CN116230608A - 一种巨量转移系统及巨量转移方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种巨量转移系统及巨量转移方法，其中，巨量转移系统用于将微型发光二极管转移至阵列基板上，该巨量转移系统包括转移装置和校准装置；转移装置用于吸附多个微型发光二极管，并将微型发光二极管转移至校准装置；校准装置包括多个校准点位，一个校准点位用于吸附一个微型发光二极管并对微型发光二极管进行位置校准；校准装置还用于通过电控方式将微型发光二极管转移至阵列基板上。本发明实施例的技术方案可以在在转移微型发光二极管的过程中兼顾转移速率和转移良率。

Description

一种巨量转移系统及巨量转移方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种巨量转移系统及巨量转移方法。
背景技术
微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)具备自发光的特性，相比于有机发光二极管(Organic light Emitting Diode，OLED)和液晶显示器(LiquidCrystal Display，LCD)，Micro-LED显示器的色彩调试更容易、更准确，具有更长的发光寿命、更高的亮度和更高的解析度，并且更轻薄、更省电，在显示技术领域极具发展潜力。
现有技术大多采用巨量转移的方式将微型发光二极管转移至制作有像素驱动电路的阵列基板上，形成微型发光二极管显示面板。常用的巨量转移方式包括印章转移和激光转移，但是无论是印章转移和激光转移均无法兼顾转移速率和转移良率。具体的，印章转移采用接触式转移方式(微型发光二极管与阵列基板接触)，因而转移良率较高，但受限于印章尺寸较小等原因，转移速率较低；激光转移采用非接触式转移方式(微型发光二极管与阵列基板不接触)，通过激光照射的方式释放微型发光二极管，使其下落至阵列基板上，相对印章转移而言，激光转移速率较高，但微型发光二极管的释放位置可能出现偏差，因而转移良率较低。
因此，如何在转移微型发光二极管的过程中兼顾转移速率和转移良率是亟待解决的问题。
发明内容
本发明提供了一种巨量转移系统及巨量转移方法，以在在转移微型发光二极管的过程中兼顾转移速率和转移良率。
一方面，本发明提供了一种巨量转移系统，用于将微型发光二极管转移至阵列基板上，该巨量转移系统包括转移装置和校准装置；
转移装置用于吸附多个微型发光二极管，并将微型发光二极管转移至校准装置；
校准装置包括多个校准点位，一个校准点位用于吸附一个微型发光二极管并对微型发光二极管进行位置校准；
校准装置还用于通过电控方式将微型发光二极管转移至阵列基板上。
另一方面，基于同一发明构思，本发明还提供了一种巨量转移方法，采用本发明任一实施例提供的巨量转移系统执行，该巨量转移方法包括：
转移装置吸附多个微型发光二极管，并将微型发光二极管转移至校准装置；
校准装置的一个校准点位吸附一个微型发光二极管，并对微型发光二极管进行位置校准；
校准装置通过电控方式将微型发光二极管转移至阵列基板上。
本发明实施例提供的巨量转移系统包括转移装置和校准装置，在转移微型发光二极管的过程中，先通过转移装置将微型发光二极管转移至校准装置上，并利用校准装置上的校准点位对微型发光二极管进行位置校准，可以提高转移良率，同时，由于微型发光二极管从校准装置转移至阵列基板上时采用电控方式，无需热压，因此，可以制作较大尺寸的校准装置，一次性转移更多的微型发光二极管以及一次性对更多的微型发光二极管进行位置校准，从而可以保证较高的转移速率。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种巨量转移系统的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的一种俯视结构示意图；
图3-图5是图1所示巨量转移系统的转移流程图；
图6是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的一种剖面结构示意图；
图7是图6所示的校准装置对微型发光二极管进行位置校准的一种流程图；
图8是图6所示的校准装置对微型发光二极管进行位置校准的另一种流程图；
图9是与图8对应的压电致动模块在位置校准过程中的状态变化曲线图；
图10是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的另一种剖面结构示意图；
图11是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的另一种剖面结构示意图；
图12是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的另一种剖面结构示意图；
图13是本发明实施例提供的另一种巨量转移系统的结构示意图；
图14是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的另一种俯视结构示意图；
图15是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的另一种俯视结构示意图；
图16是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的另一种俯视结构示意图；
图17是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的另一种俯视结构示意图；
图18是本发明实施例提供的巨量转移系统所适用的一种阵列基板的俯视结构示意图；
图19是本发明实施例提供的巨量转移系统所适用的另一种阵列基板的俯视结构示意图；
图20是本发明实施例提供的巨量转移系统所适用的另一种阵列基板的俯视结构示意图；
图21是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的另一种俯视结构示意图；
图22是本发明实施例提供的一种巨量转移方法的流程示意图；
图23是本发明实施例提供的另一种巨量转移方法的流程示意图；
图24是本发明实施例提供的另一种巨量转移方法的流程示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
首先需要说明的是，除非另外定义，本发明使用的技术用语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”和“又”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。另外，附图中各部件的形状和大小不反应真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
图1是本发明实施例提供的一种巨量转移系统的结构示意图，图2是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的一种俯视结构示意图，结合图1和图2所示，本发明实施例提供的巨量转移系统100包括转移装置1和校准装置2，校准装置2包括多个校准点位21，该巨量转移系统100用于将微型发光二极管转移至阵列基板上，具体的，巨量转移系统100中，转移装置1用于吸附多个微型发光二极管，并将微型发光二极管转移至校准装置2；校准装置2上的一个校准点位21用于吸附一个微型发光二极管并对微型发光二极管进行位置校准；校准装置2还用于通过电控方式将微型发光二极管转移至阵列基板上。
其中，转移装置1可以是任意的能够从晶圆或者其他基板上拾取/吸附微型发光二极管并将微型发光二极管转移至其他基板(如阵列基板)上的转移装置，本实施例中，转移装置1将吸附的微型发光二极管先转移至校准装置2上。根据转移方式的不同，巨量转移技术可以分为精准抓取技术、选择性释放技术、转印技术和自组装技术等技术，可选地，转移装置1可以是选择性释放技术常用的激光转移装置，精准抓取技术常用的基于静电力/范德华力/磁力等作用力的转移装置，转印技术常用的转印装置中的任一种，本发明实施例对此不作限定。
示例性的，图1以转移装置1为激光转移装置10为例进行示意。图3-图5是图1所示巨量转移系统的转移流程图，结合图1和图3所示，激光转移装置10包括源基板11、释放层12和粘附层13，激光转移装置10可以通过粘附层13吸附微型发光二极管200，并且通过激光照射的方式使微型发光二极管200与激光转移装置10分离，进而下落至下方的校准装置2的第一表面S1上。具体的，采用单脉冲激光照射释放层12后可产生高压气体，利用粘附层13的弹性特质可以产生形变，进而可以推送微型发光二极管200与激光转移装置10分离，将其转移至校准装置2上。由于激光转移装置10可以根据需要释放任意一颗微型发光二极管，使得激光转移装置10上吸附的微型发光二极管的布局不受限于校准装置2上的校准点位21的布局，因而更具灵活性，且可以一次性吸附更多的微型发光二极管，有利于提高转移速率。
如图2所示，校准装置2包括多个校准点位21，一个校准点位21可用于吸附一个微型发光二极管200并对微型发光二极管200进行位置校准，以提高转移良率。示例性的，校准装置可通过校准点位21向微型发光二极管200提供一定的吸附力，例如静电力或磁力等作用力，以起到吸附微型发光二极管和校准微型发光二极管位置的作用。示例性的，图4示出了利用校准装置2对微型发光二极管200进行位置校准后，微型发光二极管200与校准点位21的相对位置关系，如图4所示，经过位置校准后，微型发光二极管200的几何中心与校准点位21的几何中心接近重合。
需要说明的是，图4仅以位置校准完成后，微型发光二极管200在校准装置2上的正投影区域与校准点位21所在区域重叠为例进行示意，此设置方式并非限定，在其他实施例中，校准点位21所在区域的面积可以大于或小于微型发光二极管200在校准装置上的正投影面积。
进一步的，图5示出了校准装置2将微型发光二极管200转移至阵列基板300上的过程，在此过程中，校准装置2吸附有微型发光二极管200的第一表面S1朝向阵列基板300，以将微型发光二极管200转移至阵列基板300上。
具体的，校准装置2上的校准点位21的布局与阵列基板300上接收微型发光二极管的点位(简称接收点位)的布局相关，通过移动校准装置，可使对应的校准点位21与接收点位对齐，同时使微型发光二极管200与阵列基板300接触，随后可以通过电控方式使微型发光二极管200与校准装置2分离，实现将微型发光二极管200转移至阵列基板300上。示例性的，电控方式例如具体可以是撤掉校准点位21对微型发光二极管200的吸附力。
本实施例中，由于校准装置2预先对微型发光二极管进行了位置校准，因而可以提高巨量转移的转移良率。此外，现有技术中，印章转移大多通过热压的方式融化微型发光二极管与阵列基板之间的键合金属，实现将微型发光二极管固定在阵列基板上，但是，由于印章与阵列基板的材质不同，使得二者在相同温度下的热膨胀情况不同，研究发现热压时外围边缘的微型发光二极管的位置偏差较为严重，因此，为保证转移良率，印章的尺寸通常较小，每次抓取和释放的微型发光二极管的数量有限，导致转移速率较低。而本发明实施例的技术方案，校准装置2通过电控方式将微型发光二极管200转移至阵列基板300上，无需热压，因此，可以制作大尺寸的校准装置(例如校准装置的尺寸可以与阵列基板的尺寸相当)，一次性转移更多的微型发光二极管，从而可以保证较高的转移速率。而且，设计大尺寸的校准装置还可以一次性对更多的微型发光二极管进行位置校准，可以缩短位置校准所用的时间，同样有利于保证较高的转移速率。
在将微型发光二极管转移至阵列基板上之后，可以通过激光烧灼或其他方式融化键合金属，实现微型发光二极管与阵列基板中的像素驱动电路电连接，本发明实施例对此不作限定。
需要说明的是，图2所示校准点位21的布局仅为示意，并非限定，具体可以结合实际的阵列基板上的接收点位的布局进行设计，本发明实施例对此不作限定。
还需要说明的是，图5仅以校准装置2将微型发光二极管200转移至阵列基板300时，微型发光二极管200与阵列基板300接触为例进行示意，在其他实施例中，微型发光二极管200可以与阵列基板300之间具有微小的间隙，如此，既不会影响转移良率，同时还可避免微型发光二极管在与阵列基板接触的瞬间受损，保证微型发光二极管的品质。
综上，本发明实施例提供的巨量转移系统设置有校准装置，在转移微型发光二极管的过程中，先通过转移装置将微型发光二极管转移至校准装置上，并利用校准装置上的校准点位对微型发光二极管进行位置校准，可以提高转移良率，同时，由于微型发光二极管从校准装置转移至阵列基板上时采用电控方式，无需热压，因此，可以制作较大尺寸的校准装置，一次性转移更多的微型发光二极管以及一次性对更多的微型发光二极管进行位置校准，从而可以保证较高的转移速率。
在上述实施例的基础上，图6是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的一种剖面结构示意图，图7是图6所示的校准装置对微型发光二极管进行位置校准的一种流程图，示出了一个校准周期内微型发光二极管与校准装置在不同时刻的状态。如图6和图7所示，可选地，校准装置2还包括基底22和位于基底22上的压电致动模块23，每个校准点位21包括至少一个吸附电极211，吸附电极211位于压电致动模块23远离基底22的一侧；位置校准的过程包括至少一个校准周期，一个校准周期包括依次进行的第一阶段和第二阶段(图7中(a)示出了校准周期开始时刻的状态，(b)示出了第一阶段结束时刻的状态，(c)表示第二阶段结束时刻的状态，即该校准周期结束时刻的状态)；在第一阶段(如图7中(a)-(b))，校准装置2用于通过压电致动模块23控制微型发光二极管200与校准装置2的第一表面S1之间产生第一间隙H1；在第二阶段(如图7中(b)-(c))，校准装置2用于通过吸附电极211对微型发光二极管200提供静电吸引力F，以控制微型发光二极管200回落至第一表面S1上；第一表面S1位于吸附电极211远离基底22的一侧。
其中，吸附电极211上可以施加正电压信号，也可以施加负电压信号，本发明实施例对此不作限定。通过在吸附电极211上施加电信号，可在校准点位21所在区域产生电场，而具有介电常数的材料表面在电场作用下都会产生极化电荷，因此，微型发光二极管200与吸附电极211之间存在静电力，且静电力的方向由微型发光二极管200的几何中心指向吸附电极211所在位置(即校准点位21)的几何中心，表现为校准点位21对微型发光二极管200的静电吸引力。具体的，在转移装置1将微型发光二极管200转移至校准装置2，以及校准装置2对微型发光二极管200进行位置校准的过程中，至少需要吸附微型发光二极管的校准点位21中的吸附电极需要始终保持加电状态。另外，一个校准点位21所在区域可以理解为该校准点位21内所有吸附电极211的最外围边缘围成的区域，以此确定校准点位的几何中心。
需要说明的是，图6仅以一个校准点位21包括一个吸附电极211为例进行示意，该吸附电极211上可以施加正电压信号，也可以施加负电压信号，本发明实施例对此不作限定。此外，在其他实施例中，一个校准点位21可以包括多个吸附电极211，各吸附电极211上施加的电压信号可以相同，也可以不同，本发明实施例对此不作限定。
还需要说明的是，可以同时对所有校准点位中的吸附电极211施加电信号，也可以分别对各校准点位中的吸附电极211施加电信号，本发明实施例对此亦不作限定。
以转移装置1为激光转移装置为例，虽然转移装置1将微型发光二极管200转移至校准装置2时，吸附电极211可以向微型发光二极管200提供静电吸引力，但是，由于微型发光二极管200与校准装置2接触时存在摩擦力，使得吸附电极211难以在微型发光二极管200的一次下落过程对其完成位置校准，微型发光二极管200的几何中心与校准点位21的几何中心的位置偏差相对较大。本发明实施例通过设置校准装置2包括压电致动模块23，可以通过控制压电致动模块23使微型发光二极管200与第一表面S1之间多次产生第一间隙H1，为微型发光二极管200创造多次下落条件，进而可以通过吸附电极211对微型发光二极管200进行多次位置校准，提高控制精度和转移良率。
具体的，压电致动模块23主要由压电材料(例如压电陶瓷)以及沿垂直于基底22的方向位于压电材料两侧的电极构成，通过控制施加于电极上的电压，可以控制压电材料的膨胀和收缩。如此，通过巧妙设计压电致动模块23的膨胀和收缩过程，可在第一阶段，通过压电致动模块23控制微型发光二极管200与校准装置2的第一表面S1之间产生第一间隙H1，为微型发光二极管200创造下落条件。如此，微型发光二极管200在回落至第一表面S1的过程中(即第二阶段)，可以通过吸附电极211对微型发光二极管200提供静电吸引力F，由于静电吸引力F由微型发光二极管200的几何中心指向校准点位21的几何中心，因此，微型发光二极管200在下落过程中可以在静电吸引力F的作用下朝向校准点位的中心移动，进行位置校准。
示例性的，图7中(a)示出了微型发光二极管由转移装置1转移至校准装置2的第一表面S1时，微型发光二极管200与校准点位21的相对位置关系，从图7中(a)可以看出，微型发光二极管200的几何中心与校准点位21的几何中心之间存在位置偏差D1，经过一个校准周期后，如图7中(c)所示，微型发光二极管200的几何中心与校准点位21的几何中心之间的位置偏差减小为D2。如此，经过多个校准周期，即可实现微型发光二极管200的几何中心与校准点位21的几何中心几乎重合，完成位置校准。
示例性的，工作人员可以通过显微镜观察微型发光二极管200的位置校准的完成情况，不过此检测方式用时较长，还可能存在一定的误差。在一实施例中，可选地，巨量转移系统还包括校准检测装置，参照图7中(c)，校准检测装置用于采集微型发光二极管200的几何中心的第一位置以及与该微型发光二极管200对应的校准点位21的几何中心的第二位置，并根据第一位置和第二位置的相对距离(如D2)判断位置校准结果。具体的，校准检测装置可以在第一位置与第二位置的相对距离近似为零时，判定位置校准完成。示例性地，校准检测装置可以为图像传感器，通过校准检测装置判断位置校准的完成情况，相比于人工检测而言，可以节省时间，提高检测效率和检测精度。
进一步地，图8是图6所示的校准装置对微型发光二极管进行位置校准的另一种流程图，基于上述实施例对校准周期的第一阶段做了进一步细化，相同之处在此不再赘述。如图8所示，图8示出了一个校准周期内微型发光二极管与校准装置在不同时刻的状态，具体的，图8中(a)示出了校准周期开始时刻的状态，(d)示出了第一阶段中的第一过程结束时刻的状态，(b)示出了第一阶段中的第二过程结束时刻的状态，即第一阶段结束时刻的状态，(c)示出了第二阶段结束时刻的状态，即该校准周期结束时刻的状态。此外，图9是与图8对应的压电致动模块在位置校准过程中的状态变化曲线图，结合图8和图9所示，可选地，第一阶段包括依次进行的第一过程和第二过程；在第一过程((a)-(d))，校准装置2用于控制压电致动模块23在第一时长t1内沿第一方向z由初始状态(L0)膨胀至第一状态(L1)；第一方向z垂直于基底22所在平面；在第二过程((d)-(b))，校准装置2用于控制压电致动模块23在第二时长t2内沿第一方向z由第一状态(L1)收缩至初始状态(L0)，以在微型发光二极管200与第一表面S1之间形成第一间隙H1；第一时长t1至少为第二时长t2的10倍。
参照图8，初始状态可以用压电致动模块23在第一方向z上的初始厚度L0进行表征，第一状态可以用压电致动模块23膨胀后的厚度L1进行表征。
具体的，在第一过程中，控制压电致动模块23在第一时长t1内沿第一方向z由初始状态(L0)缓慢膨胀至第一状态(L1)，在此过程中，由于微型发光二极管200受到吸附电极211的静电力的束缚，使得微型发光二极管200紧贴校准装置2的第一表面S1，随着校准装置2一起朝远离基底22的方向移动距离Δz(Δz＝L1-L0)，将微型发光二极管200抬高。在第二过程中，控制压电致动模块23在第二时长t2内沿第一方向z由第一状态(L1)迅速收缩至初始状态(L0)，在此过程中，由于惯性的原因，使得微型发光二极管200不会随着校准装置2一起回落，而是停留在半空中，使得微型发光二极管200与校准装置2的第一表面S1之间产生第一间隙H1，从而可以为微型发光二极管200创造下落条件。
根据物理知识容易理解的，在第一过程中，若使压电致动模块23在较短时间内由初始状态膨胀至第一状态，会使微型发光二极管200由于惯性而脱离静电力的束缚，导致微型发光二极管200从校准装置2上弹出去。具体的，压电致动模块23的膨胀过程的速度变化为先加速再减速至零，通过向压电致动模块23施加电压可使其瞬间具有膨胀的初速度，因此，加速过程可忽略不计，膨胀过程主要为减速的过程。若减速的时间过短(膨胀过快)，微型发光二极管200会由于惯性过大而克服静电力的束缚，从第一表面S1向上弹出去，类似行车时突然急刹车，人会向前栽一样。因此，需要控制压电致动模块23缓慢膨胀。在一具体实施例中，可选地，第一时长为10μs～100μs，以保证微型发光二极管200在第一过程中紧贴校准装置2的第一表面S1沿第一方向z向上移动，将微型发光二极管200所在高度抬高。
同理，在第二过程中，若使压电致动模块23在较长的时间内由第一状态收缩至初始状态，则会导致微型发光二极管200紧贴校准装置2的第一表面S1，随校准装置2一起回落至初始位置，无法在微型发光二极管200与校准装置2之间形成第一间隙，进而无法校准，类似乘坐电梯，由于电梯缓慢下落，使得人随电梯一起下落，而不会停留在半空中一样。因此，需要控制压电致动模块23迅速收缩。在一具体实施例中，可选地，第二时长小于1μs，以使微型发光二极管200与校准装置2之间产生第一间隙H1，为微型发光二极管创造下落的条件，进而在微型发光二极管200下落的过程中通过吸附电极211提供的静电吸引力对其进行位置校准。
基于同一构思，参照图5，上述校准装置2通过电控方式将微型发光二极管200转移至阵列基板300上，也可以通过控制压电致动模块迅速收缩，以使微型发光二极管200与校准装置2的第一表面S1分离，实现将微型发光二极管200转移至阵列基板300上。
综上，上述实施例对校准装置对微型发光二极管进行位置校准的主要工作原理做了详细说明，下面对校准装置的结构做进一步说明。
可选地，校准装置2包括控制器，控制器分别与吸附电极211和压电致动模块23电连接，可独立控制吸附电极211和压电致动模块23的给电状态。
如图6所示，可选地，校准装置2还包括绝缘基板24和保护层25。绝缘基板24位于吸附电极211与压电致动模块23之间，起到电绝缘的作用，示例性的，绝缘基板24可以为玻璃基板或硅基板，当然也可以是本领域技术人员熟知的其他材料的绝缘基板，本发明实施例对此不作限定。保护层25覆盖吸附电极211，起到保护吸附电极211的作用，也避免微型发光二极管200与吸附电极211直接接触。示例性的，保护层25的材料可以为聚四氟乙烯、氧化硅或氮化硅等性能稳定的绝缘材料，本发明实施例对此不作限定。
图10是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的另一种剖面结构示意图，如图10所示，可选地，压电致动模块23包括底电极层2301、顶电极层2302以及位于底电极层2301和顶电极层2302之间的压电材料层2303，顶电极层2302位于底电极层2301远离基底22的一侧；压电材料层2303包括多个压电单元031，相邻两个压电单元031之间具有绝缘挡墙26。
具体的，通过控制施加于2301和顶电极层2302上的电压，可以控制压电材料层2303的膨胀和收缩，进而达到上述为微型发光二极管创造下落条件的目的。
大面积的压电材料的制备工艺相对比较复杂，本实施例通过设置压电材料层2303包括多个压电单元031，并在相邻两个压电单元031之间设置绝缘挡墙26，可以将制作大尺寸的压电材料层转化为制作多个小尺寸的压电单元，从而可以降低工艺难度。另外，如此设置，顶电极层2302的下方膜层不存在间隙，因而有利于制作一整层的顶电极层2302，降低布线难度，而且，此时所有的压电单元031共用同一个顶电极层2302和底电极层2301，可以同时控制各个压电单元031的膨胀和收缩情况，同时对所有的微型发光二极管进行位置校准，缩短位置校准所用的时间，提高转移速率。
图11是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的另一种剖面结构示意图，如图11所示，在其他实施例中，可选地，压电致动模块23包括多个压电致动单元231，相邻两个压电致动单元231之间具有第二间隙H2。
具体的，压电致动单元231同样由压电材料层与压电材料层上下两侧的顶电极和底电极构成，区别在于压电致动单元231的尺寸相对更小，如此，同样可以避免制作大尺寸的压电材料，降低工艺难度，提高产品良率。
本实施例中，相邻两个压电致动单元231之间具有第二间隙H2，此时，控制器可以独立控制各个压电致动单元231的膨胀和收缩，也可以同时控制各个压电致动单元231的膨胀和收缩，本发明实施例对此不作限定。示例性的，可以通过任意方式将所有压电致动单元的底电极电连接至控制器的同一个信号端子，将所有压电致动单元的顶电极电连接至控制器的另一个信号端子，以实现同时控制各个压电制动单元的膨胀和收缩。
需要说明的是，图11仅以绝缘基板24和保护层25也相应的分割为多个与压电致动单元231一一对应的部分，每部分绝缘基板24和保护层25在基底22上的正投影仅覆盖一个压电致动单元231为例进行示意，此设置方式并非限定，图12是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的另一种剖面结构示意图，如图12所示，在其他实施例中，当压电致动模块23包括多个压电致动单元231，且相邻两个压电致动单元231之间具有第二间隙H2时，绝缘基板24和保护层25也可以不进行分割，换句话说，绝缘基板24在基底22上的正投影覆盖所有的压电致动单元231，保护层25在基底22上的正投影覆盖所有的压电致动单元231。
图13是本发明实施例提供的另一种巨量转移系统的结构示意图，如图13所示，进一步可选地，转移装置1在基底22上的正投影尺寸小于或等于压电致动单元231在基底22上的正投影尺寸。
如此设置，可以减小转移装置1的尺寸，降低转移装置的制作难度，此外，还可使转移装置1上吸附的微型发光二极管对应转移到一个压电致动单元231远离基底22一侧的第一表面S1上，并利用各个压电制动单元231为其对应的微型发光二极管创造下落的条件，控制方式更加灵活。
示例性的，以转移装置1为激光转移装置为例，由于激光转移装置上吸附的微型发光二极管的布局不受限于校准装置2上的校准点位21的布局，因此，激光转移装置上相邻两个微型发光二极管之间的距离可以更小，因此，对于激光转移装置而言，其在基底上的正投影尺寸可以小于压电致动单元231在基底上的正投影尺寸。若转移装置上的微型发光二极管布局受限于校准装置2上的校准点位21的布局，则可设置转移装置1与压电致动单元231的尺寸相当，换而言之，转移装置1在基底22上的正投影尺寸等于压电致动单元231在基底22上的正投影尺寸，当然，由于工艺精度的限制，二者的正投影尺寸允许存在一定的误差，尺寸近似相等即可。
图14是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的另一种俯视结构示意图，如图14所示，可选地，一个校准点位21中的至少一个吸附电极211包括至少一个第一电极2111和至少一个第二电极2112，第一电极2111和第二电极2112的数量相等，且第一电极2111和第二电极2112上施加的电压的极性相反。示例性的，图14以第一电极2111上施加正电压信号，第二电极2112上施加负电压信号为例进行示意，在其他实施例中，可以设置第一电极2111上施加负电压信号，第二电极2112上施加正电压信号，本发明实施例对此不作限定。本实施通过设置一个校准点位21包括数量相等且施加电压极性相反的第一电极2111和第二电极2112，可以进一步提高电场对微型发光二极管的位置校准精度。
继续参见图14，可选地，一个校准点位21中的至少一个吸附电极211包括至少两个第一电极2111和至少两个第二电极2112；沿第二方向x，第一电极2111和第二电极2112交替排列；或者，沿第三方向y，第一电极2111和第二电极2112交替排列(图14未示出)；第二方向x和第三方向y相交且均平行于基底所在平面。
微型发光二极管包括阳极焊盘和阴极焊盘，在将微型发光二极管转移至阵列基板时，微型发光二极管的阳极焊盘和阴极焊盘需要分别与阵列基板上对应的键合金属接触。因此，在转移装置吸附微型发光二极管以后，微型发光二极管的阳极焊盘和阴极焊盘通常具有一个初始排列方向，以保证最终电极之间键合的准确性和可靠性。转移装置将微型发光二极管转移至校准装置后，微型发光二极管与校准点位的位置可能存在一些偏差(例如平移一定距离或略微旋转一定角度)，采用本方案，可以利用校准装置对微型发光二极管进行位置校准，使微型发光二极管的几何中心与校准点位的几何中心近似重合，且微型发光二极管的阳极焊盘和阴极焊盘的排列方向回到初始排列方向。具体的，本实施例中，可选第二方向x和第三方向y中的一者平行于上述初始排列方向，另一者与该初始排列方向正交，以保证微型发光二极管在电场作用下完成位置校准。
示例性的，图14以第一电极2111与第二电极2112沿第二方向x交替设置为例进行示意，在其他实施例中，也可参照图14，设置第一电极2111与第二电极2112沿第三方向y交替设置。
需要说明的是，当第一电极2111与第二电极2112沿第二方向x交替设置时，图14仅以第一电极2111和第二电极2112均为沿第三方向y延伸的条形电极为例进行示意，此设置方式并非限定。图15是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的另一种俯视结构示意图，如图15所示，在其他实施例中，当第一电极2111与第二电极2112沿第二方向x交替设置时，沿第三方向y，可以设置多个第一电极2111并排设置，多个第二电极2112并排设置。第一电极2111与第二电极2112沿第三方向y交替设置时的设置方式与此相似，在此不再赘述。
需要说明的是，上述实施例仅以第一电极2111和第二电极2112沿第二方向x或第三方向y交替设置为例进行示意，此设置方式并非限定。图16是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的另一种俯视结构示意图，如图16所示，在其他实施例中，可设置第一电极2111和第二电极2112沿第二方向x交替排列，且第一电极2111和第二电极2112沿第三方向y也交替排列。
当一个校准点位21中的既包括第一电极2111和又包括第二电极2112时，在校准点位21中的吸附电极211构成的整个电场中，施加电压极性相反的一个第一电极(如正电极)和一个第二电极(如负电极)之间的电场可构成一个对微型发光二极管的校准场，正电极和负电极的跨度影响了校准场的精细程度，本发明实施例通过设置第一电极2111和第二电极2112沿第二方向x交替排列，和/或，第一电极2111和第二电极2112沿第三方向y交替排列，可以提高校准场的划分精细程度，进而可以提高对微型发光二极管的控制的精细程度，提高位置校准精度。
图17是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的另一种俯视结构示意图，如图17所示，在其他实施例中，当一个校准点位21包括多个第一电极2111和多个第二电极2112时，也可设置多个第一电极2111和多个第二电极2112沿第二方向x对称分布，即，沿第二方向x，校准点位21所在区域的两侧分别为多个第一电极2111和多个第二电极2112，且第一电极2111与第二电极2112关于校准点位21沿第二方向x的中心轴线对称。当然，在其他实施例中，也可设置多个第一电极2111和多个第二电极2112沿第三方向y对称分布。或者，多个第一电极2111和多个第二电极2112沿第二方向x对称分布，且多个第一电极2111和多个第二电极2112沿第三方向y对称分布，本发明实施例对此不作限定。采用此设置方式，同样可以起到对微型发光二极管进行位置校准的作用。
参照图17，可选地，微型发光二极管在校准装置2上的正投影区域的面积大于校准点位21所在区域的面积。换而言之，在对微型发光二极管完成位置校准，使微型发光二极管的几何中心与校准点位21的几何中心近似重合后，微型发光二极管在校准装置2上的正投影覆盖校准点位21所在区域。
若微型发光二极管在校准装置上的正投影区域的面积小于校准点位所在区域的面积，在位置校准过程中，当微型发光二极管处于校准点位所在区域范围内时，若微型发光二极管与校准点位的位置偏差较小，微型发光二极管感受到的电场的不均匀性不明显，校准力较弱，因此，本实施例通过设置微型发光二极管在校准装置上的正投影区域的面积大于校准点位所在区域的面积，即使微型发光二极管与校准点位的几何中心存在微小偏差，电场导致的微型发光二极管上的极化电荷的分布不均匀也会比较明显，微型发光二极管感受到的电场的不均匀性也比较明显，使得校准力较强，有利于保证位置校准的精度。
图18是本发明实施例提供的巨量转移系统所适用的一种阵列基板的俯视结构示意图，如图18所示，阵列基板300包括与多个子像素P一一对应设置的多个接收单元310，对比图2和图18，可选地，单位面积M内的校准点位21的数量大于或等于单位面积M内的接收单元310的数量。示例性的，图2以单位面积M内包括4个校准点位21，图18以单位面积M内包括4个接收单元310为例进行示意，在其他实施例中，单位面积M内的校准点位21的数量可以大于单位面积M内的接收单元310的数量，后续做示例性说明。
具体的，微型发光二极管显示面板由多个子像素构成，一个子像素通常包括微型发光二极管以及阵列基板中用于为该微型发光二极管提供驱动电流的像素电路，接收单元310则是用于连接微型发光二极管与像素电路的桥梁。本发明实施例通过设置单位面积M内的校准点位21的数量大于或等于单位面积M内的接收单元310的数量，可使校准装置同时适用于多款不同的阵列基板，以提高校准装置的实用性，下面结合具体实施例做详细说明。
继续参见图18，可选地，一个接收单元310包括一个接收点位311，用于接收一个微型发光二极管；对比图2和图18，单位面积内M的校准点位21的数量为单位面积M内的接收点位311的数量的N倍，N为正整数。示例性的，图2中单位面积M内的校准点位21的数量与图18中单位面积M内的接收点位311的数量相同，即以N＝1为例进行示意，此时，可以设置任意一个方向(如行方向)上相邻两个校准点位21之间的距离(如U1)与该方向上相邻两个接收点位311之间的距离(如U1)相同，以使校准点位21的分布密度与接收点位311的分布密度相同，如此，在利用校准装置2将微型发光二极管转移至阵列基板300时，可以通过移动校准装置2，使各个校准点位21和接收点位311对齐，再通过电控方式将微型发光二极管转移至阵列基板300上，由于微型发光二极管已经经过位置校准，因此，可保证高转移良率。在一实施例中，当N＝1时，还可以设置校准装置2上的校准点位21的总数量等于阵列基板300上的接收点位311的总数量，此时，可以在将所有微型发光二极管转移至校准装置2上后，一次性对所有的微型发光二极管进行位置校准，并利用校准装置2一次性将所有微型发光二极管转移至阵列基板300上，显著提高转移速率。
图19是本发明实施例提供的巨量转移系统所适用的另一种阵列基板的俯视结构示意图，图19中，一个接收单元310包括一个接收点位311，可接收一个微型发光二极管，图19所示阵列基板与图18所示阵列基板的区别在于，接收点位311的分布密度不同。示例性的，图19以沿行方向上相邻的两个接收点位311之间的距离U2为图18中沿行方向上相邻的两个接收点位311的距离U1的2倍为例进行示意，此时，图19中接收点位311的分布密度为图18中接收点位311的分布密度的一半，使得图18对应显示面板的分辨率为图19对应显示面板的分辨率的2倍。对比图2和图19，图2中单位面积M内的校准点位21的数量大于图19中单位面积内的接收点位311的数量，且单位面积M内的校准点位21的数量为图19中单位面积内的接收点位311的数量的2倍(即N＝2)。此时，同样可以利用图2所示的校准装置2向图19所示的阵列基板300转移微型发光二极管。具体的，可以利用奇数列或偶数列的校准点位吸附微型发光二极管，并对其进行位置校准，再通过移动校准装置，使吸附有微型发光二极管的校准点位与阵列基板的接收点位对齐，将微型发光二极管转移至阵列基板上。
综上，当一个接收单元310包括一个接收点位时，本实施例通过设置单位面积内M的校准点位21的数量为单位面积M内的接收点位311的数量的N倍，可使一个校准装置能够同时适用于多款分辨率呈倍数关系的显示面板的制作，向各显示面板对应的阵列基板上转移经过位置校准的微型发光二极管，因而具有较高的实用性。
此外，在其他实施例中，一个接收单元310也可以包括多个接收点位311。示例性的，图20是本发明实施例提供的巨量转移系统所适用的另一种阵列基板的俯视结构示意图，如图20所示，可选地，一个接收单元310包括一个第一接收点位3111和一个第二接收点位3112，第一接收点位3111和第二接收点位3112中的至少一者用于接收微型发光二极管。相应的，图21是本发明实施例提供的巨量转移系统中校准装置的另一种俯视结构示意图，结合图20和图21，可选地，多个校准点位21包括多个第一校准点位2101和多个第二校准点位2102，第一校准点位2101与第一接收点位3111对应设置，第二校准点位2102与第二接收点位3112对应设置。
本实施例中，一个接收单元310包括两个接收点位311，即第一接收点位3111和第二接收点位3112，可以先利用第一接收点位3111和第二接收点位3112中的其中一者(如第一接收点位3111)接收微型发光二极管，另一者(如第二接收点位3112)作为冗余接收点位，如此，在检测到第一接收点位3111上的微型发光二极管无法正常发光时，则可以在第二接收点位3112上重新绑定新的微型发光二极管，以保证该接收单元310对应的子像素能够正常显示。具体的，一个接收单元310中的第一接收点位3111和第二接收点位3112均与该接收单元310所对应的子像素中的像素电路电连接，当确定首次绑定的微型发光二极管无法正常发光时，可以切断该微型发光二极管与像素电路的电连接关系，并在另一个接收点位上绑定新的微型发光二极管，以保证该子像素能够正常显示。
相应的，参照图20和图21，本实施例中，校准装置2上对应第一接收点位3111设置有第一校准点位2101，对应第二接收点位3112设置有第二校准点位2102，且满足单位面积M内的校准点位21的数量大于单位面积M内的接收单元310的数量，如此设置，可以通过根据实际需要利用第一校准点位2101或第二校准点位2102吸附微型发光二极管，并进行位置校准后将其转移至对应的第一接收点位3111或第二接收点位3112上，提高校准装置的实用性。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种巨量转移方法，可采用上述任一实施例提供的巨量转移系统执行，因而具备上述巨量转移系统相同的优异效果，巨量转移系统中各个转移装置的结构以及具体的转移原理可结合上文实施例进行理解，在此不作过多赘述。示例性的，图22是本发明实施例提供的一种巨量转移方法的流程示意图，如图22所示，该巨量转移方法包括如下步骤：
S401、转移装置吸附多个微型发光二极管，并将微型发光二极管转移至校准装置。
可选地，转移装置可以是选择性释放技术常用的激光转移装置，精准抓取技术常用的基于静电力/范德华力/磁力等作用力的转移装置，转印技术常用的转印装置中的任一种，本发明实施例对此不作限定。转移装置可以从晶圆或者其他基板上拾取微型发光二极管并将其转移至校准装置上。
S402、校准装置的一个校准点位吸附一个微型发光二极管，并对微型发光二极管进行位置校准。
示例性的，校准装置可通过校准点位向微型发光二极管提供一定的吸附力，例如静电力或磁力等作用力，以起到吸附微型发光二极管和校准微型发光二极管位置的作用。经过位置校准后，微型发光二极管的几何中心与校准点位的几何中心接近重合。
S403、校准装置通过电控方式将微型发光二极管转移至阵列基板上。
具体的，校准装置上的校准点位的布局与阵列基板上接收微型发光二极管的点位(简称接收点位)的布局相关，通过移动校准装置，可使对应的校准点位与接收点位对齐，同时使微型发光二极管与阵列基板接触，随后可以通过电控方式使微型发光二极管与校准装置分离，实现将微型发光二极管转移至阵列基板上。示例性的，电控方式例如具体可以是撤掉校准点位对微型发光二极管的吸附力。
进一步的，在将微型发光二极管转移至阵列基板上之后，可以通过激光烧灼或其他方式融化键合金属，实现微型发光二极管与阵列基板中的像素驱动电路电连接，本发明实施例对此不作限定。
综上，本发明实施例在转移微型发光二极管时，先通过转移装置将微型发光二极管转移至校准装置上，再利用校准装置上的校准点位吸附微型发光二极管并对微型发光二极管进行位置校准，从而可以提高转移良率，同时，由于微型发光二极管从校准装置转移至阵列基板上时采用电控方式，无需热压，因此，可以制作较大尺寸的校准装置，一次性转移更多的微型发光二极管以及一次性对更多的微型发光二极管进行位置校准，从而可以保证较高的转移速率。
图23是本发明实施例提供的另一种巨量转移方法的流程示意图，在上述实施例的基础上，对微型发光二极管的位置校准过程做了进一步细化。如图23所示，本实施例中，巨量转移方法可包括如下步骤：
S501、转移装置吸附多个微型发光二极管，并将微型发光二极管转移至校准装置。
在将微型发光二极管转移至校准装置上后，校准装置上的一个校准点位可吸附一个微型发光二极管，并对其进行位置校准。参照图6，可选地，校准装置2还包括基底22和位于基底22上的压电致动模块23，每个校准点位21包括至少一个吸附电极211，吸附电极211位于压电致动模块23远离基底22的一侧。基于此校准装置，位置校准的过程可包括至少一个校准周期，一个校准周期包括依次进行的第一阶段(如下述S502)和第二阶段(S503)。
S502、在第一阶段，校准装置通过压电致动模块控制微型发光二极管与校准装置的第一表面之间产生第一间隙。
其中，第一表面位于吸附电极远离基底的一侧。如图7中(b)所示，通过压电致动模块23控制微型发光二极管200与校准装置2的第一表面S1之间产生第一间隙H1，可以为微型发光二极管创造再次下落的条件，进而可以在第二阶段，即微型发光二极管200下落的过程中，利用吸附电极211提供的静电吸引力F，微型发光二极管200朝向校准点位的中心移动，进行一定程度的位置校准。
可选地，第一阶段包括依次进行的第一过程和第二过程；校准装置通过压电致动模块控制微型发光二极管与校准装置的第一表面之间产生第一间隙(S502)，可包括如下步骤：在第一过程，校准装置控制压电致动模块在第一时长内沿第一方向由初始状态膨胀至第一状态；第一方向垂直于基底所在平面；在第二过程，校准装置控制压电致动模块在第二时长内沿第一方向由第一状态收缩至初始状态，以在微型发光二极管与第一表面之间形成第一间隙；第一时长至少为第二时长的10倍。
具体的，本实施例通过控制压电致动模块先缓慢膨胀再迅速收缩，可使微型发光二极管由于惯性原因与校准装置的第一表面之间产生第一间隙，具体原理解释可以参照图8和图9相关实施例进行理解，在此不再赘述。
可选地，第一时长为10μs～100μs，第二时长小于1μs。
S503、在第二阶段，校准装置通过吸附电极对微型发光二极管提供静电吸引力，以控制微型发光二极管回落至第一表面上。
具体的，静电吸引力的方向由微型发光二极管的几何中心指向校准点位的几何中心，如此，在第二阶段，微型发光二极管可在静电吸引力的作用下朝向校准点位的中心移动，进行一定程度的位置校准。循环多个校准周期，则可以进行多次位置校准，提高位置校准的精度，提高转移良率。
S504、判断位置校准是否完成；若是，则执行S505，若否，则返回执行S502。
具体的，在一个或若干个校准周期结束后，可以检测校准结果，例如可以通过人工显微镜观察的方式判断微型发光二极管的几何中心与校准点位的几何中心是否重合，以判断位置校准是否完成。若否，则需要继续进行下一个校准周期，若是，则继续执行S505。
S505、校准装置通过电控方式将微型发光二极管转移至阵列基板上。
除了上述通过撤掉校准点位对微型发光二极管的吸附力，实现微型发光二极管与校准装置分离，将校准装置转移至阵列基板以外，可选地，校准装置通过电控方式将微型发光二极管转移至阵列基板上(S505)还可以通过如下步骤实现：
移动校准装置，直至微型发光二极管与阵列基板接触；
校准装置通过压电致动模块控制微型发光二极管与校准装置的第一表面之间产生第三间隙，以将微型发光二极管转移至阵列基板上。
具体的，此方式与S502在微型发光二极管与校准装置的第一表面之间产生第一间隙的原理相似，例如可以利用惯性原理，通过迅速收缩压电致动模块控制微型发光二极管与校准装置的第一表面之间产生第三间隙，以使微型发光二极管与校准装置分离，实现将微型发光二极管转移至阵列基板上。若通过撤掉校准点位对微型发光二极管的静电力的方式实现微型发光二极管与校准装置分离，可能会存在微型发光二极管由于极化电荷的残留而吸附在校准装置的第一表面上，导致释放失败，而且即使这部分微型发光二极管很快从校准装置上掉落至转移装置上，也会因为校准装置已远离阵列基板，使得掉落的微型发光二极管与接收点位之间存在一定的距离而出现释放位置的偏移，影响转移良率。相比之下，本实施例通过压电致动模块控制微型发光二极管与校准装置的第一表面之间产生第三间隙的方式，实现微型发光二极管的释放，可以保证微型发光二极管始终与阵列基板接触，从而可以保证转移良率。
需要说明的是，本实施例仅以先控制微型发光二极管与阵列基板直接接触，再控制微型发光二极管与校准装置分离为例进行示意，在其他实施例中，微型发光二极管可以与阵列基板之间存在微小的缝隙，由于缝隙很小，因此对转移良率几乎没有影响。
还需要说明的是，第三间隙与第一间隙之间并无大小关系，本领域技术人员可以自行设计第三间隙的大小，只要保证微型发光二极管与校准装置分离即可。
还需要说明的是，在校准装置通过压电致动模块控制微型发光二极管与校准装置的第一表面之间产生第三间隙的过程中，校准点位对微型发光二极管的静电吸引力可以始终保持，也可以在微型发光二极管与阵列基板接触(或二者存在微小缝隙)之后便撤掉，本发明实施例对此不作限定。
图24是本发明实施例提供的另一种巨量转移方法的流程示意图，在上述实施例的基础上，对如何判断位置校准是否完成做了进一步优化。可选地，巨量转移系统还包括校准检测装置，在对微型发光二极管进行位置校准的同时，可以通过校准检测装置判断位置校准是否完成。具体的，如图24所示，本实施例中，巨量转移方法可包括如下步骤：
S601、转移装置吸附多个微型发光二极管，并将微型发光二极管转移至校准装置。
S602、在第一阶段，校准装置通过压电致动模块控制微型发光二极管与校准装置的第一表面之间产生第一间隙。
S603、在第二阶段，校准装置通过吸附电极对微型发光二极管提供静电吸引力，以控制微型发光二极管回落至第一表面上。
S604、在当前的校准周期结束之后，校准检测装置采集微型发光二极管的几何中心的第一位置以及与该微型发光二极管对应的校准点位的几何中心的第二位置。
S605、校准检测装置判断第一位置和第二位置的相对距离是否小于或等于第一距离；若是，则结束位置校准，继续执行S606，若否，则返回执行S602。
其中，第一距离可以是零或者非常接近零的数值，本发明实施例对此不作限定。校准检测装置可以是图像传感器，也可以是其他能够采集物体位置并具有一定数据分析能力的仪器，本发明实施例对此不作限定。相比于人工观察的方式而言，此检测方式具有更高的精确性更高和效率，可以提高转移速率和转移良率。
需要说明的是，当前的校准周期可以是位置校准过程中的任一校准周期，图24仅以每个校准周期(S602和S603)结束之后均利用校准检测装置进行位置采集和校准结果判断为例进行示意，在其他实施例中，可以每隔若干个校准周期进行一次检测，本发明实施例对此不作限定。
S606、校准装置通过电控方式将微型发光二极管转移至阵列基板上。
综上，本发明实施例提供的巨量转移装置和巨量转移方法，可以在转移过程中，先通过校准装置对微型发光二极管进行位置校准，再通过电控方式将微型发光二极管由校准装置转移至阵列基板上，同时得益于采用电控方式将微型发光二极管由校准装置转移至阵列基板上，可以制作大尺寸的校准装置，一次性对更多的微型发光二极管进行位置校准和转移，降低对转移速率的影响，使巨量转移系统兼顾较高的转移良率和转移速率。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。

Claims (20)

1.一种巨量转移系统，用于将微型发光二极管转移至阵列基板上，其特征在于，所述巨量转移系统包括转移装置和校准装置；
所述转移装置用于吸附多个所述微型发光二极管，并将所述微型发光二极管转移至所述校准装置；
所述校准装置包括多个校准点位，一个所述校准点位用于吸附一个所述微型发光二极管并对所述微型发光二极管进行位置校准；
所述校准装置还用于通过电控方式将所述微型发光二极管转移至所述阵列基板上。
2.根据权利要求1所述的巨量转移系统，其特征在于，所述校准装置还包括基底和位于所述基底上的压电致动模块，每个所述校准点位包括至少一个吸附电极，所述吸附电极位于所述压电致动模块远离所述基底的一侧；
所述位置校准的过程包括至少一个校准周期，一个所述校准周期包括依次进行的第一阶段和第二阶段；在所述第一阶段，所述校准装置用于通过所述压电致动模块控制所述微型发光二极管与所述校准装置的第一表面之间产生第一间隙；在所述第二阶段，所述校准装置用于通过所述吸附电极对所述微型发光二极管提供静电吸引力，以控制所述微型发光二极管回落至所述第一表面上；所述第一表面位于所述吸附电极远离所述基底的一侧。
3.根据权利要求2所述的巨量转移系统，其特征在于，所述第一阶段包括依次进行的第一过程和第二过程；
在所述第一过程，所述校准装置用于控制所述压电致动模块在第一时长内沿第一方向由初始状态膨胀至第一状态；所述第一方向垂直于所述基底所在平面；
在所述第二过程，所述校准装置用于控制所述压电致动模块在第二时长内沿所述第一方向由所述第一状态收缩至所述初始状态，以在所述微型发光二极管与所述第一表面之间形成所述第一间隙；
所述第一时长至少为所述第二时长的10倍。
4.根据权利要求3所述的巨量转移系统，其特征在于，所述第一时长为10μs～100μs，所述第二时长小于1μs。
5.根据权利要求2所述的巨量转移系统，其特征在于，所述压电致动模块包括多个压电致动单元，相邻两个所述压电致动单元之间具有第二间隙。
6.根据权利要求5所述的巨量转移系统，其特征在于，所述转移装置在所述基底上的正投影尺寸小于或等于所述压电致动单元在所述基底上的正投影尺寸。
7.根据权利要求2所述的巨量转移系统，其特征在于，所述压电致动模块包括底电极层、顶电极层以及位于所述底电极层和所述顶电极层之间的压电材料层，所述顶电极层位于所述底电极层远离所述基底的一侧；
所述压电材料层包括多个压电单元，相邻两个压电单元之间具有绝缘挡墙。
8.根据权利要求2所述的巨量转移系统，其特征在于，所述至少一个吸附电极包括至少一个第一电极和至少一个第二电极，所述第一电极和所述第二电极的数量相等，且所述第一电极和所述第二电极上施加的电压的极性相反。
9.根据权利要求8所述的巨量转移系统，其特征在于，所述至少一个吸附电极包括至少两个所述第一电极和至少两个所述第二电极；
沿第二方向，所述第一电极和所述第二电极交替排列；和/或，沿第三方向，所述第一电极和所述第二电极交替排列；所述第二方向和所述第三方向相交且均平行于所述基底所在平面。
10.根据权利要求1所述的巨量转移系统，其特征在于，所述微型发光二极管在所述校准装置上的正投影区域的面积大于所述校准点位所在区域的面积。
11.根据权利要求1所述的巨量转移系统，其特征在于，所述阵列基板包括与多个子像素一一对应设置的多个接收单元；
单位面积内的所述校准点位的数量大于或等于单位面积内的所述接收单元的数量。
12.根据权利要求11所述的巨量转移系统，其特征在于，一个所述接收单元包括一个接收点位，用于接收一个所述微型发光二极管；
单位面积内的所述校准点位的数量为单位面积内的所述接收点位的数量的N倍，N为正整数。
13.根据权利要求11所述的巨量转移系统，其特征在于，一个所述接收单元包括一个第一接收点位和一个第二接收点位，所述第一接收点位和所述第二接收点位中的至少一者用于接收所述微型发光二极管；
多个所述校准点位包括多个第一校准点位和多个第二校准点位，所述第一校准点位与所述第一接收点位对应设置，所述第二校准点位与所述第二接收点位对应设置。
14.根据权利要求1所述的巨量转移系统，其特征在于，所述巨量转移系统还包括校准检测装置，所述校准检测装置用于采集所述微型发光二极管的几何中心的第一位置以及与该微型发光二极管对应的所述校准点位的几何中心的第二位置，并根据所述第一位置和所述第二位置的相对距离判断位置校准结果。
15.一种巨量转移方法，采用权利要求1-14任一项所述的巨量转移系统执行，其特征在于，所述巨量转移方法包括：
转移装置吸附多个所述微型发光二极管，并将所述微型发光二极管转移至校准装置；
校准装置的一个校准点位吸附一个所述微型发光二极管，并对所述微型发光二极管进行位置校准；
所述校准装置通过电控方式将所述微型发光二极管转移至阵列基板上。
16.根据权利要求15所述的巨量转移方法，其特征在于，所述校准装置还包括基底和位于所述基底上的压电致动模块，每个所述校准点位包括至少一个吸附电极，所述吸附电极位于所述压电致动模块远离所述基底的一侧；
所述位置校准的过程包括至少一个校准周期，一个所述校准周期包括依次进行的第一阶段和第二阶段；对所述微型发光二极管进行位置校准包括：
在所述第一阶段，所述校准装置通过所述压电致动模块控制所述微型发光二极管与所述校准装置的第一表面之间产生第一间隙；
在所述第二阶段，所述校准装置通过所述吸附电极对所述微型发光二极管提供静电吸引力，以控制所述微型发光二极管回落至所述第一表面上；
其中，所述第一表面位于所述吸附电极远离所述基底的一侧。
17.根据权利要求16所述的巨量转移方法，其特征在于，所述第一阶段包括依次进行的第一过程和第二过程；所述校准装置通过所述压电致动模块控制所述微型发光二极管与所述校准装置的第一表面之间产生第一间隙，包括：
在所述第一过程，所述校准装置控制所述压电致动模块在第一时长内沿第一方向由初始状态膨胀至第一状态；所述第一方向垂直于所述基底所在平面；
在所述第二过程，所述校准装置控制所述压电致动模块在第二时长内沿所述第一方向由所述第一状态收缩至所述初始状态，以在所述微型发光二极管与所述第一表面之间形成所述第一间隙；
所述第一时长至少为所述第二时长的10倍。
18.根据权利要求17所述的巨量转移方法，其特征在于，所述第一时长为10μs～100μs，所述第二时长小于1μs。
19.根据权利要求16所述的巨量转移方法，其特征在于，所述巨量转移系统还包括校准检测装置，在对所述微型发光二极管进行位置校准的同时，所述巨量转移方法还包括：
在当前的所述校准周期结束之后，所述校准检测装置采集所述微型发光二极管的几何中心的第一位置以及与该微型发光二极管对应的所述校准点位的几何中心的第二位置；
所述校准检测装置判断所述第一位置和所述第二位置的相对距离是否小于或等于第一距离；
若是，则结束所述位置校准，否则进入下一个所述校准周期。
20.根据权利要求16所述的巨量转移方法，其特征在于，所述校准装置通过电控方式将所述微型发光二极管转移至阵列基板上，包括：
移动所述校准装置，直至所述微型发光二极管与所述阵列基板接触；
所述校准装置通过所述压电致动模块控制所述微型发光二极管与所述校准装置的第一表面之间产生第三间隙，以将所述微型发光二极管转移至所述阵列基板上。
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