CN116069085A - 一种多组半导体测试设备集中降温的温控装置及方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种多组半导体测试设备集中降温的温控装置及方法，温控装置包括：温度传感器、控制组件、换热组件、集中供冷组件和供冷管路，集中供冷组件布置于测试区域外，用于向供冷管路内通入换热介质；换热组件设于供冷管路上；供冷管路外侧具有隔热结构，供冷管路上设有控制阀门，控制阀门调节通过换热组件的换热介质；每个控温工位均布置有温度传感器，控制组件与控制阀门和温度传感器通信连接，用于根据各个控温工位对应的温度传感器监测结果，调节对应换热组件内通过换热介质的流量。本发明可以对测试区域内的所有控温工位进行温度控制，并且避免集中供冷组件在测试区域内散热，对测试区域产生影响。

Description

一种多组半导体测试设备集中降温的温控装置及方法

技术领域

本发明涉及半导体温度控制技术领域，尤其涉及一种多组半导体测试设备集中降温的温控装置及方法。

背景技术

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都非常巨大。

半导体芯片在生产完成后需要进行抽样测试，半导体芯片的测试机组主要由：测试机和探针台组成。在测试半导体芯片的电性能过程中，又分别需要对测试机和探针台在不同的工艺下，分别进行升温或降温。常规的做法是分别给测试机和探针台配置不同的风冷型制冷机。风冷型制冷机在工作时会让净化车间吹送热风，给自身的冷凝器散热。在向冷凝器吹热风时，会引发冷凝器周围的气流组织破坏，原有的层流会发生紊流，从而诱发扬尘，破坏车间的净化等级。出现各种因灰尘颗粒物的因素导致探针接触不良，甚至变形。另外，制冷机的冷凝器还会无规律的间歇性向四周散热，会存在以下缺点：1.导致四周的温度经常失控，温度失控直接影响相对湿度，从而导致该区域的温度湿度经常波动不稳定。2.向四周散热时，由于热空气密度小，热空气向上层移动，到达洁净厂房顶层某个区域后会引发部分热量堆积。3.热量散发到洁净车间的大环境中后，还需要依靠净化车间的中央空调将这部分热量吸收掉，从而导致消耗大量的能源。

如实用新型专利CN203950220U公开一种半导体激光器测试系统环境温度控制装置，包括主箱体、空气循环与处理装置、冷却装置以及控制器；所述空气循环与处理装置内置于所述主箱体，所述冷却装置贴敷于所述主箱体内壁设置，所述控制器设置于所述主箱体外壁，所述空气循环与处理装置和所述冷却装置分别与所述控制器连接。虽然可以对主箱体内温度进行调节，强迫/加快主箱体内空气流动提高动态温度响应效率，冷却装置能够直接带走半导体激光器测试系统在测试过程中产生的热量，避免过热影响半导体激光器测试系统的正常工作。但是其冷却装置直接设置于箱体内，从而容易对箱内温湿度造成影响，造成能源浪费；并且其仅适用于小范围的整体温度调节，无法实现具体大范围的局部温度调节。

因此，如何提供一种可以降低对厂房环境的影响的调温系统是本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供了一种多组半导体测试设备集中降温的温控装置及方法。可以对测试区域内的所有控温工位进行温度控制，并且避免集中供冷组件在测试区域内散热，对测试区域产生影响。

第一方面，本发明提供一种多组半导体测试设备集中降温的温控装置，半导体测试设备设置于测试台上，测试台位于测试区域内，每个测试台包括多个与半导体测试设备对应的控温工位，温控装置包括：温度传感器、控制组件、换热组件、以及相互连通的集中供冷组件和供冷管路，

集中供冷组件布置于测试区域外，用于向供冷管路内通入换热介质；

换热组件设于供冷管路上，每个控温工位对应设置至少一个换热组件；

供冷管路外侧具有隔热结构，供冷管路由测试区域外延伸至测试区域内，供冷管路上设有与换热组件对应的控制阀门，控制阀门用于调节通过换热组件的换热介质；

每个控温工位均布置有温度传感器，控制组件与控制阀门和温度传感器通信连接，用于根据各个控温工位对应的温度传感器监测结果，调节对应换热组件内通过换热介质的流量。

进一步的，隔热结构包括包裹于供冷管路外侧的隔绝套管和与控制组件通信连接的压力传感器，隔绝套管和供冷管路之间形成真空区间，压力传感器布置于隔绝套管上，用于监测真空区间的真空度。

进一步的，温控装置包括与真空区间连通的抽真空组件，抽真空组件与控制组件信号连接，控制组件根据压力传感器监测的真空度，控制抽真空组件对真空区间抽真空；

其中，根据压力传感器监测的真空度，控制抽真空组件对真空区间抽真空，包括：

采集压力传感器监测的真空区间的实际真空度；

获取真空区间预定的第一真空度阈值和第二真空度阈值；

将实际真空度与第一真空度阈值和第二真空度阈值比对；

在实际真空度小于第一真空度阈值时，控制抽真空组件按照预定抽真空速率对真空区间抽真空，并采集当前抽真空过程的实时真空度，在实时真空度不变或降低时，增大抽真空组件的抽真空速率，生成预警信号；

在实际真空度大于第二真空度阈值时，控制抽真空组件停止对真空区间抽真空。

进一步的，温控装置包括设置于真空区间内的支撑组件，该支撑组件包括若干沿供冷管路长度方向间距布置的支撑件。

进一步的，支撑件为气凝胶绝热圈。

进一步的，供冷管路包括与集中供冷组件连通的集中供冷管和与集中供冷管连通的多组工作支管组，工作支管组与测试台对应，工作支管组内的所有工作支管与对应测试台上的所有控温工位对应，每根工作支管末端设有控制阀门，并连接换热组件。

进一步的，根据各个控温工位对应的温度传感器监测结果，调节对应换热组件内换热介质的流量，包括：

获取控温工位处的测试工艺和实时测试进程；

基于测试工艺获得控温工位的温度变化时间表；

基于温度变化时间表和实时测试进程，得到预定温度；

采集温度传感器监测控温工位的实时温度；

根据预定温度和实时温度得到控制阀门的开度变化量；

基于开度变化量调节控温工位对应控制阀门的开度。

进一步的，基于温度变化时间表和实时测试进程，得到预定温度，包括：

获取控温工位与温度变化时间表对应的完整测试进程；

匹配控温工位的实时测试进程和完整测试进程，得到完整测试进程中与实时测试进程对应的时间节点；

基于时间节点和温度变化时间表，得到温度变化时间表中与时间节点对应的预定温度。

进一步的，根据预定温度和实时温度得到控制阀门的开度变化量，包括：

基于预定温度和实时温度得到温度差值ΔT；

基于温度差值ΔT的绝对值判断控制阀门的开度变化量ΔO，其满足以下关系：

；

式中，α₁、α₂、α₃、β为常数，且0＜α₁＜α₂＜α₃＜10%，0＜β＜5；

基于开度变化量调节控温工位对应控制阀门的开度，包括：

在温度差值ΔT为正值时，调节控制阀门的开度增加ΔO；

在温度差值ΔT为负值时，调节控制阀门的开度减小ΔO。

第二方面，本发明还提供一种使用上述温控装置进行调温的方法，包括以下步骤：

温度传感器监测控温工位的实时温度；

控制组件获取控温工位的预定温度；

根据控温工位的实时温度和预定温度，调节控温工位对应换热组件内通过换热介质的流量。

本发明至少包括如下有益效果：

（1）将集中供冷组件设置于测试区域外，可以避免集中供冷组件在向四周散热时，影响测试区域内的温湿度。通过隔热结构对供冷管路进行隔热处理，可以避免供冷管路内换热介质与测试区域换热，影响换热组件的换热性能，同时也避免供冷管路对测试区域环境温湿度的影响。

（2）采用隔绝套管和抽真空的方式，可以实现对供冷管路的真空隔热，从而避免供冷管路内换热介质的冷量或热量散失。通过在线监测隔绝套管和供冷管路之间真空度的方式，可以实时判断供冷管路内的换热介质是否发生泄漏。

（3）根据不同控温工位的测试工艺，以及对应的实时温度，可以实现控温工位的控制阀门开度，通过调节的控制阀门开度实现对换热组件内换热介质流量的调节，从而改变换热组件的换热效率，实现控温工位的温度调节。

附图说明

图1为本发明提供的一种多组半导体测试设备集中降温的温控装置的示意图；

图2为本发明提供的某一实施例的温控装置的示意图；

图3为本发明提供的某一实施例的供冷管路的部分剖视图。

附图标记说明：1-集中供冷组件，2-供冷管路，21-集中供冷管，22-工作支管，23-隔绝套管，24-压力传感器，25-真空区间，26-支撑组件，3-控制阀门，41-测试区域，42-测试台，43-控温工位。

具体实施方式

为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案做详细的说明。

参见图1所示，本发明提供一种多组半导体测试设备集中降温的温控装置，半导体测试设备设置于测试台42上，测试台42位于测试区域41内，每个测试台42包括多个与半导体测试设备对应的控温工位43，温控装置包括：温度传感器、控制组件、换热组件、以及相互连通的集中供冷组件1和供冷管路2，

集中供冷组件1布置于测试区域41外，用于向供冷管路2内通入换热介质，优选地，换热介质为氟利昂；

换热组件设于供冷管路2上，每个控温工位43对应设置至少一个换热组件；

供冷管路2外侧具有隔热结构，供冷管路2由测试区域41外延伸至测试区域41内，供冷管路2上设有与换热组件一一对应的控制阀门3，控制阀门3用于调节通过换热组件的换热介质；

每个控温工位43均布置有温度传感器，控制组件与控制阀门3和温度传感器通信连接，用于根据各个控温工位43对应的温度传感器监测结果，调节对应换热组件内通过换热介质的流量。

本实施例将集中供冷组件1设置于测试区域41外，可以避免集中供冷组件1在向四周散热时，影响测试区域41内的温湿度，以及需要额外消耗能源对测试区域41内的热量进行吸收。通过隔热结构对供冷管路2进行隔热处理，可以避免供冷管路2内换热介质与测试区域41换热，影响换热组件的换热性能，同时也避免供冷管路2对测试区域41环境温湿度的影响。其中，测试区域41可以为厂房、车间、箱体等进行半导体测试的区域；测试台42可以为进行半导体芯片测试的工作台，工作台设有多个进行半导体芯片测试的半导体测试设备，半导体测试设备设置于控温工位43处，半导体测试设备可以包括测试机和探针台等设备；当然其中不需要进行温度调节的半导体测试设备可以不用设置于控温工位43处；集中供冷组件1可以采用制冷机、中央空调等可以进行改变换热介质温度的设备，通过将集中供冷组件1设置于测试区域41外，可以在集中供冷组件1改变换热介质的温度时，集中供冷组件1对周围环境的影响不会作用于测试区域41，从而不会影响测试区域41的内部环境，提高半导体芯片测试的安全性。

本实施例的集中供冷组件1通过供冷管路2对所有控温工位43进行温度调控时，可以根据实际需要设置相应的结构。在实际应用场景中，供冷管路2与控温工位43的数量相同并一一对应设置，每个供冷管路2经过控温工位43的位置均设有换热组件和控制阀门3。虽然通过设置与控温工位43数量相同的供冷管路2，可以实现对控温工位43的温度调节，但是会大大增加供冷管路2的用量和对测试区域41的空间占用。基于此，本实施例提供另一个更优的方式，具体的，供冷管路2可以包括与集中供冷组件1连通的集中供冷管21和与集中供冷管21连通的多组工作支管组，工作支管组与测试台42一一对应，工作支管组内的所有工作支管22与对应测试台42上的所有控温工位43一一对应，每根工作支管22末端设有控制阀门3，并连接换热组件。通过调节控制阀门3的开度，可以达到调节换热组件内换热介质流量的目的，在换热组件内换热介质流量发生变化时，其换热效果会发生变化，从而对控温工位43具有不同的热量交换速率，进而可以实现对控温工位43的温度调节。其中，本实施例供冷管路2与集中供冷组件1形成循环回路，即集中供冷组件1改变换热介质的温度后，换热介质在供冷管路2中输送对控温工位43处进行换热后进入集中供冷组件1。具体的，如图2所示，集中供冷管21以双管的方式位于测试区域41内，即集中供冷管21包括第一管和第二管，其中第一管将集中供冷组件1的换热介质输出，第一管的尾端与第二管首端衔接，将第一管中的换热介质输入集中供冷组件1，实现循环。本实施例工作支管22末端所表示的含义为：工作支管22由集中供冷管21延伸至控温工位43的管身部分，即工作支管22与集中供冷管21采用相同的方式，包括第三管和第四管，其中第三管将第一管的换热介质输出经过换热组件，第四管将第三管经过换热组件后的换热介质输入第二管中。

在采用集中供冷管21和工作支管组的方式对控温工位43进行温度控制时，本实施例根据各个控温工位43对应的温度传感器监测结果，调节对应换热组件内换热介质的流量，可以包括以下步骤：

获取控温工位43处的测试工艺和实时测试进程；

基于测试工艺获得控温工位43的温度变化时间表；

基于温度变化时间表和实时测试进程，得到预定温度；

采集温度传感器监测控温工位43的实时温度；

根据预定温度和实时温度得到控制阀门3的开度变化量；

基于开度变化量调节控温工位43对应控制阀门3的开度。

获取的控温工位43处测试工艺是指：在该控温工位43处进行半导体芯片测试时，其进行测试的工艺，该测试工艺可以包括测试流程、完整测试进程、工艺时长、不同时间节点所对应的预定温度等内容。温度变化时间表为不同时间节点对应预定温度的整体表现，在给定时间节点的情况下，根据温度变化时间表可以得到该时间节点可以得到半导体芯片测试时对应的预定温度。

本实施例在基于温度变化时间表和实时测试进程，得到预定温度时，可以包括以下步骤：

获取控温工位43与温度变化时间表对应的完整测试进程；

匹配控温工位43的实时测试进程和完整测试进程，得到完整测试进程中与实时测试进程对应的时间节点；

基于时间节点和温度变化时间表，得到温度变化时间表中与时间节点对应的预定温度。

其中，根据预定温度和实时温度得到控制阀门3的开度变化量，包括：

基于预定温度和实时温度得到温度差值ΔT；

基于温度差值ΔT的绝对值判断控制阀门3的开度变化量ΔO，其满足以下关系：

；

式中，α₁、α₂、α₃、β为常数，且0＜α₁＜α₂＜α₃＜10%，0＜β＜5；

基于开度变化量调节控温工位43对应控制阀门3的开度，包括：

在温度差值ΔT为正值时，调节控制阀门3的开度增加ΔO；

在温度差值ΔT为负值时，调节控制阀门3的开度减小ΔO；

在温度差值ΔT为零时，保持控制阀门3的开度不变。

在实际应用场景中，α₁=1，α₂=3，α₃=5，β=2，则基于温度差值ΔT的绝对值判断控制阀门3的开度变化量ΔO，其满足以下关系：

；

其中，0＜ΔT≤2℃表示实时温度和预定温度偏离较小，开度增加或减小1%，2＜ΔT≤4℃表示实时温度和预定温度偏离较适度，开度增加或减小3%，，ΔT＞4℃表示实时温度和预定温度偏离较大，此时以5%的开度变化量进行增加或减小开度。若以5%的开度变化量增加或减小开度后一定时间内ΔT仍大于4℃，可以继续按照调节5%开度后进行换热控温，也可以随时间增加按照每次增加或减小5%开度的方式进行调节控制阀门3（例如，1s增加或减小一次开度），以提高温度变化效率。

参见图3所示，本实施例在通过隔热结构实现对供冷管路2的隔热处理时，该隔热结构可以包括包裹于供冷管路2外侧的隔绝套管23和与控制组件通信连接的压力传感器24，隔绝套管23和供冷管路2之间形成真空区间25，压力传感器24布置于隔绝套管23上，用于监测真空区间25的真空度。其中，包裹于供冷管路2外侧的隔绝套管23的含义为：在集中供冷管21和工作支管22外均套设有隔绝套管23。本实施例通过对隔绝套管23和供冷管路2之间形成的真空区间25进行抽真空处理，从而达到对供冷管路2进行真空隔热的目的。同时通过监测真空区间25的真空度变化，可以实现对供冷管路2内换热介质泄露情况的监测。另外，由于隔绝套管23和供冷管路2之间需要具有一定的真空度，导致隔绝套管23和供冷管路2需要具有一定的结构强度，因此，可以在真空区间25内设置对隔绝套管23和供冷管路2进行支撑的支撑组件26，该支撑组件26包括若干沿供冷管路2长度方向间距布置的支撑件。由于本实施例需要对真空区间25进行抽真空操作，因此，需要保证设置的支撑件不会阻碍对真空区间25的抽真空，优选地，支撑件可以为气凝胶绝热圈等具有较好隔热效果和透气性能的材料。

在实际应用场景中，隔绝套管23和供冷管路2之间形成的真空区间25不可避免的会存在一定量的气体渗入，导致真空区间25的真空环境逐渐遭到破坏，因此，为了使得真空区间25保持较好的真空度，以实现对供冷管路2具有较好的隔热效果，可以设置相应的结构进行维持真空度。具体的，温控装置可以包括与真空区间25连通的抽真空组件，抽真空组件与控制组件信号连接，控制组件根据压力传感器24监测的真空度，控制抽真空组件对真空区间25抽真空。通过实时检测真空区间25的真空度，并在真空区间25的真空度发生变化时，通过抽真空组件对真空区间25进行抽真空处理，从而使得真空区间25保持较好的真空度。由于真空区间25发生真空度变化时，不仅仅包括外界气体渗入真空区间25，也包括供冷管路2内的换热介质渗入真空区间25，而在供冷管路2和隔绝套管23正常状态下，真空区间25的真空度变化较为缓慢，通过抽真空组件按照预定的抽真空速率即可使得真空区间25在较短的时间内恢复至初始真空度。在供冷管路2和/或隔绝套管23出现损坏的情况下，真空区间25的真空度变化较为迅速，抽真空组件采用预定的抽真空速率无法满足对真空区间25的抽真空处理。

基于上述情况，本实施例在根据压力传感器24监测的真空度，控制抽真空组件对真空区间25抽真空时，可以包括以下步骤：

采集压力传感器24监测的真空区间25压强；

根据真空区间25压强得到真空区间25的实际真空度；

获取真空区间25预定的第一真空度阈值和第二真空度阈值，第一真空度阈值小于第二真空度阈值，优选地，第一真空度阈值为-60KPa，第二真空度阈值为-90KPa；

将实际真空度与第一真空度阈值和第二真空度阈值比对；

在实际真空度小于第一真空度阈值时，控制抽真空组件按照预定抽真空速率对真空区间25抽真空，并采集当前抽真空过程中的真空区间25实时压强，根据实时压强得到真空区间25的实时真空度，在实时真空度不变或降低时，增大抽真空组件的抽真空速率，生成预警信号；

在实际真空度大于第二真空度阈值时，控制抽真空组件停止对真空区间25抽真空。

实际控制真空的过程中，在实际真空度小于第一真空度阈值，并且抽真空组件按照预定抽真空速率进行抽真空后，实时真空度不变或降低，则说明此时隔绝套管23和/或供冷管路2出现泄露的情况，因此，该情景下控制组件会生成预警信号，并发送至移动端或后端处理平台进行预警，提示工作人员进行检修。在隔绝套管23和/或供冷管路2出现泄露的情况时，由于测试区域41内的空气会与换热介质出现换热的情况，从而容易出现影响测试区域41内环境温湿度的情况，因此，通过提高抽真空组件的抽真空速率对真空区间25持续抽真空，可以降低该情况的影响。另外，为了避免在换热介质发生泄漏时，抽真空组件抽真空后直接排放换热介质造成环境污染或资源浪费，可以在抽真空组件设置过滤组件或容纳组件，通过过滤组件将换热介质进行筛选保存，或直接通过容纳组件进行收集。

本发明还提供一种使用上述温控装置进行调温的方法，包括以下步骤：

温度传感器监测控温工位43的实时温度；

控制组件获取控温工位43的预定温度；

根据控温工位43的实时温度和预定温度，调节控温工位43对应换热组件内通过换热介质的流量。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种多组半导体测试设备集中降温的温控装置，半导体测试设备设置于测试台上，测试台位于测试区域内，每个测试台包括多个与半导体测试设备对应的控温工位，其特征在于，温控装置包括：温度传感器、控制组件、换热组件、以及相互连通的集中供冷组件和供冷管路；

集中供冷组件布置于测试区域外，用于向供冷管路内通入换热介质；

换热组件设于供冷管路上，每个控温工位对应设置至少一个换热组件；

供冷管路外侧具有隔热结构，供冷管路由测试区域外延伸至测试区域内，供冷管路上设有与换热组件对应的控制阀门，控制阀门用于调节通过换热组件的换热介质；

每个控温工位均布置有温度传感器，控制组件与控制阀门和温度传感器通信连接，用于根据各个控温工位对应的温度传感器监测结果，调节对应换热组件内通过换热介质的流量。

2.根据权利要求1所述的温控装置，其特征在于，隔热结构包括包裹于供冷管路外侧的隔绝套管和与控制组件通信连接的压力传感器，隔绝套管和供冷管路之间形成真空区间，压力传感器布置于隔绝套管上，用于监测真空区间的真空度。

3.根据权利要求2所述的温控装置，其特征在于，温控装置包括与真空区间连通的抽真空组件，抽真空组件与控制组件信号连接，控制组件根据压力传感器监测的真空度，控制抽真空组件对真空区间抽真空；

其中，根据压力传感器监测的真空度，控制抽真空组件对真空区间抽真空，包括：

采集压力传感器监测的真空区间的实际真空度；

获取真空区间预定的第一真空度阈值和第二真空度阈值；

将实际真空度与第一真空度阈值和第二真空度阈值比对；

在实际真空度小于第一真空度阈值时，控制抽真空组件按照预定抽真空速率对真空区间抽真空，并采集当前抽真空过程的实时真空度，在实时真空度不变或降低时，增大抽真空组件的抽真空速率，生成预警信号；

在实际真空度大于第二真空度阈值时，控制抽真空组件停止对真空区间抽真空。

4.根据权利要求2所述的温控装置，其特征在于，温控装置包括设置于真空区间内的支撑组件，该支撑组件包括若干沿供冷管路长度方向间距布置的支撑件。

5.根据权利要求4所述的温控装置，其特征在于，支撑件为气凝胶绝热圈。

6.根据权利要求1所述的温控装置，其特征在于，供冷管路包括与集中供冷组件连通的集中供冷管和与集中供冷管连通的多组工作支管组，工作支管组与测试台对应，工作支管组内的所有工作支管与对应测试台上的所有控温工位对应，每根工作支管末端设有控制阀门，并连接换热组件。

7.根据权利要求6所述的温控装置，其特征在于，根据各个控温工位对应的温度传感器监测结果，调节对应换热组件内换热介质的流量，包括：

获取控温工位处的测试工艺和实时测试进程；

基于测试工艺获得控温工位的温度变化时间表；

基于温度变化时间表和实时测试进程，得到预定温度；

采集温度传感器监测控温工位的实时温度；

根据预定温度和实时温度得到控制阀门的开度变化量；

基于开度变化量调节控温工位对应控制阀门的开度。

8.根据权利要求7所述的温控装置，其特征在于，基于温度变化时间表和实时测试进程，得到预定温度，包括：

获取控温工位与温度变化时间表对应的完整测试进程；

匹配控温工位的实时测试进程和完整测试进程，得到完整测试进程中与实时测试进程对应的时间节点；

基于时间节点和温度变化时间表，得到温度变化时间表中与时间节点对应的预定温度。

9.根据权利要求7所述的温控装置，其特征在于，根据预定温度和实时温度得到控制阀门的开度变化量，包括：

基于预定温度和实时温度得到温度差值ΔT；

基于温度差值ΔT的绝对值判断控制阀门的开度变化量ΔO，其满足以下关系：

；

式中，α₁、α₂、α₃、β为常数，且0＜α₁＜α₂＜α₃＜10%，0＜β＜5；

基于开度变化量调节控温工位对应控制阀门的开度，包括：

在温度差值ΔT为正值时，调节控制阀门的开度增加ΔO；

在温度差值ΔT为负值时，调节控制阀门的开度减小ΔO。

10.一种使用如权利要求1-9任意一项所述温控装置进行调温的方法，其特征在于，包括以下步骤：

温度传感器监测控温工位的实时温度；

控制组件获取控温工位的预定温度；

根据控温工位的实时温度和预定温度，调节控温工位对应换热组件内通过换热介质的流量。

Images