CN116069103A - 一种可调节的恒流电源及电流调节方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种可调节的恒流电源及电流调节方法，包括：输出电路和调节电路；所述输出电路包括运算放大器和第一NMOS管；所述运算放大器的正向输入端连接第一参考电压；所述运算放大器的负向输入端连接所述第一NMOS管的源极；所述运算放大器的输出端连接所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的漏极连接外部负载；所述调节电路与所述输出电路串联，且所述调节电路连接地线；所述调节电路包括基本负载电阻、电阻阵列和调节组件；所述电阻阵列中包括至少一个调节负载电阻和至少一个第一控制结构，各所述调节负载电阻分别连接对应的所述第一控制结构，所述调节负载电阻与所述基本负载电阻并联。

Description

一种可调节的恒流电源及电流调节方法

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种可调节的恒流电源及电流调节方法。

背景技术

作为电子负载测试的恒流电源被广泛使用，在测试的过程中，因为不同的使用环境和条件，需要用到多种不同的测试电流，进行更加全面的测试。而传统的恒流电源在使用时只能输出固定的电流值。在需要应用到其他数值的电流时，则需要更换恒流电源，且频繁的更换可能造成接错线或者误操作造成短路的情况，使得恒流电源损坏。

发明内容

本发明提供一种可调节的恒流电源及电流调节方法，以实现恒流电源可调节的输出。

第一方面，本发明提供了一种可调节的恒流电源，包括：输出电路和调节电路；

所述输出电路包括运算放大器和第一NMOS管；所述运算放大器的正向输入端连接第一参考电压；所述运算放大器的负向输入端连接所述第一NMOS管的源极；所述运算放大器的输出端连接所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的漏极连接外部负载；

所述调节电路与所述输出电路串联，且所述调节电路连接地线；所述调节电路包括基本负载电阻、电阻阵列和调节组件；所述电阻阵列中包括至少一个调节负载电阻和至少一个第一控制结构，各所述调节负载电阻分别连接对应的所述第一控制结构，所述调节负载电阻与所述基本负载电阻并联；所述调节组件用于调节各所述调节负载电阻对应的第一控制结构，以调节所述输出电路的整体电阻值。

优选的，所述调节组件包括：

控制器和微控制单元；所述控制器连接所述微控制单元，以向所述微控制单元发送第一控制信号；所述微控制单元通过各输出接口分别连接所述电阻阵列中的各所述第一控制结构，以通过所述输出接口向所述第一控制结构发送第二控制信号；各所述第一控制结构响应于所述第二控制信号，以使所述调节负载电阻的连接状态导通或断开。

优选的，所述第一控制结构包括：

第二NMOS管和PMOS管；

所述第二NMOS管的栅极连接所述微控制单元的输出接口，所述第二NMOS管的源极连接地线，所述第二NMOS管的漏极连接所述PMOS管的栅极；所述PMOS管的漏极连接所述输出电路；所述PMOS管的源极连接所述调节负载电阻的第一端；所述调节负载电阻的第二端连接地线；所述PMOS管的栅极和漏极之间连接跨接电阻。

优选的，所述控制器包括：

至少一个第二控制结构，各所述第二控制结构分别与一个所述第一控制结构对应；各所述第二控制结构分别连接所述微控制单元的输入接口；

所述第二控制结构包括，开关闭合器、开关电阻和电容器；所述开关闭合器的第一端连接地线，所述开关闭合器的第二端连接所述开关电阻；所述电容器的第一端连接地线，所述电容器的第二端连接所述开关电阻；

当所述开关闭合器闭合时，所述第二控制结构向所述微控制单元的输入接口发送所述第一控制信号。

优选的，所述可调节的恒流电源还包括：保护电路；

所述保护电路包括跟随器、比较器和第三NMOS管；所述比较器的正向输入端通过所述跟随器连接基本负载电阻的第一端，并接收所述运算放大器输出的采样电压；基本负载电阻的第一端连接采样电阻的第一端，采样电阻的第二端连接地线；

所述比较器的负向输入端连接第二参考电压；所述比较器的输出端连接所述第三NMOS管的栅极；所述第三NMOS管的源极连接地线；所述第三NMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的栅极；

当所述采样电压小于所述第二参考电压，所述比较器的输出端输出低电平信号，以使所述第三NMOS管断开；

当所述采样电压大于所述第二参考电压，所述比较器的输出端输出高电平信号，以使所述第三NMOS管导通；当所述第三NMOS管导通，所述第一NMOS管断开。

第二方面，本发明提供了一种电流调节方法，所述方法应用于权利要求1～5任意一项所述的可调节的恒流电源中，包括：

根据预先确定的目标电流值，利用调节组件确定控制信号；

利用所述控制信号，调节电阻阵列中的第一控制结构，以使所述第一控制结构对应的调节负载电阻的连接状态导通或断开；

当所述调节负载电阻的连接状态为导通，所述调节负载电阻与基本负载电阻并联，以调节所述输出电路的整体电阻值。

优选的，所述根据预先确定的目标电流值，利用调节组件确定控制信号包括：

根据所述目标电流值，确定目标电阻值；

根据所述目标电阻值确定所述控制信号。

优选的，所述调节组件包括控制器和微控制单元，所述控制信号包括第一控制信号和第二控制信号，所述利用调节组件确定控制信号包括：

所述控制器基于接收到的外部操作，向所述微控制单元的输入接口发送第一控制信号；

所述微控制单元根据所述第一控制信号，利用特定的输出接口，向所述第一控制结构发送所述第二控制信号。

优选的，所述第一控制结构包括第二NMOS管和PMOS管，所述利用所述控制信号，调节电阻阵列中的第一控制结构，以使所述第一控制结构对应的调节负载电阻的连接状态导通或断开包括：

当所述微控制单元的输出接口向所述第二NMOS管的栅极发送的第二控制信号为第一高电平信号，则所述第二NMOS管导通，所述PMOS管导通，所述调节负载电阻的连接状态为导通；

当所述微控制单元的输出接口向所述第二NMOS管的栅极发送的第二控制信号为第一低电平信号，则所述第二NMOS管断开，所述PMOS管断开，所述调节负载电阻的连接状态为断开。

当所述可调节的恒流电源中包括保护电路，所述方法还包括：

当所述保护电路中的采样电压小于第二参考电压，所述采样电路的比较器的输出端输出低电平信号，以使所述采样电路的第三NMOS管断开；

当所述采样电压大于所述第二参考电压，所述比较器的输出端输出高电平信号，以使所述第三NMOS管导通。

本发明提供了一种可调节的恒流电源及电流调节方法，通过全新结构的恒流电源的电路，使得恒流电源的调节电路能够控制不同的调节负载电阻与基本负载电阻并联，进而控制恒流电源的整体电阻值，实现恒流电源的调节功能。

上述的非惯用的优选方式所具有的进一步效果将在下文中结合具体实施方式加以说明。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一实施例提供的一种可调节的恒流电源电路的结构示意图；

图2为本发明一实施例提供的一种可调节的恒流电源中电阻阵列的结构示意图；

图3为本发明一实施例提供的一种可调节的恒流电源中调节组件与电阻阵列的连接关系示意图；

图4为本发明一实施例提供的一种可调节的恒流电源中第二控制结构的结构示意图；

图5为本发明一实施例提供的一种可调节的恒流电源中保护电路的结构示意图；

图6为本发明一实施例提供的一种电流调节方法的流程示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合具体实施例及相应的附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

作为电子负载测试的恒流电源被广泛使用，在测试的过程中，针对不同的测试环境和条件，需要用到多种不同的测试电流，进行更加全面的测试。而现有的恒流电源因为向外部负载上施加的电压V与负载电阻的阻值R都是固定不变的，根据欧姆定律输出电流I＝V/R，所以通常只能输出一种固定电流值。在需要应用到其他数值的电流时，则需要更换恒流电源，且频繁的更换可能造成接错线或者误操作造成短路的情况，使得恒流电源损坏。

有鉴于此，本发明提供一种可调节的恒流电源。参见图1所示，为本发明提供的可调节的恒流电源的具体实施例。本实施例中，所述可调节的恒流电源包括：输出电路01和调节电路02。

所述输出电路01包括运算放大器11和第一NMOS管Q1。所述运算放大器11的正向输入端连接第一参考电压VREF1；所述运算放大器11的负向输入端连接所述第一NMOS管Q1的源极；所述运算放大器11的输出端连接所述第一NMOS管Q1的栅极。所述第一NMOS管Q1的漏极连接外部负载以及外部电压VCC。

所述调节电路02与所述输出电路串联，且所述调节电路02连接地线；所述调节电路02包括基本负载电阻R1、电阻阵列21和调节组件22。

所述电阻阵列21中包括至少一个调节负载电阻和至少一个第一控制结构211。如图2所示，即本实施例中所述电阻阵列21的结构示意图。在图2的示例中，电阻阵列21共包括2个调节负载电阻，分别为R2和R3。各个调节负载电阻的阻值可以相同，也可以不同。各所述调节负载电阻分别连接对应的所述第一控制结构211。每个第一控制结构211的具体电路结构均可以相同。

在图2中，以调节负载电阻R2对应的第一控制结构211为例进行描述，该第一控制结构211包括第二NMOS管Q2和PMOS管P1。第二NMOS管Q2的栅极连接调节组件22，第二NMOS管Q2的源极连接地线，第二NMOS管Q2的漏极连接PMOS管P1的栅极。PMOS管P1的漏极连接输出电路01，PMOS管P1的源极连接调节负载电阻R2的第一端。调节负载电阻R2的第二端连接地线。PMOS管P1的栅极和漏极之间连接跨接电阻Rn。

各调节负载电阻分别与基本负载电阻R1并联。调节组件22用于调节各调节负载电阻对应的第一控制结构211，以使调节负载电阻接入输出电路01，或者与输出电路01断开，从而调节输出电路的整体电阻值，即各个调节负载电阻与基本负载电阻R1并联后的整体电阻值。

由于恒流电源的整体电阻值可调节，所以在第一参考电压VREF1一定的情况下，通过调节恒流电源的整体电阻值，便可以改变恒流电源输出的电流值。因此本实施例中描述的可调节的恒流电源能够提供多种不同的电流值。

在恒流电源的使用过程中，可以通过调节组件22进行对电阻阵列21进行控制，具体的，可以控制调节负载电阻接入输出电路01，或者与输出电路01断开。本实施例中调节组件22与电阻阵列21的连接关系如图3所示。所述调节组件22包括控制器221和微控制单元222(即MCU，Microcontroller Unit)。其中，控制器221的具体结构如图4所示。控制器221包括至少一个第二控制结构2211。第二控制结构2211通常与第一控制结构211一一对应；也可以说，第二控制结构2211与调节负载电阻一一对应，专用于控制一个特定的调节负载电阻。在图4所示的情况下，控制器221中包括了2个相互独立的第二控制结构2211。每个第二控制结构2211的具体电路结构均可相同。

在图4所示的情况下，任意一个第二控制结构2211中可以包括开关闭合器key、开关电阻Rk和电容器C。开关闭合器key的第一端连接地线，开关闭合器key的第二端连接开关电阻Rk。电容器C的第一端连接地线，电容器C的第二端连接所述开关电阻Rk。每个第二控制结构2211分别连接微控制单元222的一个输入接口。在图4中，两个第二控制结构2211分别连接微控制单元222的输入接口1和输入接口2。

使用者对控制器221进行操作，即操作第二控制结构2211中的任意开关闭合器key断开或闭合。在第二控制结构2211中的开关闭合器key被操作时，第二控制结构2211会向微控制单元222的输入接口发送第一控制信号。通过微控制单元222的内部计算，可以根据第一控制信号确定第二控制信号。第二控制信号由微控制单元222中特定的输出接口进行输出，而该特定的输出接口与该第二控制结构2211对应的第一控制结构211连接。具体的，该输出接口会连接到第一控制结构211中第二NMOS管Q2的栅极。也就是说，第二控制结构2211可以通过微控制单元222与对应的第一控制结构211进行通信。

例如，在一个第二控制结构2211的开关闭合器key闭合时，微控制单元222会通过输出接口向对应的第一控制结构211发送高电平的第二控制信号会施加到第二NMOS管Q2的栅极。该第二NMOS管Q2在栅极接收高电平信号后导通。第二NMOS管Q2导通后，PMOS管P1的栅极将连接地线从而处于低电位。在PMOS管的栅极处于低电位时，该PMOS管也将导通，使得第一控制结构211所对应的调节负载电阻接入到输出电路01中与基本负载电阻R1并联。

相反的，在第二控制结构2211的开关闭合器key断开时，基于相同的控制原理，第二NMOS管Q1的栅极接收到低电平信号，该第二NMOS管Q1断开。此时PMOS管P1也将处于断开状态，使得第一控制结构211所对应的调节负载电阻与输出电路01断开连接。因此，本实施例中可以通过控制调节负载电阻与输出电路01的连接或断开，来调节基本负载电阻R1与调节负载电阻的并联关系，以此调节恒流电源的整体电阻值。

另外，本实施例中的可调节恒流电源还可以包括如图5所示的保护电路03。保护电路03包括比较器31、跟随器32和第三NMOS管Q3。比较器31的正向输入端通过跟随器32连接基本负载电阻R1的第一端，并接收运算放大器11输出的采样电压VREF1’。并且，基本负载电阻R1的第一端还连接有一个电阻值较小的采样电阻R0的第一端，采样电阻R0的第二端连接地线。其中，跟随器32可以起到隔离和跟随的作用，减小采样电路对负载电流的影响。比较器31的负向输入端连接第二参考电压VREF2，第二参考电压VREF2是可以是可调节的恒流电源中提前设定的电压阈值。比较器31的输出端连接第三NMOS管Q3的栅极，第三NMOS管的漏极连接第一NMOS管Q1的栅极。

本实施例中当采样电压VREF1’大于第二参考电压VREF2时，意味着第一参考电压VREF1高于正常数值范围。此时，采样电压VREF1’和第二参考电压VREF2输入比较器31进行比较之后，比较器31的输出端会输出高电平信号。所述第三NMOS管Q3的栅极接收到该高电平信号后导通，使得第一NMOS管Q1的栅极连接地线而处于低电位。此时第一NMOS管Q1断开，切断了输出电路01。即在第一参考电压VREF1高于正常数值范围时，输出电路01会自动切断，由此起到保护可调节恒流电源的电路的作用。

相反当采样电压VREF1’小于第二参考电压VREF2时，比较器31的输出端会输出低电平信号，使得第三NMOS管Q3断开，第一NMOS管Q1导通，可调节的恒流电源正常工作。

通过以上技术方案可知，本实施例存在的有益效果是：通过全新结构的恒流电源的电路，使得恒流电源的输出电流可以进行调节，不再只输出固定的电流值，避免了在使用过程中频繁地更换恒流电源，也避免了更换中的误操作带来的损坏。

如图6所示，为本发明所述一种电流调节方法的一个具体实施例。本实施例所述方法，应用于图1～5所述的可调节的恒流电源当中。在本实施例中，假设该可调节的恒流电源中基本负载电阻的阻值R1＝10Ω，电阻阵列中的4个调节负载电阻的阻值分别为R2＝2.5Ω、R3＝5Ω、R4＝10Ω、R5＝20Ω，第一参考电压值VREF1＝10V，并且采样电阻R0的阻值可以忽略不计。在初始状态下，所有调节负载电阻均与输出电路断开连接，则恒流电源的整体电阻值等于基本负载电阻的10Ω。此时恒流电源的输出电流I0为：I0＝VREF1/R1＝1A。而若要调节恒流电源的输出电流，使其输出电流的电流值变为5A，则可通过本实施例中方法实现调节。本实施例中所述方法包括：

步骤601、根据预先确定的目标电流值，利用调节组件确定控制信号。

本实施例中，可以根据目标电流值，确定目标电阻值。目标电流值I1即5A。则可以确定恒流电源的目标电阻值R’为，R’＝VREF1/I1＝2Ω。也就是说，如果通过调节，将恒流电源的整体电阻值调节为目标电阻值R’，那么恒流电源即可输出目标电流值I1。

在基本负载电阻的阻值R1＝10Ω的情况下，根据并联电阻阻值计算公式可知，只需将一个阻值为2.5Ω的电阻与基本负载电阻R1并联，即可将恒流电源的整体电阻值调节为2Ω，即调节为目标电阻值R’。而调节负载电阻R2的阻值恰好为2.5Ω。那么只需将调节负载电阻R2接入到输出电路中与基本负载电阻R1并联，即可达成本实施例中的调节目的。

在此情况下，本实施例中可以根据目标电阻值确定控制信号。具体的，可以通过上述描述的调节组件确定该控制信号。上述调节组件包括控制器和微控制单元，控制信号包括第一控制信号和第二控制信号。则可以利用控制器基于接收到的外部操作，向微控制单元的输入接口发送第一控制信号。然后利用微控制单元根据第一控制信号，利用特定的输出接口，向第一控制结构发送所述第二控制信号。

也就是，使用者在需要将调节负载电阻R2接入到输出电路时，可以针对性的操作调节负载电阻R2对应的第二控制结构，即使得该第二控制结构中的开关闭合器由断开变为闭合。开关闭合器闭合之后，第二控制结构会向微控制单元的输入接口发送第一控制信号。通过微控制单元的内部计算，可以根据第一控制信号确定第二控制信号。该第二控制信号具体是高电平信号。第二控制信号由微控制单元中特定的输出接口进行输出，而该特定的输出接口与该第二控制结构对应的第一控制结构连接。

步骤602、利用所述控制信号，调节电阻阵列中的第一控制结构，以使所述第一控制结构对应的调节负载电阻的连接状态导通或断开。

第一控制结构亦如前述实施例中所描述，包括第二NMOS管和PMOS管则当所述微控制单元的输出接口向所述第二NMOS管的栅极发送的第二控制信号为第一高电平信号，则所述第二NMOS管导通，所述PMOS管导通，所述调节负载电阻的连接状态为导通。当所述微控制单元的输出接口向所述第二NMOS管的栅极发送的第二控制信号为第一低电平信号，则所述第二NMOS管断开，所述PMOS管断开，所述调节负载电阻的连接状态为断开。

在本实施例中，微控制单元输出的该高电平的第二控制信号会施加到第一控制结构的第二NMOS管的栅极。该第二NMOS管Q2在栅极接收高电平信号后导通。第二NMOS管Q2导通后，PMOS管P1的栅极将连接地线从而处于低电位。在PMOS管的栅极处于低电位时，该PMOS管也将导通，使得调节负载电阻R2接入到输出电路中与基本负载电阻R1并联。

步骤603、当所述调节负载电阻的连接状态为导通，所述调节负载电阻与基本负载电阻并联，以调节所述输出电路的整体电阻值。

调节负载电阻R2接入到输出电路中与基本负载电阻R1并联之后，恒流电源的整体电阻值等于基本负载电阻R1与调节负载电阻R2并联后的电阻值，也就是2Ω。此时，恒流电源输出的电流值便可以达到上述的目标电流值。

另外，在上述的恒流电源中包括上述实施例中所描述的保护电路的情况下，本实施例中方法还可以包括：

步骤604、当所述保护电路中的采样电压小于第二参考电压，所述采样电路的比较器的输出端输出低电平信号，以使所述采样电路的第三NMOS管断开。

步骤605、当所述采样电压大于所述第二参考电压，所述比较器的输出端输出高电平信号，以使所述第三NMOS管导通。

也就是说，当采样电压大于第二参考电压时，意味着第一参考电压高于正常数值范围。此时，采样电压和第二参考电压输入比较器进行比较之后，比较器的输出端会输出高电平信号。所述第三NMOS管的栅极接收到该高电平信号后导通，使得第一NMOS管的栅极连接地线而处于低电位。此时第一NMOS管断开，切断了输出电路。即在第一参考电压高于正常数值范围时，输出电路会自动切断，由此起到保护可调节恒流电源的电路的作用。相反当采样电压小于第二参考电压时，比较器的输出端会输出低电平信号，使得第三NMOS管断开，第一NMOS管导通，可调节的恒流电源正常工作。

本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例，或软件和硬件相结合的形式。

本发明中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种可调节的恒流电源，其特征在于，包括：输出电路和调节电路；

所述输出电路包括运算放大器和第一NMOS管；所述运算放大器的正向输入端连接第一参考电压；所述运算放大器的负向输入端连接所述第一NMOS管的源极；所述运算放大器的输出端连接所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的漏极连接外部负载；

所述调节电路与所述输出电路串联，且所述调节电路连接地线；所述调节电路包括基本负载电阻、电阻阵列和调节组件；所述电阻阵列中包括至少一个调节负载电阻和至少一个第一控制结构，各所述调节负载电阻分别连接对应的所述第一控制结构，所述调节负载电阻与所述基本负载电阻并联；所述调节组件用于调节各所述调节负载电阻对应的第一控制结构，以调节所述输出电路的整体电阻值。

2.根据权利要求1所述可调节的恒流电源，其特征在于，所述调节组件包括：

控制器和微控制单元；所述控制器连接所述微控制单元，以向所述微控制单元发送第一控制信号；所述微控制单元通过各输出接口分别连接所述电阻阵列中的各所述第一控制结构，以通过所述输出接口向所述第一控制结构发送第二控制信号；各所述第一控制结构响应于所述第二控制信号，以使所述调节负载电阻的连接状态导通或断开。

3.根据权利要求2所述可调节的恒流电源，其特征在于，所述第一控制结构包括：

第二NMOS管和PMOS管；

所述第二NMOS管的栅极连接所述微控制单元的输出接口，所述第二NMOS管的源极连接地线，所述第二NMOS管的漏极连接所述PMOS管的栅极；所述PMOS管的漏极连接所述输出电路；所述PMOS管的源极连接所述调节负载电阻的第一端；所述调节负载电阻的第二端连接地线；所述PMOS管的栅极和漏极之间连接跨接电阻。

4.根据权利要求2所述可调节的恒流电源，其特征在于，所述控制器包括：

至少一个第二控制结构，各所述第二控制结构分别与一个所述第一控制结构对应；各所述第二控制结构分别连接所述微控制单元的输入接口；

所述第二控制结构包括，开关闭合器、开关电阻和电容器；所述开关闭合器的第一端连接地线，所述开关闭合器的第二端连接所述开关电阻；所述电容器的第一端连接地线，所述电容器的第二端连接所述开关电阻；

当所述开关闭合器闭合时，所述第二控制结构向所述微控制单元的输入接口发送所述第一控制信号。

5.根据权利要求1～4任意一项所述可调节的恒流电源，还包括：保护电路；

所述保护电路包括跟随器、比较器和第三NMOS管；所述比较器的正向输入端通过所述跟随器连接基本负载电阻的第一端，并接收所述运算放大器输出的采样电压；基本负载电阻的第一端连接采样电阻的第一端，采样电阻的第二端连接地线；

所述比较器的负向输入端连接第二参考电压；所述比较器的输出端连接所述第三NMOS管的栅极；所述第三NMOS管的源极连接地线；所述第三NMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的栅极；

当所述采样电压小于所述第二参考电压，所述比较器的输出端输出低电平信号，以使所述第三NMOS管断开；

当所述采样电压大于所述第二参考电压，所述比较器的输出端输出高电平信号，以使所述第三NMOS管导通；当所述第三NMOS管导通，所述第一NMOS管断开。

6.一种电流调节方法，其特征在于，所述方法应用于权利要求1～5任意一项所述的可调节的恒流电源中，包括：

根据预先确定的目标电流值，利用调节组件确定控制信号；

利用所述控制信号，调节电阻阵列中的第一控制结构，以使所述第一控制结构对应的调节负载电阻的连接状态导通或断开；

当所述调节负载电阻的连接状态为导通，所述调节负载电阻与基本负载电阻并联，以调节所述输出电路的整体电阻值。

7.根据权利要求6所述方法，其特征在于，所述根据预先确定的目标电流值，利用调节组件确定控制信号包括：

根据所述目标电流值，确定目标电阻值；

根据所述目标电阻值确定所述控制信号。

8.根据权利要求7所述方法，其特征在于，所述调节组件包括控制器和微控制单元，所述控制信号包括第一控制信号和第二控制信号，所述利用调节组件确定控制信号包括：

所述控制器基于接收到的外部操作，向所述微控制单元的输入接口发送第一控制信号；

所述微控制单元根据所述第一控制信号，利用特定的输出接口，向所述第一控制结构发送所述第二控制信号。

9.根据权利要求8所述方法，其特征在于，所述第一控制结构包括第二NMOS管和PMOS管，所述利用所述控制信号，调节电阻阵列中的第一控制结构，以使所述第一控制结构对应的调节负载电阻的连接状态导通或断开包括：

当所述微控制单元的输出接口向所述第二NMOS管的栅极发送的第二控制信号为第一高电平信号，则所述第二NMOS管导通，所述PMOS管导通，所述调节负载电阻的连接状态为导通；

当所述微控制单元的输出接口向所述第二NMOS管的栅极发送的第二控制信号为第一低电平信号，则所述第二NMOS管断开，所述PMOS管断开，所述调节负载电阻的连接状态为断开。

10.根据权利要求6～9任意一项所述方法，其特征在于，当所述可调节的恒流电源中包括保护电路，所述方法还包括：

当所述保护电路中的采样电压小于第二参考电压，所述采样电路的比较器的输出端输出低电平信号，以使所述采样电路的第三NMOS管断开；

当所述采样电压大于所述第二参考电压，所述比较器的输出端输出高电平信号，以使所述第三NMOS管导通。

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