CN116148632A - 模拟负载和芯片测试系统 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种模拟负载和芯片测试系统，所述模拟负载用于模拟待测芯片，所述模拟负载包括转接电路、信号源接口和模拟负载电路，其中，转接电路与电路主板用于连接待测芯片的连接点连接，还设有负载接头，利用信号源接口与信号源连接，从而向模拟负载电路输出电压信号，模拟负载电路与负载接头连接，根据接收到的电压信号分时向转接电路输出恒定电流信号和变化电流信号中的一个，由于模拟负载电路能够分时输出恒定电流信号或变化电流信号，通过分别测量模拟电路输出恒定电流信号和变化电流信号时的负载电压值，能够准确地测试出电路主板的主板电源电路对待测芯片的供电能力。

Description

模拟负载和芯片测试系统

技术领域

本申请涉及半导体芯片技术领域，特别是涉及一种模拟负载和芯片测试系统。

背景技术

随着半导体芯片技术的发展，芯片性能和生产制程逐渐提高。在芯片流片完成前，为测试电路主板电路的电源对芯片的供电能力，需开发一种模拟电子负载。特别是对于一些高功耗的芯片(例如CPU，GPU，DPU等)需要电路主板电路的电源提供较低的电压的同时能够提供很大的电流，例如：平均电流几十安培到几百安培，峰值电流为平均电流的2倍以上，同时电路主板电路的电源还要满足在芯片负载突变的情况下，保持电压稳定。

常规的电子负载通过设定固定的阻抗值，抽取电路主板电源电路的静态电流，并检测电压的稳定性。但其不足的是不能动态调整阻抗值，从而无法模拟高功耗芯片的负载变化的情况，即无法准确地测试出在阻抗值变化时，芯片所在电路主板的电源对芯片的供电能力。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够准确测试出变化阻抗值下电路主板电源对芯片的供电能力的模拟负载和芯片测试系统。

一种模拟负载，所述模拟负载用于模拟待测芯片，所述模拟负载包括：

转接电路，所述转接电路用于与电路主板用于连接所述待测芯片的连接点连接，所述转接电路设有负载接头；

信号源接口，用于连接信号源并输出电压信号；

模拟负载电路，分别与所述信号源接口、所述负载接头连接，所述模拟负载电路用于接收所述电压信号并根据所述电压信号分时输出恒定电流信号和变化电流信号中的一个。

在其中一个实施例中，所述转接电路包括：

基板；

模拟芯片电源管脚，设于所述基板，且所述模拟芯片电源管脚的位置与所述待测芯片的电源管脚的位置相同。

在其中一个实施例中，所述基板为PCB电路板；

所述PCB电路板包括敷铜层，所述敷铜层的电源平面布局与所述待测芯片封装的电源平面的布局相同。

在其中一个实施例中，所述模拟负载电路包括：

等效阻抗电路，用于模拟所述待测芯片的内核阻抗，并生成等效负载电流；

比较电路，所述比较电路的两个输入端分别与所述信号源接口和所述等效阻抗电路的一端连接，用于根据所述电压信号和所述等效负载电流生成开关信号；

开关元件，所述开关元件包括第一端、第二端和控制端，所述开关元件的第一端与所述等效阻抗电路的另一端连接，所述开关元件的第二端与所述负载接头连接，所述开关元件的控制端与所述比较电路的输出端连接，所述开关元件用于根据所述开关信号导通或者断开。

在其中一个实施例中，所述比较电路包括：

比较器U1，所述比较器U1的同相输入端与所述信号源接口连接以当所述信号源接口与信号源连接时接收所述电压信号，所述比较器U1的输出端与所述开关元件的控制端连接；

第一电阻R1，所述第一电阻R1的第一端与所述等效阻抗电路用于输出所述等效负载电流的一端连接，所述第一电阻R1的第二端与接地端连接；

第二电阻R2，所述第二电阻R2的一端与所述比较器U1的反相输入端连接，所述第二电阻R2的另一端与所述第一电阻R1用于连接所述等效阻抗电路的一端连接；

第三电阻R3，所述第三电阻R3的两端分别与所述第二电阻R2用于连接所述比较器U1的反相输入端的一端及接地端连接；

二极管D1，所述二极管D1的负极与所述开关元件的第一端连接，所述二极管D1的正极与接地端连接；

其中，所述比较器U1还用于根据所述电压信号、所述第一电阻R1、所述第二电阻R2、所述第三电阻R3和所述等效负载电流生成开关信号。

在其中一个实施例中，等效阻抗电路包括：

电感L1，所述电感L1的一端与所述开关元件的第一端连接；

第四电阻R4，分别与所述第一电阻R1的第二端和所述电感L1的另一端连接；

第一电容C1，与所述第四电阻R4并联连接。

在其中一个实施例中，所述负载接头还用于与外部电压检测设备连接；所述外部电压检测设备用于检测所述模拟负载电路的负载电压值；所述负载电压值用于表征所述电路主板接入的电源对待测芯片的供电能力。

在其中一个实施例中，所述比较电路还包括：

第二电容C2，分别与所述比较器U1的反相输入端和接地端连接。

在其中一个实施例中，所述开关元件包括N沟道的MOS管。

在其中一个实施例中，所述信号源接口连接的信号源包括波形发生器。

一种芯片测试系统，所述系统包括：

如上述任一实施例所述的模拟负载；

电路主板，所述电路主板包括主板电源电路和用于连接待测芯片的连接点，所述连接点分别与所述模拟负载、所述主板电源电路连接，所述主板电源电路用于经所述连接点向所述模拟负载供电；

外部电压检测设备，与所述模拟负载连接，用于检测所述模拟负载的负载电压值；所述负载电压值用于表征所述主板电源电路对待测芯片的供电能力。

上述模拟负载和芯片测试系统，在本实施例中，转接电路与电路主板用于连接待测芯片的连接点连接，还设有负载接头，利用信号源接口与信号源连接，从而向模拟负载电路输出电压信号，模拟负载电路与负载接头连接，根据接收到的电压信号分时向转接电路输出恒定电流信号和变化电流信号中的一个，由于模拟负载电路能够分时输出恒定电流信号或变化电流信号，通过分别测量模拟电路输出恒定电流信号和变化电流信号时的负载电压值，能够准确地测试出电路主板电源电路对待测芯片的供电能力。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一个实施例中模拟负载的结构示意图；

图2为一个实施例中转接电路的结构示意图；

图3为一个实施例中模拟负载电路的结构示意图；

图4为一个实施例中比较电路的结构示意图；

图5为一个实施例中等效阻抗电路的结构示意图；

图6为另一个实施例中模拟负载的结构示意图；

图7为一个实施例中芯片测试系统的结构框图。

附图标记说明：

100-模拟负载，110-转接电路，111-负载接头，120-信号源接口，130-模拟负载电路，140-电路主板，150-待测芯片的连接点，160-主板电源电路，210-基板，220-模拟芯片电源管脚，311-等效阻抗电路，312-开关元件，313-比较电路，600-波形发生器，700-芯片检测系统，710-外部电压检测设备。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件时，它可以是直接连接到另一个元件，或者通过居中元件连接另一个元件。此外，以下实施例中的“连接”，如果被连接的对象之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。

在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

电子负载主要用于电源电路的静态性能(即抽电流)测试，正如背景技术所述，常规的电子负载通过设定固定的阻抗值，抽取电路主板电源的静态电流，并检测电压的稳定性。但其不足是不能动态调整阻抗值，从而模拟高功耗芯片负载变化的情况，且不能反映电流动态变化情况下电压的稳定性。基于以上原因，本发明提供了一种全面模拟高功耗芯片的阻抗特性的模拟负载和芯片测试系统，包括芯片在封装上的电源平面及其阻抗分布，以及芯片内核的负载静态，或动态变化带来的负载电流变化，从而更真实且准确地测试主板电源电路对芯片的供电能力。

在一个实施例中，如图1所示的模拟负载结构示意图，本发明提供了一种模拟负载100，所述模拟负载100用于模拟待测芯片，所述模拟负载100包括转接电路110、信号源接口120和模拟负载电路130。其中，所述转接电路110用于与电路主板140用于连接所述待测芯片的连接点150连接，所述转接电路110设有负载接头111；信号源接口120用于连接信号源并输出电压信号；模拟负载电路130分别与所述信号源接口120、所述负载接头111连接，所述模拟负载电路130用于接收所述电压信号并根据所述电压信号分时输出恒定电流信号和变化电流信号中的一个。

其中，所述待测芯片为位于电路主板140用于实现电路主板具体逻辑功能的芯片。所述模拟负载电路130用于模拟待测芯片内置的负载电路。

在本实施例中，所述与电路主板用于连接所述待测芯片的连接点150还与主板电源电路160连接，转接电路110与电路主板140用于连接待测芯片的连接点连接，还设有负载接头111，利用信号源接口120与信号源连接，从而向模拟负载电路130输出电压信号，模拟负载电路130与负载接头111连接，根据接收到的电压信号分时向转接电路110输出恒定电流信号和变化电流信号中的一个，由于模拟负载电路130能够分时输出恒定电流信号或变化电流信号，通过分别测量模拟负载电路输出恒定电流信号和变化电流信号时的负载电压值，能够准确地测试出电路主板140中的主板电源电路160对待测芯片的供电能力。

在一个实施例中，如图2所示的转接电路结构示意图，所述转接电路包括基板210和模拟芯片电源管脚220；其中模拟芯片电源管脚220设于所述基板210，与电路主板140用于连接所述待测芯片的连接点150连接，且所述模拟芯片电源管脚220的位置与所述待测芯片的电源管脚的位置相同。

本实施例中，为了能够最大程度地模拟待测芯片，在转接电路中设置有模拟芯片电源管脚220，并将所述模拟芯片电源管脚220设置在基板210上，且所述模拟芯片电源管脚220的位置排布与待测芯片的电源管脚位置相同，能够使得转接电路的整体布局与待测芯片的封装电源管脚相同，保证在电路主板140上的电流信号流向与实际待测芯片安装后的电流信号的流向无限接近，最大限度地模拟待测芯片的主板电源电路160在电路主板上140的工作。具体地，对于基板210上相邻的同种类电源和接地管脚，为简化PCB电路板生产，可以将其连成一片，设置于同一管脚。

在一个实施例中，所述基板为PCB电路板；所述敷铜层的电源平面布局与所述待测芯片封装的电源平面布局相同。

其中，敷铜指的是将PCB电路板中大片面积用固体铜填充，这些铜区又称为灌铜。所述对PCB电路板设置敷铜层的作用在于减小地线阻抗，提高抗干扰能力；降低压降，提高电源效率；以及，与地线相连，减小环路面积。在PCB电路板的电源、或者接地端比较多时，根据PCB电路板电源平面中电源、或者接地端位置的不同，分别以不同的电源、或者地分开敷铜。

本实施例中，参照被测芯片的电源平面的布局在PCB电路板中进行敷铜层的平面布局，使得转接电路准确地对待测芯片封装的电源和接地平面进行模拟。

在一个实施例中，如图3所示的模拟负载电路，所述模拟负载电路包括等效阻抗电路311、比较电路313和开关元件312；其中，等效阻抗电路311用于模拟所述待测芯片的内核阻抗，并生成等效负载电流；所述比较电路313的两个输入端分别与所述信号源接口120、所述等效阻抗电路311的一端连接，用于根据所述电压信号和所述等效负载电流生成开关信号；所述开关元件312包括第一端、第二端和控制端，所述开关元件312的第一端与所述等效阻抗电路311的另一端连接，所述开关元件312的第二端与所述负载接头111连接，所述开关元件312的控制端与所述比较电路313的输出端连接，所述开关元件312用于根据所述开关信号导通或者断开。

本实施例中，具体地，所述比较电路313对所述电压信号和所述等效负载电流进行比较，根据比较结果输出开关信号，所述开关信号通过比较电路313的输出端输出至开关元件312的控制端，以控制开关元件312的导通或者断开，输出的恒定电流信号，或者输出变化电流信号，与此同时，通过切换开关元件312的导通或者断开，能够使得模拟负载电路的负载电流平均值等于目标电流值以满足测试要求。由于开关元件312的第一端连接有等效阻抗电路311，在给定电源电压时，模拟负载电路的阻抗等效值仅与负载电流有关，且阻抗等效值与负载电流的关系符合欧姆定律。开关元件312的第二端与负载接头连接，使得负载电流信号能够输出至转接电路以模拟负载电流信号在待测芯片中的流通情况，且所述负载电流信号为恒定电流信号和变换电流信号中的一个。

在一个实施例中，如图4所示的比较电路结构示意图，所述比较电路313包括比较器U1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和二极管D1。

所述比较器U1的同相输入端与所述信号源接口120连接以当所述信号源接口120与信号源连接时接收所述电压信号，所述比较器U1的输出端与所述开关元件312的控制端连接。所述第一电阻R1的第一端与等效阻抗电路311用于输出所述等效负载电流的一端连接，所述第一电阻R1的第二端与接地端连接。其中，设置所述第一电阻R1的阻值尽可能小，至少达到毫欧姆级别，且所述第一电阻R1设置为高精度电阻(例如1％)，所述等效负载电流为经所述等效阻抗电路之后的电压信号。

且由于第二电阻R2的一端也与所述第一电阻R1用于连接所述等效阻抗电路311的一端连接，因此第一电阻R1还能够将等效负载电流反馈至第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的两端分别与比较器的反相输入端和第一电阻R1用于连接所述等效阻抗电路311的一端连接，所述第三电阻R3两端分别与所述第二电阻R2用于连接所述比较器U1的反相输入端的一端及接地端连接，所述第二电阻R2和第三电阻R3能够在所述第一电阻R1反馈信号进行分压，并将分压后的反馈电压信号输入至所述比较器U1进行比较，所述比较器U1能够用于当反馈电压信号小于所述信号源接口120所输入的电压信号时，向所述开关元件312输出开关信号为导通信号的信号，所述导通信号控制所述开关元件312导通；当所述反馈电压信号大于所述信号源接口120所输入的电压信号时，向所述开关元件312输出开关信号为断开信号的信号，所述断开信号控制所述开关元件312断开；因此，在信号源输出的预设的电压信号小于开关元件312始终导通时对应反馈电压信号时，该比较器U1可使所述反馈电压信号跟随信号源输出的预设的电压信号，即流过等效阻抗电阻的负载电流跟随信号源的电压信号变化；具体地，根据信号源的电压信号输入范围确定流经等效阻抗电路311的负载电流的工作范围和所述第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3的阻值，负载电流的最大值*R1*R3/(R2+R3)小于或等于波形发生器最大电压值，负载电流的最小值*R1*R3/(R2+R3)大于或等于波形发生器最小电压值，其中，将第二电阻R2和第三电阻R3设置为可调电阻，因此，负载电流始终可以跟随波形发生器的电压。再者，假设所述负载电流为I，则所述比较器U1的反相输入端的输入电压值为I*R1*R3/(R2+R3)，因为一旦设定R1、R2、R3的阻值，则所述R1、R2、R3的阻值保持恒定值，比较器U1反相输入端的电压值与负载电流成正比，也即与正相输入端输入的电压信号成正比。在所述开关元件312的第一端和接地端之间设置一二极管D1，所述二极管D1的负极与所述开关元件的第一端连接，所述二极管D1的正极与接地端连接，能够控制负载电流的流向。

在一个实施例中，如图5所示的等效阻抗电路的结构示意图；所述等效阻抗电路包括电感L1、第四电阻R4和第一电容C1；所述电感L1的一端与所述开关元件312的第一端连接；第四电阻R4分别与所述第一电阻R1的第二端和所述电感L1的另一端连接；第一电容C1与所述第四电阻R4并联连接。

在本实施例中，上述等效阻抗电路用于模拟待测芯片的内核阻抗值，在实际运用中，所述等效阻抗电路也可以设置为大功率的负载电阻，而由于本申请中上述等效阻抗电路设置有电感L1、第四电阻R4和第一电容C1，且电感L1的一端与开关元件312的第一端连接，第四电阻R4分别与第一电阻R1的第二端和电感L1的另一端连接，第一电容C1与第四电阻R4并联连接，能够更加精确地模拟待测芯片的内核阻抗，为模拟大电流下待测芯片的工作模式，本实施例中的负载电流也较大，因此所述等效阻抗电路还可以搭配散热器工作。

在一个实施例中，所述等效阻抗电路的两端还用于与外部电压检测设备连接；所述外部电压检测设备用于检测所述模拟负载电路的负载电压值；所述负载电压值用于表征所述电路主板接入的电源对待测芯片的供电能力。

在本实施例中，通过测试模拟负载电路两端的负载电压值，能够反映出在负载电流发生变化时，电源对电路主板进行供电时，主板电源电路160对芯片的供电能力。

在一个实施例中，再次参考图5所示的等效阻抗电路的结构示意图，所述比较电路还包括第二电容C2，所述第二电容C2分别与所述比较器U1的反相输入端和接地端连接。

在本实施例中，在比较器U1的反相输入端和接地端之间接入第二电容C2，能够对输入至比较器U1的信号进行降噪处理。

在一个实施例中，再次参考图5所示的等效阻抗电路的结构示意图，所述开关元件312包括N沟道的MOS管。

其中，由于在模拟负载电路正常工作时产生的负载电流较大，所述开关元件应设置为大功率的开关管，除N沟道MOS管外，还可以将所述开关元件设置为P沟道的MOS管或其他能够满足本申请实施例效果的元件。

在本实施例中，将所述开关元件设置为N沟道的MOS管，当电压信号大于或等于反馈信号经第二电阻R2和第三电阻R3分压后的信号时，比较器U1的输出端输出的开关信号为高电平信号，能够控制所述N沟道的MOS管导通，当电压信号小于反馈信号经第二电阻R2和第三电阻R3分压后的信号时，比较器U1的输出端输出的开关信号为低电平信号，能够控制所述N沟道的MOS管断开。同理，当所述开关元件为P沟道MOS管时，当电压信号小于等于反馈信号经第二电阻R2和第三电阻R3分压后的信号时，所述比较器U1的输出端输出的开关信号为低电平信号，能够控制P沟道的MOS导通，当电压信号大于反馈信号经第二电阻R2和第三电阻R3分压后的信号时，所述比较器U1的输出端输出的开关信号为高电平信号，能够控制P沟道的MOS断开。

在一个实施例中，所述信号源接口连接的信号源包括波形发生器。

在本实施例中，将所述信号源设置为波形发生器，波形发生器能够输出不同特征(例如占空比、幅值、波形等等)的电压信号，根据不同的电压信号能够模拟待测芯片的负载电流变化情况，因此，通过设置波形发生器产生的电压信号实现待测芯片负载电流的变化。

在一个实施例中，如图6所示的另一个模拟负载的结构示意图，所述模拟负载100包括一个转接电路110、多个模拟负载电路130和多个信号源接口120，其中，所述多个信号源接口120分别与多个波形发生器600连接以接收电压信号，所述转接电路110与电路主板140中用于连接待测芯片的连接点150连接，所述转接电路110中包括多个负载接头111，所述负载接头111的数量与所述模拟负载电路130的数量相同；一个所述负载接头111、一个所述模拟负载电路130、一个所述信号源接口120和一个所述波形发生器600组成一个测试线路，一个所述测试线路完成对电路主板140的主板电源电路160中的一种电源类型的测试。

在本实施例中，在实际运用中，电路主板140中包括主板电源电路160，其中所述主板电源电路160中涉及多种电源类型(一般是2～4种)，对于每一种电源类型，需经由转接电路110中的一个负载接口111、一个模拟负载电路130和一个与信号源接口120连接的一个波形发生器600组成的测试线路进行测试，因此，本发明中的模拟负载还可以设置由一个转接电路110、多个信号源接口120和多个模拟负载电路130组成，其中转接电路110中包括多个负载接头111，通过本实施例中的模拟负载，能够在对待测芯片中不同的电源进行测试时，使用多路模拟负载线路，同时测试整个电路主板140主要的主板电源电路160的供电能力。

在一个实施例中，如图7所示的芯片测试系统，本发明还提供了一种芯片测试系统700，所述芯片测试系统700包括上述任一实施例所述的模拟负载100、电路主板140和外部电压检测设备710；所述电路主板140包括主板电源电路160和用于连接待测芯片的连接点150，所述连接点150分别与所述模拟负载100、所述主板电源电路160连接，所述主板电源电路160用于经所述连接点向所述模拟负载供电；外部电压检测设备710，与所述模拟负载100连接，用于检测所述模拟负载100的负载电压值；所述负载电压值用于表征所述主板电源电路160对待测芯片的供电能力。

在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (11)

1.一种模拟负载，其特征在于，所述模拟负载用于模拟待测芯片，所述模拟负载包括：

转接电路，所述转接电路用于与电路主板用于连接所述待测芯片的连接点连接，所述转接电路设有负载接头；

信号源接口，用于连接信号源并输出电压信号；

模拟负载电路，分别与所述信号源接口、所述负载接头连接，所述模拟负载电路用于接收所述电压信号并根据所述电压信号分时输出恒定电流信号和变化电流信号中的一个。

2.根据权利要求1所述的模拟负载，其特征在于，所述转接电路包括：

基板；

模拟芯片电源管脚，设于所述基板，与电路主板用于连接所述待测芯片的连接点连接，且所述模拟芯片电源管脚的位置与所述待测芯片的电源管脚的位置相同。

3.根据权利要求2所述的模拟负载，其特征在于，所述基板为PCB电路板；

所述PCB电路板包括敷铜层，所述敷铜层的电源平面布局与所述待测芯片封装的电源平面布局相同。

4.根据权利要求1所述的模拟负载，其特征在于，所述模拟负载电路包括：

等效阻抗电路，用于模拟所述待测芯片的内核阻抗，并生成等效负载电流；

比较电路，所述比较电路的两个输入端分别与所述信号源接口和所述等效阻抗电路的一端连接，用于根据所述电压信号和所述等效负载电流生成开关信号；

开关元件，所述开关元件包括第一端、第二端和控制端，所述开关元件的第一端与所述等效阻抗电路的另一端连接，所述开关元件的第二端与所述负载接头连接，所述开关元件的控制端与所述比较电路的输出端连接，所述开关元件用于根据所述开关信号导通或者断开。

5.根据权利要求4所述的模拟负载，其特征在于，所述比较电路包括：

比较器U1，所述比较器U1的同相输入端与所述信号源接口连接以当所述信号源接口与信号源连接时接收所述电压信号，所述比较器U1的输出端与所述开关元件的控制端连接；

第一电阻R1，所述第一电阻R1的第一端与所述等效阻抗电路用于输出所述等效负载电流的一端连接，所述第一电阻R1的第二端与接地端连接；

第二电阻R2，所述第二电阻R2的一端与所述比较器U1的反相输入端连接，所述第二电阻R2的另一端与所述第一电阻R1用于连接所述等效阻抗电路的一端连接；

第三电阻R3，所述第三电阻R3的两端分别与所述第二电阻R2用于连接所述比较器U1的反相输入端的一端及接地端连接；

二极管D1，所述二极管D1的负极与所述开关元件的第一端连接，所述二极管D1的正极与接地端连接；

其中，所述比较器U1还用于根据所述电压信号、所述第一电阻R1、所述第二电阻R2、所述第三电阻R3和所述等效负载电流生成开关信号。

6.根据权利要求5所述的模拟负载，其特征在于，等效阻抗电路包括：

电感L1，所述电感L1的一端与所述开关元件的第一端连接；

第四电阻R4，分别与所述第一电阻R1的第二端和所述电感L1的另一端连接；

第一电容C1，与所述第四电阻R4并联连接。

7.根据权利要求6所述的模拟负载，其特征在于，所述负载接头还用于与外部电压检测设备连接；所述外部电压检测设备用于检测所述模拟负载电路的负载电压值；所述负载电压值用于表征所述电路主板接入的电源对待测芯片的供电能力。

8.根据权利要求5所述的模拟负载，其特征在于，所述比较电路还包括：

第二电容C2，分别与所述比较器U1的反相输入端和接地端连接。

9.根据权利要求4所述的模拟负载，其特征在于，所述开关元件包括N沟道的MOS管。

10.根据权利要求1所述的模拟负载，其特征在于，所述信号源接口连接的信号源包括波形发生器。

11.一种芯片测试系统，其特征在于，所述系统包括：

如权利要求1至10任一项所述的模拟负载；

电路主板，所述电路主板包括主板电源电路和用于连接待测芯片的连接点，所述连接点分别与所述模拟负载、所述主板电源电路连接，所述主板电源电路用于经所述连接点向所述模拟负载供电；

外部电压检测设备，与所述模拟负载连接，用于检测所述模拟负载的负载电压值；所述负载电压值用于表征所述主板电源电路对待测芯片的供电能力。

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