CN116300151A - 一种基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片，包括：自下而上的衬底支撑层、介质层、薄膜铌酸锂波导层和波导上包层；衬底支撑层、介质层和波导上包层用于保护薄膜铌酸锂波导层；在薄膜铌酸锂波导层上制备电光频梳器件；电光频梳器件包括：输入模块、强度调制模块、相位调制模块和输出模块，所述输入模块、所述强度调制模块、所述相位调制模块和所述输出模块连接；本发明基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片可产生数量较多且具有较高平坦度的梳状光谱曲线，在光通信、光探测与测距、光计算、传感与光谱学等领域具有广泛应用；器件的制备是采用标准半导体工艺，工艺技术成熟，有效降低成本，提升器件的批量生产能力。

Description

一种基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片
技术领域
本发明属于集成光学器件技术领域，尤其涉及一种基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片。
背景技术
在集成光学系统中，电光频梳器件在光通信、光探测与测距、光计算、微波光子学和传感与光谱学等领域具有众多应用，电光频梳的产生已成为业界研究的热点。目前，宽频的片上电光梳通常在具有高品质因子的微谐振器中产生，对制备工艺提出了很高的要求。一种更直接和灵活的非谐振方法是通过单个或级联电光相位调制器来实现，而这种方案通常需要较高的驱动功率。因此，考虑到片上系统高集成度和低功耗的需求，实现低功耗、低损耗和小尺寸的片上电光频梳器件成为发展的必然趋势。铌酸锂材料具有优异的电光、光学非线性、声光、铁电、压电等特性，以及宽带的光学透明窗口和较高的光学折射率，是一种非常有价值的光学材料。由于材料铌酸锂在结构、尺寸及功能上具有诸多缺陷，因此研发了兼具铌酸锂材料优质特性并且器件集成度更高的绝缘衬底上的铌酸锂材料平台(也称为薄膜铌酸锂平台)。薄膜铌酸锂平台由硅衬底、二氧化硅绝缘层以及单晶薄膜铌酸锂器件层构成，具有器件层与包层折射率差大、波导截面尺寸小、光场能量密度更高、器件更紧凑等特性，并且薄膜铌酸锂继承了材料铌酸锂几乎所有优异的材料特性，因此受到了广泛关注。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提出了一种基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片，基于薄膜铌酸锂平台来制备电光频梳器件，利用铌酸锂材料优异的线性电光效应和薄膜铌酸锂平台较高的折射率差，基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片可具有功耗低、损耗低和尺寸紧凑等优异特性，满足实际应用需求，具有广阔的应用前景。
为实现上述目的，本发明提供了一种基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片，包括：自下而上的衬底支撑层、介质层、薄膜铌酸锂波导层和波导上包层；所述衬底支撑层、所述介质层和所述波导上包层用于保护所述薄膜铌酸锂波导层；在所述薄膜铌酸锂波导层上制备电光频梳器件；
所述电光频梳器件包括：输入模块、强度调制模块、相位调制模块和输出模块，所述输入模块、所述强度调制模块、所述相位调制模块和所述输出模块连接；所述输入模块，用于输入光信号；
所述强度调制模块，用于产生一个相对狭窄且平顶的光脉冲序列；
所述相位调制模块，用于展宽光脉冲序列，获得具有高平坦度的电光频梳谱线；
所述输出模块，用于输出光信号。
可选的，所述输入模块包括输入端波导，所述输入端波导用于输入光信号。
可选的，所述强度调制模块包括第一分束器、干涉臂波导、强度调制电极和第一合束器，所述第一分束器、所述干涉臂波导和第一合束器依次连接；所述强度调制电极置于所述干涉臂波导两侧。
可选的，所述相位调制模块包括第一级联波导、相位调制电极、第一相位调制波导、第二级联波导、第二相位调制波导、可调谐延迟线单元、第三相位调制波导、第三级联波导、第四相位调制波导和第四级联波导；所述第一级联波导、所述第一相位调制波导、所述第二级联波导、所述第二相位调制波导、所述可调谐延迟线单元、所述第三相位调制波导、所述第三级联波导、所述第四相位调制波导和所述第四级联波导依次连接；所述相位调制电极置于所述第一相位调制波导、第二相位调制波导、第三相位调制波导和第四相位调制波导两侧；所述第一相位调制波导、所述第二相位调制波导、所述第三相位调制波导和所述第四相位调制波导相互平行；所述第二级联波导和所述第四级联波导相互交叉，所述第二级联波导和所述第四级联波导交叉处为90°的十字形。
可选的，所述输出模块包括输出波导，所述输出波导用于输出光信号。
可选的，所述可调谐延迟线单元包括第一马赫曾德尔型可调谐光开关、光波导延迟线组合和第二马赫曾德尔型可调谐光开关，所述第一马赫曾德尔型可调谐光开关和所述第二马赫曾德尔型可调谐光开关均与所述光波导延迟线组合连接，所述第一马赫曾德尔型可调谐光开关和所述第二马赫曾德尔型可调谐光开关相互平行。
可选的，所述第一马赫曾德尔型可调谐光开关包括第二分束器、第一光开关干涉臂、第一光开关电极和第二合束器，所述第二分束器、所述第一光开关干涉臂和所述第二合束器依次连接；所述第一光开关电极置于所述第一光开关干涉臂。
可选的，所述第二马赫曾德尔型可调谐光开关包括第三分束器、第二光开关干涉臂、第二光开关电极和第三合束器，所述第三分束器、所述第二光开关干涉臂和所述第三合束器依次连接；所述第二光开关电极置于所述第二光开关干涉臂两侧。
本发明技术效果：本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片，通过设计基于薄膜铌酸锂的强度调制器，利用马赫曾德尔干涉器结构和铌酸锂优异的线性电光效应来展宽输入激光，产生一个相对狭窄和平顶的光脉冲序列；随后通过设计由正弦波信号来驱动相位调制器对光脉冲序列进一步展宽，可获得具有高平坦度的电光频梳谱线。基于薄膜铌酸锂的相位调制器具有四路相位调制波导，通过设计可调谐延迟线单元，相位调制电极的微波相速度与相位调制波导中的光信号群速度相互配合，使得相位调制电极的微波相速度与四路相位调制波导中光的群速度相匹配来获得更高的调制带宽。本申请通过设计折叠型相位调制器，在增加相位调制波导的长度的同时降低了器件的尺寸，可在显著降低调制功耗的同时实现器件的小型化。采用薄膜铌酸锂平台利用铌酸锂材料的线性电光效应和材料平台的高折射率差，有利于增加器件的调制效率并降低器件损耗和尺寸；基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片可产生数量较多且具有较高平坦度的梳状光谱曲线，在光通信、光探测与测距、光计算、传感与光谱学等领域具有广泛应用；器件的制备是采用标准半导体工艺，工艺技术成熟，可以有效降低成本，提升器件的批量生产能力。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片的结构示意图；
图2为本发明实施例采用的薄膜铌酸锂平台的截面示意图；
图3为本发明实施例可调谐延迟线单元的示意图；
图4为本发明实施例基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片的工作原理示意图；
图5为本发明实施例电光频梳光谱的产生过程示意图；
其中，1-输入端波导；2-第一分束器；3-干涉臂波导；4-强度调制电极；5-第一合束器；6-第一级联波导；7-相位调制电极；8-第一相位调制波导；9-第二级联波导；10-第二相位调制波导；11-可调谐延迟线单元；12-第三相位调制波导；13-第三级联波导；14-第四相位调制波导；15-第四级联波导；16-输出波导；17-衬底支撑层；18-介质层；19-薄膜铌酸锂波导层；20-波导上包层；21-第二分束器；22-第一光开关干涉臂；23-第一光开关电极；24-第二合束器；25-光波导延迟线组合；26-第三合束器；27-第二光开关电极；28-第二光开关干涉臂；29-第三分束器。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
如图1所示，本实施例中提供一种基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片，包括：自下而上的衬底支撑层17、介质层18、薄膜铌酸锂波导层19和波导上包层20；衬底支撑层17、介质层18和波导上包层20用于保护薄膜铌酸锂波导层19；在薄膜铌酸锂波导层19上制备电光频梳器件；
电光频梳器件包括：输入模块、强度调制模块、相位调制模块和输出模块，输入模块、强度调制模块、相位调制模块和输出模块连接；输入模块，用于输入光信号；强度调制模块，用于产生一个相对狭窄且平顶的光脉冲序列；相位调制模块，用于展宽光脉冲序列，获得具有高平坦度的电光频梳谱线；输出模块，用于输出光信号。
电光频梳器件的光波导结构从左至右包括输入端波导1、第一分束器2、干涉臂波导3、第一合束器5、第一级联波导6、第一相位调制波导8、第二级联波导9、第二相位调制波导10、可调谐延迟线单元11、第三相位调制波导12、第三级联波导13、第四相位调制波导14、第四级联波导15、和输出波导16。
薄膜铌酸锂平台包括衬底支撑层、介质层、薄膜铌酸锂波导层和波导上包层结构的裸芯片，是指没有在薄膜铌酸锂层上加工器件的裸片；
电光频梳器件是指在平台中的薄膜铌酸锂层上加工制备的所有波导结构的总称；
电光频梳芯片是指在薄膜铌酸锂平台中的薄膜铌酸锂层上加工了器件，即芯片包括平台和器件。
如图2所示，薄膜铌酸锂平台自下而上依次包含衬底支撑层17、介质层18、薄膜铌酸锂波导层19和波导上包层20。电光频梳器件制备于薄膜铌酸锂平台中的薄膜铌酸锂波导层19。其中，厚度范围为100～2000nm。衬底支撑层17、介质层18和波导上包层20保护薄膜铌酸锂波导层19，且介质层18和波导上包层20的折射率低于薄膜铌酸锂波导层19。
在本实施例中，衬底支撑层17为硅材料，介质层18为二氧化硅材料，薄膜铌酸锂波导层19为x切的薄膜铌酸锂材料且厚度为500nm，波导上包层20为二氧化硅材料。电光频梳器件的光波导均在薄膜铌酸锂平台中的薄膜铌酸锂波导层19制备，光波导的横截面均为凸字形，脊高260nm。
在本实施例中，电光频梳器件由输入波导、强度调制器、相位调制器和输出波导组成。其中，输入波导与强度调制器连接的波导宽度设置为单模波导宽度1μm，输出波导与相位调制器连接的波导宽度也设置为单模波导宽度1μm。输入波导和输出波导可设计为模斑转换器或耦合光栅，外部光源或产生的电光频梳光谱可通过水平耦合或者垂直耦合的方式输入或输出电光频梳器件。
强度调制器从左至右由第一分束器2、干涉臂波导3、强度调制电极4和第一合束器5组成。其中，第一分束器2和第一合束器5均设置为1×2型3-dB多模干涉耦合器。
为了降低器件损耗，第一分束器2的输入波导为锥形波导，波导宽度由单模波导宽度1μm增加到2μm；与多模干涉区连接的波导也为锥形波导，波导宽度由2μm减小到单模波导宽度1μm，且在弯曲部分保持单模波导宽度，当与干涉臂波导3连接时设置为锥形波导，波导宽度由1μm增加到3.5μm。
干涉臂波导3为两条直波导，波导宽度设置为3.5μm；波导两侧设置了强度调制电极4，强度调制电极4为行波电极，可通过调整行波电极与干涉臂波导3的间距，在保证调制效率的同时降低波导损耗。
第一合束器5的输入端波导1在与干涉臂波导3连接时为锥形波导，波导宽度由3.5μm减小到单模波导宽度1μm，并在弯曲处保持单模波导宽度，在与多模干涉区连接时设置为锥形波导，波导宽度由1μm增加到2μm。第一合束器5的输出波导16也为锥形波导，波导宽度由2μm减小到单模波导宽度1μm。
强度调制器首先通过第一分束器2将输入的光信号分为均等的两部分，并传送到强度调制区的两段干涉臂波导3中。强度调制电极4将调制电场施加到两段干涉臂波导3上，并利用铌酸锂材料的电光效应来改变干涉臂波导3的有效折射率，从而使通过干涉臂波导3的光信号进行相位调制。紧接着，当两个干涉臂波导3上传送的光信号在第一合束器5处会合时，这两束光信号之间进行干涉，将相位调制转换为强度调制，可获得一个相对狭窄且平顶的脉冲光谱。
相位调制器在薄膜铌酸锂波导层19上制备，包括第一级联波导6、相位调制电极7、第一相位调制波导8、第二级联波导9、第二相位调制波导10、可调谐延迟线单元11、第三相位调制波导12、第三级联波导13、第四相位调制波导14和第四级联波导15。其中，第一相位调制波导8、第二相位调制波导10、第三相位调制波导12和第四相位调制波导14相互平行，第二级联波导9和第四级联波导15相互交叉，设置两段级联波导交叉处为90°的十字形，以减小波导交叉带来的损耗和串扰。
为了降低器件损耗，第一级联波导6与1×2型合束器5的输出波导16连接，在弯曲处保持单模波导宽度1μm，在与第一相位调制波导8的连接处为锥形波导，波导宽度由1μm增加到3.5μm；第一相位调制波导8为直波导，波导宽度设置为3.5μm；第二级联波导9在与第一相位调制波导8的连接处为锥形波导，波导宽度由3.5μm减小到1μm，并在弯曲处保持单模波导宽度1μm，在与第二相位调制波导10的连接处为锥形波导，波导宽度由1μm增加到3.5μm；第二相位调制波导10为直波导，波导宽度设置为3.5μm；可调谐延迟线单元11与第二相位调制波导10和第三相位调制波导12连接；第三相位调制波导12为直波导，波导宽度设置为3.5μm；第三级联波导13在与第三相位调制波导12的连接处为锥形波导，波导宽度由3.5μm减小到1μm，并在弯曲处保持单模波导宽度1μm，在与第四相位调制波导14的连接处为锥形波导，波导宽度由1μm增加到3.5μm；第四相位调制波导14为直波导，波导宽度设置为3.5μm；第四级联波导15设置为锥形波导，波导宽度由3.5μm减小到1μm。
可调谐延迟线单元11的结构如图3所示，包括两个马赫曾德尔型可调谐光开关和光波导延迟线组合25。其中，第一个马赫曾德尔型可调谐光开关由第二分束器21、第一光开关干涉臂22、第一光开关电极23和第二合束器24组成，第二分束器21和第二合束器24均设计为1×2型3-dB多模干涉耦合器。第二马赫曾德尔型可调谐光开关包括第三分束器29、第二光开关干涉臂28、第二光开关电极27和第三合束器26，第三分束器29、第二光开关干涉臂28、第二光开关电极27和第三合束器26依次连接。第三分束器29为1×2型分束器，第三合束器26为2×2型合束器。第二分束器21的输入波导在与第二相位调制波导10的连接处为锥形波导，波导宽度由3.5μm减小到单模宽度1μm，并在弯曲部分保持单模宽度；在与多模干涉区连接时设计为锥形波导，波导宽度由1μm增加到2μm；输出波导16在与多模干涉区连接处也为锥形波导，波导宽度由2μm减小到单模波导宽度1μm，且在弯曲部分保持单模波导宽度；当与第一光开关干涉臂22连接时设置为锥形波导，波导宽度由1μm增加到3.5μm。第一光开关干涉臂22宽度为3.5μm，波导两边放置了电光调谐电极23。第二合束器24在与第一光开关干涉臂22连接处为锥形波导，波导宽度由3.5μm减小到单模宽度1μm，并在弯曲部分保持单模宽度；在与多模干涉区连接时设计为锥形波导，波导宽度由1μm增加到2μm；输出波导16在与多模干涉区连接处也为锥形波导，波导宽度由2μm减小到单模波导宽度1μm，且在弯曲部分保持单模波导宽度。光波导延迟线组合25由两段长度不同的波导组成，波导在直波导处宽度设置为3.5μm，在弯曲波导处设置为单模宽度1μm，直波导和弯曲波导之间用锥形波导连接。第二个马赫曾德尔型可调谐光开关与第一个马赫曾德尔型可调谐光开关的设计相同。
相位调制电极7为行波电极，设置为直行电极和弯曲电极，直行电极分别设置在第一相位调制波导8、第二相位调制波导10、第三相位调制波导12和第四相位调制波导14的两侧，直行电极的连接处为弯曲电极。当行波电极的微波相速度与光信号的群速度相匹配时，能够获得更高的调制带宽。因此，通过可调谐延迟线单元11，能够对光信号进行可调谐、大带宽的延迟和调相，可实现相位调制电极7的微波相速度与相位调制波导中的光信号群速度相互配合，相位调制在四段相位调制波导中的进行叠加。通过设计直行电极的长度与相应的相位调制波导长度相等，弯曲电极的等效长度与相应的级联波导的长度相等(或为倍数)，使得直行电极的微波相速度和相位调制波导中光信号的群速度尽可能地接近(或为倍数)，来降低相位调制器中由于微波相速度与光信号群速度不匹配而导致的带宽衰减。电光频梳器件中的所有电极均为Ti\Au电极，厚度分别为20nm\1μm。
四段相位调制波导平行放置，第一相位调制波导8和第三相位调制波导12的光信号传输方向相同，通过设计第一相位调制波导8和第三相位调制波导12中光信号的群速度与相位调制电极7的微波相速度相同(或为倍数)，以消除相位延迟，在第一相位调制波导8和第三相位调制波导12上施加相反的电场方向，来获得相位调制的叠加。相同的，第二相位调制波导10和第四相位调制波导14的光信号传输方向相同，通过设计第二相位调制波导10和第四相位调制波导14中光信号的群速度与相位调制电极7的微波相速度相同(或为倍数)，在第二相位调制波导10和第四相位调制波导14上施加相反的电场方向，可获得相位调制的叠加。通过四段相位调制的叠加，可大幅降低调制电压，从而极大提高相位调制器的调制效率。
基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片的工作原理如图4所示，电光频梳光谱在频域上的产生过程如图5所示。
强度调制器由频率为fRF的微波信号驱动，其输出光场为
Figure BDA0004166222570000101
式中，E0为输入激光的光场振幅；
Figure BDA0004166222570000102
为强度调制器的直流偏置，其中VDC为输入强度调制器的直流偏置电压，Vπ0-MZM为强度调制器对于直流信号的半波电压；mMZM＝πVMZM/Vπ-MZM为强度调制器的调制系数，其中VMZM为输入强度调制器的微波信号电压振幅，Vπ-MZM为强度调制器对于频率为fRF微波信号的半波电压。
强度调制器偏置于半透射点，即
Figure BDA0004166222570000111
通过调节输入微波信号的功率保证其电压振幅满足mMZM＝π/4，则强度调制器实现脉冲成形器功能，将输入激光转换为重复频率为fRF的光脉冲序列。
强度调制器输出的光脉冲序列进入同样由频率为fRF的微波信号驱动的相位调制器，其输出光场为
Figure BDA0004166222570000112
式中mPM＝πVPM/Vπ-PM为相位调制器的调制系数，其中VPM为输入相位调制器的微波信号电压振幅，Vπ-PM为相位调制器对于频率为fRF微波信号的半波电压；td为输入相位调制器的光脉冲与微波信号之间的延迟，由相移器进行控制。通过调节td使得微波信号的谷或峰与光脉冲同步，从而展宽光脉冲的频谱，产生电光频梳光谱。通过控制强度调制器的偏置工作点，控制电光频梳光谱的平坦度。
以上，仅为本申请较佳的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片，其特征在于，包括：
自下而上的衬底支撑层(17)、介质层(18)、薄膜铌酸锂波导层(19)和波导上包层(20)；所述衬底支撑层(17)、所述介质层(18)和所述波导上包层(20)用于保护所述薄膜铌酸锂波导层(19)；在所述薄膜铌酸锂波导层(19)上制备电光频梳器件；
所述电光频梳器件包括：输入模块、强度调制模块、相位调制模块和输出模块，所述输入模块、所述强度调制模块、所述相位调制模块和所述输出模块连接；所述输入模块，用于输入光信号；
所述强度调制模块，用于产生一个相对狭窄且平顶的光脉冲序列；
所述相位调制模块，用于展宽光脉冲序列，获得具有高平坦度的电光频梳谱线；
所述输出模块，用于输出光信号。
2.如权利要求1所述的基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片，其特征在于，
所述输入模块包括输入端波导(1)，所述输入端波导(1)用于输入光信号。
3.如权利要求1所述的基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片，其特征在于，
所述强度调制模块包括第一分束器(2)、干涉臂波导(3)、强度调制电极(4)和第一合束器(5)，所述第一分束器(2)、所述干涉臂波导(3)和第一合束器(5)依次连接；所述强度调制电极(4)置于所述干涉臂波导(3)两侧。
4.如权利要求3所述的基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片，其特征在于，
所述相位调制模块包括第一级联波导(6)、相位调制电极(7)、第一相位调制波导(8)、第二级联波导(9)、第二相位调制波导(10)、可调谐延迟线单元(11)、第三相位调制波导(12)、第三级联波导(13)、第四相位调制波导(14)和第四级联波导(15)；所述第一级联波导(6)、所述第一相位调制波导(8)、所述第二级联波导(9)、所述第二相位调制波导(10)、所述可调谐延迟线单元(11)、所述第三相位调制波导(12)、所述第三级联波导(13)、所述第四相位调制波导(14)和所述第四级联波导(15)依次连接；所述相位调制电极(7)置于所述第一相位调制波导(8)、第二相位调制波导(10)、第三相位调制波导(12)和第四相位调制波导(14)两侧；所述第一相位调制波导(8)、所述第二相位调制波导(10)、所述第三相位调制波导(12)和所述第四相位调制波导(14)相互平行；所述第二级联波导(9)和所述第四级联波导(15)相互交叉，所述第二级联波导(9)和所述第四级联波导(15)交叉处为90°的十字形。
5.如权利要求1所述的基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片，其特征在于，
所述输出模块包括输出波导(16)，所述输出波导(16)用于输出光信号。
6.如权利要求4所述的基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片，其特征在于，
所述可调谐延迟线单元(11)包括第一马赫曾德尔型可调谐光开关、光波导延迟线组合(25)和第二马赫曾德尔型可调谐光开关，所述第一马赫曾德尔型可调谐光开关和所述第二马赫曾德尔型可调谐光开关均与所述光波导延迟线组合(25)连接，所述第一马赫曾德尔型可调谐光开关和所述第二马赫曾德尔型可调谐光开关相互平行。
7.如权利要求6所述的基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片，其特征在于，
所述第一马赫曾德尔型可调谐光开关包括第二分束器(21)、第一光开关干涉臂(22)、第一光开关电极(23)和第二合束器(24)，所述第二分束器(21)、所述第一光开关干涉臂(22)和所述第二合束器(24)依次连接；所述第一光开关电极(23)置于所述第一光开关干涉臂(22)。
8.如权利要求6所述的基于薄膜铌酸锂的电光频梳芯片，其特征在于，
所述第二马赫曾德尔型可调谐光开关包括第三分束器(29)、第二光开关干涉臂(28)、第二光开关电极(27)和第三合束器(26)，所述第三分束器(29)、所述第二光开关干涉臂(28)和所述第三合束器(26)依次连接；所述第二光开关电极(27)置于所述第二光开关干涉臂(28)两侧。
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