KR20240025874A - 기판 처리 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 내부에 내부 공간이 마련된 공정 챔버와; 상기 내부 공간에서 기판을 거치시키되, 상기 공정 챔버의 측면과 간격을 두고 배치되는 서셉터와; 상기 서셉터에 거치된 기판의 상측에서 공정 가스를 공급하는 샤워 헤드와; 상기 공정 챔버의 바닥면의 둘레를 따라 연속하는 링 형태로 상기 공정 챔버의 바닥면에 하방 요입 형성되고, 상기 내부 공간과 연통시키는 펌핑 구멍이 형성된 펌핑 채널과; 상기 펌핑 채널로 유입된 가스를 배출시키는 배출 채널을; 포함하여 구성되어, 펌핑 채널이 공정 챔버의 내부 공간의 바닥면에 형성됨에 따라, 샤워 헤드로부터 공급되는 공정 가스가 기판을 향하여 유동하고 나서, 서셉터와 내부 공간의 측면 사이의 틈새를 통과하여 연직 방향으로 유동하여, 기판 주변에서의 가스 유동을 안정되고 일정하게 유지하여 기판의 전체 표면에 대한 처리 공정을 균일하게 행할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.

Description

기판 처리 장치 {SUBSTRATE TREATING APPARATUS}

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 가스를 이용하여 공정 챔버 내에서 기판의 처리 공정을 행하는 과정에서 공정 챔버 내의 가스 유동을 균일하게 유지하여 기판의 전체 면적에 걸쳐 균일한 처리 공정을 행할 수 있도록 한 기판 처리 장치에 관한 것이다.

일반적으로 플라즈마 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD) 장비는, 디스플레이 제조 공정 또는 반도체 제조 공정 중에 진공 상태에서 가스의 화학적 반응을 이용하여 절연막, 보호막, 산화막, 금속막 등을 기판에 증착시키기 위해 사용된다.

도1은 기판 처리 장치의 일례를 도시한 종단면도이다. 도1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(9)는, 외부로부터 밀폐된 내부 공간(11c, 21c)이 구비되어 증착 공정 중에 진공 상태로 유지되는 복수개의 공정 챔버(11, 21)와, 공정 챔버(11, 21)의 내부에 승강 가능하게 설치되어 기판(W)이 안착되는 서셉터(12, 22)와, 공정 챔버(11, 21)의 내부에 증착의 재료가 되는 소스 가스를 포함하여 공정 가스를 공급하는 샤워 헤드(13, 23)와, 공정 가스를 샤워 헤드(13, 23)에 공급(51)하는 가스 공급부(19, 29)와, 공정 챔버(11, 21)에 공급된 가스를 내부 공간(11c, 21c)의 바깥으로 배출시키는 펌핑 채널(14, 24)과, 펌핑 채널(14, 24)로부터 각각 연장된 배출 채널(15, 25)을 포함하여 구성된다.

도면에 예시된 구성에서는, 공정 챔버(11, 21)가 2개로 형성되어 있으므로, 각 공정 챔버(11, 21)의 경계에는 고정 바디(30)가 배치된다. 그리고, 각각의 공정 챔버(11, 21)로부터 가스를 배출하는 배출 채널(15, 25)은 고정 바디(30)의 하측에서 합류하면서 공통 배출 채널(40)을 형성한다.

서셉터(12, 22)의 상하 이동이 가능하면서 공정 챔버(11, 12)의 내부 공간이 진공 상태로 유지되기 위하여, 외기와 차단하는 벨로우즈가 마련된다. 이에 따라, 서셉터(12, 22)에 기판(W)이 거치된 상태에서 공정 챔버(11, 21)의 내부를 대기압보다 낮은 진공 상태로 조절하고, 샤워 헤드(13, 23)를 통해 공정 가스를 공정 챔버(11, 21)의 내부에 공급하고, RF전원공급부로부터 연속 형태의 전원을 인가하는 것에 의해 공정 챔버(11, 21)의 내부에 플라즈마를 발생시키는 것에 의하여, 기판(W)의 표면에 정해진 두께의 막이 성막된다.

기판의 처리 공정의 하나인 성막 공정 중에, 샤워 헤드(13)로부터 공급되는 공정 가스는, 기판(W)의 상측에서 하방 유동(52)하여 기판 상측에서 플라즈마를 발생시키고, 공정 챔버(11)의 측면에 형성된 펌핑 구멍(24a)을 통해 흡입압에 의해 내부 공간(11c, 21c)에 비하여 보다 낮은 압력 상태로 유지되는 펌핑 채널(14, 24)로 유입(53)되고, 펌핑 채널(14, 24)로부터 연장된 배출 채널(15, 25)과 공통 배출 채널(40)을 순차적으로 통과(54, 55)하여 외부로 배출된다.

여기서, 공정 챔버(11, 21)의 내부 공간의 가스를 외부로 배출시키기 위한 펌핑 채널(14, 24)에 인가되는 흡입압은 공통 배출 채널(40)을 통해 인가된다. 이에 따라, 도3에 도시된 펌핑 채널(14, 24)의 유동 해석결과에 나타난 바와 같이, 흡입압이 인가되는 배출 채널(15, 25)과 연결된 부분(EE)의 펌핑 채널(24)에서는 정상적인 유동이 생기지만, 배출 채널(15, 25)로부터 멀리 떨어진 부분(XX)의 펌핑 채널(24)에서는 유동이 거의 발생하지 않는 문제가 생긴다.

이와 같은 현상은, 도4에 도시된 펌핑 채널(14, 24)의 유속 해석 결과를 통해서도 확인된다. 즉, 도4에 도시된 바와 같이, 흡입압이 인가되는 배출 채널(15, 25)과 연결된 부분(EE)의 펌핑 채널(24) 내에서는 유속이 충분히 빠르지만, 배출 채널(15, 25)로부터 멀리 떨어진 부분(XX)의 펌핑 채널(24)내에서는 유동이 거의 발생하지 않는 문제가 생긴다. 즉, 배출 채널(15, 25)과 반대측 부분(XX)의 펌핑 채널(24)에서는 공정 챔버(11, 21)의 내부 공간의 가스를 원활히 흡입하지 못하는 것이 확인되었다.

이와 같은 현상으로 인하여 기판(W)의 표면에 증착되는 증착막의 두께가 불균일해지는 문제가 야기된다. 따라서, 공정 챔버(11, 21)의 내부 공간(11c, 21c)에 공급된 가스를 둘레 전체에 걸쳐 균일하게 배출시키는 방안의 필요성이 절실히 요구되고 있다.

더욱이, 공정 챔버(11, 21)의 서셉터(12, 22)의 하측에도 공정 가스의 와류(88)가 생기면서, 공정 챔버(11, 21)로 공급된 공정 가스를 챔버 바깥으로 배출시키는 효율이 저하되는 문제도 안고 있었다.

전술한 구성과 작용은 본 출원의 출원일 이전에 공지된 구성이 아니며, 본 발명과 대비하기 위한 기술을 설명한 것이다.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 가스를 이용하여 공정 챔버 내에서 기판의 처리 공정 중에 공정 챔버 내의 가스 유동이 기판에 대하여 대칭이 되도록 유도하여, 기판의 전체 표면에 걸쳐 균일한 처리 공정을 할 수 있게 하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 내부에 내부 공간이 마련된 공정 챔버와; 상기 내부 공간에서 기판을 거치시키되, 상기 공정 챔버의 측면과 간격을 두고 배치되는 서셉터와; 상기 서셉터에 거치된 기판의 상측에서 공정 가스를 공급하는 샤워 헤드와; 상기 공정 챔버의 바닥면의 둘레를 따라 연속하는 링 형태로 상기 공정 챔버의 바닥면에 하방 요입 형성되고, 상기 내부 공간과 연통시키는 펌핑 구멍이 형성된 펌핑 채널과; 상기 펌핑 채널로 유입된 가스를 배출시키는 배출 채널을; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.

이는, 펌핑 채널이 공정 챔버의 내부 공간의 바닥면에 형성됨에 따라, 샤워 헤드로부터 공급되는 공정 가스가 기판을 향하여 유동하고 나서, 서셉터와 내부 공간의 측면 사이의 틈새를 통과하여 연직 방향으로 유동하여, 기판의 주변에서의 가스 유동이 일정하게 이루어질 수 있도록 하기 위함이다.

특히, 상기 펌핑 구멍이 상기 내부 공간의 측면과 상기 내부 공간의 바닥면이 접하는 위치에 배치되어, 상기 내부 공간의 측면과 상기 내부 공간의 바닥면이 접하는 위치에서 흡입압이 내부 공간에 작용하여, 서셉터와 내부 공간의 측면 사이의 틈새를 통과한 공정 가스가 내부 공간의 측면을 따라 연직 방향으로 유동하게 되므로, 기판 주변에서의 가스 유동을 보다 일정하게 유지할 수 있다.

한편, 상기 펌핑 채널과 격벽을 사이에 두고 상기 격벽의 관통공을 통해 연통되는 버퍼 채널을; 더 포함하고, 상기 배출 채널은, 상기 버퍼 채널과 연통되어 흡입압을 인가하고, 상기 펌핑 채널로 유입된 가스를 상기 버퍼 채널을 거쳐 배출시키도록 구성될 수 있다.

이는, 펌핑 채널로부터 배출 채널로 곧바로 가스가 배출되지 않고 버퍼 채널을 거침에 따라, 펌핑 채널에 인가하는 흡입압을 공정 챔버의 둘레 방향에 걸쳐 균일하게 유지할 수 있도록 하기 위함이다. 이를 통해, 기판을 중심으로 펌핑 채널로 흡입되는 가스의 양을 챔버 둘레 방향에 걸쳐 균일하게 유지하여, 공정 챔버의 바닥면에서 둘레 방향을 따라 흡입되는 공정 가스의 양이 일정해지므로, 서셉터에 거치된 기판의 주변의 가스 유동이 기판의 처리 공정 중에 기판을 중심으로 대칭이 되어, 기판의 처리 공정을 기판 표면 전체에 걸쳐 균일하게 행할 수 있게 된다.

여기서, 버퍼 채널은, 펌핑 채널의 측면을 상기 격벽으로 하여 펌핑 채널의 외측에 링 형태로 배치될 수도 있고, 펌핑 채널의 바닥면을 격벽으로 하여 펌핑 채널의 하측에 링 형태로 배치될 수도 있다.

상기 펌핑 구멍과 상기 관통공은 상기 공정 챔버의 측면 둘레를 따라 다수가 이격 배치된다. 이에 따라, 펌핑 채널과 버핑 채널은 완전히 관통되어 있지 아니하며, 관통공을 통해 가스가 유동할 수 있는 상태로 형성된다.

이 때, 상기 관통공과 상기 펌핑 구멍은 상기 공정 챔버의 측면 둘레를 따라 서로 다른 위치에 배치되는 것이 바람직하다. 이를 통해, 펌핑 구멍을 통해 펌핑 채널로 유입된 가스가, 곧바로 버퍼 채널로 유입되기 보다는, 펌핑 채널의 내부에서 유동하다가 버퍼 채널로 유입되게 유도되어, 펌핑 채널의 전체 유동 상태를 일정하게 유지시킬 수 있다.

그리고, 상기 관통공의 개방단면의 합은 상기 펌핑 구멍의 개방 단면의 합에 비하여 더 크게 형성된다. 이를 통해, 공통 배출 채널로부터 펌핑 채널에 인가되는 흡입압이 원활히 인가될 수 있으면서, 공정 챔버의 가스를 펌핑 채널과 버퍼 채널과 배출 채널을 순차적으로 거치면서 외부로 원활히 배출시킬 수 있다.

여기서, 상기 관통공과 상기 펌핑 구멍 중 어느 하나 이상은 상기 배출 채널을 향하여 단면이 점진적으로 작아지는 테이퍼진 형상으로 관통 형성될 수 있다. 이를 통해, 가스가 관통공과 펌핑 구멍을 통과하는 과정에서, 흡입압이 인가되는 방향을 향하여 점진적으로 유속이 빨라짐에 따라, 흡입압에 따른 가스 펌핑 효과를 보다 높일 수 있다.

한편, 본 발명은, 버퍼 채널과 배출 채널의 사이에는 링 형태의 관통부가 마련되게 구성될 수도 있지만, 본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 상기 버퍼 채널과 상기 배출 채널의 사이에는 차단벽이 형성되고, 상기 버퍼 채널과 상기 배출 채널을 연통시키는 배출공이 상기 차단벽에 다수 관통 형성되어, 버퍼 채널과 배출 채널의 사이에도 압력 분포를 균일하게 분포시키는 작용을 유도할 수 있다.

그리고, 상기 버퍼 채널과 상기 배출 채널의 사이에는 제N버퍼 채널이 배치되어, 상기 펌핑 채널로 유입된 가스를 상기 버퍼 채널과 상기 제N버퍼 채널을 순차적으로 거쳐 상기 배출 채널을 통해 배출되게 구성될 수도 있다.

한편, 링 형태로 형성되고, 펌핑 구멍이 형성되고, 상기 펌핑 채널과 상기 내부 공간의 사이에 개재되어 상기 펌핑 채널을 상기 내부 공간과 구획하는 천장 플레이트를 더 포함하여 구성될 수 있다. 이를 통해, 펌핑 채널을 공정 챔버에 설치하는 것이 보다 용이해진다.

여기서, 상기 펌핑 채널과 버퍼 채널은 링 형태의 링형 채널 부재를 이용하여 형성할 수 있다. 즉, 링형 채널 부재는, 공정 챔버의 측면과 연속하게 배치되는 천장 플레이트와, 펌핑 채널과 버퍼 채널을 구획하는 격벽을 구비하고, 링 형태의 하나의 몸체로 형성되어, 공정 챔버의 측면 둘레에 요입 형성된 부분에 삽입 설치된다. 이를 통해, 펌핑 채널, 버퍼 채널을 보다 쉽게 형성할 수 있다.

이 때, 링형 채널 부재에는, 상기 버퍼 채널과 상기 배출 채널의 사이에는 다수의 배출공이 형성된 차단벽 플레이트가 추가로 형성될 수도 있다.

상기 펌핑 채널과 상기 버퍼 채널 중 어느 하나 이상은 상기 내부 공간의 둘레를 따라 일정한 단면으로 가스 통로를 형성하도록 구성될 수 있다. 이를 통해, 펌핑 채널과 버퍼 채널의 내부에서의 유속 요동량을 최소화하여, 공정 챔버의 내부 공간으로부터 일정한 양의 가스를 펌핑 채널로 배출시킬 수 있게 된다.

한편, 상기 구성의 본 발명은 하나의 공정 챔버로 형성된 기판 처리 장치일 수도 있고, 2개 이상의 공정 챔버로 형성된 기판 처리 장치일 수도 있다. 즉, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 제1공정 챔버 유닛(100)과 제2공정 챔버 유닛(200)을 포함할 수 있다. 여기서, 제2공정 챔버 유닛(200)은, 내부에 제2내부 공간이 마련되고 상기 공정 챔버와 나란이 배치된 제2공정 챔버와; 상기 제2내부 공간에서 제2기판을 거치시키는 제2서셉터와; 상기 제2서셉터에 거치된 제2기판의 상측에서 공정 가스를 공급하는 제2샤워 헤드와; 상기 제2공정 챔버의 둘레를 따라 연속하는 링 형태로 상기 제2공정 챔버의 바닥면에 하방 요입 형성되고, 상기 제2내부 공간과 연통시키는 제2펌핑 구멍이 형성된 제2펌핑 채널과; 상기 제2펌핑 채널과 제2격벽을 사이에 두고 상기 제2격벽의 관통공을 통해 연통되는 제2버퍼 채널을; 더 포함하고, 상기 제2버퍼채널은 상기 배출 채널에 연통하도록 구성될 수 있다.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '가스'나 '공정 가스'는 기판의 상면에 성막되는 막의 주재료를 형성하는 소스 가스와, 기판의 상면에 성막되는 막의 주재료를 형성하는 소스 가스와 반응하기 위해 공급되는 반응 가스와, 공정 챔버에 특정 가스를 공급하기 위하여 함께 공급되는 캐리어 가스와, 공정 챔버에서 모듈레이션 단계가 행해지는 동안에 공급되는 모듈레이션 가스를 모두 통칭하며, 공정 챔버로 공급되는 다양한 가스를 모두 통칭하기 위해 지칭하는 것으로 정의한다.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '둘레 방향' 및 이와 유사한 용어는 공정 챔버의 내부 공간의 내벽(110i, 210i)을 링 형태의 폐단면 방향을 지칭하는 것으로 정의한다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은, 공정 챔버에 공급된 공정 가스를 외부로 배출시키기 위한 펌핑 채널이 공정 챔버의 내부 공간의 바닥면에 형성됨에 따라, 샤워 헤드로부터 공급되는 공정 가스가 기판을 향하여 유동하면서 처리 공정을 행하고, 처리 공정을 행한 공정 가스가 서셉터와 내부 공간의 측면 사이의 틈새를 통과하여 내부 공간의 측면을 따라 연직 방향으로 유동하게 되므로, 기판 주변에서의 가스 유동을 일정하게 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.

무엇보다도, 본 발명은, 공정 챔버의 내부 공간에 공급된 가스를 배출하기 위한 펌핑 채널과 배출 채널의 사이에, 펌핑 채널과 관통공을 통해 연통되는 버퍼 채널을 구비함에 따라, 배출 채널로부터 펌핑 채널에 인가하는 흡입압을 버퍼 채널에 의해 골고루 분산되어 공정 챔버의 둘레 방향에 걸쳐 균일하게 유지시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.

이를 통해, 본 발명은, 공정 챔버의 내부 공간에 공급된 가스가 펌핑 채널의 둘레 방향을 따라 균일하게 작용하는 흡입압에 의하여, 둘레 방향으로의 편차를 최소화하면서 펌핑 채널로 유입되므로, 공정 챔버의 내부 공간에 공급된 가스가 둘레 방향을 따라 일정한 유량으로 배출되므로, 공정 챔버의 내부 공간의 가스 유동장이 기판을 중심으로 대칭으로 분포되어, 기판의 표면에 증착막을 전체적으로 균일하게 형성하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.

도1은 일반적인 기판 처리 장치의 구성을 도시한 종단면도,
도2는 도1의 'A'부분의 확대도,
도3은 도1의 제2공정챔버(21)의 펌핑 채널의 유동 해석 결과를 도시한 도면,
도4는 도1의 제2공정챔버(21)의 펌핑 채널의 유속 해석 결과를 도시한 도면,
도5는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 종단면도,
도6은 도5의 'B'부분의 확대도,
도7a은 도5의 절단선 X1-X1에 따른 횡단면도,
도7b는 도5의 절단선 X1-X1에 따른 횡단면에 대응하는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 횡단면도,
도8은 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 종단면도,
도9는 도8의 'C'부분의 확대도,
도10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성으로서 도5의 'B'부분에 대응하는 구성을 도시한 도면이다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치(1)를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.

도5 및 도6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 외부와 격리된 내부 공간(111, 211)이 마련된 한 쌍의 공정 챔버(110, 210)와, 각 내부 공간(111, 211)에서 기판(W)을 거치시키는 서셉터(120, 220)와, 서셉터(120, 220)에 거치된 기판(W)의 상측에서 공정 가스를 공급(92)하는 샤워 헤드(130, 230)와, 내부 공간(111, 211)의 바닥면(110s, 210s)에 연속하는 링 형태로 하방 요입 형성된 링 형태로 가스가 유동하고 내부 공간(111, 211)과 펌핑 구멍(a1)을 통해 연통되는 펌핑 채널(P1, P2)과, 펌핑 채널(P1, P2)과 격벽(w1, w2)을 사이에 두고 격벽(w1, w2)에 형성된 관통공(z1, z2)을 통해 연통되는 버퍼 채널(B1, B2)과, 버퍼 채널(B1, B2)과 연통 형성되어 가스의 배출 통로를 형성하는 배출 채널(E1, E2)과, 2개의 배출 채널(E1, E2)이 고정 바디(300)의 하측에서 합류하여 가스를 배출하는 공통 배출 채널(CE)을 포함하여 구성된다.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 하나의 공정 챔버 유닛(100)에서 기판의 처리 공정이 행해지도록 구성될 수 있지만, 이하에서는, 공정 챔버 유닛(100)와 제2공정챔버유닛(200)를 구비한 기판 처리 장치(1)를 예로 들어 본 발명을 설명하기로 한다. 이와 관련하여, 본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '제2~'라는 명칭은 도면에 예시된 실시예의 제1공정 챔버 유닛(100) 이외의 다른 하나인 제2공정 챔버 유닛(200)의 구성들(210, 220, 230, P2, B2, E2,..)을 지칭하기로 한다. 다만, 편의상 어느 하나의 구성 요소(예를 들어, '서셉터')에 각각 제1공정 챔버 유닛(100)과 제2공정 챔버 유닛(200)의 해당 구성 요소의 도면 부호를 함께 기재(예를 들어, (120, 220))하면, 제1공정챔버유닛(100)의 구성요소(예를 들어, 서셉터(120))와 제2공정챔버유닛(200)의 구성요소(예를 들어, 제2서셉터(220))를 함께 지칭하는 것으로 본다.

상기 공정 챔버(110, 210)는 외기와 차단되어 격리된 내부 공간(111, 211)을 형성하며, 기판(W)의 처리 공정 중에 대기압 보다 낮은 진공 상태로 유지된다. 이를 위하여, 공정 챔버(110, 210)에는 내부 압력을 제어하는 압력 조절부(미도시)와, 내부 온도를 제어하는 온도 조절부(미도시)가 구비될 수 있다.

내부 공간(111, 211)은 처리 공정이 행해지는 기판의 형상에 대응하여 형성된다. 예를 들어, 원형 디스크 형상의 기판(W)에 대한 처리 공정이 행해지면, 내부 공간(111, 211)은 원형 실린더 형태로 형성되어, 공정 챔버(110, 210)의 측면(110i, 210i)은 원형 단면을 형성하고, 공정 챔버(110, 210)의 측면 둘레 방향은 원주 방향을 이루게 된다.

도면에 도시되지 않았지만, 공정 챔버(110, 210)의 내부 공간(111, 211)에 펄스 전원을 공급하는 전극을 더 포함하여 구성된다. 여기서, 전원의 주파수는 13.56MHz~27.12MHz이고, 펄스 주파수는 10~100kHz인 것이 바람직하지만, 이에 국한되지 않는다. 전극(140)에 의해 인가되는 펄스 전원은 처리 공정이 행해지는 동안 내내 지속적으로 인가되며, 절연막을 증착하는 증착 단계 뿐만 아니라, 모듈레이션 단계에서도 인가되어 플라즈마를 발생시킬 수 있다.

상기 서셉터(120, 220)는 상하 방향으로 이동 가능하게 설치되어, 공정 챔버(110, 210)에 기판(W)이 유입되면 기판(W)을 거치시키고, 샤워 헤드(130, 230)의 저면까지의 거리를 정해진 값으로 유지하여, 샤워 헤드(130, 230)를 통해 공급되는 공정 가스가 기판(W)의 판면 전체에 걸쳐 균일하게 접촉하도록 한다.

서셉터(120, 220)에 거치되는 기판(W)은 절연막이 성막되기 위하여 도전성 재료로 형성된 금속층이 일부 이상 외부에 드러난 상태로 형성될 수 있다. 여기서, 금속층은 텅스텐 등 다양한 소재로 형성될 수 있고, 전기 전도성이 우수한 구리(Cu)로 형성될 수도 있다. 기판(W)의 금속층 상에 증착되는 절연막으로는 SiN막, SiCN 막, 산화물층 막 등이 형성될 수 있다.

서셉터(120, 220)도 역시 처리 공정이 행해지는 기판의 형상에 대응하여 형성된다. 예를 들어, 원형 디스크 형상의 기판(W)에 대한 처리 공정이 행해지면, 서셉터(120, 220)는 원반 형태로 기판(W)을 지지하도록 형성되며, 공정 챔버(110, 210)의 측면(110i, 210i)과 서셉터(120, 220)의 사이 간격은 둘레 방향을 따라 일정한 치수로 정해진다.

상기 샤워 헤드(130, 230)는 가스 공급부(150, 250)로부터 공급되는 공정 가스를 기판(W)에 균일하게 공급한다. 이를 위하여, 샤워 헤드(130, 230)는 기판(W)의 형상이 원판 형태이면, 가스를 공급하는 공급구도 원판 형태로 분포하게 배열된다. 그리고, 가스 공급부(150, 250)로부터 공급(91)되는 공정 가스가 균일하게 분포된 상태로, 샤워 헤드(130, 230)의 분사공(132, 232)을 통해 기판(W)에 공급(92)되도록 한다.

기판(W)의 표면에 절연막을 성막하는 증착 단계에서는, 샤워 헤드(130, 230)를 통해 소스(source) 가스와 반응 가스가 공급되며, 필요에 따라 캐리어 가스가 공급될 수 있다.

상기 펌핑 채널(P1, P2)은 공정 챔버(110, 210)의 내부 공간(111, 211)의 바닥면(110s, 210s)으로부터 하방으로 요입 형성된 연속하는 링 형태로 형성된다. 내부 공간(111, 211)의 횡단면이 원형으로 형성되면, 펌핑 채널(P1, P2)도 원형 링 형상으로 형성된다.

펌핑 채널(P1, P2)은 내부 공간(111, 211)에 비하여 보다 낮은 압력 상태로 유지되어, 샤워 헤드(130, 230)로부터 공급(91)된 공정 가스가 기판에 대한 처리 공정을 행하고 나서 서셉터(120, 220)와 내부 공간(111, 211)의 사이 틈새를 통해 하방으로 유동하여 내부 공간(111, 211)으로부터 펌핑 채널(P1, P2)로 유입(93)되도록 유도된다. 이를 위하여, 공통 배출 채널(CE)에는 흡입 펌프 등이 연결되어, 배출 채널(E1, E2)과 버퍼 채널(B1, B2)을 거쳐 펌핑 채널(P1, P2)에 흡입압이 인가된다.

도5 및 도6에 도시된 바와 같이, 펌핑 채널(P1, P2)은 공정 챔버(110, 210)의 내부 공간(111, 211)과의 사이에 개재된 천장 플레이트(Su)에 의해 서로 구획될 수 있다. 천장 플레이트(Su)는 공정 챔버(110, 210)의 측면(110i, 210i)과 바닥면(110s, 210s)이 만나는 모서리를 따라 링 형태로 형성되고, 펌핑 구멍(a1, a2)이 둘레 방향으로 모서리를 따라 간격을 두고 관통 형성되게 이격 배치되어, 펌핑 구멍(a1, a2)을 통해 펌핑 채널(P1, P2)과 내부 공간(111, 211)이 서로 연통되게 한다.

여기서, 천장 플레이트(Su)의 상면은 공정 챔버(110, 210)의 바닥면(110s, 210s)과 단턱이 발생되지 않게 연속하도록 공정 챔버(110, 210)의 바닥면에 배치된다. 그리고, 내측면 플레이트(Si)는 공정 챔버(110, 210)의 측면(110i, 210i)에 묻혀지는 형태로 설치된다.

이에 따라, 펌핑 채널(P1, P2)은 내부 공간(111, 211)의 측면(110i, 210i)과 바닥면(110s, 210s)이 만나는 모서리를 따라 바닥면(110s, 210s)에 하방 요입 형성된다. 그리고, 펌핑 채널(P1, P2)과 내부 공간(111, 211)을 연통시키는 펌핑 구멍(a1, a2)은 측면(110i, 210i)과 바닥면(110s, 210s)이 만나는 모서리에 위치하게 된다.

이를 통해, 내부 공간(111, 211)의 측면(110i, 210i)과 내부 공간(111, 211)의 바닥면(110s, 210s)이 접하는 모서리 위치에서 흡입압이 내부 공간에 작용하게 되므로, 서셉터(120, 220)와 내부 공간(111, 211)의 측면(110i, 210i)의 사이 틈새를 통과한 공정 가스가 내부 공간의 측면을 따라 연직 방향으로 유동(yy)하게 되므로, 기판(W)의 주변에서 가스의 유동이 보다 안정되고 일정하게 유지하여 기판의 전체 표면에 입혀지는 증착막의 두께를 보다 균일하게 형성할 수 있다.

한편, 본 발명은 도면에 도시된 구성으로 한정되지 아니하며, 펌핑 구멍(a1, a2)이 내부 공간(111, 211)의 측면(110i, 210i)과 바닥면(110s, 210s)이 만나는 모서리로부터 내부 공간의 중심으로 이격된 위치에 배치되는 구성을 포함한다.

펌핑 구멍(a1, a2)은 전체적으로 균일한 단면의 구멍(straight hole)으로 형성될 수도 있으며, 내부 공간(111, 211)으로부터 펌핑 채널(P1, P2)로 유입(93)될수록 점진적으로 단면이 작아지는 테이퍼진 형태의 구멍(tapered hole, 미도시)으로 형성될 수 있다. 펌핑 구멍(a1, a2)이 테이퍼진 형태의 구멍으로 형성되면, 내부 공간(111, 211)으로부터 펌핑 채널(P1, P2)로 유입(93)될 수록 점진적으로 유속이 빨라지므로, 내부 공간(111, 211)으로부터 펌핑 채널(P1, P2)로의 안정된 유동을 보장하고 역류를 방지하는 데 기여할 수 있다.

펌핑 채널(P1, P2)은 내부 공간(111, 211)의 둘레 방향을 따라 일정한 단면의 통로를 갖도록 형성되어, 링 형태의 펌핑 채널(P1, P2)을 유동하는 가스가 펌핑 채널(P1, P2)의 단면 변화에 의한 가속이나 감속이 발생되는 것이 억제된다.

도5 및 도6에 도시된 바와 같이, 펌핑 채널(P1, P2)의 바닥면을 격벽(w1, w2)으로 하여 펌핑 채널(P1, P2)의 하측에 격벽(w1, w2)을 사이에 두고 버퍼 채널(B1, B2)이 형성된다.

격벽(w1, w2)에는 다수의 관통공(z1, z2)이 형성되어, 펌핑 채널(P1, P2)에 인가되는 흡입압은 배출 채널(E1, E2)로부터 버퍼 채널(B1, B2)을 거쳐 전달된다. 흡입압이 배출 채널(E1, E2)로부터 직접 펌핑 채널(P1, P2)에 작용하는 도1 및 도2의 구성에 비하여, 버퍼 채널(B1, B2)을 거쳐 펌핑 채널(P1, P2)에 작용하므로, 펌핑 채널(P1, P2)에 인가되는 흡입압의 둘레 방향으로의 편차를 줄일 수 있다.

따라서, 펌핑 채널(P1, P2)가 연장된 둘레 방향을 따르는 흡입압 편차가 크게 줄어들기 때문에, 천장 플레이트(Su)에 형성된 펌핑 구멍(a1)을 통해 내부 공간(111, 211)으로부터 펌핑 채널(P1, P2)로 유입(93)되는 가스의 단위 시간당 유량은 둘레 방향 전체에 걸쳐 균일하게 유지될 수 있게 되고, 이를 통해, 처리 공정 중에 기판(W)의 주변의 공정 가스의 유동은 기판(W)을 중심으로 대칭을 이루게 되어, 기판(W)의 증착 등의 처리 공정이 기판(W)의 전체 표면에 걸쳐 보다 균일하게 이루어지는 유리한 효과를 얻을 수 있다.

도7a에 도시된 바와 같이, 격벽(w1, w2)에 형성되는 관통공(z1, z2)은 천장 플레이트(Su)에 형성되는 펌핑 구멍(a1, a2)의 직경(da)에 비하여 보다 큰 직경(dz)을 갖도록 형성된다. 바람직하게는, 펌핑 채널(P1, P2)과 버퍼 채널(B1, B2)을 연통시키는 관통공(z1, z2)의 개방 단면의 합은 내부 공간(111, 211)과 펌핑 채널(P1, P2)을 연통시키는 펌핑 구멍(a1, a2)의 개방 단면의 합에 비하여 더 크게 형성된다. 이를 통해, 공통 배출 채널(CE)로부터 전달되는 흡입압이 펌핑 채널(P1, P2)에 작용하는 것이 원활해지고, 내부 공간(111, 211)으로부터 공통 배출 채널(CE)까지 배출되는 가스의 유동에 병목 현상이 발생되지 않아 원활한 배출을 보장할 수 있다.

여기서, 펌핑 구멍(a1, a2)과 관통공(z1, z2)은 공정 챔버의 측면 둘레를 따라 서로 다른 위치에 배치된다. 즉, 도7a에 도시된 바와 같이, 펌핑 구멍(a1, a2)과 관통공(z1, z2)은 rr로 표시된 둘레 방향으로의 편차를 두고 배치된다. 이에 따라, 내부 공간(111, 211)으로부터 펌핑 채널(P1, P2)로 유입(93)된 가스가 곧바로 버퍼 채널(B1, B2)로 유입되지 아니하고, 펌핑 채널(P1, P2)의 내부에서 둘레 방향을 따라 유동하다가 버퍼 채널(B1, B2)로 유입(94)되게 유도되어, 펌핑 채널(P1, P2)에서의 와류 발생을 최소화하여 전체 유동 상태를 일정하게 유지시켜 공정 진행에 따른 가스 배출 속도를 일정하게 유지시킬 수 있다.

마찬가지로, 관통공(z1, z2)은 전체적으로 균일한 단면의 구멍(straight hole)으로 형성될 수도 있으며, 펌핑 채널(P1, P2)로부터 버퍼 채널(B1, B2)로 유입될수록 점진적으로 단면이 작아지는 테이퍼진 형태의 구멍(tapered hoel)으로 형성될 수 있다. 관통공(z1, z2)이 테이퍼진 형태의 구멍으로 형성되면, 펌핑 채널(P1, P2)로부터 버퍼 채널(B1, B2)로 유입될 수록 점진적으로 유속이 빨라지므로, 펌핑 채널(P1, P2)로부터 버퍼 채널(B1, B2)로의 유동이 안정화되어 역류 등에 의한 병목 현상을 억제할 수 있다.

한편, 관통공(z1, z2)은 펌핑 구멍(a1, a2)의 개수와 동일하거나 작은 편차를 갖는 개수로 분포될 수도 있지만, 도7b에 도시된 바와 같이, 슬릿 형태의 장공을 길게 형성하여 펌핑 구멍(a1, a2)에 비하여 훨씬 적은 개수로 형성될 수 있다. 구체적으로는, 배출 채널(E1, E2)과 인접한 버퍼 채널(B1, B2)의 부분(EE)은 배출 채널(E1, E2)과 멀리 떨어진 버퍼 채널(B1, B2)의 반대 부분(XX)에 비하여 흡입압이 약간 더 높게 형성될 수 있으므로, 배출 채널(E1, E2)과 인접한 버퍼 채널(B1, B2)의 부분(EE)에서는 장공(ze2)의 길이(rre)를 배출 채널(E1, E2)과 멀리 떨어진 버퍼 채널(B1, B2)의 부분(XX)에서의 장공(zx2)의 길이(rrx)에 비하여 더 작게 형성할 수 있다. 즉, 배출 채널(E1, E2)과 인접한 버퍼 채널(B1, B2)의 부분(EE)에서의 관통공의 단면 크기는 배출 채널(E1, E2)과 멀리 떨어진 버퍼 채널(B1, B2)의 부분(XX)에서의 관통공의 단면 크기에 비하여 더 작게 형성할 수 있다. 이를 통해, 펌핑 채널(P1, P2)에서의 둘레 방향을 따르는 흡입압 편차를 줄여주어, 기판의 둘레 방향을 따라 배출되는 단위 시간당 가스 배출 유량 편차를 보다 더 작게 할 수 있다.

한편, 버퍼 채널(B1, B2)은 펌핑 채널(P1, P2)과 동일한 궤적을 따르는 연속하는 링 형태로 형성될 수도 있다. 즉, 도7a 및 도7b에 도시된 형태나 그 밖에 다른 배치로 관통공이 형성된 경우에, 버퍼 채널(B1, B2)은 연속하는 링 형태로 형성될 수 있다. 한편, 도7b에 도시된 바와 같이, 버퍼 채널(B1, B2)은 펌핑 채널(P1, P2)을 관통시키는 관통공(ze1, zx1)이 펌핑 채널(P1, P2)에 대하여 국부적으로 분산되게 위치하면, 관통공(ze1, zx1)이 배치된 위치에만 버퍼 채널(B1, B2)이 국부적으로 배치되게 형성될 수도 있다. 즉, 본 발명에 따른 버퍼 채널(B1, B2)은 연속하는 링 형태로 형성될 수도 있고, 관통공이 배치되는 위치에만 구분되게 이산 배치될 수도 있다.

상기 구성에서, 펌핑 채널(P1, P2)로부터 버퍼 채널(B1, B2)로 유입(94)된 공정 가스는 배출구멍(c1, c2)을 통해 배출 채널(E1, E2)로 유동하고, 각 공정 챔버 유닛(100, 200)의 배출 채널(E1, E2) 및 고정 바디(300)의 하측에서 배출 채널(E1, E2)이 합류하는 공통 배출 채널(CE)을 통과하여 기판 처리 장치(1)의 외부로 유출(96)된다. 여기서, 배출공(c1, c2)은 버퍼 채널(B1, B2)의 연장 방향을 따라 길게 형성된 슬릿 형상으로 형성될 수도 있고, 다수의 관통 구멍 형태로 형성될 수도 있다.

한편, 공정 챔버(110, 210)의 측면에 펌핑 채널(P1, P2)과 버퍼 채널(B1, B2)을 직접 가공하여 형성하는 것은 까다롭고 비용이 많이 소요된다. 따라서, 펌핑 구멍(a1, a2)이 형성된 천장 플레이트(Su)와, 외측면 플레이트(So)와, 내측면 플레이트(Si)와, 펌핑 채널(P1, P2)과 버퍼 채널(B1, B2)을 구획하고 관통공(z1, z2)이 형성된 격벽(w1, w2)을 구비하고, 버퍼 채널(B1, B2)과 배출 채널(E1, E2)을 연결하는 배출공(c1, c2)이 형성된 링형 채널 부재(190, 290)를 제작해두고, 제작된 링형 채널 부재(190, 290)를 공정 챔버(110, 210)의 바닥면(110s, 210s)에 하방으로 요입 형성된 홈에 삽입하는 것에 의하여, 펌핑 채널(P1, P2) 및 버퍼 채널(B1, B2)을 간단히 설치할 수 있다.

한편, 도8 및 도9을 참조하여 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치(1)를 설명한다. 다만, 본 발명의 제2실시예의 구성 및 작용을 설명함에 있어서, 전술한 제1실시예와 동일 또는 유사한 구성 및 작용에 대해서는, 제2실시예의 요지를 분명히 하기 위하여, 전술한 제1실시예의 구성과 동일 또는 유사한 도면 부호를 부여하고, 이에 대한 설명을 생략하기로 한다.

본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치(1')는, 2개의 공정 챔버 유닛(100', 200')을 구비하고, 각 공정 챔버 유닛(100', 200')에서 펌핑 채널(P1', P2')과, 버퍼 채널(B1', B2')과, 공통 배출 채널(CE)로 합류하는 배출 채널(E1', E2')이 형성된다는 점에서 전술한 제1실시예의 구성과 유사하다.

본 발명의 제2실시예에서는, 버퍼 채널(B1', B2')이 펌핑 채널(P1', P2')을 감싸는 형태로서 펌핑 채널(P1', P2')의 반경 바깥에 배치되어, 버퍼 채널(B1', B2')과 펌핑 채널(P1', P2')을 구획하는 격벽(w1', w2')이 펌핑 채널(P1', P2')의 바닥면 대신에 외측면을 형성한다.

따라서, 기판의 처리 공정 중에 공정 챔버(110', 210')로 공급(91)된 공정 가스는 샤워 헤드(130, 230)를 통해 내부 공간(111, 211)으로 공급(92)되고, 기판의 상측에서 처리 공정에 사용된 공정 가스는 서셉터(120, 220)와 내부 공간(111, 211)과의 틈새를 통해 연직 하방으로 이동(yy)하여, 펌핑 구멍(a1', a2')을 통해 펌핑 채널(P1', P2')로 유입(93)되고, 펌핑 채널(P1', P2')의 외측면을 형성하는 격벽(w1', w2')의 관통공(z1', z2')을 통해 반경 바깥의 유동으로 버퍼 채널(B1', B2')에 유입(94)되어 배출되도록 구성될 수 있다.

마찬가지로, 버퍼 채널(B1', B2')과 펌핑 채널(P1', P2')을 링형 채널 부재(190', 290')로 형성할 수도 있다.

한편, 본 발명의 다른 실시 형태(1")에 따르면, 도10에 도시된 바와 같이, 상기 버퍼 채널(B1, B2)과 배출 채널(E1, E2)의 사이에 차단벽(Sd)이 개재되어, 버퍼 채널(B1, B2)과 배출 채널(E1, E2)을 구획할 수 있다. 그리고, 차단벽(Sd)에는 둘레 방향을 따라 다수 배출공(c1", c2")이 형성되어, 버퍼 채널(B1, B2)과 배출 채널(E1, E2)의 사이에는 배출공(c1", c2")을 통해서만 연통되게 구성될 수 있다. 이를 통해, 배출 채널(B1, B2) 내의 흡입압 편차를 제1실시예에 비하여 보다 더 줄여주므로, 펌핑 채널(P1, P2)에서 둘레 방향에 따른 흡입압 편차를 보다 더 줄일 수 있다.

여기서, 각각의 배출공(c1", c2")은 각각의 관통공(z1, z2)에 비하여 보다 큰 개방 단면을 갖도록 형성되거나, 배출공(c1", c2")의 개방 단면의 합은 관통공(z1, z2)의 개방 단면의 합에 비하여 보다 크게 형성되어, 버퍼 채널(B1, B2)로부터 배출 채널(E1, E2)로의 가스 유동을 병목 현상 없이 원활히 구현할 수 있다.

마찬가지로, 버퍼 채널(B1, B2)과 펌핑 채널(P1, P2)을 링형 채널 부재로 형성할 수 있으며, 제1실시예의 링형 채널 부재(190, 290)에 비하여 차단벽 플레이트(Sd)를 추가로 포함한다.

한편, 도면에 도시된 실시예에서는, 버퍼 채널(B1, B2)이 1개로 형성되는 구성이 예시되어 있지만, 버퍼 채널(B1, B2)과 배출 채널(E1, E2)의 사이에 제N버퍼 채널이 배치되어, 펌핑 채널(P1, P2)로 유입된 가스를 버퍼 채널(B1, B2)과 제N버퍼 채널을 순차적으로 거쳐 배출 채널(E1, E2)을 통해 배출되게 구성하여, 펌핑 채널(P1, P2)에서의 원주 방향으로의 흡입압 편차를 보다 줄일 수도 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명에 따른 실시예의 구성의 조합을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

예를 들어, 도면에 예시된 실시예에는 버퍼 채널이 구비된 구성을 예로 들었지만, 특허청구범위에 기재된 범위 안에서, 버퍼 채널이 구비되지 아니하고, 펌핑 채널이 직접 배출 채널과 연통되는 구성도 본 발명의 범주에 속한다.

1: 기판 처리 장치 100: 제1공정 챔버 유닛
110: 공정 챔버 111: 내부 공간
120: 서셉터 130: 샤워 헤드
200: 제2공정 챔버 유닛 210: 제2공정 챔버
211: 제2내부 공간 220: 제2서셉터
230: 제2샤워헤드 P1, P1': 펌핑 채널
P2, P2': 제2펌핑 채널 B1, B1': 버퍼 채널
B2, B2': 제2버퍼 채널 E1, E1': 배출 채널
E2, E2': 제2배출 채널 CE: 공통 배출 채널

Claims (17)

1. 내부에 내부 공간이 마련된 공정 챔버와;
   상기 내부 공간에서 기판을 거치시키되, 상기 공정 챔버의 측면과 간격을 두고 배치되는 서셉터와;
   상기 서셉터에 거치된 기판의 상측에서 공정 가스를 공급하는 샤워 헤드와;
   상기 공정 챔버의 바닥면의 둘레를 따라 연속하는 링 형태로 상기 공정 챔버의 바닥면에 하방 요입 형성되고, 상기 내부 공간과 연통시키는 펌핑 구멍이 형성된 펌핑 채널과;
   상기 펌핑 채널로 유입된 가스를 배출시키는 배출 채널을;
   포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
   
2. 제 1항에 있어서,
   상기 펌핑 구멍은 상기 내부 공간의 측면과 상기 내부 공간의 바닥면이 접하는 위치에 배치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
   
3. 제 1항에 있어서,
   상기 펌핑 채널과 격벽을 사이에 두고 상기 격벽의 관통공을 통해 연통되는 버퍼 채널을;
   더 포함하고, 상기 배출 채널은, 상기 버퍼 채널과 연통되어 흡입압을 인가하고, 상기 펌핑 채널로 유입된 가스를 상기 버퍼 채널을 거쳐 배출시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
   
4. 제 3항에 있어서,
   상기 버퍼 채널은 상기 펌핑 채널의 측면을 상기 격벽으로 하여 상기 펌핑 채널의 외측과 내측 중 어느 하나 이상에 링 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
   
5. 제 3항에 있어서,
   상기 버퍼 채널은 상기 펌핑 채널의 바닥면을 상기 격벽으로 하여 상기 펌핑 채널의 하측에 링 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
   
6. 제 3항에 있어서,
   상기 펌핑 구멍과 상기 관통공은 상기 공정 챔버의 둘레 방향을 따라 다수가 이격 배치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
   
7. 제 6항에 있어서,
   상기 관통공과 상기 펌핑 구멍은 상기 공정 챔버의 둘레 방향을 따라 서로 다른 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
   
8. 제 6항에 있어서,
   상기 관통공의 개방단면의 합은 상기 펌핑 구멍의 개방 단면의 합에 비하여 더 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
   
9. 제 3항에 있어서,
   상기 관통공과 상기 펌핑 구멍 중 어느 하나 이상은 상기 배출 채널을 향하여 단면이 점진적으로 작아지는 테이퍼진 형상으로 관통 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
   
10. 제 3항에 있어서,
    상기 버퍼 채널과 상기 배출 채널의 사이에는 차단벽이 형성되고, 상기 버퍼 채널과 상기 배출 채널을 연통시키는 배출공이 상기 차단벽에 다수 관통 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
    
11. 제 3항에 있어서,
    상기 버퍼 채널과 상기 배출 채널의 사이에는 제N버퍼 채널이 배치되어, 상기 펌핑 채널로 유입된 가스를 상기 버퍼 채널과 상기 제N버퍼 채널을 순차적으로 거쳐 상기 배출 채널을 통해 배출되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
    
12. 제 3항에 있어서,
    링 형태로 형성되고, 상기 펌핑 구멍이 형성되고, 상기 펌핑 채널과 상기 내부 공간의 사이에 개재되어 상기 펌핑 채널을 상기 내부 공간과 구획하는 천장 플레이트를;
    더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
    
13. 제 12항에 있어서,
    상기 천장 플레이트와 상기 격벽을 구비한 링 형태의 하나의 몸체로 형성되어, 상기 공정 챔버의 측면 둘레에 요입 형성된 부분에 삽입 설치되는 링형 채널 부재를;
    더 포함하여, 상기 채널 부재에 의해 상기 펌핑 채널과 상기 버퍼 채널을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
    
14. 제 13항에 있어서, 상기 링형 채널 부재는,
    상기 버퍼 채널과 상기 배출 채널의 사이에는 다수의 배출공이 형성된 차단벽 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
    
15. 제 1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 채널 채널과 상기 버퍼 채널 중 어느 하나 이상은 상기 내부 공간의 둘레를 따라 일정한 단면의 통로를 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
    
16. 제 1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 서셉터는 원형 형상이고, 상기 서셉터의 외주면과 상기 내부 공간의 내주면의 사이 간격은 측면 둘레 방향을 따라 일정하게 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
    
17. 제 3항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    내부에 제2내부 공간이 마련되고 상기 공정 챔버와 나란이 배치된 제2공정 챔버와;
    상기 제2내부 공간에서 제2기판을 거치시키는 제2서셉터와;
    상기 제2서셉터에 거치된 제2기판의 상측에서 공정 가스를 공급하는 제2샤워 헤드와;
    상기 제2공정 챔버의 둘레를 따라 연속하는 링 형태로 상기 제2공정 챔버의 바닥면에 하방 요입 형성되고, 상기 제2내부 공간과 연통시키는 제2펌핑 구멍이 형성된 제2펌핑 채널과;
    상기 제2펌핑 채널과 제2격벽을 사이에 두고 상기 제2격벽의 관통공을 통해 연통되는 제2버퍼 채널을;
    더 포함하고, 상기 제2버퍼채널은 상기 배출 채널에 연통하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
    

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