CN116026664A - 一种对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的方法，该方法包括提供目标封装芯片、采用第二胶水覆盖vent膜、对目标封装芯片进行镶样、对镶样后的模具进行研磨、对研磨后的模具进行抛光，抛光完成后将模具分割成第一部分样品和第二部分样品，对第一部分样品进行SEM检测分析、拍照观察以及测量、将第二部分样品进行加热，将第二部分封装芯片从第二部分样品中取出、将第二部分封装芯片进行烘烤，将第二部分封装芯片中剩余的金属壳取出，然后对其进行开封处理以及开封分析。通过该方法解决了现有技术中存在的原料浪费、分析效果差、适用范围小的问题。

Description

一种对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的方法

技术领域

本发明涉及半导体元器件失效分析过程技术领域，具体涉及一种对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的方法。

背景技术

半导体芯片在研发试验、生产制造和终端使用的过程中，往往伴随着偶发性或批量性的失效。产品发生失效后，通过运用各种电学和物理测试手法，确定器件失效的形式、分析造成器件失效的物理和化学过程、寻找器件的失效真因，进而帮助制定纠正和改善措施，这种结合逻辑推理和工程分析的过程称为失效分析。其中，截面研磨分析是一种常用的失效分析手法，可配合扫描电子显微镜检查芯片不同位置截面的微结构相关失效点。在对半导体芯片进行失效分析时，通常还需要进行破坏性检测。开封分析是常用的一种失效分析时破坏性检测方法，是通过使用化学方法或者物理方法将元器件表面的封装去除，观察元器件内部的引线连接情况。

目前进行截面研磨分析和开封分析时，通常采用一部分半导体芯片样品进行截面研磨分析，另一部分半导体芯片样品进行开封分析的方式。虽然也出现将截面研磨分析中剩余的半导体芯片样品取下来进行开封分析的方法，但是这种方式至少存在以下缺点：

(1)采用现有技术将进行截面研磨分析后的半导体芯片样品从模具中取出，经常会造成芯片表面出现损伤；

(2)分析效果差，目前采用的截面研磨分析针对覆盖有vent膜的半导体产品，在后期分析时，vent膜边缘的胶水和镶样胶水界限模糊；

(3)研磨效率低，需要花费时间比较长。

因此，需要提供一种对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的方法。

发明内容

本发明提供一种对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的方法，目的是解决现有技术中存在取出半导体芯片过程芯片易损伤、截面研磨分析的分析效果差以及研磨效率低等问题。

本发明提供的技术解决方案如下：

一种对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的方法，其特殊之处在于，包括：

提供至少1颗目标封装芯片，所述目标封装芯片包括基板、芯片、焊线以及用于保护所述芯片的金属壳，所述金属壳表面设置有vent膜，所述芯片包裹有封装模塑；

采用第二胶水覆盖所述vent膜，进行干燥；

将干燥后的所述目标封装芯片粘贴在模具内，在所述模具内注入镶样胶水，进行烘烤，所述模具包括一次性方形模具，所述镶样胶水包括环氧树脂和固化剂；

对烘烤后的所述模具进行研磨，研磨至所述目标封装芯片的预设目标层，所述研磨包括粗磨和细磨；

采用抛光工艺对研磨后的所述模具进行抛光，抛光完成后将所述模具分割成第一部分样品和第二部分样品，所述第一部分样品包括第一部分封装芯片，所述第二部分样品包括第二部分封装芯片，对所述第一部分样品进行SEM检测分析、拍照观察以及测量；

将所述第二部分样品进行加热，将所述第二部分封装芯片从所述第二部分样品中取出；

将所述第二部分封装芯片进行烘烤，将所述第二部分封装芯片中剩余的所述金属壳取出，然后对其进行开封处理以及开封分析。

进一步地，所述将所述第二部分样品进行加热，将所述第二部分封装芯片从所述第二部分样品中取出，包括：

将所述第二部分样品放置于加热板上，在第一预设温度下进行加热至第一预设时间；

加热完成后，所述第二部分样品中的剩余模具受热软化，将所述第二部分封装芯片从受热软化的所述剩余模具中取出。

进一步地，所述将所述第二部分封装芯片进行烘烤，将所述第二部分封装芯片中剩余的所述金属壳取出，然后对其进行开封处理以及开封分析，包括：

将所述第二部分样品放置于加热板上，在第二预设温度下进行加热至第二预设时间，将所述第二部分封装芯片的所述金属壳取出；

将去除金属壳的所述第二部分封装芯片放置于加热板上，在第三预设温度下进行加热至第三预设时间，采用硫酸进行滴定去除封装膜塑，待达到第一预设条件时，使用丙酮进行清洗；

将清洗后的所述第二部分封装芯片进行显微镜观察。

进一步地，所述将清洗后的所述第二部分封装芯片进行显微镜观察，具体为：

将所述第二部分封装芯片通过所述显微镜的低倍镜进行检查，检查所述焊线和所述芯片的轮廓是否全部漏出；

若否，反复进行硫酸滴定，直至所述焊线和所述芯片的轮廓完全漏出；

若是，则通过所述显微镜的高倍镜进行检查，检查所述芯片、所述焊线的质量状况，所述质量状况包括所述芯片表面的损伤状况、所述焊线的完整性以及交丝状况。

进一步地，所述将干燥后的所述目标封装芯片粘贴在模具内，在所述模具内注入镶样胶水，进行烘烤，包括：

在所述模具顶部的内侧涂抹第三胶水，将所述目标封装芯片按照切片方向进行粘贴；

配置所述镶样胶水，将固化剂与环氧树脂按照重量比为1.4:1混合，搅拌4～6min；

将贴好的所述目标封装芯片在常温静至2～3min后，在所述模具中注入所述镶样胶水；

将注入所述镶样胶水的所述模具放置于加热板上，在50℃下烘烤30min。

进一步地，所述对烘烤后的所述模具进行研磨，研磨至所述目标封装芯片的预设目标层，包括：

采用400目砂纸对所述模具进行第一次研磨，研磨至距离所述芯片2～3mm；

采用1200目砂纸进行第二次研磨，研磨至所述芯片完全暴露出来，所述1200目砂纸包括金刚石砂纸；

采用2000目砂纸进行第三次研磨，直接研磨至距离所述预设目标层3～5um，所述2000目砂纸包括金刚石砂纸；

采用4000目砂纸进行第四次研磨，直接研磨至将所有所述芯片在同一截面显示出来，所述4000目砂纸包括金刚石砂纸；

将研磨好的所述模具采用超声波清洗，再放置在加热板上加热10～15min。

进一步地，所述采用抛光工艺对研磨后的所述模具进行抛光，包括：

对研磨后的所述模具边缘再次进行研磨，直至其轮廓呈平滑弧面；

采用三氧化二铝悬浮液对产品进行抛光5～10min，所述三氧化二铝悬浮液的直径包括0.05um；

将抛光后的所述目标封装芯片的截面表面喷一层金箔，进行SEM检测分析、拍照观察以及测量。

进一步地，所述采用第二胶水覆盖所述vent膜，进行干燥，具体为：

在所述vent膜表面覆盖第二胶水，在110～130℃的温度范围内烘烤25～35min。

进一步地，所述封装模塑的材料为环氧树脂；

所述抛光工艺选用绒布盘进行抛光；

所述焊线包括金线或铜线材质；

所述目标封装芯片包括次采用MEMS封装技术封装的芯片。

进一步地，所述第二胶水包括X系列黑色胶水；

所述目标封装芯片数量为5颗；

所述固化剂包括SPK型号金相胶粉。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明提供的一种对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的方法，包括提供目标封装芯片；采用第二胶水覆盖目标封装芯片的vent膜，进行干燥；将干燥后的目标封装芯片粘贴在模具内，在模具内注入镶样胶水，进行烘烤；对烘烤后的模具进行研磨，研磨至目标封装芯片的预设目标层；采用抛光工艺对研磨后的模具进行抛光，抛光完成后将所述模具分割成第一部分样品和第二部分样品，对第一部分样品进行SEM检测分析、拍照观察以及测量；将第二部分样品进行加热，将第二部分封装芯片从第二部分样品中取出；将第二部分封装芯片进行烘烤，将第二部分封装芯片中剩余的金属壳取出，然后对其进行开封处理以及开封分析。通过该方法，实现了对现有截面研磨分析和开封分析进行优化，提升了切片质量，在进行截面研磨分析后将半导体芯片样品从模具中取出时，不会造成芯片表面出现损伤，进行截面研磨分析效果好，以及提高了研磨效率。

附图说明

图1为本发明实施例中对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的流程图；

图2为本发明实施例中目标封装芯片的结构示意图；

图3为本发明实施例中将目标封装芯片粘贴在模具内的结构示意图；

图4为本发明实施例中进行抛光前的模具结构示意图；

图5为为本发明实施例中目标封装芯片便面覆盖第二胶水的结构示意图。

附图标记如下：

1-目标封装芯片，101-vent膜，102-填充胶水，103-金属壳，104-芯片，105-焊线，106-粘接层，107-基板，2-模具，3-第一胶水。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，下面所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下结合附图提供的本申请实施例的详细描述旨在仅仅表示本申请的选定实施例，并非限制本申请要求保护的范围。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的其他所有实施例，都属于本申请保护的范围。

需要理解的是，在本发明的实施方式的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的实施方式的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明的实施方式的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明的实施方式中的具体含义。

参阅图1，本发明提供一种对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的方法，包括以下步骤：

步骤101，提供至少1颗目标封装芯片1，目标封装芯片1包括基板107、芯片、焊线105以及用于保护芯片的金属壳103，金属壳103表面设置有vent膜101，芯片包裹有封装模塑。

参阅图2、图5，本实施例中，选用的目标封装芯片1采用MEMS封装技术封装的芯片，包括基板107、芯片104、焊线105以及用于保护芯片104的金属壳103，金属壳103表面设置有vent膜101，芯片包裹有封装模塑。在vent膜101和金属壳103的间隙之间，通常填充有第一胶水，在进行失效分析时，通常需要采用截面研磨分析方法监测vent膜101边缘是否被填充胶水102覆盖。本实施例中，目标封装芯片1的基板107为陶瓷基板，填充胶水102根据制备过程中的制备工艺选择，焊线105包括金线或者铜线材质，封装模塑的材料为环氧树脂，芯片104通过粘接层106粘接在基板107上。

步骤102，采用第二胶水3覆盖vent膜101，进行干燥。

由于vent膜101与填充胶水102的界限不明显，采用现有的截面研磨分析方法进行监测vent膜101边缘是否被填充胶水102覆盖时，监测效果不明显。本实施例中，通过在vent膜101表面覆盖一层第二胶水3，便于观察vent膜101边缘的填充胶水102与后面填充的镶样胶水的界限，增加了观测效果。可以理解，为了增加观测填充胶水102的爬胶效果，第二胶水3优选选用黑色胶水。本实施例中，第二胶水3采用日本的X系列黑色胶水，具体为X-71-6255型号。

步骤103，将干燥后的目标封装芯片1粘贴在模具2内，在模具2内注入镶样胶水，进行烘烤，模具2包括一次性方形模具2，镶样胶水包括环氧树脂和固化剂。

本申请中，为了便于将目标封装芯片1粘贴在模具2内，选择一次性方形模具2，本实施例中，选用G104型号的透明切片模具2，该模具2可以粘贴1～5颗左右的目标封装芯片1，根据实际目标封装芯片1的数量，将至少1颗的目标封装芯片1按照切片的方向粘贴在模具2的内侧，目标封装芯片1的边缘与模具2边缘平齐，然后填充镶样胶水，进行烘烤。

步骤104，对烘烤后的模具2进行研磨，研磨至目标封装芯片1的预设目标层，研磨包括粗磨和细磨。

采用截面研磨分析时，根据需要对目标封装芯片1设定一个观察点，即需要研磨的预设目标层，只有研磨到观察点，才能进行后续的观察分析操作。不同于现有的截面研磨分析方法，本申请采用多次粗磨和细磨的研磨方式，对模具2内的目标封装芯片1进行研磨。由于本实施例中，目标封装芯片1的基板107为陶瓷基板，因此还需要用到金刚石砂纸对其进行研磨。该步骤采用普通砂纸和金刚石砂纸结合的研磨方式，研磨质量好，效率高。

步骤105，采用抛光工艺对研磨后的模具2进行抛光，抛光完成后将模具2分割成第一部分样品和第二部分样品，第一部分样品包括第一部分封装芯片，第二部分样品包括第二部分封装芯片，对第一部分样品进行SEM检测分析、拍照观察以及测量。

在进行截面研磨分析时，为了提高观察清晰度，还需要对研磨后的目标封装芯片1进行抛光操作。由于本实施例针对目标封装芯片1数量不足，不适合采用现有技术中的一部分目标封装芯片进行截面研磨分析，另一部分进行开封分析，因此提高现有目标封装芯片1的利用率显得极其重要。在对目标封装芯片1进行抛光后，根据需要，对其进行分割，分割时连带模具2一起分割，将完整模具2、粘贴在模具2上的目标封装芯片1分成第一部分样品和第二部分样品，第一部分样品进行截面研磨分析的后续操作，第二部分样品用来进行开封分析操作。可以理解，分割的两部分应该分别能满足对应需要。

步骤106，将第二部分样品进行加热，将第二部分封装芯片从第二部分样品中取出。

可以理解的是，第二部分样品包括一部分的模具2和目标封装芯片1，因此为了完成对该部分目标封装芯片1的开封分析，首先需要将其从模具2中取出。

步骤107，将第二部分封装芯片进行烘烤，将第二部分封装芯片中剩余的金属壳103取出，然后对其进行开封处理以及开封分析。

将第二部分封装芯片从模具2中取出后，还需要取出封装芯片的金属壳103，因此需要采用烘烤的方式，加热封装芯片，然后用镊子将金属壳103剥离出来，由于再对其进行开封分析。由于芯片包裹有封装模塑，还需要对其进行开封处理，去除封装模塑，去除封装模塑后再对芯片进行开封分析。

优选的，将第二部分样品进行加热，将第二部分封装芯片从第二部分样品中取出，包括以下步骤：

步骤201，将第二部分样品放置于加热板上，在第一预设温度下进行加热至第一预设时间。

本实施例中，将第二部分样品放在50℃的加热板上加热10min。

步骤202，加热完成后，第二部分样品中的剩余模具2受热软化，将第二部分封装芯片从受热软化的剩余模具2中取出。

可以理解，在对第二部分样品进行加热后，待模具2软化，使用镊子将第二部分封装芯片轻轻地从模具2中取出。

优选的，将第二部分封装芯片进行烘烤，将第二部分封装芯片中剩余的金属壳103取出，然后对其进行开封处理以及开封分析，包括以下步骤：

步骤301，将第二部分样品放置于加热板上，在第二预设温度下进行加热至第二预设时间，将第二部分封装芯片的金属壳103取出。

现有技术采用电烙铁加热第二部分封装芯片到260℃，一只手使用镊子将第二部分封装芯片压住，另一只手使用电烙铁在第二部分封装芯片边缘转圈使其充分预热，约2min,再用镊子将金属壳103取下来。相比于现有技术，该步骤有效避免了对芯片104的损伤，保证了后续开封分析的准确性。

将第二部分封装芯片从受热软化的剩余模具2中取出后，将其放在150℃加热板上烘烤10Min,然后一手用镊子夹住基板107，另一手用镊子将金属壳103取下。

步骤302，将去除金属壳103的第二部分封装芯片放置于加热板上，在第三预设温度下进行加热至第三预设时间，采用硫酸进行滴定去除封装膜塑，待达到第一预设条件时，使用丙酮进行清洗。

本实施例中，将去除金属壳103的第二部分封装芯片放置120℃加热板约1min，然后采用98％的硫酸滴定实现开封，硫酸主要用于去除封装膜塑。第一预设条件为反应5s左右，出现冒泡的现象，此时刚好将芯片104开出，然后使用丙酮进行清洗。如果第一次未将芯片104开出，可以重新滴定硫酸，反应3秒左右，然后使用丙酮进行清洗，拍照观察。

步骤303，将清洗后的第二部分封装芯片进行显微镜观察。

优选的，将清洗后的第二部分封装芯片进行显微镜观察，具体为：

将第二部分封装芯片通过显微镜的低倍镜进行检查，检查焊线105和芯片104的轮廓是否全部漏出；

若否，反复进行硫酸滴定，直至焊线105和芯片104的轮廓完全漏出；

若是，则通过显微镜的高倍镜进行检查，检查芯片104、焊线105的质量状况，质量状况包括芯片104表面的损伤状况、焊线105的完整性以及交丝状况。

本申请中，将芯片104开出后，除了进行开封分析，在其他实施例中还可以进行弹坑失效分析，芯片的阻抗测等。本实施例主要用于进行开封分析。

优选的，将干燥后的目标封装芯片1粘贴在模具2内，在模具2内注入镶样胶水，进行烘烤，包括以下步骤：

步骤401，在模具2顶部的内侧涂抹第二胶水3，将目标封装芯片1按照切片方向进行粘贴；

步骤402，配置镶样胶水，将固化剂与环氧树脂按照重量比为1.4:1混合，搅拌4～6min；

步骤403，将贴好的目标封装芯片1在常温静至2～3min后，在模具2中注入镶样胶水；

步骤404，将注入镶样胶水的模具2放置于加热板上，在50℃下烘烤30min。

如图3所示，本实施例中，第三胶水采用502胶水，固化剂选用SPK型号金相胶粉，目标封装芯片1选择5颗。将目标封装芯片1粘贴在模具2内的过程也称为镶样，在镶样过程中，5颗目标封装芯片1的边缘与模具2边缘平齐，且按照切片方向进行粘贴。配置镶样胶水过程中，将固化剂与环氧树脂按照特定比例混合后，搅拌5min，可以采用将容器倾斜20°同一方向均速搅拌，以便固化剂与环氧树脂完全混合。将混合后的镶样胶水注入到模具2内，需要注意的是，注入过程中，每颗目标封装芯片1中间都要有镶样胶水填充。

优选的，对烘烤后的模具2进行研磨，研磨至目标封装芯片1的预设目标层，包括以下步骤：

步骤501，采用400目砂纸对模具2进行第一次研磨，研磨至距离芯片2～3mm；

步骤502，采用1200目砂纸进行第二次研磨，研磨至芯片104完全暴露出来，1200目砂纸包括金刚石砂纸；

步骤503，采用2000目砂纸进行第三次研磨，直接研磨至距离预设目标层3～5um，2000目砂纸包括金刚石砂纸；

步骤504，采用4000目砂纸进行第四次研磨，直接研磨至将所有芯片104在同一截面显示出来。

本申请中，第一次研磨采用400目的普通砂纸，第二次研磨采用1200目金刚石砂纸，第三次研磨采用2000目的金刚石砂纸，第四次研磨采用4000目的普通砂纸和金刚石砂纸交替研磨。其中，金刚石砂纸主要用于研磨陶瓷基板107部分。在研磨过程中，目标封装芯片1如果出现倾斜，要及时对其进行修正，改变目标封装芯片1的受力点，将所有镶样的芯片104在同一截面显示出来停止研磨。

步骤505，将研磨好的模具采用超声波清洗，再放置在加热板上加热10～15min。

本申请中，采用的超声波清洗机对步骤504中研磨好的模具进行清洗，清洗采用去离子水，震动30s，再采用加热板在50℃左右的温度下进行加热10～15min，除去目标封装芯片1中的水分，防止影响后续检测。

本实施例中，根据目标封装芯片1类型，进行第一次研磨时，研磨至距离芯片2～3mm停止，换1200目金刚石砂纸进行第二次研磨，直至芯片104完全暴露出来停止，再换2000目的金刚石砂纸进行第三次研磨，研磨至距离预设目标层3～5um停止，最后采用4000目的普通砂纸和金刚石砂纸交替研磨，直至所有芯片104在同一截面显示出来为止。步骤505中，采用的超声波清洗机为洁康品牌的超声波清洗机，在加热板上加热时间为10min。

优选的，采用抛光工艺对研磨后的模具2进行抛光，包括以下步骤：

步骤601，对研磨后的模具2边缘再次进行研磨，直至其轮廓呈平滑弧面；

步骤602，采用三氧化二铝悬浮液对产品进行抛光5～10min，三氧化二铝悬浮液的直径包括0.05um；

步骤603，将抛光后的目标封装芯片1的截面表面喷一层金箔，进行SEM检测。

参阅图4，本申请中，由于选用的模具2为方形模具2，避免其棱角对后续抛光绒布盘造成损伤，对其棱角进行研磨，直至整体轮廓形成平滑的弧面。本实施例中，抛光工艺选用绒布盘进行抛光，抛光完成后，对目标封装芯片1的截面表面喷一层金箔，根据实际情况选择喷金时间，一般3～10s。然后，进行SEM(Scanning Electron Microscope，即扫描电镜)检测，用于观测芯片104内部层次和测量各层厚度、观测并拍摄局部异常照片和测量异常尺寸、测量芯片104关键尺寸线宽和孔径、定性和定量分析异常污染物的化学元素组成等，进行拍照观察。需要注意的是，由于SEM检测的具体操作属于现有技术，对行业技术人员来说是公开技术，这里不再对其具体操作加以阐述。

优选的，采用第二胶水3覆盖vent膜101，进行干燥，具体为：

在vent膜表面覆盖第二胶水3，在110～130℃的温度范围内烘烤25～35min。

参阅图5，本实施例中，vent膜101即通孔膜，在金属壳103表面的通孔膜上点黑色胶水覆盖通孔膜，在125℃温度下烘烤30min。

以上所述，仅为本申请的最优具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何在本申请揭露的技术范围内的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的方法，其特征在于，包括：

提供至少1颗目标封装芯片，所述目标封装芯片包括基板、芯片、焊线以及用于保护所述芯片的金属壳，所述金属壳表面设置有vent膜，所述芯片包裹有封装模塑；

采用第二胶水覆盖所述vent膜，进行干燥；

将干燥后的所述目标封装芯片粘贴在模具内，在所述模具内注入镶样胶水，进行烘烤，所述模具包括一次性方形模具，所述镶样胶水包括环氧树脂和固化剂；

对烘烤后的所述模具进行研磨，研磨至所述目标封装芯片的预设目标层，所述研磨包括粗磨和细磨；

采用抛光工艺对研磨后的所述模具进行抛光，抛光完成后将所述模具分割成第一部分样品和第二部分样品，所述第一部分样品包括第一部分封装芯片，所述第二部分样品包括第二部分封装芯片，对所述第一部分样品进行SEM检测分析、拍照观察以及测量；

将所述第二部分样品进行加热，将所述第二部分封装芯片从所述第二部分样品中取出；

将所述第二部分封装芯片进行烘烤，将所述第二部分封装芯片中剩余的所述金属壳取出，然后对其进行开封处理以及开封分析。

2.根据权利要求1所述的对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的方法，所述将所述第二部分样品进行加热，将所述第二部分封装芯片从所述第二部分样品中取出，其特征在于，包括：

将所述第二部分样品放置于加热板上，在第一预设温度下进行加热至第一预设时间；

加热完成后，所述第二部分样品中的剩余模具受热软化，将所述第二部分封装芯片从受热软化的所述剩余模具中取出。

3.根据权利要求1所述的对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的方法，所述将所述第二部分封装芯片进行烘烤，将所述第二部分封装芯片中剩余的所述金属壳取出，然后对其进行开封处理以及开封分析，其特征在于，包括：

将所述第二部分样品放置于加热板上，在第二预设温度下进行加热至第二预设时间，将所述第二部分封装芯片的所述金属壳取出；

将去除金属壳的所述第二部分封装芯片放置于加热板上，在第三预设温度下进行加热至第三预设时间，采用硫酸进行滴定去除封装膜塑，待达到第一预设条件时，使用丙酮进行清洗；

将清洗后的所述第二部分封装芯片进行显微镜观察。

4.根据权利要求3所述的对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的方法，所述将清洗后的所述第二部分封装芯片进行显微镜观察，其特征在于，具体为：

将所述第二部分封装芯片通过所述显微镜的低倍镜进行检查，检查所述焊线和所述芯片的轮廓是否全部漏出；

若否，反复进行硫酸滴定，直至所述焊线和所述芯片的轮廓完全漏出；

若是，则通过所述显微镜的高倍镜进行检查，检查所述芯片、所述焊线的质量状况，所述质量状况包括所述芯片表面的损伤状况、所述焊线的完整性以及交丝状况。

5.根据权利要求1所述的对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的方法，所述将干燥后的所述目标封装芯片粘贴在模具内，在所述模具内注入镶样胶水，进行烘烤，其特征在于，包括：

在所述模具顶部的内侧涂抹第三胶水，将所述目标封装芯片按照切片方向进行粘贴；

配置所述镶样胶水，将固化剂与环氧树脂按照重量比为1.4:1混合，搅拌4～6min；

将贴好的所述目标封装芯片在常温静至2～3min后，在所述模具中注入所述镶样胶水；

将注入所述镶样胶水的所述模具放置于加热板上，在50℃下烘烤30min。

6.根据权利要求1所述的对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的方法，所述对烘烤后的所述模具进行研磨，研磨至所述目标封装芯片的预设目标层，其特征在于，包括：

采用400目砂纸对所述模具进行第一次研磨，研磨至距离所述芯片2～3mm；

采用1200目砂纸进行第二次研磨，研磨至所述芯片完全暴露出来，所述1200目砂纸包括金刚石砂纸；

采用2000目砂纸进行第三次研磨，直接研磨至距离所述预设目标层3～5um，所述2000目砂纸包括金刚石砂纸；

采用4000目砂纸进行第四次研磨，直接研磨至将所有所述芯片在同一截面显示出来，所述4000目砂纸包括金刚石砂纸；

将研磨好的所述模具采用超声波清洗，再放置在加热板上加热10～15min；

放置在超声波清洗剂中震动30s,然后再将产品放置在加热板上加热10min。

7.根据权利要求1所述的对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的方法，所述采用抛光工艺对研磨后的所述模具进行抛光，其特征在于，包括：

对研磨后的所述模具边缘再次进行研磨，直至其轮廓呈平滑弧面；

采用三氧化二铝悬浮液对产品进行抛光5～10min，所述三氧化二铝悬浮液的直径包括0.05um；

将抛光后的所述目标封装芯片的截面表面喷一层金箔，进行SEM检测分析、拍照观察以及测量。

8.根据权利要求1所述的对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的方法，所述采用第二胶水覆盖所述vent膜，进行干燥，其特征在于，具体为：

在所述vent膜表面覆盖第二胶水，在110～130℃的温度范围内烘烤25～35min。

9.根据权利要求1-8任一所述的对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的方法，其特征在于：

所述封装模塑的材料为环氧树脂；

所述抛光工艺选用绒布盘进行抛光；

所述焊线包括金线或铜线材质；

所述目标封装芯片包括次采用MEMS封装技术封装的芯片。

10.根据权利要求9所述的对封装芯片进行截面研磨分析和开封分析的方法，其特征在于：

所述第二胶水包括X系列黑色胶水；

所述目标封装芯片数量为5颗；

所述固化剂包括SPK型号金相胶粉。

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