CN116299790A - 减反膜的制备方法、减反膜、压印模板和显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种减反膜的制备方法、减反膜、压印模板、显示面板和显示装置，涉及显示技术领域，解决了减反膜的制备工艺复杂、难以控制、良率低，成本高昂的问题。该方法包括：在第一基板上沉积非晶硅层；对非晶硅层进行激光退火，得到多晶硅层，多晶硅层包括晶界凸起，晶界凸起限定出彼此独立的多个凹槽；获取压印膜，并利用多晶硅层对压印膜进行压印，得到减反膜，其中，减反膜包括多个第一凸起，多个第一凸起和多个凹槽一一对应。该方法通过激光退火得到多晶硅层，有利于提高多晶硅层中晶界凸起的均匀性，进而提高了减反膜中第一凸起的均匀性，从而提高了显示面板对比度的均匀性，实现了可控、高效、低成本地制备良率高的减反膜的目的。

Description

减反膜的制备方法、减反膜、压印模板和显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种减反膜的制备方法、减反膜、压印模板、显示面板和显示装置。

背景技术

蛾眼表面由尺度小于可见光波长的有序排列的微纳结构阵列构成，其结构可等效为折射率沿深度方向呈连续梯度变化的渐变折射率膜层，可减少折射率极具变化所造成的反射现象，对光具有极低的反射系数。电子产品在室外或者强光环境下，由于电子产品的显示面板表面的反射，导致显示面板的对比度较低，出现发白、眩光现象。目前的仿生蛾眼减反膜可以实现很低的反射率，将其设置于显示面板的出光侧，从而提高了显示面板的对比度，因此其在显示器件、光学元件等领域有着广泛且重要的应用。

目前通常通过自组装技术和干法刻蚀工艺或者银镜反应的方法得到蛾眼减反膜。然而，存在制备工艺复杂、难以控制，成本高昂的问题，并且良率低。因此，需要一种新的制备方法，能够可控、高效、低成本地制备良率高的蛾眼减反膜。

发明内容

为了解决上述技术问题，提出了本申请。本申请实施例提供了一种减反膜的制备方法、减反膜、压印模板、显示面板和显示装置。

第一方面，本申请一实施例提供了一种减反膜的制备方法，该制备方法包括：在第一基板上沉积非晶硅层；对非晶硅层进行激光退火，得到多晶硅层，多晶硅层包括晶界凸起，晶界凸起限定出彼此独立的多个凹槽；获取压印膜，并利用多晶硅层对压印膜进行压印，得到减反膜，其中，减反膜包括多个第一凸起，多个第一凸起和多个凹槽一一对应。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，对非晶硅层进行激光退火，得到多晶硅层包括：利用激光器对非晶硅层进行照射，并在非晶硅层上移动，得到熔融的非晶硅层；对熔融的非晶硅层进行退火，以使熔融的非晶硅层再结晶，得到多晶硅层。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，在利用激光器对非晶硅层进行照射之前还包括：设置激光器的激光束强度为100毫焦每平方厘米至400毫焦每平方厘米；设置激光器的激光束厚度为0.3毫米至0.5毫米；设置激光器的移动速度为4毫米每秒至8毫米每秒。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，多个第一凸起的密度为8000个每100平方微米至10000个每100平方微米。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第一凸起的高度大于或等于0.1微米，并且小于或等于10微米。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，压印膜的材料包括聚甲基丙烯酸酯甲酯。

第二方面，本申请一实施例提供了一种减反膜，由上述任一实施例提及的减反膜的制备方法制备得到。

第三方面，本申请一实施例提供了一种压印模板，该压印模板包括：第一基板；多晶硅层，位于第一基板的一侧，多晶硅层包括晶界凸起，晶界凸起限定出彼此独立的多个凹槽。

第四方面，本申请一实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括：第二基板；发光器件层，位于第二基板一侧的表面；如上述实施例提及的减反膜，位于发光器件层的背离第二基板的一侧。

第五方面，本申请一实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括如上述实施例提及的显示面板。

本申请实施例提供的减反膜的制备方法包括：在第一基板上沉积非晶硅层；对非晶硅层进行激光退火，得到多晶硅层，多晶硅层包括晶界凸起，晶界凸起限定出彼此独立的多个凹槽；获取压印膜，并利用多晶硅层对压印膜进行压印，得到减反膜，其中，减反膜包括多个第一凸起，多个第一凸起和多个凹槽一一对应，使得外界光在相邻第一凸起的外壁之间多次反射，消耗了外界光的能量，降低了外界光射出减反膜的能量，从而实现了减反膜对外界光的低射出率，从而提高了显示面板的对比度，改善了用户的视觉体验效果。并且本申请提供的制备方法，便于控制激光照射能量的均匀性，从而提高了多晶硅层中晶界凸起的均匀性，进而提高了减反膜中第一凸起的均匀性，从而提高了显示面板对比度的均匀性。再者该方法通过控制激光照射能量，实现了可控、高效、低成本地制备良率高的减反膜的目的。

附图说明

通过结合附图对本申请实施例进行更详细的描述，本申请的上述以及其他目的、特征和优势将变得更加明显。附图用来提供对本申请实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请实施例一起用于解释本申请，并不构成对本申请的限制。在附图中，相同的参考标号通常代表相同部件或步骤。

图1所示为本申请一实施例提供的压印模板的俯视结构示意图。

图2所示为图1所示示意图的N-N方向截面示意图。

图3所示为本申请一实施例提供的压印模板和压印膜的结构示意图。

图4所示为本申请一实施例提供的减反膜的俯视结构示意图。

图5所示为图4所示示意图的N-N方向截面示意图。

图6所示为本申请一实施例提供的显示面板的结构示意图。

图7所示为本申请一实施例提供的减反膜的制备方法的流程示意图。

图8所示为本申请另一实施例提供的减反膜的制备方法的流程示意图。

图9所示为本申请一实施例提供的激光器对非晶硅层进行照射的结构示意图。

图10所示为本申请另一实施例提供的减反膜的制备方法的流程示意图。

图11所示为本申请一实施例提供的显示装置的结构示意图。

附图标记：压印模板100；第一基板110；多晶硅层120；晶界凸起1211；凹槽1212；晶粒121；压印膜200；减反膜A；第一凸起A1；显示面板310；第二基板311；发光器件层312；外界光G；激光器Q；非晶硅层F；激光束S；激光器移动方向Y；显示装置300。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

另外，为了更好地说明本申请，在下文的具体实施方式中给出了众多的具体细节。本领域技术人员应当理解，没有某些具体细节，本申请同样可以实施。在一些实例中，对于本领域技术人员熟知的方法、手段未作详细描述，以便于凸显本申请的主旨。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

图1所示为本申请一实施例提供的压印模板的俯视结构示意图。图2所示为图1所示示意图的N-N方向截面示意图。结合图1和图2所示，本申请实施例提供的压印模板100包括：第一基板110；多晶硅层120，位于第一基板110的一侧，多晶硅层120包括晶界凸起1211，晶界凸起1211限定出彼此独立的多个凹槽1212。

晶界凸起1211和该晶界凸起1211限定出的凹槽1212构成晶粒121。具体而言，晶粒121的边界因受挤压而生成晶界凸起1211。如图1所示，多个晶粒121呈无规则排布，并紧密邻接。

在一些实施例中，第一基板110可以是玻璃基板。另外，第一基板110与多晶硅层120之间可以设置有缓冲层，以降低对非晶硅层照射时，激光器的照射能量对第一基板110的影响，例如防止激光器的照射能量过大导致第一基板110开裂等。其中，缓冲层的材料可以是SiN。

在一些实施例中，多晶硅层120可以位于第一基板110的表面。

如图1所示，图1中的线条表示晶界凸起1211，线条围成的多个彼此独立的区域表示凹槽1212，晶界凸起1211在第一基板110上的正投影的形状是随机的。需要说明的是，图1通过电子显微镜拍摄压印模板100得到。

本申请实施例提供的压印模板100的晶界凸起1211比较均匀，避免了多晶硅层120一部分区域的晶界凸起1211密集，另一部分区域的晶界凸起1211稀疏的现象，从而提高了后续压印得到的减反膜的良率，并且本申请实施例提供的压印模板100的经济成本低、制备工艺简单，可实现工业大面积制备，因此制备效率高。

图3所示为本申请一实施例提供的压印模板和压印膜的结构示意图。如图3所示，压印膜200位于靠近压印模板100的晶界凸起1211一侧。

在一些实施例中，压印膜200的材料包括聚甲基丙烯酸酯甲酯。其易获得，且成本较低。

图4所示为本申请一实施例提供的减反膜的俯视结构示意图。图5所示为图4所示示意图的N-N方向截面示意图。结合图4和图5所示，本申请实施例提供的减反膜A包括多个第一凸起A1，多个第一凸起A1和多个凹槽1212一一对应。

如图4所示，线条表示第一凸起A1的边界，线条围成的多个彼此独立的区域表示第一凸起A1，第一凸起A1的俯视平面形状是随机的。

在一些实施例中，多个第一凸起A1的密度为8000个每100平方微米至10000个每100平方微米。上述密度的第一凸起A1不但实现了减反膜A对外界光G的低出射率，而且工艺制备较易实现。当然，因第一凸起A1由多晶硅层120的晶界凸起1211压印得到，因此，晶界凸起1211的密度与第一凸起A1的密度相等，即晶界凸起1211的密度也为8000个每100平方微米至10000个每100平方微米。

在一些实施例中，第一凸起A1的高度大于或等于0.1微米，并且小于或等于10微米。上述高度范围的第一凸起A1不但使得外界光G在相邻第一凸起A1的外壁之间多次反射，消耗外界光G的能量，降低外界光G射出减反膜A的能量，而且工艺制备较易实现。当然，因第一凸起A1与凹槽1212一一对应，凹槽1212由晶界凸起1211限定得到，因此，第一凸起A1的高度与凹槽1212的深度相等，也与晶界凸起1211的高度相等，即晶界凸起1211的高度大于或等于0.1微米，并且小于或等于10微米。

本申请实施例提供的减反膜A包括微纳量级的多个第一凸起A1，类似于蛾眼表面的微纳结构阵列，具有与其相同的对外界光G低射出率的优点，将其设置于显示面板的出光侧，从而提高了显示面板的对比度，改善了发白、眩光现象。另外，本申请实施例提供的减反膜A的第一凸起A1比较均匀，从而提高了显示面板对比度的均匀性，进而优化了显示效果。

图6所示为本申请一实施例提供的显示面板的结构示意图。如图6所示，本申请实施例提供的显示面板310包括：第二基板311；发光器件层312，位于第二基板311一侧的表面；如上述实施例提及的减反膜A，位于发光器件层312的背离第二基板311的一侧。

需要说明的是，外界光G指的是显示面板310的发光器件层312射出的光以外的光，即发光器件层312以外的发光源射出的光。

本申请实施例提供的显示面板310对外界光G具有较低的射出率，从而使得进入用户眼睛的光极大部分是显示面板310的发光器件层312射出的光，而进入用户眼睛的光中由外界光G经减反膜A射出的光占比极小，甚至为零。因此，本申请实施例提供的显示面板310降低了外界光G对发光器件层312射出的光的干扰，从而提高了显示面板310的对比度，改善了用户的视觉体验效果。

下面详细说明本申请实施例提供的减反膜A的制备方法。在此之前，先说明生成晶界凸起1211的原理。

采用激光退火方法对非晶硅层进行再结晶时，非晶硅层会被高能量的激光完全熔融，熔融后的非晶硅层进行再结晶，在再结晶的过程中，晶粒121的晶界处会因受挤压而生成晶界凸起1211。

图7所示为本申请一实施例提供的减反膜的制备方法的流程示意图。如图7所示，本申请实施例提供的减反膜的制备方法包括：

步骤S701，在第一基板110上沉积非晶硅层；

步骤S702，对非晶硅层进行激光退火，得到多晶硅层120；

参阅图2，多晶硅层120包括晶界凸起1211，晶界凸起1211限定出彼此独立的多个凹槽1212。

在一些实施例中，对非晶硅层进行激光照射，可以是准分子激光照射，这样照射精度和照射能量更高。

步骤S703，获取压印膜200，并利用多晶硅层120对压印膜200进行压印，得到减反膜A。

参阅图3，压印膜200位于靠近晶界凸起1211一侧。

在一些实施例中，对多晶硅层120和压印膜200施加压力，以使压印膜200表面发生形变，形成与多个凹槽1212一一对应的多个第一凸起A1。

本申请实施例制备得到的减反膜A包括多个第一凸起A1，多个第一凸起A1和多个凹槽1212一一对应，使得外界光G在相邻第一凸起A1的外壁之间多次反射，消耗了外界光G的能量，降低了外界光G射出减反膜A的能量，从而实现了减反膜A对外界光G的低射出率，从而提高了显示面板310的对比度，改善了用户的视觉体验效果。需要强调的是，本申请实施例提供的制备方法，通过利用激光照射能量的均匀性，从而提高了多晶硅层120中晶界凸起1211的均匀性，进而提高了减反膜A中第一凸起A1的均匀性，从而提高了显示面板310对比度的均匀性。并且本申请实施例提供的制备方法，工艺简单，可实现工业大面积制备，制备效率高；再者压印膜200的可选材料比较广泛，成本较低。

图8所示为本申请另一实施例提供的减反膜的制备方法的流程示意图。图9所示为本申请一实施例提供的激光器对非晶硅层进行照射的结构示意图。结合图8和图9所示，对非晶硅层F进行激光退火，得到多晶硅层120包括：

步骤S801，利用激光器Q对非晶硅层F进行照射，并在非晶硅层F上移动，得到熔融的非晶硅层F；

如图9所示，激光器Q发出的激光束S照射到非晶硅层F上并移动激光器Q对非晶硅层F进行照射，从而使非晶硅层F被激光器Q发出的高能量的激光熔融。其中，激光器移动方向Y为指向非晶硅层F的方向。

在这一步骤中，激光束S的照射方向可以垂直于非晶硅层F所在的平面，这样有利于提高激光束S对准硅原子的精度，同时操作更方便。

步骤S802，对熔融的非晶硅层F进行退火，以使熔融的非晶硅层F再结晶，得到多晶硅层120。

如图9所示，对熔融的非晶硅层F进行退火之后，熔融的非晶硅层F再结晶，得到多晶硅层120，该多晶硅层120由规则的棋盘状颗粒组成。

在一些实施例中，激光器Q可以是准分子激光器，则该激光退火工艺被称为准分子激光退火工艺。

图10所示为本申请另一实施例提供的减反膜的制备方法的流程示意图。如图10所示，在利用激光器Q对非晶硅层F进行照射之前还包括：

步骤S1001，设置激光器Q的激光束S强度为100毫焦每平方厘米至400毫焦每平方厘米；

步骤S1002，设置激光器Q的激光束S厚度为0.3毫米至0.5毫米；

步骤S1003，设置激光器Q的移动速度为4毫米每秒至8毫米每秒。

在步骤S1001至步骤S1003中，根据实际需要得到的晶界凸起1211的高度和密度，控制激光器Q的激光束S强度、激光束S厚度和移动速度。其中，激光束S厚度指的是同一硅原子从接受激光束S照射到照射结束所被照射的激光束S长度，激光束S厚度和激光器Q的移动速度共同决定了同一硅原子被照射的时间。

具体而言，激光束S强度越大，且激光束S厚度越大，且激光器Q的移动速度越小，则非晶硅层F接受的激光能量越大，从而非晶硅层F熔融越充分，退火过程中生成的晶界凸起1211越高、越稀疏。与其相反的，激光束S强度越小，且激光束S厚度越小，且激光器Q的移动速度越大，则非晶硅层F接受的激光能量越小，从而非晶硅层F熔融越不足，退火过程中生成的晶界凸起1211越低、越密集。

因此，本申请实施例提供的制备方法，通过上述步骤中提及的激光束S强度范围、激光束S厚度范围和移动速度范围，灵活设置激光束S强度、激光束S厚度和移动速度，从而生成多种高度和多种密度的晶界凸起1211，进而得到多种高度和多种密度的第一凸起A1，即得到了多种多样的减反膜A，从而对多种波长的外界光G均具有低射出率，并且提高了制备过程的可控性。

图11所示为本申请一实施例提供的显示装置的结构示意图。如图11所示，本申请一实施例还提供了一种显示装置300。可以理解的是，显示面板310可以应用于显示装置300上，该显示装置300例如可以是移动终端、平板电脑、电脑显示器、电视机、可穿戴设备或信息查询机等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置300包括如本申请任意实施例中的显示面板310，其技术原理和产生的效果类似，这里不再赘述。

以上结合具体实施例描述了本申请的基本原理，但是，需要指出的是，在本申请中提及的优点、优势、效果等仅是示例而非限制，不能认为这些优点、优势、效果等是本申请的各个实施例必须具备的。另外，上述公开的具体细节仅是为了示例的作用和便于理解的作用，而非限制，上述细节并不限制本申请为必须采用上述具体的细节来实现。

本申请中涉及的器件、装置、设备、系统的方框图仅作为例示性的例子并且不意图要求或暗示必须按照方框图示出的方式进行连接、布置、配置。如本领域技术人员将认识到的，可以按任意方式连接、布置、配置这些器件、装置、设备、系统。诸如“包括”、“包含”、“具有”等等的词语是开放性词汇，指“包括但不限于”，且可与其互换使用。这里所使用的词汇“或”和“和”指词汇“和/或”，且可与其互换使用，除非上下文明确指示不是如此。这里所使用的词汇“诸如”指词组“诸如但不限于”，且可与其互换使用。

还需要指出的是，在本申请的装置、设备和方法中，各部件或各步骤是可以分解和/或重新组合的。这些分解和/或重新组合应视为本申请的等效方案。

提供所公开的方面的以上描述以使本领域的任何技术人员能够做出或者使用本申请。对这些方面的各种修改对于本领域技术人员而言是非常显而易见的，并且在此定义的一般原理可以应用于其他方面而不脱离本申请的范围。因此，本申请不意图被限制到在此示出的方面，而是按照与在此公开的原理和新颖的特征一致的最宽范围。

为了例示和描述的目的已经给出了以上描述。此外，此描述不意图将本申请的实施例限制到在此公开的形式。尽管以上已经讨论了多个示例方面和实施例，但是本领域技术人员将认识到其某些变型、修改、改变、添加和子组合。

Claims (10)

1.一种减反膜的制备方法，其特征在于，包括：

在第一基板上沉积非晶硅层；

对所述非晶硅层进行激光退火，得到多晶硅层，所述多晶硅层包括晶界凸起，所述晶界凸起限定出彼此独立的多个凹槽；

获取压印膜，并利用所述多晶硅层对所述压印膜进行压印，得到所述减反膜，其中，所述减反膜包括多个第一凸起，所述多个第一凸起和所述多个凹槽一一对应。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述非晶硅层进行激光退火，得到多晶硅层，包括：

利用激光器对所述非晶硅层进行照射，并在所述非晶硅层上移动，得到熔融的非晶硅层；

对所述熔融的非晶硅层进行退火，以使所述熔融的非晶硅层再结晶，得到所述多晶硅层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在利用激光器对所述非晶硅层进行照射之前，还包括：

设置所述激光器的激光束强度为100毫焦每平方厘米至400毫焦每平方厘米；

设置所述激光器的激光束厚度为0.3毫米至0.5毫米；

设置所述激光器的移动速度为4毫米每秒至8毫米每秒。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多个第一凸起的密度为8000个每100平方微米至10000个每100平方微米。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一凸起的高度大于或等于0.1微米，并且小于或等于10微米。

6.根据权利要求1至5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述压印膜的材料包括聚甲基丙烯酸酯甲酯。

7.一种减反膜，其特征在于，由上述权利要求1至6中任一项所述的减反膜的制备方法制备得到。

8.一种压印模板，其特征在于，包括：

第一基板；

多晶硅层，位于所述第一基板的一侧，所述多晶硅层包括晶界凸起，所述晶界凸起限定出彼此独立的多个凹槽。

9.一种显示面板，其特征在于，包括：

第二基板；

发光器件层，位于所述第二基板一侧的表面；

如上述权利要求7所述的减反膜，位于所述发光器件层的背离所述第二基板的一侧。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如上述权利要求9所述的显示面板。

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