CN115993745A - 一种阵列基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种阵列基板及显示装置，通过在显示区设置与公共电极电连接的辅助电极线，这样辅助电极线与公共电极相当于并联，可以降低公共电极的电阻，从而Vcom信号在传输时可以降低RC Loading，并且Vcom信号不仅通过公共信号传输结构由显示区边缘传输至显示区中心，同时Vcom信号还会传输至显示区内的辅助电极线上，并由辅助电极线传输给公共电极，这样可以提高屏幕中间位置的Vcom信号恢复至基准值的速度，从而使整面Vcom信号的恢复速度大致相同，保证整面Vcom信号的均一性，减小正负帧间的电压差异，改善液晶显示fliker及crosstalk问题，提升显示效果。

Description

一种阵列基板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)具有体积小、功耗低、画质高、无辐射和携带方便等特点，近年来得到了迅速地发展，已逐渐取代传统的阴极射线管显示装置(Cathode Ray Tube display，CRT)，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。目前，TFT-LCD在各种大中小尺寸的产品上得到了广泛的应用，几乎涵盖了当今信息社会的主要电子产品，如液晶电视、高清晰度数字电视、电脑(台式和笔记本)、手机、平板电脑、导航仪、车载显示、投影显示、摄像机、数码相机、电子手表、计算器、电子仪器、仪表、公共显示和虚幻显示等。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及显示装置，用于提高液晶显示器整面Vcom信号的均一性。

本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：

衬底基板，所述衬底基板具有显示区以及围绕所述显示区设置的周边区；

公共电极，在所述显示区整面设置；

公共信号传输结构，设置在所述周边区且环绕所述显示区设置，所述公共信号传输结构与所述公共电极电连接；

至少一条辅助电极线，设置在所述显示区，所述辅助电极线的两端分别与所述公共信号传输结构电连接，所述辅助电极线两端之间的部分与所述公共电极电连接。

可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括设置在所述显示区内且位于所述公共电极所在层和所述衬底基板之间的多条栅线，所述辅助电极线与所述栅线同层设置，所述辅助电极线的延伸方向与所述栅线的延伸方向相同，且所述辅助电极线在所述衬底基板上的正投影与所述栅线在所述衬底基板上的正投影不交叠。

可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述显示区包括呈阵列排布的多个子像素，每一行所述子像素均对应设置一条所述辅助电极线。

可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，每一条所述辅助电极线两端之间的部分具有与所述公共电极电连接且间隔设置的多个连接点。

可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，每一条所述辅助电极线上的相邻两个所述连接点之间间隔相同数量的所述子像素。

可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，相邻两条所述辅助电极线上的连接点错位设置。

可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，在每相邻两条所述辅助电极线中，其中一条所述辅助电极线上的一个所述连接点对应于另一条所述辅助电极线上的相邻两个所述连接点之间的中间位置处。

可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括设置在所述显示区且位于所述栅线所在层和所述公共电极所在层之间的多条数据线，所述公共信号传输结构与所述数据线同层设置。

可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括设置在所述显示区且与所述数据线同层且绝缘设置的多个连接部，每一条所述辅助电极线上的各所述连接点通过对应的所述连接部与所述公共电极电连接。

可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：设置在所述栅线所在层和所述数据线所在层之间的层间绝缘层，以及设置在所述数据线所在层和所述公共电极所在层之间的平坦层；

每一条所述辅助电极线上的连接点通过贯穿所述层间绝缘层的第一过孔与对应的所述连接部电连接，所述连接部通过贯穿所述平坦层的第二过孔与所述公共电极电连接；

每一条所述辅助电极线的两端分别通过贯穿所述层间绝缘层的第三过孔与所述公共信号传输结构电连接；

所述公共信号传输结构通过贯穿所述平坦层的第四过孔与所述公共电极电连接。

可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述子像素包括薄膜晶体管和像素电极，所述像素电极位于所述公共电极所在层远离所述衬底基板的一侧；

所述阵列基板还包括：设置在所述公共电极所在层和所述像素电极所在层之间的钝化层，以及设置在所述栅线所在层和所述衬底基板之间的栅绝缘层；

所述薄膜晶体管包括：设置在所述栅绝缘层和所述衬底基板之间的有源层，与所述栅线同层设置的栅极，以及与所述数据线同层设置的源极和漏极；其中，所述栅线和所述栅极电连接，所述数据线和所述源极电连接，所述像素电极通过依次贯穿所述钝化层、所述公共电极和所述平坦层的第五过孔与所述漏极电连接。

可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：设置在所述有源层和所述衬底基板之间的缓冲层，以及设置在所述缓冲层和所述衬底基板之间的遮光层；所述遮光层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影。

可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述周边区包括：扇形走线区，以及设置在所述扇形走线区远离所述显示区一侧的驱动芯片；所述公共信号传输结构通过位于所述扇形走线区的走线与所述驱动芯片电连接。

可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括设置在所述栅线两端的第一栅极驱动电路和第二栅极驱动电路，所述第一栅极驱动电路与各所述栅线的第一端电连接，所述第二栅极驱动电路与各所述栅线的第二端电连接。

相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括相对设置的阵列基板和对向基板，位于所述阵列基板与所述对向基板之间的液晶层，以及位于所述阵列基板入光侧的背光模组；其中，所述阵列基板为本发明实施例提供的上述阵列基板。

本发明实施例的有益效果如下：

本发明实施例提供的一种阵列基板及显示装置，通过在显示区设置与公共信号传输结构电连接的至少一条辅助电极线，并且辅助电极线两端之间的部分与公共电极电连接，这样辅助电极线与公共电极相当于并联，可以降低公共电极的电阻，从而Vcom信号在传输时可以降低RC Loading，并且Vcom信号不仅通过公共信号传输结构由显示区边缘传输至显示区中心，同时Vcom信号还会传输至显示区内的辅助电极线上，并由辅助电极线传输给公共电极，这样可以提高屏幕中间位置的Vcom信号恢复至基准值的速度，从而使整面Vcom信号的恢复速度大致相同，保证整面Vcom信号的均一性，减小正负帧间的电压差异，改善液晶显示fliker及crosstalk问题，提升显示效果。

附图说明

图1为相关技术中提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的局部layout(版图)示意图；

图4为图3中沿CC’方向的截面示意图；

图5为常规公共电极充电时的仿真结果示意图；

图6为本发明提供的公共电极充电时的仿真结果示意图；

图7为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。

LCD显示器是由像素电极和公共电极之间的电场来控制液晶的偏转角度，为防止液晶极化，需不断反转像素电压极性。例如帧反转，当画面在正负帧之间切换时，要求Vcom信号(公共电压)能及时恢复到0V以保持两帧之间稳定的电压差。若电压差不同，则液晶分子的偏转角度不同，光的透过亮度不同，进而画面产生闪烁(fliker)及串扰(crosstalk)现象。由于Vcom信号是由IC提供，其在整个屏幕上的信号强度也会因为不同位置的RCloading不同造成差异，而Vcom信号的基准值(0V)的漂移会造成像素电压Vp在正负帧转换时差异变大，产生fliker不良。除此之外，Vcom信号在整面恢复能力的差异导致的整面正负极性的差异还会使画面呈现串扰(crosstalk)问题。

目前市场上已有的LCD显示器的Vcom设计均为由IC直接给信号于整面公共电极层，如图1所示，图1所示为目前液晶显示产品常规的公共电极层设计结构，Vcom信号由IC经公共电极走线01输入Vcom环02(公共信号传输结构)，Vcom环02是由源漏金属层(SD)形成的环绕于显示区AA的一圈金属。通过平坦层挖孔03，使Vcom环02上的Vcom信号连接至公共电极层04，公共电极层04是由ITO(氧化铟锡)组成的存在于整个显示区AA的整面金属层。这就存在屏幕中间位置的RC Loading大于周边，从Vcom信号进入显示区AA开始，由显示区AA边缘到中心，随着信号走过的距离增加，公共电极层04的RC Loading逐渐增大。因此屏幕中间位置的Vcom信号恢复至基准值较慢，导致整面公共电极层04的电压不均一，进而产生fliker及crosstalk问题。因此，如何保证公共电极层04整面的恢复能力相同，即保证整面Vcom信号均一性是解决fliker和crosstalk的关键因素。

有鉴于此，为了提高整面Vcom信号的均一性，本发明实施例提供了一种阵列基板，如图2-图4所示，图2为阵列基板的平面示意图，图3为阵列基板的局部layout(版图)示意图，图4为图3中沿CC’方向的截面示意图，该阵列基板包括：

衬底基板1，衬底基板1具有显示区AA以及围绕显示区AA设置的周边区BB；可选地，衬底基板1可以为玻璃基板等刚性基板；

公共电极2，在显示区AA整面设置；可选地，公共电极2的材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明导电材料；

公共信号传输结构3，设置在周边区BB且环绕显示区AA设置，公共信号传输结构3与公共电极2电连接；

至少一条辅助电极线4，设置在显示区AA，辅助电极线4的两端分别与公共信号传输结构3电连接，辅助电极线4两端之间的部分与公共电极电连接。

本发明实施例提供的上述阵列基板，通过在显示区设置与公共信号传输结构电连接的至少一条辅助电极线，并且辅助电极线两端之间的部分与公共电极电连接，这样辅助电极线与公共电极相当于并联，可以降低公共电极的电阻，从而公共电压(以下简称Vcom)信号在传输时可以降低RC Loading，并且Vcom信号不仅通过公共信号传输结构由显示区边缘传输至显示区中心，同时Vcom信号还会传输至显示区内的辅助电极线上，并由辅助电极线传输给公共电极，这样可以提高屏幕中间位置的Vcom信号恢复至基准值的速度，从而使整面Vcom信号的恢复速度大致相同，保证整面Vcom信号的均一性，减小正负帧间的电压差异，改善液晶显示fliker及crosstalk问题，提升显示效果。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2-图4所示，还包括设置在显示区AA内且位于公共电极2所在层和衬底基板1之间的多条栅线(G_1、G_2……)，辅助电极线4与栅线(G_1、G_2……)同层设置，辅助电极线4的延伸方向与栅线(G_1、G_2……)的延伸方向相同，且辅助电极线4在衬底基板1上的正投影与栅线(G_1、G_2……)在衬底基板1上的正投影不交叠。这样，只需要在形成栅线时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成辅助电极线4与栅线的图形，不用增加单独制备辅助电极线4的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。

可选地，栅线的材料可以包括钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)等金属，栅线可以为单层结构或叠层结构，例如栅线为由钼金属层构成的单层结构。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2所示，显示区AA包括呈阵列排布的多个子像素P，每一行子像素P均对应设置一条辅助电极线4。这样可以保证每行子像素P所在位置的Vcom信号都能被同时恢复至基准值，进一步提高整面Vcom信号的均一性。

可选地，每一行子像素P对应的辅助电极线4可以位于该行子像素P的上侧或下侧，本发明实施例图2是以每一行子像素P对应的辅助电极线4位于该行子像素P的下侧为例。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2所示，每一条辅助电极线4两端之间的部分具有与公共电极2电连接且间隔设置的多个连接点D。这样可以保证Vcom信号在同一时间到达整面各点位置，更进一步提高整面Vcom信号的均一性。

需要说明的是，连接点D是指辅助电极线4上与公共电极2需要电连接的位置。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2所示，每一条辅助电极线4上的相邻两个连接点D之间间隔相同数量的子像素P，这样可以使各电连接的连接点D均匀分布，进一步提高整面Vcom信号的均一性。例如，每相邻两个连接点D之间间隔20个子像素P，当然不限于此。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2所示，相邻两条辅助电极线4上的连接点D错位设置，这样可以使得连接点D在显示区AA分布的更加均匀，更进一步提高整面Vcom信号的均一性。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2所示，在每相邻两条辅助电极线4中，其中一条辅助电极线4上的一个连接点D对应于另一条辅助电极线4上的相邻两个连接点D之间的中间位置处。这样可以使得显示区AA内各位置处均设置有连接点D，更进一步提高整面Vcom信号的均一性。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3和图4所示，还包括设置在显示区AA且位于栅线(G_1、G_2……)所在层和公共电极2所在层之间的多条数据线(D_1、D_2……)，公共信号传输结构3与数据线(D_1、D_2……)同层设置。这样，只需要在形成数据线时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成公共信号传输结构3与数据线的图形，不用增加单独制备公共信号传输结构3的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。

可选地，数据线的材料可以包括钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)等金属，数据线可以为单层结构或叠层结构，例如数据线为由钛金属层/铝金属层/钛金属层构成的叠层结构。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2-图4所示，还包括设置在显示区AA且与数据线(D_1、D_2……)同层且绝缘设置的多个连接部6，每一条辅助电极线4上的各连接点D通过对应的连接部6与公共电极2电连接。这样位于数据线所在层的连接部6可以使得位于栅线所在层的辅助电极线4与公共电极2电连接，实现降低公共电极2电阻的目的以及保证Vcom信号在同一时间到达整面各点位置。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图4所示，还包括：设置在栅线(G_1、G_2……)所在层和数据线(D_1、D_2……)所在层之间的层间绝缘层7，以及设置在数据线(D_1、D_2……)所在层和公共电极2所在层之间的平坦层8；

如图2-图4所示，每一条辅助电极线4上的连接点D通过贯穿层间绝缘层7的第一过孔V1与对应的连接部6电连接，连接部6通过贯穿平坦层8的第二过孔V2与公共电极2电连接；

如图2所示，每一条辅助电极线4的两端分别通过贯穿层间绝缘层7的第三过孔V3与公共信号传输结构3电连接；

如图2所示，公共信号传输结构3通过贯穿平坦层8的第四过孔V4与公共电极2电连接。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2-图4所示，子像素P包括薄膜晶体管T和像素电极9，像素电极9位于公共电极2所在层远离衬底基板1的一侧；

阵列基板还包括：设置在公共电极2所在层和像素电极9所在层之间的钝化层10，以及设置在栅线(G_1、G_2……)所在层和衬底基板1之间的栅绝缘层11；

薄膜晶体管包括：设置在栅绝缘层11和衬底基板1之间的有源层12，与栅线(G_1、G_2……)同层设置的栅极G，以及与数据线(D_1、D_2……)同层设置的源极S和漏极D；其中，栅线(G_1、G_2……)和栅极G电连接，数据线(D_1、D_2……)和源极S电连接，像素电极9通过依次贯穿钝化层10、公共电极2和平坦层8的第五过孔V5与漏极D电连接。这样在液晶显示器显示时，通过公共信号传输结构3给公共电极加载Vcom信号，数据线通过薄膜晶体管T给像素电极9加载数据，在公共电极2和像素电极9之间形成电场，液晶层在电场的作用下发生偏转，实现显示。

在一些实施例中，薄膜晶体管可以为P型晶体管或N型晶体管，薄膜晶体管可以为本发明实施例提供的顶栅型晶体管，也可以为底栅型晶体管或双栅型晶体管等，在此不做限定。

在一些实施例中，有源层的材料可以为非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly)、氧化物(Oxide，如铟镓锌氧化物IGZO)等，栅绝缘层的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机绝缘材料中的至少一种。

在一些实施例中，钝化层的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机绝缘材料中的至少一种。平坦层的材料可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(也称为亚克力)、聚丙烯酸树脂、聚环氧丙烯酸树脂、感光性聚酰亚胺树脂、聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯树脂、酚醛环氧树脂等有机绝缘材料中的至少一种，在此不做限定。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3和图4所示，还包括：设置在有源层12和衬底基板1之间的缓冲层13，以及设置在缓冲层13和衬底基板1之间的遮光层14；遮光层14在衬底基板1上的正投影至少覆盖有源层12在衬底基板1上的正投影。这样可以避免光源照射至薄膜晶体管T的有源层12，提高薄膜晶体管的稳定性。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2所示，周边区BB包括：扇形走线区EE，以及设置在扇形走线区EE远离显示区AA一侧的驱动芯片(IC)；公共信号传输结构3通过位于扇形走线区EE的走线15与驱动芯片(IC)电连接。这样在显示时，驱动芯片(IC)通过走线15将Vcom信号传输至公共信号传输结构3，然后公共信号传输结构3将Vcom信号传输至辅助电极线4的各个连接点D处的连接部6，这样可以通过各个连接部6同时给公共电极2传输Vcom信号，保证公共电极2任意位置的Vcom信号都能被同时恢复至基准值，以提高整面Vcom信号的均一性。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2所示，周边区BB还包括设置在驱动芯片(IC)远离显示区AA一侧的柔性电路板(FPC)，FPC可以用于给IC传输信号。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2所示，还包括设置在栅线(G_1、G_2……)两端的第一栅极驱动电路100和第二栅极驱动电路200(图2以GOA电路表示)，第一栅极驱动电路100与各栅线(G_1、G_2……)的第一端电连接，第二栅极驱动电路200与各栅线的第二端(G_1、G_2……)电连接。即本发明实施例采用第一栅极驱动电路100和第二栅极驱动电路200同时给栅线充电，即采用双边驱动的方式驱动栅线，一方面可以提高充电效率，另一方面可以防止采用单边驱动出现远端充电率不足的问题。

当然，在具体实施时，对于小尺寸产品，本发明实施例也可以采用单边驱动的方式驱动栅线。

具体地，第一栅极驱动电路100和第二栅极驱动电路200均包括级联设置的多个移位寄存器(GOA)，每一移位寄存器的扫描信号输出端与栅线一一对应电连接，用于给栅线提供扫描信号。

如图5和图6所示，图5为常规公共电极充电时的仿真结果示意图，当栅线(Gate表示)开启与关闭时，由于公共电极的耦合作用，会对Vcom信号产生影响。Gate开启时(高电平时刻)为像素充电过程，一般不考虑此过程的影响。当Gate关闭时(下降沿开始)，像素充电结束，此时Vcom信号受耦合影响会被拉低(圆圈A位置处)，而IC输出的Vcom信号会重新将Vcom电压拉回0V，此时由于RC Loading的差异，导致整面Vcom信号的恢复不同步，在圆圈A位置处存在较大的电压差，进而产生fliker和crosstalk。图6为本发明提供的公共电极充电时的仿真结果示意图，可以看出通过并联辅助电极线以增加Vcom信号进入公共电极的点位，可大幅度提升Vcom信号的恢复能力(圆圈B位置处)，可以看出，圆圈B位置处基本恢复至Vcom信号的基准值，因此本发明实施例可以保证整面Vcom信号的均匀性，从而解决fliker和crosstalk问题，同时还可加强公共电极的抗ESD能力。

基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种显示装置，如图7所示，包括：相对设置的阵列基板001和对向基板002，位于阵列基板001和对向基板002之间的液晶层003，以及位于阵列基板001入光侧的背光模组004；其中，阵列基板001为本发明实施例提供的图2-图4所示的阵列基板。由于该显示装置解决问题的原理与上述阵列基板解决问题的原理相似，因此，该显示装置的实施可以参见上述阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。

在一些实施例中，在本发明实施例提供的上述显示装置中，背光模组004可以为直下式背光模组，也可以为侧入式背光模组。可选地，侧入式背光模组可以包括灯条、层叠设置的反射片、导光板、扩散片、棱镜组等，灯条位于导光板厚度方向的一侧。直下式背光模组可以包括矩阵光源、在矩阵光源出光侧层叠设置的反射片、扩散板和增亮膜等，反射片包括与矩阵光源中各灯珠的位置正对设置的开孔。灯条中的灯珠、矩阵光源中的灯珠可以为发光二极管(LED)，例如微型发光二极管(Mini LED、Micro LED等)。

亚毫米量级甚至微米量级的微型发光二极管和有机发光二极管(OLED)一样属于自发光器件。其与有机发光二极管一样，有着高亮度、超低延迟、超大可视角度等一系列优势。并且由于无机发光二极管发光是基于性质更加稳定、电阻更低的金属半导体实现发光，因此它相比基于有机物实现发光的有机发光二极管来说，有着功耗更低、更耐高温和低温、使用寿命更长的优势。且在微型发光二极管作为背光源时，能够实现更精密的动态背光效果，在有效提高屏幕亮度和对比度的同时，还能解决传统动态背光在屏幕亮暗区域之间造成的眩光现象，优化视觉体验。

在一些实施例中，本发明实施例提供的上述显示装置可以为：投影仪、3D打印机、虚拟现实设备、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、智能手表、健身腕带、个人数字助理等任何具有显示功能的产品或部件。

本发明实施例提供的一种阵列基板及显示装置，通过在显示区设置与公共信号传输结构电连接的至少一条辅助电极线，并且辅助电极线两端之间的部分与公共电极电连接，这样辅助电极线与公共电极相当于并联，可以降低公共电极的电阻，从而Vcom信号在传输时可以降低RC Loading，并且Vcom信号不仅通过公共信号传输结构由显示区边缘传输至显示区中心，同时Vcom信号还会传输至显示区内的辅助电极线上，并由辅助电极线传输给公共电极，这样可以提高屏幕中间位置的Vcom信号恢复至基准值的速度，从而使整面Vcom信号的恢复速度大致相同，保证整面Vcom信号的均一性，减小正负帧间的电压差异，改善液晶显示fliker及crosstalk问题，提升显示效果。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明实施例的精神和范围。这样，倘若本发明实施例的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板，所述衬底基板具有显示区以及围绕所述显示区设置的周边区；

公共电极，在所述显示区整面设置；

公共信号传输结构，设置在所述周边区且环绕所述显示区设置，所述公共信号传输结构与所述公共电极电连接；

至少一条辅助电极线，设置在所述显示区，所述辅助电极线的两端分别与所述公共信号传输结构电连接，所述辅助电极线两端之间的部分与所述公共电极电连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括设置在所述显示区内且位于所述公共电极所在层和所述衬底基板之间的多条栅线，所述辅助电极线与所述栅线同层设置，所述辅助电极线的延伸方向与所述栅线的延伸方向相同，且所述辅助电极线在所述衬底基板上的正投影与所述栅线在所述衬底基板上的正投影不交叠。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区包括呈阵列排布的多个子像素，每一行所述子像素均对应设置一条所述辅助电极线。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，每一条所述辅助电极线两端之间的部分具有与所述公共电极电连接且间隔设置的多个连接点。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，每一条所述辅助电极线上的相邻两个所述连接点之间间隔相同数量的所述子像素。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，相邻两条所述辅助电极线上的连接点错位设置。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，在每相邻两条所述辅助电极线中，其中一条所述辅助电极线上的一个所述连接点对应于另一条所述辅助电极线上的相邻两个所述连接点之间的中间位置处。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括设置在所述显示区且位于所述栅线所在层和所述公共电极所在层之间的多条数据线，所述公共信号传输结构与所述数据线同层设置。

9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，还包括设置在所述显示区且与所述数据线同层且绝缘设置的多个连接部，每一条所述辅助电极线上的各所述连接点通过对应的所述连接部与所述公共电极电连接。

10.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，还包括：设置在所述栅线所在层和所述数据线所在层之间的层间绝缘层，以及设置在所述数据线所在层和所述公共电极所在层之间的平坦层；

每一条所述辅助电极线上的连接点通过贯穿所述层间绝缘层的第一过孔与对应的所述连接部电连接，所述连接部通过贯穿所述平坦层的第二过孔与所述公共电极电连接；

每一条所述辅助电极线的两端分别通过贯穿所述层间绝缘层的第三过孔与所述公共信号传输结构电连接；

所述公共信号传输结构通过贯穿所述平坦层的第四过孔与所述公共电极电连接。

11.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述子像素包括薄膜晶体管和像素电极，所述像素电极位于所述公共电极所在层远离所述衬底基板的一侧；

所述阵列基板还包括：设置在所述公共电极所在层和所述像素电极所在层之间的钝化层，以及设置在所述栅线所在层和所述衬底基板之间的栅绝缘层；

所述薄膜晶体管包括：设置在所述栅绝缘层和所述衬底基板之间的有源层，与所述栅线同层设置的栅极，以及与所述数据线同层设置的源极和漏极；其中，所述栅线和所述栅极电连接，所述数据线和所述源极电连接，所述像素电极通过依次贯穿所述钝化层、所述公共电极和所述平坦层的第五过孔与所述漏极电连接。

12.如权利要求2-11任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括：设置在所述有源层和所述衬底基板之间的缓冲层，以及设置在所述缓冲层和所述衬底基板之间的遮光层；所述遮光层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影。

13.如权利要求1-11任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述周边区包括：扇形走线区，以及设置在所述扇形走线区远离所述显示区一侧的驱动芯片；所述公共信号传输结构通过位于所述扇形走线区的走线与所述驱动芯片电连接。

14.如权利要求2-11任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括设置在所述栅线两端的第一栅极驱动电路和第二栅极驱动电路，所述第一栅极驱动电路与各所述栅线的第一端电连接，所述第二栅极驱动电路与各所述栅线的第二端电连接。

15.一种显示装置，其特征在于，包括相对设置的阵列基板和对向基板，位于所述阵列基板与所述对向基板之间的液晶层，以及位于所述阵列基板入光侧的背光模组；其中，所述阵列基板为如权利要求1～14任一项所述的阵列基板。

Images