CN115986356B - 一种基于htcc的宽带电桥 - Google Patents

Abstract

本发明适用于3dB电桥技术领域，提供了一种基于HTCC的宽带电桥，所述宽带电桥包括介质基板、主线和次线；所述介质基板中设置有第一耦合腔、第二耦合腔和第三耦合腔，所述第一耦合腔、第二耦合腔与第三耦合腔依次相连；所述主线包括级联连接的第一主耦合线、第二主耦合线和第三主耦合线，所述第一主耦合线远离第二主耦合线的一端设有输入端，所述第三主耦合线远离第二主耦合线的一端设有直通端；所述次线包括级联连接的第一次耦合线、第二次耦合线和第三次耦合线。本发明采用高温共烧陶瓷（HTCC）技术实现小型化电桥的三维集成，采用多节耦合线级联以及三个不同深度的耦合腔配合，实现多频程和超宽带。

Description

一种基于HTCC的宽带电桥

技术领域

本发明属于3dB电桥技术领域，尤其涉及一种基于HTCC的宽带电桥。

背景技术

随着5G通信技术的发展以及普及，随着全球各国对于通信的愈发重视，现在的通信技术正在飞速发展，对于原有的通信网络需要实现5G的全覆盖，原有的4G通信的器件，需要对其进行更新迭代，要替换原有的器件，完善5G通信的频段覆盖，从而满足5G通信的要求。在现代通信系统中，无源器件以其环保无污染、低功耗和可靠性高而被广泛使用。3dB电桥是无源器件中十分常用的器件；例如：在信号合路、分路及功率合成中都用到，并且随着POI(多系统合路平台)市场的不断扩大，对其功率容量也提出了更高的要求。3dB电桥在此运用十分广泛。

如今5G时代来临，通信传输的信号模式越来越多，伴随着的就是对无源器件的带宽有更高的指标，超宽带成为时代的大趋势，除了在通带内要满足常规指标以外，更低的插损、高方向性、大功率、小型化以及便于安装等要求也需要满足。因此，5G通信技术的普及要求我们亟需对现有3dB电桥进行性能的改进，以在满足常规指标以外，提供更低的插损、高方向性、大功率、小型化的设计。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种基于HTCC的宽带电桥，旨在解决传统的3dB电桥在满足常规指标的情况下，存在高插损、方向性差，以及大功率下难以实现小型化中的至少一个缺陷。

本发明实施例是这样实现的，一种基于HTCC的宽带电桥，所述宽带电桥包括介质基板、主线和次线；

所述介质基板中设置有第一耦合腔、第二耦合腔和第三耦合腔，所述第一耦合腔、第二耦合腔与第三耦合腔依次相连；

所述主线包括级联连接的第一主耦合线、第二主耦合线和第三主耦合线，所述第一主耦合线远离第二主耦合线的一端设有输入端，所述第三主耦合线远离第二主耦合线的一端设有直通端；

所述次线包括级联连接的第一次耦合线、第二次耦合线和第三次耦合线，所述第一次耦合线远离第二次耦合线的一端设有耦合端，所述第三次耦合线远离第二次耦合线的一端设有隔离端；

所述第一主耦合线与第一次耦合线宽边耦合于第一耦合腔，第二主耦合线与第二次耦合线宽边耦合于第二耦合腔，第三主耦合线与第三次耦合线侧边耦合于第三耦合腔；

所述主线、次线的不同侧设置有枝节，用于增加宽带电桥的电性能。

本发明实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥，采用高温共烧陶瓷（HTCC）技术实现小型化电桥的三维集成，采用多节耦合线级联以及三个不同深度的耦合腔配合，实现多频程和超宽带；设置的枝节，可以提高宽带电桥的方向性；采用多耦合腔结构的介质基板，便于在介质基板上下双面加载散热结构，来提升散热效果。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的主体结构图；

图2为本发明实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的正视图；

图3为本发明实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的俯视图；

图4为本发明实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的上层结构剖视图；

图6为本发明实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的下层结构剖视图；

图7为本发明实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥剖面示意图一（C向或D向）；

图8为本发明实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥剖面示意图二（C向或D向）；

图9为本发明实施例中铝块的装配示意图；

图10为本发明实施例中同轴连接器的装配示意图；

图11为本发明实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的仿真结果图；

图12为本发明实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的热仿真结果图。

附图中：100、主线；101、第一主耦合线；102、第二主耦合线；103、第三主耦合线；104、输入端；105、直通端；200、次线；201、第一次耦合线；202、第二次耦合线；203、第三次耦合线；204、耦合端；205、隔离端；300、介质基板；310、第一耦合腔；320、第二耦合腔；330、第三耦合腔；340、第一金属接地；350、第二金属接地；401、第一枝节；402、第二枝节；403、第三枝节；404、第四枝节；405、第五枝节；406、第六枝节；407、第七枝节；408、第八枝节；500、同轴连接器；501、法兰；502、铜质探针；503、聚四氟乙烯；600、铝块；610、上层散热板；620、下层散热板；700、壳体；701、下壳；702、上盖。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

以下结合具体实施例对本发明的具体实现进行详细描述。

如图1所示，为本发明实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的主体结构图，包括介质基板300、主线100和次线200；

所述介质基板300中设置有第一耦合腔310、第二耦合腔320和第三耦合腔330，所述第一耦合腔310、第二耦合腔320与第三耦合腔330依次相连；

所述主线100包括级联连接的第一主耦合线101、第二主耦合线102和第三主耦合线103，所述第一主耦合线101远离第二主耦合线102的一端设有输入端104，所述第三主耦合线103远离第二主耦合线102的一端设有直通端105；

所述次线200包括级联连接的第一次耦合线201、第二次耦合线202和第三次耦合线203，所述第一次耦合线201远离第二次耦合线202的一端设有耦合端204，所述第三次耦合线203远离第二次耦合线202的一端设有隔离端205；

所述第一主耦合线101与第一次耦合线201宽边耦合于第一耦合腔310，第二主耦合线102与第二次耦合线202宽边耦合于第二耦合腔320，第三主耦合线103与第三次耦合线203侧边耦合于第三耦合腔330；

所述主线100、次线200的不同侧设置有枝节，用于增加宽带电桥的电性能。

本实施例中，所述主线100、次线200为带状线结构，其各自包括的多节耦合线采用级联连接，结构简单易加工；采用高温共烧陶瓷（HTCC）技术实现小型化的宽带电桥的三维集成，采用多节耦合线级联以及三个不同深度的耦合腔配合，实现多频程和超宽带；设置的枝节，可以增加宽带电桥的电性能，即可以提高宽带电桥的方向性、阻抗匹配、耦合度；采用多耦合腔结构的介质基板300，利于了腔体耦合的功能，耦合度调节方便；也便于在介质基板300上下双面加载散热结构，来提升散热效果；可承载300W的高功率，具有集成度高、体积小、功率容量大等优势；该宽带电桥具有超宽带的特性，包含了中国移动、中国电信、中国联通的5G通信频段。

在一个实施例的示例中，采用四分之一波长作为耦合线线长，从而实现呈带状线结构的主线100或次线200中耦合线的多级联的超宽带特性。

在一个实施例的示例中，所述输入端104、直通端105、耦合端204、隔离端205的特征阻抗为50欧姆；介质基板300的介质材料为介电常数9.5，损耗角正切万分之五的氮化铝，属于高介电常数介质，明显的减小了耦合线的长度，从而达到了减小整体尺寸的需求；具有较高的介电系数和导热系数，可以支撑和满足宽带电桥对高功率和超宽带的设计需求。

在一个实施例的示例中，基于HTCC，采用HTCC工艺（高温共烧陶瓷，HighTemperature Co-fired Ceramic)应用在生产实际中。实践中，随着功率器件特别是第三代半导体的崛起与应用，半导体器件逐渐向大功率、小型化、集成化、多功能等方向发展，对封装基板性能也提出了更高要求。陶瓷基板具有热导率高、耐热性好、热膨胀系数低、机械强度高、绝缘性好、耐腐蚀、抗辐射等特点，在电子器件封装中得到广泛应用。其中共烧多层陶瓷基板由于可将电极材料、基板、电子器件等一次性烧成，实现高度集成，而逐渐在高功率器件封装中推广应用。

其中共烧多层陶瓷基板由许多单片陶瓷基板经过叠层、热压、脱胶、烧结等工艺制成，由于层数可以做得比较多，因此布线密度较高，互连线长度也能尽可能地缩短，组装密度和信号传输速度均得以提高，因此能适应电子整机对电路小型化、高密度、多功能、高可靠、高速度、大功率的要求。特别适合本实施例中的主线100、次线200连接的多级联的耦合线，可以通过调节耦合线的线宽、线厚、在介质层中的深度、空间分布等来使得印制了主线100、次线200的介质基板300的尺寸、密度、可靠性等得到提升，继而提升增加宽带电桥的各方面性能。

因此，本实施例中提供的基于HTCC的宽带电桥，基于HTCC工艺，具有结构强度高、热导率高、化学稳定性好和布线密度高等优点，满足了市场对电路小型化、高密度、多功能、高可靠、高速度、大功率的要求。

如图2、图3所示，在一个实施例中，所述第一耦合腔310、第二耦合腔320和第三耦合腔330中两两腔体间的深度互不相同。

本实施例的一个示例中，第一耦合腔310、第二耦合腔320和第三耦合腔330的腔深不同，可以灵活的提供不同的耦合度，并与设置的合适线长的耦合线结合提高宽带电桥的性能参数；通过ads仿真软件中的LineCalc计算每一节耦合线大致的线宽线厚，同时选取合适的间距让单节耦合线在一个平面，以便加工；且每一节耦合线的电长度为四分之一波长。

第一耦合腔310、第二耦合腔320和第三耦合腔330的腔深可以预先根据设计需求确定，之后，通过调整各节耦合线的线宽、线长和厚度，使得各节耦合线的阻抗匹配；在调整时，可以ads仿真软件中的LineCalc计算出大致的线宽线厚以及耦合线上下的交错距离，确定每一节耦合线的阻抗匹配，最后通过在各耦合线连接处添加补偿枝节（或枝节）改变连接处的相速，提高宽带电桥整体的连续性，改善3dB电桥的驻波、隔离度以及平坦度。

也可以通过仿真模拟确定主线100、次线200中各节耦合线的线宽、线长和厚度等参数，再通过调节第一耦合腔310、第二耦合腔320和第三耦合腔330的腔深，来调节宽带电桥的性能参数，达到设计需求。

在一个示例中，第一主耦合线 101与第一次耦合线201关于y轴中心对称，第二主耦合线102与第二次耦合线202关于y轴中心对称，第三主耦合线103与第三次耦合线203关于y轴中心对称，第一金属接地340与第二金属接地350关于y轴中心对称，如图1所示。

在一个实施例中，所述介质基板300的上下表面设置有接地部，所述接地部包括金属地板、金属片或金属镀层。

优选地，所述接地部采用金属地板，材质可以是铜或铜合金，分别为第一金属接地340和第二金属接地350，如图1所示，第一金属接地340设置在介质基板的上表面；第二金属接地350设置在介质基板的下表面。

在一个实施例中，所述介质基板300的上下表面设置有散热结构，所述散热结构用于散发所述主线和次线工作产生的热量。

本实施例中，设置成双面散热，即可以通过HFSS和Icepak联合仿真，在设定300W的功率条件下，进行热仿真，选取合适大小厚度的散热结构，最后通过该尺寸的散热结构确定器件外壳的大小；实现封装。

在一个实施例的示例中，所述介质基板300为氮化铝陶瓷基板，介电常数为9.5；

所述散热结构包括散热板和铝件，不同尺寸的所述铝件分别抵接设置在所述介质基板300的第一耦合腔310、第二耦合腔320和第三耦合腔330外表面；散热板设置在铝件远离介质基板300一侧的表面。

不同尺寸的所述铝件可以针对不同耦合腔产生的热量，进行灵活的向散热板进行导热和散热调节，保证各散热位置的均衡，不影响性能；也可以将不同耦合腔的厚度补偿为同一厚度，使得整个器件上下平整，可以与散热板更好的接触，便于散热板和整体的安装固定；两个所述散热板分别是上层散热板610和下层散热板620，上层散热板610和下层散热板620分别设在介质基板顶端的铝件的上表面、介质基板底端的铝件的下表面。

如图9所示，在一个示例中，所述铝件可以是铝块600、铝板或铝制翅片，或者是排列设置的多个铝条、铝腔柱等；

具体地，如图12所示，为宽带电桥的热仿真结果图；通过Icepak软件进行热仿真，在器件上下加上散热片（即散热板），因该宽带电桥的介质基板及接地部为不规则地板，在辅加散热片的时候，无法良好的与整个接地部贴合，所以在接地部上方塞入了铝块，使得整个电桥主体上下平整，可以与散热板更好的接触，最高温度如图12所示，仅有22摄氏度，能够承载300W的功率，基本满足高功率需求。

在一个实施例中，所述宽带电桥还包括壳体700，所述壳体700用于封装所述介质基板300、主线100、次线200和散热结构，所述壳体包括上盖702和下壳701，所述上盖702与下壳701可拆卸连接，所述下壳701上设置有凹腔部，用于容纳所述介质基板300。

在本实施例的一个示例中，所述下壳701的两侧壁设置有贯通所述凹腔部的连接孔，所述连接孔上安装有同轴连接器500，所述同轴连接器500伸入所述连接孔中与对应的输入端104、直通端105、耦合端204或隔离端205连接；

四个所述连接孔上安装的同轴连接器500构成输入端口、直通端口、耦合端口以及隔离端口；通过输入端口、直通端口、耦合端口以及隔离端口实现宽带电桥在外部电路上的连接，以及电信号的输入/输出。

如图4、图10所示，本实施例中，所述凹腔部可以是凹槽，且凹槽的顶端开口，该凹槽能够容纳介质基板300、散热结构等；所述连接孔上设置有螺纹孔，所述螺纹孔可以通过螺丝与同轴连接器500包含的法兰501连接固定。所述壳体700起到保护介质基板300和主线100、次线200结构的作用，和对主线100、次线200工作过程中产生的热量进行散热的作用。

在一个示例中，所述上盖702和下壳701的尺寸和形状不作限制，可以通过热仿真的方式确定，具体选择时，介质基板300选用氮化铝陶瓷基板，氮化铝陶瓷基板可以适用HTCC（高温共烧陶瓷）技术，具有良好的的导热系数，使宽带电桥在大功率下实现良好散热；在介质基板300的上下表面设置散热板，或直接选用金属导热板制成为下壳701和/或上盖702；在HFSS 2021软件和Icepak软件里联合仿真进行热仿真，在300W功率下确定合适的散热板尺寸，进而确定壳体700中上盖702和下壳701的尺寸。

在一个示例中，第一金属接地340、第二金属接地350可以采用金属铜，相比较钨，导热效果更好，成本更低，且电性能差别不大。第一金属接地340印刷在介质基板300上表面上，与介质基板300的尺寸等大。

在一个示例中，第二金属接地350与介质基板300的尺寸等大，位于介质基板300下表面，与介质基板300下表面和下壳300接触。此外介质基板300采用氮化铝陶瓷基板（可简称氮化铝基板）可以使主线100和次线200的线长更短；且该介质基板300具有良好的导热系数，辅以散热性能良好的散热板和壳体，散热效果更好，如图4-图8所示。

如图4-图10所示，在一个示例中，所述同轴连接器500包括法兰501，以及通过法兰501固定的铜质探针502和聚四氟乙烯503，所述铜质探针502和聚四氟乙烯503同轴设置；通过法兰501固定连接该同轴连接器500于壳体或介质基板，并使其中的铜质探针502伸入相应的连接孔与对应的输入端104、直通端105、耦合端204或隔离端205进行电性连接；进而实现宽带电桥的电信号的输入/输出。聚四氟乙烯503设置在连接孔或壳体与铜质探针502之间，起到绝缘的作用。

如图1所示，在一个示例中，所述输入端104、直通端105、耦合端204以或隔离端205的端部与同轴连接器500之间连接有传输线，各端部通过传输线与所述同轴连接器500实现电连接。

如图1、图2所示，在一个实施例中，所述主线100中的各耦合线之间按照切角方式连接，所述次线200中的各耦合线之间按照切角方式连接。

本实施例中，一般地，未处理的耦合线间的连接是直角拐弯，拐角处的电场强度比导线其他地方都要强，这一定会影响导线性能；这是由于导线拐角的面积是比均匀直线面积大，所以会存在传输不连续的效应，在各耦合线的端部的拐角处形成电荷积聚，导致电容增大，特性阻抗降低，为了消除这个效应，所以将各耦合线的端部的拐角处进行切角，通常是45°斜切，通过调整斜边长让电路性能更好。

在一个示例中，可以将耦合线外端连接的传输线的拐角处进行切角，通常是45°斜切，通过调整斜边长让电路性能更好。

如图1-图3所示，在一个实施例中，所述枝节包括：第一枝节401、第二枝节402、第三枝节403、第四枝节404、第五枝节405、第六枝节406、第七枝节407以及第八枝节408；

所述第一枝节401、第二枝节402间隔设置在所述第一主耦合线101靠近输入端104的一侧，所述第三枝节403设置在第二主耦合线102靠近耦合端204的一侧，所述第四枝节404设置在第三主耦合线103靠近耦合端204的一侧；

所述第五枝节405、第六枝节406间隔设置在所述第一次耦合线201靠近耦合端204的一侧，所述第七枝节407设置在第二次耦合线202靠近输入端104的一侧，所述第八枝节408设置在第三次耦合线203靠近输入端104的一侧。

本实施例中，通过调节在弱耦合区的各枝节的尺寸大小可以改善基于HTCC的宽带电桥的连续性，从而提高驻波和隔离，也可以通过调节在强耦合区的枝节来提高宽带电桥的定向性，实现电性能的达标。

为了使基于HTCC的宽带电桥的性能达标，可以通过奇偶模分析的方式，对主线100、次线200和传输线的线宽、尺寸进行优化；

本实施例在实践中，针对对HTCC技术的应用设计过程中的宽带问题，介质基板300在结构为上下两层地板、三节耦合线以及对应的三个不同深度的耦合腔，三节耦合线上的不同侧设置枝节，一共四个；整个腔体中主线100是由输入端104与强耦合的第一主耦合线101连接，然后依次连接松耦合的第二主耦合线102以及松耦合的第三主耦合线103；并外接同轴连接器，即通过法兰固定铜质探针，通过铜质探针与传输线连接，实现输入/输出；次线200采用相同的连接方式。针对HTCC技术设计的小型化以及高功率需求，使用介电常数为9.5、损耗角正切为万分之五的介质材料，即氮化铝陶瓷基板作为介质基板300，从而做到高功率容量，并可明显减小耦合线的长度，从而达到了减小宽带电桥的整体尺寸的需求。针对HTCC技术设计下高功率伴随的散热问题，采用的是高导热率的材料氮化铝，同时采用的带状线结构的主线100、次线200，所以可以在介质基板300的上下面添加铝质或铜质的散热片进行散热，对于散热片的大小以及厚度可以通过HFSS和Icepak软件联合仿真，在设定300W的功率条件下，进行热仿真，最后选取合适大小厚度的散热片，记录该尺寸并通过该尺寸的散热片确定壳体700的大小。针对HTCC技术设计下多节不对称3dB电桥，通过奇偶模分析得出每一节耦合线的奇模和偶模，然后通过ads仿真软件中的LineCalc计算出大致的线宽、线厚以及耦合线上下的交错距离，确定每一节耦合线的阻抗匹配，最后通过在各耦合线的连接处添加枝节改变连接处的相速，提高整体的连续性，改善3dB电桥的驻波、隔离度以及平坦度。

此外，一个示例中，第一耦合腔310为紧耦合腔，耦合方式是宽边耦合，也就是耦合系数最高，耦合腔最深的第一节。第一主耦合线101的下侧连接第一枝节401，紧接着连接第二枝节402。然后第一主耦合线101连接第二主耦合线102，第二主耦合线102仍然是宽边耦合，但是耦合面积减小，同时耦合度也相应减少。同时，在第二主耦合线102上方加入第三枝节403。然后第二主耦合线102与第三主耦合线103连接，第三主耦合线103采用的是侧边耦合，属于弱耦合，相应的第三耦合腔330是最浅的。同时也在第三主耦合线103上方加入第四枝节404。

第一次耦合线201的上侧连接第五枝节405，紧接着连接第六枝节406。然后第一次耦合线201连接第二次耦合线202，第二次耦合线202仍然是宽边耦合，但是耦合面积减小，同时耦合度也相应减少。同时，在第二次耦合线202下方加入第气枝节407。然后第二次耦合线202与第三次耦合线203连接，第三次耦合线203采用的是侧边耦合，属于弱耦合，相应的第三耦合腔330是最浅的。同时也在第三次耦合线203下方加入第八枝节408。

该基于HTCC的宽带电桥，在设计时不需要大量工程经验和精确的预设参数。基于HTCC技术下可以采用的氮化铝陶瓷基板的介电常数高，设计尺寸更小；HTCC技术下，采用介电常数为9.5，损耗角正切为0.0005的氮化铝介质基板，相比较大功率下的腔体耦合器，尺寸更小，符合了当今电子产品小型化的趋势。HTCC技术下的氮化铝陶瓷基板具有良好的的导热系数，使宽带电桥在高功率下实现良好散热。加载的枝节可以采用矩形形状，相比较锯齿形和波浪形枝节更容易加工；通过加载枝节增加三阶非对称基于HTCC的宽带电桥在通带内的方向性。采用侧边耦合和带状线结构，结构简单，便于加工；采用三节耦合线级联设计，实现了超宽带性能要求，满足了市场上各个频段的使用要求。HTCC技术下，主线、次线通过采用带状线结构，可以便于在介质基板300的双面加载散热结构，增加散热，使主线、次线在高功率下稳定工作。

在一个示例中，由于多节耦合线之间相邻的耦合线线宽不同，连接处的能量传输不连续，会导致产生寄生电感，导致高频段的方向性性能不够优良，可以加载枝节；加载（或设置）的枝节可以是矩形枝节；根据仿真结果可以加载在强耦合区，通过调节枝节的大小改变其奇偶模相速，增加其方向性；可以加载在弱耦合区，通过调节枝节的尺寸大小改善连续性，从而提高驻波和隔离指标。通过奇偶模分析，通过添加枝节，相当于添加一个并联电容起到与之匹配的作用，进而改善方向性。

本实施例进行仿真的结果参见图11、图12，是得到的宽带电桥的S性能图、热仿真图，可以看到，从仿真结果得知，输入端回波损耗S11小于-24dB；直通端插入损耗S21小于3.45dB；耦合端耦合度S31在3±0.71dB的波动范围内；隔离端隔离度S41小于-27dB；该基于HTCC的宽带电桥能够满足市场的灵活需求。

在图12中，通过Icepak软件进行热仿真，在介质基板300上下表面设置散热板，因该宽带电桥的介质基板300的耦合腔的腔深不一，整体为不规则的，在设置散热板的时候，无法良好的与整个介质基板300贴合，所以在介质基板300上下塞入了铝块600，使得整个介质基板300上下平整，可以与散热板更好的接触，最高温度如图12所示，仅有22℃，能够承载300W的功率，基本满足宽带电桥的高功率需求。

本发明上述实施例中提供了一种基于HTCC的宽带电桥，所述主线、次线为带状线结构，多耦合线采用级联连接，结构简单易加工；采用高温共烧陶瓷（HTCC）技术实现小型化的宽带电桥的三维集成，采用多节耦合线级联以及三个不同深度的耦合腔配合，实现多频程和超宽带；设置的枝节，可以增加宽带电桥的电性能，即可以提高宽带电桥的方向性、阻抗匹配、耦合度；采用多耦合腔结构的介质基板，便于在介质基板的上下双面加载散热结构，来提升散热效果。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种基于HTCC的宽带电桥，所述宽带电桥包括介质基板、主线和次线；其特征在于，

所述介质基板中设置有第一耦合腔、第二耦合腔和第三耦合腔，所述第一耦合腔、第二耦合腔与第三耦合腔依次相连；

所述主线包括级联连接的第一主耦合线、第二主耦合线和第三主耦合线，所述第一主耦合线远离第二主耦合线的一端设有输入端，所述第三主耦合线远离第二主耦合线的一端设有直通端；

所述次线包括级联连接的第一次耦合线、第二次耦合线和第三次耦合线，所述第一次耦合线远离第二次耦合线的一端设有耦合端，所述第三次耦合线远离第二次耦合线的一端设有隔离端；

所述第一主耦合线与第一次耦合线宽边耦合于第一耦合腔，第二主耦合线与第二次耦合线宽边耦合于第二耦合腔，第三主耦合线与第三次耦合线侧边耦合于第三耦合腔；

所述主线、次线的不同侧设置有枝节，用于增加宽带电桥的电性能；

所述第一耦合腔、第二耦合腔和第三耦合腔中两两腔体间的深度互不相同；

所述介质基板的上下表面设置有散热结构，所述散热结构用于散发所述主线和次线工作产生的热量；

所述介质基板为氮化铝陶瓷基板，介电常数为9.5；

所述散热结构包括散热板和铝件，不同尺寸的所述铝件分别抵接设置在所述介质基板的第一耦合腔、第二耦合腔和第三耦合腔外表面；散热板设置在铝件远离介质基板一侧的表面。

2.根据权利要求1所述的基于HTCC的宽带电桥，其特征在于，所述介质基板的上下表面设置有接地部，所述接地部包括金属地板、金属片或金属镀层。

3.根据权利要求1所述的基于HTCC的宽带电桥，其特征在于，所述宽带电桥还包括壳体，所述壳体用于封装所述介质基板、主线、次线和散热结构。

4.根据权利要求3所述的基于HTCC的宽带电桥，其特征在于，所述壳体包括上盖和下壳，所述上盖与下壳可拆卸连接，所述下壳上设置有凹腔部，用于容纳所述介质基板。

5.根据权利要求4所述的基于HTCC的宽带电桥，其特征在于，所述下壳的两侧壁设置有贯通所述凹腔部的连接孔，所述连接孔上安装有同轴连接器，所述同轴连接器伸入所述连接孔中与对应的输入端、直通端、耦合端或隔离端连接。

6.根据权利要求1所述的基于HTCC的宽带电桥，其特征在于，所述主线中的各耦合线之间按照切角方式连接，所述次线中的各耦合线之间按照切角方式连接。

7.根据权利要求1所述的基于HTCC的宽带电桥，其特征在于，所述枝节包括：第一枝节、第二枝节、第三枝节、第四枝节、第五枝节、第六枝节、第七枝节以及第八枝节；

所述第一枝节、第二枝节间隔设置在所述第一主耦合线靠近输入端的一侧，所述第三枝节设置在第二主耦合线靠近耦合端的一侧，所述第四枝节设置在第三主耦合线靠近耦合端的一侧；

所述第五枝节、第六枝节间隔设置在所述第一次耦合线靠近耦合端的一侧，所述第七枝节设置在第二次耦合线靠近输入端的一侧，所述第八枝节设置在第三次耦合线靠近输入端的一侧。

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