CN116125120B - 一种cmb并联补偿电容整定方法及系统 - Google Patents

一种cmb并联补偿电容整定方法及系统 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种CMB并联补偿电容整定方法及系统，方法包括：获取全光纤型电流互感器的运行条件；根据解调结果谐波相消的方式得到调制深度的目标函数，并以所述调制深度位于线性度最优区域作为目标求解所述目标函数，得到最优调制深度；构建调制回路；根据所述运行条件和所述最优调制深度求解出与所述最优调制深度相对应的调制器的最优调制信号幅度，并根据所述最优调制信号幅度以及所述调制回路确定所述CMB并联电容的参数取值。解决CMB并联补偿电容通常根据经验进行取值，未厘清其中确定机理及影响因素，从而导致在全光纤型电流互感器运行工况变化情况下无法进行对应调整，缺乏整定的技术问题。

Description

一种CMB并联补偿电容整定方法及系统
技术领域
本发明属于全光纤型电流互感器技术领域，尤其涉及一种CMB并联补偿电容整定方法及系统。
背景技术
传统电磁式电流互感器存在高压绝缘性差、磁饱和、体积庞大和成本指数型增加等多种缺点，并且上述缺点均为其基本机构和基本原理所引起，无法实现根本性解决。全光纤型电流互感器具有安全性高、重量轻、体积小和安装无需停电等多种优点，由此得到了国内外学者的高度重视和广泛应用。全光纤型电流互感器目前多采用全光纤反射型，利用Faraday磁光效应原理实现对电流的测量。全光纤型电流互感器中调制回路的稳定正常运行决定了电流互感器能否正常工作。调制回路中的电缆转接盒（CMB）存在一个并联补偿电容，实际运行过程中该电容的焊接不良或取值不合理将造成直流互感器无法正常工作。测量装置能否准确正常工作关系到所在场站的安全稳定运行。目前直流电流互感器的CMB并联补偿电容通常为经验值，未给出具体的整定原则，无法获知为何如此取值以及现场环境有所变化下并联电容应如何针对性进行变化，未能保障电流互感器所在场站的运行稳定性。
发明内容
本发明提供一种CMB并联补偿电容整定方法及系统，用于解决CMB并联补偿电容通常根据经验进行取值，未厘清其中确定机理及影响因素，从而导致在全光纤型电流互感器运行工况（温度、光纤长度）变化情况下无法进行对应调整，缺乏整定的技术问题。
第一方面，本发明提供一种CMB并联补偿电容整定方法，包括：获取全光纤型电流互感器的运行条件；根据解调结果谐波相消的方式得到调制深度的目标函数，并以所述调制深度位于线性度最优区域作为目标求解所述目标函数，得到最优调制深度，其中，解调结果由调制器中的解调回路对所述全光纤型电流互感器输出信号的一次信号、二次信号和四次信号解调后得到；构建调制回路，其中，所述调制回路中包含所述调制器以及与所述调制器并联的CMB并联电容；根据所述运行条件和所述最优调制深度求解出与所述最优调制深度相对应的调制器的最优调制信号幅度，并根据所述最优调制信号幅度以及所述调制回路确定所述CMB并联电容的参数取值。
第二方面，本发明提供一种CMB并联补偿电容整定系统，包括：获取模块，配置为获取全光纤型电流互感器的运行条件；求解模块，配置为根据解调结果谐波相消的方式得到调制深度的目标函数，并以所述调制深度位于线性度最优区域作为目标求解所述目标函数，得到最优调制深度，其中，解调结果由调制器中的解调回路对所述全光纤型电流互感器输出信号的一次信号、二次信号和四次信号解调后得到；构建模块，配置为构建调制回路，其中，所述调制回路中包含所述调制器以及与所述调制器并联的CMB并联电容；确定模块，配置为根据所述运行条件和所述最优调制深度求解出与所述最优调制深度相对应的调制器的最优调制信号幅度，并根据所述最优调制信号幅度以及所述调制回路确定所述CMB并联电容的参数取值。
第三方面，提供一种电子设备，其包括：至少一个处理器，以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器，其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行本发明任一实施例的CMB并联补偿电容整定方法的步骤。
第四方面，本发明还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述程序指令被处理器执行时，使所述处理器执行本发明任一实施例的CMB并联补偿电容整定方法的步骤。
本申请的CMB并联补偿电容整定方法及系统，采用直流电流互感器运行环境参数和实际工况相结合的方法，利用了运行环境温度中位值和实际光纤长度参数保证了直流电流互感器的运行精度及稳定性，采用求取最优调制深度的方法，使调制深度在实际运行工况中处于线性度较好区域内，保证了解调结果的准确性，采用matlab中的simulink模块进行建模，可以根据调制回路中的实际参数进行对应修改，实现对调制回路的精确仿真，采用改变CMB电容观测压电陶瓷调制电容两端的调制信号幅值，避免了复杂的计算过程，精确定位CMB补偿电容最优值。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例提供的一种CMB并联补偿电容整定方法的流程图；
图2为本发明一实施例提供一个具体实施例的出射光光强与Faraday旋转角的函数关系图；
图3为本发明一实施例提供的全光纤型电流互感器CMB并联电容整定方法逻辑示意图；
图4为本发明一实施例提供一个具体实施例的调制回路的电路图；
图5为本发明一实施例提供的一种CMB并联补偿电容整定系统的结构框图；
图6是本发明一实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，其示出了本申请的一种CMB并联补偿电容整定方法的流程图。
如图1所示，CMB并联补偿电容整定方法具体包括以下步骤：
步骤S101，获取全光纤型电流互感器的运行条件。
具体地，全光纤型电流互感器的运行条件包括环境运行温度条件以及光纤长度条件。
步骤S102，根据解调结果谐波相消的方式得到调制深度的目标函数，并以所述调制深度位于线性度最优区域作为目标求解所述目标函数，得到最优调制深度，其中，解调结果由调制器中的解调回路对所述全光纤型电流互感器输出信号的一次信号、二次信号和四次信号解调后得到。
在本实施例中，由调制器中的解调回路分别对所述全光纤型电流互感器输出信号的一次信号、二次信号和四次信号进行解调，得到一次谐波幅值、二次谐波幅值和四次谐波幅值；
将所述一次谐波幅值和所述二次谐波幅值相除，得到第一函数，其中，计算所述第一函数/>的表达式：
，
式中，为一次谐波幅值，/>为二次谐波幅值，/>为调制深度，/>为调制深度对应的一阶贝塞尔函数值，/>为调制深度对应的二阶贝塞尔函数值，/>为Faraday旋转角；
将所述四次谐波幅值和所述二次谐波幅值相除，得到第二函数，其中，计算所述第二函数/>的表达式：
，
式中，为四次谐波幅值，/>为调制深度对应的四阶贝塞尔函数值。
需要说明的是，计算所述一次谐波幅值、所述二次谐波幅值以及所述四次谐波幅值的表达式为：
，
，
，
式中，为入射光光强。
获取调制深度的目标函数；对所述目标函数进行求导，并且比较求导大小，在调制深度合理范围内取求导值大时对应的调制深度区域，取中位值得到最优调制深度，其中，所述合理范围为全光纤型电流互感器的正常工作范围。
步骤S103，构建调制回路，其中，所述调制回路中包含所述调制器以及与所述调制器并联的CMB并联电容。
在本实施例中，调制回路中还包含至少一个电阻、至少一个等效电感、并联电阻、CMB并联电阻以及PZT串联电容；所述至少一个电阻、所述至少一个等效电感、CMB并联电容和CMB串联电阻串联，形成一回路；所述PZT串联电容与所述调制器串接，形成一支路，所述一支路并联在所述CMB并联电容和所述CMB并联电阻串接形成的另一支路的两侧；所述并联电阻并联在所述CMB并联电容和所述CMB并联电阻串接形成的另一支路的两侧。
步骤S104，根据所述运行条件和所述最优调制深度求解出与所述最优调制深度相对应的调制器的最优调制信号幅度，并根据所述最优调制信号幅度以及所述调制回路确定所述CMB并联电容的参数取值。
在实施例中，根据所述运行条件确定入射光及反射光在经过所述调制器所产生的时间差；根据所述时间差/>以及调制频率计算在与所述最优调制深度相对应的相位信号幅度b；根据所述相位信号幅度b以及预设的电压-相位比例因子计算得到与所述最优调制深度相对应的调制器的最优调制信号幅度。
综上，本申请的方法，首先确定全光纤型电流互感器运行条件，采用解调结果谐波相消的方式求解得到调制深度的相关函数，将调制深度位于线性度最优区域作为目标求解得到最优调制深度，再利用运行条件求得的确定参数求解出对应的调制信号幅值，最后在matlab软件中利用simulink模块搭建调制回路的相关模型，根据求取的调制信号幅值求得CMB 并联电容取值。
全光纤电流互感器的Faraday旋转角与系统出射光光强关系式为：
，（1）
式中，为出射光光强，可以看出上式为出射光光强与旋转角的余弦函数关系式，从而通过探测器测得的出射光光强的值确定Faraday中旋转角F的值，又因为F=NVI，因此可以求得被测互感电流的值。根据上式可以画出/>与Faraday旋转角的函数图像，如图2所示。
在未加相位调制器之前，干涉光强和4F是余弦函数的关系，当Faraday旋转角较小时，线性度十分差，即位于图中的对应区域，将导致电流互感器的灵敏度很低并且误差较大，即图中/>的对应区域。为了解决上述问题，需要在互感器中加入相位调制器，将Faraday旋转角和干涉光光强的关系拉到线性度较好的区域，即/>的对应区域。
本申请中考虑到全光纤型电流互感器最常采用压电陶瓷（PZT）相位调制器，因此也选用此种相位调制器，其谐振频率是唯一固定的，当在其上加载一个正弦波电压信号后，电压信号将变为相位信号/>，调制信号幅度a与相位信号幅值b关系为：
，（2）
式中，k为电压-相位比例因子。调制深度可表示为：
，（3）
将调制深度代入式（1）并按照贝塞尔函数的形式展开可以得到：
，（4）
其中，、/>、/>均为贝塞尔函数，K为贝塞尔函数的阶数。
将全光纤型电流互感器输出信号的一次、二次和四次信号解调后可以得到对应解调结果为：
，（5）
，（6）
，（7）
从上述式子可以看出解调结果不仅是入射光强和Faraday旋转角的函数，同样也是调制深度的相关函数，通过（5）式和（7）式相除可以求解出调制深度，然后再利用求解的调节深度将（6）式和（7）式相除消去光强强度得到仅关于Faraday旋转角的正切函数，最后求解出被测电流。当CMB并联电容设置不合理时，将使得PZT相位调制器的调制信号出现幅值改变或因DDS信号发生器带载能力导致不稳定情况，从而使得调制深度过小或不稳定，解调回路无法正常工作，电流互感器运行准确度低或故障，因此必须采用合适的方法来对CMB并联补偿电容进行整定。
请参阅图3，其示出了本申请的全光纤型电流互感器CMB并联电容整定方法逻辑示意图。
如图3所示，步骤一：确定运行条件
确定全光纤型电流互感器的运行条件，如常见环境运行温度、光纤长度。
步骤二：求解解调结果
解调回路将互感器输出信号的一次信号、二次信号和四次信号解调后可以得到对应的解调结果。
，
，
。
步骤三：求解调制深度
利用解调回路中所求取的解调结果可以求解此时对应的调制深度，一次谐波幅值和二次谐波幅值相除，四次谐波和二次谐波相除后可得：
，
，
根据贝塞尔函数的性质可以得知上述两函数、/>均为调制深度/>的单调递增函数，因此在解调过程中装置可以利用函数/>的单调性求解得到此时对应的调制深度/>。
函数虽为单调递增，但是却是非线性的，当调制深度取值不合理位于灵敏度较低区间内时将会影响电流互感器的测量精度，因此可以通过此函数求解得到位于线性最好区域的最优调制深度/>。
步骤四：调制信号幅值求解
求得最优调制深度后，调制深度的计算公式为/>，调制频率为压电陶瓷相位调制器的本身特有的确定值，利用步骤一中所获取的光纤长度即可求得入射光及反射光在经过压电陶瓷相位调制器所产生的时间差/>，该值也是保持不变的。上述两值时间差/>和调制频率/>皆为确定，因此在最优调制深度也确定了的情况下可以求解出对应的相位信号幅度b。相位信号幅度b与调制信号幅度a之间存在一个电压-相位比例因子k，该比例因子为温度的函数，利用电流互感器的运行温度中位值即可求取对应的比例因子，然后根据b=ka求解出最优调制深度所对应的最优调制信号幅度。
步骤五：调制回路建模
本申请通过在matlab软件中的simulink模块中实现调制回路的建模功能，压电陶瓷相位调制器作为电容元件串入电路中，如图4所示，PZT为压电陶瓷相位调制器，R１、L１和R２、L２为电缆线路等效参数，R３为并联电阻，C１为CMB并联电容，C2为PZT串联电容，R4为CMB串联电阻。
步骤六：CMB并联电容求解
建模以后可以通过发现，PZT两端的调制信号幅度随CMB并联电容的变化而变化，在回路中除CMB并联电容外的所有参数确定的情况下，根据步骤四所求解的最优调制信号幅度即可得到对应的CMB并联电容的参数取值。
综上，本实施例的方法具有以下技术效果：
1）、采用直流电流互感器运行环境参数和实际工况相结合的方法，利用了运行环境温度中位值和实际光纤长度参数保证了直流电流互感器的运行精度及稳定性。
2）、采用求取最优调制深度的方法，使调制深度在实际运行工况中处于线性度较好区域内，保证了解调结果的准确性。
3）、采用matlab中的simulink模块进行建模，可以根据调制回路中的实际参数进行对应修改，实现对调制回路的精确仿真。
4）、采用改变CMB电容观测压电陶瓷调制电容两端的调制信号幅值，避免了复杂的计算过程，精确定位CMB补偿电容最优值。
请参阅图5，其示出了本申请的一种CMB并联补偿电容整定系统的结构框图。
如图5所示，CMB并联补偿电容整定系统200，包括获取模块210、求解模块220、构建模块230以及确定模块240。
其中，获取模块210，配置为获取全光纤型电流互感器的运行条件； 求解模块220，配置为根据解调结果谐波相消的方式得到调制深度的目标函数，并以所述调制深度位于线性度最优区域作为目标求解所述目标函数，得到最优调制深度，其中，解调结果由调制器中的解调回路对所述全光纤型电流互感器输出信号的一次信号、二次信号和四次信号解调后得到；构建模块230，配置为构建调制回路，其中，所述调制回路中包含所述调制器以及与所述调制器并联的CMB并联电容；确定模块240，配置为根据所述运行条件和所述最优调制深度求解出与所述最优调制深度相对应的调制器的最优调制信号幅度，并根据所述最优调制信号幅度以及所述调制回路确定所述CMB并联电容的参数取值。
应当理解，图5中记载的诸模块与参考图1中描述的方法中的各个步骤相对应。由此，上文针对方法描述的操作和特征以及相应的技术效果同样适用于图5中的诸模块，在此不再赘述。
在另一些实施例中，本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述程序指令被处理器执行时，使所述处理器执行上述任意方法实施例中的CMB并联补偿电容整定方法；
作为一种实施方式，本发明的计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，计算机可执行指令设置为：
获取全光纤型电流互感器的运行条件；
根据解调结果谐波相消的方式得到调制深度的目标函数，并以所述调制深度位于线性度最优区域作为目标求解所述目标函数，得到最优调制深度，其中，解调结果由调制器中的解调回路对所述全光纤型电流互感器输出信号的一次信号、二次信号和四次信号解调后得到；
构建调制回路，其中，所述调制回路中包含所述调制器以及与所述调制器并联的CMB并联电容；
根据所述运行条件和所述最优调制深度求解出与所述最优调制深度相对应的调制器的最优调制信号幅度，并根据所述最优调制信号幅度以及所述调制回路确定所述CMB并联电容的参数取值。
计算机可读存储介质可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储根据CMB并联补偿电容整定系统的使用所创建的数据等。此外，计算机可读存储介质可以包括高速随机存取存储器，还可以包括存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非易失性固态存储器件。在一些实施例中，计算机可读存储介质可选包括相对于处理器远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至CMB并联补偿电容整定系统。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
图6是本发明实施例提供的电子设备的结构示意图，如图6所示，该设备包括：一个处理器310以及存储器320。电子设备还可以包括：输入装置330和输出装置340。处理器310、存储器320、输入装置330和输出装置340可以通过总线或者其他方式连接，图6中以通过总线连接为例。存储器320为上述的计算机可读存储介质。处理器310通过运行存储在存储器320中的非易失性软件程序、指令以及模块，从而执行服务器的各种功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例CMB并联补偿电容整定方法。输入装置330可接收输入的数字或字符信息，以及产生与CMB并联补偿电容整定系统的用户设置以及功能控制有关的键信号输入。输出装置340可包括显示屏等显示设备。
上述电子设备可执行本发明实施例所提供的方法，具备执行方法相应的功能模块和有益效果。未在本实施例中详尽描述的技术细节，可参见本发明实施例所提供的方法。
作为一种实施方式，上述电子设备应用于CMB并联补偿电容整定系统中，用于客户端，包括：至少一个处理器；以及，与至少一个处理器通信连接的存储器；其中，存储器存储有可被至少一个处理器执行的指令，指令被至少一个处理器执行，以使至少一个处理器能够：
获取全光纤型电流互感器的运行条件；
根据解调结果谐波相消的方式得到调制深度的目标函数，并以所述调制深度位于线性度最优区域作为目标求解所述目标函数，得到最优调制深度，其中，解调结果由调制器中的解调回路对所述全光纤型电流互感器输出信号的一次信号、二次信号和四次信号解调后得到；
构建调制回路，其中，所述调制回路中包含所述调制器以及与所述调制器并联的CMB并联电容；
根据所述运行条件和所述最优调制深度求解出与所述最优调制深度相对应的调制器的最优调制信号幅度，并根据所述最优调制信号幅度以及所述调制回路确定所述CMB并联电容的参数取值。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行各个实施例或者实施例的某些部分的方法。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (7)

1.一种CMB并联补偿电容整定方法，其特征在于，包括：
获取全光纤型电流互感器的运行条件；
根据解调结果谐波相消的方式得到调制深度的目标函数，并以所述调制深度位于线性度最优区域作为目标求解所述目标函数，得到最优调制深度，其中，解调结果由调制器中的解调回路对所述全光纤型电流互感器输出信号的一次信号、二次信号和四次信号解调后得到，所述解调结果谐波相消的方式求解得到调制深度的目标函数包括：
由调制器中的解调回路分别对所述全光纤型电流互感器输出信号的一次信号、二次信号和四次信号进行解调，得到一次谐波幅值、二次谐波幅值和四次谐波幅值；
将所述一次谐波幅值和所述二次谐波幅值相除，得到第一函数，其中，计算所述第一函数/>的表达式：
，
式中，为一次谐波幅值，/>为二次谐波幅值，/>为调制深度，/>为调制深度对应的一阶贝塞尔函数值，/>为调制深度对应的二阶贝塞尔函数值，/>为Faraday旋转角；
将所述四次谐波幅值和所述二次谐波幅值相除，得到第二函数，其中，计算所述第二函数/>的表达式：
，
式中，为四次谐波幅值，/>为调制深度对应的四阶贝塞尔函数值；
所述以所述调制深度位于线性度最优区域作为目标求解所述目标函数，得到最优调制深度包括：
获取调制深度的目标函数；
对所述目标函数进行求导，并且比较求导大小，在调制深度合理范围内取求导值大时对应的调制深度区域，取中位值得到最优调制深度，其中，所述合理范围为全光纤型电流互感器的正常工作范围；
构建调制回路，其中，所述调制回路中包含所述调制器以及与所述调制器并联的CMB并联电容；
根据所述运行条件和所述最优调制深度求解出与所述最优调制深度相对应的调制器的最优调制信号幅度，并根据所述最优调制信号幅度以及所述调制回路确定所述CMB并联电容的参数取值，其中，所述根据所述运行条件和所述最优调制深度求解出与所述最优调制深度相对应的调制器的最优调制信号幅度包括：
根据所述运行条件确定入射光及反射光在经过所述调制器所产生的时间差；
根据所述时间差以及调制频率计算在与所述最优调制深度相对应的相位信号幅度b；
根据所述相位信号幅度b以及预设的电压-相位比例因子计算得到与所述最优调制深度相对应的调制器的最优调制信号幅度。
2.根据权利要求1所述的一种CMB并联补偿电容整定方法，其特征在于，其中，所述全光纤型电流互感器的运行条件包括环境运行温度条件以及光纤长度条件。
3.根据权利要求1所述的一种CMB并联补偿电容整定方法，其特征在于，其中，计算所述一次谐波幅值、所述二次谐波幅值以及所述四次谐波幅值的表达式为：
，
，
，
式中，为入射光光强。
4.根据权利要求1所述的一种CMB并联补偿电容整定方法，其特征在于，其中，所述调制回路中还包含至少一个电阻、至少一个等效电感、并联电阻、CMB并联电阻以及PZT串联电容；
所述至少一个电阻、所述至少一个等效电感、CMB并联电容和CMB串联电阻串联，形成一回路；
所述PZT串联电容与所述调制器串接，形成一支路，所述一支路并联在所述CMB并联电容和所述CMB并联电阻串接形成的另一支路的两侧；
所述并联电阻并联在所述CMB并联电容和所述CMB并联电阻串接形成的另一支路的两侧。
5.一种CMB并联补偿电容整定系统，其特征在于，包括：
获取模块，配置为获取全光纤型电流互感器的运行条件；
求解模块，配置为根据解调结果谐波相消的方式得到调制深度的目标函数，并以所述调制深度位于线性度最优区域作为目标求解所述目标函数，得到最优调制深度，其中，解调结果由调制器中的解调回路对所述全光纤型电流互感器输出信号的一次信号、二次信号和四次信号解调后得到，所述解调结果谐波相消的方式求解得到调制深度的目标函数包括：
由调制器中的解调回路分别对所述全光纤型电流互感器输出信号的一次信号、二次信号和四次信号进行解调，得到一次谐波幅值、二次谐波幅值和四次谐波幅值；
将所述一次谐波幅值和所述二次谐波幅值相除，得到第一函数，其中，计算所述第一函数/>的表达式：
，
式中，为一次谐波幅值，/>为二次谐波幅值，/>为调制深度，/>为调制深度对应的一阶贝塞尔函数值，/>为调制深度对应的二阶贝塞尔函数值，/>为Faraday旋转角；
将所述四次谐波幅值和所述二次谐波幅值相除，得到第二函数，其中，计算所述第二函数/>的表达式：
，
式中，为四次谐波幅值，/>为调制深度对应的四阶贝塞尔函数值；
所述以所述调制深度位于线性度最优区域作为目标求解所述目标函数，得到最优调制深度包括：
获取调制深度的目标函数；
对所述目标函数进行求导，并且比较求导大小，在调制深度合理范围内取求导值大时对应的调制深度区域，取中位值得到最优调制深度，其中，所述合理范围为全光纤型电流互感器的正常工作范围；
构建模块，配置为构建调制回路，其中，所述调制回路中包含所述调制器以及与所述调制器并联的CMB并联电容；
确定模块，配置为根据所述运行条件和所述最优调制深度求解出与所述最优调制深度相对应的调制器的最优调制信号幅度，并根据所述最优调制信号幅度以及所述调制回路确定所述CMB并联电容的参数取值，其中，所述根据所述运行条件和所述最优调制深度求解出与所述最优调制深度相对应的调制器的最优调制信号幅度包括：
根据所述运行条件确定入射光及反射光在经过所述调制器所产生的时间差；
根据所述时间差以及调制频率计算在与所述最优调制深度相对应的相位信号幅度b；
根据所述相位信号幅度b以及预设的电压-相位比例因子计算得到与所述最优调制深度相对应的调制器的最优调制信号幅度。
6.一种电子设备，其特征在于，包括：至少一个处理器，以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器，其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行权利要求1至4任一项所述的方法。
7.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述程序被处理器执行时实现权利要求1至4任一项所述的方法。
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