与遮光层LS相同的材料制成。然而，接触电极130的第一导电层131a可以由与设置在显示区域AA中的除遮光层LS之外的诸如多条线、存储电容器和驱动晶体管DT的任何一个其他组件相同的材料制成，但不限于此。
缓冲层111和栅绝缘层112设置在第一导电层131a上。缓冲层111和栅绝缘层112包括接触孔，接触电极130的第一导电层131a通过该接触孔暴露。第一导电层131a可以通过接触孔电连接到接触电极130的另一组件。
第二导电层131b设置在缓冲层111和栅绝缘层112上。第二导电层131b可以通过形成在缓冲层111和栅绝缘层112中的接触孔电连接到第一导电层131a。第二导电层131b可以由与设置在显示区域AA中的任何一个组件相同的材料制成。例如，第二导电层131b可以由与驱动晶体管DT的栅电极GE相同的材料制成。例如，第二导电层131b可以由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)或其合金制成，但不限于此。
在这种情况下，第一导电层131a和第二导电层131b中的至少任何一者可以延伸到非显示区域NA的另一部分并且可以被提供有低电位电源电压VSS。例如，被从电源单元PD提供有低电位电源电压VSS的焊盘可以设置在非显示区域NA的端部部分。此外，第一导电层131a和第二导电层131b中的至少任何一者可以朝向焊盘延伸并且可以电连接到焊盘。此外，可以通过焊盘从电源单元PD向第一导电层131a和第二导电层131b提供低电位电源电压VSS。然而，接触电极130可以以不同方式电连接到电源单元PD，并且不限于此。
同时，导电层131由与遮光层LS和栅电极GE相同的材料制成，其中遮光层LS和栅电极GE由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)或其合金制成，如上所述。铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)或其合金具有低电阻率，并且因此可以减少信号延迟。因此，由具有低电阻率的材料制成的导电层131连接到电源单元PD并被提供有低电位电源电压VSS。因此，可以最小化低电位电源电压VSS的传输延迟，并且可以容易地将低电位电源电压VSS提供给显示区域AA。
钝化层113和平坦化层114设置在导电层131上。第一开口OP1形成在钝化层113和平坦化层114中，其中第二导电层131b通过第一开口OP1暴露。钝化层113和平坦化层114中的每者可以从显示区域AA朝向非显示区域NA的接触电极130延伸并且可以彼此集成。此外，显示区域AA中的钝化层113和平坦化层114可以与与接触电极130相邻的钝化层113和平坦化层114分开形成。
透明导电层132可以设置为覆盖形成在钝化层113和平坦化层114中的第一开口OP1。透明导电层132可以覆盖通过第一开口OP1暴露的第二导电层131b并且可以是电连接至导电层131。透明导电层132可以由与设置在显示区域AA中的组件中的发光二极管120的阳极121相同的材料制成。透明导电层132可以由氧化锡(TO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锌锡(ITZO)制成，但不限于此。
堤部115设置在透明导电层132上，并且阴极123设置在堤部115上。堤部115包括第二开口OP2，其中接触电极130的透明导电层132通过第二开口OP2暴露。堤部115可以从显示区域AA朝向接触电极130延伸并且可以通过与显示区域AA中的堤部115相同的工艺形成，但是可以形成为与显示区域AA中的堤部115间隔开。
阴极123设置在堤部115和第二开口OP2上。阴极123可以从显示区域AA朝向非显示区域NA延伸并且可以设置为覆盖第二开口OP2。阴极123可以电连接到通过第二开口OP2暴露的接触电极130的透明导电层132。因此，可以通过接触电极130的透明导电层132和导电层131向阴极123提供低电位电源电压VSS。
同时，取决于阴极123和接触电极130之间的接触面积，可能存在发热问题。具体地，随着阴极123和接触电极130之间的接触面积减小，电阻和电流密度增大。因此，可能发生由发热引起的问题。此外，显示装置100的一些组件可能由于发热而被烧毁，这可能在显示装置100引起缺陷。因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，设置与接触电极130重叠的多个突起140。因此，可以增大接触电极130和阴极123之间的接触面积。
参考图4，多个绝缘层设置在基板110上。此外，多个绝缘层中的至少一个包括设置在基板110和接触电极130之间以与接触电极130重叠的多个突起140。例如，钝化层113和平坦化层114设置在基板110和接触电极130之间。另外，钝化层113和平坦化层114包括与接触电极130重叠的多个突起140。
具体地，多个突起140设置在第二导电层131b和透明导电层132之间。多个突起140包括第一层141和第二层142。第一层141可以由与钝化层113相同的材料制成。第二层142可以由与平坦化层114相同的材料制成。然而，多个突起140也可以形成为由与钝化层113和平坦化层114中的任何一者相同的材料制成的单层，但不限于此。
当钝化层113和平坦化层114形成在显示区域AA和非显示区域NA上时，可以通过留下钝化层113和平坦化层114的与第一开口OP1重叠的部分来形成多个突起140。多个突起140可以通过在与第一开口OP1重叠的钝化层113和平坦化层114中形成一个或多个孔140H来形成多个突起140。
设置为覆盖多个突起140的接触电极130的透明导电层132可以具有与多个突起140的形状对应的形状。透明导电层132沿着多个突起140的表面形成。由于多个突起140，透明导电层132可以由凹部和凸部组成。由于透明导电层132由覆盖多个突起140的凸部和多个突起140之间的凹部组成，所以表面积可以增大。因此，可以增大透明导电层132和与接触电极130的透明导电层132直接接触的阴极123之间的接触面积。
最后，覆盖由凹部和凸部组成的接触电极130的透明导电层132的阴极123也沿着透明导电层132的表面形成。如果没有设置多个突起140，接触电极130和阴极123之间的接触表面也可以仅直线延伸。然而，由于接触电极130的表面由于多个突起140而由凹部和凸部组成，所以可以增大接触电极130和阴极123之间的接触面积。此外，可以降低接触电极130和阴极123之间的电流密度和电阻，并且因此可以减少发热。
同时，参考图5，阴极123和接触电极130之间的接触面积可以根据多个突起140的侧表面的角度a和长度b、多个突起140的厚度c和宽度d以及多个突起140之间的间隙e而变化。
首先，多个突起140的侧表面是倾斜表面。此外，突起140的侧面的长度b可以根据突起140的侧面的角度a而变化。例如，随着突起140的倾斜侧表面的角度a减小，突起140的侧表面的长度b，即侧表面的面积，可以增大。
此外，随着多个突起140的厚度c增大，突起140的侧表面的长度b可以增大。随着多个突起140的厚度c增大，在突起140的上表面和下表面之间延伸的侧表面的长度b和面积可以增大。
设置在第一开口OPl内的多个突起140的数量可以通过缩小多个突起140之间的距离来增大。在这种情况下，随着突起140的数量增大，在接触电极130的表面上的凹部和凸部的数量可以增大并且接触电极130的表面积可以增大。
此外，可以通过调整多个突起140的宽度d来增大多个突起140的数量和接触电极130的表面积。随着多个突起140的宽度d减小，突起140的上表面和下表面的面积可以减小并且设置在第一开口OP1内的多个突起140的数量可以增大。
因此，通过控制多个突起140的侧表面的角度a和长度b、多个突起140的厚度c和宽度d以及多个突起140之间的间隙e，可以增大接触电极130的表面积以及阴极123和接触电极130之间的接触面积。此外，可以降低接触电极130和阴极123之间的电流密度和电阻，并且因此可以降低发热。
因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，设置有与接触电极130重叠的多个突起140。因此，可以增大接触电极130和阴极123之间的接触面积并且可以降低电流密度和电阻，使得可以最小化发热。由于多个突起140与接触电极130重叠，接触电极130的表面可以由凸部和凹部组成。当接触电极130由于多个突起140而具有不平坦表面时，与接触电极130具有平坦表面而没有多个突起140的情况相比，接触电极130可以具有更大的表面积。在这种情况下，接触电极130和阴极123之间的接触面积增大。因此，可以降低接触电极130和阴极123之间的电流密度和电阻。此外，由于电阻降低，可以最小化来自接触电极130的发热。因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，形成了导致接触电极130的表面积增大的多个突起140。因此，可以增大接触电极130和阴极123之间的接触面积并且可以减少发热。因此，可以提高显示装置100的可靠性。
图6是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的截面视图。除了多个突起640之外，图6所示的显示装置600与图1到图5所示的显示装置100基本相同。因此，将省略对其的重复描述。
参考图6，多个绝缘层设置在基板110上。此外，多个绝缘层中的至少一个包括设置在基板110和接触电极130之间以与接触电极130重叠的多个突起640。例如，缓冲层111和栅绝缘层112设置在衬底110和接触电极130之间。此外，缓冲层111和栅绝缘层112包括与接触电极130重叠的多个突起640。
多个突起640设置在接触电极130的第一导电层131a和第二导电层131b之间。多个突起640设置为与接触电极130形成所在的第一开口OP1和第二开口OP2重叠。
多个突起640包括第一层641和第二层642。第一层641可以由与缓冲层111相同的材料制成，并且第二层642可以由与栅绝缘层112相同的材料制成。例如，多个突起640的第一层641和第二层642可以形成为氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的单层或多层，但不限于此。
多个突起640可以通过在缓冲层111和栅绝缘层112的与第一开口OP1和第二开口OP2重叠的部分中形成多个孔640H来形成。例如，如果多个孔640H形成在与接触电极130重叠的缓冲层111和栅绝缘层112中，则没有被去除而是保留在多个孔640H之间的缓冲层111和栅绝缘层112可以用作多个突起640。此外，形成在缓冲层111和栅绝缘层112的部分中的多个孔640H可以用作电连接接触电极130的第一导电层131a和第二导电层131b的接触孔。
接触电极130的第二导电层131b可以具有覆盖设置在第一开口OPl内的多个突起640并且对应于多个突起640的形状的表面。多个突起640设置在所述第一开口OP1内，使得第二导电层131b由覆盖多个突起640的凸部和多个突起640之间的凹部组成。因此，可以增大第二导电层131b的表面积。如果多个突起640没有设置在第一开口OP1内，则第二导电层131b可以沿着第一导电层131a的上表面以直线平坦地延伸并且可以减小表面积。
此外，形成在第二导电层131b上的透明导电层132也可以具有对应于第二导电层131b的表面的形状。透明导电层132也可以由于多个突起640而由与多个突起640重叠的凸部和在多个突起640之间的凹部组成。因此，由于多个突起640，可以增大接触电极130的第二导电层131b和透明导电层132的表面积。
由于接触电极130的第二导电层131b和透明导电层132的表面积由于多个突起640而增大，因此第二导电层131b和透明导电层之间的电阻或电流密度132可以减小。此外，由于多个突起640，可以增大透明导电层132的表面积并且可以增大接触电极130和阴极123之间的接触面积。
因此，在根据本公开的另一示例性实施例的显示装置600中，可以通过使用与接触电极130相邻的任何一个绝缘层来容易地设计多个突起640。由与显示区域AA中的各种组件相同的材料制成的接触电极130的第一导电层131a、第二导电层131b和透明导电层132可以形成有插入的多个绝缘层。例如，缓冲层111和栅绝缘层112可以形成在第一导电层131a和第二导电层131b之间。此外，钝化层113和平坦化层114可以形成在第二导电层131b和透明导电层132之间。在这种情况下，用以暴露第一导电层131a、第二导电层131b和透明导电层132的开口或接触孔可以形成在多个绝缘层的至少部分中。因此，第一导电层131a、第二导电层131b和透明导电层132可以彼此电连接。此外，当形成开口和接触孔时，可以通过留下绝缘层的部分以与接触电极130重叠来容易地形成多个突起640。当在多个绝缘层中形成开口或接触孔时，形成了多个突起640。因此，不需要执行用于形成多个突起640的单独掩模工艺。因此，在根据本公开的另一示例性实施例的显示装置600中，通过使用与接触电极130相邻的多个绝缘层，多个突起640可以容易地形成在各个位置处。
图7和图8是示出根据本公开的各种示例性实施例的显示装置的接触电极的平面视图。在图7和图8中，为了描述方便，仅示出了接触电极130的透明导电层132、多个突起740和840以及由与多个突起740和840相同的材料制成的绝缘层IN。此外，图7和图8未示出透明导电层132的阴影线，而仅示出了绝缘层IN和多个突起740和840的阴影线。
参考图7和图8，包括第一导电层131a、第二导电层131b和透明导电层132的接触电极130设置在非显示区域NA中。此外，包括缓冲层111、栅绝缘层112、钝化层113和平坦化层114的多个绝缘层IN设置在接触电极130的第一导电层131a、第二导电层131b和透明导电层132中的每者之间。
此外，与接触电极130重叠的多个突起740和840可以通过使用多个绝缘层IN中的至少一者来形成。例如，由缓冲层111和栅绝缘层112形成的多个突起740和840或者由钝化层113和平坦化层114形成的多个突起740和840可以设置为与接触电极130重叠。在这种情况下，多个突起740和840可以形成为各种形状。
例如，参考图7，多个突起740设置为与接触电极130重叠并且彼此间隔开。多个突起740可以彼此分离并形成为岛。在这种情况下，多个突起740之间的孔740H可以以网状形式彼此连接。
参考图8，设置与接触电极130重叠并且彼此连接和集成的突起840。多个孔840H可以设置在彼此连接和集成的突起840内部。突起840可以以网状形式彼此连接。突起840可以是绝缘层IN的从绝缘层IN朝向接触电极130延伸的部分。也就是说，突起840和绝缘层IN可以彼此集成，并且突起840之间的孔840H可以彼此分离并形成为岛。
同时，图7和图8示出了当从上方观察时，多个突起740和840以及多个孔740H和840H为矩形。然而，当从上方观察时，多个突起740和840以及多个孔740H和840H可以是圆形或多边形，但不限于此。
因此，在根据本公开的各种示例性实施例的显示装置700和800中，可以将多个突起740和840设计成各种形状。例如，参考图7，设置为与接触电极130重叠的多个突起740可以彼此间隔开并形成为岛。参考图8，多个突起840可以以网状形式彼此连接。在这种情况下，多个孔840H形成为在突起840之间彼此间隔开的岛。因此，由于网状形式的突起840，接触电极130可以具有凸部，并且由于多个孔840H，接触电极130可以具有凹部。因此，在根据本公开的各种示例性实施例的显示装置700和800中，多个突起740和840可以设计成各种形状，诸如岛、网、圆或多边形。
本公开的示例性实施例还可以描述如下：
根据本公开的一方面，提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基板，包括显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域；多个发光二极管，设置在所述显示区域中，并且每个发光二极管包括阴极；接触电极，设置在所述非显示区域中，并且向所述阴极提供低电位电源电压；以及多个绝缘层，设置在所述基板上。所述多个绝缘层中的至少一者包括多个突起，所述多个突起设置为在所述基板和所述接触电极之间与所述接触电极重叠，并且所述接触电极由与所述多个突起重叠的凸部和所述多个突起之间的凹部组成。
所述多个突起可以设置为彼此间隔开。
所述多个突起可以彼此连接和集成，并且所述多个孔可以设置在彼此集成的所述多个突起之间。
所述接触电极可以包括：第一导电层，设置在所述基板上；第二导电层，设置在所述第一导电层上；以及透明导电层，设置在所述第二导电层上并与所述阴极接触。
所述多个绝缘层可以包括：缓冲层，设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间；栅绝缘层，设置在所述缓冲层和所述第二导电层之间；钝化层，设置在所述第二导电层和所述透明导电层之间；以及平坦化层，设置在所述钝化层和所述透明导电层之间。
所述多个突起可以设置在所述透明导电层和所述第二导电层之间，并且所述透明导电层可以包括所述凸部和所述凹部。
所述多个绝缘层中的所述钝化层和所述平坦化层可以包括所述多个突起，并且所述多个突起可以包括：第一层，由与所述钝化层相同的材料制成；以及第二层，由与所述平坦化层相同的材料制成。
所述多个突起可以设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间，并且所述第二导电层和所述透明导电层可以包括所述凸部和所述凹部。
所述多个绝缘层中的所述缓冲层和所述栅绝缘层可以包括所述多个突起，并且所述多个突起可以包括：第一层，由与所述缓冲层相同的材料制成；以及第二层，由与所述栅绝缘层相同的材料制成。
所述缓冲层、所述栅绝缘层、所述钝化层和所述平坦化层中的至少任何一者可以包括所述多个突起。
所述显示装置还可以包括：遮光层，在所述显示区域中设置在所述基板上；以及晶体管，设置在所述遮光层上，并包括栅电极、源电极和漏电极。所述第一导电层可以由与所述遮光层相同的材料制成，并且所述第二导电层可以由与所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的任何一者相同的材料制成。
所述多个发光二极管中的每者还可以包括所述基板和所述阴极之间的阳极，并且所述透明导电层可以由与所述阳极相同的材料制成。
尽管已经参考附图详细描述了本公开的示例性实施例，但是本公开不限于此并且可以在不背离本公开的技术概念的情况下以许多不同的形式实施。因此，提供本公开的示例性实施例仅用于说明的目的，而不旨在限制本公开的技术概念。本公开的技术概念的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施例在所有方面都是示例性的，并不限制本公开。应基于以下权利要求来解释本公开的保护范围，并且其等同范围内的所有技术概念均应解释为落入本公开的范围之内。

Claims (12)

1.一种显示装置，包括：
基板，包括显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域；
多个发光二极管，设置在所述显示区域中，并且每个发光二极管包括阴极；
接触电极，设置在所述非显示区域中，并且向所述阴极提供低电位电源电压；以及
多个绝缘层，设置在所述基板上，
其中，所述多个绝缘层中的至少一者包括多个突起，所述多个突起设置为在所述基板和所述接触电极之间与所述接触电极重叠，并且
所述接触电极由与所述多个突起重叠的凸部和所述多个突起之间的凹部组成。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个突起设置为彼此间隔开。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个突起彼此连接和集成，并且
所述多个孔设置在彼此集成的所述多个突起之间。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述接触电极包括：
第一导电层，设置在所述基板上；
第二导电层，设置在所述第一导电层上；以及
透明导电层，设置在所述第二导电层上并与所述阴极接触。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述多个绝缘层包括：
缓冲层，设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间；
栅绝缘层，设置在所述缓冲层和所述第二导电层之间；
钝化层，设置在所述第二导电层和所述透明导电层之间；以及
平坦化层，设置在所述钝化层和所述透明导电层之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述多个突起设置在所述透明导电层和所述第二导电层之间，并且
所述透明导电层包括所述凸部和所述凹部。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述多个绝缘层中的所述钝化层和所述平坦化层包括所述多个突起，并且
所述多个突起包括：
第一层，由与所述钝化层相同的材料制成；以及
第二层，由与所述平坦化层相同的材料制成。
8.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述多个突起设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间，并且
所述第二导电层和所述透明导电层包括所述凸部和所述凹部。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述多个绝缘层中的所述缓冲层和所述栅绝缘层包括所述多个突起，并且
F22-0343CN001
所述多个突起包括：
第一层，由与所述缓冲层相同的材料制成；以及
第二层，由与所述栅绝缘层相同的材料制成。
10.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述缓冲层、所述栅绝缘层、所述钝化层和所述平坦化层中的至少任何一者包括所述多个突起。
11.根据权利要求4所述的显示装置，还包括：
遮光层，在所述显示区域中设置在所述基板上；以及
晶体管，设置在所述遮光层上，并包括栅电极、源电极和漏电极，
其中，所述第一导电层由与所述遮光层相同的材料制成，并且
所述第二导电层由与所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的任何一者相同的材料制成。
12.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述多个发光二极管中的每者还包括所述基板和所述阴极之间的阳极，并且
所述透明导电层由与所述阳极相同的材料制成。
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