CN116036834A - 一种半导体废气脱硝系统和脱硝方法 - Google Patents

一种半导体废气脱硝系统和脱硝方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及半导体废气处理技术领域，尤其涉及一种半导体废气脱硝系统和脱硝方法，半导体废气脱硝系统包括水箱、反应塔、洗涤塔、臭氧发生器和变频轴流风扇，反应塔反应塔安装于水箱，并与水箱连通；反应塔上设置有进气口；洗涤塔的底部安装于水箱，并与水箱连通；洗涤塔的顶部设置有气体排放口；臭氧发生器与洗涤塔连通；变频轴流风扇安装于洗涤塔与水箱连通的位置。本发明的半导体废气脱硝系统在洗涤塔与水箱连通的位置安装有变频轴流风扇，配合火焰变化利用变频轴流风扇控制O3用量，节能减排，提高臭氧与氮氧化物混合均匀性，提高反应效率，进而提高脱硝效率。采用的厂务氧气源是臭氧发生器，可减少近一半占地面积。

Description

一种半导体废气脱硝系统和脱硝方法
技术领域
本发明涉及半导体废气处理技术领域，尤其涉及一种半导体废气脱硝系统和脱硝方法。
背景技术
在泛半导体行业CVD/PVD/ETCH/DIFF制程过程中，燃烧式或等离子废气处理设备(Local Scrubber)火焰温度1600℃以上，泵输送的废气包含大量氮气，经高温火焰产生高浓度NOx，最高峰值超1000mg/m3，而相关的行业排放标准要求＜50mg/m3。目前传统NOx脱除手段包括SCR(Selective Catalytic Reduction，选择性催化还原法)、SNCR(selectivenon-catalytic reduction，选择性非催化还原法)与臭氧脱硝优缺点对比如下表1所示：
表1SCR、SNCR和臭氧脱硝技术的优缺点对比表
Figure BDA0004027563560000011
Figure BDA0004027563560000021
现有半导体行业燃烧式或等离子废气处理设备的风量较小，浓度高，传统SCR和SNCR要求空间大，反应路径长，市面尚未出现能进行NOx脱除燃烧式或等离子废气处理设备，这主要面临问题如下：1、设备占地面积有限，设备占地都是事先规划好的，批量扩容几乎不可能；2、反应路径短，反应时间限制脱硝效果；3、传统SCR和SNCR所需温度空间大，额外还原剂等厂务无法提供，运行成本高；4、传统SCR和SNCR造成氨逃逸等问题。
发明内容
本发明提供一种半导体废气脱硝系统和脱硝方法，用以解决现有半导体行业燃烧式或等离子废气处理设备无法进行NOx脱除的问题。
根据本发明的第一方面，本发明提供一种半导体废气脱硝系统，包括：
水箱；
反应塔，安装于所述水箱，并与所述水箱连通；所述反应塔上设置有进气口；
洗涤塔，所述洗涤塔的底部安装于所述水箱，并与所述水箱连通；所述洗涤塔的顶部设置有气体排放口；
臭氧发生器，与所述洗涤塔连通；
变频轴流风扇，安装于所述洗涤塔与所述水箱连通的位置。
在一种可能的设计中，沿着所述洗涤塔的底部向顶部方向，所述洗涤塔的内部依次设置有臭氧洗涤单元和水洗涤单元；所述臭氧洗涤单元与所述臭氧发生器连通。
在一种可能的设计中，所述臭氧洗涤单元包括第一臭氧洗涤单元和第二臭氧洗涤单元，沿着所述洗涤塔的底部向顶部方向，所述第一臭氧洗涤单元和所述第二臭氧洗涤单元依次设置。
在一种可能的设计中，所述第一臭氧洗涤单元的中上部设置有第一臭氧喷嘴；所述第二臭氧洗涤单元的中上部设置有第二臭氧喷嘴；所述第一臭氧喷嘴和所述第二臭氧喷嘴分别与所述臭氧发生器连通。
在一种可能的设计中，所述第二臭氧洗涤单元内设置有鲍尔环。
在一种可能的设计中，所述水洗涤单元内设置有喷水嘴和除沫器。
在一种可能的设计中，所述喷水嘴包括第一喷水嘴和第二喷水嘴，所述第一喷水嘴设置于所述水洗涤单元的下部，所述第二喷水嘴设置于所述第二含NOx气体吸收塔的中上部；所述除沫器设置于所述第一喷水嘴和所述第二喷水嘴之间。
在一种可能的设计中，所述反应塔包括：
燃烧腔体，所述燃烧腔体上设置有所述进气口；所述燃烧腔体内部设置有燃烧腔；
降温单元，所述降温单元的底部安装于所述水箱，并与所述水箱连通，所述降温单元的顶部与所述燃烧腔连通；所述降温单元内部安装有第三喷水嘴。
根据本发明的第二方面，本发明提供一种半导体废气脱硝方法，采用上述的半导体废气脱硝系统；所述半导体废气脱硝方法包括如下步骤：
半导体废气、氮气和压缩气体进入所述反应塔内在高温火焰条件下反应生成第一含NOx气体后，降温；
降温后的所述第一含NOx气体进入所述水箱内进行初步吸收，再进入所述洗涤塔内的臭氧洗涤单元与臭氧反应生成第二含NOx气体；根据反应塔内高温火焰的变化来调节所述变频轴流风扇的频率，同时控制所述洗涤塔内臭氧的用量；
所述第二含NOx气体进入所述洗涤塔内的水洗涤单元进行二次吸收后经所述气体排放口排出。
在一种可能的设计中，所述降温至≤30℃。
在一种可能的设计中，所述水箱中的液体包括过氧化氢。
在一种可能的设计中，所述水箱中的液体包括缓冲溶液。
在一种可能的设计中，控制所述水箱中液体的pH值在7-8。
本发明提供的一种半导体废气脱硝系统和脱硝方法，半导体废气脱硝系统包括水箱、反应塔、洗涤塔、臭氧发生器和变频轴流风扇。反应塔利用燃烧式或者等离子反应腔高温裂解有毒有害制程半导体废气，大量氮气与压缩空气在高温火焰条件下产生主要包括NO的第一含NOx气体。水箱中的液体包括过氧化氢，过氧化氢不仅起到反应介质的作用，还可以作为氧化剂脱除NOx，洗涤塔用于进一步对经过水箱中吸收液处理后的含NOx气体进行洗涤，洗涤塔与臭氧发生器连通，臭氧发生器提供的臭氧能与含NOx气体中的NO进一步反应生成NO2，NO2与臭氧反应生成N2O5，N2O5溶于水达到脱硝的目的。在洗涤塔与水箱连通的位置安装有变频轴流风扇，配合火焰变化利用变频轴流风扇控制O3用量，节能减排，提高臭氧与NOx混合均匀性，提高反应效率，进而提高脱硝效率。本实施例的半导体废气脱硝系统的厂务氧气源是臭氧发生器，可减少近一半占地面积，O3产量与臭氧发生器体积成正比，采用H2O2和O3去除方法的结合，减少O3用量，进一步减少半导体废气脱硝系统的占地面积。
附图说明
为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的一种半导体废气脱硝系统的结构示意图；
图2是本发明提供的一种半导体废气脱硝系统中半导体废气流量与臭氧洗涤单元内的反应时间关系图。
附图标记：
1：水箱；2：反应塔；20：进气口；201：半导体废气进气口；202：N2进气口；203：压缩气体进气口；21：燃烧腔体；210：燃烧腔；22：降温单元；220：第三喷水嘴；3：洗涤塔；30：气体排放口；31：臭氧洗涤单元；311：第一臭氧洗涤单元；3110：第一臭氧喷嘴；312：第二臭氧洗涤单元；3120：第二臭氧喷嘴；3121：鲍尔环；32：水洗涤单元；320：喷水嘴；3201：第一喷水嘴；3202：第二喷水嘴；321：除沫器；4：臭氧发生器；5：变频轴流风扇。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
根据本发明的第一方面，本发明提供一种半导体废气脱硝系统，该半导体废气脱硝系统可以用于去除泛半导体行业CVD/PVD/ETCH/DIFF制程过程中产生的含NOx气体，使含NOx气体的排放标准满足＜50mg/m3的要求。
根据本发明的一些具体实施例，如图1所示，半导体废气脱硝系统包括水箱1、反应塔2、洗涤塔3、臭氧发生器4和变频轴流风扇5，反应塔2安装于水箱1，并与水箱1连通。反应塔2上设置有进气口20。具体地，进气口20包括半导体废气进气口201、N2进气口202和压缩气体进气口203。半导体废气进气口201与半导体废气进气管道连通，在半导体废气进气管道上设置有第一压力传感器。洗涤塔3的底部安装于水箱1，并与水箱1连通。洗涤塔3的顶部设置有气体排放口30。臭氧发生器4与洗涤塔3连通。变频轴流风扇5安装于洗涤塔3与水箱1连通的位置。在气体排放口30处设置第一温度传感器、湿度传感器和第二压力传感器，以检测气体排放时的温度、湿度和压力。
上述实施例中，半导体废气脱硝系统包括水箱1、反应塔2、洗涤塔3、臭氧发生器4和变频轴流风扇5。反应塔2利用燃烧式或者等离子反应腔高温裂解有毒有害制程半导体废气，大量氮气与压缩空气在高温火焰条件下生产主要包括NO的第一含NOx气体。水箱1中的液体包括过氧化氢，过氧化氢不仅起到反应介质的作用，还可以作为氧化剂脱除NO，洗涤塔3用于进一步对经过水箱1中吸收液处理后的含NOx气体进行洗涤，洗涤塔3与臭氧发生器4连通，臭氧发生器4提供的臭氧能与含NOx气体中的NO进一步反应生成NO2，NO2与臭氧反应生成N2O5，N2O5溶于水达到脱硝的目的。在洗涤塔3与水箱1连通的位置安装有变频轴流风扇5，配合火焰变化利用变频轴流风扇5控制O3用量，节能减排，提高臭氧与NOx混合均匀性，提高反应效率，进而提高脱硝效率。本实施例的半导体废气脱硝系统的厂务氧气源是臭氧发生器，可减少近一半占地面积，O3产量与臭氧发生器体积成正比，采用H2O2和O3去除方法的结合，减少O3用量，进一步减少半导体废气脱硝系统的占地面积。
根据本发明的一些具体实施例，如图1所示，沿着洗涤塔3的底部向顶部方向，洗涤塔3的内部依次设置有臭氧洗涤单元31和水洗涤单元32；臭氧洗涤单元31与臭氧发生器4连通。
上述实施例中，洗涤塔3的内部沿着洗涤塔3的底部向顶部方向设置有臭氧洗涤单元31和水洗涤单元32，臭氧洗涤单元31与臭氧发生器4连通，利用臭氧能与含NOx气体中的NO反应生成NO2，NO2与臭氧反应生成N2O5，达到将NO转化为易被水吸收的N2O5的目的，水洗涤单元32是进一步将臭氧洗涤单元31内生成的N2O5溶于水，达到脱硝的目的。
根据本发明的一些具体实施例，如图1所示，臭氧洗涤单元31包括第一臭氧洗涤单元311和第二臭氧洗涤单元312，沿着洗涤塔3的底部向顶部方向，第一臭氧洗涤单元311和第二臭氧洗涤单元312依次设置。
上述实施例中，臭氧洗涤单元31包括沿着洗涤塔3的底部向顶部方向依次设置的第一臭氧洗涤单元311和第二臭氧洗涤单元312，第一臭氧洗涤单元311用于使臭氧与含NOx气体中的NO反应生成NO2，第二臭氧洗涤单元312用于使臭氧与第一臭氧洗涤单元311产生的NO2反应生成N2O5，达到逐级去除含NOx气体的目的，能够提高脱硝效率。
根据本发明的一些具体实施例，如图1所示，第一臭氧洗涤单元311的中上部设置有第一臭氧喷嘴3110。第二臭氧洗涤单元312的中上部设置有第二臭氧喷嘴3120；第一臭氧喷嘴3110和第二臭氧喷嘴3120分别与臭氧发生器4连通。
上述实施例中，第一臭氧洗涤单元311的中上部设置有第一臭氧喷嘴3110，第二臭氧洗涤单元312的中上部设置有第二臭氧喷嘴3120，且第一臭氧喷嘴3110和第二臭氧喷嘴3120分别与臭氧发生器4连通，通过第一臭氧喷嘴3110和第二臭氧喷嘴3120可以将来自臭氧发生器4的臭氧均匀喷洒于第一臭氧洗涤单元311和第二臭氧洗涤单元312内，从而使得臭氧能与各自单元内的含NOx气体充分接触，提高反应效率，进而提高脱硝效率。
根据本发明的一些具体实施例，如图1所示，第二臭氧洗涤单元312内设置有鲍尔环3121。
上述实施例中，通过在第二臭氧洗涤单元312内设置鲍尔环3121，可以使得第二臭氧洗涤单元312内是含NOx气体和臭氧循环更好，分布更均匀，更有利于含NOx气体和臭氧的反应，提高反应效率，进而提高脱硝效率。
根据本发明的一些具体实施例，如图1所示，水洗涤单元32内设置有喷水嘴320和除沫器321。
上述实施例中，在水洗涤单元32内设置有喷水嘴320，通过喷水嘴320可以将水均匀喷洒于水洗涤单元32内，使得水与N2O5充分接触反应，提高反应效率，进而提高脱硝效率。在水洗涤单元32内设置有除沫器321，用于分离洗涤塔3中气体夹带的液滴，以保证传质效率，提高水与N2O5的反应效率。
根据本发明的一些具体实施例，如图1所示，喷水嘴320包括第一喷水嘴3201和第二喷水嘴3202，第一喷水嘴3201设置于水洗涤单元32的下部，第二喷水嘴3202设置于水洗涤单元32的中上部；除沫器321设置于第一喷水嘴3201和第二喷水嘴3202之间。
上述实施例中，喷水嘴320包括第一喷水嘴3201和第二喷水嘴3202，第一喷水嘴3201设置于水洗涤单元32的下部，可以使进入水洗涤单元32的N2O5能迅速地与水反应，被水吸收，达到脱硝的目的，第二喷水嘴3202设置于水洗涤单元32的中上部，可以进一步地去除未反应的N2O5，通过多次洗涤达到有效去除N2O5的目的，提高脱硝效率。进一步地，将除沫器321设置于第一喷水嘴3201和第二喷水嘴3202之间，可以更有效地保证传质效率，提高水与N2O5的反应效率，更有效地达到去除N2O5的目的。
根据本发明的一些具体实施例，如图1所示，反应塔2包括燃烧腔体21和降温单元22，燃烧腔体21上设置有进气口20；燃烧腔体21内部设置有燃烧腔210。降温单元22的底部安装于水箱1，并与水箱1连通，降温单元22的顶部与燃烧腔210连通，降温单元22内部安装有第三喷水嘴220。
上述实施例中，反应塔2包括燃烧腔体21和降温单元22，燃烧腔体21上设置有进气口20，通过进气口20可以通入半导体废气、氮气与压缩空气，燃烧腔体21内部设置有燃烧腔210，通入燃烧腔210内的半导体废气、氮气与压缩空气在高温火焰条件下生产主要包括NO的第一含NOx气体。降温单元22的底部安装于水箱1，并与水箱1连通，降温单元22的顶部与燃烧腔210连通，通过降温单元22可以达到降低第一含NOx气体的目的，因为NO氧化生成NO3/N2O5为放热反应，将第一含NOx气体降至较低的温度段，是提高NOx脱除效率的方法之一，结合NO氧化反应为放热反应，此处将废气经急冷段后的温度设定为30℃以内，进一步地提高NOx脱除效率。降温单元22内部安装有第三喷水嘴220，通过第三喷水嘴220喷出的水一方面可以吸收部分能与水反应的第一含NOx气体，另一方面还能达到降低第一含NOx气体温度的目的。
根据本发明的第二方面，本发明还提供一种半导体废气脱硝方法，该半导体废气脱硝方法能使含NOx气体的排放标准满足＜50mg/m3的要求。
根据本发明的一些具体实施例，本发明提供一种半导体废气脱硝方法，其采用本发明上述的半导体废气脱硝系统。半导体废气脱硝方法包括如下步骤：
半导体废气、氮气和压缩气体进入反应塔2内在高温火焰条件下反应生成第一含NOx气体后，降温。
降温后的第一含NOx气体进入水箱1内进行初步吸收，再进入洗涤塔3内的臭氧洗涤单元31与臭氧反应生成第二含NOx气体；根据反应塔2内高温火焰的变化来调节变频轴流风扇5的频率，同时控制洗涤塔3内臭氧的用量。
第二含NOx气体进入洗涤塔3内的水洗涤单元32进行二次吸收后经气体排放口30排出。
上述实施例中，半导体废气、氮气和压缩气体进入反应塔2内在高温火焰条件下反应生成第一含NOx气体后降温，降温有利于提高NOx脱除效率。降温后的第一含NOx气体进入水箱1内进行初步吸收，以去除部分能被水箱1内液体所吸收的含NOx气体，再进入洗涤塔3内的臭氧洗涤单元31与臭氧反应生成第二含NOx气体，例如NO2和N2O5，这些氮氧化物能够更好地被水吸收，第二含NOx气体进入洗涤塔3内的水洗涤单元32进行二次吸收后经气体排放口30排出。通过逐级净化处理，能够达到有效去除NOx的目的。
进一步地，本实施例在臭氧洗涤单元31中，根据反应塔2内高温火焰的变化来调节变频轴流风扇5的频率，提高臭氧与NO混合均匀性，同时控制洗涤塔3的臭氧洗涤单元31内臭氧的用量，以使NO与臭氧充分反应，提高反应效率。通过实验发现，反应路径和反应时间对脱硝效果影响显著，图2为半导体废气流量与臭氧洗涤单元31内的反应时间关系图，下方关系式为反应时间与半导体废气流量的关系：t＝VR*TN/VN*TR，其中，t-气流在臭氧反应段的停留时间，单位s；VR-臭氧反应段体积，单位m3；VN-废气在标准状态下的体积流量，单位m3/s；TN-废气标准状态下的温度(293K)，单位K；TR-臭氧反应段温度，单位K。因此在实际操作过程中，通过VR、TN、VN、TR的值可以确定出臭氧洗涤单元31内的反应时间，臭氧的流量可以根据DOE实验设计测试得出来的，通过控制臭氧洗涤单元31通入臭氧的流量，达到通入足够量臭氧的目的。反应塔2内高温火焰发生功率P与变频轴流风扇5的频率f成正比，火焰发生功率P越大，产生的NOx量越大，对应f调节变大以增加臭氧和烟气混合度，同时调节洗涤塔3的臭氧量，影响脱硝效率。脱硝效率η＝(ρ前-ρ后)/ρ前＝αQ1+βQ2，其中，ρ前为反应塔2内NOx的产生浓度，单位mg/m3；ρ后为处理后NOx浓度，单位mg/m3，α为洗涤塔3的第一臭氧洗涤单元311的浓度调节系数，β为洗涤塔3的第二臭氧洗涤单元312的浓度调节系数，Q1为第一臭氧洗涤单元311内臭氧流量，Q2为第二臭氧洗涤单元312内臭氧流量。
根据本发明的一些具体实施例，降温至≤30℃。
上述实施例中，因为NO氧化生成NO3/N2O5为放热反应，将废气降至较低的温度段，是提高NOx脱除效率的方法之一，为了更好地提高NOx脱除效率，将废气经急冷段后的温度设定为30℃以内。
根据本发明的一些具体实施例，水箱1中的液体包括过氧化氢。
上述实施例中，将原有的反应介质H2O换成H2O2，H2O2替代H2O，不仅起到反应介质的作用，还可以作为氧化物脱除NO，因为H2O2与NO反应会生成H2O+HyNOx。另外，H2O2代替H2O，在保证NO脱除效率的同时，能降低了O3的使用量，即能减少O3的非有效反应消耗。
根据本发明的一些具体实施例，水箱1中的液体包括缓冲溶液，控制水箱1中液体的pH值在7-8。具体地，缓冲溶液可以为NaHSO4、Na2SO4等。
可以理解地，O3与NO之间的关键基元反应包括：O3+NO＝NO2+O2，O3+NO2＝O2+NO3，NO2+NO3＝N2O5，NO+HO2＝NO2+OH，NO+HO2＝HNO3，结合现有研究发现：当O3不过量情况下，可以推断出O3主要与NO进行反应，与NO2反应的程度很低，只有当O3过量条件下才会有大量NO3/N2O5产生。因此，为保证较高的NOx脱除效率，保证O3过量且不被非有效反应消耗是关键，即尽量控制反应向着生成NO3/N2O5的反应进行。以生成N2O5为例：NOx与氧化剂反应生成N2O5，N2O5再与H2O反应生成HNO3，因N2O5为非稳定物质，为提高NOx的脱除效率，即保证反应顺利向右进行，需消耗掉一定的HNO3来迫使N2O5转化成HNO3，因臭氧在水中的半衰期为20min(pH＝7.6时41min，pH＝10.4时为0.5min)，所以维持反应介质的中性有利于O3的保存和提高NOx的转化率，上述实施例中采用缓冲体系来维持反应介质的中性，维持反应介质pH在7-8之间。
根据本发明的一些具体实施例，水箱1上设置有第二温度传感器和pH传感器，以实时监控水箱1内液体的温度和pH值。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种半导体废气脱硝系统，其特征在于，包括：
水箱；
反应塔，安装于所述水箱，并与所述水箱连通；所述反应塔上设置有进气口；
洗涤塔，所述洗涤塔的底部安装于所述水箱，并与所述水箱连通；所述洗涤塔的顶部设置有气体排放口；
臭氧发生器，与所述洗涤塔连通；
变频轴流风扇，安装于所述洗涤塔与所述水箱连通的位置。
2.根据权利要求1所述的半导体废气脱硝系统，其特征在于，沿着所述洗涤塔的底部向顶部方向，所述洗涤塔的内部依次设置有臭氧洗涤单元和水洗涤单元；所述臭氧洗涤单元与所述臭氧发生器连通。
3.根据权利要求2所述的半导体废气脱硝系统，其特征在于，所述臭氧洗涤单元包括第一臭氧洗涤单元和第二臭氧洗涤单元，沿着所述洗涤塔的底部向顶部方向，所述第一臭氧洗涤单元和所述第二臭氧洗涤单元依次设置。
4.根据权利要求3所述的半导体废气脱硝系统，其特征在于，所述第一臭氧洗涤单元的中上部设置有第一臭氧喷嘴；所述第二臭氧洗涤单元的中上部设置有第二臭氧喷嘴；所述第一臭氧喷嘴和所述第二臭氧喷嘴分别与所述臭氧发生器连通。
5.根据权利要求4所述的半导体废气脱硝系统，其特征在于，所述第二臭氧洗涤单元内设置有鲍尔环。
6.根据权利要求2所述的半导体废气脱硝系统，其特征在于，所述水洗涤单元内设置有喷水嘴和除沫器。
7.根据权利要求6所述的半导体废气脱硝系统，其特征在于，所述喷水嘴包括第一喷水嘴和第二喷水嘴，所述第一喷水嘴设置于所述水洗涤单元的下部，所述第二喷水嘴设置于所述第二含NOx气体吸收塔的中上部；所述除沫器设置于所述第一喷水嘴和所述第二喷水嘴之间。
8.根据权利要求1所述的半导体废气脱硝系统，其特征在于，所述反应塔包括：
燃烧腔体，所述燃烧腔体上设置有所述进气口；所述燃烧腔体内部设置有燃烧腔；
降温单元，所述降温单元的底部安装于所述水箱，并与所述水箱连通，所述降温单元的顶部与所述燃烧腔连通；所述降温单元内部安装有第三喷水嘴。
9.一种半导体废气脱硝方法，其特征在于，采用权利要求1-8任一项所述的半导体废气脱硝系统；所述半导体废气脱硝方法包括如下步骤：
半导体废气、氮气和压缩气体进入所述反应塔内在高温火焰条件下反应生成第一含NOx气体后，降温；
降温后的所述第一含NOx气体进入所述水箱内进行初步吸收，再进入所述洗涤塔内的臭氧洗涤单元与臭氧反应生成第二含NOx气体；根据反应塔内高温火焰的变化来调节所述变频轴流风扇的频率，同时控制所述洗涤塔内臭氧的用量；
所述第二含NOx气体进入所述洗涤塔内的水洗涤单元进行二次吸收后经所述气体排放口排出。
10.如权利要求9所述的脱硝方法，其特征在于，所述降温至≤30℃；
和/或，所述水箱中的液体包括过氧化氢；
和/或，所述水箱中的液体包括缓冲溶液；
和/或，控制所述水箱中液体的pH值在7-8。
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