CN115933331B - 光源优化方法、设备和介质 - Google Patents

Abstract

根据本公开的示例实施例提供了光源优化方法、设备和介质。该方法包括获取测试图案、针对测试图案的参考工艺窗口和第一光源强度图，参考工艺窗口指示一个或多个工艺参数的范围，第一光源强度图是由光源在参考照明模式下产生的该方法还包括基于参考工艺窗口和第一光源强度图，确定第一成像成本，第一成像成本至少与利用测试图案进行光刻有关。该方法还包括基于第一成像成本，确定光源的目标照明模式。以此方式，可以高效地确定用于新工艺节点的光源照明模式，从而有利地加快新工艺节点的研发进程。

Description

光源优化方法、设备和介质

技术领域

本公开的实施例主要涉及集成电路领域，并且更具体地，涉及光源优化方法、设备和介质。

背景技术

光刻工艺是主导集成电路线宽的重要工艺之一。在先进半导体工艺节点中，光刻的工艺参数在很大程度上影响了光刻成像的质量。光源在光刻工艺中具有重要影响。光源掩模优化(SMO)是一种分辨率增强技术(Resolution Enhancement Technology，RET)。在SMO过程中，需要进行光源优化(SO)，以改善工艺窗口。

发明内容

在本公开的第一方面中，提供了一种光源优化方法。在该方法中，获取测试图案、针对测试图案的参考工艺窗口和第一光源强度图，参考工艺窗口指示一个或多个工艺参数的范围，第一光源强度图是由光源在参考照明模式下产生的。该方法还包括基于参考工艺窗口和第一光源强度图，确定第一成像成本，第一成像成本至少与利用测试图案进行光刻有关。该方法还包括基于第一成像成本，确定光源的目标照明模式。

在本公开的第二方面中，提供了一种电子设备。该电子设备包括处理器、以及与处理器耦合的存储器。该存储器具有存储于其中的指令，指令在被处理器执行时使电子设备执行根据本公开的第一方面的方法。

在本公开的第三方面中，提供了一种计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质上存储有计算机程序。计算机程序在被处理器执行时实现根据本公开的第一方面的方法。

应当理解，本发明内容部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键特征或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其他特征将通过以下的描述而变得容易理解。

附图说明

结合附图并参考以下详细说明，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。在附图中，相同或相似的附图标注表示相同或相似的元素，其中：

图1A示出了本公开的各实施例能够在其中实现的示例环境的示意图；

图1B示出了光源的示例照明模式的示意图；

图1C示出了光源的另一示例照明模式的示意图；

图2示出了根据本公开的一些实施例的光源优化方法的流程图；

图3示出了根据本公开的一些实施例的确定第一成像成本的示例过程的流程图；

图4示出了根据本公开的一些实施例的确定目标照明模式的示例过程的流程图；

图5示出了根据本公开的一些实施例的确定工艺参数的方法的流程图；

图6示出了根据本公开的一些实施例的确定第三仿真图案的示例过程的流程图；

图7示出了根据本公开的一些实施例的参考工艺窗口中的多个初始工艺条件的示意图；

图8示出了根据本公开的一些实施例的确定候选工艺条件的流程图；以及

图9示出了其中可以实施本公开的一个或多个实施例的电子设备的框图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的实施例。虽然附图中显示了本公开的某些实施例，然而应当理解的是，本公开可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本公开。应当理解的是，本公开的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本公开的保护范围。

在本公开的实施例的描述中，术语“包括”及其类似用语应当理解为开放性包含，即“包括但不限于”。术语“基于”应当理解为“至少部分地基于”。术语“一个实施例”或“该实施例”应当理解为“至少一个实施例”。术语“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的对象。下文还可能包括其他明确的和隐含的定义。

如本文中所使用的，术语“照明模式”指代是光束在照明系统的光瞳平面中的空间强度分布，其相对于照明系统的轴或光轴居中。照明模式可以包括多种类型，例如常规照明模式、环形照明模式、两极照明模式、四极照明模式。照明模式又可以称为“光源形状”。在本公开的实施例中，“确定照明模式”或类似表述意味着确定照明模式的类型及限定其具体形状的参数。例如，对于环形照明模式，参数包括环形的内径和外径。

如前文所简要提及的，光源在光刻工艺中具有重要作用。因此，在新工艺节点的开发中，需要进行光源优化。然而，在传统方案中，当没有优化的光源时，也没有对应的优化的工艺。因而，在光源优化中，没有可用的实际测量数据。如何在新工艺节点开发中高效地优化光源是有挑战性的。

为此，本公开的实施例提供了一种用于光源优化的方案，以解决或者至少部分地解决传统的方法中的上述问题和/或其他潜在问题。根据本公开的实施例，获取测试图案、针对测试图案的参考工艺窗口和第一光源强度图。参考工艺窗口指示一个或多个工艺参数的范围，第一光源强度图是由光源在参考照明模式下产生的。基于参考工艺窗口和第一光源强度图，确定第一成像成本。第一成像成本至少与利用所述测试图案进行光刻有关。而后，基于第一成像成本，确定光源的目标照明模式，从而得到优化的光源。

在本公开的实施例中，以已知的工艺窗口和照明模式作为参考，通过光刻成像仿真，来确定新工艺节点的照明模式。例如，以邻近工艺节点的工艺窗口和照明模式作为出发点，通过仿真的方式确定新工艺节点的照明模式。以此方式，能够在新工艺的开发中高效地优化光源。这可以有利地加快新工艺节点的研发进程。

图1示出了本公开的各实施例能够在其中实现的示例环境100的示意图。在示例环境100中，电子设备101将测试图案102作为输入。在图1的示例中，测试图案102包括具有预定间距(pitch)的两个矩形1021和1022。当然，应当理解的是，这种测试图案102的形式只是示意性的，并不旨在限制本公开的保护范围。在本公开的实施例中，测试图案102可以是任意感兴趣的图案，或者在光刻中易于出问题的图案。下文中将主要以图1的示例图案为例来描述根据本公开的构思。应当理解的是，具有其他图案或形状的示例图案也是类似的，在下文中将不再分别赘述。

电子设备101还获取针对测试图案102的参考工艺窗口103。在本文中，术语“工艺窗口”限定一个或多个工艺参数的范围。在如图1所示出的示意图中，参考工艺窗口103示例性地限定了工艺参数中的两个关键因素，即，聚焦值(Focus)和曝光剂量(exposuredose)的范围。应当理解的是，这仅是示例性的，在本公开的实施例中，工艺窗口可以限定任何合适的工艺参数的范围，例如掩模误差增强因子(MEEF)、图像对数斜率(ILS)、归一化图像对数斜率(NILS)等。下文中将主要以聚焦值和曝光剂量作为工艺参数的示例来描述根据本公开的构思。应当理解的是，对于还包括其他参数的情况也是类似的，在下文中将不再分别赘述。此外，图1中所示出的参考工艺窗口103的形状仅是示例性的，而无意限制本公开的范围。参考工艺窗口可以具有任何合适的形状(例如，椭圆形)，本公开的范围在此方面不受限制。

电子设备101还获取第一光源强度图104，其是光源在参考照明模式下产生的。第一光源强度图104可以以任何适当的方式描述光源发出的光在光刻系统中的强度分布。例如，第一光源强度图104可以描述光在一个或多个平面中的强度分布。一个或多个平面可以是任何感兴趣的平面，例如，光刻胶不同高度的平面。

电子设备101基于参考工艺窗口103、测试图案102和第一光源强度图104，通过光刻成像仿真，来确定目标照明模式107。具体而言，电子设备101可以确定目标照明模式107是何种类型的照明模式以及针对该类型的照明模式的一个或多个参数。例如，可以确定目标照明模式107为环形照明模式以及环形的内径和外径的值。仅出于说明的目的，作为示例，图1B示出了示例环形照明模式121，图1C示出了示例四极照明模式122。在本公开的实施例中，参考照明模式和目标照明模式可以是任何适当类型的照明模式，并且参考照明模式和目标照明模式的类型可以相同或不同。

在一些实施例中，参考工艺窗口103和参考照明模式用于第一半导体工艺，而目标照明模式107用于与第一半导体工艺不同的第二半导体工艺。例如，参考工艺窗口103和参考照明模式分别是邻近工艺节点(例如，14nm工艺节点)的工艺参数和照明模式，而目标照明模式是针对新工艺节点(例如，10nm工艺节点)的照明模式。当然，应当理解的是，上述关于第一半导体工艺和第二半导体工艺的示例只是示意性的，并不旨在限制本公开的保护范围。第一半导体工艺和第二半导体工艺可以是用于半导体产品生产的各种适当的工艺。

在示例环境100中，电子设备101可以是任意类型的具有计算能力的设备，包括终端设备或服务端设备。终端设备可以是任意类型的移动终端、固定终端或便携式终端，包括移动手机、台式计算机、膝上型计算机、笔记本计算机、上网本计算机、平板计算机、媒体计算机、多媒体平板、个人通信系统(PCS)设备、个人导航设备、个人数字助理(PDA)、音频/视频播放器、数码相机/摄像机、定位设备、电视接收器、无线电广播接收器、电子书设备、游戏设备或者前述各项的任意组合，包括这些设备的配件和外设或者其任意组合。服务端设备例如可以包括计算系统/服务器，诸如大型机、边缘计算节点、云环境中的计算设备，等等。

应当理解，仅出于示例性的目的描述环境100的结构和功能，而不暗示对于本公开的范围的任何限制。下面将参考图2至图9来详细描述根据本公开的示例实施例。

图2示出了根据本公开的一些实施例的光源优化方法200的流程图。方法200可以由如图1所示的电子设备101执行。应当理解的是，方法200还可以包括未示出的附加框和/或可以省略所示出的某个(或者某些)框，本公开的范围在此方面不受限制。

在框210，电子设备101获取测试图案102、针对测试图案102的参考工艺窗口103和第一光源强度图104。如前所述，参考工艺窗口103可以来自初始工艺节点(即，已知工艺节点)，并且指示一个或多个工艺参数的范围。这些工艺参数例如可以包括聚焦值、曝光剂量等。第一光源强度图104是光源在参考照明模式下产生的。第一光源强度图104可以以任何适当的方式描述光源发出的光在光刻系统中的强度分布。例如，第一光源强度图104可以描述光在光刻胶不同高度的平面中的强度分布。在一些实施例中，参考工艺窗口103和参考照明模式可以是用于第一半导体工艺，例如前文中所提到的14nm工艺。

除了测试图案102、参考工艺窗口103和第一光源强度图104，电子设备101还可以获取用于进行光刻成像仿真的其他数据。这样的数据例如可以包括与光刻胶有关的参数(例如，光刻胶的堆叠结构、厚度等)。在一些实施例中，电子设备101还可以获取用于辅助测试图案102成像的辅助图形。辅助图形例如可以是亚分辨率辅助图形(Sub-ResolutionAssistant Feature，SRAF)。在集成电路设计版图中的稀疏图形周围添加一些细小的图形，使稀疏图形在光学角度上看像密集图形，这些细小图形小于光刻机分辨率。曝光时，这些图形只对光线起散射作用，而不会被转移到光刻胶上，因此被称之为亚分辨率辅助图形。电子设备101可以根据辅助图形插入规则将辅助图形添加到测试图案102中。

在框220，电子设备101基于参考工艺窗口103和第一光源强度图104，确定第一成像成本。第一成像成本至少与利用测试图案102进行光刻有关。也即，第一成像成本至少反映利用测试图案102在参考照明模式下进行成像的成本。应当理解的是，参考工艺窗口103可能来自邻近的工艺节点，对当前所考虑的新工艺节点可能不是优化的。因此，在一些实施例中，电子设备101基于参考工艺窗口103和测试图案102，确定目标工艺参数集，例如目标工艺窗口或其一部分。然后，电子设备101基于目标工艺参数集中的工艺参数确定仿真的工艺条件，并基于仿真的工艺条件和第一光源强度图104，通过光刻成像仿真来确定第一成像成本。下文将参考图5至图8来描述确定目标工艺参数集的示例实施例。

在一些实施例中，第一成像成本可以是基于单个平面上的图案确定的。具体而言，电子设备101可以基于参考工艺窗口103或目标工艺参数集确定仿真的工艺条件。针对仿真的工艺条件和第一光源强度图104执行光刻成像仿真，从而得到利用测试图案102进行光刻而在某个平面(例如，光刻胶的中心平面或与聚焦中心对应的平面)形成的仿真图案。然后，可以将与形成该仿真图案有关的成本作为第一成像成本。

在一些实施例中，第一成像成本可以是基于多个平面上的图案而确定的。下面参考图3来描述这样的示例。图3示出了根据本公开的一些实施例的确定第一成像成本的示例过程300的流程图。过程300可以视为框220的示例实现。

在框310，电子设备101可以基于参考工艺窗口103和第一光源强度图104，通过光刻成像仿真，确定利用测试图案102进行光刻而形成的多个第一仿真图案。这些第一仿真图案分别形成在光刻胶的不同平面上。在这种实施例中，第一光源强度图104可以包括分别对应于这些平面的子图。也即，每个子图描述光在对应的平面中的强度分布。此外，如上文参考图2所描述的，在一些实施例中，参考工艺窗口103可能并不是优化的。相应地，电子设备101可以利用下文参考图5至图8描述的方法确定目标工艺参数集，然后基于目标工艺参数集确定仿真的工艺条件。针对仿真的工艺条件和第一光源强度图104执行光刻成像仿真，从而得到在这些平面形成的仿真图案。

这些平面可以处于光刻胶的不同高度。在一些实施例中，这些平面可以包括光刻胶的中间平面。例如，中间平面可以是光刻胶的中心高度处的平面。又如，中间平面可以是光刻胶中与聚焦中心相对应的平面，也称为聚焦平面。该聚焦中心可以是理想的或作为优化目标的聚焦中心，或者可以是仿真的工艺条件所对应的聚焦中心。如下文将更详细描述的，这种聚焦平面是面向光学质量的平面，将聚焦平面用于光源优化与传统基于测量数据的方案是不同的。通过使用这种面向光学质量的平面使得本公开的实施例不依赖于测量数据。

备选地或附加地，在一些实施例中，这些平面可以包括光刻胶的顶面。光刻胶的顶面易于出现缺陷，光刻胶丢失(lost)缺陷。因此，通过在计算第一成像成本时将光刻胶的顶面的成像质量纳入考虑，有利于获得进一步优化的目标照明模式。

备选地或附加地，在一些实施例中，这些平面可以包括光刻胶的底面。与顶面类似，光刻胶的底面也易于出现缺陷，例如光刻胶残渣(Scum)缺陷。因此，通过在计算第一成像成本时将光刻胶的底面的成像质量纳入考虑，有利于获得进一步优化的目标照明模式。

进一步地，在一些实施例中，这些平面可以包括中间平面(例如，聚焦平面)、顶面和底面这三者。

在传统方案中，仅考虑单个平面的成像质量。在对于先进节点来说很可能是不可靠的。例如，这产生光刻胶顶部丢失缺陷和/或光刻胶底部残渣缺陷。在上述的实施例中，沿着光刻胶的高度考虑了不同平面的成像质量。以此方式，可以实现沿光刻胶轮廓较高的成像质量和连续性。这有利于最终找到更为优化的目标照明模式。

在框320，电子设备101可以基于在框310生成的多个第一仿真图案，确定用于评估工艺窗口的第一指标的仿真值。第一指标可以包括用于评估工艺窗口的一个或多个指标项，每个指标项与一个工艺因素相关联。

作为示例，第一指标可以包括与多个第一仿真图案各自的尺寸相关联的指标项。该指标项可以反映仿真的尺寸与目标尺寸之间的差异。在此描述的尺寸可以是与图案相关联的任何合适的尺寸，例如单个图形的关键尺寸(CD)、不同图形之间的空间宽度(SW)。备选地或附加地，第一指标可以包括与关联于多个第一仿真图案的工艺窗口的大小有关的指标项。该指标项可以反映形成第一仿真图案的工艺条件所对应于的工艺窗口的大小。应当理解的是，工艺窗口越大越是有益的。备选地或附加地，第一指标可以包括与基于多个第一仿真图案而分别确定的MEEF相关的指标项。该指标项可以反映仿真的MEEF与理想或预定MEEF的差异。备选地或附加地，第一指标可以包括与基于多个第一仿真图案而分别确定的ILS相关的指标项。该指标项可以反映仿真的ILS与理想或预定ILS的差异。备选地或附加地，第一指标可以包括与基于多个第一仿真图案而分别确定的ILS相关的指标项。该指标项可以反映仿真的ILS与理想或预定ILS的差异。备选地或附加地，第一指标可以包括与辅助图形(例如，SRAF)有关的成本项。该指标项可以反映辅助图形是否在光刻胶上成像和/或成像的显著程度。

应当理解，以上所列举的指标项仅是示例性的，而无意限制本公开的范围。在本公开的实施例中，可以采用任何适当类型的指标。此外，对于一些指标项(例如，与MEEF、ILS、NILS有关的指标项)，可以针对多个第一仿真图案中的每个仿真图案确定其仿真值以得到多个仿真值，然后基于这些仿真值确定该指标项的最终仿真值。

在这种实施例中，通过综合考虑多种指标项，可以综合考虑工艺参数的优劣，有助于找出真正优化的目标照明模式。

在框330，电子设备101可以至少基于第一指标的仿真值，确定第一成像成本。例如，在第一指标包括上文描述的指标项中的多个指标项的情况下，各个指标项的仿真值之和或加权和可以作为第一成像成本。

在一些实施例中，第一成像成本可以包括多个成本分量。基于第一指标的仿真值，可以确定作为多个成本分量之一的第一成本分量。也即，第一成本分量与形成第一仿真图案相关。例如，第一指标所包括的各个仿真项的仿真值之和或加权和可以作为第一成本分量。

在这种实施例中，除了使用测试图案102形成多个第一仿真图案，还可以通过改变测试图案102来生成附加图案，并在确定第一成像成本时将与附加图案有关的指标(也称为第二指标)纳入考虑。具体而言，电子设备101可以通过改变测试图案102来生成附加图案。附加图案可以是改变测试图案102中的某些尺寸来得到的。例如，可以通过将图1中所示出的示例测试图案102中的矩形1021的间距适当增大或减小而生成附加图案。备选地或附加地，可以通过适当增大或减小矩形1021的CD来生成附加图案。

接下来，通过光刻成像仿真，电子设备101确定利用附加图案在参考照明模式下进行光刻而形成的仿真图案，也称为第二仿真图案。应当理解的是，第一仿真图案和第二仿真图案是在相同的工艺条件下形成的。

在这样的实施例中，电子设备101可以基于第二仿真图案，确定用于评估工艺窗口的第二指标的仿真值。与第一指标类似，第二指标可以包括用于评估工艺窗口的一个或多个指标项。作为示例，第二指标可以包括与第二仿真图案的尺寸相关联的指标项。该指标项可以反映仿真的尺寸与目标尺寸之间的差异。在此描述的尺寸可以是与图案相关联的任何合适的尺寸，例如单个图形的CD、不同图形之间的SW。备选地或附加地，第二指标可以包括与关联于第二仿真图案的工艺窗口的大小相关的指标项。该指标项可以反映形成第二仿真图案的工艺条件所对应于的工艺窗口的大小。应当理解的是，工艺窗口越大越是有益的。备选地或附加地，第二指标可以包括与基于第二仿真图案而确定的MEEF相关的指标项。该指标项可以反映仿真的MEEF与理想或预定MEEF的差异。备选地或附加地，第一指标可以包括与基于第二仿真图案而确定的ILS相关的指标项。该指标项可以反映仿真的ILS与理想或预定ILS的差异。备选地或附加地，第二指标可以包括与基于第二仿真图案而确定的ILS相关的指标项。该指标项可以反映仿真的ILS与理想或预定ILS的差异。备选地或附加地，第二指标可以包括与辅助图形(例如，SRAF)有关的成本项。该指标项可以反映辅助图形是否在光刻胶上成像和/或成像的显著程度。

而后，电子设备101可以基于第二指标的仿真值，确定与第二仿真图案有关的成本分量(也称为第二成本分量)。例如，在第二指标包括上文描述的指标项中的多个指标项的情况下，各个指标项的仿真值之和或加权和可以作为第二成本分量。

电子设备101可以将第一成本分量和第二成本分量组合以得到第一成像成本。可以根据不同的情况来对第一成本分量和第二成本分量设置不同的权重，以使所确定的第一成像成本更加准确。具体而言，在将第一成本分量和第二成本分量组合成第一成像成本时，电子设备101可以针对测试图案和附加图案分别设置第一权重和第二权重。在一些实施例中，第一权重可以大于第二权重。接下来，电子设备101按照第一权重和第二权重分别对第一成本分量和第二成本分量进行加权，来由此确定第一成像成本。

尽管在上述示例实施例中，以单数形式描述了第二仿真图案。但应当理解，在一些实施例中，可以确定形成在不同平面的多个第二仿真图案。例如，每个第二仿真图案可以分别与某个第一仿真图案形成在相同的平面上。通过考虑附加图案，一方面可以确保ILS/MEEF被控制在光学工艺窗口内，另一方面可以进一步确保在光刻胶不同高度(例如，沿着z轴)的平面进行成像具有相同或相近的工艺窗口中心。

以上参考图3描述了确定第一成像成本的示例实施例。继续参考图2。在框230，电子设备101基于第一成像成本，确定光源的目标照明模式。现在参考图4来描述确定目标照明模式的示例实施例。图4中所示的示例过程400可以视为框230的示例实现。

在框410，电子设备101可以确定第一成像成本是否满足预定条件。例如，预定条件可以包括小于阈值成本。如果确定第一成像成本满足预定条件，例如第一成像成本小于阈值成本，则过程400进行到框420。在框420，可以将参考照明模式确定为目标照明模式。

如果在框410确定第一成像成本不满足预定条件，则过程400进行到框430。在框430，电子设备101将参考照明模式作为照明模式改变起点，以确定改变后的照明模式。在本公开的实施例中，改变照明模式可以包括不改变照明模式的类型，而仅改变其参数。例如，参考照明模式为环形照明模式，改变后的照明模式仍为环形照明模式，但其内径和/或外径改变。备选地，改变照明模式可以包括改变照明模式的类型。例如，参考照明模式为环形照明模式，改变后的照明模式为四极型照明模式。

在框440，电子设备101可以确定由改变后的照明模式产生的第二光源强度图。与第一光源强度图104类似，第二光源强度图可以以任何适当的方式描述光源发出的光在光刻系统中的强度分布。例如，第二光源强度图可以描述光在一个或多个平面中的强度分布。应当理解的是，第二光源强度图所描述的一个或多个平面与第一光源强度图104所描述的一个或多个平面是相同的。

在框450，电子设备101可以基于参考工艺窗口103和第二光源强度图，通过光刻成像仿真，确定第二成像成本。第二成像成本至少与利用测试图案102进行光刻有关。也即，第二成像成本至少反映利用测试图案102在改变后的照明模式下进行成像的成本。第二成像成本的确定与上文参考框220所描述的第一成像成本的确定是类似的，因此不再赘述。

在框460，电子设备101可以确定第二成像成本是否满足预定条件。例如，可以确定第二成像成本是否小于阈值成本。如果确定第二成像成本满足预定条件，则过程400进行到框470。在框470，电子设备101可以将改变后的照明模式确定为目标照明模式。

如果确定第二成像成本不满足预定条件，则过程400进行到框480。在框480，电子设备101可以重新确定改变后的照明模式。而后，过程400回到框440。也即，可以迭代地执行框440、450、460、480。在这种情况下，在框480重新确定改变后的照明模式时，可以比较当前迭代轮次中确定的第二成像成本与前一轮次中确定的第二成像成本，从而可以确定降低成像成本的照明模式改变方向。以此方式，有利于高效地找出目标照明模式。

在以上参考过程400所描述的实施例中，以参考照明模式为出发点通过不断改变照明模式，来寻找优化的目标照明模式。但应当理解，这仅是示例性的。备选地，在一些实施例中，可以通过改变参考照明模式和/或已经考虑的照明模式，确定多个候选照明模式。针对每个候选照明模式，根据参考框220所描述的方法确定对应的成像成本，从而获得多个成像成本。而后可以比较这些成像成本，并将最低成像成本对应的候选照明模式确定为目标照明模式。

以上描述了从参考照明模式出发确定目标照明模式的过程。以此方式，可以高效地优化的照明模式。

如上文参考框220所提及的，在一些实施例中，可以先基于参考工艺窗口103和测试图案102确定目标工艺参数集。然后，根据目标工艺参数集确定仿真的工艺条件，再来评估照明模式。下面描述确定目标工艺参数集的示例实施例。

图5示出了根据公开的一些实施例的确定目标工艺参数集的示例方法500的流程图。在框520，电子设备101基于该参考工艺窗口103，确定利用测试图案102进行光刻而形成的仿真图案，其在本文中也称为第三仿真图案。电子设备101可以通过光刻成像仿真来生成第三仿真图案。例如，在光刻成像仿真中，电子设备101可以将测试图案102设置在仿真的掩模上。由此通过仿真，可以确定在光刻胶中或任何感兴趣的平面中形成的仿真图案。

在一些实施例中，第三仿真图案可以是从多个候选图案中确定。图6示出了根据本公开的一些实施例的确定第三仿真图案的示例过程600的流程图。过程600可以视为框520的示例实现。如图6所示，在一些实施例中，在框610，电子设备101可以基于参考工艺窗口103，确定多个初始工艺条件。这些初始工艺条件中的每个初始工艺条件由参考工艺窗口103内的工艺参数限定。

初始工艺条件可以由参考工艺窗口103所限定的范围内的任何工艺参数或工艺参数的组合来限定。特别地，在一些实施例中，这些初始工艺条件可以是在参考工艺窗口103所限定的范围内均匀选择或采样的。通过下文的详细描述将会理解，通过均匀地选择初始工艺条件，有利于快速确定新的工艺参数。图7示出了参考工艺窗口103内的初始工艺条件的示例。在图7中，以圆圈示出了被限定在工艺参数窗口内的15个初始工艺条件7031。每个初始工艺条件7031对应于具体的聚焦值和曝光剂量值的组合。具体来说，在聚焦值的范围(即，聚焦深度，DOF)内均匀选择5个数值，在曝光剂量的范围(即，曝光宽容度，EL)内均匀选择3个数值。由此，确定了15个初始工艺条件。

应当理解的是，图7中示出的初始工艺条件7031的数目及其在参考工艺窗口内的分布仅是示例性的，并不旨在限制本公开的保护范围。根据光刻场景和光刻工艺的不同，可以具有其他任意适当数目的初始工艺条件7031。在下文中将主要以图7所示的初始工艺条件7031的示例来描述本公开的构思。对于具有其他数目的初始工艺条件7031的实施例也是类似的，在下文中将不再分别赘述。

接下来，在框620，电子设备101可以针对多个初始工艺条件分别执行光刻成像仿真，以生成多个候选图案。每个候选图案由测试图案102在对应的一个初始工艺条件下形成。这些候选图案可以模拟形成在光刻胶的任何高度的平面或其他任何感兴趣的平面中。在图7所示的示例中，基于15个初始工艺条件7031可以生成15个候选图案。

在框630，电子设备101可以基于多个候选图案，来确定前面所提到的第三仿真图案。可以采用任何合适的标准来从这些候选图案中确定第三仿真图案。图案的尺寸，例如关键尺寸，是成像质量的重要指标。因此，在一些实施例中，可以通过将图案的尺寸纳入考虑，来确定第三仿真图案。具体而言，电子设备101可以针对每个候选图案，确定与该候选图案相关联的尺寸与目标尺寸之间的差异。如果差异小于阈值，则将该候选图案为第三仿真图案。阈值可以根据不同的设计要求或裕度而灵活地设定。例如，阈值可以是在目标尺寸的±8％的范围内。又如，阈值可以是在目标尺寸的±10％的范围内。

在本公开的实施例中，与候选图案相关联的尺寸可以是图案任何位置处的尺寸，诸如多边形的边长、宽度、不同多边形之间的距离等。特别地，与候选图案相关联的尺寸可以是量测位置处的CD或空间宽度(SW)。目标尺寸可以是针对该尺寸的设计目标或期望实现的值。例如，在与候选图案相关联的尺寸是CD的情况下，目标尺寸可以是针对显影后检查(ADI)CD的设计目标。

以上参考图6描述了根据与候选图案相关联的尺寸确定第三仿真图案的示例。但应当理解，这仅是示例性的，也可以基于与成像质量有关的其他标准(例如，MEEF、ILS)来从候选图案中选择第三仿真图案。

继续参考图5，在框530，电子设备101确定至少与形成第三仿真图案有关的成像成本，其也称为第三成像成本。在本公开的实施例中，成像成本可以表示仿真的成像质量与期望的成像质量之间的差异。一般而言，成像成本越小，对应的工艺参数越优。利用成像成本可以综合考虑工艺参数的优劣。成像成本可以由成本函数来表示。成本函数用于评价仿真或优化结果。

在一些实施例中，可以基于多个成本分量确定第三成像成本。与形成第三仿真图案有关的成本分量也称为第三成本分量，其可以包括一个或多个成本项。例如，第三成本分量可以包括基于与第三仿真图案相关联的尺寸而确定的成本项。该成本项可以反映仿真尺寸与目标尺寸之间的差异。备选地或附加地，第三成本分量可以包括基于与第三仿真图案相关联的聚焦中心(FC)而确定的成本项。该成本项可以反映形成第三仿真图案的工艺条件所对应的聚焦中心与理想或预定聚焦中心的偏离。备选地或附加地，第三成本分量可以包括基于与第三仿真图案相关联的聚焦深度(DOF)而确定的成本项。该成本项可以反映形成第三仿真图案的聚焦深度与理想或预定聚焦深度的偏离。第三成本分量可以包括基于与第三仿真图案相关联的曝光宽容度(EL)而确定的成本项。该成本项可以反映形成第三仿真图案的曝光宽容度与理想或预定曝光宽容度的偏离。备选地或附加地，第三成本分量可以包括与基于第三仿真图案而确定的MEEF相关的成本项。该成本项可以反映仿真的MEEF与理想或预定MEEF的差异。备选地或附加地，第三成本分量可以包括与基于第三仿真图案而确定的ILS相关的成本项。该成本项可以反映仿真的ILS与理想或预定ILS的差异。备选地或附加地，第三成本分量可以包括与辅助图形(例如，SRAF)有关的成本项。该成本项可以反映辅助图形是否在光刻胶上成像和/或成像的显著程度。

在一些实施例中，可以综合上文描述的各个成本项来确定第三成本分量。例如，可以通过以下等式来确定第三成本分量：

Anchor_CF＝f₁(F.C.)+f₁(DOF)+f₁(EL)+f₁(MEEF)+f₁(ILS)+f₁(SARF) (1)

其中Anchor_CF表示第三成本分量，f₁表示成本项，F.C.表示与第三仿真图案相关的聚焦中心，F₁(F.C.)表示其相关成本项；DOF表示与第三仿真图案相关的聚焦深度，f₁(DOF)表示其相关成本项；EL表示与第三仿真图案相关的曝光宽容度，f₁(EL)表示其相关成本项；MEEF表示与第三仿真图案相关的掩模误差增强因子，f₁(MEEF)表示其相关成本项；ILS表示与第三仿真图案相关的图像对数斜率，f₁(ILS)表示其相关成本项；并且SARF表示辅助图形数，f₁(SARF)表示其相关成本项。

以ILS作为示例，其相关成本项可以通过下式来计算：

其中W₁表示第三仿真图案，n是沿着斜率测量的方向，T_ILS表示ILS的理想值或预定值。应当理解，式(2)所示的与ILS相关的成本项的计算仅是示例性的，而无意限制本公开的范围。在本公开的实施例中，可以采用任何合适的方式来计算与ILS相关的成本项。还应当理解，可以以任何合适的方式来计算其他成本项。

在传统方案中，仅针对单个图案考虑在标称曝光剂量(即，DOF的中心)下的聚焦中心。在这种实施例中，通过综合考虑多种成本项，可以综合考虑工艺参数的优劣，有助于找出目标工艺参数。

在一些实施例中，除了使用测试图案102形成第三仿真图案，还可以通过改变测试图案102来生成附加图案，并在确定第三成像成本时将形成附加图案的成本分量纳入考虑。具体而言，电子设备101可以通过改变测试图案102来生成附加图案。附加图案可以是改变测试图案102中的某些尺寸来得到的。例如，可以通过将图1中所示出的示例测试图案102中的矩形1021的间距适当增大或减小而生成附加图案。备选地或附加地，可以通过适当增大或减小矩形1021的CD来生成附加图案。

接下来，通过光刻成像仿真，电子设备101确定利用附加图案进行光刻而形成的仿真图案，也称为第五仿真图案。应当理解的是，第三仿真图案和第五仿真图案是在相同的工艺条件下形成的。在这样的实施例中，电子设备101可以基于上文描述的第三成本分量)和与第三仿真图案有关的成本分量(也称为第四成本分量)来确定第三成像成本。

具体而言，电子设备101可以通过将第三成本分量和第四成本分量组合以得到第三成像成本。例如，第三成本分量可以通过上文描述的一个或多个成本项来确定。

与第三成本分量类似，第四成本分量可以包括一个或多个成本项。例如，第四成本分量可以包括基于与第五仿真图案相关联的尺寸而确定的成本项。该成本项可以反映仿真尺寸与目标尺寸之间的差异。备选地或附加地，第四成本分量可以包括基于与第五仿真图案相关联的DOF而确定的成本项。该成本项可以反映形成第五仿真图案的聚焦深度与理想或预定聚焦深度的偏离。第四成本分量可以包括基于与第五仿真图案相关联的EL而确定的成本项。该成本项可以反映形成第五仿真图案的曝光宽容度与理想或预定曝光宽容度的偏离。备选地或附加地，第四成本分量可以包括与基于第五仿真图案而确定的MEEF相关的成本项。该成本项可以反映仿真的MEEF与理想或预定MEEF的差异。备选地或附加地，第四成本分量可以包括与基于第五仿真图案而确定的ILS相关的成本项。该成本项可以反映仿真的ILS与理想或预定ILS的差异。备选地或附加地，第四成本分量可以包括与辅助图形(例如，SRAF)有关的成本项。该成本项可以反映辅助图形是否在光刻胶上成像和/或成像的显著程度。

在一些实施例中，可以综合上文描述的各个成本项来确定第四成本分量。例如，可以通过以下等式来确定第四成本分量：

Other_CF＝f₂(DOF)+f₂(EL)+f₂(MEEF)+f₂(ILS)+f₂(SARF) (3)

其中Other_CF表示第四成本分量，DOF表示与第五仿真图案相关联的聚焦深度，f₂(DOF)表示其相关成本项；EL表示与第五仿真图案相关联的曝光宽容度，f₂(EL)表示其相关成本项；MEEF表示基于第五仿真图案而确定的掩模误差增强因子，f₂(MEEF)表示其相关成本项；ILS表示基于第五仿真图案而确定的图像对数斜率，f₂(ILS)表示其相关成本项；并且SARF表示辅助图形，f₂(SARF)表示其相关成本项。与第三成本分量相比，在第四成本分量中，不考虑聚焦中心，这是由于附加图案的聚焦中心与测试图案通常是不一样的。

继续以ILS作为示例，其相关成本项可以通过下式来计算：

其中W₂表示第五仿真图案，n是沿着斜率测量的方向，T_ILS表示ILS的理想值或预定值。应当理解，式(3)所示的与ILS相关的成本项的计算仅是示例性的，而无意限制本公开的范围。在本公开的实施例中，可以采用任何合适的方式来计算与ILS相关的成本项。还应当理解，可以以任何合适的方式来计算其他成本项。

可以通过上文所描述的方式来确定第三成本分量和第四成本分量。可以根据不同的情况来对第三成本分量和第四成本分量设置不同的权重，以使所确定的第三成像成本更加准确。具体而言，在将第三成本分量和第四成本分量组合成第三成像成本时，电子设备101可以对测试图案和附加图案分别设置第一权重和第二权重。在一些实施例中，第一权重可以大于第二权重。接下来，电子设备101按照第一权重和第二权重分别对第三成本分量和第四成本分量进行加权，来由此确定第三成像成本。

通过考虑附加图案，一方面可以确保ILS/MEEF被控制在光学工艺窗口内，另一方面可以确保在光刻胶不同高度(例如，沿着z轴)的平面进行成像具有相同或相近的工艺窗口中心。例如，在光刻胶的底面和顶面进行成像具有相同或相近的工艺窗口中心。

继续参考图5，在框540，电子设备101基于第三成像成本来确定目标工艺参数集。目标工艺参数集可以包括用于新的工艺节点的一个或多个工艺参数。例如，目标工艺参数集可以包括新的工艺窗口或其一部分(诸如，工艺窗口内的若干点)。第三仿真图案是在某一工艺条件下形成的。在一些实施例中，如果第三成像成本足够小，例如小于阈值成本，则可以将形成第三仿真图案的工艺条件所对应的工艺参数确定为目标工艺参数集中的目标工艺参数。

在一些实施例中，第三仿真图案是在初始工艺条件下形成，该初始工艺条件例如是参考图7所描述的初始工艺条件7031中的一个或多个。在这种实施例中，可以以第三成像成本和初始工艺条件为起点，递归地确定目标工艺参数集。具体地，第一电子设备101可以基于第三成像成本和初始工艺条件，确定至少一个候选工艺条件。然后基于至少一个候选工艺条件来确定目标工艺参数集中的目标工艺参数。

图8示出了根据本公开实施例的确定至少一个候选工艺条件的示例过程800的流程图。在框810，电子设备101将第三成像成本作为参考成像成本，并将初始工艺条件作为工艺条件改变起点，来确定改变后的工艺条件。在一些实施例中，可以随机地改变初始工艺条件来作为改变后的工艺条件。

在一些实施例中，可以基于与上文所提及的多个候选图案相关联的尺寸，确定工艺条件改变的方向，并通过在所确定的方向上改变初始工艺条件来确定改变后的工艺条件。如前文所提及的，通过光刻工艺仿真，可以确定在多个初始工艺条件下形成的多个个候选图案。针对这些候选图案分别确定上文提及的相关联的尺寸，该尺寸与目标尺寸越接近，意味着对应的初始工艺条件越接近对于新工艺节点更为优化的工艺。那么朝向这样的初始工艺条件的方向可以是工艺条件改变的方向。

参考图7的示例。假设与参考工艺窗口103的左上方相比，右下方的一个或多个初始工艺条件所对应的候选图案的尺寸更接近目标尺寸。在这种情况下，工艺条件7041可以被确定为改变后的工艺条件。或者可以朝着参考工艺窗口103的右下角方向移动工艺窗口，在移动的工艺窗口内选择改变后的工艺条件。在这种实施例中，基于多个候选图案的尺寸来改变工艺条件，有利于高效地定位到针对新工艺节点而言优化的工艺参数。

继续过程800，在框820，电子设备101通过光刻成像仿真，确定由测试图案102在改变后的工艺条件下形成的新的仿真图案。例如，可以仿真形成在光刻胶的某一平面上的图案，该平面与第三仿真图案形成的平面相同。在框830，确定至少与形成新的仿真图案有关的新的成像成本。新的成像成本的确定与上文所描述的第三成像成本的确定类似，因此不再赘述。

在框840，确定新的成像成本是否小于参考成像成本。如果新的成像成本不小于参考成像成本，意味着改变后的工艺条件相比改变前的工艺条件并不是优化的。在这种情况下，可以结束过程800或者可以回到框810，重新确定工艺条件改变的方向。

如果新的成像成本小于参考成像成本，意味着改变后的工艺条件相比改变前的工艺条件是优化的。相应地，过程800进行到框850。在框850，电子设备101将所述改变后的工艺条件确定为候选工艺条件。然后，在框860，电子设备101将新的成像成本作为参考成像成本，并将改变后的工艺条件作为新的工艺条件改变起点，以重新确定改变后的工艺条件。通过不断重复上述框820至860中的步骤，最终来迭代确定成像成本小的工艺条件，例如成像成本最小的工艺条件。这些工艺条件所对应的工艺参数可以被确定为目标工艺参数集中的目标工艺参数。

作为示例，在多次改变后的工艺条件下经过框830所示的步骤确定了多个新的成像成本。例如，如果通过研究新的成像成本发现：增大聚焦值并增大曝光剂量，可以获得较小的成像成本；减小聚焦值并减小曝光剂量，所确定的新的成像成本则变大。按此规律，可以在后续的迭代中，向增大聚焦值并增大曝光剂量的方向调整工艺参数，而最终得到具有最小成像成本的目标工艺参数。

在传统的基于测量数据的方案中，测量数据来自对光刻胶的单个高度的平面的测量，而不能反映不同高度平面上的成像质量。仅考虑单个光刻胶高度，很容易导致成像质量和连续性问题，例如光刻胶顶面丢失、底面残渣等。

在本公开的一些实施例中，在确定目标工艺参数集中可以考虑光刻胶不同高度的多个平面。特别地，光刻胶的表面(例如，顶面和底面)是成像质量易于出问题的地方。因此，在一些实施例中，在确定目标工艺参数集时，可以将光刻胶的表面的图案纳入考虑。例如，可以在第三成像成本中增加与在光刻胶的表面形成的图案有关的成本分量。

备选地或附加地，在一些实施例中，可以检查光刻胶的表面所形成的图案是否具有缺陷。具体而言，电子设备101可以针对至少一个候选工艺条件中的给定工艺条件(例如，每个候选工艺条件)，确定由测试图案102在给定工艺条件下在光刻胶的表面形成的仿真图案(下称第四仿真图案)。光刻胶的表面可以包括顶面和底面。电子设备101可以确定第四仿真图案是否具备缺陷。这里的缺陷可以是指易于在表面出现的预定类型的缺陷，诸如光刻胶顶面的光刻胶丢失缺陷和/或光刻胶底面的光刻胶残渣缺陷。这种缺陷的检测例如可以通过比较仿真图案的形状与测试图案的形状的差别来进行。如果第四仿真图案不具有这样的缺陷，则意味着该给定工艺条件是优化的。相应地，可以将限定上述给定工艺条件的工艺参数确定为目标工艺参数。以此方式，通过将缺陷检查外推到光刻胶的顶面和底面，可以实现沿光刻胶轮廓较高的成像质量和连续性，从而防止在后续的光刻工艺中出现光刻胶丢失缺陷和光刻胶残渣缺陷，并由此提高光刻质量。

以上描述了从参考工艺窗口出发确定目标工艺参数集的过程。以此方式，可以高效地确定新工艺节点的工艺参数。如上文所提及的，在一些实施例中，目标工艺参数集可以包括新的工艺窗口或至少包括新的工艺窗口的中心。相应地，可以确定聚焦中心。在确定聚焦中心后，可以确定光刻胶中与聚焦中心相对应的平面。

在以上所描述的光刻成像仿真中，没有考虑光刻胶的化学反应。因此，由此方式所确定的工艺参数(例如，聚焦值中心或曝光剂量中心)模拟最佳的空间像(aerial image)投影到光刻胶中但还没出现潜像(latentimage)的情况下的工艺条件。光刻胶中与工艺窗口中心相对应的平面(例如，上文提及的聚焦平面)可以视为面向光学质量的像平面(opticalquality-oriented image plane)，并且可以用于建立不同用途的、不同工艺条件下的光学模型，例如用于热点检测。这种面向光学质量的像平面与通过测量数据而确定的面向计量学的像平面可能相同也可能不同。换言之，感兴趣的最佳成像是空间成像传播到光刻胶之后但在任何化学反应发生之前的成像。

图9示出了示出了其中可以实施本公开的一个或多个实施例的电子设备900的框图。应当理解，图9所示出的电子设备900仅仅是示例性的，而不应当构成对本文所描述的实施例的功能和范围的任何限制。图9所示出的电子设备900可以用于实现图1的电子设备101。

如图9所示，电子设备900是通用电子设备的形式。电子设备900的组件可以包括但不限于一个或多个处理器或处理单元910、存储器920、存储设备930、一个或多个通信单元940、一个或多个输入设备950以及一个或多个输出设备960。处理单元910可以是实际或虚拟处理器并且能够根据存储器920中存储的程序来执行各种处理。在多处理器系统中，多个处理单元并行执行计算机可执行指令，以提高电子设备900的并行处理能力。

电子设备900通常包括多个计算机存储介质。这样的介质可以是电子设备900可访问的任何可以获取的介质，包括但不限于易失性和非易失性介质、可拆卸和不可拆卸介质。存储器920可以是易失性存储器(例如寄存器、高速缓存、随机访问存储器(RAM))、非易失性存储器(例如，只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、闪存)或它们的某种组合。存储设备930可以是可拆卸或不可拆卸的介质，并且可以包括机器可读介质，诸如闪存驱动、磁盘或者任何其他介质，其可以能够用于存储信息和/或数据(例如用于训练的训练数据)并且可以在电子设备900内被访问。

电子设备900可以进一步包括另外的可拆卸/不可拆卸、易失性/非易失性存储介质。尽管未在图9中示出，可以提供用于从可拆卸、非易失性磁盘(例如“软盘”)进行读取或写入的磁盘驱动和用于从可拆卸、非易失性光盘进行读取或写入的光盘驱动。在这些情况中，每个驱动可以由一个或多个数据介质接口被连接至总线(未示出)。存储器920可以包括计算机程序产品925，其具有一个或多个程序模块，这些程序模块被配置为执行本公开的各种实施例的各种方法或动作。

通信单元940实现通过通信介质与其他电子设备进行通信。附加地，电子设备900的组件的功能可以以单个计算集群或多个计算机器来实现，这些计算机器能够通过通信连接进行通信。因此，电子设备900可以使用与一个或多个其他服务器、网络个人计算机(PC)或者另一个网络节点的逻辑连接来在联网环境中进行操作。

输入设备950可以是一个或多个输入设备，例如鼠标、键盘、追踪球等。输出设备960可以是一个或多个输出设备，例如显示器、扬声器、打印机等。电子设备900还可以根据需要通过通信单元940与一个或多个外部设备(未示出)进行通信，外部设备诸如存储设备、显示设备等，与一个或多个使得用户与电子设备900交互的设备进行通信，或者与使得电子设备900与一个或多个其他电子设备通信的任何设备(例如，网卡、调制解调器等)进行通信。这样的通信可以经由输入/输出(I/O)接口(未示出)来执行。

根据本公开的示例性实现方式，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机可执行指令，其中计算机可执行指令被处理器执行以实现上文描述的方法。根据本公开的示例性实现方式，还提供了一种计算机程序产品，计算机程序产品被有形地存储在非瞬态计算机可读介质上并且包括计算机可执行指令，而计算机可执行指令被处理器执行以实现上文描述的方法。

这里参照根据本公开实现的方法、装置、设备和计算机程序产品的流程图和/或框图描述了本公开的各个方面。应当理解，流程图和/或框图的每个方框以及流程图和/或框图中各方框的组合，都可以由计算机可读程序指令实现。

这些计算机可读程序指令可以提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理装置的处理单元，从而生产出一种机器，使得这些指令在通过计算机或其他可编程数据处理装置的处理单元执行时，产生了实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的装置。也可以把这些计算机可读程序指令存储在计算机可读存储介质中，这些指令使得计算机、可编程数据处理装置和/或其他设备以特定方式工作，从而，存储有指令的计算机可读介质则包括一个制造品，其包括实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的各个方面的指令。

可以把计算机可读程序指令加载到计算机、其他可编程数据处理装置、或其他设备上，使得在计算机、其他可编程数据处理装置或其他设备上执行一系列操作步骤，以产生计算机实现的过程，从而使得在计算机、其他可编程数据处理装置、或其他设备上执行的指令实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作。

附图中的流程图和框图显示了根据本公开的多个实现的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或指令的一部分，模块、程序段或指令的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

以上已经描述了本公开的各实现，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所公开的各实现。在不偏离所说明的各实现的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实现的原理、实际应用或对市场中的技术的改进，或者使本技术领域的其他普通技术人员能理解本文公开的各个实现方式。

Claims (11)

1.一种光源优化方法，其特征在于，包括：

获取测试图案、针对所述测试图案的参考工艺窗口和第一光源强度图，所述参考工艺窗口指示一个或多个工艺参数的范围，所述第一光源强度图是由光源在参考照明模式下产生的；

基于所述参考工艺窗口和所述第一光源强度图，确定第一成像成本，所述第一成像成本至少与利用所述测试图案进行光刻有关；以及

基于所述第一成像成本，确定所述光源的目标照明模式，并且

其中确定第一成像成本包括：

基于所述参考工艺窗口和所述第一光源强度图，通过光刻成像仿真，确定利用所述测试图案进行光刻而形成的多个第一仿真图案，所述多个第一仿真图案分别形成在光刻胶的不同平面上；

基于所述多个第一仿真图案，确定用于评估工艺窗口的第一指标的仿真值，所述第一指标包括多个指标项，每个指标项与一个工艺因素相关联；以及

至少基于所述第一指标的仿真值，确定所述第一成像成本。

2.根据权利要求1所述的光源优化方法，其特征在于，所述多个第一仿真图案包括以下至少两项：

在光刻胶的中间平面上形成的仿真图案，

在所述光刻胶的顶面上形成的仿真图案，

在所述光刻胶的底面上形成的仿真图案。

3.根据权利要求1所述的光源优化方法，其特征在于，还包括：

通过改变所述测试图案，生成附加图案；

通过光刻成像仿真，确定利用所述附加图案在所述参考照明模式下进行光刻而形成的第二仿真图案；

基于所述第二仿真图案，确定用于评估所述工艺窗口的第二指标的仿真值；并且

确定所述第一成像成本包括：

基于所述第一指标的仿真值，确定第一成本分量；

基于所述第二指标的仿真值，确定第二成本分量；以及

将所述第一成本分量和所述第二成本分量组合成所述第一成像成本。

4.根据权利要求3所述的光源优化方法，其特征在于，将所述第一成本分量和所述第二成本分量组合成所述第一成像成本包括：

按照针对所述测试图案的第一权重和针对所述附加图案的第二权重，对所述第一成本分量和所述第二成本分量进行加权作为所述第一成像成本，其中所述第一权重大于所述第二权重。

5.根据权利要求1所述的光源优化方法，其特征在于，所述工艺因素包括以下至少一项：

所述多个第一仿真图案各自的尺寸，

与所述多个第一仿真图案相关联的工艺窗口的大小，

基于所述多个第一仿真图案而分别确定的掩模误差增强因子，

基于所述多个第一仿真图案而分别确定的图像对数斜率，

基于所述多个第一仿真图案而分别确定的归一化图像对数斜率。

6.根据权利要求3所述的光源优化方法，其特征在于，所述第二指标与以下至少一项相关联：

所述第二仿真图案的尺寸，

与所述第二仿真图案相关联的工艺窗口的大小，

基于所述第二仿真图案而确定的掩模误差增强因子，

基于所述第二仿真图案而确定的图像对数斜率，

基于所述第二仿真图案而确定的归一化图像对数斜率。

7.根据权利要求1所述的光源优化方法，其特征在于，基于所述第一成像成本确定所述光源的目标照明模式包括：

确定所述第一成像成本是否满足预定条件；以及

响应于所述第一成像成本满足预定条件，将所述参考照明模式确定为所述目标照明模式。

8.根据权利要求7所述的光源优化方法，其特征在于，还包括：

响应于所述第一成像成本不满足所述预定条件，将所述参考照明模式作为照明模式改变起点，以确定改变后的照明模式；

执行以下操作至少一次：

确定由所述改变后的照明模式产生的第二光源强度图；

基于所述参考工艺窗口和所述第二光源强度图，通过光刻成像仿真，确定第二成像成本，所述第二成像成本至少与利用所述测试图案进行光刻有关；

确定所述第二成像成本是否满足所述预定条件；

响应于所述第二成像成本满足所述预定条件，将所述改变后的照明模式确定为所述目标照明模式；以及

响应于所述第二成像成本不满足所述预定条件，重新确定改变后的照明模式。

9.根据权利要求1所述的光源优化方法，其特征在于，所述参考工艺窗口和所述参考照明模式用于第一半导体工艺，并且所述目标照明模式用于与所述第一半导体工艺不同的第二半导体工艺。

10.一种电子设备，其特征在于，包括：

至少一个处理单元；以及

至少一个存储器，所述至少一个存储器被耦合到所述至少一个处理单元并且存储用于由所述至少一个处理单元执行的指令，所述指令在由所述至少一个处理单元执行时使所述电子设备执行根据权利要求1至9中任一项所述的方法。

11.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序可由处理器执行以实现根据权利要求1至9中任一项所述的方法。