CN115955203A - 一种功率放大电路 - Google Patents
一种功率放大电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115955203A CN115955203A CN202211738398.XA CN202211738398A CN115955203A CN 115955203 A CN115955203 A CN 115955203A CN 202211738398 A CN202211738398 A CN 202211738398A CN 115955203 A CN115955203 A CN 115955203A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- capacitor
- inductor
- power amplifier
- matching structure
- stage matching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 237
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/213—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
- Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本申请公开了一种功率放大电路,所述功率放大电路包括:第一功率放大器、第二功率放大器以及输出匹配网络;所述输出匹配网络包括合路器和阻抗变换器;所述合路器,连接所述第一功率放大器和所述第二功率放大器,用于对所述第一功率放大器对应的第一支路和所述第二功率放大器对应的第二支路进行合路;所述阻抗变换器,连接所述合路器,用于将所述第一支路和所述第二支路的合路阻抗转换到目标负载阻抗;其中,所述合路器具有多级匹配结构和/或所述阻抗变换器具有带通结构。本申请采用的功率放大电路有效实现了功率深回退后提升效率且合路后输出较大的功率,降低了高中低频点性能一致性差的风险。
Description
技术领域
本申请涉及移动通讯技术领域,尤其涉及一种功率放大电路。
背景技术
在5G NR移动通信系统中,为提高频谱利用效率、提高数据容量和传输速率而采用了更为复杂的调制方式,但其峰均比(Peak-to-average Ratio,PAR)不断升高,这也就要求发射系统在较大的动态范围内保持较高的线性度。而为了满足系统线性度的要求,功率放大器(Power Amplifier,PA)需要工作在功率回退状态,但功率附加效率(Power-addedEfficiency,PAE)将随着功率回退而大幅度下降。在射频功率放大器中,一般大功率、高回退效率的需求多采用多尔蒂Doherty架构解决,即通过两路(主路和辅路)小功率PA和输出匹配网络组合后能够输出较大功率,且在回退一定功率后依然能提供较高的效率,因此Doherty架构可用于5G NR移动通信系统以解决功率回退后高效率的需求。
发明内容
为解决上述技术问题,本申请实施例提供了一种功率放大电路。
本申请实施例的技术方案是这样实现的:
本申请实施例提供了一种功率放大电路,所述功率放大电路包括:第一功率放大器、第二功率放大器以及输出匹配网络;所述输出匹配网络包括合路器和阻抗变换器;
所述合路器,连接所述第一功率放大器和所述第二功率放大器,用于对所述第一功率放大器对应的第一支路和所述第二功率放大器对应的第二支路进行合路;
所述阻抗变换器,连接所述合路器,用于将所述第一支路和所述第二支路的合路阻抗转换到目标负载阻抗;
其中,所述合路器具有多级匹配结构和/或所述阻抗变换器具有带通结构。
上述方案中,所述合路器具有串联的第一级匹配结构和第二级匹配结构;其中,
所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构为π型结构;或者,
所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构为LC型结构。
上述方案中,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构为π型结构的情况:
所述第一级匹配结构包括:第一电容、第一电感以及第二电容;所述第一电容的一端接地,另一端连接所述第一电感;所述第一电感的一端连接所述第一电容,另一端连接所述第二电容;所述第二电容的一端连接所述第一电感,另一端接地;
所述第二级匹配结构包括:第三电容、第二电感以及第四电容;所述第三电容的一端接地,另一端连接所述第二电感;所述第二电感的一端连接所述第三电容,另一端连接所述第四电容;所述第四电容的一端连接所述第二电感,另一端接地。
上述方案中,所述第一电容、所述第三电容分别为所述第一功率放大器、所述第二功率放大器的寄生电容。
上述方案中,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可合并设置;和/或,
所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可集成到所述第一功率放大器和所述第二功率放大器所在的模组内;和/或,
所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可合并至所述阻抗变换器内。
上述方案中,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可合并设置,包括:
所述第一级匹配结构中的所述第二电容和所述第二级匹配结构中的所述第三电容可合并设置。
上述方案中,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可集成到所述第一功率放大器和所述第二功率放大器所在的模组内,包括:
所述第一级匹配结构中的所述第一电容可集成到所述第一功率放大器所在的模组内,和/或,所述第二级匹配结构中的所述第四电容可集成到所述第二功率放大器所在的模组内。
上述方案中,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构为LC型结构的情况:
所述第一级匹配结构包括:第三电感以及第五电容;所述第三电感的一端连接第一电源,另一端连接所述第五电容;
所述第二级匹配结构包括:第四电感以及第六电容;所述第四电感的一端接地,另一端连接所述第六电容;所述第六电容连接所述第四电感。
上述方案中,所述第三电感为所述第一功率放大器内与电源连接的扼流电感。
上述方案中,所述阻抗变换器的带通结构包括:第五电感、第七电容、第八电容以及第九电感;其中,
所述第五电感的一端连接第二电源,另一端连接所述第七电容;
所述第七电容的一端连接所述第五电感,另一端连接所述第八电容和所述第九电感;
所述第八电容的一端接地,另一端连接所述第七电容和所述第九电感;
所述第九电感的一端连接所述第七电容和所述第八电容,另一端为信号输出端;
上述方案中,当所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构为LC型结构时,所述阻抗变换器的第五电感的一部分用于所述合路器中以配合阻抗匹配,另一部分用于与所述第二功率放大器的寄生电容进行谐振。
上述方案中,所述功率放大电路还包括:移相器;
所述移相器,连接所述第一功率放大器的输入端,用于对所述第一支路上的信号的相位进行调整;及/或,
所述移相器,连接所述第二功率放大器的输入端,用于对所述第二支路上的信号的相位进行调整。
上述方案中,所述功率放大电路还包括:功分器;
所述功分器,连接所述第一功率放大器的输入端和所述第二功率放大器的输入端,用于将输入信号功分为两路信号,并分别输出至所述第一功率放大器和所述第二功率放大器。
本申请实施例提供了一种功率放大电路,所述功率放大电路包括:第一功率放大器、第二功率放大器以及输出匹配网络;所述输出匹配网络包括合路器和阻抗变换器。其中,所述合路器通过多级匹配结构减小了容值,降低了宽带下容值随频率的剧烈变化,因此削弱了高中低频点性能离散和生产波动的风险;所述阻抗变换器采用的带通结构可以增大带宽,由于增加的电容面积较小,因此较小整体面积。本申请采用的功率放大电路有效实现了功率深回退后提升效率且合路后输出较大的功率,降低了高中低频点性能一致性差的风险。
附图说明
图1为现有Doherty功率放大器合路结构示意图;
图2为本申请实施例提供的一种功率放大器的结构示意图;
图3为本申请实施例提供的一种功率放大器的应用实施例一的结构示意图;
图4为本申请实施例提供的一种功率放大器的应用实施例二的结构示意图;
图5为本申请实施例提供的一种功率放大器的应用实施例三的结构示意图。
具体实施方式
在手机等移动通信系统中,多通过B类或AB类功放实现功率放大,但该类功放在大功率回退后效率严重降低,系统功耗大大增加,无法满足新一代移动系统的要求。而现有Doherty功率放大器合路结构如图1所示,该电路多用于基站系统,由于每个频段的带宽均较窄,因此其输出合路器多由集总器件(电容及/或电感及/或电阻)构成的π型或T型一级匹配网络以代替四分之一波长变换线实现主路在小功率时为高阻态,在大功率时随着辅路的有源负载牵引实现高阻到低阻的阻抗变化;合路点到负载50Ω的阻抗变化也多通过一级LC匹配网络实现。而在5G NR移动通信系统中,工作带宽较宽如N77带宽为900MHz,传统的输出匹配网络带宽较窄,将产生高中低频点性能离散、一致性差等问题。
为解决上述技术问题,本申请实施例提供了一种功率放大器。
为了能够更加详尽地了解本发明的特点与技术内容,下面结合附图对本发明的实现进行详细阐述,所附附图仅供参考说明之用,并非用来限定本发明。
图2为本申请实施例提供的一种功率放大电路的结构示意图,如图2所示,所述功率放大电路包括:第一功率放大器201、第二功率放大器202以及输出匹配网络203;所述输出匹配网络包括合路器2031和阻抗变换器2032。
所述合路器2031,连接所述第一功率放大器201和所述第二功率放大器202,用于对所述第一功率放大器201对应的第一支路和所述第二功率放大器202对应的第二支路进行合路。
所述阻抗变换器2032,连接所述合路器2031,用于将所述第一支路和所述第二支路的合路阻抗转换到目标负载阻抗。
其中,所述合路器2031具有多级匹配结构和/或所述阻抗变换器具有带通结构。
需要说明的是,所述第一功率放大器可以称为主路功率放大器或者主功率放大器;所述第二功率放大器可以称为辅路功率放大器或者辅功率放大器。
以下对合路器和阻抗变换器的具体实现进行说明。
合路器
本申请实施例中,所述合路器具有串联的第一级匹配结构和第二级匹配结构。需要说明的是,这里以合路器具有两极匹配结构为例进行说明,不局限于此,合路器还可以具有三级或者更多级匹配结构。
方案1:在一些实施方式中,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构为π型结构。
这里,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构为π型结构的情况下,所述合路器具有两个π型结构或者具有CLCL结构。
在一些实施方式中,所述合路器中的所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构的具体实现如下:
方案1-0:所述第一级匹配结构包括:第一电容、第一电感以及第二电容;所述第一电容的一端接地,另一端连接所述第一电感;所述第一电感的一端连接所述第一电容,另一端连接所述第二电容;所述第二电容的一端连接所述第一电感,另一端接地;所述第二级匹配结构包括:第三电容、第二电感以及第四电容;所述第三电容的一端接地,另一端连接所述第二电感;所述第二电感的一端连接所述第三电容,另一端连接所述第四电容;所述第四电容的一端连接所述第二电感,另一端接地。
这里,所述第一电容、所述第三电容分别为所述第一功率放大器、所述第二功率放大器的寄生电容。
在一些实施方式中,所述合路器中的所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构还可以具有至少一种变形方式:
变形方式1:所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可合并设置。
变形方式2:所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可集成到所述第一功率放大器和所述第二功率放大器所在的模组内。
这里,die晶片设置在基板上,基板上可贴装电感、电容,或者利用基板走线的寄生电容替代电感。
变形方式3:所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可合并至所述阻抗变换器内。
上述变形方式1、变形方式2、变形方式2可以单独实施,也可以任意两个或者三个结合在一起实施。以下列举出部分实施方案。
方案1-1:在一些实施方式中,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可合并设置,从而形成新的方案(即方案1-1)。具体地,所述第一级匹配结构中的所述第二电容和所述第二级匹配结构中的所述第三电容可合并设置(以下称为合并电容),从而形成如下方案:
所述第一级匹配结构包括:第一电容、第一电感以及合并电容;所述第一电容的一端接地,另一端连接所述第一电感;所述第一电感的一端连接所述第一电容,另一端连接所述合并电容;所述合并电容的一端连接所述第一电感,另一端接地;所述第二级匹配结构包括:合并电容、第二电感以及第四电容;所述合并电容的一端接地,另一端连接所述第二电感;所述第二电感的一端连接所述合并电容,另一端连接所述第四电容;所述第四电容的一端连接所述第二电感,另一端接地。
方案1-2:在一些实施方式中,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可集成到所述第一功率放大器和所述第二功率放大器所在的模组内,从而形成新的方案(即方案1-2)。具体地,所述第一级匹配结构中的所述第一电容可集成到所述第一功率放大器所在的模组内,和/或,所述第二级匹配结构中的所述第四电容可集成到所述第二功率放大器所在的模组内,从而形成如下方案:
所述第一级匹配结构包括:第一电感以及第二电容;所述第一电感连接所述第二电容;所述第二电容的一端连接所述第一电感,另一端接地;所述第二级匹配结构包括:第三电容以及第二电感;所述第三电容的一端接地,另一端连接所述第二电感;所述第二电感连接所述第三电容。
方案1-3:在一些实施方式中,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可合并至所述阻抗变换器内,从而形成新的方案(即方案1-3)。
方案1-4:在一些实施方式中,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可合并设置,并且所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可集成到所述第一功率放大器和所述第二功率放大器所在的模组内,从而形成新的方案(即方案1-4)。具体地,所述第一级匹配结构中的所述第二电容和所述第二级匹配结构中的所述第三电容可合并设置(以下称为合并电容),并且所述第一级匹配结构中的所述第一电容可集成到所述第一功率放大器所在的模组内,和/或,所述第二级匹配结构中的所述第四电容可集成到所述第二功率放大器所在的模组内,从而形成如下方案:
所述第一级匹配结构包括:第一电感以及合并电容;所述第一电感连接所述合并电容;所述合并电容的一端连接所述第一电感,另一端接地;所述第二级匹配结构包括:合并电容以及第二电感;所述合并电容的一端接地,另一端连接所述第二电感;所述第二电感连接所述合并电容。
方案2:在一些实施方式中,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构为LC型结构。
这里,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构为LC型结构的情况下,所述合路器具有LCLC结构。
在一些实施方式中,所述合路器中的所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构的具体实现如下:
所述第一级匹配结构包括:第三电感以及第五电容;所述第三电感的一端连接第一电源,另一端连接所述第五电容;
所述第二级匹配结构包括:第四电感以及第六电容;所述第四电感的一端接地,另一端连接所述第六电容;所述第六电容连接所述第四电感。
需要说明的是,所述第三电感为所述第一功率放大器内与电源连接的扼流电感。
阻抗变换器
本申请实施例中,所述阻抗变换器的带通结构包括:第五电感、第七电容、第八电容以及第九电感;其中,
所述第五电感的一端连接第二电源,另一端连接所述第七电容;
所述第七电容的一端连接所述第五电感,另一端连接所述第八电容和所述第九电感;
所述第八电容的一端接地,另一端连接所述第七电容和所述第九电感;
所述第九电感的一端连接所述第七电容和所述第八电容,另一端为信号输出端。
需要说明的是,当所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构为LC型结构时,所述阻抗变换器的第五电感的一部分用于合路器中以配合阻抗匹配,另一部分用于与所述第二功率放大器的寄生电容进行谐振。这样可以令小信号时,辅路开路更好。
需要说明的是,上述合路器的方案和阻抗变换器的方案可以进行任何结合。
在一些实施方式中,所述功率放大电路还包括:移相器;所述移相器,连接所述第一功率放大器的输入端,用于对所述第一支路上的信号的相位进行调整;及/或,所述移相器,连接所述第二功率放大器的输入端,用于对所述第二支路上的信号的相位进行调整。
需要说明的是,由于主路与辅路存在相位差,因此需要移相器对相位进行调整,使主路辅路相位相同,本方案中,移相器在主路放大器的输入端,其他实施例中,移相器也可以放在辅路的输入端。
在一些实施方式中,所述功率放大电路还包括:功分器;所述功分器,连接所述第一功率放大器的输入端和所述第二功率放大器的输入端,用于将输入信号功分为两路信号,并分别输出至所述第一功率放大器和所述第二功率放大器。
以下结合具体应用实例对上述多种组合方案进行举例说明。
图3为本申请实施例提供的一种功率放大器的应用实施例一的结构示意图,如图3所示,所述功率放大电路包括第一功率放大器、第二功率放大器以及输出匹配网络;所述输出匹配网络包括合路器和阻抗变换器。所述合路器包括第一电容C1、第一电感L1、第二电容C2、第三电容C3、第二电感L2以及第四电容C4;所述阻抗变换器包括包括:第五电感L5、第七电容C7、第八电容C8以及第九电感L9。
所述合路器的所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构为π型结构:所述第一级匹配结构包括:第一电容C1、第一电感L1以及第二电容C2;所述第一电容C1的一端接地,另一端连接所述第一电感L1;所述第一电感L1的一端连接所述第一电容C1,另一端连接所述第二电容C2;所述第二电容C2的一端连接所述第一电感L1,另一端接地。所述第二级匹配结构包括:第三电容C3、第二电感L2以及第四电容C4;所述第三电容C3的一端接地,另一端连接所述第二电感L2;所述第二电感L2的一端连接所述第三电容C3,另一端连接所述第四电容C4;所述第四电容C4的一端连接所述第二电感L2,另一端接地。
需要说明的是,所述第一电容C1、所述第三电容C3分别为所述第一功率放大器、所述第二功率放大器的寄生电容。
需要说明的是,本应用实例的合路器的具体原理如下:第一功率放大器工作在AB类,第二功率放大器工作在C类;合路器由C1、C2、C3、C4、L1、L2器件组成,其中C1、L1、C2构成相位为45°、特征阻抗为Z1的阻抗变换器,C3、L2、C4构成相位为45°、特征阻抗为Z2的阻抗变换器。设主路高效率点的阻抗为Rmod,高功率点的阻抗为Ropt_m,辅路高功率点的阻抗为Ropt_p,辅路开路阻抗为Roff_p,则
Z1=Z2=Ropt_m (1)
θz1=θz2=45° (2)
那么,合路点阻抗为
Zc1=(Ropt_m*Ropt_p)/(Ropt_m+Ropt_p) (3)
在小功率时,第二功率放大器由于工作在C类并未开启,因此输出阻抗无限大,第一功率放大器工作在AB类,输出阻抗为Rmod,此时PA有较高的效率和良好的线性;在大功率时辅路打开,受辅路的有源负载牵引,主路阻抗由Rmod转换为Ropt_m,此时主路和辅路共同以大功率输出。因此,该电路能够输出较大的功率,且在功率深回退后依然有较高的效率。
所述阻抗变换器的带通结构,包括第五电感L5、第七电容C7、第八电容C8以及第九电感L9;其中,所述第五电感L5的一端连接第二电源Vcc2,另一端连接所述第七电容C7;所述第七电容C7的一端连接所述第五电感L5,另一端连接所述第八电容C8和所述第九电感L9;所述第八电容C8的一端接地,另一端连接所述第七电容C7和所述第九电感L9;所述第九电感L9的一端连接所述第七电容C7和所述第八电容C8,另一端为信号输出端。
需要说明的是,本应用实例的阻抗变换器的具体原理如下:将图1中的L2、C3、L3组成的π型网络变成带通结构,增大带宽,并且,由于增加的电容面积较小,因此对整体面积影响较小。具体地,如图3所示,阻抗变换器有第五电感L5、第七电容C7、第八电容C8以及第九电感L9构成的带通电路组成,可在宽带下将合路阻抗Zc1转换为50Ω输出负载。
其中,L5有部分感抗用于谐振辅路多余的容抗,以使辅路在C类具有更好的开路特性,也可以理解为,辅路上设置一个L,与阻抗变换器上的L并联,并形成L5。
图4为本申请实施例提供的一种功率放大器的应用实施例二的结构示意图,如图4所示,功率放大电路包括第一功率放大器、第二功率放大器以及输出匹配网络;所述输出匹配网络包括合路器和阻抗变换器。所述合路器包括第一电感L1、第二电感L2以及合并电容C23;所述阻抗变换器包括包括:第五电感L5、第七电容C7、第八电容C8以及第九电感L9。
在本应用实例中,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可合并设置,包括:所述第一级匹配结构中的所述第二电容和所述第二级匹配结构中的所述第三电容可合并设置。所述合路器包括第一电感L1、第二电感L2以及合并电容C23;其中,所述第一电感L1的一端连接所述第二电感L2;所述合并电容C23一端连接在所述第一电感L1和所述第二电感L2之间,另一端接地。
所述阻抗变换器的带通结构包括:第五电感L5、第七电容C7、第八电容C8以及第九电感L9;其中,所述第五电感L5的一端连接第二电源Vcc2,另一端连接所述第七电容C7;所述第七电容C7的一端连接所述第五电感L5,另一端连接所述第八电容C8和所述第九电感L9;所述第八电容C8的一端接地,另一端连接所述第七电容C7和所述第九电感L9;所述第九电感L9的一端连接所述第七电容C7和所述第八电容C8,另一端为信号输出端。
需要说明的是,本应用实例中,所述合路器的所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可合并设置;和/或,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可集成到所述第一功率放大器和所述第二功率放大器所在的模组内;和/或,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可合并至所述阻抗变换器内。
图5为本申请实施例提供的一种功率放大器的应用实施例三的结构示意图,如图5所示,功率放大电路包括第一功率放大器、第二功率放大器以及输出匹配网络;所述输出匹配网络包括合路器和阻抗变换器。所述合路器包括第三电感L3、第五电容C5、第四电感L4以及第六电容C6;所述阻抗变换器包括包括:第五电感L5、第七电容C7、第八电容C8以及第九电感L9。
所述合路器的所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构为LC型结构的情况:所述第一级匹配结构包括:第三电感L3以及第五电容C5;所述第三电感L3的一端连接第一电源Vcc1,另一端连接所述第五电容C5。所述第二级匹配结构包括:第四电感L4以及第六电容C6;所述第四电感L4的一端接地,另一端连接所述第六电容C6;所述第六电容C6连接所述第四电感L4。
需要说明的是,所述合路器中的第三电感L3为所述第一功率放大器内与电源连接的扼流电感。
所述阻抗变换器的带通结构包括:第五电感L5、第七电容C7、第八电容C8以及第九电感L9;其中,所述第五电感L5的一端连接第二电源Vcc2,另一端连接所述第七电容C7;所述第七电容C7的一端连接所述第五电感L5,另一端连接所述第八电容C8和所述第九电感L9;所述第八电容C8的一端接地,另一端连接所述第七电容C7和所述第九电感L9;所述第九电感L9的一端连接所述第七电容C7和所述第八电容C8,另一端为信号输出端。
需要说明的是,当所述合路器的所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构为LC型结构时,所述阻抗变换器的第五电感L5的一部分用于合路器中以配合阻抗匹配,另一部分用于与所述第二功率放大器的寄生电容进行谐振。令小信号时,辅路开路更好。
在一个具体实施例中,以某N77频段功率比为1:1(两路放大器的功率比,功率比也可以不同)的Doherty PA项目为例,其Rmod、Ropt_m、Ropt_p分别为:Rmod=10Ω,Ropt_m=5Ω,Ropt_p=5Ω,Roff_p=∞,该合路器带宽为77.33%,阻抗变换器带宽为42.6%,而现有技术带宽分别为29.3%和9.8%,因此实现了良好的宽带匹配。
本申请实施例所记载的技术方案之间,在不冲突的情况下,可以任意组合。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的方法和智能设备,可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,如:多个单元或组件可以结合,或可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另外,所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口,设备或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性的、机械的或其它形式的。
上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,也可以分布到多个网络单元上;可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外,在本申请各实施例中的各功能单元可以全部集成在一个第二处理单元中,也可以是各单元分别单独作为一个单元,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中;上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。
Claims (13)
1.一种功率放大电路,其特征在于,所述功率放大电路包括:第一功率放大器、第二功率放大器以及输出匹配网络;所述输出匹配网络包括合路器和阻抗变换器;
所述合路器,连接所述第一功率放大器和所述第二功率放大器,用于对所述第一功率放大器对应的第一支路和所述第二功率放大器对应的第二支路进行合路;
所述阻抗变换器,连接所述合路器,用于将所述第一支路和所述第二支路的合路阻抗转换到目标负载阻抗;
其中,所述合路器具有多级匹配结构和/或所述阻抗变换器具有带通结构。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述合路器具有串联的第一级匹配结构和第二级匹配结构;其中,
所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构为π型结构;或者,
所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构为LC型结构。
3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构为π型结构的情况:
所述第一级匹配结构包括:第一电容、第一电感以及第二电容;所述第一电容的一端接地,另一端连接所述第一电感;所述第一电感的一端连接所述第一电容,另一端连接所述第二电容;所述第二电容的一端连接所述第一电感,另一端接地;
所述第二级匹配结构包括:第三电容、第二电感以及第四电容;所述第三电容的一端接地,另一端连接所述第二电感;所述第二电感的一端连接所述第三电容,另一端连接所述第四电容;所述第四电容的一端连接所述第二电感,另一端接地。
4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述第一电容、所述第三电容分别为所述第一功率放大器、所述第二功率放大器的寄生电容。
5.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,
所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可合并设置;和/或,
所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可集成到所述第一功率放大器和所述第二功率放大器所在的模组内;和/或,
所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可合并至所述阻抗变换器内。
6.根据权利要求5所述的电路,其特征在于,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可合并设置,包括:
所述第一级匹配结构中的所述第二电容和所述第二级匹配结构中的所述第三电容可合并设置。
7.根据权利要求5所述的电路,其特征在于,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构中的至少部分电容可集成到所述第一功率放大器和所述第二功率放大器所在的模组内,包括:
所述第一级匹配结构中的所述第一电容可集成到所述第一功率放大器所在的模组内,和/或,所述第二级匹配结构中的所述第四电容可集成到所述第二功率放大器所在的模组内。
8.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构为LC型结构的情况:
所述第一级匹配结构包括:第三电感以及第五电容;所述第三电感的一端连接第一电源,另一端连接所述第五电容;
所述第二级匹配结构包括:第四电感以及第六电容;所述第四电感的一端接地,另一端连接所述第六电容;所述第六电容连接所述第四电感。
9.根据权利要求8所述的电路,其特征在于,所述第三电感为所述第一功率放大器内与电源连接的扼流电感。
10.根据权利要求2至9中任一项所述的电路,其特征在于,所述阻抗变换器的带通结构包括:第五电感、第七电容、第八电容以及第九电感;其中,
所述第五电感的一端连接第二电源,另一端连接所述第七电容;
所述第七电容的一端连接所述第五电感,另一端连接所述第八电容和所述第九电感;
所述第八电容的一端接地,另一端连接所述第七电容和所述第九电感;
所述第九电感的一端连接所述第七电容和所述第八电容,另一端为信号输出端。
11.根据权利要求10所述的电路,其特征在于,当所述第一级匹配结构和所述第二级匹配结构为LC型结构时,所述阻抗变换器的第五电感的一部分用于所述合路器中以配合阻抗匹配,另一部分用于与所述第二功率放大器的寄生电容进行谐振。
12.根据权利要求2至9中任一项所述的电路,其特征在于,所述功率放大电路还包括:移相器;
所述移相器,连接所述第一功率放大器的输入端,用于对所述第一支路上的信号的相位进行调整;及/或,
所述移相器,连接所述第二功率放大器的输入端,用于对所述第二支路上的信号的相位进行调整。
13.根据权利要求2至9中任一项所述的电路,其特征在于,所述功率放大电路还包括:功分器;
所述功分器,连接所述第一功率放大器的输入端和所述第二功率放大器的输入端,用于将输入信号功分为两路信号,并分别输出至所述第一功率放大器和所述第二功率放大器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211738398.XA CN115955203A (zh) | 2022-12-30 | 2022-12-30 | 一种功率放大电路 |
PCT/CN2024/070235 WO2024141109A1 (zh) | 2022-12-30 | 2024-01-02 | 一种功率放大电路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211738398.XA CN115955203A (zh) | 2022-12-30 | 2022-12-30 | 一种功率放大电路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115955203A true CN115955203A (zh) | 2023-04-11 |
Family
ID=87287480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211738398.XA Pending CN115955203A (zh) | 2022-12-30 | 2022-12-30 | 一种功率放大电路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115955203A (zh) |
WO (1) | WO2024141109A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117792307A (zh) * | 2023-12-27 | 2024-03-29 | 尚睿微电子(上海)有限公司 | 射频功率放大器及电子设备 |
CN117856749A (zh) * | 2024-02-08 | 2024-04-09 | 北京巨束科技有限公司 | 功率合成模块及功率放大器 |
WO2024141109A1 (zh) * | 2022-12-30 | 2024-07-04 | 尚睿微电子(上海)有限公司 | 一种功率放大电路 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1529935A (zh) * | 2000-12-29 | 2004-09-15 | �������ɭ | 用于高效率的信号发射机的三重E类Doherty放大器拓扑 |
CN109728783A (zh) * | 2017-10-30 | 2019-05-07 | 华为技术有限公司 | 一种多赫蒂功率放大电路、功率放大器、终端及基站 |
CN111293999A (zh) * | 2020-05-12 | 2020-06-16 | 浙江铖昌科技有限公司 | 一种宽带可重构功率放大器和雷达系统 |
CN111614325A (zh) * | 2019-02-26 | 2020-09-01 | 上海大学 | 基于勒让德阻抗变换器的Doherty放大器 |
CN112491365A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-03-12 | 南京米乐为微电子科技有限公司 | 一种基于单并联谐振块的宽带Doherty功率放大器 |
CN113271067A (zh) * | 2021-06-02 | 2021-08-17 | 中国科学院微电子研究所 | 基于去匹配结构的Doherty功率放大器及电子设备 |
CN114070210A (zh) * | 2022-01-18 | 2022-02-18 | 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 | 一种高带宽的负载调制功率放大器及相应的射频前端模块 |
CN216390917U (zh) * | 2021-11-05 | 2022-04-26 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | Doherty射频功率放大器 |
US20220158594A1 (en) * | 2019-09-23 | 2022-05-19 | University College Dublin, National University Of Ireland | Power amplifiers |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115955203A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-04-11 | 尚睿微电子(上海)有限公司 | 一种功率放大电路 |
-
2022
- 2022-12-30 CN CN202211738398.XA patent/CN115955203A/zh active Pending
-
2024
- 2024-01-02 WO PCT/CN2024/070235 patent/WO2024141109A1/zh unknown
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1529935A (zh) * | 2000-12-29 | 2004-09-15 | �������ɭ | 用于高效率的信号发射机的三重E类Doherty放大器拓扑 |
CN109728783A (zh) * | 2017-10-30 | 2019-05-07 | 华为技术有限公司 | 一种多赫蒂功率放大电路、功率放大器、终端及基站 |
CN111614325A (zh) * | 2019-02-26 | 2020-09-01 | 上海大学 | 基于勒让德阻抗变换器的Doherty放大器 |
US20220158594A1 (en) * | 2019-09-23 | 2022-05-19 | University College Dublin, National University Of Ireland | Power amplifiers |
CN111293999A (zh) * | 2020-05-12 | 2020-06-16 | 浙江铖昌科技有限公司 | 一种宽带可重构功率放大器和雷达系统 |
CN112491365A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-03-12 | 南京米乐为微电子科技有限公司 | 一种基于单并联谐振块的宽带Doherty功率放大器 |
CN113271067A (zh) * | 2021-06-02 | 2021-08-17 | 中国科学院微电子研究所 | 基于去匹配结构的Doherty功率放大器及电子设备 |
CN216390917U (zh) * | 2021-11-05 | 2022-04-26 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | Doherty射频功率放大器 |
CN114070210A (zh) * | 2022-01-18 | 2022-02-18 | 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 | 一种高带宽的负载调制功率放大器及相应的射频前端模块 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024141109A1 (zh) * | 2022-12-30 | 2024-07-04 | 尚睿微电子(上海)有限公司 | 一种功率放大电路 |
CN117792307A (zh) * | 2023-12-27 | 2024-03-29 | 尚睿微电子(上海)有限公司 | 射频功率放大器及电子设备 |
CN117856749A (zh) * | 2024-02-08 | 2024-04-09 | 北京巨束科技有限公司 | 功率合成模块及功率放大器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2024141109A1 (zh) | 2024-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN115955203A (zh) | 一种功率放大电路 | |
CN114050792A (zh) | 一种新型宽带多赫蒂射频功率放大器 | |
CN100542011C (zh) | 具有高功效的集成多赫尔蒂型放大器装置 | |
WO2023087627A1 (zh) | 一种宽带Doherty功率放大器 | |
CN111416578A (zh) | 基于低Q输出网络的宽带集成Doherty功率放大器 | |
CN214256246U (zh) | 一种新型后匹配结构Doherty功率放大器 | |
CN216390920U (zh) | Doherty射频功率放大器 | |
WO2021135408A1 (zh) | 超宽带微波毫米波差分功率放大器 | |
CN114094959A (zh) | 一种Doherty射频集成功率放大器 | |
CN112543006B (zh) | 一种超宽带可重构功率放大器单片微波集成电路 | |
CN114024512B (zh) | 一种频分双工的超宽带低噪声放大器 | |
CN111431488A (zh) | 射频功率放大器及通信设备 | |
EP3070840A1 (en) | Power amplifier and power amplification method | |
WO2023078062A1 (zh) | Doherty射频功率放大器 | |
CN117792308A (zh) | 射频功率放大器及电子设备 | |
CN112838831B (zh) | 一种新型后匹配结构Doherty功率放大器 | |
CN210839488U (zh) | 超宽带微波毫米波差分功率放大器 | |
CN116743093A (zh) | 一种宽带Doherty功率放大器 | |
CN111884615A (zh) | 一种高阶宽带输入阻抗匹配网络及其应用 | |
CN112636703B (zh) | 一种双频段功率芯片电路结构 | |
KR20200094535A (ko) | 도허티 전력 증폭 장치 및 이 장치의 부하 임피던스 변조 방법 | |
CN210839483U (zh) | 一种差分功率放大器用输出匹配网络 | |
CN113131874B (zh) | 一种无线通信用Doherty功率放大器 | |
WO2013053713A1 (en) | Envelope tracking power amplifier with low impedance supply feed | |
CN117792307A (zh) | 射频功率放大器及电子设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |