CN116299849A - 一种基于薄膜铌酸锂的波长-模式混合复用/解复用器 - Google Patents
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- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 49
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 164
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 39
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 25
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 25
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1228—Tapered waveguides, e.g. integrated spot-size transformers
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12035—Materials
- G02B2006/1204—Lithium niobate (LiNbO3)
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12083—Constructional arrangements
- G02B2006/12088—Monomode
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12083—Constructional arrangements
- G02B2006/1209—Multimode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12133—Functions
- G02B2006/12147—Coupler
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12133—Functions
- G02B2006/12164—Multiplexing; Demultiplexing
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Abstract
本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂的波长‑模式混合复用/解复用器，包括两个光耦组和一个模式复用/解复用器，每个光耦组均由依次相连的四个光辅耦合器构成，每个光耦组中位于两端的光辅耦合器分别与模式复用/解复用器相连。该混合复用/解复用器采用两段式级联结构，先复用波长信号，再复用模式信号。由光栅辅助的反向耦合器结构完成波长复用功能，定向耦合器结构完成模式复用功能。基于氮化硅负载层使用标准商业化的CMOS工艺完成模波导制造，该结构与薄膜铌酸锂电光调制器阵列的单片集成有望构建高速、大容量、低成本的集成光子电路，扩展光互连的通信容量。
Description
技术领域
本发明属于集成光子学技术领域，涉及一种基于薄膜铌酸锂的波长-模式混合复用/解复用器。
背景技术
铌酸锂拥有出色的电光、声光和光学非线性效应，是光通信领域非常重要的材料。近年来，随着铌酸锂成膜工艺的发展，研究人员通过从体铌酸锂晶体中剥离一层铌酸锂薄膜并将其键合到绝缘体衬底上，成功制造了一种绝缘体上薄膜铌酸锂（简称“薄膜铌酸锂”）的集成光子材料平台。薄膜铌酸锂既保留了铌酸锂优异的材料属性，又通过波导芯层和包层的高折射率差提供了紧凑的波导尺寸，方便了光子器件的片上集成。目前已经有大量基于薄膜铌酸锂的集成光子器件被报道，其中代表性的工作是哈佛大学的研究团队提出的具有CMOS兼容的驱动电压的电光调制器（“Integrated lithium niobate electro-opticmodulatorsoperating at CMOS-compatible voltages,”Nature 562(7725), 101-104(2018)），随后美国HyperLight公司的研究人员又通过改进“行波电极”的设计将薄膜铌酸锂电光调制器的带宽提升至100 GHz（“Breaking voltage–bandwidth limits inintegratedlithium niobate modulators using micro-structuredelectrodes,”Optica 8(3), 357-363(2021)），这些工作极大地推动了薄膜铌酸锂集成光子器件的发展。
光学复用/解复用器是一种重要的集成光子器件，它可以为光互连的通信容量提供成倍的增长空间，从而有效地缓解数据增长对调制器性能造成的压力。正因如此，光学复用/解复用器已经在其他集成光子材料平台中得到了广泛的研究，电光调制器与光学复用/解复用器的单片集成也是实现高速、大容量、低成本的集成光子电路的基础架构。得益于薄膜铌酸锂电光调制器的高速、大带宽等特性，在该平台上实现光学复用/解复用显得更具有吸引力。
目前也有一些基于薄膜铌酸锂的光学复用/解复用器的工作报道。这些工作大多基于光的单一物理维度（如波长），利用载波与载波之间互不干扰的特性达到扩展信道数和通信容量的目的。然而，受限于成本、物理机制、工艺难度等因素，单一物理维度下复用与解复用的信道数仍然有限。
发明内容
本发明的目的是提供一种利用来自多个物理维度的信号作为载波的基于薄膜铌酸锂的波长-模式混合复用/解复用器，实现波长信道和模式信道的混合复用。
为此，本发明采用如下技术方案：一种基于薄膜铌酸锂的波长-模式混合复用/解复用器，包括两个光耦组和一个模式复用/解复用器，每个光耦组均由依次相连的四个光辅耦合器构成，每个光耦组中位于两端的光辅耦合器分别与模式复用/解复用器相连；模式复用/解复用器包括依次相连的三个定向耦合器，每个定向耦合器均包括平行设置的多模波导和单模波导，三根多模波导的宽度不同，三根多模波导通过波导过渡锥依次相连，第一个定向耦合器中的单模波导和第二个定向耦合器中的单模波导与一个光耦组中位于两端的光辅耦合器分别相连，第三个定向耦合器中多模波导的另一端和单模波导分别与另一个光耦组中位于两端的光辅耦合器相连。
本发明混合复用/解复用器中的波导是一种氮化硅负载的薄膜铌酸锂波导，通过在薄膜铌酸锂表面沉积一层氮化硅薄膜，对氮化硅层进行光刻、刻蚀等工艺形成氮化硅-铌酸锂脊型波导。该波导具有以下优势：一、与铌酸锂相比，氮化硅拥有相似但较低的折射率，因此大部分模场仍将分布在铌酸锂层中，这有利于直接利用铌酸锂优异的材料属性实现电光调制器等有源器件；二、与铌酸锂相比，氮化硅拥有类似的宽光学透明窗口，这有利于一些波长转换和非线性过程的实现；三、与铌酸锂相比，氮化硅拥有更成熟且商业化的制造工艺，这有利于实现基于光学微结构（如亚波长光栅）的无源器件和大规模的波导集成。
本发明波长-模式混合复用/解复用器采用两段式级联结构，即先复用波长信号，再复用模式信号。波长复用采用的基础结构单元为光栅辅助的反向耦合器（Gratingassisted contra-directional coupler, GACDC，简称为光辅耦合器），该结构可以实现单波段、平顶、低损耗的波长耦合。与谐振腔式的结构（如微环谐振器）相比，光辅耦合器不受自由频谱范围的限制，可以在固定的波长范围内复用更多的波长信道。此外，光辅耦合器拥有多项结构参数，如波导宽度、光栅宽度、光栅周期及占空比，这些结构参数的变化都对器件的耦合波长有调谐作用，为设计提供了灵活性。通过级联多个光辅耦合器即可构成波分复用/解复用器。模式复用采用的基础结构单元为定向耦合器（Directionalcoupler, DC），该结构可以实现低损耗、大带宽、可扩展的光学模式耦合。保持单模波导的宽度不变，改变多模波导的宽度使光学模式满足不同的相位匹配条件，即可改变耦合的模式阶数。通过级联多个定向耦合器即可构成模式复用/解复用器。
本发明复用/解复用器是混合复用，即利用来自多个物理维度的信号作为载波。由于光不同的物理维度之间也是独立且互不干扰的，因此可以在同一链路中传输更多的信道且性能不受影响。与薄膜铌酸锂电光调制器阵列的单片集成有望构建高速、大容量、低成本的集成光子电路，扩展光互连的通信容量。
附图说明
图1本发明混合复用/解复用器的示意图。
图2是本发明混合复用/解复用器中光辅耦合器的示意图。
图3是本发明混合复用/解复用器中模式复用/解复用器的示意图。
图4是本发明混合复用/解复用器中氮化硅负载的薄膜铌酸锂波导的示意图。
图中：1.第一光辅耦合器，2.第二光辅耦合器，3.第三光辅耦合器，4.第四光辅耦合器，5.第五光辅耦合器，6.第六光辅耦合器，7.第七光辅耦合器，8.第八光辅耦合器，9.第一定向耦合器，10.第二定向耦合器，11.第三定向耦合器，12.第一光辅耦合器直波导，13.光辅耦合器光栅波导，14.第一光栅波导过渡锥，15.第二光栅波导过渡锥，16.第一弯曲波导，17.第二弯曲波导，18.第一单模波导，19.第一多模波导，20.第三弯曲波导，21.第一波导过渡锥，22.第二单模波导，23.第二多模波导，24.第三单模波导，25.第四弯曲波导，26.第二波导过渡锥，27.第四单模波导，28.第五单模波导，29.第三多模波导，30.第三波导过渡锥，31.第五弯曲波导，32.第六单模波导，33.第七单模波导，34.波导包层，35.氮化硅负载层，36.铌酸锂薄膜层，37.二氧化硅掩埋层，38.硅衬底。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。
如图1所示，本发明混合复用/解复用器，包括两个光耦组和一个模式复用/解复用器，每个光耦组均由依次相连的四个光辅耦合器构成，每个光耦组中位于两端的光辅耦合器分别与模式复用/解复用器相连，即：
一个光耦组由依次相连的第一光辅耦合器1、第二光辅耦合器2、第三光辅耦合器3和第四光辅耦合器4组成；另一个光耦组由依次相连的第五光辅耦合器5、第六光辅耦合器6、第七光辅耦合器7和第八光辅耦合器8组成；第一光辅耦合器1、第四光辅耦合器4、第五光辅耦合器5和第八光辅耦合器8分别与模式复用/解复用器相连。第一光辅耦合器1和第五光辅耦合器5相对设置。
八个光辅耦合器的结构完全相同，以第一光辅耦合器1为例进行说明。
如图2，本发明混合复用/解复用器中的第一光辅耦合器1，包括平行设置的第一光辅耦合器直波导12和光辅耦合器光栅波导13，光辅耦合器光栅波导13的一端通过第一光栅波导过渡锥14与第一弯曲波导16相连，第一光栅波导过渡锥14尺寸较小端与光辅耦合器光栅波导13相连，光辅耦合器光栅波导13的另一端通过第二光栅波导过渡锥15与第二弯曲波导17相连，第二光栅波导过渡锥15尺寸较小端与光辅耦合器光栅波导13相连。
同一光耦组内所有光辅耦合器中的光辅耦合器直波导依次相连。同一光耦组内位于两端的光辅耦合器中光辅耦合器直波导的另一端分别与模式复用/解复用器相连。
如图3，本发明混合复用/解复用器中的模式复用/解复用器，包括依次相连的第一定向耦合器9、第二定向耦合器10和第三定向耦合器11。
第一定向耦合器9包括平行设置的第一单模波导18和第一多模波导19，第一单模波导18背离第二定向耦合器10的一端为自由端，第一单模波导18朝向第二定向耦合器10的一端通过第三弯曲波导20与第二单模波导22的一端相连接，第二单模波导22的另一端与第一光辅耦合器1中光辅耦合器直波导的另一端相连；第一多模波导19背离第二定向耦合器10的一端为自由端，第一多模波导19朝向第二定向耦合器10的一端通过第一波导过渡锥21与第二定向耦合器10相连，第一波导过渡锥21中尺寸较小端与第二定向耦合器10相连；
第二定向耦合器10包括平行设置的第二多模波导23和第三单模波导24，第二多模波导23的一端与第一波导过渡锥21尺寸较小端相连，第二多模波导23的另一端通过第二波导过渡锥26与第三定向耦合器11相连，第二波导过渡锥26尺寸较小端与第三定向耦合器11相连；第三单模波导24朝向第一定向耦合器9的一端为自由端，第三单模波导24背离第一定向耦合器9的一端通过第四弯曲波导25与第四单模波导27的一端相连，第四单模波导27的另一端与第四光辅耦合器4中光辅耦合器直波导的另一端相连。
第三定向耦合器11包括平行设置的第五单模波导28和第三多模波导29，第五单模波导28朝向第二定向耦合器10的一端为自由端，第五单模波导28的另一端通过第五弯曲波导31与第七单模波导33的一端相连，第七单模波导33的另一端与第五光辅耦合器5中光辅耦合器直波导的另一端相连；第三多模波导29朝向第二定向耦合器10的一端与第二波导过渡锥26尺寸较小端相连，第三多模波导29背离第二定向耦合器10的一端通过第三波导过渡锥30与第六单模波导32的一端相连，第三波导过渡锥30尺寸较小端与第六单模波导32一端相连，第六单模波导32另一端与第八光辅耦合器8中光辅耦合器直波导的另一端相连。
第一多模波导19的自由端位于第一光辅耦合器1和第五光辅耦合器5之间。
本发明混合复用/解复用器中的波导（包括多模波导和单模波导）均为氮化硅负载的薄膜铌酸锂波导，如图4所示，波导包括从上至下依次设置的波导包层34、铌酸锂薄膜层36、二氧化硅掩埋层37和硅衬底38，铌酸锂薄膜层36上构筑有氮化硅负载层35，氮化硅负载层35位于波导包层34内。波导包层34的材料既可以是二氧化硅也可以是空气。铌酸锂和氮化硅对比以上二氧化硅和空气都具有相对较高的折射率，因此波导对光学模式的限制作用较强。
氮化硅负载的薄膜铌酸锂波导的基本实现方法如下：首先在硅晶圆上沉积二氧化硅掩埋层37，随后将铌酸锂薄膜键合到二氧化硅掩埋层37上，紧接着在铌酸锂薄膜层36表面生长一层氮化硅，最后对氮化硅层进行光刻、刻蚀等工艺形成氮化硅-铌酸锂脊型波导结构。铌酸锂薄膜通过智能切割（Smart cut）技术制备，其详细制备方法可见文献（“Compactlithium niobateelectrooptic modulators,”IEEE J. Sel. Top. QuantumElectron. 24(4), 1–14 (2018)）；氮化硅层采用磁控溅射的方法制备，制备方法可见文献（“Low lossCMOS-compatiblesilicon nitride photonics utilizing reactive sputtered thinfilms,”Opt. Express 27(26), 37795-37805 (2019)）。
第一光辅耦合器1和第五光辅耦合器5的工作波长为λ0，第二光辅耦合器2和第六光辅耦合器6的工作波长为λ1，第三光辅耦合器3和第七光辅耦合器7的工作波长为λ2，第四光辅耦合器4和第八光辅耦合器8的工作波长为λ3。第一定向耦合器9用于最高阶模式TE3的复用与解复用，第二定向耦合器10用于次高阶模式TE2的复用与解复用，第三定向耦合器11用于一阶模式TE1的复用与解复用，最低阶模式TE0的复用与解复用通过接入单模波导直接完成。
所有光辅耦合器均由普通波导（直波导）和光栅波导组成，当光栅波导中的布洛赫模式（TE0）和普通波导中的空间模式（TE0）满足相位匹配条件时，光栅波导中的布洛赫模式会在特定的波段耦合为普通波导中反向传播的空间模式。反向耦合的相位匹配条件可表示为如下形式：n 1+n 2=λ/Λ，n 1是布洛赫模式的有效折射率，n 2是普通波导中反向传播的空间模式的有效折射率，λ是耦合波段的中心波长，Λ是光栅波导的周期。在反向耦合区的两端，通过弯曲波导将光栅波导和普通波导分离。为了降低传输损耗，在光栅波导和弯曲波导之间设置了光栅波导过渡锥，作用是将布洛赫模式缓慢地转变为普通空间模式。得益于光辅耦合器的对称性，光辅耦合器可以进行双向工作，即从输入1端口输入时，反向耦合波长从输出1端口输出，从输入2端口输入时，反向耦合波长从输出2端口输出。
由相位匹配条件可知，当光栅波导中的布洛赫模式和普通波导中的空间模式的折射率发生变化或光栅周期发生变化时，反向耦合波长也会发生变化。因此可以通过调整光辅耦合器的各项结构参数（包括光栅波导宽度、光栅周期、占空比和普通波导宽度）调谐反向耦合波长。此处，选择改变光栅周期来改变各光辅耦合器的反向耦合波长，其他结构参数保持不变。随后，将第一光辅耦合器1、第二光辅耦合器2、第三光辅耦合器3和第四光辅耦合器4的普通波导连接起来构成第一个波分复用/解复用区，将第五光辅耦合器5、第六光辅耦合器6、第七光辅耦合器7和第八光辅耦合器8的普通波导连接起来构成第二个波分复用/解复用区。
模式复用/解复用器中的第一多模波导19、第二多模波导23、第三多模波导29、第一波导过渡锥21、第二波导过渡锥26、第三波导过渡锥30和第六单模波导32构成总线波导。
在第一定向耦合器9中，第一单模波导18与第一多模波导19耦合，使单模波导中的TE0模式与多模波导中的TE3满足相位匹配条件，TE0模式会沿波导传输方向耦合到多模波导中转变为TE3模式。定向耦合的相位匹配条件可表示为如下形式：n 0=n x，n 0是TE0模式的有效折射率，n x是多模波导中高阶模式的有效折射率。在耦合区一端，通过弯曲波导将单模波导与多模波导分离。保持单模波导的宽度不变，通过改变多模波导的宽度，可以使TE0模式与不同的高阶模式满足相位匹配，从而耦合到多模波导中转变为不同高阶模式。因此，设置第三单模波导24与第二多模波导23耦合并使TE0模式与第二多模波导23中的TE2模式满足相位匹配，设置第五单模波导28与第三多模波导29耦合并使TE0模式与第三多模波导29中的TE1模式满足相位匹配。当相位不匹配时，多模波导中的模式与单模波导中的TE0模式无法有效耦合，因此TE0模式的复用与解复用可以通过将第六单模波导32接入总线波导直接完成，耦合产生的TE1、TE2和TE3模式在本耦合区以外的另外两个耦合区也不会耦合出总线波导。为了降低高阶模式的传输损耗，在不同宽度的多模波导之间设置了波导过渡锥，将窄波导中的模场逐渐转变为宽波导中的模场。
随后，将第一光辅耦合器1的空置端（图1左侧）与第一定向耦合器9中的第二单模波导22连接起来，则从第一光辅耦合器1至第四光辅耦合器4输入1端口输入的光会先从该四个光辅耦合器的输出1端口输出（波长分别为λ0、λ1、λ2、λ3，模式为TE0），随后耦合到模式复用/解复用器的总线波导中转变为TE3模式，由此过程复用的四个信道为λ0-TE3、λ1-TE3、λ2-TE3和λ3-TE3。将第四光辅耦合器4的空置端（图1右侧）与第二定向耦合器10中的第四单模波导27连接起来，则从第一光辅耦合器1至第四光辅耦合器4输入2端口输入的光会先从该四个光辅耦合器的输出2输出（波长分别为λ0、λ1、λ2、λ3，模式为TE0），随后耦合到模式复用/解复用器的总线波导中转变为TE2模式，由此过程复用的四个信道为λ0-TE2、λ1-TE2、λ2-TE2和λ3-TE2。将第五光辅耦合器5的空置端（图1左侧）与第三定向耦合器11中的第七单模波导33连接起来，则从第五光辅耦合器5至第八光辅耦合器8输入1端口输入的光会先从该四个光辅耦合器的输出1端口输出（波长分别为λ0、λ1、λ2、λ3，模式为TE0），随后耦合到模式复用/解复用器的总线波导中转变为TE1模式，由此过程复用的四个信道为λ0-TE1、λ1-TE1、λ2-TE1和λ3-TE1。将第八光辅耦合器8的空置端（图1右侧）与第六单模波导32连接起来，则从第五光辅耦合器5至第八光辅耦合器8输入2端口输入的光会先从该四个光辅耦合器的输出2端口输出（波长分别为λ0、λ1、λ2、λ3，模式为TE0），随后输入到模式复用/解复用器的总线波导中，由此过程复用的四个信道为λ0-TE0、λ1-TE0、λ2-TE0和λ3-TE0。解复用为以上所述过程的逆过程。
本发明混合复用/解复用器中波长信道4个（λ0、λ1、λ2、λ3），模式信道4个（横电模-基模TE0、一阶模TE1、二阶模TE2、三阶模TE3），由于波长与波长、模式与模式之间都是彼此独立且互不干扰的，因此可作为载波的信号是波长与模式的两两组合，共16个：λ0-TE0、λ0-TE1、λ0-TE2、λ0-TE3；λ1-TE0、λ1-TE1、λ1-TE2、λ1-TE3；λ2-TE0、λ2-TE1、λ2-TE2、λ2-TE3；λ3-TE0、λ3-TE1、λ3-TE2、λ3-TE3。因此，可以在同一链路中传输更多的信道且性能不受影响。
本发明混合复用/解复用器中所有光辅耦合器均双向工作，每个光辅耦合器均拥有两个输入端和两个输出端，可复用两个信道。
Claims (6)
1.一种基于薄膜铌酸锂的波长-模式混合复用/解复用器，其特征在于，包括两个光耦组和一个模式复用/解复用器，每个光耦组均由依次相连的四个光辅耦合器构成，每个光耦组中位于两端的光辅耦合器分别与模式复用/解复用器相连；模式复用/解复用器包括依次相连的三个定向耦合器，每个定向耦合器均包括平行设置的多模波导和单模波导，三根多模波导的宽度不同，三根多模波导通过波导过渡锥依次相连，第一个定向耦合器中的单模波导和第二个定向耦合器中的单模波导与一个光耦组中位于两端的光辅耦合器分别相连，第三个定向耦合器中多模波导的另一端和单模波导分别与另一个光耦组中位于两端的光辅耦合器相连。
2.如权利要求1所述的基于薄膜铌酸锂的波长-模式混合复用/解复用器，其特征在于，两个光耦组中的一个光耦组由依次相连的第一光辅耦合器（1）、第二光辅耦合器（2）、第三光辅耦合器（3）和第四光辅耦合器（4）组成；另一个光耦组由依次相连的第五光辅耦合器（5）、第六光辅耦合器（6）、第七光辅耦合器（7）和第八光辅耦合器（8）组成；第一光辅耦合器（1）、第四光辅耦合器（4）、第五光辅耦合器（5）和第八光辅耦合器（8）分别与模式复用/解复用器相连；第一光辅耦合器（1）和第五光辅耦合器（5）相对设置；八个光辅耦合器的结构完全相同。
3.如权利要求2所述的基于薄膜铌酸锂的波长-模式混合复用/解复用器，其特征在于，所述第一光辅耦合器（1）包括平行设置的第一光辅耦合器直波导（12）和光辅耦合器光栅波导（13），光辅耦合器光栅波导（13）的一端通过第一光栅波导过渡锥（14）与第一弯曲波导（16）相连，第一光栅波导过渡锥（14）尺寸较小端与光辅耦合器光栅波导（13）相连，光辅耦合器光栅波导（13）的另一端通过第二光栅波导过渡锥（15）与第二弯曲波导（17）相连，第二光栅波导过渡锥（15）尺寸较小端与光辅耦合器光栅波导（13）相连；同一光耦组内所有光辅耦合器中的光辅耦合器直波导依次相连；同一光耦组内位于两端的光辅耦合器中光辅耦合器直波导的另一端分别与模式复用/解复用器相连。
4.如权利要求3所述的基于薄膜铌酸锂的波长-模式混合复用/解复用器，其特征在于，所述模式复用/解复用器包括依次相连的第一定向耦合器（9）、第二定向耦合器（10）和第三定向耦合器（11）；
第一定向耦合器（9）包括平行设置的第一单模波导（18）和第一多模波导（19），第一单模波导（18）背离第二定向耦合器（10）的一端为自由端，第一单模波导（18）朝向第二定向耦合器（10）的一端通过第三弯曲波导（20）与第二单模波导（22）的一端相连接，第二单模波导（22）的另一端与第一光辅耦合器（1）中光辅耦合器直波导的另一端相连；第一多模波导（19）背离第二定向耦合器（10）的一端为自由端，第一多模波导（19）朝向第二定向耦合器（10）的一端通过第一波导过渡锥（21）与第二定向耦合器（10）相连，第一波导过渡锥（21）中尺寸较小端与第二定向耦合器（10）相连；
第二定向耦合器（10）包括平行设置的第二多模波导（23）和第三单模波导（24），第二多模波导（23）的一端与第一波导过渡锥（21）尺寸较小端相连，第二多模波导（23）的另一端通过第二波导过渡锥（26）与第三定向耦合器（11）相连，第二波导过渡锥（26）尺寸较小端与第三定向耦合器（11）相连；第三单模波导（24）朝向第一定向耦合器（9）的一端为自由端，第三单模波导（24）背离第一定向耦合器（9）的一端通过第四弯曲波导（25）与第四单模波导（27）的一端相连，第四单模波导（27）的另一端与第四光辅耦合器（4）中光辅耦合器直波导的另一端相连；
第三定向耦合器（11）包括平行设置的第五单模波导（28）和第三多模波导（29），第五单模波导（28）朝向第二定向耦合器（10）的一端为自由端，第五单模波导（28）的另一端通过第五弯曲波导（31）与第七单模波导（33）的一端相连，第七单模波导（33）的另一端与第五光辅耦合器（5）中光辅耦合器直波导的另一端相连；第三多模波导（29）朝向第二定向耦合器（10）的一端与第二波导过渡锥（26）尺寸较小端相连，第三多模波导（29）背离第二定向耦合器（10）的一端通过第三波导过渡锥（30）与第六单模波导（32）的一端相连，第三波导过渡锥（30）尺寸较小端与第六单模波导（32）一端相连，第六单模波导（32）另一端与第八光辅耦合器（8）中光辅耦合器直波导的另一端相连。
5.如权利要求4所述的基于薄膜铌酸锂的波长-模式混合复用/解复用器，其特征在于，所述的第一单模波导（18）、第一多模波导（19）、第二多模波导（23）、第三单模波导（24）、第五单模波导（28）和第三多模波导（29）均为氮化硅负载的薄膜铌酸锂波导。
6.如权利要求5所述的基于薄膜铌酸锂的波长-模式混合复用/解复用器，其特征在于，所述的薄膜铌酸锂波导包括从上至下依次设置的波导包层（34）、铌酸锂薄膜层（36）、二氧化硅掩埋层（37）和硅衬底（38），铌酸锂薄膜层（36）上构筑有氮化硅负载层（35），氮化硅负载层（35）位于波导包层（34）内。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202310423746.2A CN116299849A (zh) | 2023-04-20 | 2023-04-20 | 一种基于薄膜铌酸锂的波长-模式混合复用/解复用器 |
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| CN (1) | CN116299849A (zh) |
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