CN116193940A - 显示设备和制造其的方法 - Google Patents

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郭银珍
韩智慧
裵哲敏
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Abstract

本发明涉及显示设备和制造其的方法。该显示设备可容易与载体基板分开。制造显示设备的方法包括：在载体基板上形成包括硅氧化物的第一无机层；通过使用一氧化二氮气体等离子体处理第一无机层；在等离子体处理之后，在第一无机层上形成显示基板；在显示基板上面形成显示元件层；和将显示基板与载体基板分开。

Description

显示设备和制造其的方法
相关申请的交叉引用
本申请基于并且要求于2021年11月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0167722号的优先权，其公开通过引用以其整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施方式大体上涉及显示设备和制造其的方法，并且更具体地，涉及能够容易与载体基板分开的显示设备和制造其的方法。
背景技术
一般而言，柔性的显示设备的制造包括在载体基板上形成柔性的显示基板的工艺。在显示基板(形成在载体基板上)上形成显示元件层之后，将显示基板与载体基板分开，以制造显示设备。
发明内容
然而，根据相关领域制造显示设备的方法涉及到难以将显示基板与载体基板分开的问题。
一个或多个实施方式包括可容易与载体基板分开的显示设备，然而，上面的目标为示例，并且本公开的实施方式的范围不受上面的目标的限制。
另外的方面将部分在如下的描述中陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。
根据一个或多个实施方式，制造显示设备的方法包括下述步骤：在载体基板上形成包括硅氧化物的第一无机层；通过使用一氧化二氮(N2O)气体等离子体处理第一无机层；在等离子体处理之后，在第一无机层上形成显示基板；形成设置在显示基板上的显示元件层；和将显示基板与载体基板分开。
等离子体处理第一无机层可通过等离子体处理第一无机层的上表面来完成。
等离子体处理第一无机层可通过根据在第一无机层中的位置改变第一无机层中每单位体积的氧含量来完成。
等离子体处理第一无机层可通过使第一无机层中每单位体积的氧含量在从第一无机层的面向载体基板的底表面至第一无机层的上表面的方向上增加来完成。
等离子体处理第一无机层可通过使第一无机层的背向载体基板的第一部分中每单位体积的氧含量比第一无机层的第二部分中每单位体积的氧含量高来完成，第二部分比第一部分靠近载体基板。
等离子体处理第一无机层可通过使第一无机层的第三部分中每单位体积的氧含量在从第三部分的面向载体基板的底表面至第三部分的上表面的方向上增加来完成，第三部分位于第一部分和第二部分之间。
等离子体处理第一无机层可通过根据在第一无机层中的位置改变第一无机层中每单位体积的氢含量来完成。
等离子体处理第一无机层可通过使第一无机层中每单位体积的氢含量在从第一无机层的面向载体基板的底表面至第一无机层的上表面的方向上减少来完成。
等离子体处理第一无机层可通过使第一无机层的背向载体基板的第一部分中每单位体积的氢含量比第一无机层的第二部分中每单位体积的氢含量低来完成，第二部分比第一部分靠近载体基板。
等离子体处理第一无机层可通过使第一无机层的第三部分中每单位体积的氢含量在从第三部分的面向载体基板的底表面至第三部分的上表面方向上减少来完成，第三部分位于第一部分和第二部分之间。
方法可在形成显示基板和形成显示元件层之间进一步包括在显示基板上形成包括硅氧化物的第一隔离层。
方法可在形成第一隔离层和形成显示元件层之间进一步包括在显示基板上形成包括硅氧化物的第二隔离层。
形成第二隔离层可通过形成第二隔离层，使得第二隔离层中每单位体积的氧含量比第一隔离层中每单位体积的氧含量低来完成。
形成第二隔离层可通过形成第二隔离层，使得第二隔离层中每单位体积的氢含量比第一隔离层中每单位体积的氢含量高来完成。
将显示基板与载体基板分开可通过将显示基板与第一无机层分开来完成。
根据一个或多个实施方式，显示设备包括：显示基板；设置在显示基板的一个表面上显示元件层；和设置在显示基板的另一个表面上并且包括硅氧化物的第二无机层，其中第二无机层中每单位体积的氧含量在从第二无机层的底表面至第二无机层的面向显示基板的上表面的方向上增加。
第二无机层中每单位体积的氢含量可在从第二无机层的底表面至第二无机层的面向显示基板的上表面的方向上减少。
显示设备可进一步包括：布置在显示基板和显示元件层之间的第一隔离层；和布置在第一隔离层和显示元件层之间的第二隔离层。
第二隔离层中每单位体积的氧含量可比第一隔离层中每单位体积的氧含量低。
第二隔离层中每单位体积的氢含量可比第一隔离层中每单位体积的氢含量高。
除了上述的方面、特征和优势之外，其他方面、特征和优势将从所附附图、所附的权利要求和本公开的详细描述中变得显而易见。
附图说明
公开的某些实施方式的上面的以及其他的方面、特征和优势将从结合所附附图的下述描述中更显而易见，其中：
图1为用于描述在根据实施方式的制造显示设备的方法中包括的操作当中形成第一无机层的操作的示意性横截面图；
图2为用于描述在根据实施方式的制造显示设备的方法中包括的操作当中进行等离子体处理的操作的示意性横截面图；
图3为用于描述在根据实施方式的制造显示设备的方法中包括的操作当中形成显示基板的操作的示意性横截面图；
图4为用于描述在根据实施方式的制造显示设备的方法中包括的操作当中形成第一隔离层的操作的示意性横截面图；
图5为用于描述在根据实施方式的制造显示设备的方法中包括的操作当中形成第二隔离层的操作的示意性横截面图；
图6为用于描述在根据实施方式的制造显示设备的方法中包括的操作当中形成显示元件层的操作的示意性横截面图；
图7为用于描述在根据实施方式的制造显示设备的方法中包括的操作当中将显示基板与载体基板分开的操作的示意性横截面图；
图8示出了测量根据实施方式的制造显示设备的方法的制造工艺中的显示设备的粘合力，以及根据比较例的制造显示设备的方法的制造工艺中的显示设备的粘合力的结果；并且
图9为根据实施方式的显示设备的示意性横截面图。
具体实施方式
现将详细地参考其示例阐释在所附附图中的实施方式，其中相同的附图标记通篇指相同的元件。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于在本文中陈述的描述。相应地，下面只是通过参考图来描述实施方式，以解释本描述的方面。如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。遍及本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅仅a，仅仅b，仅仅c，a和b二者，a和c二者，b和c二者，所有的a、b和c，或其变型。
因为本公开允许各种改变和许多实施方式，所以将在附图中阐释并且在书面描述中详细地描述具体的实施方式。通过参考稍后参考附图详细地描述的实施方式，本公开的效果和特征以及实现它们的方式将变得显而易见。然而，本公开不限于下述实施方式，而是可具体化为各种形式。
在下文中，将参考所附附图详细地描述本公开的实施方式，并且在参考附图的描述中，相同的附图标记指相同的元件，并且将省略其冗余的描述。
在下面的实施方式中，将理解，当各种元件比如层、膜、区域或板称为“在”另一元件“上”或“上面”时，其可直接在另一元件上或上面，或也可存在居间元件。并且，在附图中，为了方便描述，可放大或缩小元件的尺寸。例如，因为为了方便解释而随意阐释了附图中元件的尺寸和厚度，所以下述实施方式不限于此。
在下面的实施方式中，x轴、y轴和z轴不限于矩形坐标系上的三个轴，而是可解释为包括这些轴。例如，x轴、y轴和z轴可成直角或也可指示不成直角的彼此不同的方向。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一元件。
除非在上下文中另外限定，否则单数表述包括复数表述。
在下面的实施方式中，将进一步理解，在本文中使用的术语“包括”和/或“具有”指出存在叙述的特征或元件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征或元件。
在本文中，“A和/或B”指A、B或A和B。另外，“A和B中的至少一个”指A、B或A和B。
图1、图2、图3、图4、图5、图6和图7为用于描述根据实施方式的制造显示设备的方法的横截面图。根据本实施方式，根据制造显示设备的方法，如图1中阐释的，首先，可在载体基板100上形成第一无机层210，图1为用于描述形成第一无机层210的操作的示意性横截面图。
当制造柔性的显示设备或可弯折的显示设备等时，将形成柔性的或可弯折的显示基板300(见图3)。在形成显示基板300时，可使用载体基板100。所以，制造显示设备的方法可包括在载体基板100上形成显示基板300的工艺和在显示基板300上形成显示元件层500(见图6)的工艺。在显示设备的制造工艺期间，载体基板100可从下面支撑显示基板300和显示元件层500。为了实现该目的，载体基板100需要是刚性的。载体基板100可包括，例如，玻璃。详细地，载体基板100可包括：包括硅氧化物(SiOx)的玻璃。载体基板100也可进一步包括少量的杂质。例如，杂质可包括铝(Al)、钾(K)或钠(Na)。
在载体基板100上形成显示基板300之前，在载体基板100上形成第一无机层210。然后，可在第一无机层210上形成显示基板300。即，第一无机层210可布置在载体基板100和显示基板300之间。第一无机层210可包括：包括硅氧化物的无机层。然而，本公开不限于此。例如，第一无机层210可包括：包括硅氮化物或硅氮氧化物的无机层。可通过沉积法比如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)来形成第一无机层210。与载体基板100相比，因为使用沉积法来形成第一无机层210，所以可在第一无机层210中不存在杂质或可使杂质最小化。
接下来，如在图2(图2为用于解释等离子体处理操作的示意性横截面图)中阐释的，使用一氧化二氮(N2O)气体等离子体处理第一无机层210。
详细地，通过将高频率电场施加至一氧化二氮气体来生成等离子体并且通过使用等离子体表面处理第一无机层210的上表面来等离子体处理第一无机层210。正因如此，当使用一氧化二氮气体进行等离子体处理时，一氧化二氮气体的流速可为，例如，约20,000sccm至约100,000sccm，并且使用一氧化二氮气体的等离子体处理的加工时间可为，例如，约2秒至约180秒。当使用一氧化二氮气体进行等离子体处理时，功率可为约5,000W至约10,000W。可在使用一氧化二氮气体的等离子体处理期间施加压力。例如，压力可设定在约500毫托和约1,000毫托之间。
如上述，因为使用一氧化二氮气体进行等离子体处理，所以可改变第一无机层210的一些组分的含量。即，图2中阐释的等离子体处理后的第一无机层220可为这样的第一无机层210，其中第一无机层210的组分的含量因为使用一氧化二氮气体在第一无机层210上进行等离子体处理而改变。
例如，因为使用一氧化二氮气体进行等离子体处理，所以等离子体处理后的第一无机层220中每单位体积的氧含量可根据在等离子体处理后的第一无机层220中的位置而改变。详细地，等离子体处理后的第一无机层220中每单位体积的氧含量可在背向载体基板100的方向上增加，例如，在从等离子体处理后的第一无机层220的底表面至等离子体处理后的第一无机层220的上表面的方向上增加。并且，等离子体处理后的第一无机层220的背向载体基板100的第一部分221中每单位体积的氧含量可比等离子体处理后的第一无机层220的第二部分222中每单位体积的氧含量高，等离子体处理后的第一无机层220的第二部分222比等离子体处理后的第一无机层220的第一部分221更靠近载体基板100。在该情况下，设置在第一部分221和第二部分222之间的第三部分223中每单位体积的氧含量可在从第三部分223的面向载体基板100的底表面至背向载体基板100的第三部分223的上表面的方向上增加。
因为使用一氧化二氮气体进行等离子体处理，所以等离子体处理后的第一无机层220中每单位体积的氢含量可根据在等离子体处理后的第一无机层220中的位置而改变。详细地，等离子体处理后的第一无机层220中每单位体积的氢含量可在背向载体基板100的方向上减少，例如，在从等离子体处理后的第一无机层220的底表面至等离子体处理后的第一无机层220的上表面的方向上减少。并且，等离子体处理后的第一无机层220的背向载体基板100的第一部分221中每单位体积的氢含量可比等离子体处理后的第一无机层220的第二部分222中每单位体积的氢含量低，等离子体处理后的第一无机层220的第二部分222比等离子体处理后的第一无机层220的第一部分221更靠近载体基板100。在该情况下，设置在第一部分221和第二部分222之间的第三部分223中每单位体积的氢含量可在从第三部分223的面向载体基板100的底表面至第三部分223的上表面的方向上减少。即，第一部分221中每单位体积的氢含量大体上比第三部分223中每单位体积的氢含量低，并且第三部分223中每单位体积的氢含量大体上比第二部分222中每单位体积的氢含量低。
在使用一氧化二氮气体等离子体处理时，在等离子体处理之前将氧供应至第一无机层210，等离子体处理后的第一无机层220中每单位体积的氧含量比等离子体处理前的第一无机层210中每单位体积的氧含量高。另外，等离子体处理后的第一无机层220中每单位体积的氢含量比等离子体处理前的第一无机层210中每单位体积的氢含量低。相应地，因为减少了等离子体处理前的第一无机层210中包括的羟基的数量，所以等离子体处理后的第一无机层220具有比等离子体处理前的第一无机层210的羟基的数量少的羟基的数量。
在等离子体处理前的第一无机层210通过使用一氧化二氮气体等离子体处理之后，如图3中阐释的，可在等离子体处理后的第一无机层220上形成显示基板300。如上述，显示基板300需要为柔性的或可弯折的。在该情况下，显示基板300可包括聚合物树脂比如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。也可对载体基板100进行各种修改，例如，载体基板100可具有多层结构，该多层结构包括：包括上述聚合物树脂的两个有机层以及布置在两个有机层之间并且包括硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物的无机层。
接下来，如图4和图5中阐释的，进行形成第一隔离层410的操作和形成第二隔离层420的操作。正因如此，可在显示基板300上形成隔离层400。
隔离层400可增加显示基板300的上表面的平坦度，并且防止金属原子或杂质等从显示基板300扩散至显示基板300上面的显示元件层500(见图6)。隔离层400可包括：包括硅氧化物的无机层。然而，本公开不限于此。例如，隔离层400可包括：包括硅氮化物或硅氮氧化物的无机层。可通过PECVD、CVD或ALD来形成隔离层400。
可在显示基板300和隔离层400之间，并且在显示基板300和等离子体处理后的第一无机层220之间生成静电吸引。隔离层400的底表面接触显示基板300，并且随着隔离层400的底表面的平坦度增加，减少了其中隔离层400和显示基板300彼此接触的表面积。当其中隔离层400和显示基板300彼此接触的表面积减少时，隔离层400和显示基板300之间的静电吸引可减少。即，当隔离层400的底表面的平坦度相对高时，在显示基板300和隔离层400之间的静电吸引可为相对小的。
相反地，隔离层400的底表面的平坦度越低，其中隔离层400和显示基板300彼此接触的表面积越大。当隔离层400和显示基板300之间接触的表面积增加时，隔离层400和显示基板300之间的静电吸引可增加。即，当隔离层400的底表面的平坦度相对低时，显示基板300和隔离层400之间的静电吸引可为相对大的。
可通过使用包括一氧化二氮气体和硅烷气体的源气体经PECVD来形成隔离层400。然而，本公开不限于此，并且源气体可进一步包括氧气(O2)。通过调整形成隔离层400的工艺中硅烷气体的量，可调整隔离层400的平坦度。详细地，当源气体含有少量的硅烷气体时，可降低隔离层400的形成速率，并且相应地，可增加形成的隔离层400的平坦度。相反地，当源气体包括大量的硅烷气体时，可增加隔离层400的形成速率，并且相应地，可降低形成的隔离层400的平坦度。
隔离层400可包括多个隔离层。详细地，包括硅氧化物的第一隔离层410可形成在显示基板300上，并且包括硅氧化物的第二隔离层420可形成在第一隔离层410上。然而，本公开不限于此。例如，第一隔离层410和/或第二隔离层420可包括硅氮化物或硅氮氧化物。
第一隔离层410的平坦度可不同于第二隔离层420的平坦度。为了减少显示基板300和第一隔离层410之间的静电吸引，第一隔离层410可具有相对高的平坦度。在该情况下，因为第一隔离层410的源气体包括少量的硅烷气体，所以形成第一隔离层410的速率可为相对低的。相比之下，第二隔离层420的源气体可包括大量的硅烷气体。相应地，第二隔离层420的形成速率可比第一隔离层410的形成速率高，并且第二隔离层420的平坦度可比第一隔离层410的平坦度低。
如上述，通过使第一隔离层410的源气体中含有的硅烷气体的量不同于第二隔离层420的源气体中含有的硅烷气体的量，可使第一隔离层410的形成速率和第二隔离层420的形成速率可彼此不同。在该情况下，第一隔离层410的组分的含量和第二隔离层420的组分的含量可彼此不同。
例如，第一隔离层410和第二隔离层420可形成为使得第一隔离层410中每单位体积的氧含量不同于第二隔离层420中每单位体积的氧含量。详细地，第一隔离层410的源气体中包括的硅烷气体的量可比第二隔离层420的源气体中包括的硅烷气体的量少。相应地，第一隔离层410可形成为使得第一隔离层410中每单位体积的氧含量比第二隔离层420中每单位体积的氧含量高。即，第二隔离层420可形成为使得第二隔离层420中每单位体积的氧含量比第一隔离层410中每单位体积的氧含量低。在该情况下，如上述，第一隔离层410的形成速率可比第二隔离层420的形成速率慢。
另外，第一隔离层410和第二隔离层420可形成为使得第一隔离层410中每单位体积的氢含量不同于第二隔离层420中每单位体积的氢含量。详细地，第一隔离层410的源气体中包括的硅烷气体的量可比第二隔离层420的源气体中包括的硅烷气体的量少。相应地，第一隔离层410可形成为使得第一隔离层410中每单位体积的氢含量比第二隔离层420中每单位体积的氢含量低。即，第二隔离层420可形成为使得第二隔离层420中每单位体积的氢含量比第一隔离层410中每单位体积的氢含量高。在该情况下，如上述，第一隔离层410的形成速率可比第二隔离层420的形成速率慢。
如上述，隔离层400的底表面接触显示基板300，并且隔离层400的底表面的平坦度越高，其中隔离层400和显示基板300彼此接触的表面积越小。当其中隔离层400和显示基板300彼此接触的面积减少时，隔离层400和显示基板300之间的静电吸引可最小化。另外，隔离层400和显示基板300之间的静电吸引影响等离子体处理后的第一无机层220和显示基板300之间的静电吸引。详细地，当隔离层400和显示基板300之间的静电吸引减少时，等离子体处理后的第一无机层220和显示基板300之间的静电吸引也减少。
根据本实施方式的制造显示设备的方法，隔离层400包括第一隔离层410和第二隔离层420。具有比第二隔离层420的平坦度高的平坦度的第一隔离层410布置在第二隔离层420和显示基板300之间。相应地，隔离层400和显示基板300之间的静电吸引最小化。因此，等离子体处理后的第一无机层220和显示基板300之间的静电吸引也最小化。从而，显示基板300稍后可容易与等离子体处理后的第一无机层220分开。
在如上述形成隔离层400之后，如图6中阐释的，可在显示基板300上形成显示元件层500。详细地，可在第二隔离层420上形成显示元件层500。
显示元件层500可包括显示元件590和电连接至显示元件590的薄膜晶体管TFT。在图6中，阐释了位于隔离层400上的有机发光装置作为显示元件590。电连接至薄膜晶体管TFT的有机发光装置可理解为意指有机发光装置的像素电极591电连接至薄膜晶体管TFT。
如图6中阐释的，薄膜晶体管TFT包括半导体层510、栅电极530、漏电极552和源电极551，半导体层510包括非晶硅、多晶硅、氧化物半导体材料或有机半导体材料。为了确保半导体层510和栅电极530之间的绝缘，包括无机材料比如硅氧化物、硅氮化物和/或硅氮氧化物的栅绝缘层520可设置在半导体层510和栅电极530之间。另外，包括无机材料比如硅氧化物、硅氮化物和/或硅氮氧化物的第一夹层绝缘层540可设置在栅电极530上，并且第二夹层绝缘层560可布置为同时覆盖源电极551和漏电极552。正因如此，可通过CVD或ALD形成包括无机材料的绝缘层。然而，本公开不限于此。
平坦化层570可设置在薄膜晶体管TFT和第二夹层绝缘层560上。例如，如图6中阐释的，当有机发光装置设置在薄膜晶体管TFT上时，平坦化层570可具有大体上使薄膜晶体管TFT的上部平坦化的功能。平坦化层570可包括有机材料比如丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。尽管在图6中平坦化层570阐释为单层结构，但是也可进行各种修改，例如，平坦化层570可具有多层结构。
在显示元件层500的显示区域中，显示元件590可位于平坦化层570上。显示元件590可为，例如，这样的有机发光装置，其具有像素电极591、相对电极593以及布置在像素电极591和相对电极593之间并且包括发射层的中间层592。
如图6中阐释的，像素电极591可通过平坦化层570等中形成的接触孔接触源电极551和漏电极552中的一个，以电连接至薄膜晶体管TFT。像素电极591包括：包括透射导电氧化物比如氧化铟锡(ITO)、In2O3或氧化铟锌(IZO)的透射导电层，以及包括金属比如Al或Ag的反射层。例如，像素电极591可具有包括ITO/Ag/ITO的三层结构。
像素限定层580可设置在平坦化层570上。像素限定层580通过具有对应于每个像素的开孔，即，通过其暴露像素电极591的至少中心部分的开孔，限定像素。另外，在图6中阐释的实施方式中，像素限定层580增加了像素电极591的边缘和像素电极591上的相对电极593之间的距离，从而防止在像素电极591的边缘处的电弧等。像素限定层580可包括有机材料比如聚酰亚胺或HMDSO。
有机发光装置的中间层592可包括低分子量材料或聚合物材料。当中间层592包括低分子量材料时，中间层592可具有其中空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)等堆叠为单个结构或复合结构的结构，并且可通过真空沉积来形成。当中间层592包括聚合物材料时，中间层592可具有包括HTL和EML的结构。这里，HTL可包括聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)，并且EML可包括聚合物材料比如聚(对苯乙烯)(PPV)类材料和聚芴类材料。可通过丝网印刷、喷墨印刷或激光诱导热成像(LITI)等来形成中间层592。然而，中间层592不必限于此，并且可具有其他各种结构。另外，中间层592可包括整体形成在多个像素电极591之上的层，或可包括图案化为对应于多个像素电极591中的每一个的层。
相对电极593设置在中间层592上，以覆盖显示区域。可针对多个有机发光装置整体形成相对电极593，以对应于多个像素电极591。相对电极593可包括：包括ITO、In2O3或IZO的透射导电层和/或包括金属比如Al或Ag的半透射层。例如，相对电极593可包括：包括MgAg的半透射层。
在如上述形成显示元件层500之后，如图7中阐释的，显示基板300可与载体基板100分开。详细地，显示基板300可与等离子体处理后的第一无机层220分开。例如，可通过用紫外激光照射显示基板300的面向等离子体处理后的第一无机层220的一个表面将显示基板300与载体基板100分开。在该情况下，等离子体处理后的第一无机层220位于载体基板100上，并且第一隔离层410、第二隔离层420和显示元件层500可位于显示基板300上。然而，本公开不限于此。
图8示出了测量显示设备的制造工艺中显示基板的粘合力的结果。图8的从左侧起放置的第一个条形图和第二个条形图(显示基板/载体基板)指示在显示基板300上形成隔离层400之前，载体基板100和显示基板300之间的粘合力。详细地，从左侧起放置的第一个条形图指示载体基板100和显示基板300之间的中心粘合力，并且从左侧起放置的第二个条形图指示载体基板100和显示基板300之间的边缘粘合力。如在本文中使用的，术语“中心粘合力”指在彼此粘合的两个基板的中心处的粘合力，并且术语“边缘粘合力”指在彼此粘合的两个基板的边缘处的粘合力。
图8的从左侧起放置的第三个条形图和第四个条形图(隔离层/显示基板/载体基板)指示在显示基板300上形成隔离层400之后，载体基板100和显示基板300之间的粘合力。详细地，从左侧起放置的第三个条形图指示载体基板100和显示基板300之间的中心粘合力，并且从左侧起放置的第四个条形图指示载体基板100和显示基板300之间的边缘粘合力。图8的从左侧起放置的第五个条形图和第六个条形图(隔离层/显示基板/第一无机层/载体基板)指示在载体基板100上依次形成第一无机层210、显示基板300和隔离层400之后，第一无机层210和显示基板300之间的粘合力。详细地，从左侧起放置的第五个条形图指示第一无机层210和显示基板300之间的中心粘合力，从左侧起放置的第六个条形图指示第一无机层210和显示基板300之间的边缘粘合力。
图8的从左侧起放置的第七个条形图和第八个条形图(第二隔离层/第一隔离层/显示基板/第一无机层/载体基板)指示在载体基板100上依次形成第一无机层210、显示基板300、第一隔离层410和第二隔离层420之后，第一无机层210和显示基板300之间的粘合力。详细地，从左侧起放置的第七个条形图指示第一无机层210和显示基板300之间的中心粘合力，从左侧起放置的第八个条形图指示第一无机层210和显示基板300之间的边缘粘合力。图8的从左侧起放置的第九个条形图和第十个条形图(第二隔离层/第一隔离层/显示基板/等离子体处理后的第一无机层/载体基板)指示在载体基板100上形成等离子体处理前的第一无机层210、并且使用一氧化二氮气体对等离子体处理前的第一无机层210进行等离子体处理以及在等离子体处理后的第一无机层220上依次形成显示基板300、第一隔离层410和第二隔离层420之后，等离子体处理后的第一无机层220和显示基板300之间的粘合力。详细地，从左侧起放置的第九个条形图指示等离子体处理后的第一无机层220和显示基板300之间的中心粘合力，并且从左侧起放置的第十个条形图指示等离子体处理后的第一无机层220和显示基板300之间的边缘粘合力。
另一方面，在将显示基板300与载体基板100分开之前，如上述在显示基板300上形成隔离层400，并且因此，通过形成隔离层400，可增加载体基板100和显示基板300之间的粘合力，使得显示基板300与载体基板100难以分开。详细地，当在显示基板300上形成隔离层400时，为了使用等离子体，将电压施加至载体基板100和显示基板300。在该情况下，载体基板100和显示基板300中的偶极子排成一条直线，并且相应地，增加了载体基板100和显示基板300之间的粘合力。相应地，难以将显示基板300与载体基板100分开。
例如，如图8(图8示出了测量显示设备的制造方法的制造工艺中显示基板300的粘合力的结果)中示出的，在显示基板300上形成隔离层400之前，载体基板100和显示基板300之间的中心粘合力和边缘粘合力分别为13.9gf/英寸和12.9gf/英寸。然而，在显示基板300上形成隔离层400之后，载体基板100和显示基板300之间的中心粘合力和边缘粘合力分别为1113.2gf/英寸和1060.8gf/英寸。即，如上述，因为在显示基板300上形成隔离层400，所以显著增加了载体基板100和显示基板300之间的粘合力。
在载体基板100的杂质和显示基板300之间生成静电吸引，并且通过PECVD形成隔离层400。当形成隔离层400时，载体基板100的杂质和显示基板300之间的静电吸引通过PECVD中施加的电压而显著增加。静电吸引显著增加了载体基板100和显示基板300之间的粘合力。相应地，难以将显示基板300与载体基板100分开。
另外，载体基板100中包括的硅氧化物由氧(O)和硅(Si)组成。硅可不仅与载体基板100中包括的多个氧形成键，而且也与显示基板300中包括的氧形成键。例如，载体基板100中包括的一些硅与显示基板300中包括的氧形成共价键。共价键增加了载体基板100和显示基板300之间的粘合力，从而使得难以将显示基板300与载体基板100分开。
另一方面，因为使用沉积法形成等离子体处理前的第一无机层210，所以与载体基板100相比，等离子体处理前的第一无机层210没有杂质或杂质最小化。相应地，通过在载体基板100和显示基板300之间形成等离子体处理前的第一无机层210，可防止或最小化位于显示基板300下面的层中包括的杂质和显示基板300之间的静电吸引。
另外，因为使用沉积法形成等离子体处理前的第一无机层210，所以可消除或最小化等离子体处理前的第一无机层210中与显示基板300中包括的氧共价键合的硅。相应地，等离子体处理前的第一无机层210可使得显示基板300容易与载体基板100分开。
例如，如图8(图8示出了测量显示设备的制造方法的制造工艺中显示基板的粘合力的结果)中示出的，当在载体基板100和显示基板300之间未形成等离子体处理前的第一无机层210时，载体基板100和显示基板300之间的中心粘合力和边缘粘合力分别为1113.2gf/英寸和1060.8gf/英寸。另一方面，当在载体基板100和显示基板300之间形成等离子体处理前的第一无机层210时，载体基板100和显示基板300之间的中心粘合力和边缘粘合力分别为136gf/英寸和196.7gf/英寸。即，因为在载体基板100上形成了等离子体处理前的第一无机层210，所以减少了位于显示基板300下面的层和显示基板300之间的粘合力。
如上述，隔离层400的底表面的平坦度越高，其中隔离层400和显示基板300彼此接触的面积越小。当隔离层400包括第一隔离层410和第二隔离层420时，通过使比第二隔离层420具有更高的平坦度的第一隔离层410接触显示基板300，隔离层400和显示基板300之间的静电吸引可最小化。
隔离层400和显示基板300之间的静电吸引影响等离子体处理后的第一无机层220和显示基板300之间的静电吸引。详细地，当隔离层400和显示基板300之间的静电吸引减少时，等离子体处理后的第一无机层220和显示基板300之间的静电吸引也减少。因此，显示基板300可容易与等离子体处理后的第一无机层220分开。
例如，如图8(图8示出了测量显示设备的制造方法的制造工艺中显示基板的粘合力的结果)中示出的，当隔离层400为单个层时，等离子体处理前的第一无机层210和显示基板300之间的中心粘合力和边缘粘合力分别为136.0gf/英寸和196.7gf/英寸。与上面不同，当隔离层400包括第一隔离层410和第二隔离层420时，等离子体处理前的第一无机层210和显示基板300之间的中心粘合力和边缘粘合力分别为32.4gf/英寸和62.4gf/英寸。即，如上述，因为在显示基板300上形成第一隔离层410，所以减少了位于显示基板300下面的层和显示基板300之间的粘合力。
同时，如上述，其上形成显示基板300的等离子体处理前的第一无机层210含有多个氧原子，一些氧原子存在于羟基中。即，等离子体处理前的第一无机层210包括羟基。当在进行等离子体处理之前并且包括羟基的第一无机层210上形成显示基板300时，可在显示基板300和等离子体处理前的第一无机层210中包括的羟基之间生成静电吸引。另外，等离子体处理前的第一无机层210中包括的羟基可与显示基板300中包括的羟基形成氢键。另外，在等离子体处理前的第一无机层210的上表面上存在能够与显示基板300形成化学键的悬空键。静电吸引、氢键和悬空键增加了等离子体处理前的第一无机层210和显示基板300之间的粘合力。相应地，稍后难以将显示基板300与等离子体处理前的第一无机层210分开。
然而，如上述，根据本实施方式的制造显示设备的方法，因为等离子体处理前的第一无机层210使用一氧化二氮气体进行等离子体处理，所以等离子体处理后的第一无机层220比等离子体处理前的第一无机层210具有少的羟基。相应地，在等离子体处理后的第一无机层220和显示基板300的羟基之间不发生静电吸引并且不形成氢键，或吸引的程度可最小化。另外，因为等离子体处理前的第一无机层210使用一氧化二氮气体进行等离子体处理，所以在等离子体处理后的第一无机层220的上表面上比在等离子体处理前的第一无机层210的上表面上存在少的悬空键。相应地，等离子体处理后的第一无机层220和显示基板300之间的粘合力比显示基板300和等离子体处理前的第一无机层210之间的粘合力小。因此，显示基板300可容易与等离子体处理后的第一无机层220分开。
例如，如图8(图8示出了测量显示设备的制造方法的制造工艺中显示基板的粘合力的结果)中示出的，等离子体处理前的第一无机层210和显示基板300之间的中心粘合力和边缘粘合力分别为32.4gf/英寸和62.4gf/英寸。另外，等离子体处理后的第一无机层220和显示基板300之间的中心粘合力和边缘粘合力分别为21.3gf/英寸和31.5gf/英寸。即，因为等离子体处理前的第一无机层210使用一氧化二氮气体进行等离子体处理，所以位于显示基板300下面的层和显示基板300之间的粘合力可减小。而且，等离子体处理后的第一无机层220和显示基板300之间的中心粘合力和边缘粘合力之间的差比等离子体处理前的第一无机层210和显示基板300之间的中心粘合力和边缘粘合力之间的差小。即，当对等离子体处理前的第一无机层210进行等离子体处理时，位于显示基板300下面的层和显示基板300之间的粘合力的差异减小了，并且因此改善了粘合力的均匀性。
上面，已描述了制造显示设备的方法，但本公开不限于此。例如，通过上面的制造方法制造的显示设备也落入本公开的范围内。下文，将描述显示设备。上面描述了制造的显示设备的效果并且因此将在这里省略，并且现在只描述显示设备1的结构。
例如，根据实施方式的显示设备1可具有如图9中阐释的结构。下文，为了方便起见，省略了上面参考图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7和图8提供的重复细节的描述。
如图9中阐释的，显示设备1包括显示基板300，并且显示元件层500可设置在显示基板300的一个表面上。同时，第二无机层600可设置在显示基板300的背向显示元件层500的另一个表面上，并且第二无机层600可包括硅氧化物。然而，本公开并不限于此。例如，第二无机层600可包括硅氮化物或氮氧硅化物。根据实施方式，第二无机层600可包括与在制造显示设备的方法中等离子体处理后的第一无机层220的材料相同的材料。在将显示基板300与载体基板100分开之前，等离子体处理后的第一无机层220接触显示基板300的背向显示元件层500的另一个表面。在将显示基板300与载体基板100分开之后，等离子体处理后的第一无机层220的一部分可保留在显示基板300的背向显示元件层500的另一个表面上。第二无机层600可为保留在显示基板300的背向显示元件层500的另一个表面上的等离子体处理后的第一无机层220的一部分。
第二无机层600中每单位体积的氧含量可根据在第二无机层600中的位置而改变。详细地，第二无机层600中每单位体积的氧含量可在从第二无机层600的底表面至第二无机层600的面向显示基板300的上表面的方向上增加。在将显示基板300与载体基板100分开之前，等离子体处理后的第一无机层220中每单位体积的氧含量在从等离子体处理后的第一无机层220的面向载体基板100的底表面至等离子体处理后的第一无机层220的上表面的方向上增加。相应地，第二无机层600(该第二无机层600为保留在显示基板300的背向显示元件层500的另一个表面上的等离子体处理后的第一无机层220的一部分)中每单位体积的氧含量可在从第二无机层600的底表面至第二无机层600的面向显示基板300的上表面的方向上增加。
在第二无机层600中每单位体积的氢含量可根据在第二无机层600中的位置而改变。详细地，第二无机层600中每单位体积的氢含量可在从第二无机层600的底表面至第二无机层600的面向显示基板300的上表面的方向上减少。在将显示基板300与载体基板100分开之前，等离子体处理后的第一无机层220中每单位体积的氢含量在从等离子体处理后的第一无机层220的面向载体基板100的底表面至等离子体处理后的第一无机层220的上表面的方向上减少。相应地，第二无机层600(该第二无机层600为保留在显示基板300的背向显示元件层500的另一个表面上的等离子体处理后的第一无机层220的一部分)中每单位体积的氢含量可在从第二无机层600的底表面至第二无机层600的面向显示基板300的上表面的方向上减少。
显示设备1可进一步包括设置在显示基板300和显示元件层500之间的第一隔离层410以及设置在第一隔离层410和显示元件层500之间的第二隔离层420。第一隔离层410可包括硅氧化物。另外，第二隔离层420也可包括硅氧化物。然而，本公开不限于此。例如，第一隔离层410和/或第二隔离层420可包括硅氮化物或硅氮氧化物。
第一隔离层410的组分的含量和第二隔离层420的组分的含量可彼此不同。例如，第一隔离层410中每单位体积的氧含量可比第二隔离层420中每单位体积的氧含量高，并且第一隔离层410中每单位体积的氢含量可比第二隔离层420中每单位体积的氢含量低。即，第二隔离层420中每单位体积的氧含量可比第一隔离层410中每单位体积的氧含量低，并且第二隔离层420中每单位体积的氢含量可比第一隔离层410中每单位体积的氢含量高。
根据如上述的实施方式，可实现可容易与载体基板分开的显示设备。然而，本公开的范围不受上述效果的限制。
应理解，在本文中描述的实施方式应仅以描述性意义考虑并且不用于限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应考虑可用于其他实施方式中其他类似的特征或方面。尽管已经参考图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由下述权利要求限定的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种制造显示设备的方法，所述方法包括下述步骤：
在载体基板上形成包括硅氧化物的第一无机层；
通过使用一氧化二氮(N2O)气体等离子体处理所述第一无机层；
在所述等离子体处理之后，在所述第一无机层上形成显示基板；
形成设置在所述显示基板上的显示元件层；和
将所述显示基板与所述载体基板分开。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体处理所述第一无机层通过等离子体处理所述第一无机层的上表面来完成。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述等离子体处理所述第一无机层通过根据在所述第一无机层中的位置改变所述第一无机层中每单位体积的氧含量来完成。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述等离子体处理所述第一无机层通过使所述第一无机层中每单位体积的氧含量在从所述第一无机层的面向所述载体基板的底表面至所述第一无机层的上表面的方向上增加来完成。
5.根据权利要求3所述的方法，其中所述等离子体处理所述第一无机层通过使所述第一无机层的背向所述载体基板的第一部分中每单位体积的氧含量比所述第一无机层的第二部分中每单位体积的氧含量高来完成，所述第二部分比所述第一部分靠近所述载体基板。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述等离子体处理所述第一无机层通过使所述第一无机层的第三部分中每单位体积的氧含量在从所述第三部分的面向所述载体基板的底表面至所述第三部分的上表面的方向上增加来完成，所述第三部分位于所述第一部分和所述第二部分之间。
7.根据权利要求2所述的方法，其中所述等离子体处理所述第一无机层通过根据在所述第一无机层中的位置改变所述第一无机层中每单位体积的氢含量来完成。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述等离子体处理所述第一无机层通过使所述第一无机层中每单位体积的氢含量从所述第一无机层的面向所述载体基板的底表面至所述第一无机层的所述上表面减少来完成。
9.根据权利要求7所述的方法，其中所述等离子体处理所述第一无机层通过使所述第一无机层的背向所述载体基板的第一部分中每单位体积的氢含量比所述第一无机层的第二部分中每单位体积的氢含量低来完成，所述第二部分比所述第一部分靠近所述载体基板。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述等离子体处理所述第一无机层通过使所述第一无机层的第三部分中每单位体积的氢含量在从所述第三部分的面向所述载体基板的底表面至所述第三部分的上表面的方向上减少来完成，所述第三部分位于所述第一部分和所述第二部分之间。
11.根据权利要求1所述的方法，在所述形成所述显示基板和所述形成所述显示元件层之间进一步包括在所述显示基板上形成包括硅氧化物的第一隔离层。
12.根据权利要求11所述的方法，在所述形成所述第一隔离层和所述形成所述显示元件层之间进一步包括在所述第一隔离层上形成包括硅氧化物的第二隔离层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述形成所述第二隔离层通过形成所述第二隔离层，使得所述第二隔离层中每单位体积的氧含量比所述第一隔离层中每单位体积的氧含量低来完成。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述形成所述第二隔离层通过形成所述第二隔离层，使得所述第二隔离层中每单位体积的氢含量比所述第一隔离层中每单位体积的氢含量高来完成。
15.根据权利要求1所述的方法，其中所述将所述显示基板与所述载体基板分开通过将所述显示基板与所述第一无机层分开来完成。
16.一种显示设备，包括：
显示基板；
设置在所述显示基板的一个表面上的显示元件层；和
设置在所述显示基板的另一个表面上并且包括硅氧化物的第二无机层，其中所述第二无机层中每单位体积的氧含量在从所述第二无机层的底表面至所述第二无机层的面向所述显示基板的上表面的方向上增加。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中所述第二无机层中每单位体积的氢含量在从所述第二无机层的底表面至所述第二无机层的面向所述显示基板的上表面的方向上减少。
18.根据权利要求16所述的显示设备，进一步包括：
布置在所述显示基板和所述显示元件层之间的第一隔离层；和
布置在所述第一隔离层和所述显示元件层之间的第二隔离层。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中所述第二隔离层中每单位体积的氧含量比所述第一隔离层中每单位体积的氧含量低。
20.根据权利要求18所述的显示设备，其中所述第二隔离层中每单位体积的氢含量比所述第一隔离层中每单位体积的氢含量高。
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