CN115965230A - 一种晶圆制程良率分析方法、设备及系统 - Google Patents
一种晶圆制程良率分析方法、设备及系统 Download PDFInfo
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Abstract
本申请公开了一种晶圆制程良率分析方法、设备及系统,用以快速确定导致产生缺陷半导体产品的原因,从而可以提高半导体产品良率的提升速度。本申请提供的一种晶圆制程良率分析方法,包括:确定缺陷晶圆批次的至少一种失效类型,并确定每一失效类型对应的多个缺陷半导体产品;针对每一失效类型,利用该失效类型对应的多个缺陷半导体产品的制程历史记录,确定多个缺陷半导体产品的混合制程;其中,所述混合制程包括至少两种制程的组合;并且,根据所述多个缺陷半导体产品的混合制程,生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种晶圆制程良率分析方法、设备及系统。
背景技术
关于半导体产品的良率问题,需要通过电性失效分析、物性失效分析、相关可能的(risk)制程推断、机台运行历史记录查询等进行良率问题分析确认,一周或者数周、数月才能找到这个问题的关键所在,浪费人力物力和时间成本,并且先进的DRAM制程有上千多道,导致非常耗费时间和人力,严重拖延了半导体产品良率的提升速度。
发明内容
本申请实施例提供了一种晶圆制程良率分析方法、设备及系统,用以快速确定导致产生缺陷半导体产品的原因,从而可以提高半导体产品良率的提升速度。
本申请实施例提供的一种晶圆制程良率分析方法,包括:
确定缺陷晶圆批次的至少一种失效类型,并确定每一失效类型对应的多个缺陷半导体产品;
针对每一失效类型,利用该失效类型对应的多个缺陷半导体产品的制程历史记录,确定多个缺陷半导体产品的混合制程;其中,所述混合制程包括至少两种制程的组合;并且,根据所述多个缺陷半导体产品的混合制程,生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息。
通过该方法,确定缺陷半导体产品的至少一种失效类型,并确定每一失效类型对应的多个缺陷半导体产品;针对每一失效类型,利用该失效类型对应的多个缺陷半导体产品的制程历史记录,确定多个缺陷半导体产品的混合制程;其中,所述混合制程包括至少两种制程的组合;并且,根据所述多个缺陷半导体产品的混合制程,生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息,从而可以针对任一失效类型,快速确定导致产生该失效类型的缺陷半导体产品的原因,进而可以提高半导体产品良率的提升速度。
在一些实施方式中,针对每一失效类型,根据所述多个缺陷半导体产品的混合制程,生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息,包括:
针对每一失效类型:
对于该失效类型下的任一缺陷半导体产品对应的任一混合制程,根据该混合制程中的制程对应的预设权重,确定该混合制程的得分;
根据所述多个缺陷半导体产品的多个混合制程的得分,生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息。
在一些实施方式中,当存在不同的缺陷半导体产品对应相同的混合制程时,对于所述不同的缺陷半导体产品所对应的相同的混合制程,确定共同的得分。
在一些实施方式中,任一所述缺陷半导体产品的混合制程,包括制备该缺陷半导体产品的连续的第一制程和第二制程,其中,所述第一制程是所述第二制程的前道制程。
在一些实施方式中,针对每一失效类型,对于该失效类型下的任一缺陷半导体产品对应的任一混合制程,利用该混合制程中的第一制程对应的权重,确定该混合制程的得分。
在一些实施方式中,根据不同的失效类型,和/或,不同类别的制程,预先设置所述权重。
在一些实施方式中,同一失效类型对应的同一类别的制程的预设权重相同。
在一些实施方式中,针对每一失效类型,根据所述多个缺陷半导体产品的多个混合制程的得分,生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息,包括:
针对每一失效类型,将所述多个缺陷半导体产品的多个混合制程的得分,由高到低进行排序,将得分最高的混合制程的信息,作为该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息。
在一些实施方式中,所述方法还包括:
生成对所述得分最高的混合制程对应的半导体生产设备进行调整的指示信息,和/或,对所述得分最高的混合制程进行调整的指示信息。
在一些实施方式中,所述方法还包括:
将已经进行了所述得分最高的混合制程的半导体产品设置标记;
对半导体产品进行良率测试时,对于存在所述标记的缺陷半导体产品,将所述得分最高的混合制程的信息,作为该存在所述标记的缺陷半导体产品的产生原因信息。
在一些实施方式中,所述制程历史记录,包括同一机台的制程历史记录,或多个机台的制程历史记录;
所述产生原因信息,包括混合制程信息和/或混合制程对应的机台信息。
本申请另一实施例提供了一种计算设备,其包括存储器和处理器,其中,所述存储器用于存储程序指令,所述处理器用于调用所述存储器中存储的程序指令,按照获得的程序执行上述任一种方法。
本申请另一实施例提供了一种晶圆制程良率分析系统,包括所述的计算设备。
此外,根据实施例,例如提供了一种用于计算机的计算机程序产品,其包括软件代码部分,当所述产品在计算机上运行时,这些软件代码部分用于执行上述所定义的方法的步骤。该计算机程序产品可以包括在其上存储有软件代码部分的计算机可读介质。此外,该计算机程序产品可以通过上传过程、下载过程和推送过程中的多个经由网络直接加载到计算机的内部存储器中和/或发送。
本申请另一实施例提供了一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令,所述计算机可执行指令用于使所述计算机执行上述任一种方法。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅是本申请的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种晶圆制程良率分析方法的流程示意图;
图2为本申请实施例提供的DRAM制程示意图;
图3为本申请实施例提供的制程的权重设置示意图;
图4为本申请实施例提供的不良产品的混合制程记录示意图;
图5为本申请实施例提供的混合制程的得分结果统计排序示意图;
图6为本申请实施例提供的产品标记示意图;
图7为本申请实施例提供的带有标记的产品进行良率测试的示意图;
图8为本申请实施例提供的晶圆组级别的混合制程记录示意图;
图9为本申请实施例提供的晶圆级别的混合制程记录示意图;
图10为本申请实施例提供的另一晶圆组级别的混合制程记录示意图;
图11为本申请实施例提供的一种晶圆制程良率分析装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,并不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供了一种晶圆制程良率分析方法、设备及系统,用以快速确定导致产生缺陷半导体产品的原因,从而可以提高半导体产品良率的提升速度。
其中,方法和设备、系统是基于同一申请构思的,由于方法和设备、系统解决问题的原理相似,因此设备、系统和方法的实施可以相互参见,重复之处不再赘述。
本申请实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等(如果存在)是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
以下示例和实施例将只被理解为是说明性的示例。虽然本说明书可能在若干处提及“一”、“一个”或“一些”示例或实施例,但这并非意味着每个这种提及都与相同的示例或实施例有关,也并非意味着该特征仅适用于单个示例或实施例。不同实施例的单个特征也可以被组合以提供其他实施例。此外,如“包括”和“包含”的术语应被理解为并不将所描述的实施例限制为仅由已提及的那些特征组成;这种示例和实施例还可以包含并未具体提及的特征、结构、单元、模块等。
下面结合说明书附图对本申请各个实施例进行详细描述。需要说明的是,本申请实施例的展示顺序仅代表实施例的先后顺序,并不代表实施例所提供的技术方案的优劣。
关于半导体制造的良率问题,很多都是由单一机台产生问题导致的,但是也有例外,利用共同机台查询系统无法找到问题的根源。在一些半导体产品良率案例中,发现机台的前道制程会对接下来的制程产生影响,因此,本申请实施例中,利用数据记录,对前后制程组合的共通性(例如制程A后搭配制程B的组合)进行判断检测,查询到是哪一种机台的哪一种混合制程导致的良率问题。
本申请实施例中,涉及半导体产品制造中良率问题的原因确定,对于来自单一机台问题或多个机台问题导致的半导体产品良率损失,可以通过查询机台混合制程(包括至少两道制程,所述至少两道制程可以由同一个机台进行的,也可以由多个机台进行)的记录,确定是哪一特殊制程组合导致的缺陷半导体产品,从而解决了难以解决的半导体产品低良率问题。
参见图1,本申请实施例提供的一种晶圆制程良率分析方法,包括:
S101、确定缺陷半导体产品的至少一种失效类型,并确定每一失效类型对应的多个缺陷半导体产品;
S102、针对每一失效类型,利用该失效类型对应的多个缺陷半导体产品的制程历史记录,确定多个缺陷半导体产品的混合制程;其中,所述混合制程包括至少两种制程的组合;并且,根据所述多个缺陷半导体产品的混合制程,生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息。
例如,首先确定缺陷半导体产品(lot、wafer)列表,并进行失效类型分类,确定每一失效类型对应的缺陷半导体产品列表,并针对每一失效类型的缺陷半导体产品列表,生成对应的混合制程记录,其中,进一步还可以利用混合制程记录,找到多个缺陷半导体产品共同的混合制程。针对每一失效类型,利用混合制程记录,生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息。后续例如可以通过禁止有问题的混合制程的搭配组合,解决良率上的问题,并且可以持续检测此类问题的发生。
因此,本申请实施例通过该方法可以针对任一失效类型,利用所述制程历史记录确定的多个缺陷半导体产品的混合制程,快速确定导致产生该失效类型的缺陷半导体产品的原因,进而可以提高半导体产品良率的提升速度。其中,同一混合制程可以来自同一机台,也可以来自不同机台。
例如,通过该方法确定进行了前道制程m后,会对紧接的制程n产生影响,导致缺陷半导体产品的产生,并且还可以分别确定制程m、制程n对应的机台,进一步分析是否是机台的问题。
在一些实施方式中,针对每一失效类型,根据所述多个缺陷半导体产品的混合制程,生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息,包括:
针对每一失效类型:
对于该失效类型下的任一缺陷半导体产品对应的任一混合制程,根据该混合制程中的制程对应的预设权重,确定该混合制程的得分;
根据所述多个缺陷半导体产品的多个混合制程的得分,生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息。
其中,同一产品可以对应多种制程组合,例如对于缺陷半导体产品lot A,可以对应制程(process)1和前道制程process2的组合,还对应有process3和前道制程process10的组合。
在一些实施方式中,当存在不同的缺陷半导体产品对应相同的混合制程时,对于所述不同的缺陷半导体产品所对应的相同的混合制程,确定共同的得分。
在一些实施方式中,任一所述缺陷半导体产品的混合制程,包括制备该缺陷半导体产品的连续的第一制程和第二制程,其中,所述第一制程是所述第二制程的前道制程。例如,制备缺陷半导体产品Lot B的连续的第一制程和第二制程分别为process1和process2。
在一些实施方式中,针对每一失效类型,对于该失效类型下的任一缺陷半导体产品对应的任一混合制程,利用该混合制程中的第一制程对应的权重,确定该混合制程的得分。
在一些实施方式中,根据不同的失效类型,和/或,不同类别的制程,预先设置所述权重。
也就是说,本申请实施例可以根据半导体产品的失效类型、制程分类等任何一种或多种因素,为制程设置相应的权重。
在一些实施方式中,同一失效类型对应的同一类别的制程的预设权重相同。例如,失效类型BL对应的AA制程的预设权重都是相同的值,其中AA制程包括第1道~第i道制程,例如第1道~第30道制程,即第1道~第30道制程的权重都是相同的。
在一些实施方式中,针对每一失效类型,根据所述多个缺陷半导体产品的多个混合制程的得分,生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息,包括:
针对每一失效类型,将所述多个缺陷半导体产品的多个混合制程的得分,由高到低进行排序,将得分最高的混合制程的信息,作为该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息。
在一些实施方式中,所述方法还包括:
生成对所述得分最高的混合制程对应的半导体生产设备进行调整的指示信息,和/或,对所述得分最高的混合制程进行调整的指示信息。
在一些实施方式中,所述方法还包括:
将已经进行了所述得分最高的混合制程的半导体产品设置标记;
对半导体产品进行良率测试时,对于存在所述标记的缺陷半导体产品,将所述得分最高的混合制程的信息,作为该存在所述标记的缺陷半导体产品的产生原因信息。
在一些实施方式中,所述制程历史记录,包括同一机台的制程历史记录,或多个机台的制程历史记录;
所述产生原因信息,包括混合制程信息和/或混合制程对应的机台信息。
从而,可以查询到是哪一种机台的哪一种混合制程导致了半导体产品的良率问题。
下面给出一个具体实施例的举例说明。
例如,本申请实施例提供的一种晶圆制程良率分析处理方法,包括以下步骤:
步骤一、DRAM制程及机型组合全面的分析。
举例:如图2所示,蚀刻机台可以进行第一制程、第二制程、第三制程、第四制程…里面的蚀刻制程,并且是随机的,比如机台先进行第一制程蚀刻制程,再进行第二制程,紧接着进行第三制程…,在实际情况中会出现每种机台会有500~7000种前后组合制程,因此先确定整个制程中所有机台中每一机台可能出现的制程组合。
步骤二、DRAM失效机制有很多种,假设分别如:失效类型A、失效类型B、失效类型C、失效类型D、失效类型E、失效类型F等失效类型,不同类别的制程、失效类型的不同,分别设置相应的权重,从而可以根据失效类型,制程所属类别,判断相关制程的权重占比,例如图3所示。
不同字节失效类型,对应的有可能的制程不同,可见,本申请实施例可以利用权重排除一些完全不可能的制程。图3中,同一制程可以对应多个子制程,例如第一制程,可以包括第1道制程~第30道制程;第二制程,可以包括第31道制程~第70道制程,其他同理。那么也就是说,同一失效类型下,多个制程可以对应同一权重,例如对于失效类型A,第1道制程~第30道制程对应的权重都是a1。
步骤三、根据失效类型,确定不良产品列表。
例如,一个失效类型下的不良产品列表包括:Lot A、Lot B、Lot C、Lot D、Lot E。
步骤四、利用机台制程历史记录(Launcher run sheet),生成不良产品的制程历史记录,进而生成不良产品的混合制程记录。例如图4所示,针对不良产品Lot A、Lot B、LotC、Lot D、Lot E,生成每一制程与前道制程的混合制程记录。
并且,利用混合制程记录,进行前道制程分析,具体地,例如可以利用条件统计(COUNTIF)函数,结合前道制程的权重比例,统计出各个混合制程(即制程组合)的得分。
例如,参见图4,对于一个失效类型的产品,制备该失效类型的产品的制程包括n道,那么整理出该失效类型的产品对应的每一混合制程(一个制程与其前道制程的组合)的得分。
其中,在一些实施例中,对于不同的半导体产品的相同的混合制程,可以所述相同的混合制程生成共同的得分,如图4所示,例如制程2的前道制程(pre process),有2批lot(分别为Lot B和Lot C),在制程2之前,机台进行了制程1,假设制程1~制程30都属于图3中所示的第一制程的子制程,因此制程1的权重是a1,那么该混合制程(制程2与作为制程2的前道制程的制程1的组合)得分就是2*a1,其中的2表示有2批lot产品,说明机台先进行制程1,再进行制程2,这种组合的得分3*a1,得分越高,有问题的可能性越高。
步骤五、进行混合制程的得分结果统计排序。
排序结果例如图5所示,可见制程n与制程n的前道制程——制程m,例如制程m是属于第一制程下的子制程,例如制程10,那么此时组合的得分最高,即5*a1分,也就是说该混合制程最有可能是导致存在不良产品的原因。其中n为大于1的整数。当然制程m也可能是属于第二制程、第三制程、第四制程下……具体某一子制程,根据具体权重进行计算组合的得分即可。
需要说明的是,本申请实施例中可以将得分最高的混合制程作为分析结果输出,也可以将得分最高的多个混合制程(例如排序前三的组合)作为分析结果输出。
步骤六、得出结论并找到良率问题的原因。
例如图5所示,某种机台在前道进行制程m后,会对紧接的制程n产生不良影响,造成产生不良产品的良率问题,在后面的生产过程中,可以禁止在制程m后进行制程n,换成其他制程,或者,替换掉制程m和/或制程n相应的机台等,解决此类良率问题。
步骤七、根据结论对未来良率上的同类问题进行监控。
例如,根据上述过程分析,得到某种机台在前道进行制程m(例如如图5中模拟的制程10)后,会对紧接的制程n产生不良影响,造成这种良率问题后,对已经进行这种组合的lot进行标记,如图6所示,当这些lot进行良率测试时,若出现相同的不良产品问题,则可以认定是已知问题,并且生成产品失效原因(该混合制程的信息、该混合制程涉及的机台信息)、失效类型等,如图7所示。
下面再给出几个具体的举例说明。
实施例一、单片晶圆(wafer)的低良率问题,例如1批lot(晶圆组),有25片wafer,其中只有1片低良率,即只有1片晶圆是不良产品。
那么该实施例中的方法包括:
步骤一、确定不良产品(Bad lot/bad wafer)。
对于每一晶圆组,不良晶圆(Bad wafer)单片且随机,不固定是哪一片晶圆存在不良问题。
通过物性失效分析(PFA),确定存在位线和位线短路问题。
步骤二、整理不良晶圆组的制程历史记录。
步骤三、系统的进行前道制程分析:
这个实施例有PFA结果,可以根据PFA结果锁定位线相关的制程。
步骤四、进行分数统计排序。
例如,本实施例中,针对不良的晶圆组和不良晶圆分别进行混合制程得分统计,并排序。并且,晶圆组级别(Lot level)的混合制程的得分最高是3分。
例如,图8所示为晶圆组级别的混合制程记录。其中第一个表格展示了机台101先对lot G进行第一制程,然后紧接着在101机台上对lot A进行第二制程。图8所示的其他产品的混合制程同理,不再赘述。
例如,图9所示为晶圆级别的混合制程记录。其中第一个表格展示了机台腔体101G对Wafer G先进行第三制程,然后紧接着wafer A在101A腔体上进行了第二制程。图9所示的其他产品的混合制程同理,不再赘述。
步骤五、得到结论并找到良率问题的原因。
本步骤中,发现不良产品在进行第二制程之前,机台进行了第三制程。
实施例二、
本实施例假设对失效类型C的原因确定方法包括如下步骤:
步骤一、确定不良产品(Bad lot/bad wafer)。
例如,一个晶圆组中,前六片或前四片晶圆不良。
步骤二、整理不良晶圆组的制程历史记录。
步骤三、系统的进行前道制程分析。
这个实施例有PFA都切不到,即物性失效分析没有结果,找不出来实际的物性失效分析。
步骤四、进行混合制程的分数统计排序。
例如,本实施例中的不良晶圆组的混合制程记录参见图10,其中第一个表格示出了机台104用lot G进行第四制程,然后紧接着lot A在104机台上进行了第五制程。图10所示的其他产品的混合制程同理,不再赘述。
步骤五、得到结论并找到良率问题的原因。
本实施例发现在某种机型进行第四制程后,进行第五制程,会产生失效类型C的问题。
那么,例如,可以将第五制程单独用一个机台进行制程,不和其他制程混合,以此来解决这个问题。
下面介绍一下本申请实施例提供的设备或装置,其中与上述方法中所述的相同或相应的技术特征的解释或举例说明,后续不再赘述。
参见图11,本申请另一实施例提供了一种计算设备,包括:
处理器600,用于读取存储器620中的程序,执行下列过程:
确定缺陷晶圆批次的至少一种失效类型,并确定每一失效类型对应的多个缺陷半导体产品;
针对每一失效类型,利用该失效类型对应的多个缺陷半导体产品的制程历史记录,确定多个缺陷半导体产品的混合制程;其中,所述混合制程包括至少两种制程的组合;并且,根据所述多个缺陷半导体产品的混合制程,生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息。
在一些实施方式中,针对每一失效类型,根据所述多个缺陷半导体产品的混合制程,生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息,包括:
针对每一失效类型:
对于该失效类型下的任一缺陷半导体产品对应的任一混合制程,根据该混合制程中的制程对应的预设权重,确定该混合制程的得分;
根据所述多个缺陷半导体产品的多个混合制程的得分,生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息。
在一些实施方式中,当存在不同的缺陷半导体产品对应相同的混合制程时,对于所述不同的缺陷半导体产品所对应的相同的混合制程,确定共同的得分。
在一些实施方式中,任一所述缺陷半导体产品的混合制程,包括制备该缺陷半导体产品的连续的第一制程和第二制程,其中,所述第一制程是所述第二制程的前道制程。
在一些实施方式中,针对每一失效类型,对于该失效类型下的任一缺陷半导体产品对应的任一混合制程,利用该混合制程中的第一制程对应的权重,确定该混合制程的得分。
在一些实施方式中,根据不同的失效类型,和/或,不同类别的制程,预先设置所述权重。
在一些实施方式中,同一失效类型对应的同一类别的制程的预设权重相同。
在一些实施方式中,针对每一失效类型,根据所述多个缺陷半导体产品的多个混合制程的得分,生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息,包括:
针对每一失效类型,将所述多个缺陷半导体产品的多个混合制程的得分,由高到低进行排序,将得分最高的混合制程的信息,作为该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息。
在一些实施方式中,处理器600,还用于读取存储器620中的程序,执行下列过程:
生成对所述得分最高的混合制程对应的半导体生产设备进行调整的指示信息,和/或,对所述得分最高的混合制程进行调整的指示信息。
在一些实施方式中,处理器600,还用于读取存储器620中的程序,执行下列过程:
将已经进行了所述得分最高的混合制程的半导体产品设置标记;
对半导体产品进行良率测试时,对于存在所述标记的缺陷半导体产品,将所述得分最高的混合制程的信息,作为该存在所述标记的缺陷半导体产品的产生原因信息。
在一些实施例中,所述计算设备还包括收发机610,用于在处理器600的控制下接收和发送数据。
其中,在图11中,总线架构可以包括任意数量的互联的总线和桥,具体由处理器600代表的一个或多个处理器和存储器620代表的存储器的各种电路链接在一起。总线架构还可以将诸如外围设备、稳压器和功率管理电路等之类的各种其他电路链接在一起,这些都是本领域所公知的,因此,本文不再对其进行进一步描述。总线接口提供接口。收发机610可以是多个元件,即包括发送机和接收机,提供用于在传输介质上与各种其他装置通信的单元。
在一些实施例中,所述计算设备还包括用户接口630,用户接口630可以是能够外接内接需要设备的接口,连接的设备包括但不限于小键盘、显示器、扬声器、麦克风、操纵杆等。
处理器600负责管理总线架构和通常的处理,存储器620可以存储处理器600在执行操作时所使用的数据。
在一些实施例中,处理器600可以是CPU(中央处埋器)、ASIC(ApplicationSpecific Integrated Circuit,专用集成电路)、FPGA(Field-Programmable GateArray,现场可编程门阵列)或CPLD(Complex Programmable Logic Device,复杂可编程逻辑器件)。
本申请实施例提供的计算设备,该计算设备具体可以为桌面计算机、便携式计算机、智能手机、平板电脑、个人数字助理(Personal Digital Assistant,PDA)等。该计算设备可以包括中央处理器(Center Processing Unit,CPU)、存储器、输入/输出设备等,输入设备可以包括键盘、鼠标、触摸屏等,输出设备可以包括显示设备,如液晶显示器(LiquidCrystal Display,LCD)、阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT)等。
存储器可以包括只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM),并向处理器提供存储器中存储的程序指令和数据。在本申请实施例中,存储器可以用于存储本申请实施例提供的任一所述方法的程序。
处理器通过调用存储器存储的程序指令,处理器用于按照获得的程序指令执行本申请实施例提供的任一所述方法。
本申请另一实施例提供了一种晶圆制程良率分析系统,包括所述的计算设备。
本申请实施例还提供了一种计算机程序产品或计算机程序,该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令,该计算机指令存储在计算机可读存储介质中。计算机设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令,处理器执行该计算机指令,使得该计算机设备执行上述实施例中的任一所述方法。所述程序产品可以采用一个或多个可读介质的任意组合。可读介质可以是可读信号介质或者可读存储介质。可读存储介质例如可以是——但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件,或者任意以上的组合。可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括:具有一个或多个导线的电连接、便携式盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。
本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质,用于储存为上述本申请实施例提供的装置所用的计算机程序指令,其包含用于执行上述本申请实施例提供的任一方法的程序。所述计算机可读存储介质,可以是非暂时性计算机可读介质。
所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或数据存储设备,包括但不限于磁性存储器(例如软盘、硬盘、磁带、磁光盘(MO)等)、光学存储器(例如CD、DVD、BD、HVD等)、以及半导体存储器(例如ROM、EPROM、EEPROM、非易失性存储器(NANDFLASH)、固态硬盘(SSD))等。
应当理解:
通信网络中的实体经由其往来传送流量的接入技术可以是任何合适的当前或未来技术,诸如可以使用WLAN(无线本地接入网络)、WiMAX(微波接入全球互操作性)、LTE、LTE-A、5G、蓝牙、红外等;另外,实施例还可以应用有线技术,例如,基于IP的接入技术,如有线网络或固定线路。
适合于被实现为软件代码或其一部分并使用处理器或处理功能运行的实施例是独立于软件代码的,并且可以使用任何已知或未来开发的编程语言来规定,诸如高级编程语言,诸如objective-C、C、C++、C#、Java、Python、Javascript、其他脚本语言等,或低级编程语言,诸如机器语言或汇编程序。
实施例的实现是独立于硬件的,并且可以使用任何已知或未来开发的硬件技术或其任何混合来实现,诸如微处理器或CPU(中央处理单元)、MOS(金属氧化物半导体)、CMOS(互补MOS)、BiMOS(双极MOS)、BiCMOS(双极CMOS)、ECL(发射极耦合逻辑)和/或TTL(晶体管-晶体管逻辑)。
实施例可以被实现为单独的设备、装置、单元、部件或功能,或者以分布式方式实现,例如,可以在处理中使用或共享一个或多个处理器或处理功能,或者可以在处理中使用和共享一个或多个处理段或处理部分,其中,一个物理处理器或多于一个的物理处理器可以被用于实现一个或多个专用于如所描述的特定处理的处理部分。
装置可以由半导体芯片、芯片组或包括这种芯片或芯片组的(硬件)模块来实现。
实施例还可以被实现为硬件和软件的任何组合,诸如ASIC(应用特定IC(集成电路))组件、FPGA(现场可编程门阵列)或CPLD(复杂可编程逻辑器件)组件或DSP(数字信号处理器)组件。
实施例还可以被实现为计算机程序产品,包括在其中体现计算机可读程序代码的计算机可用介质,该计算机可读程序代码适应于执行如实施例中所描述的过程,其中,该计算机可用介质可以是非暂时性介质。
本领域内的技术人员应明白,本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此,本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且,本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器和光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器,使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中,使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品,该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上,使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理,从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
显然,本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样,倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内,则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (15)
1.一种晶圆制程良率分析方法,其特征在于,所述方法包括:
确定缺陷晶圆批次的至少一种失效类型,并确定每一失效类型对应的多个缺陷半导体产品;
针对每一失效类型,利用该失效类型对应的多个缺陷半导体产品的制程历史记录,确定多个缺陷半导体产品的混合制程;其中,所述混合制程包括至少两种制程的组合;并且,根据所述多个缺陷半导体产品的混合制程,生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,针对每一失效类型,根据所述多个缺陷半导体产品的混合制程,生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息,包括:
针对每一失效类型:
对于该失效类型下的任一缺陷半导体产品对应的任一混合制程,根据该混合制程中的制程对应的预设权重,确定该混合制程的得分;
根据所述多个缺陷半导体产品的多个混合制程的得分,生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,当存在不同的缺陷半导体产品对应相同的混合制程时,对于所述不同的缺陷半导体产品所对应的相同的混合制程,确定共同的得分。
4.根据权利要求2或3所述的方法,其特征在于,任一所述缺陷半导体产品的混合制程,包括制备该缺陷半导体产品的连续的第一制程和第二制程,其中,所述第一制程是所述第二制程的前道制程。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,针对每一失效类型,对于该失效类型下的任一缺陷半导体产品对应的任一混合制程,利用该混合制程中的第一制程对应的权重,确定该混合制程的得分。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,根据不同的失效类型,和/或,不同类别的制程,预先设置所述权重。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,同一失效类型对应的同一类别的制程的预设权重相同。
8.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,针对每一失效类型,根据所述多个缺陷半导体产品的多个混合制程的得分,生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息,包括:
针对每一失效类型,将所述多个缺陷半导体产品的多个混合制程的得分,由高到低进行排序,将得分最高的混合制程的信息,作为该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
生成对所述得分最高的混合制程对应的半导体生产设备进行调整的指示信息,和/或,对所述得分最高的混合制程进行调整的指示信息。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
将已经进行了所述得分最高的混合制程的半导体产品设置标记;
对半导体产品进行良率测试时,对于存在所述标记的缺陷半导体产品,将所述得分最高的混合制程的信息,作为该存在所述标记的缺陷半导体产品的产生原因信息。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述制程历史记录,包括同一机台的制程历史记录,或多个机台的制程历史记录;
所述产生原因信息,包括混合制程信息和/或混合制程对应的机台信息。
12.一种计算设备,其特征在于,包括:
存储器,用于存储程序指令;
处理器,用于调用所述存储器中存储的程序指令,按照获得的程序执行权利要求1至11任一项所述的方法。
13.一种晶圆制程良率分析系统,其特征在于,包括权利要求12所述的计算设备。
14.一种用于计算机的计算机程序产品,其特征在于,包括软件代码部分,当所述产品在所述计算机上运行时,所述软件代码部分用于执行根据权利要求1至11中任一项所述的方法。
15.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令,所述计算机可执行指令用于使所述计算机执行权利要求1至11任一项所述的方法。
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CN202310004724.2A CN115965230A (zh) | 2023-01-03 | 2023-01-03 | 一种晶圆制程良率分析方法、设备及系统 |
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- 2023-01-03 CN CN202310004724.2A patent/CN115965230A/zh active Pending
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