CN116034265A - 介电常数测量设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于确定介质(2)的介电常数的基于高频的测量设备(1),包括以下部件:‑信号生成单元(11),其用于将电高频信号(sHF)耦合到位于介质(2)中的发射电极(12)中,该发射电极(12)用于发射具有高频信号(sHF)的波长(λ)的至多四分之一的深度(h)的高频信号(sHF);‑接收电极(13),其同样位于介质(2)中,并且该接收电极(13)位于距发射电极(13)距离(d)处,距离(d)为高频信号(sHF)的波长(λ)的至多四分之一,以便在高频信号(sHF)已经穿过介质(2)后接收高频信号(sHF);以及‑评估单元(14),其被设计用以基于所接收的高频信号(sHF)来确定介电常数。由于电极(12、13)相对于根据本发明的高频信号(sHF)的波长(λ)的这种定尺寸和定位,因此可以最大化介电常数的测量的测量准确度和测量灵敏度,并且同时可以实现测量设备(1)的紧凑设计。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于确定介质的介电常数的基于高频的测量设备。
背景技术
在自动化技术中,尤其是对于过程自动化,经常使用用来检测各种被测变量的现场设备。待确定的被测变量可以例如是过程工厂中介质的料位、流量、压力、温度、pH、氧化还原电位、电导率或介电常数。为了检测对应的测量值,现场设备各自包括合适的传感器或基于合适的测量方法。Endress+Hauser集团公司生产和销售各种不同类型的现场设备。
介电常数(也称为“介电系数”或“相对电容率”)的确定对固体填料以及液体填料和气体填料(诸如推进剂、废水、气体、气相或化学品)都特别重要,这是因为该值可以构成杂质、水分含量、浓度或物质的组成的可靠指标。
例如,介质的介电常数可以通过测量高频信号在穿过介质时的振幅、相位偏移或信号传播时间以高频技术方式来确定。为了这个目的,将定义频率的或在定义频带内的高频信号耦合到介质中;在高频信号穿过介质之后,相对于所述发射的高频信号而言,就高频信号的振幅、相位偏移或信号传播时间来评估高频信号。在本专利申请的上下文中,术语“高频信号”是指频率介于10MHz与150GHz之间的对应信号。
例如,在DE 10 2017 130728A1中描述了一种基于相位的介电常数测量设备。在这种情况下,使用的效果是,高频信号的信号传播时间以及因此沿着测量探头的相位位置取决于沿着测量探头存在的介质的介电常数。原则上,在相对相位测量与绝对相位测量之间进行区分,其中,在绝对相位测量的情况下,额外执行所谓的象限校正。
例如,为了通过测量高频信号的传播时间来确定介电常数,可以使用TDR原理(“时域反射法”)。在该测量原理中,信号生成单元沿导电测量探头以脉冲状方式发送频率介于0.1GHz与150GHz之间的高频信号,并且测量高频脉冲的信号传播时间,直到高频脉冲在探头端部反射后被接收为止。在这种情况下,使用这样的效应,根据该效应,脉冲传播时间取决于测量探头周围物质的介电常数。例如,在公开EP 0622 628A2中描述了TDR传感器的功能原理。TDR传感器例如由IMKO Mikromodultechnik GmbH以若干实施例销售。TDR传感器的有利之处是,特别是在介于1与10之间的低介电常数的情况下,即使使用小型测量探头,也能够实现高测量准确度。
在卫生敏感应用的情况下,诸如在制药或食品行业中,其介电常数待确定的介质通常具有高水分含量,因而待确定的介电常数介于60与85之间的高范围内。然而,对于已知的基于高频的测量方法,诸如TDR方法,这意味着在这种情况下,测量探头必须被设计为具有对应的大的尺寸,以便能够实现足够的测量准确度。然而,由于制药和食品行业中的流管和过程容器时常非常小,因此介电常数测量设备也必须对应地紧凑,以便能够附接到小型过程连接器,诸如例如规格DN50的法兰。
发明内容
因此,本发明的目的是提供一种用于确定介电常数的紧凑型测量设备,借助于该测量设备,能够以高准确度确定具有特别是高水分含量的介质的介电常数。
本发明通过一种用于确定介质的介电常数的基于高频的测量设备实现这个目的,其中该测量设备包括以下部件:
-信号生成单元,其被设计用以将具有定义的频率的电高频信号耦合到以下各项中,
-发射电极,其可以位于所述介质中,其中该发射电极用于发射所述高频信号,所述发射电极具有一定深度,该深度为与所述高频信号的频率相对应的波长的至多四分之一,并且特别是至多八分之一,
-接收电极,其可以位于所述介质中,并且该接收电极位于距所述发射电极一定距离处,该距离为与所述高频信号的频率相对应的波长的至多四分之一并且优选至少十六分之一,以便在所述高频信号穿过所述介质之后接收所述高频信号,以及
-评估单元,其连接到所述接收电极,该评估单元被设计用以至少基于所述接收的高频信号来确定所述介质的介电常数。
借助于电极的根据本发明的与高频信号的波长相关的这种定尺寸和布置,例如能够最大化介电常数测量的测量准确度或测量灵敏度,并且同时,能够实现测量设备的紧凑设计。
在本发明的上下文中,术语“单元”原则上是指以适合于预期目的的方式设计的任何电子电路。因此,取决于需要,它可以是用于生成或处理对应的模拟信号的模拟电路。然而,它也可以是数字电路,诸如FPGA,或者与程序交互的存储介质。在这种情况下,程序被设计用以执行对应的方法步骤或被设计用以应用相应单元的必要计算操作。在这个背景下,本发明意义上的测量设备的各种电子单元也可以潜在地访问公共物理存储器或借助于相同的物理数字电路来操作。
借助于测量设备,例如通过这样的评估单元能够将介电常数确定为复数值,所述评估单元被设计用以基于所述接收的高频信号的振幅来确定介电常数的虚部和/或基于所述接收的高频信号的信号传播时间或相位位置来确定介电常数的实部。对应于基于雷达的距离测量,对信号传播时间的确定可以例如借助于脉冲传播时间方法或FMCW方法进行。在这些情况下,信号生成单元和评估单元将被相应地设计,以便借助于脉冲传播时间方法或FMCW方法来确定高频信号穿过介质的信号传播时间。
电极的横截面的形式在本发明的范围内没有严格规定;为了实现简单的制造,发射电极和接收电极可以具有例如圆形横截面或椭圆形横截面。替代地,发射电极和接收电极可以被设计为具有矩形横截面并且彼此平行地布置。作为结果,由于电极的流体技术上的潜在有利的形状,测量设备可以用于例如具有流动介质的管道分段。如果期望最大可能的测量准确度,则发射电极或接收电极继而可以被设计为具有环形横截面,其中相应的其他电极被设计为具有圆形横截面并且居中地布置在所述环形电极内。针对沉积物的卫生防护或为了优化流动阻力,发射电极和/或接收电极也可以具有圆形电极端部。在这方面,若发射电极和/或接收电极随着增加的深度逐渐变细,特别是成锥形地逐渐变细,则也是有利的。
因为介电常数特别是含水分的介质的介电常数高度依赖于温度,所以为了介电常数测量的温度补偿,可以在发射电极的内部或在接收电极的内部布置温度传感器,诸如电容式传感器或基于电阻的传感器。因此,利用适当的设计,评估单元可以基于温度传感器(例如,基于查找表或补偿函数)以温度补偿的方式确定介质的介电常数。
高频信号的频率原则上应根据介电常数测量范围来选择。在介电常数的测量范围介于60与90之间的情况下,即,在高湿度介质的情况下,测量设备的信号生成单元应被设计成生成与该测量范围相对应的、频率介于2GHz与8GHz之间的电高频信号。类似地,评估单元也应被设计成使得它能够处理和评估所接收的处于对应频率的高频信号。
对应于根据本发明的介电常数测量设备,根据其中一个先前描述的实施例变形,本发明所基于的目的也通过用于操作测量设备的对应的方法来实现。因此,该方法至少包括以下步骤:
-将高频信号耦合到发射电极中,
-在所述高频信号穿过介质之后,将所述高频信号从接收电极去耦,以及
-至少基于所接收的高频信号来确定介电常数。
附图说明
下面参照附图更详细地解释本发明。下面示出:
图1:在容器上的根据本发明的介电常数测量设备,
图2:根据本发明的测量设备的横截面图,
图3:测量设备的第一变形的前视图,
图4:测量设备的第二变形的前视图,
图5:测量设备的第三变形的前视图,以及
图6:发射电极处的示意场分布。
具体实施方式
为了理解根据本发明的介电常数测量设备1,在图1中示出了测量设备1在容器3上的示意布置。在这种情况下,容器3填充有介质2,介质2的介电常数是待确定的。为了能够确定介质2的介电常数,测量设备1经由容器3的横向外部连接器(诸如规格DN50的法兰)以这样的方式被固定,以使得测量设备1与容器内部或介质2连通。可选地,测量设备1可以与上级单元4(诸如过程控制系统)接触。例如,可以实施“PROFIBUS”、“HART”或“无线HART”接口。以这种方式,介质2的介电常数可以例如作为幅值或具有实部和虚部的复数值来传输。然而,关于测量设备1的一般操作状态的其它信息也可以被传送。
根据本发明的测量设备1以可传输方式即通过经由发射电极12发射并且随后由接收电极13接收的高频信号sHF来确定介质2的介电常数,因而介质2在定义的测量距离d内被照射。如从图1可以看到的,为了这个目的,电极12、13突出直到容器内部或介质2中定义的深度h。高频信号sHF在测量设备1的为了这个目的而设计的信号生成单元11中生成。在本发明的范围内,电极12、13是否完全由导电材料(诸如例如车削不锈钢)制成或者电极12、13是否仅仅具有导电表面涂覆是无关紧要的。例如,电极表面的可能金属化可以借助于等离子体涂覆诸如PECVD(“等离子体增强气相沉积”)进行。
基于所接收的高频信号sHF的振幅,测量设备1的评估单元14可以确定介电常数的实部。基于所接收的高频信号sHF的信号传播时间或相位位置,介电常数的实部可以被确定。在这种情况下,脉冲传播时间方法或FMCW方法可以被实施为用于确定信号传播时间的测量原理,这类似于基于雷达的距离测量。因此,信号生成单元11和评估单元14应根据各自的测量原理加以设计。
特别是在食品行业或制药行业中,介质2可以由高含水流体诸如饮料或疫苗构成。因此,在这些情况下,待检测的介电常数范围介于60与90之间。与这个范围相对应,信号生成单元11被设计用以生成频率f介于2GHz与8GHz之间的高频信号sHF。
为了在该介电常数范围内也实现高分辨率,根据本发明,只有高频信号sHF的近场经由发射电极12发射。在这种情况下,具有高介电常数的介质2中的低衰减和相关的高测量灵敏度是有利的。此外,避免了远场的破坏性影响,诸如例如容器2的内壁上的不期望的反射,由此测量可能会失真。如图2中的横截面图中更详细地所示,发射电极12因此被设计用于具有深度h的近场中的主要照射,根据
深度h显著小于高频信号sHF的波长λ的四分之一,并且因此,例如显著小于波长λ的八分之一。在这里,c是高频信号sHF在介质2中的传播速度,即,光速;DK是介质2的介电常数。根据本发明的电极深度h的定义确保了测量设备1可以被设计成具有紧凑的尺寸,因而它也可以被附接到小的容器开口。在这种情况下,电极12、13的深度h与测量设备1的面向介质或容器内部的壁16有关,该壁是平面的,并且在所示的实施例中,该壁还为高频信号sHF提供信号质量。因此,壁16可以例如由不锈钢制造。
电极12、13相对于壁16的最小深度h在本发明的范围内没有固定地预先定义。原则上,甚至可以设想,电极12、13伸入到容器内部中不超过壁16。然而,当电极12、13的深度h大于零时,有利地实现了介电常数测量的较高灵敏度。
如图2中还指示的,根据本发明,发射电极12与接收电极13之间的距离d为波长λ的至多四分之一且至少八分之一,根据上面的公式,波长λ对应于高频信号sHF的频率f。这利用了发射电极12在该距离λ/8<dλ/4处发射具有最高场密度的高频信号sHF的效果,如图6中所勾勒的。
距离“d”是指电极12、13的表面上的彼此处于最小距离的那两个点之间的距离。
接收电极13相对于发射电极12的这种定位使得介电常数测量的灵敏度被最大化。当两个电极12、13都具有相同的几何形状或深度h,和/或随着增加的深度h成锥形地逐渐变细时,这种效果得到支持,如图2中的情况那样。在图2中所示的实施例中,两个电极12、13还各自具有圆形电极端部。这特别是在要避免介质沉积的卫生应用的情况下是有利的。此外,对于介质2不以固定方式被存储在容器3内的应用,例如,当介质2流过管道分段时,假设测量设备布置在那里,那么电极12、13的这种设计对于抑制管道分段中涡流的形成是有利的。
电极12、13各自通过绝缘部15电绝缘,绝缘部15将各自的电极12、13与壁16隔开。电绝缘部15可以例如实现为注塑成型部分。例如,可以使用PP、PTFE、PEEK或陶瓷材料,诸如氧化铝作为材料。在图2中所示的示例性实施例中,两个绝缘元件15被设计为使得它们与朝向介质2的壁16齐平。此外,从图2中可以看出,电极12、13的绝缘部15继而通过用作信号质量的壁16被隔开。这实现了附加的有利效果,即,高频信号sHF必须传播完全穿过介质2,而不能从发射电极12至少部分地直接耦合到接收电极12中。因此,测量的灵敏度进一步提高。
在图2中所示的测量设备1的实施例中,在各个电极12、13与壁16之间,相对于平面表面在后部处引入间隙。与该图示相反,具有大于1的介电常数的、例如PEEK、PP、PE或PTFE的电绝缘填充物也可以被引入到该间隙中。作为结果,由于在间隙的介电填充物的情况下高频信号sHF的有效波长λ减小,因此可以进一步减小相应的电极12、13相对于其深度h的尺寸,而不降低介电常数测量的灵敏度。
对于介电常数测量的温度补偿,在根据图2的实施例变形中,温度传感器17被布置在接收电极13中。由于接收电极13的深度h,温度传感器17在测量设备1的安装状态下突出到容器壁之外,因而当前的介质温度可以被测量。在该可选实施例中,评估单元14被设计用以基于测量的温度例如借助于补偿功能来补偿介质2的测量的介电常数。温度传感器17可以被设计为电容式传感器或被设计为基于电阻的传感器,并且特别是被设计为PT1000。与所示的图示相反,也可以在发射电极12中布置可选的温度传感器17。
电极12、14的横截面形状在本发明的范围内没有固定地预先定义。因此,在图3至图5中,各种实现方式以正视图(相对于平面壁16的平面)示出:在图3所示的实施例中,发射电极12和接收电极13各自具有圆形横截面。在这个实施例中,电极12、13可以例如通过车削不锈钢坯料容易地加以制造。
作为圆形横截面的替代方案,图4示出了电极12、13的矩形横截面形状,电极12、13例如可以用于具有流动介质2的管道中。在这种情况下,相对于矩形形状而言,电极12、13在距离d处彼此平行地布置,因而利用对应的排列,它们在流动介质2中呈现最小流动阻力。根据图4中所示的实施例,当然也可以设想将电极12、13的矩形横截面变圆或在流体上进一步优化矩形横截面。
在图5中所示的电极12、13的实施例中,接收电极13被设计为具有环形横截面,而发射电极12具有圆形横截面并且居中地布置在接收电极13内。在这种情况下,环形接收电极13的半径被定尺寸为使得距中央发射电极12的径向距离d再次为至多λ/4。电极12、13的该实施例变形的有利之处是介电常数测量的潜在非常高的测量准确度或测量灵敏度。与图5中所示的实施例变形相反,当不是接收电极13而是发射电极12为环形设计,并且接收电极13具有圆形横截面并且居中地布置在发射电极12内时,也可以实现该有利之处。
附图标记列表
1 测量设备
2 介质
3 容器
4 上级单元
11 信号生成单元
12 发射电极
13 接收电极
14 评估单元
15 电绝缘部
16 壁
17 温度传感器
d 电极之间的距离
f 高频信号的频率
h 电极的深度
sHF 高频信号
λ 高频信号的波长
Claims (12)
1.一种用于确定介质(2)的介电常数的基于高频的测量设备,包括:
-信号生成单元(11),所述信号生成单元(11)被设计用于将处于定义的频率(f)的电高频信号(sHF)耦合到以下各项中,
-发射电极(12),所述发射电极(12)能够位于所述介质(2)中,其中所述发射电极(12)用于发射所述高频信号(sHF),所述发射电极(12)具有深度(h),所述深度(h)为与所述高频信号(sHF)的所述频率(f)相对应的波长(λ)的至多四分之一,
-接收电极(13),所述接收电极(13)能够位于所述介质(2)中,并且所述接收电极(13)位于距所述发射电极(12)距离(d)处,所述距离(d)为与所述高频信号(sHF)的所述频率(f)相对应的所述波长(λ)的至多四分之一,以便在所述高频信号(sHF)穿过所述介质(2)之后接收所述高频信号(sHF),以及
-评估单元(14),所述评估单元(14)被连接到所述接收电极(13)并且被设计用以至少基于所接收的高频信号(sHF)来确定所述介质(2)的介电常数。
2.根据权利要求1所述的测量设备,其中,所述评估单元(14)被配置用以基于所接收的高频信号(sHF)的振幅来确定所述介电常数的虚部,和/或基于所接收的高频信号(sHF)的信号传播时间或相位位置来确定所述介电常数的实部。
3.根据权利要求1或2所述的测量设备,其中,用于发射所述高频信号(sHF)的所述发射电极(12)和/或所述接收电极具有深度(h),所述深度(h)为与所述高频信号(sHF)的所述频率(f)相对应的所述波长(λ)的至多八分之一。
4.根据权利要求1、2或3所述的测量设备,其中,所述接收电极(13)距所述发射电极(12)的所述距离(d)为与所述高频信号(sHF)的所述频率(f)相对应的所述波长(λ)的至少十六分之一,并且特别地,八分之一。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的测量设备,其中,所述发射电极(12)和所述接收电极(13)具有圆形横截面或椭圆形横截面。
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的测量设备,其中,所述发射电极(12)和所述接收电极(13)具有矩形横截面并且彼此平行地布置。
7.根据权利要求1至4中的任一项所述的测量设备,其中,所述发射电极(12)或所述接收电极(13)被设计为具有环形横截面,其中相应的另一电极(12、13)被设计为具有圆形横截面,并且居中地布置在该环形的电极(12、13)内。
8.根据前述权利要求中的一项所述的测量设备,其中,所述发射电极(12)和/或所述接收电极(13)具有圆形电极端部。
9.根据前述权利要求中的至少一项所述的测量设备,其中,所述发射电极(12)和/或所述接收电极(13)随着增加的深度(h)而逐渐变细,特别是成锥形地逐渐变细。
10.根据前述权利要求中的一项所述的测量设备,其中,温度传感器(17),并且特别是电容式传感器或基于电阻的传感器,被布置在所述发射电极(12)的内部或被布置在所述接收电极(13)的内部,并且其中所述评估单元(14)被设计用以基于所述温度传感器(17)以温度补偿的方式确定所述介质(2)的介电常数。
11.根据前述权利要求中的一项所述的测量设备,其中,所述信号生成单元(11)被设计用以生成频率介于0.1GHz与30GHz之间,并且特别是介于2GHz与8GHz之间的所述电高频信号(sHF)。
12.一种通过根据前述权利要求中的一项所述的测量设备(1)确定介质(2)的介电常数的方法,所述方法包括以下步骤:
-将所述高频信号(sHF)耦合到所述发射电极(12)中,
-在所述高频信号(sHF)穿过所述介质(2)之后将所述高频信号(sHF)从所述接收电极(13)去耦,以及
-至少基于所接收的高频信号(sHF)来确定所述介电常数。
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