CN116240525A - 喷淋板、喷淋方法及处理装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 88
- 239000007921 spray Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 113
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 84
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 80
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 34
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 116
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
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Abstract
本发明涉及一种喷淋板及处理装置,喷淋板包括板体,板体内形成有气体分配系统。气体分配系统包括主进气通道、过渡通道及喷淋通道。工艺气体先由主进气通道进入板体的内部,再经过过渡通道中转后进入喷淋通道,最终由喷淋孔从出气面导入处理腔体内。过渡通道能够起到缓冲作用,避免喷淋通道内的气压直接受到主进气通道内气压波动的影响,故喷淋通道内的气压能够保持较好的一致性。因此,经过过渡通道中转后,从出气面的各区域喷出的气流量也更均衡,从而能够提升工艺气体在处理腔体内分布的均匀性。此外,本发明还提供一种喷淋方法。
Description
技术领域
本发明涉及真空镀膜技术领域,特别涉及一种喷淋板、喷淋方法及处理装5置。
背景技术
在工业生产过程中,通常需要通过喷淋板向处理腔体内喷淋特定的工艺气
体,以促成相应的反应,从而达到特定的生产目的。譬如,原子层沉积(Atomic0layer deposition,ALD)技术是以表面化学气相反应为基础的薄膜沉积技术,可以将物质以单原子膜形式镀在基底表面,并能够对所沉积的薄膜的厚度及均匀度精确控制在原子层厚度范围内。原子层沉积技术由于其优越性,已被广泛应用于半导体、光伏电池等领域。原子层沉积镀膜装置进行镀膜操作时,需要先由喷淋板将工艺气体导入反应腔体内,从而发生镀膜反应。
5但是,由于受结构的限制,现有喷淋板不同区域的气体流速呈现出较大差
异,从而导致进入处理腔体的工艺气体在处理腔体内分布的均匀性较差。对于原子层沉积镀膜工艺而言,工艺气体分布不均将会导致镀膜膜厚的均匀性不好。
发明内容
0基于此,有必要针对上述问题,提供一种能够改善工艺气体在处理腔体内
分布的均匀性的喷淋板、喷淋方法及处理装置。
一种喷淋板,包括具有出气面的板体,所述板体内形成有气体分配系统,所述气体分配系统包括主进气通道、过渡通道及喷淋通道,所述喷淋通道沿其延伸方向形成有多个延伸至所述出气面的喷淋孔,且所述喷淋通道通过所述过渡通道与所述主进气通道连通。
在其中一个实施例中,所述过渡通道及所述喷淋通道均设置有多个,且多个所述过渡通道及所述喷淋通道一一对应,每个所述喷淋通道均通过多个连接通道与对应的过渡通道连通,多个所述连接通道沿所述喷淋通道的延伸方向间隔分布,所述主进气通道依次与多个所述过渡通道连通。
在其中一个实施例中,每个所述喷淋通道呈长条形并沿第一方向延伸,且多个所述喷淋通道沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔设置。
在其中一个实施例中,每个所述过渡通道呈长条形并沿所述第一方向延伸,且每个所述过渡通道与对应的所述喷淋通道沿垂直于所述第一方向及所述第二方向的第三方向间隔设置。
在其中一个实施例中,所述主进气通道呈长条形并沿所述第二方向延伸。
在其中一个实施例中,所述主进气通道依次与多个所述过渡通道的中部连通。
在其中一个实施例中,所述主进气通道与每个所述过渡通道的连通处相对于所述过渡通道的中点处向所述过渡通道的一端偏移。
在其中一个实施例中,所述过渡通道位于所述连通处背向所述中心处一侧的内径小于位于所述连通处朝向所述中心处一侧的内径。
在其中一个实施例中,所述主进气通道与每个所述过渡通道的连通处位于所述过渡通道的中点处。
在其中一个实施例中,所述连通处沿所述第一方向的两侧,所述连接通道的数量相同。
在其中一个实施例中,所述主进气通道延伸方向的两端均设置有进气口。
在其中一个实施例中,所述主进气通道包括导入通道、沿所述第一方向延伸的分流通道及两个沿所述第二方向延伸的导出通道,所述导入通道与所述分流通道的中部连通,两个所述导出通道分别与所述分流通道的两端连通,且其中一个所述导出通道依次与多个所述过渡通道的一端连通,另一个所述导出通道依次与多个所述过渡通道的另一端连通。
在其中一个实施例中,所述导入通道与所述分流通道的连通处相对于所述分流通道的中点处向所述分流通道的一端偏移。
在其中一个实施例中,所述分流通道位于所述连通处背向所述中心处一侧的内径小于位于所述连通处朝向所述中心处一侧的内径。
在其中一个实施例中,所述导入通道与所述分流通道的连通处位于所述分流通道的中点处。
在其中一个实施例中,所述导入通道及所述分流通道均设置有两个,两个所述分流通道分布于所述板体沿所述第二方向的两端,两个所述导出通道的一端与其中一个所述分流通道的两端连通,两个所述导出通道的另一端与另一个所述分流通道的两端连通。
在其中一个实施例中,所述板体内设置有至少两个所述气体分配系统,且至少两个所述气体分配系统的所述喷淋通道沿所述第二方向交替设置。
一种处理装置,包括如上述优选实施例中任一项所述的喷淋板及处理腔体,所述喷淋板安装于所述处理腔体且所述出气面朝向所述处理腔体的内侧。
上述喷淋板及处理装置,工艺气体先由主进气通道进入板体的内部,再经过过渡通道中转后进入喷淋通道,最终由喷淋孔从出气面导入处理腔体内。过渡通道能够起到缓冲作用,避免喷淋通道内的气压直接受到主进气通道内气压波动的影响,故喷淋通道内的气压能够保持较好的一致性。因此,经过过渡通道中转后,从出气面的各区域喷出的气流量也更均衡,从而能够提升工艺气体在处理腔体内分布的均匀性。
一种喷淋方法,包括步骤:
经主进气通道将工艺气体导入过渡通道;
工艺气体经所述过渡通道过渡后导入与所述过渡通道连通的喷淋通道内;
进入所述喷淋通道的工艺气体沿所述喷淋通道输送,并由沿所述喷淋通道的延伸方向分布的多个喷淋孔喷淋至处理腔体。
上述喷淋方法,工艺气体先经主进气通道导入过渡通道,经过渡通道中转后进入喷淋通道。过渡通道能够起到缓冲作用,避免喷淋通道内的气压直接受到主进气通道内气压波动的影响,故喷淋通道内的气压能够保持较好的一致性。因此,经过过渡通道中转后,从喷淋孔喷出的气流量也更均衡,从而能够提升工艺气体在处理腔体内分布的均匀性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明较佳实施例中处理装置的局部结构示意图;
图2为图1所示处理装置中喷淋板的正面透视图;
图3为图2所示喷淋板中气体分配系统的示意图;
图4为本发明另一个实施例中喷淋板的正面透视图;
图5为图4所示喷淋板气体分配系统的示意图;
图6为本发明一个实施例中喷淋方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
请参阅图1,本发明提供了一种处理装置10及喷淋板100。其中,处理装置10包括喷淋板100及处理腔体200。
处理腔体200内能够形成真空,喷淋板100具有出气面(图未标)。喷淋板100安装于处理腔体200,且出气面朝向处理腔体200的内侧。工艺气体能够导入喷淋板100后,并由出气面上的喷淋孔1231喷淋至处理腔体200内,从而使处理腔体200内发生反应。譬如,在硅片的表面镀氧化铝膜。
具体在本实施例中,处理装置10为原子层沉积镀膜装置,故工艺气体进入处理腔体200内后能够发生镀膜反应。显然,处理装置10也可应用于其他领域。
请一并参阅图2及图3,本发明较佳实施例中的喷淋板100包括板体110及气体分配系统120。
板体110一般由金属材料成型,其外部轮廓与处理腔体200的轮廓相匹配,上述出气面形成于板体110的一侧。气体分配系统120能够进行工艺气体的导入、分配,并最终将工艺气体由喷淋孔1231喷淋至处理腔体200内。由于镀膜时所需的工艺气体至少为两种,故气体分配系统120设置有至少两个(一般为两个),至少两个气体分配系统120彼此独立,且结构相同。
进一步的,每个气体分配系统120包括主进气通道121、过渡通道122及喷淋通道123。
板体110可以是一体成型的结构,通过钻孔的方式能够在板体110内加工出气体分配系统120的流道结构。此外,板体110也可由两部分拼接构成,分别在构成板体110的两部分上加工出凹槽后再进行组合,也可得到气体分配系统120的流道结构。
主进气通道121具有进气口,进气口能够与气源连通,从而实现工艺气体的导入。喷淋通道123均匀分布于板体110内,喷淋通道123沿其延伸方向形成有多个延伸至出气面的喷淋孔1231。喷淋通道223通过过渡通道122与主进气通道121连通。因此,由主进气通道121导入板体110的工艺气体在经过过渡通道122中转后能够进入喷淋通道123,并最终由喷淋孔1231喷淋至处理腔体200内。过渡通道122能够起到缓冲作用,避免喷淋通道123内的气压直接受到主进气通道121内气压波动的影响,故喷淋通道123内的气压能够保持较好的一致性。因此,从出气面的各区域喷出的工艺气体的流速一致性较好,气流量也更均衡,从而能够提升工艺气体在处理腔体200内分布的均匀性,进而改善镀膜膜厚的均匀性。
具体在本实施例中,过渡通道122及喷淋通道123均设置有多个,且多个过渡通道122及喷淋通道123一一对应,每个喷淋通道123均通过多个连接通道124与对应的过渡通道122连通,多个连接通道124沿喷淋通道123的延伸方向间隔分布,主进气通道121依次与多个过渡通道122连通。
譬如,过渡通道122设置有十个,则喷淋通道123也设置有十个。喷淋通道123与过渡通道122之间的多个连接通道124可以是等间隔设置,也可以是非等间隔设置,连接通道124也可根据实际需要设置成三个、四个、五个或其他数量。多个喷淋通道123能够使工艺气体更均匀的喷淋,而多个过渡通道122分别进行工艺气体的中转,能够保证每个喷淋通道123均能够获得流量相当的工艺气体。而且,多个连接通道124能够使得过渡通道122内的工艺气体从多个不同的位置同时进入到喷淋通道123,从而能够使得喷淋通道123内的工艺气体的分布也更均匀。
喷淋通道123可以呈长条形、圆弧形或者波浪形等形状,考虑到成型工艺的复杂程度,本实施例中的喷淋通道123呈长条形,并沿第一方向延伸。第一方向指的是图2所示的左右方向,即板体110的宽度方向。而且,多个喷淋通道123沿垂直于第一方向的第二方向间隔设置。第二方向指的是图2所示的上下方向,即板体110的长度方向。相邻两个喷淋通道123之间的距离大致相同,通过使多个喷淋通道123沿第二方向间隔设置,可实现多个喷淋通道123在板体110内的均匀分布。
进一步的,在本实施例中,每个过渡通道122呈长条形并沿第一方向延伸,且每个过渡通道122与对应的喷淋通道123沿垂直于第一方向及第二方向的第三方向间隔设置。第三方向指的是图2所示垂直于图纸平面的方向,即板体110的厚度方向。如此设置,能够合理利用板体110沿厚度方向的空间,方便至少两个气体分配系统120在板体110内进行布置。而且,由于过渡通道122与喷淋通道123平行,故在过渡通道122及喷淋通道123的延伸方向上,过渡通道122与对应的喷淋通道123之间距离保持不变,故在进行工艺气体的中转时,能够使过渡通道122内的工艺气体更均衡地进入对应的喷淋通道123内。
请再次参阅图2,在本实施例中,至少两个气体分配系统120的喷淋通道123沿第二方向交替设置。具体的,属于同一气体分配系统120的两个喷淋通道123之间设置有另一个气体分配系统120的喷淋通道123。如此,至少两种不同类型的工艺气体能够在处理腔体200内分布均匀并充分反应,有利于进一步提升工艺气体在处理腔体200内分布的均匀性。
请再次参阅图3,在本实施例中,主进气通道121呈长条形并沿第二方向延伸。如此,工艺气体由主进气通道121流向各过渡通道122的流动路线较短,有利于使工艺气体快速到达过渡通道122,并减小因流动路线过长而导致工艺气体进入各过渡通道122时的流速差距。
进一步的,在本实施例中,主进气通道121依次与多个过渡通道122的中部连通。工艺气体由主进气通道121进入过渡通道122后,将从中部向过渡通道122的两端分流,从而使得工艺气体在过渡通道122内分布更均匀,进而提升喷淋通道123内工艺气体的均匀性,最终提升工艺气体在处理腔体200内分布的均匀性。
具体的,主进气通道121与过渡通道122的连通处一般位于两个连接管道124之间。在本实施例中,在主进气通道121与过渡通道122的连通处沿第一方向的两侧,连接通道124的数量相同。譬如,过渡通道122通过四个连接通道124与对应的喷淋通道123连通,则主进气通道121与该过渡通道122连通处的两侧分别分布有两个连接通道124。如此,可使过渡通道122内的工艺气体更加均衡的进入对应的喷淋通道123内。
此外,在本实施例中,主进气通道121延伸方向的两端均设置有进气口。因此,在将工艺气体导入气体分配系统120时,能够由主进气通道121的两端同时导入两路气流,两路气流能够同时向多个过渡通道122流动。如此,主进气通道121与多个过渡通道122连通处的气体流速的差距能够进一步减小,多个过渡通道122内气压的一致性更高,从而有助于进一步提升工艺气体在处理腔体200内分布的均匀性。
为了至少两个气体分配系统120能够在板体110内实现分布,主进气通道121通常沿板体110的宽度方向朝一侧偏移(即,非居中设置)。具体在本实施例中,主进气通道121与每个过渡通道122的连通处相对于过渡通道122的中点处向过渡通道122的一端偏移。
进一步的,在本实施例中,过渡通道122位于连通处背向中心处一侧的内5径小于位于连通处朝向中心处一侧的内径。
也就是说,在过渡通道122的延伸方向上,其不同位置的内径是不同的。以图2所示为例,其中一个气体分布系统120的主进气通道121与过渡通道122的连通处相对于过渡通道122的中点处向左偏移,则过渡通道122左侧的内径
要小于右侧的内径。内径较大的一侧能够获得更大的流量。如此,能够实现工0艺气体在过渡通道122内更加均匀的分布。
显然,在其他实施例中,通过优化布局,也可使得主进气通道121与每个过渡通道122的连通处位于过渡通道122的中点处。
请一并参阅图4及图5,在另一个实施例中,主进气通道121包括导入通道
1211、分流通道1212及导出通道1213。
5导入通道1211具有进气口,能够实现工艺气体的导入。分流通道1212沿
第一方向延伸,导入通道1211与分流通道1212的中部连通。导出通道1213设置有两个,两个导出通道1213均沿第二方向延伸,且两个导出通道1213分别与分流通道1212的两端连通。进一步的,其中一个导出通道1213依次与多个
过渡通道122的一端连通,另一个导出通道1213依次与多个过渡通道122的另0一端连通。
具体的,两个导出通道1213分布于板体110图4所示的左侧及右侧,位于左侧的导出通道1213与多个过渡通道122的左端连通,而位于右侧的导出通道1213则与多个过渡通道122的右端连通。工艺气体经导入通道1211导入后,在分流通道1212进行分流并一分为二得到两路气流,分出的两路气流分别经过两个导出通道1213从过渡通道122的两端进入过渡通道122。如此,能够进一步提升工艺气体的均匀性。
进一步的,在该实施例中,导入通道1211及分流通道1212均设置有两个,两个分流通道1212分布于板体110沿第二方向的两端,两个导出通道1213的一端与其中一个分流通道1212的两端连通,两个导出通道1213的另一端与另一个分流通道1212的两端连通。如此,两路工艺气体的气流能够同时由两个导入通道1211导入气体分配系统120。因此,主进气通道121与多个过渡通道122连通处的气体流速的差距能够进一步减小,多个过渡通道122内气压的一致性更高,从而有助于进一步提升工艺气体在处理腔体200内分布的均匀性。
同样的,为了至少两个气体分配系统120能够在板体110内实现分布,导入通道1211通常沿板体110的宽度方向朝一侧偏移(即,非居中设置)。具体的,在该实施例中,导入通道1211与分流通道1212的连通处相对于分流通道1212的中点处向分流通道1212的一端偏移。
进一步的,在该实施例中,分流通道1212位于连通处背向中心处一侧的内径小于位于连通处朝向中心处一侧的内径。
也就是说,在分流通道1212的延伸方向上,其不同位置的内径是不同的。以图4所示为例,其中一个气体分布系统120的导入通道1211与分流通道1212的连通处相对于分流通道1212的中点处向左偏移,则分流通道1212左侧的内径要小于右侧的内径。内径较大的一侧能够获得更大的流量。如此,能够实现工艺气体在分流通道1212内更加均匀的分布,从而使得两个导出通道1213能够获得流量相当的工艺气体。
显然,在其他实施例中,通过优化布局,也可使得导入通道1211与分流通道1212的连通处位于分流通道1212的中点处。
上述喷淋板100及处理装置10,工艺气体先由主进气通道121进入板体110的内部,再经过过渡通道122中转后进入喷淋通道123,最终由喷淋孔1231从出气面导入处理腔体200内。过渡通道122能够起到缓冲作用,避免喷淋通道123内的气压直接受到主进气通道121内气压波动的影响,故喷淋通道123内的气压能够保持较好的一致性。因此,经过过渡通道122中转后,从出气面的各区域喷出的气流量也更均衡,从而能够提升工艺气体在处理腔体200内分布的均匀性。
此外,本发明还提供一种喷淋方法,该喷淋方法可借助上述喷淋板100实现,也可采用其他喷淋装置实现。
请一并参阅图6,本发明一个实施例中的喷淋方法包括步骤S201至S203。
其中:
步骤S201,经主进气通道将工艺气体导入过渡通道。
步骤S202,工艺气体经过渡通道过渡后导入与过渡通道连通的喷淋通道内。
步骤S203,进入喷淋通道的工艺气体沿喷淋通道输送,并由沿喷淋通道的延伸方向分布的多个喷淋孔喷淋至处理腔体。
主进气通道具有进气口,进气口能够与气源连通,从而实现工艺气体的导入。喷淋通道沿其延伸方向形成有多个喷淋孔,喷淋通道通过过渡通道与主进气通道连通。因此,由主进气通道导入板体的工艺气体在经过过渡通道过渡后能够导入喷淋通道,并最终由喷淋孔喷淋至处理腔体内。过渡通道能够起到缓冲作用,避免喷淋通道内的气压直接受到主进气通道内气压波动的影响,故喷淋通道内的气压能够保持较好的一致性。因此,从喷淋孔喷出的工艺气体的流速一致性较好,气流量也更均衡,从而能够提升工艺气体在处理腔体内分布的均匀性。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (19)
1.一种喷淋板,包括具有出气面的板体,所述板体内形成有气体分配系统,其特征在于,所述气体分配系统包括主进气通道、过渡通道及喷淋通道,所述喷淋通道沿其延伸方向形成有多个延伸至所述出气面的喷淋孔,且所述喷淋通道通过所述过渡通道与所述主进气通道连通。
2.根据权利要求1所述的喷淋板,其特征在于,所述过渡通道及所述喷淋通道均设置有多个,且多个所述过渡通道及所述喷淋通道一一对应,每个所述喷淋通道均通过多个连接通道与对应的过渡通道连通,多个所述连接通道沿所述喷淋通道的延伸方向间隔分布,所述主进气通道依次与多个所述过渡通道连通。
3.根据权利要求2所述的喷淋板,其特征在于,每个所述喷淋通道呈长条形并沿第一方向延伸,且多个所述喷淋通道沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔设置。
4.根据权利要求3所述的喷淋板,其特征在于,每个所述过渡通道呈长条形并沿所述第一方向延伸,且每个所述过渡通道与对应的所述喷淋通道沿垂直于所述第一方向及所述第二方向的第三方向间隔设置。
5.根据权利要求3所述的喷淋板,其特征在于,所述主进气通道呈长条形并沿所述第二方向延伸。
6.根据权利要求5所述的喷淋板,其特征在于,所述主进气通道依次与多个所述过渡通道的中部连通。
7.根据权利要求6所述的喷淋板,其特征在于,所述主进气通道与每个所述过渡通道的连通处相对于所述过渡通道的中点处向所述过渡通道的一端偏移。
8.根据权利要求7所述的喷淋板,其特征在于,所述过渡通道位于所述连通处背向所述中心处一侧的内径小于位于所述连通处朝向所述中心处一侧的内径。
9.根据权利要求6所述的喷淋板,其特征在于,所述主进气通道与每个所述过渡通道的连通处位于所述过渡通道的中点处。
10.根据权利要求7至9任一项所述的喷淋板,其特征在于,所述连通处沿所述第一方向的两侧,所述连接通道的数量相同。
11.根据权利要求5所述的喷淋板,其特征在于,所述主进气通道延伸方向的两端均设置有进气口。
12.根据权利要求3所述的喷淋板,其特征在于,所述主进气通道包括导入通道、沿所述第一方向延伸的分流通道及两个沿所述第二方向延伸的导出通道,所述导入通道与所述分流通道的中部连通,两个所述导出通道分别与所述分流通道的两端连通,且其中一个所述导出通道依次与多个所述过渡通道的一端连通,另一个所述导出通道依次与多个所述过渡通道的另一端连通。
13.根据权利要求12所述的喷淋板,其特征在于,所述导入通道与所述分流通道的连通处相对于所述分流通道的中点处向所述分流通道的一端偏移。
14.根据权利要求13所述的喷淋板,其特征在于,所述分流通道位于所述连通处背向所述中心处一侧的内径小于位于所述连通处朝向所述中心处一侧的内径。
15.根据权利要求12所述的喷淋板,其特征在于,所述导入通道与所述分流通道的连通处位于所述分流通道的中点处。
16.根据权利要求12所述的喷淋板,其特征在于,所述导入通道及所述分流通道均设置有两个,两个所述分流通道分布于所述板体沿所述第二方向的两端,两个所述导出通道的一端与其中一个所述分流通道的两端连通,两个所述导出通道的另一端与另一个所述分流通道的两端连通。
17.根据权利要求3所述的喷淋板,其特征在于,所述板体内设置有至少两个所述气体分配系统,且至少两个所述气体分配系统的所述喷淋通道沿所述第二方向交替设置。
18.一种处理装置,其特征在于,包括如上述权利要求1至17任一项所述的喷淋板及处理腔体,所述喷淋板安装于所述处理腔体且所述出气面朝向所述处理腔体的内侧。
19.一种喷淋方法,其特征在于,包括步骤:
经主进气通道将工艺气体导入过渡通道;
工艺气体经所述过渡通道过渡后导入与所述过渡通道连通的喷淋通道内;
进入所述喷淋通道的工艺气体沿所述喷淋通道输送,并由沿所述喷淋通道的延伸方向分布的多个喷淋孔喷淋至处理腔体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211612666.3A CN116240525A (zh) | 2022-12-15 | 2022-12-15 | 喷淋板、喷淋方法及处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211612666.3A CN116240525A (zh) | 2022-12-15 | 2022-12-15 | 喷淋板、喷淋方法及处理装置 |
Publications (1)
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Family
ID=86624993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211612666.3A Pending CN116240525A (zh) | 2022-12-15 | 2022-12-15 | 喷淋板、喷淋方法及处理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN116240525A (zh) |
-
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CB02 | Change of applicant information |