CN115951221B - 电池包漏放电性能的检测方法和检测设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电池包漏放电性能的检测方法和检测设备，所述电池包漏放电性能的检测方法包括：获取合格样品相对于检测探头的初始位置；根据所述初始位置获取最优样品相对于所述检测探头的测量位置；将所述待测样品放置于所述测量位置且对所述待测样品的磁场强度进行检测；根据所述测量位置与所述初始位置的对比值、所述待测样品的磁场强度判断所述待测样品是否合格。根据本发明实施例的电池包漏放电性能的检测方法，可以实现电池包漏放电性能的精确检验，且在检测过程中，不用改变检测探头的位置，且无须对检测参数进行调整，可以实现待测样品的流水化检测，使得该检测方法可应用在工业生产中。

Description

电池包漏放电性能的检测方法和检测设备

技术领域

本发明涉及检测设备技术领域，尤其是涉及一种电池包漏放电性能的检测方法以及一种电池包漏放电性能的检测设备。

背景技术

动力电池的电池包存在自放电现象，由于绝缘性能不足导致物理自放电程度较严重的即为漏电，对于上述电池包的漏放电性能检测，目前主要采用电学方式进行检测，即直接监测电池包的电量变化情况来获知。相关技术中，采用SERF原子磁力计对电池包进行测量，可以满足远距离检测需要的灵敏度，但缺乏适用于工业化的、调制参数相对确定的测量方法，存在改进的空间。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种电池包漏放电性能的检测方法，检测精度高，且无须调整检测探头的位置和检测参数，可用于流水化检测。

根据本发明实施例的电池包漏放电性能的检测方法，所述检测方法包括：获取合格样品相对于检测探头的初始位置；根据所述初始位置获取最优样品相对于所述检测探头的测量位置；将所述待测样品放置于所述测量位置且对所述待测样品的磁场强度进行检测；根据所述测量位置与所述初始位置的对比值、所述待测样品的磁场强度判断所述待测样品是否合格。

根据本发明实施例的电池包漏放电性能的检测方法，可以实现电池包漏放电性能的精确检验，且在检测过程中，不用改变检测探头的位置，且无须对检测参数进行调整，可以实现待测样品的流水化检测，使得该检测方法可应用在工业生产中。

根据本发明实施例的电池包漏放电性能的检测方法，所述根据所述初始位置获取最优样品相对于所述检测探头的测量位置包括：获取所述合格样品的最大正量程位置；将所述最优样品放置于所述最大正量程位置；将所述最优样品从所述最大正量程位置朝远离所述检测探头的方向运动至最大负量程位置以获取所述测量位置。

根据本发明实施例的电池包漏放电性能的检测方法，根据所述测量位置与所述初始位置的对比值、所述待测样品的磁场强度判断所述待测样品是否合格包括：在判定所述测量位置大于所述初始位置时，若所述待测样品的磁场强度超出最大量程范围，则判定所述待测样品不合格；若所述待测样品的磁场强度在最大量程范围，则根据所述待测样品靠近所述检测探头时的磁场强度变化判断所述待测样品是否合格。

根据本发明实施例的电池包漏放电性能的检测方法，所述根据所述待测样品靠近所述检测探头时的磁场强度变化判断所述待测样品是否合格包括：若所述待测样品的磁场强度为先减小后增大，且增大位置小于或等于所述初始位置，则判定所述待测样品合格；若所述待测样品的磁场强度为先减小后增大，且增大位置大于所述初始位置，则判定所述待测样品不合格；若所述待测样品的磁场强度为一直增大，则判定所述待测样品不合格。

根据本发明实施例的电池包漏放电性能的检测方法，根据所述测量位置与所述初始位置的对比值、所述待测样品的磁场强度判断所述待测样品是否合格包括：在判定所述测量位置小于等于所述初始位置时，若所述待测样品的磁场强度超出最大量程范围，则判定所述待测样品不合格；若所述待测样品的磁场强度在最大量程范围内，则根据所述待测样品远离所述检测探头时的磁场强度变化判断所述待测样品是否合格。

根据本发明实施例的电池包漏放电性能的检测方法，所述根据所述待测样品远离所述检测探头时的磁场强度变化判断所述待测样品是否合格包括：驱动所述待测样品朝远离所述检测探头的方向移动，若所述待测样品的磁场强度为先减小后增大，且增大位置小于或等于所述初始位置，则判定所述待测样品合格；若所述待测样品的磁场强度为先减小后增大，增大位置大于所述初始位置，则判定所述待测样品不合格；若所述待测样品的磁场强度为一直增大，则判定所述待测样品合格。

根据本发明实施例的电池包漏放电性能的检测方法，还包括：在判定所述待测样品为不合格后，将所述待测样品放置于所述初始位置，且将所述待测样品与所述检测探头之间的距离增大到最大距离值；若所述待测样品的磁场强度未达到最大量程范围则判定所述待测样品为最低等级的不合格品；若所述待测样品的磁场强度达到最大量程范围内，则以第一设定距离逐渐缩小所述待测样品与所述检测探头之间的距离直至所述待测样品的磁场强度达到最大量程，且根据所述第一设定距离划分不合格品等级。

根据本发明实施例的电池包漏放电性能的检测方法，还包括：在判定所述待测样品为合格后，将所述待测样品放置于所述测量位置；以第二设定距离逐渐缩小所述待测样品与所述检测探头之间的距离直至所述待测样品的磁场强度达到最大量程，且根据所述第二设定距离划分合格品等级。

本发明的另一个目的在于提出一种电池包漏放电性能的检测设备。

根据本发明实施例的电池包漏放电性能的检测设备，所述检测设备适用于上述任一实施例所述的电池包漏放电性能的检测方法，且所述检测设备包括：磁屏蔽箱，所述磁屏蔽箱具有屏蔽腔；检测探头，所述检测探头安装于所述屏蔽腔内；电池包，所述电池包可活动地安装于所述屏蔽腔内且适于朝靠近或远离所述检测探头的方向运动。

根据本发明实施例的电池包漏放电性能的检测设备，还包括：夹具和旋转座，所述夹具用于夹持所述电池包，且所述夹具安装于所述旋转座；偏转轮，所述旋转座绕x向可转动地安装于所述偏转轮；移动底座，所述偏转轮绕z向可转动地安装于所述移动底座，且所述移动底座沿y向可活动地安装在所述磁屏蔽箱；其中所述y向为所述电池包靠近或远离所述检测探头的方向。

所述电池包漏放电性能的检测设备和上述的电池包漏放电性能的检测方法相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本发明实施例的检测方法的流程示意图；

图2是根据本发明实施例的检测方法在具体执行中的流程示意图；

图3是根据本发明实施例的检测方法在具体执行中的流程示意图；

图4是根据本发明实施例的检测方法在具体执行中的流程示意图；

图5是根据本发明实施例的检测方法在具体执行中的流程示意图(一种实施例)；

图6是根据本发明实施例的检测方法在具体执行中的流程示意图(另一种实施例)；

图7是根据本发明实施例的检测方法在具体执行中的流程示意图；

图8是根据本发明实施例的检测方法在具体执行中的流程示意图；

图9是根据本发明实施例的电池包漏放电性能的检测设备的结构示意图；

图10是根据本发明实施例的电池包漏放电性能的检测设备中泵浦光激光器的工作原理图；

图11是根据本发明实施例的电池包漏放电性能的检测设备中检测光激光器的工作原理图。

附图标记：

检测设备100，

磁屏蔽箱1，检测探头2，泵浦光激光器21，检测光激光器22，光纤耦合器23，准直透镜24，扩束器25，起偏器26，1/4玻片27，气体室28，分光棱镜29，

电池包3，夹具41，旋转座42，偏转轮43，移动底座44，导杆45，导轨46。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

下面参考图1-图11描述根据本发明实施例的电池包漏放电性能的检测方法，该检测方法通过调整电池包3的位置以实现电池包漏放电性能的精确检验，在检测过程中，不用改变检测探头2的位置，且无须对检验参数进行调整，可以实现电池包3的流水化检测，可应用在工业生产中。

其中，如图1所示，本发明实施例的检测方法包括：

S10：获取合格样品相对于检测探头2的初始位置。需要说明的是，在进行测量工作前，可以通过传统手段对电池包3进行检测，以在漏放电性能合格的电池包3中选取出合格样品和最优样品，合格样品和最优样品用于对检测设备100的检测参数进行校正。其中，合格样品为漏放电性能刚刚合格的电池包3，最优样品为漏放电性能最优的电池包3。

也就是说，检测探头2通常设置在磁屏蔽箱1的一端，技术人员可以根据自身经验在远离检测探头2的位置处选取初始位置，优选的，可以使初始位置和检测探头2之间的距离大于电池包3最大边长的五十倍，这样，在测量过程中，使得电池包3可以趋近于质点模型，减小了电池包3对检测探头2的干扰，提高了测量的准确性。

进一步地，通过将合格样品放置在初始位置处，并调整检测装置的检测参数以改变磁屏蔽箱1内的补偿磁场，使得补偿磁场与合格样品的磁场大小相等且方向相反，这样，在合格样品处于初始位置时，检测探头2所检测到的磁场强度为零，从而构造出合格电池包3的参考零点，以便于进行下一步的检测判断。

S20：根据初始位置获取最优样品相对于检测探头2的测量位置。也就是说，当补偿磁场调整完成后，可以将合格样品从磁屏蔽箱1中取出，并将最优样品放置在磁屏蔽箱1内。由于最优样品的放电电流较小，最优样品产生的磁场较小，可以通过调整最优样品的位置，使得补偿磁场的磁场强度大于最优样品的磁场强度，且使得检测探头2检测到的磁场强度达到最大量程，此时，最优样品所处的位置为测量位置。

S30：将待测样品放置于测量位置且对待测样品的磁场强度进行检测。也就是说，当测量位置确定后，可以将最优样品取出磁屏蔽箱1，并将待测样品放入测量位置处，通过调整待测样品相对检测探头2的角度，使得待测样品的最大磁场正对检测探头2，此时，检测探头2可以对待测样品进行精确检测，以获得准确的待测样品的磁场强度。

S40：根据测量位置与初始位置的对比值、待测样品的磁场强度判断待测样品是否合格。

需要说明的是，由于传统检测方法存在一定的精度误差，且电池包3随时间产生一定的老化，无法保证每次校正时的最优样品和合格样品完全相同，且在校正过程中存在轻微测量误差，在不同的校正过程中，测量位置和初始位置之间的位置关系存在变化，如测量位置到检测探头2的距离大于初始位置到检测探头2的距离，或者测量位置到检测探头2的距离小于初始位置到检测探头2的距离。

其中，当补偿磁场的磁场强度大于待测样品自身的磁场强度时，可以设置补偿磁场的磁场强度和待测样品自身的磁场强度的差值为负值；当补偿磁场的磁场强度小于待测样品自身的磁场强度时，可以设置补偿磁场的磁场强度和待测样品自身的磁场强度的差值为正值，当然，在实际的检测过程中，检测探头2仅能检测磁场强度的大小(即补偿磁场的磁场强度和待测样品自身的磁场强度的差值的大小)，而无法区别磁场的方向，此处的正值和负值仅用于表述补偿磁场的磁场强度和待测样品自身的磁场强度的大小关系。

需要说明的是，在待测样品朝向靠近检测探头2的方向移动时，待测样品自身的磁场强度增大，补偿磁场和待测样品之间的强度差值对应发生变化，此时，若检测探头2所检测到的磁场强度减小，则检测探头2所检测到的磁场强度为负值；若检测探头2所检测到的磁场增大，则检测探头2检测到的磁场强度为正值。由此，在待测样品的检测过程中，可以通过移动待测样品以确定磁场强度的正负值。

可以理解的是，当测量位置到检测探头2的距离大于初始位置到检测探头2的距离时，若检测探头2检测到的磁场强度为负值(仅表示补偿磁场和待测样品之间磁场强度的大小关系，和磁场强度的实际大小无关)，且磁场强度大于等于合格样品在相同位置时检测到的磁场强度，则待测样品合格；反之，则为不合格。而当测量位置到检测探头2的距离小于初始位置到检测探头2的距离时，若检测探头2检测到负值，或者检测探头2检测到正值(仅表示补偿磁场和待测样品之间磁场强度的大小关系，和磁场强度的实际大小无关)，且为正值的磁场强度小于等于合格样品在相同位置时的磁场强度，则待测样品合格；反之，则为不合格。

根据本发明实施例的电池包漏放电性能的检测方法，可以通过最优样品和合格样品实现检测参数的精确校正，且通过调整待测样品的位置，结合检测探头2所测出的磁场强度，即可实现电池包漏放电性能的精确检验，在检测过程中，不用改变检测探头2的位置，且无须对参数进行调整，可以实现待测样品的流水化检测，使得该检测方法可应用在工业生产中。

在一些实施例中，如图2所示，S20：根据初始位置获取最优样品相对于检测探头2的测量位置包括：

S21：获取合格样品的最大正量程位置。其中，最大正量程位置为磁场强度为正值且刚好达到最大量程的位置，且最大负量程位置为磁场强度为负值且刚好达到最大量程的位置。

也就是说，当补偿磁场调整完毕后，可以驱动合格样品向检测探头2移动，随着合格样品逐渐靠近检测探头2，检测探头2所检测到的磁场强度逐渐增大，当磁场强度达到最大量程时，合格样品到达最大正量程位置。

S22：将最优样品放置于最大正量程位置。也就是说，合格样品在达到最大量程位置后，将合格样品从磁屏蔽箱1中取出，并将最优样品放置在最大量程位置处。其中，由于最优样品的漏放电性能较好，最优样品的磁场较小，通过在最大正量程位置处更换最优样品，使得最优样品作用在检测探头2处的磁场相对较大，以避免检测探头2所检测到的磁场强度为超过最大量程范围的负值，以避免后续步骤出错，提高了校正过程的可靠性和稳定性。

S23：将最优样品从最大正量程位置朝远离检测探头2的方向运动至最大负量程位置以获取测量位置。也就是说，在最优样品远离检测探头2的过程中，最优样品作用在检测探头2的磁场强度逐渐缩小，此时，若检测探头2检测到的磁场随距离的增大而增大时，检测探头2所检测到的磁场强度为负值，当为负值的磁场强度达到最大量程时，最优样品处于最大负量程位置。

可以理解的是，待测样品自身的磁场强度大于等于最优样品自身的磁场强度，通过设置最大负量程位置为测量位置，当待测样品放置在测量位置时，若检测探头2检测到的磁场强度为负值时，磁场强度小于等于最大量程，通过驱动待测样品向检测探头2移动，即可快速判断出磁场强度为正值或负值，利于提高待测样品合格性判断的准确性。

在一些实施例中，如图3所示，S40：根据测量位置与初始位置的对比值、待测样品的磁场强度判断待测样品是否合格包括：

S41：在判定测量位置大于初始位置时，若待测样品的磁场强度超出最大量程范围，则判定待测样品不合格。可以理解的是，当待测样品放置在测量位置后，通过检测探头2获取磁场强度，由于待测样品自身的磁场强度大于等于最优样品自身的磁场强度，检测探头2检测到的磁场强度不会在为负值时超出量程，此时，若检测到的磁场强度超出最大量程范围，磁场强度必定为正值，而合格样品在测量位置的磁场强度为负值(测量位置大于初始位置时，合格样品在初始位置时的磁场强度为零)，待测样品的磁场强度大于合格样品的磁场强度，则判定待测样品为不合格。

S42：在判定测量位置大于初始位置时，若待测样品的磁场强度在合格样品的最大量程范围，则根据待测样品靠近检测探头2时的磁场强度变化判断待测样品是否合格。

可以理解的是，当待测样品放置在测量位置后，可以通过检测探头2获取磁场强度，若检测到的磁场强度不超出最大量程范围，磁场强度可能为正值，也可能为负值，通过驱动待测样品向初始位置进行移动，根据磁场强度的大小变化，以判断出磁场强度为正值或是负值。根据磁场强度的正负值结合参考零点进行判断，可以得到待测样品的磁场强度和合格样品的磁场强度的大小关系，若待测样品的磁场强度小于合格样品的磁场强度，则待测样品为合格，若待测样品的磁场强度大于合格样品的磁场强度，则待测样品为不合格。

在一些实施例中，如图4所示，根据待测样品靠近所述检测探头2时的磁场强度变化判断待测样品是否合格包括：

S421：若待测样品的磁场强度为先减小后增大，且增大位置小于或等于初始位置，则判定待测样品合格。可以理解的是，当待测样品向检测探头2靠近时，待测样品自身的磁场强度(作用在检测探头2上的磁场强度)逐渐增大，若检测探头2检测到的磁场强度出现减小，则待测样品在测量位置时的磁场强度为负值。随着待测样品向检测探头2逐渐移动，待测样品的磁场强度先减小后增大，增大位置即为待测样品的磁场强度的零点。若待测样品的零点到检测探头2的距离小于或等于初始位置到检测探头2的距离，则待测样品的磁场强度小于或等于合格样品的磁场强度，待测样品合格。

S422：若待测样品的磁场强度为先减小后增大，且增大位置大于初始位置，则判定待测样品不合格。可以理解的是，当待测样品向检测探头2靠近时，待测样品自身的磁场强度(作用在检测探头2上的磁场强度)逐渐增大，若检测探头2检测到的磁场强度出现减小，则待测样品在测量位置时的磁场强度为负值。随着待测样品向检测探头2逐渐移动，待测样品的磁场强度先减小后增大，增大位置即为待测样品的磁场强度的零点。若待测样品的零点到检测探头2的距离大于初始位置到检测探头2的距离，则待测样品的磁场强度大于合格样品的磁场强度，待测样品不合格。

S423：若待测样品的磁场强度为一直增大，则判定待测样品不合格。可以理解的是，当待测样品向检测探头2靠近时，待测样品自身的磁场强度逐渐增大，若检测探头2检测到的磁场强度一直增大，则待测样品在测量位置时的磁场强度为正值，而待测样品在测量位置时的磁场强度为负值，待测样品的磁场强度大于合格样品的磁场强度，待测样品不合格。

在一些实施例中，如图3所示，根据测量位置与初始位置的对比值、待测样品的磁场强度判断待测样品是否合格包括：

S43：在判定测量位置小于等于初始位置时，若待测样品的磁场强度超出最大量程范围，则判定待测样品不合格。可以理解的是，当待测样品放置在测量位置后，可以通过检测探头2获取磁场强度，由于待测样品自身的磁场强度大于或等于最优样品自身的磁场强度，检测探头2检测到的磁场强度不会在为负值时超出量程，此时，若检测到的磁场强度超出最大量程范围，则磁场强度必定为正值，由于检测位置和检测探头2之间的距离大于最大正量程位置和检测探头2之间的距离，待测样品的磁场强度大于合格样品的磁场强度，则判定待测样品为不合格。

S44：在判定测量位置小于等于初始位置时，若待测样品的磁场强度在最大量程范围内，则根据待测样品远离检测探头2时的磁场强度变化判断待测样品是否合格。

可以理解的是，当待测样品放置在测量位置后，可以通过检测探头2获取磁场强度，若检测到的磁场强度不超出最大量程范围，磁场强度可能为正值，也可能为负值，通过驱动待测样品向靠近检测探头2的方向进行移动，根据磁场强度的大小变化，以判断出磁场强度为正值或负值。根据磁场强度的正负值结合最大正量程位置进行判断，由此，可以获得待测样品的磁场强度和合格样品的磁场强度之间的大小关系，若待测样品的磁场强度小于合格样品的磁场强度，则待测样品为合格，若待测样品的磁场强度大于合格样品的磁场强度，则待测样品为不合格。

在一些实施例中，如图5所示，根据待测样品远离检测探头2时的磁场强度变化判断待测样品是否合格包括：

S441：若待测样品的磁场强度为先减小后增大，且增大位置小于或等于初始位置，则判定待测样品合格。

可以理解的是，当待测样品朝向远离检测探头2的方向运动时，待测样品自身的磁场强度逐渐减小，若检测探头2检测到的磁场强度出现减小，则待测样品在测量位置时的磁场强度为正值。随着待测样品逐渐远离检测探头2，待测样品的磁场强度先减小后增大(增大后的磁场强度为负值)，增大位置为待测样品的磁场强度的零点，若待测样品的零点到检测探头2的距离小于初始位置到检测探头2的距离，则待测样品的磁场强度小于合格样品的磁场强度，待测样品的漏放电性能合格。

S442：若待测样品的磁场强度为先减小后增大，且增大位置大于初始位置，则判定待测样品不合格。可以理解的是，当待测样品朝向远离检测探头2的方向运动时，待测样品自身的磁场强度逐渐减小，若检测探头2检测到的磁场强度出现减小，则待测样品在测量位置时的磁场强度为正值。随着待测样品逐渐远离检测探头2，待测样品的磁场强度先减小后增大(增大后的磁场强度为负值)，增大位置为待测样品的磁场强度的零点，若待测样品的零点到检测探头2的距离大于初始位置到检测探头2的距离，则待测样品的磁场强度大于合格样品的磁场强度，待测样品不合格。

S443：若待测样品的磁场强度为一直增大，则判定待测样品合格。

可以理解的是，当待测样品远离检测探头2时，待测样品自身的磁场强度逐渐缩小，若检测探头2检测到的磁场强度一直增大，待测样品在测量位置时的磁场强度为负值，则待测样品的磁场强度小于合格样品的磁场强度，待测样品合格。

在另一些实施例中，如图6所示，S45：在判定测量位置小于等于初始位置时，若待测样品的磁场强度在最大量程范围内，则根据待测样品靠近检测探头2时的磁场强度变化判断待测样品是否合格，包括：

S451：若待测样品的磁场强度为先减小后增大，则判定待测样品合格。

可以理解的是，当待测样品朝向靠近检测探头2的方向运动时，待测样品自身的磁场强度逐渐增大，若检测探头2检测到的磁场强度出现减小，待测样品在测量位置时的磁场强度为负值，则待测样品的磁场强度小于合格样品的磁场强度，待测样品合格。

S452：若待测样品的磁场强度不断增大，且最大量程位置大于最大正量程位置，则判定待测样品不合格。

可以理解的是，随着待测样品逐渐靠近检测探头2，待测样品自身的磁场强度逐渐增大，若待测样品的磁场强度不断增大，则待测样品在检测位置处的磁场强度为正值，且当磁场强度增大至最大量程时，待测样品位于最大量程位置，若待测样品的最大量程位置到检测探头2的距离大于最大正量程位置到检测探头2的距离，则待测样品的磁场强度大于合格样品的磁场强度，待测样品不合格。

S453：若待测样品的磁场强度不断增大，且最大量程位置小于或等于最大正量程位置，则判定待测样品合格。

可以理解的是，随着待测样品逐渐靠近检测探头2，待测样品自身的磁场强度逐渐增大，若待测样品的磁场强度不断增大，则待测样品在检测位置处的磁场强度为正值，且当磁场强度增大至最大量程时，待测样品位于最大量程位置，若待测样品的最大量程位置到检测探头2的距离小于或等于正量程位置到检测探头2的距离，则待测样品的磁场强度小于合格样品的磁场强度，待测样品合格。

在一些实施例中，在判定待测样品为不合格后，对待测样品的不合格等级进行区分。也就是说，当待测样品确定为不合格后，可以对待测样品进行二次检测，以将不合格的待测样品分为不同等级，根据不同的等级进行不同的处理。具体的，可以将不合格等级分为极差、差和较差，可以将不合格等级为极差的待测样品进行报废，并将不合格等级为差和较差的待测样品应用于对电池包漏放电性能要求较低的场景。

以及在判定待测样品为合格后，对待测样品的合格等级进行区分。也就是说，当待测样品确定为合格后，可以对待测样品进行二次检测，以将合格的待测样品分为不同等级，根据不同的等级进行不同的处理。具体的，可以将合格等级分为较好、好和极好，将不同合格等级的电池设置为不同价格，如将合格等级为极好的待测样品设置为最高价，以提高产品的利润，或者将合格等级较高的待测样品应用于对电池包漏放电性能要求较高的场景。

在一些实施例中，如图7所示，本发明实施例的电池包漏放电性能的检测方法，还包括：

S51：在判定待测样品为不合格后，将待测样品放置于初始位置，且将待测样品与检测探头2之间的距离增大到最大距离值。其中，最大距离值可以根据技术人员的经验、行业内的规范和磁屏蔽箱1的尺寸进行设置。

也就是说，当确定待测样品为不合格后，可以将待测样品放置在初始位置，待测样品在初始位置处的磁场强度大于零且为正值，若待测样品的磁场强度超出最大量程范围，则无法进行分级，此时，可以通过驱动待测样品从初始位置向远离检测探头2的方向移动至最大距离值处，以减小待测样品的磁场强度，使得检测探头2可以测出待测样品的磁场强度，以利于区分待测样品的等级。

S52：若待测样品的磁场强度未达到最大量程范围则判定待测样品为最低等级的不合格品。也就是说，当待测样品和检测探头2之间的距离达到最大距离值时，若待测样品的磁场强度过大而超出最大量程范围，则说明待测样品的漏放电性能太差存在重大故障，直接将待该待测样品定为最低等级的不合格品，并对该待测样品进行报废处理。

S53：若待测样品的磁场强度达到最大量程范围内，则以第一设定距离逐渐缩小待测样品与检测探头2之间的距离直至待测样品的磁场强度达到最大量程，且根据第一设定距离划分不合格品等级。其中，第一设定距离可以根据技术人员的经验、生产规范和和磁屏蔽箱1的尺寸进行设置。

也就是说，当待测样品和检测探头2之间的距离达到最大距离值时，若待测样品的磁场强度在最大量程范围内，控制待测样品朝靠近检测探头2的方向进行移动，且单次移动一个区间(区间宽度为第一设定距离)，每个区间对应不同的不合格品等级，且越靠近检测探头2的区间所对应的等级越高。可以理解的是，若待测样品在移动一个区间后，磁场强度达到最大量程，则该待测电池划分为该区间对应的不合格等级，若未达到最大量程，则继续移动。

通过上述设置，实现了不合格的待测样品的快速分级，且可将不同等级的待测样品应用于不同场景，实现了不合格待测样品的有效利用，降低了生产成本。

在一些实施例中，如图8所示，本发明实施例的电池包漏放电性能的检测方法，还包括：

S61：在判定所述待测样品为合格后，将待测样品放置于测量位置。也就是说，当判断待测样品为合格后，可以将待测样品放置在测量位置，并驱动待测样品从测量位置向靠近检测探头2的方向移动，以增大待测样品的磁场强度，从而根据不同的磁场强度区分待测样品的等级。

S62：以第二设定距离逐渐缩小待测样品与检测探头2之间的距离直至待测样品的磁场强度达到最大量程，且根据第二设定距离划分合格品等级。其中，第二设定距离可以根据技术人员的经验、生产规范和磁屏蔽箱1的尺寸进行设置。

也就是说，当合格的待测样品处于测量位置时，待测样品的磁场强度小于或等于最大量程。其中，当待测样品的磁场强度为最大量程时，磁场强度为负值(与最优样品相同)，即待测样品为最高等级。

而当待测样品的磁场强度未达到最大量程时，驱动待测电池朝靠近检测探头2的方向进行移动，以增大待测样品自身的磁场强度，使得待测样品的磁场强度达到最大量程，待测样品达到最大量程时的位置越靠近检测探头2，则待测样品的磁场强度越小，待测样品的等级越高。具体的，可以设置待测样品单次移动一个区间(区间宽度为第二设定距离)，每个区间均设有对应的合格等级，在待测样品在移动一个区间后，若磁场强度达到最大量程，则该待测样品划分为该区间对应的不合格等级，若未达到最大量程，则继续移动。

通过上述设置，实现了合格的待测样品的快速分级，可以设置不同等级的待测样品具有不同的价格，以提高产品利润，或是设置不同等级的待测样品具有不同的应用场景。

本发明又提出一种电池包漏放电性能的检测设备100。

根据本发明实施例的电池包漏放电性能的检测设备100，检测设备100适用于上述任一实施例的电池包漏放电性能的检测方法，且如图9所示，检测设备100包括：磁屏蔽箱1、检测探头2和电池包3。

其中，磁屏蔽箱1具有屏蔽腔，磁屏蔽箱1可以将屏蔽腔与外界完全隔开，以避免外界的磁场进入屏蔽腔内，从而排除外界环境对屏蔽腔内的磁场强度的干扰。需要说明的是，本发明实施例中的z轴、x轴和y轴均为磁屏蔽箱1的轴向，且y向为检测探头2的检测方向。

检测探头2安装于屏蔽腔内，以用于对屏蔽腔内的磁场强度进行检测。其中，如图9所示，检测探头2包括泵浦光激光器21和检测光激光器22。如图10所示，泵浦光激光器21用于生成激光，激光通过光纤输送至光纤耦合器23，光纤耦合器23发出光路经准直透镜24准直，并经扩束器25调整光斑大小，以在起偏器26处形成线偏振光，再经1/4玻片27形成圆偏振光后，沿着z轴方向照射在气体室28，从而极化碱金属原子，极化的碱金属原子产生宏观磁矩(即补偿磁场)，在y轴方向上的微弱磁场(待测样品作用在检测探头2处的磁场)会与宏观磁矩相互作用，使碱金属原子绕y轴产生拉莫尔进动，从而形成一个变化频率与拉莫尔进动频率一致的等效磁矩(即待测样品的磁场强度)。

进一步地，如图11所示，检测光激光器22用于生成激光，激光通过光纤输送至光纤耦合器23，光纤耦合器23发出光路经准直透镜24准直，并经扩束器25调整光斑大小，在起偏器26形成线偏振光，沿着x轴通过气体室28，受等效磁矩(即待测样品的磁场强度)的影响，线偏振光的偏振面会发生偏转，通过分光棱镜29将偏转后的线偏振光分解成水平偏振光和竖直偏振光，分别进行检测，即可获知线偏振光的偏转角度，偏转角度与y轴方向上的磁场强度在一定范围内线性相关，通过标定和拟合偏转角度与y轴方向上的磁场强度的相关线性，即可实现对y轴方向上的磁场强度的测量。

电池包3可活动地安装于屏蔽腔内，且电池包3适于朝靠近或远离检测探头2的方向运动。也就是说，通过将电池包3安装在屏蔽腔内，以避免外界磁场干扰到电池包3的检测过程，且设置电池包3可活动，使得电池包3可以相对检测探头2进行角度调整，以使电池包3的最大磁场可以沿y轴正对检测探头2，以减小电池包3的测量误差，提高校正和检测过程的可靠性。进一步地，通过设置电池包3可以相对检测探头2运动，使得检测设备100可以实现上述检测方法。

通过上述设置，在检测过程中，不用改变检测探头2的位置，且无须对检测参数进行调整，可以实现待测样品的流水化检测，使得该检测装置可应用在工业生产中。

在一些实施例中，如图9所示，本发明实施例的电池包漏放电性能的检测设备100，还包括：夹具41、旋转座42、偏转轮43和移动底座44。

夹具41用于夹持电池包3，以将电池包3可拆卸地固定在屏蔽腔内，降低了电池包3的安装难度，且夹具41安装于旋转座42上，且设置旋转座42绕x向可转动地安装于偏转轮43，这样，旋转座42可以绕x向进行转动，以带动电池包3绕x轴进行转动，从而调整电池包3绕x向的角度。同时，偏转轮43绕z向可转动地安装于移动底座44，这样，使得偏转轮43可以带动电池包3绕z向转动，从而调整电池包3绕x向的角度。

具体地，可以通过旋转座42带动电池包3围绕x轴旋转90°，获得电池包3的磁场强度随旋转角度的变化曲线，确定检测探头2测得的磁场强度为最大时x轴旋转的角度，将电池包3按照该角度固定放置；且可以通过偏转轮43带动电池包3围绕z轴旋转90°，获得电池包3的磁场强度随旋转角度的变化曲线，确定检测探头2获得的磁场强度为最大时z轴旋转的角度，将电池包3按照该角度固定放置，由此，使得电池包3的最大磁场正对检测探头2。

进一步的，如图9所示，屏蔽腔的底部设有沿y向延伸的导轨46，且磁屏蔽箱1设有沿y向可活动的导杆45，移动底座44支撑在导轨46上且与导杆45相连，使得导杆45可以驱动移动底座44沿y向滑动，其中y向为电池包3靠近或远离检测探头2的方向。由此，使得移动底座44可以带动电池包3沿y向移动，以减小或增大电池包3相对检测探头2的距离，以实现上述检测方法。

通过上述设置，在不移动检测探头2的情况下，使得检测探头2可以同时测量电池包3在不同方向时的磁场，只需要在一个方向上对磁屏蔽箱1提出较大的尺寸规格要求，无需在正交坐标系的三个方向上都要求磁屏蔽箱1具有较大的尺寸规格，不仅使得整体系统成本较低，而且避免了多个检测探头2之间产生系统误差和串扰的问题，提高了检测精度。

可选的，夹具41可以通过气缸或液缸驱动，且旋转座42和偏转轮43可以通过气动马达或者液动马达驱动，避免使用电动器件，减少干扰磁场的产生，提高了检测精度。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，“第一特征”、“第二特征”可以包括一个或者更多个该特征。

在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本发明的描述中，第一特征在第二特征“之上”或“之下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。

在本发明的描述中，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (9)

1.一种电池包漏放电性能的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：

获取合格样品相对于检测探头的初始位置；

根据所述初始位置获取最优样品相对于所述检测探头的测量位置；

将待测样品放置于所述测量位置且对所述待测样品的磁场强度进行检测；

根据所述测量位置与所述初始位置的对比值、所述待测样品的磁场强度判断所述待测样品是否合格；

所述根据所述初始位置获取最优样品相对于所述检测探头的测量位置包括：

获取所述合格样品的最大正量程位置；

将所述最优样品放置于所述最大正量程位置；

将所述最优样品从所述最大正量程位置朝远离所述检测探头的方向运动至最大负量程位置以获取所述测量位置；

其中，所述合格样品为漏放电性能刚刚合格的电池包，所述最优样品为漏放电性能最优的电池包，所述最大正量程位置为磁场强度为正值且刚好达到最大量程的位置，所述最大负量程位置为磁场强度为负值且刚好达到最大量程的位置。

2.根据权利要求1所述的电池包漏放电性能的检测方法，其特征在于，根据所述测量位置与所述初始位置的对比值、所述待测样品的磁场强度判断所述待测样品是否合格包括：

在判定所述测量位置大于所述初始位置时，

若所述待测样品的磁场强度超出最大量程范围，则判定所述待测样品不合格；

若所述待测样品的磁场强度在最大量程范围，则根据所述待测样品靠近所述检测探头时的磁场强度变化判断所述待测样品是否合格。

3.根据权利要求2所述的电池包漏放电性能的检测方法，其特征在于，所述根据所述待测样品靠近所述检测探头时的磁场强度变化判断所述待测样品是否合格包括：

若所述待测样品的磁场强度为先减小后增大，且增大位置小于或等于所述初始位置，则判定所述待测样品合格；

若所述待测样品的磁场强度为先减小后增大，且增大位置大于所述初始位置，则判定所述待测样品不合格；

若所述待测样品的磁场强度为一直增大，则判定所述待测样品不合格。

4.根据权利要求1所述的电池包漏放电性能的检测方法，其特征在于，根据所述测量位置与所述初始位置的对比值、所述待测样品的磁场强度判断所述待测样品是否合格包括：

在判定所述测量位置小于等于所述初始位置时，

若所述待测样品的磁场强度超出最大量程范围，则判定所述待测样品不合格；

若所述待测样品的磁场强度在最大量程范围内，则根据所述待测样品远离所述检测探头时的磁场强度变化判断所述待测样品是否合格。

5.根据权利要求4所述的电池包漏放电性能的检测方法，其特征在于，所述根据所述待测样品远离所述检测探头时的磁场强度变化判断所述待测样品是否合格包括：

若所述待测样品的磁场强度为先减小后增大，且增大位置小于或等于所述初始位置，则判定所述待测样品合格；

若所述待测样品的磁场强度为先减小后增大，且增大位置大于所述初始位置，则判定所述待测样品不合格；

若所述待测样品的磁场强度为一直增大，则判定所述待测样品合格。

6.根据权利要求1所述的电池包漏放电性能的检测方法，其特征在于，还包括：

在判定所述待测样品为不合格后，将所述待测样品放置于所述初始位置，且将所述待测样品与所述检测探头之间的距离增大到最大距离值；

若所述待测样品的磁场强度未达到最大量程范围则判定所述待测样品为最低等级的不合格品；

若所述待测样品的磁场强度达到最大量程范围内，则以第一设定距离逐渐缩小所述待测样品与所述检测探头之间的距离直至所述待测样品的磁场强度达到最大量程，且根据所述第一设定距离划分不合格品等级。

7.根据权利要求1所述的电池包漏放电性能的检测方法，其特征在于，还包括：

在判定所述待测样品为合格后，将所述待测样品放置于所述测量位置；

以第二设定距离逐渐缩小所述待测样品与所述检测探头之间的距离直至所述待测样品的磁场强度达到最大量程，且根据所述第二设定距离划分合格品等级。

8.一种电池包漏放电性能的检测设备，其特征在于，所述检测设备适用于权利要求1-7中任一项所述的电池包漏放电性能的检测方法，且所述检测设备包括：

磁屏蔽箱，所述磁屏蔽箱具有屏蔽腔；

检测探头，所述检测探头安装于所述屏蔽腔内；

电池包，所述电池包可活动地安装于所述屏蔽腔内且适于朝靠近或远离所述检测探头的方向运动。

9.根据权利要求8所述的电池包漏放电性能的检测设备，其特征在于，还包括：

夹具和旋转座，所述夹具用于夹持所述电池包，且所述夹具安装于所述旋转座；

偏转轮，所述旋转座绕x向可转动地安装于所述偏转轮；

移动底座，所述偏转轮绕z向可转动地安装于所述移动底座，且所述移动底座沿y向可活动地安装在所述磁屏蔽箱；其中

所述y向为所述电池包靠近或远离所述检测探头的方向。