CN116224008A - 一种阈值电压的测量方法和测试设备 - Google Patents

一种阈值电压的测量方法和测试设备 Download PDF

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CN116224008A
CN116224008A CN202310262585.3A CN202310262585A CN116224008A CN 116224008 A CN116224008 A CN 116224008A CN 202310262585 A CN202310262585 A CN 202310262585A CN 116224008 A CN116224008 A CN 116224008A
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voltage
reverse conduction
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王玉斌
阮峰
杨威
谢翠根
黄俊添
牛琪辉
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Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd
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Abstract

本申请提供的一种阈值电压的测量方法、测试设备和一种计算机可读介质，测量方法应用于场效应管，包括在每个标定周期内对场效应管进行标定，获取场效应管的反向导通压降与稳定状态阈值之间的定量对应关系；在每个测试周期内，基于定量对应关系，通过测试场效应管的反向导通压降得到阈值电压。其中，上述测量方法基于场效应管的反向导通压降推导得到对应的阈值电压，提高了得到的场效应管的阈值电压的准确性，进而可以有效评估场效应管阈值的长期稳定性，此测试方法易于实现，同时节约成本。

Description

一种阈值电压的测量方法和测试设备
技术领域
本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种阈值电压的测量方法和测试设备。
背景技术
由于碳化硅材料的特点，目前碳化硅半导体器件还存在可靠性问题，由于碳化硅金属-氧化物-半导体型半导体器件的表面和氧化层体内存在陷阱，导致半导体器件的阈值电压不稳定，不利于设备的安全运行，因此，准确测量器件的阈值电压对器件寿命评估具有重要意义。
传统的阈值电压测量方式是在半导体器件断电后快速测量阈值电压，但由于此时对应的漏极和源极之间的电流很小，且器件在开通时电流波形常常会有震荡，因此很难精确测量阈值电压。
发明内容
鉴于此，本申请提供了一种阈值电压的测量方法和测试设备以解决上述技术问题。
本申请提供的一种阈值电压的测量方法应用于场效应管，所述测量方法包括：
在每个标定周期内对所述场效应管进行标定，获取所述场效应管的反向导通压降与稳定状态阈值之间的定量对应关系；
在每个测试周期内，基于所述定量对应关系，通过测试所述场效应管的反向导通压降得到所述阈值电压。
其中，所述对所述场效应管进行标定的步骤包括：
在每个标定周期内，对所述场效应管依次进行阈值测量、反向压降测量、栅极老化和阈值恢复。
其中，所述对所述场效应管进行阈值测量的步骤包括：
将所述场效应管的栅极和漏极短接，且所述场效应管的漏极连接第一电源的正极，所述场效应管的源极连接所述第一电源的负极；
间隔第一预设时间段测量所述第一电源的第一电压；
其中所述第一电源的电流范围为1mA至50mA，所述第一电源的电压范围为0V至10V；所述第一预设时间段为10微秒至5秒。
其中，所述对所述场效应管进行反向压降测量的步骤包括：
将所述场效应管的漏极连接第二电源的负极，且所述场效应管的源极连接所述第二电源的正极；
间隔第二预设时间段测量所述场效应管的反向导通压降；
其中所述第二电源的电流为所述场效应管的额定电流，所述第二电源的电压范围为-5V至0V；所述第二预设时间段的范围为10微秒至100微秒。
其中，所述对所述场效应管进行栅极老化的步骤包括：
将所述场效应管的漏极和源极短接，所述场效应管的栅极接收第一偏置电压；
其中所述第一偏置电压为PWM信号，所述PWM信号的正电压范围为20V至30V，所述PWM信号的负电压范围为-20V至-10V，所述PWM信号的占空比范围为10％至90％。
其中，所述对所述场效应进行阈值恢复的步骤包括：
将所述场效应管的栅极、漏极和源极短接，以使所述场效应管的栅极、漏极和源极短接持续第三预设时间段；其中所述第三预设时间段范围为10分钟至60分钟。
其中，获取所述场效应管的反向导通压降与稳定状态阈值之间的定量对应关系的步骤包括：
以在所述标定周期中测量得到的第一电压作为坐标系的横坐标，将反向导通压降作为所述坐标系的纵坐标，每个所述标定周期的所述第一电压和所述反向导通压降作为所述坐标系上的坐标点；
通过多个所述标定周期，获取多个所述坐标点，对多个所述坐标点进行拟合得到线性方程，以获取所述场效应管的反向导通压降与稳定状态阈值之间的定量对应关系。
其中，所述通过测试所述场效应管的反向导通压降得到所述阈值电压的步骤包括：
向所述场效应管施加第二偏置电压；
间隔第四预设时间段测量所述场效应管的反向导通压降；
基于所述反向导通压降和所述定量对应关系计算得到所述场效应管的阈值电压。
本申请还提供一种测试设备，包括存储器和处理器，处理器用于执行存储器中存储的程序指令，以实现上述的测量方法。
本申请还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有程序指令，程序指令被处理器执行时实现上述的测量方法。
本申请提供的阈值电压的测量方法应用于场效应管，包括在每个标定周期内对所述场效应管进行标定，获取所述场效应管的反向导通压降与稳定状态阈值之间的定量对应关系；在每个测试周期内，基于所述定量对应关系，通过测试所述场效应管的反向导通压降得到所述阈值电压。其中，上述测量方法基于场效应管的反向导通压降推导得到对应的阈值电压，提高了得到的场效应管的阈值电压的准确性，进而可以有效评估场效应管阈值的长期稳定性，此测试方法易于实现，同时节约成本。
附图说明
下面将结合附图及实施方式对本申请作进一步说明，附图中：
图1是本申请提供的一种测量方法第一实施例的流程示意图；
图2是本申请提供的一种测量方法第二实施例的流程示意图；
图3是本申请提供的一种测量方法第三实施例的流程示意图；
图4是本申请提供的一种测量方法第一实施例的简易电路示意图；
图5是本申请提供的一种测量方法第四实施例的流程示意图；
图6是本申请提供的一种测量方法第二实施例的简易电路示意图；
图7是本申请提供的一种测量方法第三实施例的简易电路示意图；
图8是本申请提供的一种测量方法第四实施例的简易电路示意图；
图9是本申请提供的一种测量方法第五实施例的流程示意图；
图10是本申请提供的一种测量方法第六实施例的流程示意图；
图11是本申请提供的一种测试设备第一实施例的框架示意图；
图12是本申请提供的一种计算机可读介质第一实施例的框架示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分而非全部结构。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体地限定。本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，响应于该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
准确测量碳化硅MOSFET(Metal-oxide Semiconductor Field EffectTransistor,金属-氧化物半导体场效应管)的阈值电压对器件的寿命评估具有重要意义，但传统的阈值测量技术很难精确的测量碳化硅MOSFET的阈值电压。
鉴于此，本申请提供了一种测量方法以准确测得场效应管的阈值电压，请参见图1，图1是本申请提供的一种测量方法第一实施例的流程示意图，测量方法包括：
S1:在每个标定周期内对场效应管进行标定，获取场效应管的反向导通压降与稳定状态阈值之间的定量对应关系。
在对场效应管进行标定的过程中具有多个标定周期，在每个标定周期内对场效应管对应的反向导通压降和稳定状态阈值进行数据记录以标定，通过多个标定周期的多组数据记录得到场效应管的反向导通压降与稳定状态阈值之间的定量对应关系。场效应管的稳定状态阈值是指在场效应管处于稳定状态的情况下的阈值电压。
具体地，定量对应关系包括函数关系，可以是线性函数关系的或者是非线性的函数关系，例如，假设两者之间存在定量对应关系，是指在在其他条件确定的情况下，得到其中一方的具体数值，可以通过定量对应关系推导得到另一方。在本实施例中，当获取了场效应管的反向导通压降与稳定状态阈值之间的定量对应关系，可以通过场效应管的反向导通压降推到得到场效应管的稳定状态阈值。
其中，场效应管的反向导通压降是指在场效应管的反向导通时，场效应管的电流从源极流向漏极，场效应管的源极电压VS与漏极电压VD的差值为反向导通压降VSD，反向导通压降VSD可表示为：
VSD＝VS-VD (1)。
具体地，场效应管的阈值电压VTH是使源极和漏极之间的半导体表面开始形成强反型的导电沟道所需加的栅极电压。
S2:在每个测试周期内，基于所述定量对应关系，通过测试所述场效应管的反向导通压降得到所述阈值电压。
测试过程中包含多个测试周期，在每个测试周期内测试得到场效应管的反向导通压降VSD,再基于步骤S1中的标定过程得到的反向导通压降VSD和定量对应关系计算得到场效应管的阈值电压VTH。
本实施例通过在每个标定周期内对所述场效应管进行标定，获取场效应管的反向导通压降VSD与稳定状态阈值之间的定量对应关系；在每个测试周期内，基于定量对应关系，通过测试场效应管的反向导通压降VSD得到阈值电压VTH。其中，上述测量方法基于场效应管的反向导通压降VSD推导得到对应的阈值电压VTH，提高了得到的场效应管的阈值电压VTH的准确性，进而可以有效评估场效应管阈值的长期稳定性，此测试方法易于实现，同时节约成本。
请参见图2，图2是本申请提供的一种测量方法第二实施例的流程示意图，图2中的实施例是在图1实施例的基础上进行的描述。
上述实施例的步骤S1包括以下步骤：
S11:阈值测量；
S12:反向压降测量；
S13:栅极老化；
S14:阈值恢复。
对场效应管依次进行步骤S11-S14，并循环多个周期，以得到场效应管的反向导通压降与稳定状态阈值之间的定量对应关系。
其中，请参见图3，图3是本申请提供的一种测量方法第三实施例的流程示意图，图3中的实施例是在图2实施例的基础上进行的描述，上述实施例的步骤S11包括以下步骤：
S111:将场效应管的栅极和漏极短接，且场效应管的漏极连接第一电源的正极，场效应管的源极连接第一电源的负极。
请参见图4，图4是本申请提供的一种测量方法第一实施例的简易电路示意图，将第一场效应管S1的栅极和漏极短接，栅极的输入电阻Rg很大，通常是107至1012Ω之间，例如，输入电阻Rg是1010Ω；第一场效应管S1的漏极连接第一电源P1的正极,第一场效应管S1的源极连接第一电源P1的负极。
可选地，在本实施例及后续实施例中，第一场效应管S1为PMOS(Positive Metal-oxide Semiconductor)管，在其他实施例中，第一场效应管S1可以为NMOS(NegativeMetal-oxide Semiconductor)管。
S112:间隔第一预设时间段测量第一电源的第一电压。
请继续参见图4，步骤S111完成后等待第一预设时间段后，测量第一电源P1的第一电压V1,第一电压V1即为第一电源P1正极和负极的电压差值，等于第一场效应管S1栅极电压VG和源极电压VS之间的电压差值，等于第一场效应管S1的阈值电压VTH。
其中，第一电源P1的电流范围为1mA至50mA，例如，第一电源P1的电流取值为1mA、5Ma、10mA、20mA或者50mA；第一电源P1的电压范围为0V至10V，例如，第一电源P1的电压取值为0V、1V、2V、5V、8V或者10V；第一预设时间段为10微秒至5秒，例如，第一预设时间段为10微秒、100微秒、500微秒、1秒、2秒、3秒或者5秒。
请参见图5，图5是本申请提供的一种测量方法第四实施例的流程示意图，图5中的实施例是在图2实施例的基础上进行的描述，上述实施例的步骤S12包括以下步骤：
S121:将场效应管的漏极连接第二电源的负极，且场效应管的源极连接第二电源的正极。
请参见图6，图6是本申请提供的一种测量方法第二实施例的简易电路示意图，将第一场效应管S1的漏极连接第二电源P2的负极，将第一场效应管S1的源极连接第二电源P2的正极，图中第三电源P3用于测量第一场效应管S1的栅极电压VG和源极电压VS的栅源电压差VGS。
S122:间隔第二预设时间段测量场效应管的反向导通压降。
请继续参见图4，步骤S121完成等待第二预设时间段后，测量第一场效应管S1的反向导通压降VSD，可以通过读取第二电源P2正极和负极的电压差值得到。
其中，第二电源P2的电流为第一场效应管S1的额定电流，第二电源P2的电压范围为-5V至0V，例如，第二电源P2的电压为-5V、-3V、-2V、-1V或者0V；第二预设时间段的范围为10微秒至100微秒，例如，第二预设时间端为10微秒、20微秒、50微秒、80微秒或者100微秒。
具体地，第一场效应管S1的额定电流指在第一场效应管S1的外壳温度为25℃、栅源电压差VGS为10V时第一场效应管S1可以承受的持续的电流值。
请继续参见图2，上述实施例的步骤S13包括：
将第一场效应管S1的漏极和源极短接，第一场效应管S1的栅极接收第一偏置电压。
请继续参见图7，图7是本申请提供的一种测量方法第三实施例的简易电路示意图，将第一场效应管S1的漏极和源极短接，第四电源P4用以向第一场效应管S1的栅极发送第一偏置电压。
其中，第一偏置电压为PWM(Pulse Width Modulation)信号，PWM信号的正电压范围为20V至30V，PWM信号的负电压范围为-20V至-10V，PWM信号的占空比范围为10％至90％，例如，PWM信号为负电压-15V，正电压25V，占空比50％的PWM信号。
请继续参见图2，上述实施例的步骤S14包括：
将第一场效应管S1的栅极、漏极和源极短接，以使第一场效应管S1的栅极、漏极和源极短接持续第三预设时间段。
请继续参见图8，图8是本申请提供的一种测量方法第四实施例的简易电路示意图，将所有电源断开，将第一场效应管S1栅极、漏极和源极短接，并持续第三预设时间段。
其中，第三预设时间段范围为10分钟至60分钟。
具体地，步骤S13中对第一场效应管S1的栅极施加了第一偏置电压，也是指对第一场效应管S1施加应力，可能会造成第一场效应管S1的阈值电压VTH发生偏移，在应力撤销后，第一场效应管S1的阈值电压VTH逐渐向施加应力前的状态恢复。在本实施例中，经过第三预设时间段后，第一场效应管S1的阈值电压VTH恢复。
本实施例提供的阈值电压VTH的测量方法应用于第一场效应管S1，包括在每个标定周期内对第一场效应管S1进行标定，获取第一场效应管S1的反向导通压降VSD与稳定状态阈值电压VTH之间的定量对应关系；在每个测试周期内，基于定量对应关系，通过测试第一场效应管S1的反向导通压降VSD得到阈值电压VTH。其中，上述测量方法基于第一场效应管S1的反向导通压降VSD推导得到对应的阈值电压VTH，提高了得到的第一场效应管S1的阈值电压VTH的准确性，进而可以有效评估第一场效应管S1阈值电压VTH的长期稳定性，此测试方法易于实现，同时节约成本。
请参见图9，图9是本申请提供的一种测量方法第五实施例的流程示意图，图9提供的测量方法是在图1的基础上进行的描述，上述实施例的步骤S1还包括以下步骤：
S15:以在标定周期中测量得到的第一电压作为坐标系的横坐标，将反向导通压降作为坐标系的纵坐标，每个标定周期的第一电压和反向导通压降作为坐标系上的坐标点。
具体地，在本实施例中，以步骤S112测量的得到的第一电压V1，也是指上述实施例中第一场效应管S1的阈值电压VTH为横坐标，将第一场效应管S1的反向导通压降VSD为纵坐标，则一组第一场效应管S1的阈值电压VTH和反向导通压降VSD对应得到坐标系中的一个坐标点，每个标定周期可得到一组坐标点。
可选地，在本申请的一些实施例中，可以将第一场效应管S1的反向导通压降VSD为横坐标，以第一场效应管S1的阈值电压VTH为纵坐标。
S16:通过多个标定周期，获取多个坐标点，对多个坐标点进行拟合得到线性方程，以获取场效应管的反向导通压降与稳定状态阈值之间的定量对应关系。
可选地，多个标定周期可以是3个、5个、8个、10个或更多。在本实施例中，以10个标定周期为例，通过上述步骤S15获取10个坐标点，针对10个坐标点进行线性拟合得到对应的线性方程，也是指第一场效应管S1的反向导通压降VSD与对应的阈值电压VTH的定量对应关系。
可选地，线性拟合可以通过数据软件的公示拟合或者查表法实现。
可选地，得到的线性方程的斜率与栅源电压差VGS相关。
本实施例提供的阈值电压VTH的测量方法应用于第一场效应管S1，包括在每个标定周期内对第一场效应管S1进行标定，获取第一场效应管S1的反向导通压降VSD与稳定状态阈值电压VTH之间的定量对应关系；在每个测试周期内，基于定量对应关系，通过测试第一场效应管S1的反向导通压降VSD得到阈值电压VTH。其中，上述测量方法基于第一场效应管S1的反向导通压降VSD推导得到对应的阈值电压VTH，提高了得到的第一场效应管S1的阈值电压VTH的准确性，进而可以有效评估第一场效应管S1阈值电压VTH的长期稳定性，此测试方法易于实现，同时节约成本。
请参见图10，图10是本申请提供的一种测量方法第六实施例的流程示意图，图10提供的测量方法是在图1的基础上进行的描述，上述实施例的步骤S2还包括以下步骤：
S21:向场效应管施加第二偏置电压。
具体地，类似于步骤S13，在测试过程前对第一场效应管S1的栅极施加第二偏置电压，对第一场效应管S1施加应力，使其栅极老化。
S22:间隔第四预设时间段测量场效应管的反向导通压降。
具体地，类似于步骤S14,在第一场效应管S1被施加第二偏置电压后，间隔第四预设时间使其恢复，再测量第一场效应管S1的反向导通压降VSD。
S23:基于反向导通压降和定量对应关系计算得到场效应管的阈值电压。
具体地，测量得到第一场效应管S1的反向导通压降VSD后，根据步骤S16得到的第一场效应管S1的反向导通压降VSD和第一场效应管S1的阈值电压VTH线性方程，计算得到准确的第一场效应管S1的阈值电压VTH。
可选地，在本申请的一些实施中，标定过程和测试过程所使用的场效应管可以是同一个，也可以是同一型号不同批次的场效应管。
本申请提供的一种阈值电压VTH的测量方法应用于第一场效应管S1，包括在每个标定周期内对第一场效应管S1进行标定，获取第一场效应管S1的反向导通压降VSD与稳定状态阈值电压VTH之间的定量对应关系；在每个测试周期内，基于定量对应关系，通过测试第一场效应管S1的反向导通压降VSD得到阈值电压VTH。其中，上述测量方法基于第一场效应管S1的反向导通压降VSD推导得到对应的阈值电压VTH，提高了得到的第一场效应管S1的阈值电压VTH的准确性，进而可以有效评估第一场效应管S1阈值电压VTH的长期稳定性，此测试方法易于实现，同时节约成本。
本申请还提供一种测试设备，请参见图11，图11是本申请提供的一种测试设备第一实施例的框架示意图，本实施例的测试设备110包括存储器111和处理器112，处理器112用于执行存储器111中存储的程序指令，以实现上述实施例中的测量方法。
具体地，在本申请实施例中，处理器112还可以称为CPU(Central ProcessingUnit，中央处理单元)。处理器112可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。处理器112还可以是通用处理器、数字信号处理器(DSP，Digital Signal Process)、专用集成电路(ASIC，Application Specific Integrated Circuit)或者其它可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。通用处理器可以是微处理器或者该处理器112也可以是任何常规的处理器等。
本申请还提供一种计算机可读介质，请参见图12，图12是本申请提供的一种计算机可读介质第一实施例的框架示意图，本实施例中的计算机可读存储介质120中存储有程序指令121，该程序指令121在被处理器112执行时，用以实现上述实施例的测试方法。
本申请的实施例以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)或处理器(processor)执行本申请各个实施方式方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
可以理解的是，以上仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，对本领域普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种阈值电压的测量方法，其特征在于，应用于场效应管，所述测量方法包括：
在每个标定周期内对所述场效应管进行标定，获取所述场效应管的反向导通压降与稳定状态阈值之间的定量对应关系；
在每个测试周期内，基于所述定量对应关系，通过测试所述场效应管的反向导通压降得到所述阈值电压。
2.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述对所述场效应管进行标定的步骤包括：
在每个标定周期内，对所述场效应管依次进行阈值测量、反向压降测量、栅极老化和阈值恢复。
3.根据权利要求2所述的测量方法，其特征在于，所述对所述场效应管进行阈值测量的步骤包括：
将所述场效应管的栅极和漏极短接，且所述场效应管的漏极连接第一电源的正极，所述场效应管的源极连接所述第一电源的负极；
间隔第一预设时间段测量所述第一电源的第一电压；
其中所述第一电源的电流范围为1mA至50mA，所述第一电源的电压范围为0V至10V；所述第一预设时间段为10微秒至5秒。
4.根据权利要求3所述的测量方法，其特征在于，所述对所述场效应管进行反向压降测量的步骤包括：
将所述场效应管的漏极连接第二电源的负极，且所述场效应管的源极连接所述第二电源的正极；
间隔第二预设时间段测量所述场效应管的反向导通压降；
其中所述第二电源的电流为所述场效应管的额定电流，所述第二电源的电压范围为-5V至0V；所述第二预设时间段的范围为10微秒至100微秒。
5.根据权利要求2所述的测量方法，其特征在于，所述对所述场效应管进行栅极老化的步骤包括：
将所述场效应管的漏极和源极短接，所述场效应管的栅极接收第一偏置电压；
其中所述第一偏置电压为PWM信号，所述PWM信号的正电压范围为20V至30V，所述PWM信号的负电压范围为-20V至-10V，所述PWM信号的占空比范围为10％至90％。
6.根据权利要求2所述的测量方法，其特征在于，所述对所述场效应进行阈值恢复的步骤包括：
将所述场效应管的栅极、漏极和源极短接，以使所述场效应管的栅极、漏极和源极短接持续第三预设时间段；其中所述第三预设时间段范围为10分钟至60分钟。
7.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，获取所述场效应管的反向导通压降与稳定状态阈值之间的定量对应关系的步骤包括：
以在所述标定周期中测量得到的第一电压作为坐标系的横坐标，将反向导通压降作为所述坐标系的纵坐标，每个所述标定周期的所述第一电压和所述反向导通压降作为所述坐标系上的坐标点；
通过多个所述标定周期，获取多个所述坐标点，对多个所述坐标点进行拟合得到线性方程，以获取所述场效应管的反向导通压降与稳定状态阈值之间的定量对应关系。
8.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述通过测试所述场效应管的反向导通压降得到所述阈值电压的步骤包括：
向所述场效应管施加第二偏置电压；
间隔第四预设时间段测量所述场效应管的反向导通压降；
基于所述反向导通压降和所述定量对应关系计算得到所述场效应管的阈值电压。
9.一种测试设备，其特征在于，包括存储器和处理器，处理器用于执行存储器中存储的程序指令，以实现权利要求1-8中任一项所述的测量方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有程序指令，程序指令被处理器执行时实现权利要求1-8中任一项所述的测量方法。
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