CN115962718A - 位置检测方法、电子设备以及计算机可读存储介质 - Google Patents
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Abstract
本公开实施例涉及半导体领域,提供一种位置检测方法、电子设备以及计算机可读存储介质,位置检测方法包括:提供待测器件,待测器件中具有膜层;提供量测机台,通过量测机台将待测器件与量测机台正对;沿预设扫描路径对待测器件进行光学扫描,获取每一扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值,预设扫描路径中包括多个扫描点;基于至少部分扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值,判断待测器件与量测机台之间是否发生偏移。至少可以减少光学膜层检测出现错误的情况。
Description
技术领域
本公开实施例涉及半导体领域,特别涉及一种位置检测方法、电子设备以及计算机可读存储介质。
背景技术
半导体产品中的每一层光学薄膜(也可以称为光学膜层),在完成制作后,都会有单独的一个站点进行薄膜性质参数的量测。具体地,在任意一个光学膜层完成制备后,采用半导体硅片膜厚测量机台(THK)针对该光学膜层的量测,采用光学技术基础的量测方式,可以利用不同偏振光量测,求得该光学膜层的折射系数(n)、吸收系数(k)值、膜厚(T)等薄膜性质参数。
然而,在进行光学膜层测量时,可能会因一些原因产生错误。
发明内容
本公开实施例提供一种位置检测方法、电子设备以及计算机可读存储介质,至少有利于减少光学膜层测量出现错误的情况。
根据本公开一些实施例,本公开实施例一方面提供一种位置检测方法,包括:提供待测器件,所述待测器件中具有膜层;提供量测机台,通过所述量测机台将所述待测器件与所述量测机台正对;沿预设扫描路径对所述待测器件进行光学扫描,获取每一所述扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值,所述预设扫描路径中包括多个扫描点;基于至少部分所述扫描点对应的所述实际膜厚光谱拟合优度值,判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移。
根据本公开另一些实施例,所述待测器件包括待测区以及环绕所述待测区的外围区,所述待测区与所述外围区对应的膜层的厚度不同;所述量测机台具有承载面,所述承载面包括目标区以及与所述目标区邻接的邻接区。
根据本公开另一些实施例,通过所述量测机台将所述待测器件与所述量测机台正对包括:将所述待测器件置于所述承载面,使得所述目标区与所述待测区正对;判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移包括:判断所述目标区与所述待测区之间是否发生偏移。
根据本公开另一些实施例,所述预设扫描路径中的所述扫描点位于所述目标区以及所述邻接区。
根据本公开另一些实施例,所述目标区的形状为方形;所述预设扫描路径包括方形的对角线及对角线延伸方向。
根据本公开另一些实施例,所述基于至少部分所述扫描点对应的所述实际膜厚光谱拟合优度值,判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移具体包括:基于每一所述扫描点对应的所述实际膜厚光谱拟合优度值,获取实际数量,所述实际数量为位于所述待测区内的所述扫描点的数量;根据所述实际数量,判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移。
根据本公开另一些实施例,所述根据所述实际数量,判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移具体包括:获取预设数量,所述预设数量为所述待测器件与所述量测机台未发生偏移时,位于所述待测区内的所述扫描点的数量;根据所述实际数量与所述预设数量判断所述待测器件与所述量测机台是否发生偏移。
根据本公开另一些实施例,所述基于至少部分所述扫描点对应的所述实际膜厚光谱拟合优度值,判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移具体包括:获取实际时间,所述实际时间为,所述光学扫描过程中,自所述扫描开始至首次出现位于所述待测区内的所述扫描点的时间;基于所述实际时间,判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移。
根据本公开另一些实施例,所述基于所述实际时间,判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移具体包括:获取预设时间,所述预设时间为所述待测器件与所述量测机台未发生偏移时,自所述光学扫描开始至首次出现位于所述待测区内的所述扫描点的时间;根据所有的所述实际膜厚光谱拟合优度值,获取实际自所述光学扫描开始至在位于所述待测区内首次出现的所述扫描点;基于在位于所述待测区内首次出现的所述扫描点,获取所述实际时间;根据所述预设时间与所述实际时间的差值判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发发生偏移。
根据本公开另一些实施例,所述预设扫描路径包括:沿平行于第一方向的两个第一子扫描路径,且所述两个第一子扫描路径的扫描方向相反;和/或,沿平行于第二方向的两个第二子扫描路径,且所述两个第二子扫描路径的扫描方向相反;其中,所述第一方向与所述第二方向相垂直。
根据本公开另一些实施例,所述基于至少部分所述扫描点对应的所述实际膜厚光谱拟合优度值,判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移包括:沿一个所述第一子扫描路径进行第一光学扫描,所述第一子扫描路径的扫描方向与所述第一方向相同;获取第一时间,所述第一时间为,所述第一光学扫描过程中,自所述第一光学扫描开始至首次出现位于所述外围区的所述扫描点的时间;沿另一个所述第一子扫描路径进行第二光学扫描,所述第二子扫描路径的扫描方向与所述第一方向相反,其中,在沿所述预设扫描路径方向上,每一所述第一子扫描路径的起始点到所述邻接区的距离相同;获取第二时间,所述第二时间为,所述第二光学扫描中,自所述第二光学扫描开始至首次出现位于所述外围区的所述扫描点的时间;根据所述第一时间以及所述第二时间的差值判断所述待测器件与所述量测机台是否发生偏移,若发生偏移,判断偏移方向。
根据本公开另一些实施例,所述判断偏移方向具体包括:若所述第一时间与所述第二时间的差值大于预设范围,则所述待测器件朝向所述第一方向偏移;若所述第一时间与所述第二时间的差值小于预设范围,则所述待测器件朝向所述第一方向的反方向偏移。
根据本公开另一些实施例,所述基于至少部分所述扫描点对应的所述实际膜厚光谱拟合优度值,判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移包括:沿一个所述第二子扫描路径进行第三光学扫描,所述第二子扫描路径的扫描方向与所述第二方向相同;获取第三时间,所述第三时间为,所述第三光学扫描中,自所述第三光学扫描开始至首次出现位于所述外围区的所述扫描点的时间;沿另一个所述第二子扫描路径进行第四光学扫描,所述第二子扫描路径的扫描方向与所述第二方向相反,其中,在沿所述预设扫描路径方向上,每一所述第二子扫描路径的起始点到所述邻接区的距离相同;获取第四时间,所述第四时间为,所述第四光学扫描中,自所述第四光学扫描开始至首次出现位于所述外围区的所述扫描点的时间;根据所述第三时间以及所述第四时间的差值判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移,若发生偏移,判断偏移方向。
根据本公开另一些实施例,所述判断偏移方向具体包括:若所述第三时间与所述第四时间的差值大于预设范围,则所述待测器件朝向所述第二方向偏移;若所述第三时间与所述第四时间的差值小于预设范围,则所述待测器件朝向所述第二方向的反方向偏移。
根据本公开一些实施例,本公开实施例另一方面还提供一种电子设备,包括:存储器,所述存储器用于存储程序指令;处理器,所述处理器用于调用所述存储器中存储的程序指令,按照获得的程序指令执行上述方法。
本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点:
本公开实施例提供的位置检测方法中,首先提供待测器件,待测器件中具有膜层;提供量测机台,通过量测机台将待测器件与量测机台正对;沿预设扫描路径对待测器件进行光学扫描,获取每一扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值,预设扫描路径中包括多个扫描点;基于至少部分扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值,判断待测器件与量测机台之间是否发生偏移。在相关技术中,待测器件被置于量测机台上,量测机台在进行光学膜层测量的过程中,并不会追踪待测器件的实际位置,而是在量测机台中的固定位置进行扫描测量。因此,若待测器件与量测机台并未完全正对,而是产生了位置偏移,则量测机台测量到的区域并非待测器件中需要进行测量的区域,量测区域会发生错误,导致输出错误的数据,影响产线工艺稳定以及良率。本公开实施例提供的位置检测方法能够通过光学扫描得到的实际光谱拟合优度值对待测器件与量测机台的相对位置关系进行检测,从而确保待测器件与量测机台能够完全正对,不产生偏移。由此能够减少光学膜层量测出现错误的情况,提高产线工艺的稳定性以及良率。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明,这些示例性说明并不构成对实施例的限定,除非有特别申明,附图中的图不构成比例限制;为了更清楚地说明本公开实施例或传统技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开一实施例提供的一种待测器件的俯视结构示意图;
图2为本公开一实施例提供的一种量测机台的俯视结构示意图;
图3为本公开实施例提供的一种预设扫描路径在一种量测机台上的俯视结构示意图;
图4为沿图3提供的预设扫描路径进行光学扫描形成的膜厚光谱拟合优度值的曲线图;
图5为本公开实施例提供的另一种预设扫描路径在一种量测机台上的俯视结构示意图;
图6为沿图5提供的预设扫描路径中的部分扫描路径进行光学扫描形成的膜厚光谱拟合优度值的曲线图;
图7为本公开实施例提供的另一种预设扫描路径在一种量测机台上的俯视结构示意图;
图8为沿图7提供的预设扫描路径中的部分扫描路径进行光学扫描形成的膜厚光谱拟合优度值的曲线图;
图9为本公开实施例提供的另一种预设扫描路径在一种量测机台上的俯视结构示意图;
图10为本公开实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
由背景技术可知,目前的位置检测方法存在光学膜层量测时出现错误的问题。
本公开实施提供一种位置检测方法,提供待测器件以及量测机台,其中,待测器件中具有膜层,通过量测机台将待测器件与量测机台正对;沿预设扫描路径对待测器件进行光学扫描,获取每一扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值,预设扫描路径中包括多个扫描点;基于至少部分扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值,判断待测器件与量测机台之间是否会发生偏移。如此,能够检测待测器件的待测区与量测机台承载面的目标区是否正对。并能够以此为依据,在进行光学膜层检测前,将待测器件与量测机台的相对位置关系调整至对准状态,减少光学膜层检测出现错误的情况,从而提高产线工艺的稳定性以及良率。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本公开的各实施例进行详细的阐述。然而,本领域的普通技术人员可以理解,在本公开各实施例中,为了使读者更好地理解本公开而提出了许多技术细节。但是,即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改,也可以实现本公开所要求保护的技术方案。
图1为待测器件的俯视结构示意图。
参考图1,提供待测器件100,待测器件100中具有膜层。
在一些实施例中,待测器件100可以包括待测区110以及环绕待测区110的外围区120,待测区110以及外围区120均具有膜层,且外围区120对应的膜层的厚度不同于待测区110对应的膜层的厚度。
待测器件100中的待测区110为需要进行光学膜层检测的膜层结构,而待测器件100中的外围区120为与待测区110连接,并起到扩大待测区110的面积作用的膜层结构。由于在制作待测量的待测器件100时,受限于制作成本以及工艺难度,并不会将需检测的膜层结构的尺寸做得较大,即待测区110具有较小的尺寸,这就使得测量具有较大难度。因此,在待测区110外围做出环绕待测区110的外围区120以增加待测器件100的面积,提高进行光学膜层检测的便利性。
在一些实施例中,待测区110的厚度可以大于外围区120的厚度。由上述内容可知,外围区120的作用为扩展待测区110的面积,使得光学膜层测量更加便利。因此,外围区120并不需要复杂的膜层结构,外围区120的厚度较小时,可以降低待测器件的成本。
图2为量测机台的承载面的俯视结构示意图。
参考图2,提供量测机台200,通过量测机台200将待测器件100与量测机台200正对。
量测机台200具有承载面210,承载面210包括目标区211以及与目标区211邻接的邻接区212。通过量测机台将待测器件100与量测机台200正对可以包括将待测器件100置于承载面210,且目标区211与待测区110(参考图1)正对。
量测机台200为对待测膜层结构进行光学膜层检测的器件,在进行光学膜层检测时,将待测器件100放置于量测机台200的承载面210上。量测机台200对待测器件100进行光学扫描,将偏振光照射在待测器件100的表面上,通过分析收集待测器件100表面反射的光信号与理论模型进行比对,求得待测膜层结构的折射系数(n)、吸收系数(k)、膜厚(T)以及其他薄膜性质。
具体的,量测机台200在对待测器件100进行光学扫描时,可以对承载面210上的目标区211进行扫描,量测机台200的扫描路径可以贯穿目标区211,量测机台200的扫描路径也可以一端在目标区211内,另一端在邻接区212内。待测器件100中仅有待测区110为待测膜层结构,待测区110应与目标区211正对。
在一些实施例中,目标区211的形状可以为方形。例如,目标区211的形状可以为矩形或正方形。
在另一些实施例中,目标区211的形状还可以为其他形状,例如,目标区211的形状可以为圆形、椭圆形、平行四边形等。
参考图3,沿预设扫描路径对待测器件100进行光学扫描,以获取每一扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值,预设扫描路径中包括多个扫描点。
光学扫描需对待测器件100的待测区110以及外围区120均进行扫描。预设扫描路径可以为直线。预设扫描路径可以贯穿目标区211,即预设扫描路径的途经区域可以为:邻接区212—目标区211—邻接区212。或者,预设扫描路径也可以不贯穿目标区211,但预设扫描路径需经过目标区211和邻接区212两个区域,例如,预设扫描路径的途经区域可以为:邻接区212—目标区211,或目标区211—邻接区212。
或者,预设扫描路径也可以为曲线,预设扫描路径为曲线时仍需经过目标区211与邻接区212两个区域。
在一些实施例中,目标区211的形状可以为方形,目标区211为方形时对应的预设扫描路径可以包括方形的对角线及对角线延伸方向。对于方形的目标区211来说,沿对角线延伸的预设扫描路径在目标区211内部的长度最长,无论待测区110相对于目标区211向哪个方向产生偏移,预设扫描路径在待测区110内部的长度均会小于预设扫描路径在目标区211内部的长度。若预设扫描路径不经过方形的对角线,则预设扫描路径在目标区211内的长度并非最长,对于预设扫描路径与目标区211的相对位置关系而言,可能存在不止一种情况使得预设扫描路径在目标区211内的长度相同,难以判断是否发生偏移。因此,目标区211为方形时对应的预设扫描路径包括方形的对角线及对角线延伸方向可以使得位置检测的判断更为准确。
对于在预设扫描路径上的某一扫描点而言,膜厚光谱拟合优度值的计算方式如下:扫描点具有参数X2,X2为扫描点的测量值与模型差值的归一化和。首先计算拟合优度GOF=1-。接着,计算参数CORR,参数CORR相当于在整个预设扫描路径中,每一扫描点对应的膜厚光谱拟合优度值形成的膜厚光谱拟合优度曲线中,位于峰谷点的X2,CORR=。最后,计算膜厚光谱拟合优度值NGOF,NGOF=。膜厚光谱拟合优度值的值区间为0-1,其中,膜厚光谱拟合优度值为0时,测量值与模型值完全不匹配,膜厚光谱拟合优度值为1时,测量值与模型值完全匹配。也就是说,当测量出的实际光谱拟合优度值为1时,这一扫描点位于待测区内;当测量出的实际光谱拟合优度值不为1时,这一扫描点不位于待测区内。
参考图3至图9,其中图3、图5、图7、图9为预设扫描路径在量测机台200上的俯视结构示意图,图示中扫描路径上的黑点为扫描路径中的扫描点。需要说明的是,图示中的扫描点的数量和间距并不等同于实际光学扫描中扫描点的数量和间距,实际光学扫描中扫描点的数量和间距可以根据实际情况进行调整。图4、图6、图8为沿一定的预设扫描路径进行光学扫描形成的光谱拟合优度值的曲线图。曲线图的纵坐标为每一扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值,曲线图的横坐标为每一扫描点按扫描的时间顺序形成有的标号。例如,光学扫描开始后,第五个扫描点的标号为5,第十个扫描点的标号为10等。
参考图3至图9,基于至少部分扫描点对应的所述实际膜厚光谱拟合优度值,判断待测器件100与量测机台200之间是否发生偏移。
根据上述内容可知,判断待测器件100与量测机台200之间是否发生偏移即为判断待测区110与目标区211之间是否发生偏移。
以下以目标区211为方形,且预设扫描路径经过目标区211的对角线以及对角线的延伸区域为例,说明如何基于至少部分扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值,判断待测器件100与量测机台200之间是否发生偏移。
当位置检测仅进行一次光学扫描,且扫描路径贯穿目标区211时,可以通过如下方法判断待测器件100与量测机台200之间是否发生偏移。
参考图3至图4,在一些实施例中,基于至少部分所述扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值,判断待测器件100与量测机台200之间是否发生偏移具体可以包括:基于每一扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值,获取实际数量,实际数量为位于待测区110内的扫描点的数量;根据实际数量,判断待测器件100与量测机台200之间是否发生偏移。根据上述内容可知,当一扫描点对应的实际光谱拟合优度值为1,这一扫描点位于待测区110内。实际数量可以为实际光谱拟合优度值为1的扫描点的数量。
另外,实际光学扫描实施过程中,难免会出现一些误差,因此,实际光谱拟合优度值在一定的阈值区间内时也可以判断这一扫描点位于待测区110内。在一些实施例中,若一扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值大于或等于0.95,则可以判断该扫描点位于待测区110内;若一扫描点对应的实际光谱拟合优度值小于0.95,则该扫描点位于外围区120内。上述实际数量可以为实际光谱拟合优度值大于或等于0.95的扫描点的数量。
具体的,在一些实施例中,所述根据实际数量,判断待测器件100与量测机台200之间是否发生偏移具体可以包括:获取预设数量,预设数量为待测器件100与量测机台200未发生偏移时,位于待测区110内的扫描点的数量;比较实际数量与预设数量是否相同;若是,则待测器件100与量测机台200之间未发生偏移;若否,则待测器件100与量测机台200之间发生偏移。可知,在量测机台200进行光谱扫描时,预设扫描路径确定后,预设扫描路径的起点到目标区211的距离与预设扫描路径的终点到目标区211的距离为定值。并且,光学扫描中,相邻扫描点之间的时间差为定值,光学扫描的移动的速率为定值,光学扫描中位于目标区211内的扫描点也为定值。预设数量为待测器件100与量测机台200未发生偏移时,位于待测区110内扫描点的数量,也为预设扫描路径中,位于目标区211内扫描点的数量。
同理,光学扫描中在扫描路径未进入目标区211前,扫描点的数量为定值,在扫描路径离开目标区211后,扫描点的数量也为定值。也可以通过比较扫描路径未进入目标区211前扫描点的数量,与实际光学扫描时,扫描点未进入待测区110前扫描点的数量,判断待测器件100与量测机台200是否发生偏移。若数量相同,则待测器件100与量测机台200之间未发生偏移;若数量不同,则待测器件100与量测机台200之间发生偏移。或者,还可以通过比较扫描路径离开目标区211后扫描点的数量,与实际光学扫描时,扫描点离开待测区110后扫描点的数量,判断待测器件100与量测机台200是否发生偏移。若数量相同,则待测器件100与量测机台200之间未发生偏移;若数量不同,则待测器件100与量测机台200之间发生偏移。需要说明的是,通过这种方式判断待测器件100与量测机台200是否发生偏移时,预设扫描路径可以不需要贯穿目标区211。
这种通过比对位于某一区域的扫描点的预设数量,与位于这一区域扫描点的实际数量的方式判断偏移情况,实际实施较为简便,具有较高的可行性。
继续参考图3至图4,在一些实施例中,基于至少部分扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值,判断待测器件100与量测机台200之间是否发生偏移具体可以包括:获取实际时间,实际时间为,光学扫描过程中,自扫描开始至首次出现位于待测区内的扫描点的时间;基于实际时间,判断待测器件100与量测机台200之间是否发生偏移。根据上述内容可知,当一扫描点对应的实际光谱拟合优度值为1时,这一扫描点位于待测区110内。实际时间可以为,自扫描开始到首次出现实际光谱拟合优度值为1的扫描点的这段时间。
另外,实际光学扫描实施过程中,难免会出现一些误差,若一扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值大于或等于0.95,则可以判断该扫描点位于待测区110内。上述实际时间可以为自扫描开始到首次出现实际光谱拟合优度值大于或等于0.95的扫描点的这段时间。
在一些实施例中,基于实际时间,判断待测器件100与量测机台200之间是否发生偏移具体可以包括:获取预设时间,预设时间为待测器件100与量测机台200未发生偏移时,自光学扫描开始至首次出现位于待测区110内的扫描点的时间;根据所有的实际膜厚光谱拟合优度值,获取实际自光学扫描开始至在位于待测区内首次出现的所述扫描点;基于在位于待测区内首次出现的扫描点,获取实际时间;比较预设时间与实际时间的差值是否在预设范围内;若是,则待测器件100与量测机台200之间未发生偏移;若否,则待测器件100与量测机台200之间发生偏移。可知,在量测机台200进行光谱扫描时,预设扫描路径确定后,预设扫描路径的起点到目标区211的距离与预设扫描路径的终点到目标区211的距离为定值。并且,光学扫描中,相邻扫描点之间的时间差为定值,光学扫描的移动的速率为定值,光学扫描中自扫描开始到扫描点开始位于目标区内的时间也为定值。预设时间为待测器件100与量测机台200未发生偏移时,光学扫描中自扫描开始到扫描点开始位于待测区110内的时间,也为光学扫描中,自扫描开始到扫描点开始位于目标区211内的时间。
同理,光学扫描中自扫描点进入目标区211到扫描点离开目标区的时间为定值,自扫描点离开目标区211到扫描结束的时间为定值。也可以通过比较自扫描点进入目标区211到扫描点离开目标区的时间,与实际光学扫描时自扫描点进入待测区110到扫描点离开待测区110的时间之间的时间差,判断待测器件100与量测机台200是否发生偏移。若时间差在预设范围内,则待测器件100与量测机台200之间未发生偏移;若时间差不在预设范围内,则待测器件100与量测机台200之间发生偏移。或者,还可以通过比较自扫描点离开目标区211到扫描结束的时间,与实际光学扫描时自扫描点离开待测区110到扫描结束的时间之间的时间差,判断待测器件100与量测机台200是否发生偏移。若时间差在预设范围内,则待测器件100与量测机台200之间未发生偏移;若时间差不在预设范围内,则待测器件100与量测机台200之间发生偏移。需要说明的是,通过这种方式判断待测器件100与量测机台200是否发生偏移时,预设扫描路径可以不需要贯穿目标区211。
在一些实施例中,若预设时间与实际时间的差的绝对值小于或等于0.1S,则可以判断待测器件100与量测机台200之间未发生偏移。若预设时间与实际时间的差的绝对值大于0.1S,则可以判断待测器件100与量测机台200之间发生偏移。
这种通过比对位于某一区域的预设扫描时间,与位于这一区域的实际扫描时间的方式判断偏移情况,能够提高判断的准确性。
另外,还可以通过多次光学扫描判断待测器件100与量测机台200之间的偏移情况。多次光学扫描中具有多条光学扫描路径。多次光学扫描可以同时进行,也可以不同时进行。
参考图5至图8,在一些实施例中,预设扫描路径包括:沿平行于第一方向X的两个第一子扫描路径,且两个第一子扫描路径的扫描方向相反;和/或,沿平行于第二方向Y的两个第二子扫描路径,且两个第二子扫描路径的扫描方向相反;其中,第一方向与所述第二方向相垂直。
参考图5至图6,在一些实施例中,基于至少部分扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值,判断待测器件100与量测机台200之间是否发生偏移可以包括:沿一个第一子扫描路径进行第一光学扫描,第一子扫描路径的扫描方向与第一方向X相同;获取第一时间,第一时间为,第一光学扫描过程中,自第一光学扫描开始至首次出现位于外围区120的扫描点的时间;沿另一个第一子扫描路径进行第二光学扫描,第二子扫描路径的扫描方向与第一方向相反,其中,在沿预设扫描路径方向上,每一第一子扫描路径的起始点到邻接区212的距离相同;获取第二时间,第二时间为,第二光学扫描中,自第二光学扫描开始至首次出现位于外围区的扫描点的时间;比较第一时间以及第二时间的差值是否在预设范围内;若是,则待测器件100与量测机台200之间未发生偏移;若否,则待测器件100与量测机台200之间发生偏移,基于第一时间与第二时间的差值,还可以判断待测器件的偏移方向。
在一些实施例中,基于第一时间与第二时间的差值,判断待测器件的偏移方向具体可以包括:若第一时间与第二时间的差值大于预设范围,则待测器件朝向第一方向X偏移;若第一时间与第二时间的差值小于预设范围,则待测器件朝向第一方向X的反方向偏移。可以理解的是,若待测器件朝向第一方向X偏移,则沿第一方向X进行光学扫描的第一光学扫描中,自扫描开始至首次出现位于外围区120的扫描点的时间变长,而沿第一方向X的反方向进行光学扫描的第二光学扫描中,自扫描开始至首次出现位于外围区120的扫描点的时间变短,第一时间与第二时间的差值变大。反之,若待测器件朝向第一方向X的反方向偏移,则沿第一方向X进行光学扫描的第一光学扫描中,自扫描开始至首次出现位于外围区120的扫描点的时间变短,而沿第一方向X的反方向进行光学扫描的第二光学扫描中,自扫描开始至首次出现位于外围区120的扫描点的时间变长,第一时间与第二时间的差值变小。因此,第一时间与第二时间的差值大于预设范围时,可以判断待测器件朝向第一方向X偏移;第一时间与第二时间的差值小于预设范围时,可以判断待测器件朝向第一方向X的反方向偏移。
在一些实施例中,若第一时间与第二时间的差的绝对值小于或等于0.1S,则可以判断待测器件100与量测机台200之间未发生偏移。若第一时间与第二时间的差的绝对值大于0.1S,则可以判断待测器件100与量测机台200之间发生偏移。若第一时间与第二时间的差值大于0.1S,则待测器件朝向第一方向X偏移,若第一时间与第二时间的差值小于-0.1S,则待测器件朝向第一方向X的反方向偏移。
参考图7至图8,在一些实施例中,基于至少部分扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值,判断待测器件100与量测机台200之间是否发生偏移可以包括:沿一个第二子扫描路径进行第三光学扫描,第二子扫描路径的扫描方向与第二方向Y相同;获取第三时间,第三时间为,第三光学扫描中,自第三光学扫描开始至首次出现位于外围区120的扫描点的时间;沿另一个第二子扫描路径进行第四光学扫描,第二子扫描路径的扫描方向与第二方向Y相反,其中,在沿预设扫描路径方向上,每一第二子扫描路径的起始点到邻接区的距离相同;获取第四时间,所述第四时间为,第四光学扫描中,自第四光学扫描开始至首次出现位于外围区120的所述扫描点的时间;比较第三时间以及第四时间的差值是否在预设范围内;若是,则待测器件100与量测机台200之间未发生偏移;若否,则待测器件100与量测机台200之间发生偏移,基于第三时间与第四时间的差值,判断待测器件的偏移方向。
在一些实施例中,基于第三时间与第四时间的差值,判断待测器件的偏移方向具体可以包括:若第三时间与第四时间的差值大于预设范围,则待测器件朝向第二方向Y偏移;若第三时间与第四时间的差值小于预设范围,则待测器件朝向第二方向Y的反方向偏移。可以理解的是,若待测器件朝向第二方向Y偏移,则沿第二方向Y进行光学扫描的第三光学扫描中,自扫描开始至首次出现位于外围区120的扫描点的时间变长,而沿第二方向Y的反方向进行光学扫描的第四光学扫描中,自扫描开始至首次出现位于外围区120的扫描点的时间变短,第三时间与第四时间的差值变大。反之,若待测器件朝向第二方向Y的反方向偏移,则沿第二方向Y进行光学扫描的第三光学扫描中,自扫描开始至首次出现位于外围区120的扫描点的时间变短,而沿第二方向Y的反方向进行光学扫描的第四光学扫描中,自扫描开始至首次出现位于外围区120的扫描点的时间变长,第三时间与第四时间的差值变小。因此,第三时间与第四时间的差值大于预设范围时,可以判断待测器件朝向第二方向Y偏移;第三时间与第四时间的差值小于预设范围时,可以判断待测器件朝向第二方向Y的反方向偏移。
在一些实施例中,若第三时间与第四时间的差的绝对值小于或等于0.1S,即第三时间与第四时间的差值为-0.1S-0.1S,则可以判断待测器件100与量测机台200之间未发生偏移。若第三时间与第四时间的差的绝对值大于0.1S,则可以判断待测器件100与量测机台200之间发生偏移。若第三时间与第四时间的差值大于0.1S,则待测器件朝向第二方向Y偏移,若第三时间与第四时间的差值小于-0.1S,则待测器件朝向第二方向Y的反方向偏移。
参考图9,可以在检测方法中合并应用第一光学扫描、第二光学扫描、第三光学扫描以及第四光学扫描。通过第一光学扫描与第二光学扫描判断待测器件100在第一方向X上的偏移情况,通过第三光学扫描以及第四光学扫描判断待测器件100在第二方向Y上的偏移情况。具体实施方式与上述内容相同,此处不再赘述。
以上实施例中通过多次光学扫描的方式判断待测区与目标区偏移情况时,还可以通过比对在某一区域中预设的扫描点数量与实际的扫描点数量进行判断,具体实施方式与上述内容相似,此处不再进行赘述。
多次光学扫描判断待测器件100与量测机台200的偏移情况不仅可以判断待测器件100与量测机台200是否发生偏移,还可以判断出偏移的方向,使得判断结果更加多元,便于在后续步骤中对待测器件100的位置进行调整。
在判断出待测器件100与量测机台200的偏移情况后,若待测器件100与量测机台200之间发生偏移,则调整所述待测器件100的位置,以使待测器件100与量测机台200正对,目标区211与待测区110正对。如此,能够确保后续进行的光学膜层检测结果的正确性,减少光学膜层检测出现错误的情况,从而提高产线工艺的稳定性以及良率。
本公开实施例提供一种位置检测方法,首先提供待测器件,待测器件中具有膜层,提供量测机台,通过量测机台将待测器件与量测机台正对,沿预设扫描路径对待测器件进行光学扫描,获取每一扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值,预设扫描路径中包括多个扫描点,基于至少部分扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值,判断待测器件与量测机台之间是否发生偏移。能够判断出待测器件与量测机台之间是否发生位置移动,若发生位置移动可以进行调整,直至待测器件与量测机台之间完全正对,能够确保待测器件中的待测区与量测机台承载面上的目标区能够完全正对,不产生偏移。由此能够减少光学膜层量测出现错误的情况,提高产线工艺的稳定性以及良率。
相应的,本公开另一实施例还提供一种电子设备,这一电子设备用于执行上述位置检测方法。以下将结合附图对本公开另一实施例提供的电子设备进行详细说明,与前一实施例相同或者相应的部分,可参考前述实施例的相应说明,以下将不做详细赘述。
参考图10,电子设备包括:存储器310,存储器310用于存储程序指令;处理器320,处理器320用于调用存储器310中存储的程序指令,按照获得的程序指令执行上述实施方式中的位置检测方法。
其中,存储器和处理器采用总线方式连接,总线可以包括任意数量的互联的总线和桥,总线将一个或多个处理器和存储器的各种电路连接在一起。总线还可以将诸如外围设备、稳压器和功率管理电路等之类的各种其他电路连接在一起,这些都是本领域所公知的,因此,本文不再对其进行进一步描述。总线接口在总线和收发机之间提供接口。收发机可以是一个元件,也可以是多个元件,比如多个接收器和发送器,提供用于在传输介质上与各种其他装置通信的单元。经处理器处理的数据通过天线在无线介质上进行传输,进一步,天线还接收数据并将数据传送给处理器。
处理器负责管理总线和通常的处理,还可以提供各种功能,包括定时,外围接口,电压调节、电源管理以及其他控制功能。而存储器可以被用于存储处理器在执行操作时所使用的数据。
相应的,本公开另一实施例还提供一种计算机可读存储介质,存储有计算机程序。计算机程序被处理器执行时实现上述位置检测方法实施例。以下将结合附图对本公开另一实施例提供的计算机可读存储介质进行详细说明,与前一实施例相同或者相应的部分,可参考前述实施例的相应说明,以下将不做详细赘述。
即,本领域技术人员可以理解,实现上述实施例方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成,该程序存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一个设备(可以是单片机,芯片等)或处理器(processor)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM,Read-OnlyMemory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
本领域的普通技术人员可以理解,上述各实施方式是实现本公开的具体实施例,而在实际应用中,可以在形式上和细节上对其作各种改变,而不偏离本公开的精神和范围。任何本领域技术人员,在不脱离本公开的精神和范围内,均可作各自更动与修改,因此本公开的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。
Claims (15)
1.一种位置检测方法,其特征在于,包括:
提供待测器件,所述待测器件中具有膜层;
提供量测机台,通过所述量测机台将所述待测器件与所述量测机台正对;
沿预设扫描路径对所述待测器件进行光学扫描,获取每一扫描点对应的实际膜厚光谱拟合优度值,所述预设扫描路径中包括多个扫描点;
基于至少部分所述扫描点对应的所述实际膜厚光谱拟合优度值,判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移。
2.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述待测器件包括待测区以及环绕所述待测区的外围区,所述待测区与所述外围区对应的膜层的厚度不同;所述量测机台具有承载面,所述承载面包括目标区以及与所述目标区邻接的邻接区。
3.如权利要求2所述的检测方法,其特征在于,通过所述量测机台将所述待测器件与所述量测机台正对包括:
将所述待测器件置于所述承载面,使得所述目标区与所述待测区正对;
判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移包括:判断所述目标区与所述待测区之间是否发生偏移。
4.如权利要求2所述的检测方法,其特征在于,所述预设扫描路径中的所述扫描点位于所述目标区以及所述邻接区。
5.如权利要求4所述的检测方法,其特征在于,所述目标区的形状为方形;所述预设扫描路径包括方形的对角线及对角线延伸方向。
6.如权利要求5所述的检测方法,其特征在于,所述基于至少部分所述扫描点对应的所述实际膜厚光谱拟合优度值,判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移具体包括:
基于每一所述扫描点对应的所述实际膜厚光谱拟合优度值,获取实际数量,所述实际数量为位于所述待测区内的所述扫描点的数量;
根据所述实际数量,判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移。
7.如权利要求6所述的检测方法,其特征在于,所述根据所述实际数量,判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移具体包括:
获取预设数量,所述预设数量为所述待测器件与所述量测机台未发生偏移时,位于所述待测区内的所述扫描点的数量;
根据所述实际数量与所述预设数量判断所述待测器件与所述量测机台是否发生偏移。
8.如权利要求5所述的检测方法,其特征在于,所述基于至少部分所述扫描点对应的所述实际膜厚光谱拟合优度值,判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移具体包括:
获取实际时间,所述实际时间为,所述光学扫描过程中,自所述扫描开始至首次出现位于所述待测区内的所述扫描点的时间;
基于所述实际时间,判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移。
9.如权利要求8所述的检测方法,其特征在于,所述基于所述实际时间,判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移具体包括:
获取预设时间,所述预设时间为所述待测器件与所述量测机台未发生偏移时,自所述光学扫描开始至首次出现位于所述待测区内的所述扫描点的时间;
根据所有的所述实际膜厚光谱拟合优度值,获取实际自所述光学扫描开始至在位于所述待测区内首次出现的所述扫描点;
基于在位于所述待测区内首次出现的所述扫描点,获取所述实际时间;
根据所述预设时间与所述实际时间的差值判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发发生偏移。
10.如权利要求4所述的检测方法,其特征在于,所述预设扫描路径包括:
沿平行于第一方向的两个第一子扫描路径,且所述两个第一子扫描路径的扫描方向相反;和/或,
沿平行于第二方向的两个第二子扫描路径,且所述两个第二子扫描路径的扫描方向相反;其中,所述第一方向与所述第二方向相垂直。
11.如权利要求10所述的检测方法,其特征在于,所述基于至少部分所述扫描点对应的所述实际膜厚光谱拟合优度值,判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移包括:
沿一个所述第一子扫描路径进行第一光学扫描,所述第一子扫描路径的扫描方向与所述第一方向相同;
获取第一时间,所述第一时间为,所述第一光学扫描过程中,自所述第一光学扫描开始至首次出现位于所述外围区的所述扫描点的时间;
沿另一个所述第一子扫描路径进行第二光学扫描,所述第二子扫描路径的扫描方向与所述第一方向相反,其中,在沿所述预设扫描路径方向上,每一所述第一子扫描路径的起始点到所述邻接区的距离相同;
获取第二时间,所述第二时间为,所述第二光学扫描中,自所述第二光学扫描开始至首次出现位于所述外围区的所述扫描点的时间;
根据所述第一时间以及所述第二时间的差值判断所述待测器件与所述量测机台是否发生偏移,若发生偏移,判断偏移方向。
12.如权利要求11所述的检测方法,其特征在于,所述判断偏移方向具体包括:
若所述第一时间与所述第二时间的差值大于预设范围,则所述待测器件朝向所述第一方向偏移;
若所述第一时间与所述第二时间的差值小于预设范围,则所述待测器件朝向所述第一方向的反方向偏移。
13.如权利要求10所述的检测方法,其特征在于,所述基于至少部分所述扫描点对应的所述实际膜厚光谱拟合优度值,判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移包括:
沿一个所述第二子扫描路径进行第三光学扫描,所述第二子扫描路径的扫描方向与所述第二方向相同;
获取第三时间,所述第三时间为,所述第三光学扫描中,自所述第三光学扫描开始至首次出现位于所述外围区的所述扫描点的时间;
沿另一个所述第二子扫描路径进行第四光学扫描,所述第二子扫描路径的扫描方向与所述第二方向相反,其中,在沿所述预设扫描路径方向上,每一所述第二子扫描路径的起始点到所述邻接区的距离相同;
获取第四时间,所述第四时间为,所述第四光学扫描中,自所述第四光学扫描开始至首次出现位于所述外围区的所述扫描点的时间;
根据所述第三时间以及所述第四时间的差值判断所述待测器件与所述量测机台之间是否发生偏移,若发生偏移,判断偏移方向。
14.如权利要求13所述的检测方法,其特征在于,所述判断偏移方向具体包括:
若所述第三时间与所述第四时间的差值大于预设范围,则所述待测器件朝向所述第二方向偏移;
若所述第三时间与所述第四时间的差值小于预设范围,则所述待测器件朝向所述第二方向的反方向偏移。
15.一种电子设备,其特征在于,包括:
存储器,所述存储器用于存储程序指令;
处理器,所述处理器用于调用所述存储器中存储的程序指令,按照获得的程序指令执行权利要求1~14任一项所述的方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310251700.7A CN115962718B (zh) | 2023-03-16 | 2023-03-16 | 位置检测方法、电子设备以及计算机可读存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310251700.7A CN115962718B (zh) | 2023-03-16 | 2023-03-16 | 位置检测方法、电子设备以及计算机可读存储介质 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115962718A true CN115962718A (zh) | 2023-04-14 |
CN115962718B CN115962718B (zh) | 2023-08-04 |
Family
ID=87353277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310251700.7A Active CN115962718B (zh) | 2023-03-16 | 2023-03-16 | 位置检测方法、电子设备以及计算机可读存储介质 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115962718B (zh) |
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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