CN116075171B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及一种显示面板及其制备方法。该显示面板包括阵列基板和依次形成于阵列基板上的像素限定层及发光功能层，以及位于像素限定层背离阵列基板一侧的多个辅助电极，第二电极层在辅助电极的边缘处断开，辅助电极包括导电部和位于导电部背离阵列基板一侧的覆盖部，覆盖部在阵列基板上的正投影覆盖导电部在阵列基板上的正投影；像素单元的子像素的周侧边缘与显示面板的长边或者短边所在的方向之间非平行设置，辅助电极靠近至少一个子像素的周侧边缘设置，且辅助电极沿平行于长边及短边所在的方向延伸，以使第二电极层的端部与导电部能够搭接实现电连接。该显示面板可以使异形子像素的阴极层与辅助电极之间形成有效搭接，改善显示异常的问题。

Description

显示面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
随着有机电致发光二极管（Organic Light Emitting Diode，简称OLED）显示面板尺寸的增加，发光元件的阴极层面积也会增加。顶发光的OLED显示面板的阴极层需要满足透光率要求不能太厚，这样大面积的阴极层必定导致面内电压的降低（IR- Drop），影响显示画面的亮度均一性。为此，相关技术通常会在像素限定层上设置辅助电极，使其能够与阴极层搭接，利用辅助电极降低阴极层的整体电阻。另外，发光器件通常采用精细金属掩膜板作为遮挡，通过蒸镀工艺进行三色子像素的沉积。但是对于大尺寸的OLED显示面板来说，由于金属掩膜板下垂量过大，原先的蒸镀工艺已经不再适用。
相关技术开始采用蒸镀与刻蚀相结合的方式，即先用蒸镀工艺进行整面成膜，借助蒸镀源的特殊构造，使得子像素的阴极末端能够与辅助电极之间形成搭接，再通过光刻工艺对成膜后的基板进行刻蚀，分出三色子像素。但是，子像素一般为矩形结构，即子像素的边缘方向必须与蒸镀方向垂直，才能使辅助电极与阴极层搭接良好。当使用显示效果更为优秀的菱形或者其他异形结构的子像素时，阴极层与辅助电极的搭接效果较差，甚至无法搭接，导致显示异常。
发明内容
本申请旨在提供一种显示面板及其制备方法，该显示面板可以使异形子像素的阴极层与辅助电极之间形成有效搭接，改善显示异常的问题。
第一方面，本申请实施例提出了一种显示面板，具有相互垂直设置的长边和短边，显示面板包括阵列基板和依次形成于阵列基板上的像素限定层及发光功能层，阵列基板上形成有阵列排布的多个第一电极，像素限定层包括多个像素开口，像素开口暴露至少部分第一电极；发光功能层包括多个像素单元，像素单元包括多个子像素，子像素包括位于第一电极上的发光结构和位于发光结构上的第二电极层；显示面板还包括位于像素限定层背离阵列基板一侧的多个辅助电极，第二电极层在辅助电极的边缘处断开，辅助电极包括导电部和位于导电部背离阵列基板一侧的覆盖部，覆盖部在阵列基板上的正投影覆盖导电部在阵列基板上的正投影；其中，像素单元的子像素的周侧边缘与显示面板的长边或者短边所在的方向之间非平行设置，辅助电极靠近至少一个子像素的周侧边缘设置，且辅助电极沿平行于长边及短边所在的方向延伸，以使第二电极层的端部与导电部能够搭接实现电连接。
在一种可能的实施方式中，辅助电极包括相互垂直且相交设置的第一转接部和第二转接部，辅助电极靠近子像素的周侧边缘的至少一条边设置。
在一种可能的实施方式中，辅助电极包括相互垂直且间隔设置的第一转接部和第二转接部，子像素的周侧边缘包括多条边，第一转接部和第二转接部分别靠近不同边设置。
在一种可能的实施方式中，辅助电极沿平行于长边或者短边所在的方向的长度与子像素的最大外轮廓直径的长度之间的比值大于1:10。
在一种可能的实施方式中，子像素的形状为圆形、椭圆形和多边形中的任一者或者至少两者的组合。
在一种可能的实施方式中，还包括平坦化层和触控层，平坦化层覆盖发光功能层及多个辅助电极，触控层位于平坦化层背离平坦化层的一侧，触控层包括多个触控电极，平坦化层及覆盖部设置有过孔，触控电极通过过孔与导电部电连接。
在一种可能的实施方式中，触控电极在阵列基板上的正投影覆盖至少一个像素单元在阵列基板上的正投影。
在一种可能的实施方式中，显示面板还包括封装层，封装层位于触控层背离阵列基板的一侧。
第二方面，本申请实施例还提供了一种显示面板的制备方法，包括：提供阵列基板，阵列基板上形成有阵列排布的多个第一电极；在阵列基板上形成像素限定层，像素限定层包括多个像素开口，像素开口暴露至少部分第一电极；在像素限定层上形成多个辅助电极，辅助电极包括导电部和位于导电部背离阵列基板一侧的覆盖部，覆盖部在阵列基板上的正投影覆盖导电部在阵列基板上的正投影；在像素限定层及多个辅助电极上蒸镀发光功能层，发光功能层包括多个像素单元，像素单元包括多个子像素，子像素包括位于第一电极上的发光结构和位于发光结构上的第二电极层，且第二电极层在辅助电极的边缘处断开；其中，子像素的周侧边缘与显示面板的长边或者短边所在的方向之间非平行设置，辅助电极靠近至少一个子像素的周侧边缘设置，且辅助电极沿平行于长边及短边所在的方向延伸，以使第二电极与导电部能够搭接实现电连接。
在一种可能的实施方式中，在像素限定层上形成多个辅助电极包括：在像素限定层上形成导电层；在导电部上形成屋檐层；同步刻蚀屋檐层和导电层，以分别形成多个辅助电极的覆盖部和导电部。
根据本申请实施例提供的一种显示面板及其制备方法，该显示面板包括阵列基板和依次形成于阵列基板上的像素限定层、发光功能层以及位于像素限定层背离阵列基板一侧的多个辅助电极，阵列基板上形成有阵列排布的多个第一电极，像素限定层包括多个像素开口，像素开口暴露至少部分第一电极；发光功能层包括多个像素单元，像素单元包括多个子像素；子像素包括位于第一电极上的发光结构和位于发光结构上的第二电极层；辅助电极包括导电部和位于导电部背离阵列基板一侧的覆盖部，覆盖部在阵列基板上的正投影覆盖导电部在阵列基板上的正投影，通过将辅助电极靠近至少一个子像素的周侧边缘设置，且辅助电极沿平行于显示面板的长边及短边所在的方向延伸，以使第二电极与导电部能够搭接实现电连接。由此，可以使异形子像素的第二电极层（即阴极层）适用于现有常用的蒸镀矩形子像素的蒸镀设备，使得第二电极层能够与辅助电极之间形成有效搭接，提高显示亮度的均一性，而不需要另外开发蒸镀设备，可实施性较高，在满足更加优秀的显示效果的同时，极大地降低了制作成本。
附图说明
下面将参考附图来描述本申请示例性实施例的特征、优点和技术效果。在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制，仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸大的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。
图1示出本申请第一实施例提供的显示面板的俯视结构示意图；
图2示出图1中像素单元的子像素的结构示意图；
图3示出图2中沿方向A-A的剖面图；
图4示出图2中沿方向B-B的剖面图；
图5a~5d示出图1中子像素的几种变形结构；
图6示出本申请第二实施例提供的显示面板的俯视结构示意图；
图7示出图6中沿方向C-C的剖面图；
图8示出本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程框图。
附图标记说明：
1、阵列基板；1a、衬底；1b、驱动阵列层；11、第一电极；2、像素限定层；21、像素开口；3、发光功能层；30、像素单元；Px、子像素；31、发光结构；32、第二电极层；4、辅助电极；4a、第一转接部；4b、第二转接部；41、导电部；42、覆盖部；5、平坦化层；6、触控层；H、过孔；60、触控电极；6a、触控驱动电极；6b、触控感应电极；7、封装层；θ、蒸镀角。
具体实施方式
下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本申请的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本申请造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了区域结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
下述描述中出现的方位词均为图中示出的方向，并不是对本申请的具体结构进行限定。在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸式连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
第一实施例
如图1至图4所示，本申请第一实施例提供的显示面板，具有相互垂直设置的长边和短边，显示面板包括阵列基板1和依次形成于阵列基板1上的像素限定层2及发光功能层3，阵列基板1上形成有阵列排布的多个第一电极11，像素限定层2包括多个像素开口21，像素开口21暴露至少部分第一电极11；发光功能层3包括多个像素单元30，像素单元30包括多个子像素Px（又称为发光元件），子像素Px包括位于第一电极11上的发光结构31和位于发光结构31上的第二电极层32。
阵列基板1包括衬底1a位于衬底1a上的驱动阵列层1b，驱动阵列层1b包括像素电路，多个第一电极11形成于驱动阵列层1b上。衬底1a的材质可以为玻璃，也可以为聚亚酰胺。
可选地，子像素Px还包括第一公共层和第二公共层。第一公共层包括位于第一电极11上的空穴注入层（Hole Injection Layer，HIL）以及位于空穴注入层背离阵列基板1一侧表面的空穴传输层（Hole Transport Layer，HTL）。第二公共层包括位于发光结构31表面的电子传输层（Electron Transport Layer，ETL）以及位于电子传输层背离发光结构31一侧表面的电子注入层（ElectronInjectionLayer，EIL）。
显示面板还包括位于像素限定层2背离阵列基板1一侧的多个辅助电极4，第二电极层32在辅助电极4的边缘处断开，辅助电极4包括导电部41和位于导电部41背离阵列基板1一侧的覆盖部42，覆盖部42在阵列基板1上的正投影覆盖导电部41在阵列基板1上的正投影。
像素单元30的子像素Px的周侧边缘与显示面板的长边或者短边所在的方向之间非平行设置，辅助电极4靠近至少一个子像素Px的周侧边缘设置，且辅助电极4沿平行于长边及短边所在的方向延伸，以使第二电极层32的端部与导电部41能够搭接实现电连接。
本申请中，显示面板为顶发射结构，第一电极11为阳极，第二电极层32为整面铺设的阴极，其中，第二电极层32在辅助电极4的边缘处断开，以使辅助电极4的边缘能够与辅助电极4的导电部41搭接连接，从而可以利用辅助电极4降低第二电极层32的整体电阻。
可选地，至少一个像素单元30中的至少一个子像素上设置辅助电极4。辅助电极4的数量越多，第二电极层32的整体电阻的压降越小，有利于提高显示面板的亮度均一性。
进一步地，显示面板为矩形结构，其长边沿水平方向延伸，短边沿竖直方向延伸。为了提高显示效果，子像素Px为异形结构，其周侧边缘与显示面板的长边或者短边所在的方向之间非平行设置。
如图2 和图4所示，子像素Px为菱形结构，其四条边与显示面板的长边所在的方向（水平方向）或者短边所在的方向（竖直方向）呈一定夹角。如果采用常规的蒸镀工艺在B-B处设置辅助电极4，由于蒸镀源的蒸镀角θ大小一般适用于矩形子像素，当子像素Px为菱形结构时，由于子像素Px的外轮廓尺寸较大，尤其对角线较长，同样工艺条件下，受到蒸镀角θ大小限制，蒸镀第二电极层32时需要更大的蒸镀角θ才能使第二电极层32与导电部41搭接连接，需要另外开发蒸镀设备，极大地增加了制作成本。
为此，如图2和图3所示，将辅助电极4靠近至少一个子像素Px的周侧边缘A-A处设置，且辅助电极4沿平行于长边及短边所在的方向延伸，类似于矩形子像素的长边或者短边，且外轮廓尺寸有所减小，从而可以使异形子像素仍旧适用于现有的蒸镀源极蒸镀工艺，确保第二电极层32的端部与导电部41能够搭接实现电连接，而不需要另外开发蒸镀设备，可实施性较高，在满足更加优秀的显示效果的同时，极大地降低了制作成本。
在一些实施例中，子像素Px的形状为圆形、椭圆形和多边形中的任一者或者至少两者的组合。多边形可以为例如但不限于三角形、梯形、长条形、五边形、六边形等多边形。像素单元中，各个子像素Px的形状可以相同，也可以不同，根据具体的像素排布结构而定。由于子像素Px中至少一个边缘与显示面板的长边所在的方向（水平方向）或者短边所在的方向（竖直方向）呈一定夹角，如果辅助电极4沿该边缘的延伸方向设置，将无法满足蒸镀角θ的要求，需要将辅助电极4靠近该边缘且沿平行于长边及短边所在的方向延伸设置，以使第二电极层32能够与导电部41搭接连接。
图5a~5d示出图1中子像素的几种变形结构。
在一些实施例中，辅助电极4包括相互垂直且相交设置的第一转接部4a和第二转接部4b，辅助电极4靠近子像素Px的周侧边缘的至少一条边设置。由于相互垂直且相交设置的第一转接部4a和第二转接部4b类似于矩形子像素相互垂直的两条边，从而可以使异形子像素仍旧适用于现有的蒸镀源极蒸镀工艺，确保第二电极层32的端部与导电部41能够搭接实现电连接。
如图5a所示，子像素Px为平行四边形或者具有锐角的菱形结构，辅助电极4靠近子像素Px的周侧边缘的四条边设置。如此设置，可以确保第二电极层32与辅助电极4的导电部41之间能够搭接连接，提高蒸镀工艺的可靠性。如图2所示，子像素Px为平行四边形或者具有锐角的菱形结构，辅助电极4靠近子像素Px的周侧边缘的两条边设置。每个辅助电极4包括相互垂直且相交设置的第一转接部4a和第二转接部4b。与图5a所示的子像素Px结构相比，在满足第二电极层32与辅助电极4的导电部41之间能够搭接连接的前提下，可以减小辅助电极4的占用空间，提高像素开口率。
如图5b所示，子像素Px为圆形结构，圆形子像素的部分区域与蒸镀方向保持垂直，满足蒸镀角θ的要求，因此优选1个辅助电极4即可。辅助电极4可以设置于圆形子像素Px靠近边缘的任意位置，只要其具有相互垂直且相交的第一转接部4a和第二转接部4b即可。
在一些实施例中，辅助电极4包括相互垂直且间隔设置的第一转接部4a和第二转接部4b，子像素Px的周侧边缘包括多条边，第一转接部4a和第二转接部4b分别靠近不同边设置。
如图5c所示，子像素Px为具有直角的菱形结构，辅助电极4的第一转接部4a和第二转接部4b相互垂直且间隔设置，且分别靠近不同边设置，其中两条边设置第一转接部4a，另外两条边设置第二转接部4b。
由于子像素Px为具有直角的菱形结构，增加辅助电极4会占用子像素Px的一部分空间，会损失开口率，将第一转接部4a和第二转接部4b相互垂直且间隔设置于子像素Px的不同边缘，可以减小辅助电极4的占用空间，提高像素开口率。
进一步地，如图5d所示，子像素Px为具有直角的菱形结构，辅助电极4的第一转接部4a和第二转接部4b相互垂直且间隔设置，且分别靠近不同的两条边设置，其中一条边设置第一转接部4a，另外一条边设置第二转接部4b。与如图5c所示的子像素Px结构相比，可以进一步减小辅助电极4的占用空间，进而提高像素开口率。
可以理解的是，辅助电极4在子像素Px的周侧边缘的具体结构及位置不限于图示，可以根据显示面板具体的压降分布而设置更多种形式，不再赘述。
进一步地，辅助电极4沿平行于长边或者短边所在的方向的长度与子像素Px的最大外轮廓直径的长度之间的比值大于1:10。
辅助电极4的长度如果太长，同样会占用子像素Px较多的空间，影响像素开口率。发明人通过实践研究发现，辅助电极4沿平行于长边或者短边所在的方向的长度与子像素Px的最大外轮廓直径的长度之间的比值至少大于1:10，可以在第二电极层32与辅助电极4的导电部41能够搭接连接与像素开口率之间取得平衡。例如，子像素Px为菱形，其最长的对角线长度为其最大外轮廓直径尺寸，如果最长的对角线长度为1μm，辅助电极4沿平行于长边或者短边所在的方向的长度大于0.1μm，例如可以为0.2μm~0.3μm。
进一步地，显示面板还包括封装层（图中未示出），封装层覆盖发光功能层3及多个辅助电极4。封装层7包括沿远离阵列基板1的方向依次设置的第一无机层、有机层和第二无机层。其中，第一无机层和第二无机层均为透明的无机膜层，其材质可以包括以下材料中的一种或多种：Al2O3、TiO2、ZrO2、MgO、HFO2、Ta2O5、 Si3N4、AlN、SiN、SiNO、SiO、SiO2、SiC、SiCNx、ITO、IZO。这些无机材料既具有良好的透光性能，又具有很好的水氧阻挡性能。有机层的材质为透明的有机导电树脂，具体包括透明基体树脂，以及导电分子和/或导电离子。具体可以为有机酸掺杂的聚苯胺、交联单体、甲苯等搅拌完全溶解后形成的透明导电树脂；或者，是在上述透明导电树脂中添加导电分子，如聚苯胺等；或者，是在上述透明导电树脂中添加导电离子，如纳米级掺锑SiO2，还可以采用纳米级氧化铟锡或者纳米银等纳米级导电离子。
无机物材料制成的第一无机层和第二无机层完全覆盖发光功能层3及多个辅助电极4，可以防止水汽从侧面入侵影响发光功能层3的电气性能。图案化的有机层具有较高的弹性，其夹设于第一无机层和第二无机层之间，既可以抑制无机薄膜开裂，释放无机物之间的应力，还可以在提高整个封装层的柔韧性，从而实现可靠的柔性封装。
第二实施例
如图6和图7所示，本申请第二实施例提供的显示面板，其与第一实施例提供的显示面板结构类似，不同之处在于，显示面板还包括触控层6，触控层6的多个触控电极与辅助电极电连接，以形成触控信号检测电路。
具体来说，显示面板还包括平坦化层5和触控层6，平坦化层5覆盖发光功能层3及多个辅助电极4，触控层6位于平坦化层5背离平坦化层5的一侧，触控层6包括多个触控电极60，平坦化层5及覆盖部42设置有过孔H，触控电极60通过过孔H与导电部41电连接。
由此，一方面辅助电极4可以降低第二电极层32的整体电阻，改善压降问题，另一方面辅助电极4还可以为触控电极60供电，简化电路。
进一步地，触控电极60在阵列基板1上的正投影覆盖至少一个像素单元30在阵列基板1上的正投影。触控电极60可以采用透明导电材料形成，例如氧化铝锌(AZO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铟锌(ITO)等。每个触控电极60可以通过至少一个像素单元30中的至少一个子像素Px设置的辅助电极4供电，具体可以根据触控电极60与子像素Px之间的面积之比而定。
另外，触控层6的多个触控电极60可以为电容式触控电极，包括自电容和互电容两种方式。触控层6的工作原理为：当手指靠近或触摸到多个触控电极60所在的平面时，手指相当于一个导体，手指的电容将会叠加到触控层6的电容上，使触控层6的电容量增加。在触摸检测时，触控层6依次分别检测多个触控电极60，根据触摸前后电容的变化，分别确定沿水平方向的坐标X和沿竖直方向的坐标Y，然后组合成平面的触摸坐标，相当于把触控层6上的触摸点分别投影到X轴和Y轴方向，然后分别在X轴和Y轴方向计算出坐标，最后组合成触摸点的坐标。
触控面板1的多个触控电极60可以为电容式触控电极，包括自电容(s e l f -capacitance)和互电容(mutual-capacitance)两种方式。以图6所示的互电容式触控层6为例， 多个触控电极60包括沿水平方向延伸的触控驱动电极6a和沿竖直方向延伸的触控感应电极6b，触控驱动电极6a和触控感应电极6b交叉的位置形成电容。在触控驱动电极6a上施加一个激励信号时，由于互电容的存在，在触控感应电极6b上可以感应并接收到这个激励信号，接收到的信号的大小、相移与激励信号的频率和互电容的大小有关，也就是说触摸位置根据触控驱动电极6a和触控感应电极6b之间的电容来确定。
进一步地，显示面板还包括封装层7，封装层7位于触控层6背离阵列基板1的一侧。
如图8所示，本申请实施例还提供了一种如前所述的显示面板的制备方法，包括：如下步骤S1~S4。
步骤S1：提供阵列基板1，阵列基板1上形成有阵列排布的多个第一电极11；
步骤S2：在阵列基板1上形成像素限定层2，像素限定层2包括多个像素开口21，像素开口21暴露至少部分第一电极11；
步骤S3：在像素限定层2上形成多个辅助电极4，辅助电极4包括导电部41和位于导电部41背离阵列基板1一侧的覆盖部42，覆盖部42在阵列基板1上的正投影覆盖导电部41在阵列基板1上的正投影；
步骤S4：在像素限定层2及多个辅助电极4上蒸镀发光功能层3，发光功能层3包括多个像素单元30，像素单元30包括多个子像素Px，子像素Px包括位于第一电极11上的发光结构31和位于发光结构31上的第二电极层32，且第二电极层32在辅助电极4的边缘处断开；其中，子像素Px的周侧边缘与显示面板的长边或者短边所在的方向之间非平行设置，辅助电极4靠近至少一个子像素Px的周侧边缘设置，且辅助电极4沿平行于长边及短边所在的方向延伸，以使第二电极与导电部41能够搭接实现电连接。
本实施例中，先在阵列基,1一侧刻蚀形成第一电极11，再沉积形成像素限定层2，然后在像素限定层2上形成多个辅助电极4，再蒸镀发光功能层3，蒸镀时，蒸镀源在阵列基板1及精细金属掩膜板的上方，先蒸镀发光结构31，再蒸镀第二电极层32。第二电极层32将在辅助电极4的覆盖部42处断开，根据调整好的蒸镀角θ大小与导电部41搭接连接。
进一步地，步骤S3中，在像素限定层2上形成多个辅助电极4包括：
步骤S31：在像素限定层2上形成导电层；
步骤S32：在导电部41上形成屋檐层；
步骤S33：同步刻蚀屋檐层和导电层，以分别形成多个辅助电极4的覆盖部42和导电部41。具体的刻蚀工艺可以参考现有技术，不再赘述。
根据本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法，在像素限定层2上先形成多个辅助电极4，再在像素开口21区蒸镀发光功能层3，且辅助电极4靠近至少一个子像素Px的周侧边缘处设置，使辅助电极4沿平行于长边及短边所在的方向延伸，从而异形子像素Px的第二电极层32（即阴极层）适用于现有常用的蒸镀矩形子像素的蒸镀设备，使得第二电极层32能够与辅助电极4之间形成有效搭接，提高显示亮度的均一性，而不需要另外开发蒸镀设备，可实施性较高，在满足更加优秀的显示效果的同时，极大地降低了制作成本。
应当容易地理解，应当按照最宽的方式解释本申请中的“在……上”、“在……以上”和“在……之上”，以使得“在……上”不仅意味着“直接处于某物上”，还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义，并且“在……以上”或者“在……之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义，还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层（即，直接处于某物上）的含义。
文中使用的术语“阵列基板”是指在其上添加后续材料层的材料。阵列基板本身可以被图案化。添加到阵列基板顶上的材料可以被图案化，或者可以保持不被图案化。此外，阵列基板可以包括宽范围内的一系列材料，例如，硅、锗、砷化镓、磷化铟等。替代地，阵列基板可以由非导电材料（例如，玻璃、塑料或者蓝宝石晶圆等）制成。
文中使用的术语“层”可以指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个的下层结构或上覆结构之上延伸，或者可以具有比下层或上覆结构的范围小的范围。此外，层可以是匀质或者非匀质的连续结构的一个区域，其厚度小于该连续结构的厚度。例如，层可以位于所述连续结构的顶表面和底表面之间或者所述顶表面和底表面处的任何成对的横向平面之间。层可以横向延伸、垂直延伸和/或沿锥形表面延伸。阵列基板可以是层，可以在其中包括一个或多个层，和/或可以具有位于其上、其以上和/或其以下的一个或多个层。层可以包括多个层。例如，互连层可以包括一个或多个导体和接触层（在其内形成触点、互连线和/或过孔）以及一个或多个电介质层。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种显示面板，具有相互垂直设置的长边和短边，所述显示面板包括阵列基板和依次形成于所述阵列基板上的像素限定层及发光功能层，所述阵列基板上形成有阵列排布的多个第一电极，所述像素限定层包括多个像素开口，所述像素开口暴露至少部分所述第一电极；所述发光功能层包括多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素，所述子像素包括位于所述第一电极上的发光结构和位于所述发光结构上的第二电极层；其特征在于，
所述显示面板还包括位于所述像素限定层背离所述阵列基板一侧的多个辅助电极，所述第二电极层在所述辅助电极的边缘处断开，所述辅助电极包括导电部和位于所述导电部背离所述阵列基板一侧的覆盖部，所述覆盖部在所述阵列基板上的正投影覆盖所述导电部在所述阵列基板上的正投影；
所述像素单元的所述子像素的周侧边缘与所述显示面板的长边或者短边所在的方向之间非平行设置，所述辅助电极靠近至少一个所述子像素的周侧边缘设置，且所述辅助电极沿平行于所述长边及所述短边所在的方向延伸，以使所述第二电极层的端部与所述导电部能够搭接实现电连接；
所述辅助电极包括第一转接部和第二转接部，所述第一转接部和所述第二转接部的至少部分位于所述像素开口内；所述辅助电极沿平行于所述长边或者所述短边所在的方向的长度与所述子像素的最大外轮廓直径的长度之间的比值大于1:10。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极包括相互垂直且相交设置的第一转接部和第二转接部，所述辅助电极靠近所述子像素的周侧边缘的至少一条边设置。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极包括相互垂直且间隔设置的第一转接部和第二转接部，所述子像素的周侧边缘包括多条边，所述第一转接部和所述第二转接部分别靠近不同边设置。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述子像素的形状为圆形、椭圆形和多边形中的任一者或者至少两者的组合。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括平坦化层和触控层，所述平坦化层覆盖所述发光功能层及所述多个辅助电极，所述触控层位于所述平坦化层背离所述阵列基板的一侧，所述触控层包括多个触控电极，所述平坦化层及所述覆盖部设置有过孔，所述触控电极通过所述过孔与所述导电部电连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述触控电极在所述阵列基板上的正投影覆盖至少一个像素单元在所述阵列基板上的正投影。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，还包括封装层，所述封装层位于所述触控层背离所述阵列基板的一侧。
8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供阵列基板，所述阵列基板上形成有阵列排布的多个第一电极；
在所述阵列基板上形成像素限定层，所述像素限定层包括多个像素开口，所述像素开口暴露至少部分所述第一电极；
在所述像素限定层上形成多个辅助电极，所述辅助电极包括导电部和位于所述导电部背离所述阵列基板一侧的覆盖部，所述覆盖部在所述阵列基板上的正投影覆盖所述导电部在所述阵列基板上的正投影；
在所述像素限定层及所述多个辅助电极上蒸镀发光功能层，所述发光功能层包括多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素，所述子像素包括位于所述第一电极上的发光结构和位于所述发光结构上的第二电极层，且所述第二电极层在所述辅助电极的边缘处断开；其中，所述子像素的周侧边缘与所述显示面板的长边或者短边所在的方向之间非平行设置，所述辅助电极靠近至少一个所述子像素的周侧边缘设置，且所述辅助电极沿平行于所述长边及所述短边所在的方向延伸，以使所述第二电极与所述导电部能够搭接实现电连接；
所述辅助电极包括第一转接部和第二转接部，所述第一转接部和所述第二转接部的至少部分位于所述像素开口内；所述辅助电极沿平行于所述长边或者所述短边所在的方向的长度与所述子像素的最大外轮廓直径的长度之间的比值大于1:10。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在所述像素限定层上形成多个辅助电极包括：
在所述像素限定层上形成导电层；
在所述导电部上形成屋檐层；
同步刻蚀所述屋檐层和所述导电层，以分别形成多个所述辅助电极的所述覆盖部和所述导电部。
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