CN115933224B - 对光计算器件进行调控的方法和光计算器件 - Google Patents

Abstract

本申请公开了对光计算器件进行调控的方法和光计算器件，包括：S100：提供平板波导，平板波导包括至少一个子波导，子波导包括多个间隔排布的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽为衍射槽内部未填充相变材料，第二凹槽为可调控衍射槽内部填充所述相变材料；S200：向平板波导输入光信号，光信号在相邻所述凹槽之间传播，并记录平板波导的输出值；S300：计算预设值与输出值之间的差值，当差值大于标准值时，执行S400；S400：利用调控装置对第二凹槽中的相变材料的晶体状态进行调控；S500：重复执行S200和S300，直至所述差值不大于所述标准值。由此可以提供可编辑、可重构的神经网络，进而获得具有宽谱范围的光计算器件。

Description

对光计算器件进行调控的方法和光计算器件

技术领域

本发明涉及光子器件领域，具体地，涉及一种对光计算器件进行调控的方法和光计算器件。

背景技术

随着大数据、云计算、人工智能的快速发展，人工智能算法模型复杂度急剧增加，传统以电子芯片为运算载体的架构已经无法满足算法模型对算力和能效的要求，由于光在介质中的传播具有高速、高并行、高带宽、低功耗等天然优势，以光在介质中的受限传播进行计算近年来备受国内外高度关注，其中“结构即功能，传播即计算”的计算范式是近年人们构建人工神经网络的研究热点。但是，目前的光计算器件存在一旦制作完成，其性能固定不变，没有调控空间的问题；即使在少数可调控的光计算器件中，受器件的制备方法、材料的选择等因素制约，器件的调制手段单一，也不利于光计算器件的集成应用。

因此，目前的对光计算器件进行调控的方法和光计算器件仍有待改进。

发明内容

本申请中是基于发明人对以下问题的发现而做出的：

发明人发现，光计算器件对于制备的精密度要求极高，当在加工制备过程中存在加工误差时，将导致对光计算器件进行调控的过程中神经网络参数在探测器上映射的结果与预设值有误差，需要光计算器件具有可重构功能才能实现网络参数的微调和再校正；以及如果光计算器件不具备可编程能力，光计算器件中的网络参数被固定，对光计算器件进行调控在探测器上映射的结果只能完成唯一的专用计算，大大限制了光计算器件的应用场景的灵活性和多样性，这就需要采取新的方法得到可编程、可重构的光神经网络进而获得具有宽谱范围光计算器件。

本申请旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。

在本申请的一个方面，本申请提出了一种对光计算器件进行调控的方法，包括S100：提供平板波导，所述平板波导包括相对设置的主表面以及环绕所述主表面的多个端面，所述平板波导包括至少一个子波导，所述子波导包括多个间隔排布的凹槽，所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽为衍射槽，所述第一凹槽内未填充相变材料；所述第二凹槽为可调控衍射槽，所述第二凹槽内填充所述相变材料；S200：向所述平板波导输入光信号，所述光信号在相邻所述凹槽之间传播，并记录所述平板波导的输出值；S300：计算预设值与所述输出值之间的差值，当所述差值大于标准值时，执行S400；S400：利用调控装置对所述第二凹槽中的所述相变材料的晶体状态进行调控；S500：重复执行所述S200和所述S300，直至所述差值不大于所述标准值。

根据本发明的实施例，所述第一凹槽和所述第二凹槽平行设置。

根据本发明的实施例，所述输出值为光场强度输出值，所述预设值为光场强度预设值，所述计算所述输出值与所述预设值之间的所述差值进一步包括：用所述光场强度预设值减去所述光场强度输出值得到所述差值。

根据本发明的实施例，所述标准值为所述光场强度预设值乘以百分之一。

根据本发明的实施例，所述平板波导的厚度为190-240nm，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度不大于所述平板波导的厚度。

根据本发明的实施例，所述相变材料包括硫化锑、硒化锑、锗碲硫、锗锑碲、锗砷硫和锗碲硒中的至少之一。

根据本发明的实施例，所述输入光信号满足以下条件的至少之一：所述光信号的输入角度与垂直于所述平板波导的所述主表面的方向之间具有夹角，所述夹角为0-8°；所述光信号的输入方向垂直于所述平板波导的所述端面。

根据本发明的实施例，所述调控装置垂设于所述平板波导具有所述第二凹槽的一侧的所述主表面。

根据本发明的实施例，所述调控装置包括光脉冲调控单元和电脉冲调控单元中的至少之一。

在本发明的另一个方面，本发明提供了一种光计算器件，所述光计算器件的光场采用前述的对光计算器件进行调控的方法调控得到。

总体而言，通过本发明的技术方案，对光计算器件进行调控的方法和光计算器件可以具有但不限于以下有益效果：

（1）相变材料自身具有从可见光到太赫兹极宽波段范围内介电常数可调的独特优势，以及可通过外界多种激励（光、电）诱导相变发生变化的特点。这可使，光计算器件原本静态的结构实现大范围的动态调节。除此之外，相变材料的相变过程具有可逆、可反复的特性，即通过反复施加不同的相变条件，使得相材料的相变在晶态和非晶态之间来回切换，从而使得对光计算器件进行调控具有反复多次调节的能力。

（2）相变材料是通过填充在平板波导刻蚀的凹槽中，而非直接在平板波导上沉积相变材料薄膜，通过这种方法，可以实现对光计算器件的调控，从而产生特定的调控结果，即解决了光计算器件在探测单元上映射的结果只能完成唯一的专用计算的问题，得到可编程、可重构的光神经网络进而获得具有宽谱范围光计算器件。

（3）在光平板波导结构中刻蚀凹槽，将相变材料填充在凹槽里，使得对光计算期间的调控结果呈多样性，实现了小尺寸的可调节器件。

附图说明

图1是根据本发明实施例的对光计算器件调控的方法流程图；

图2是根据本发明一个实施例的基于相变材料的光计算器件示意图；

图3是根据本发明一个实施例的第二凹槽中相变材料示意图；

图4是根据本发明一个实施例的基于相变材料的光计算器件示意图。

附图标记：

平板波导：10；探测单元：20；调控装置：30；子波导：40；第一凹槽：41；第二凹槽：42；信号光源装置：50；相变材料：110。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

在本发明的第一方面，本发明提供了一种对光计算器件进行调控的方法，根据本发明的实施例，参考图1和图4，该方法包括：

S100:提供平板波导，平板波导包括相对设置的主表面以及环绕主表面的多个端面，平板波导包括至少一个子波导40，子波导40包括多个间隔排布的凹槽，凹槽包括第一凹槽41和第二凹槽42，第一凹槽41为衍射槽，第一凹槽41内未填充相变材料；第二凹槽42为可调控衍射槽，第二凹槽42内填充所述相变材料。在该步骤中，参考图2和图3，在平板波导10上刻蚀第一凹槽41和第二凹槽42，其中第一凹槽41不填充相变材料，第二凹槽42填充相变材料110，由此，相变材料110是填充在平板波导刻蚀的凹槽中，可以实现对光计算器件的局部区域进行调控。

根据本发明的一些实施例，第一凹槽和第二凹槽位置的设置不受特别限制，例如，参考图2，第一凹槽41和第二凹槽42可以为平行设置，当第一凹槽和第二凹槽平行设置时，向平板波导输入光信号，光信号可以同时通过第一凹槽和第二凹槽传播至探测单元。

根据本发明的一些实施例，平板波导上的子波导的数量不受特别限制，例如，可以根据集成光计算器件的功能和应用场景需求设计子波导的数量。

根据本发明的一些实施例，第一凹槽和第二凹槽的数量和长度均不受特别限制，例如，可以根据集成光计算器件的功能和应用场景需求，采用机器学习的方式设计第一凹槽和第二凹槽的数量和长度，第一凹槽和第二凹槽相当于一层神经元，光信号经过不同长度的凹槽时，由于凹槽长度的不一样相应的输出值的相位就不同，前述的相位就充当了神经网络中的权重参数。

根据本发明的一些实施例，第一凹槽和第二凹槽的形状不受特别限制，例如，可以为圆柱凹槽和矩形凹槽，图3只是示例性地给出了一种形状。

根据本发明的一些实施例，平板波导的厚度不受特别限制，例如，可以为190-240nm，相应地，平板波导上的第一凹槽和第二凹槽的深度不大于平板波导的厚度。

根据本发明的一些实施例，相变材料的组成不受特别限制，例如相变材料可以为硫化锑、硒化锑、锗碲硫、锗锑碲、锗砷硫和锗碲硒中的至少之一，相变材料在外界条件刺激下可以实现非晶态和晶态两种状态下的切换，具体地，相变材料晶态的原子排列长程有序，其反射率高，而非晶态是长程无序，其反射率比晶态的低。当处于晶态的相变材料，在其两端施加一个强度较大但加热时间较短的脉冲时，相变材料就会迅速熔化成液相，使原子形成无规则排列状态，因加热时间短，热量很快扩散并骤冷，冷却到玻璃转化温度以下，使得相变材料稳定在长程无序的非晶态；当处于非晶态的相变材料，在其两端施加一个强度较大且加热时间较长的脉冲时，非晶态的相变材料将会慢慢结晶最终变成晶态，控制持续激光加工过程，即可重新获得新的相态分布，实现平板波导的相态重构，当相变材料处于晶体状态时对应的是高折射率状态，而非晶态则对应的是低折射率状态，光信号在通过不同折射率的凹槽时其幅度和/或相位会得到不同的调制，不同的输入神经元通过光学衍射连接到各个输出神经元，从而实现了光学神经网络传播和计算路径中网络参数的设定。

在本申请的描述中，“A和/或B”可以包括单独A的情况，单独B的情况，A和B的情况的任一种，其中A、B仅用于举例，其可以是本申请中使用“和/或”连接的任意技术特征。

S200：向平板波导输入光信号，光信号在相邻凹槽之间传播，并记录平板波导的输出值

在该步骤中向平板波导输入光信号，光信号在相邻子波导之间传播，于探测单元接收平板波导的输出值的光场强度，并记录当前的光场强度值。

根据本发明的一些实施例，向平板波导输入光信号的方式不受特别限制，例如，光信号的输入方向可以垂直于平板波导的端面，参考图2，即光信号在平板波导的左侧输入，输入的光信号沿着各个子波导传播，于探测单元接收光信号的输出值的光场强度；光信号的输入方式还可以为光信号的输入角度与垂直于平板波导的主表面的方向有0-8°夹角，当光信号的输入角度与垂直于平板波导的主表面的方向的夹角大于8°时，会导致光信号没有完全输入到子波导中，造成光信号的缺失。

根据本发明的一些实施例，平板波导上还包括探测单元，探测单元用于探测输入的光信号沿各个子波导传输到探测单元上的光场强度，探测单元探测得到光信号后，进一步将探测得到的光信号转化为电信号，以便于后续使用电子设备对光信号进行处理和评价判决。

根据本发明的一些实施例，探测单元的材料不受特别限制，例如，探测单元的材料可以为锗硅，探测单元的深度与凹槽的深度相同，以满足输入的光信号经各个子波导传输到探测单元被完全识别。

S300：计算预设值与所述输出值之间的差值，当差值大于标准值时，执行S400

在本步骤中，计算光信号的预设值和光信号的输出值的差值，当差值小于等于标准值，说明当前光信号的输出值满足预设值的要求，当差值大于标准值时，需要调控凹槽中的相变材料，重新向平板波导输入光信号直至光信号的预设值和输出值的差值小于等于标准值。

根据本发明的一些实施例，预设值为理想状态下光信号经子波导传输到探测单元的光场强度值，预设值可机器学习获得，输出值为光信号经子波导传输到探测单元经探测得到的光场强度值，差值为光场强度预设值减去光场强度的输出值。

根据本发明的一些实施例，标准值为光场强度的预设值的百分之一，由于凹槽在刻蚀过程中存在工艺尺寸上的偏差以及填充在第二凹槽中的相变材料在光通过第二凹槽时会产生额外的相移，导致光场强度的输出值与实际预设值存在差值，定义标准值为光场强度的预设值的百分之一，当差值小于等于标准值时，说明当前光信号的输出值满足预设值的需求。

S400:利用调控装置对第二凹槽中的相变材料的晶体状态进行调控

在本步骤中，利用调控装置调控第二凹槽中的相变材料的晶体状态，平板波导包含多个子波导，每个子波导中包含多个第一凹槽和第二凹槽，其中第一凹槽和第二凹槽充当了光学神经网络中的一个神经元，相邻子波导中的凹槽间的衍射关系对应光学神经网路中的权重，第二凹槽含有相变材料，其中的相变材料可在晶态和非晶态之间切换，利用调控装置调控相变材料的晶态，当光信号通过第二凹槽时受相变材料调控产生额外相移，该相移与相变材料的状态一一对应，因此，该光学神经网络具有可重构性，在光学神经网络建成后，可通过调整第二凹槽中相变材料的状态，对光学神经网络中神经元进行调整，而后重复输入光信号与探测单元接收到光信号的输出值，直至满足差值小于等于标准值。

根据本发明的一些实施例，调控装置垂设于平板波导具有第二凹槽的一侧表面，光调控装置可以对第二凹槽中的不同位置的相变材料的状态进行调控，相应地会引起相变材料折射率的变化，而相变材料的折射率的变化又将进一步影响光信号在平板波导中的光场传播，进而影响探测单元得到光信号输出值，即可判断平板波导的光学响应是否满足设计要求。

根据本发明的一些实施例，调控装置的类型不受特别限制，例如，调控装置可以包括光脉冲调控单元和电脉冲调控单元，本申请采用的相变材料为硫化锑、锗碲硫、锗锑碲、锗砷硫和锗碲硒中的一种，前述的相变材料具有晶化速度快的特点，且其非晶态和晶态之间具有较好的可逆性，当采用电脉冲或光脉冲刺激对不同位置的相变材料晶态调控，相应的被刺激部位的相变材料折射率发生变化，而相变材料折射率的变化又进一步影响光信号在平板波导中的光场传输，进而影响探测单元探测到的输出值，例如，当处于晶态的相变材料，在其两端施加一个强度较大但加热时间较短的脉冲时，相变材料就会迅速熔化成液相，使原子形成无规则排列状态，因加热时间短，热量很快扩散并骤冷，冷却到玻璃转化温度以下，使得相变材料稳定在长程无序的非晶态；当处于非晶态的相变材料，在其两端施加一个强度较大且加热时间较长的脉冲时，非静态的相变材料将会慢慢结晶最终变成晶态，控制持续激光加工过程，即可重新获得新的相态分布，实现平板波导的相态重构。

S500：重复执行S200和S300，直至差值不大于标准值

根据本发明的一些实施例，由于凹槽在刻蚀过程中存在工艺尺寸上的偏差，光信号经过凹槽传播时，于探测单元接收到的输出值结果精度降低，即光场强度的输出值与实际预设值存在差值，因此需要光计算器件具有可重构性能，当对具有可重构性能的光计算器件进行调控后可以修正因加工过程中导致的尺寸误差。在本发明中，由于第二凹槽中填充相变材料，通过调控装置调控相变材料的相态，重复执行S200和S300，利用调控装置调控相变材料的晶态来改写光信号在子波导中的传输从而影响探测单元探测到的输出值，当差值不大于标准值时，停止对光计算器件的调控，当前调控方法下的输出值满足光场强度预设值的要求，进而使光计算器件具有可重构功能，实现网络参数的微调和再校正，保证神经网络计算结果的精度。

根据本发明的一些实施例，重复执行S200和S300，可以对光计算器件进行调控能够使得具备可编程能力的光计算器件，由于第二凹槽中填充相变材料，通过调控装置调控相变材料的相态，从而使得同一设计在探测单元上映射的结果可以完成多种计算，得到可编程、可重构的光神经网络进而获得具有宽谱范围光计算器件。

根据本发明的一些实施例，由于光计算器件具有第一凹槽和第二凹槽，且第二凹槽中填充有相变材料，当外界给予相变材料刺激时，可以使得相变材料的晶态发生改变，进而能够使光计算器件实现不同智能任务之间的切换，例如，当光计算器件的任务数据集为动物图片的识别时，采用机器学习的方式可以得到前述动物图片任务的平板波导的子波导数量，以及得到每层子波导上第一凹槽和第二凹槽的长度和数量，当光计算器件需要完成手写数字体数据集的任务时，由于任务的改变，动物图片的平板波导不能用于实现数字体数据集任务，但是由于光计算器件第二凹槽中填充有相变材料，采用本发明对光计算器件调控的方法，能够实现平板波导的可编辑性能，进而完成智能任务的灵活切换，即对具有动物图片任务的设计的光计算器件经过调控后，使其能够完成数字体数据集任务。

在本发明的第二个方面，本发明提出了一种光计算器件，该光计算器件的光场采用前述的方法调控得到的，由此该光计算器件具有可编程和可重构能力。

根据本发明的一些实施例，光计算器件还可以包括基体，基体作为平板波导的支撑体，基体的材料不受特别限制，例如，可以包含衬底硅和氧化硅层。

下面通过具体的实施例对本申请的方案进行说明，需要说明的是，下面的实施例仅用于说明本申请，而不应视为限定本申请的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。

实施例1

一种基于相变材料的光计算器件，参考图2、图3和图4，该光计算器件包括平板波导10、探测单元20、调控装置30、第一凹槽41、第二凹槽42、子波导40和相变材料110。

参考图4，对预设值为A的任务采用机器学习的方式得到平板波导上含有5层子波导，每层子波导中含有50个平行设置的凹槽，其中凹槽包含第一凹槽和第二凹槽，以及得到每层子波导上50个平行设置的凹槽中第一凹槽和第二凹槽的数量、长度，第二凹槽填充的相变材料为硒化锑。为了简化附图，图4虚线框的部分示意性的表示一个子波导40，每个子波导40内实际包括50个平行设置的凹槽，其中凹槽包含第一凹槽41和第二凹槽42，第二凹槽42为可调控衍射槽，可以理解的是，该平板波导上具有5层子波导40，每层子波导40均含有50个平行设置的凹槽，其中凹槽包含第一凹槽41和第二凹槽42，图4只是示意性地给画了部分子波导40、第一凹槽41、第二凹槽42和探测单元20。

调控装置30设置于平板波导10上方，该调控装置可进行三维平移，用于对不同子波导40中的相变材料进行激光辐射，以改变相应位置处相变材料的晶态，从而影响光信号在平板波导10的光场传输，光信号的信号光源装置50设置于平板波导10的左侧，用于向平板波导10输入光信号，探测单元20设置于平板波导10的左侧，用于探测光信号经子波导40传输出来的输出值。

向平板波导输入一个识别任务图片光信号（例如狗的图片），其输出值预设值为A，该光信号经平板波导传播于探测单元得到的输出值为A1,利用调控装置对5层子波导中特定位置的第二凹槽中的相变材料施加飞秒脉冲，使得相变材料发生晶态的转变，再次向平板波导输入预设值为A的光信号经平板波导传播后于探测单元得到的输出值为A2，该A2与A1值不同，说明相变材料的加入，使得平板波导具有可重构性能，采用本发明对光计算器件的调控的方法，不断地更改子波导上不同于前次相变材料晶态调控位置的相变材料的晶态，并重复输入预设值为A的光信号，得到不同的输出值An,直至A与An的差值不大于预设值A的1%，则结束调控装置对子波导中的相变材料的晶态改写，输出值An状态下的平板波导调控结果为目标平板波导，由此，采用本发明的调控方法，实现了平板波导的可重构性。

实施例2

采用与实施例1相同的平板波导，向平板波导输入手写数字体图片光信号，其输出预设值为B，该光信号经平板波导传播后于探测单元探测得到的输出值为B1，利用调控装置对5层子波导中特定位置的第二凹槽中的相变材料施加飞秒脉冲，使得相变材料发生晶态的转变，再次向平板波导输入预设值为B的光信号经平板波导于探测单元得到输出值为B2，该B2与B1和任务A类型不同，通过改变相变材料晶体状态实现了网络参数的重新布局和设定，说明相变材料的加入，使得本平板波导神经网络的参数阵列具有可编辑性能，采用本发明的对光计算器件的调控的方法，可以实现该功能。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (9)

1.一种对光计算器件进行调控的方法，其特征在于，包括：

S100：提供平板波导，所述平板波导包括相对设置的主表面以及环绕所述主表面的多个端面，所述平板波导包括至少一个子波导，所述子波导包括多个间隔排布的凹槽，所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽为衍射槽，所述第一凹槽内未填充相变材料；所述第二凹槽为可调控衍射槽，所述第二凹槽内填充所述相变材料，所述第一凹槽和所述第二凹槽平行设置，所述第一凹槽和所述第二凹槽充当光学神经网络中的一个神经元，相邻所述子波导中的所述凹槽间的衍射关系对应光学神经网路中的权重；

S200：向所述平板波导输入光信号，所述光信号在相邻所述凹槽之间传播，并记录所述平板波导的输出值；

S300：计算预设值与所述输出值之间的差值，当所述差值大于标准值时，执行S400；

S400：利用调控装置对所述第二凹槽中的所述相变材料的晶体状态进行调控；

S500：重复执行所述S200和所述S300，直至所述差值不大于所述标准值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述输出值为光场强度输出值，所述预设值为光场强度预设值，所述计算所述输出值与所述预设值之间的所述差值进一步包括：用所述光场强度预设值减去所述光场强度输出值得到所述差值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述标准值为所述光场强度预设值乘以百分之一。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述平板波导的厚度为190-240nm，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度不大于所述平板波导的厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述相变材料包括硫化锑、硒化锑、锗碲硫、锗锑碲、锗砷硫和锗碲硒中的至少之一。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述输入光信号满足以下条件的至少之一：

所述光信号的输入角度与垂直于所述平板波导的所述主表面的方向之间具有夹角，所述夹角为0-8°；

所述光信号的输入方向垂直于所述平板波导的所述端面。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调控装置垂设于所述平板波导具有所述第二凹槽的一侧的所述主表面。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述调控装置包括光脉冲调控单元和电脉冲调控单元中的至少之一。

9.一种光计算器件，其特征在于，所述光计算器件的光场采用权利要求1-8任一项所述的方法调控得到。