CN115930328A - 一种雾化片的液位检测装置及雾化追频液位检测系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种雾化片的液位检测装置及雾化追频液位检测系统，包括控制器模组、驱动模组以及频率检测模组，控制器模组与驱动模组的受控端连接以控制驱动模组输出驱动信号，驱动模组的输出端与雾化片连接以驱动雾化片运行，频率检测模组分别与雾化片以及控制器模组连接，频率检测模组检测雾化片的运行频率以形成反馈信号并输出至控制器模组，其中，雾化片的运行频率能够反映雾化片所处工作环境的液体的液位多少，当液体的液位越高，则运行频率越大，当液体的液位越低，则运行频率越小，本设计在容器的液体较少时即可检测得知，结构简单，检测准确，不易损坏雾化片。

Description

一种雾化片的液位检测装置及雾化追频液位检测系统

技术领域

本发明涉及加湿器设备技术领域，特别涉及一种雾化片的液位检测装置及雾化追频液位检测系统。

背景技术

加湿器被广泛应用于人们的生活中，在容器中设置雾化片，由控制器驱动雾化片运行，雾化片即可将容器中的液体雾化，另外，还需要设置液位检测装置，利用液位检测装置得知液位多少，便于控制器合理地控制雾化片运行，传统的液位检测方式一般是机械式、电容式或者干烧式。机械式水位检测方式虽然灵敏度非常高，但是由于检测结构较为复杂，增加了加湿器结构的复杂度，使得加湿器开模复杂，生产成本高，成品体积大；电容式水位检测方式是利用探针的容性变化来判断是否有水，这种方式虽然结构简单，不会增加加湿器的结构复杂度，但是灵敏度低，抗干扰能力差，容易误判；而干烧式水位检测方式是雾化片完全无水后导致雾化片的电流增大，才能判断出水位情况，容易损坏雾化片。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种雾化片的液位检测装置及雾化追频液位检测系统，通过检测雾化片的运行频率来反映液体的液位多少，结构简单，检测准确，不易损坏雾化片。

根据本发明的第一方面实施例的一种雾化片的液位检测装置，包括：控制器模组；驱动模组，所述控制器模组与所述驱动模组的受控端连接以控制所述驱动模组输出驱动信号，所述驱动模组的输出端与所述雾化片连接以驱动所述雾化片运行；频率检测模组，分别与所述雾化片以及控制器模组连接，所述频率检测模组检测所述雾化片的运行频率以形成反馈信号并输出至所述控制器模组，其中，所述雾化片的运行频率能够反映雾化片所处工作环境的液体的液位多少，当液体的液位越高，则运行频率越大，当液体的液位越低，则运行频率越小。

根据本发明实施例的一种雾化片的液位检测装置，至少具有如下

有益效果：

本发明雾化片的液位检测装置，控制器模组控制驱动模组输出驱动信号至雾化片，雾化片受驱而振动运行使得容器中的液体雾化，同时，利用频率检测模组检测雾化片的运行频率，当容器中液体的液位较高，雾化片运行会产生较大液体波动(例如水花)，液体波动也会引起雾化片的运行频率的变化，此时频率检测模组检测雾化片的运行频率较大，则证明容器中液位较高，而当容器中液体的液位较低，雾化片运行产生的液体波动较小，频率检测模组检测雾化片的运行频率较小，则证明容器中液位较低，本设计在容器的液体较少时即可检测得知，结构简单，检测准确，不易损坏雾化片。

根据本发明的一些实施例，所述频率检测模组为追频检测模组，所述追频检测模组检测并对所述雾化片的运行频率进行解调以形成解调信号，所述追频检测模组将解调信号作为反馈信号输出至所述控制器模组；所述控制器模组根据运行频率阈值通过所述驱动模组驱动所述雾化片运行，当解调信号反映液体的液位较高，所述控制器模组驱动所述雾化片的运行频率趋近于所述运行频率阈值，当解调信号反映液体的液位较低，所述控制器模组驱动所述雾化片的运行频率降低或者所述控制器模组驱动所述雾化片停止。

根据本发明第二方面实施例的雾化追频液位检测系统，包括MCU控制器模块、第一驱动模块、第二驱动模块、雾化片模块、第一追频缺水检测模块和第二追频缺水检测模块，其中：所述MCU控制器模块用于输出第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号；所述第一驱动模块用于对第一PWM驱动信号进行放大以得到第一放大信号；所述第二驱动模块用于对第二PWM驱动信号进行放大以得到第二放大信号；所述雾化片模块用于根据第一放大信号和第二放大信号控制雾化片振荡以进行雾化，并根据雾化量的大小对第一放大信号和第二放大信号进行调制以得到第一调制信号和第二调制信号，其中水越多，雾化量越大，第一调制信号和第二调制信号就越大，水越少，雾化量越小，第一调制信号和第二调制信号就越小；所述第一追频缺水检测模块用于对第一调制信号进行解调滤波处理以得到第一解调信号；所述第二追频缺水检测模块用于对第二调制信号进行解调滤波处理以得到第二解调信号；所述MCU控制器模块还用于根据第一解调信号的大小控制第一PWM驱动信号的频率的大小以及用于根据第二解调信号的大小控制第二PWM驱动信号的频率的大小，其中第一解调信号和第二解调信号越大，所述MCU控制器模块所输出的第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号的频率越大，第一解调信号和第二解调信号越小，所述MCU控制器模块所输出的第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号的频率越小,且第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号越大,所述MCU控制器模块所输出的第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号的频率越接近雾化片的工作频率，当扫描第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号达到最大时的频率就是雾化片的工作频率，则追到并锁住频点，以锁定追到频率实现雾化追頻，当第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号越小，所述MCU控制器模块所输出第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号的频率越偏离雾化片的工作频率越远，当第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号为零时，所述MCU控制器模块无输出雾化片驱动信号，此时停止雾化工作。

根据本发明实施例的雾化追频液位检测系统，至少具有如下有益效果：

本发明所公开的雾化追频液位检测系统，可以根据雾化量的大小来控制所输出PWM驱动信号的频率的大小，从而可以根据PWM驱动信号的频率的大小来控制雾化片的工作，可以实现加湿器缺水时控制雾化片停止工作，原理简单，灵敏度高，制造成本低，且易于实现，同时可以实现水箱和加湿器座分离，不需要连线，兼具现有机械式检测和电容式检测的优点。

根据本发明的一些实施例，当所述第一PWM驱动信号和所述第二PWM驱动信号的频率等于所述雾化片固有频率时，所述雾化片产生振荡最大，雾化量最大，所述第一调制信号和所述第二调制信号最大。

根据本发明的一些实施例，当雾化片上的水越来越少时，雾化量也越来越小,解调滤波后的第一调制信号和第二调制信号越来越小，所述MCU控制器模块所输出第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号的频率越来越小，当雾化片上无水时则所述第一调制信号和所述第二调制信号无信号，所述MCU控制器模块暂停输出第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号。

根据本发明的一些实施例，所述MCU控制器模块包括有控制芯片，所述雾化片模块包括有雾化片，所述第一驱动模块包括有第一电阻和第一晶体管，所述第二驱动模块包括有第二电阻和第二晶体管，其中所述第一电阻的一端与所述控制芯片的第一输出端连接，所述第一电阻的另一端与所述第一晶体管的栅极连接，所述第一晶体管的漏极与所述雾化片连接，所述第一晶体管的源极接地，所述第二电阻的一端与所述控制芯片的第二输出端连接，所述第二电阻的另一端与所述第二晶体管的栅极连接，所述第二晶体管的漏极与所述雾化片连接，所述第二晶体管的源极接地。

根据本发明的一些实施例，所述雾化片模块还包括有第一电容、第二电容和第一电感，其中所述第一电容的一端与第一电源连接，所述第一电容的另一端接地，所述第二电容的一端与所述第一电容的一端连接，所述第二电容的另一端与所述第一晶体管的漏极连接，所述第一电感的一端与所述第一电容的一端连接，所述第一电感的另一端与所述第一晶体管的漏极连接。

根据本发明的一些实施例，所述雾化片模块还包括有第三电容、第四电容和第二电感，其中所述第三电容的一端与所述第一电源连接，所述第三电容的另一端接地，所述第四电容的一端与所述第三电容的一端连接，所述第四电容的另一端与所述第二晶体管的漏极连接，所述第二电感的一端与所述第三电容的一端连接，所述第二电感的另一端与所述第二晶体管的漏极连接。

根据本发明的一些实施例，所述第一追频缺水检测模块包括第五电容、第三电阻、第一二极管、第二二极管、第四电阻、第六电容、第七电容、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电容和第一三极管，其中所述第五电容的一端与所述第一电感的另一端连接，所述第五电容的另一端与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述第一二极管的负极极连接，所述第一二极管的正极端接地，所述第二二极管的正极端与所述第三电阻的另一端连接，所述第二二极管的负极端与所述第四电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端接地，所述第六电容的一端与所述第四电阻的一端连接，所述第六电容的另一端与所述第四电阻的另一端连接，所述第七电容的一端与所述第六电容的一端连接，所述第七电容的另一端与所述第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与所述第六电容的另一端连接，所述第六电阻的一端与所述第五电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端与所述第八电容的一端连接，所述第八电容的另一端接地，所述第七电阻的一端分别与第二电源和第六电阻的另一端连接，所述第七电阻的另一端与第一三极管的集电极连接，所述第一三极管的基极与所述第五电阻的一端连接，所述第一三极管的发射极接地。

根据本发明的一些实施例，所述第二追频缺水检测模块包括有第九电容、第八电阻、第三二极管、第四二极管、第九电阻、第十电容、第十一电容、第十电阻、第十一电阻、第十二电容、第十二电阻和第二三极管，其中所述第九电容的一端与所述第二电感的另一端连接，所述第九电容的另一端与所述第八电阻的一端连接，所述第八电阻的另一端与第三二极管的负极端连接，所述第三二极管的正极端接地，所述第四二极管的正极端与所述第八电阻的另一端连接，所述第四二极管的负极端与所述第九电阻的一端连接，所述第九电阻的另一端接地，所述第十电容的一端与所述第九电阻的一端连接，所述第十电容的另一端与所述第九电阻的另一端连接，所述第十一电容的一端与所述第十电容的一端连接，所述第十一电容的另一端与所述第十电阻的一端连接，所述第十电阻的另一端与所述第十电容的另一端连接，所述第十一电阻的一端与所述第十电阻的一端连接，所述第十一电阻的另一端与所述第十二电容的一端连接，所述第十二电容的另一端接地，所述第十二电阻的一端分别与所述第二电源和所述第十一电阻的另一端连接，所述第十二电阻的另一端与所述第二三极管的集电极连接，所述第二三极管的基极与所述第十电阻的一端连接，所述第二三极管的发射极接地；所述控制芯片的第一输入端与所述第一三极管的集电极连接，所述控制芯片的第二输入端与所述第二三极管的集电极连接；所述第一晶体管和所述第二晶体管为NMOS管，所述第一三极管和所述第二三极管为NPN型三极管。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本发明水位检测装置其中一种实施例的原理结构框图；

图2为本发明雾化追频水位检测系统其中一种实施例的原理结构框图；

图3为本发明雾化追频水位检测系统其中一种实施例的电路示意图。

附图标记：

MCU控制器模块10；第一驱动模块11；第二驱动模块12；雾化片模块13；雾化片131；第一追频缺水检测模块14；第二追频缺水检测模块15；控制器模组200；驱动模组300；频率检测模组400。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“液平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。

本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

如图1-3所示，根据本发明的第一方面实施例的一种雾化片的液位检测装置，包括控制器模组200、驱动模组300以及频率检测模组400，控制器模组200与驱动模组300的受控端连接以控制驱动模组300输出驱动信号，驱动模组300的输出端与雾化片连接以驱动雾化片131运行，频率检测模组400分别与雾化片131以及控制器模组200连接，频率检测模组400检测雾化片的运行频率以形成反馈信号并输出至控制器模组200，其中，雾化片131的运行频率能够反映雾化片所处工作环境的液体的液位多少，当液体的液位越高，则运行频率越大，当液体的液位越低，则运行频率越小。

本发明雾化片的液位检测装置，控制器模组200控制驱动模组300输出驱动信号至雾化片131，雾化片131受驱而振动运行使得容器中的液体雾化，同时，利用频率检测模组400检测雾化片的运行频率，当容器中液体的液位较高，雾化片131运行会产生较大液体波动(例如水花)，液体波动也会引起雾化片的运行频率的变化，此时频率检测模组400检测雾化片131的运行频率较大，则证明容器中液位较高，而当容器中液体的液位较低，雾化片运行产生的液体波动较小，频率检测模组400检测雾化片131的运行频率较小，则证明容器中液位较低，本设计在容器的液体较少时即可检测得知，结构简单，检测准确，不易损坏雾化片。

在本发明的一些实施例中，频率检测模组400为追频检测模组，追频检测模组检测并对雾化片131的运行频率进行解调以形成解调信号，追频检测模组将解调信号作为反馈信号输出至控制器模组200；控制器模组200根据运行频率阈值通过驱动模组300驱动雾化片运行，当解调信号反映液体的液位较高，控制器模组200驱动雾化片131的运行频率趋近于运行频率阈值，当解调信号反映液体的液位较低，控制器模组200驱动雾化片131的运行频率降低或者控制器模组200驱动雾化片131停止。

需要说明的是，控制器模组200内预设有固有频率阈值，此处的固有频率阈值与运行频率阈值相对应，控制器模组200输出控制指令，该控制指令可以是PWM驱动信号，通过控制指令的控制驱动模组300驱使雾化片运行，当解调信号反映液体的液位较高，控制器模组200输出的PWM驱动信号的频率可以趋近于固有频率阈值(即追到并锁住频点)，从而使得雾化片的运行频率趋近于运行频率阈值，当解调信号反映液体的液位较低，控制器模组200输出的PWM驱动信号的频率可以远低于固有频率阈值，从而使得雾化片的运行频率降低，若液体的液位下降至危险低液位，控制器模组200驱动雾化片停止。

其中，控制器模组可以为MCU控制器模块10，驱动模组可以包括第一驱动模块11、第二驱动模块12，频率检测模组可以包括第一追频缺水检测模块14和第二追频缺水检测模块15。

利用MCU控制器模块10、第一驱动模块11、第二驱动模块12、雾化片模块13、第一追频缺水检测模块14和第二追频缺水检测模块15来构成至少部分本发明第二方面实施例的本发明所公开的雾化追频及水位检测系统，如图2、3所示。

MCU控制器模块10用于输出第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号。应理解，本实施例的第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号的频率范围在雾化片的固有频率差距不大于2MHz。

第一驱动模块11用于对第一PWM驱动信号进行放大以得到第一放大信号。

第二驱动模块12用于对第二PWM驱动信号进行放大以得到第二放大信号。

雾化片模块13用于根据第一放大信号和第二放大信号控制雾化片振荡以进行雾化，并根据雾化量的大小对第一放大信号和第二放大信号进行调制以得到第一调制信号和第二调制信号。

可以理解的是，水越多，雾化量越大，第一调制信号和第二调制信号就越大，水越少，雾化量越小，第一调制信号和第二调制信号就越小。

也就是说，第一调制信号和第二调制信号所调制的幅度的多少由雾化水花(即雾化量)高低决定的。

第一追频缺水检测模块14用于对第一调制信号进行解调滤波处理以得到第一解调信号。

第二追频缺水检测模块15用于对第二调制信号进行解调滤波处理以得到第二解调信号。

MCU控制器模块10还用于根据第一解调信号的大小控制第一PWM驱动信号的频率的大小以及用于根据第二解调信号的大小控制第二PWM驱动信号的频率的大小。

可以理解的是，第一解调信号和第二解调信号越大，MCU控制器模块10所输出的第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号的频率越大，第一解调信号和第二解调信号越小，MCU控制器模块10所输出的第一PWM驱动信号的频率越小。

可以理解的是，第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号越大,所述MCU控制器模块所输出的第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号的频率越接近雾化片的工作频率，当扫描第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号达到最大时的频率就是雾化片的工作频率，则追到并锁住频点，以锁定追到频率实现雾化追頻，当第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号越小，所述MCU控制器模块所输出第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号的频率越偏离雾化片的工作频率越远，当第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号为零时，所述MCU控制器模块无输出雾化片驱动信号，此时停止雾化工作。也就是说，本实施例会自动锁定雾化片正常工作的最大频率，即当扫描第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号达到最大时自动锁住此刻的频率，而此刻的频率就是雾化片的工作频率。

在本发明的一些实施例中，，当第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号的频率等于雾化片固有频率时，雾化片产生振荡最大，雾化量最大，第一调制信号和第二调制信号最大。应理解，MCU控制器模块10能把此最大第一调制信号和第二调制信号与第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号的频率进行锁定，从而实现自动追频,即水多的时候PWM驱动信号的频率大，水少的时候PWM驱动信号的频率少，使得可以做到水位控制和缺水保护效果。

在本发明的一些实施例中，，当雾化片上的水越来越少时，雾化量也越来越小,解调滤波后的第一调制信号和第二调制信号越来越小，MCU控制器模块所输出第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号的频率越来越小，当雾化片上无水时则第一调制信号和第二调制信号无信号，MCU控制器模块暂停输出第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号。也就是说，当加湿器没水时，雾化片上也没水，此时MCU控制器模块暂停输出第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号，从而可以控制加湿器停止工作。

如图3所示，该MCU控制器模块10包括有控制芯片，雾化片模块13包括有雾化片131，其中第一驱动模块11包括有第一电阻R1和第一晶体管Q1，第二驱动模块12包括有第二电阻R2和第二晶体管Q2。

第一电阻R1的一端与控制芯片的第一输出端连接，第一电阻R1的另一端与第一晶体管Q1的栅极连接，第一晶体管Q1的漏极与雾化片131连接，第一晶体管Q1的源极接地，第二电阻R2的一端与控制芯片的第二输出端连接，第二电阻R2的另一端与第二晶体管Q2的栅极连接，第二晶体管Q2的漏极与雾化片131连接，第二晶体管Q2的源极接地。

可以理解的是，MCU控制器模块10的控制芯片通过第一输出端输出第一PWM驱动信号至第一电阻R1，通过第二输出端输出第二PWM驱动信号至第二电阻R2，而第一PWM驱动信号被第一晶体管Q1放大得到第一放大信号，第二PWM驱动信号被第二晶体管Q2放大得到第二放大信号。

例如，第一晶体管Q1和第二晶体管Q2为NMOS管。

雾化片模块13还包括有第一电容C1、第二电容C2和第一电感L1，其中第一电容C1的一端与第一电源VCC1连接，第一电容C的另一端接地GND，第二电容C2的一端与第一电容C1的一端连接，第二电容C2的另一端与第一晶体管Q1的漏极连接，第一电感L1的一端与第一电容C1的一端连接，第一电感L1的另一端与第一晶体管Q1的漏极连接。

可以理解的是，本实施例的雾化片模块13通过第一电容C1、第二电容C2和第一电感L1所组成的电路对第一放大信号进行调制以得到第一调制信号。

在本发明的一些实施例中，雾化片模块13还包括有第三电容C3、第四电容C4和第二电感L2，其中第三电容C3的一端与第一电源VCC1连接，第三电容C3的另一端接地GND，第四电容C4的一端与第三电容C3的一端连接，第四电容C4的另一端与第二晶体管Q2的漏极连接，第二电感L2的一端与第三电容C3的一端连接，第二电感L2的另一端与第二晶体管Q2的漏极连接。

可以理解的是，本实施例的雾化片模块13通过第三电容C3、第四电容C4和第二电感L2所组成的电路对第二放大信号进行调制以得到第二调制信号。

当然，雾化片模块13还设有雾化量检测单元，能够实时对雾化片上的雾化量进行检测。

第一追频缺水检测模块14包括第五电容C5、第三电阻R3、第一二极管D1、第二二极管D2、第四电阻R4、第六电容C6、第七电容C7、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电容C8和第一三极管Q3。其中第五电容C5的一端与第一电感L1的另一端连接，第五电容C5的另一端与第三电阻R3的一端连接，第三电阻R3的另一端与第一二极管D1的负极极连接，第一二极管D1的正极端接地GND，第二二极管D2的正极端与第三电阻R3的另一端连接，第二二极管D2的负极端与第四电阻R4的一端连接，第四电阻R4的另一端接地GND，第六电容C6的一端与第四电阻R4的一端连接，第六电容C6的另一端与第四电阻R4的另一端连接GND，第七电容C7的一端与第六电容C6的一端连接，第七电容C7的另一端与第五电阻R5的一端连接，第五电阻R5的另一端与第六电容C6的另一端连接，第六电阻R6的一端与第五电阻R5的一端连接，第六电阻R6的另一端与第八电容C8的一端连接，第八电容C8的另一端接地GND，第七电阻R7的一端分别与第二电源VCC2和第六电阻R6的另一端连接，第七电阻R7的另一端与第一三极管Q3的集电极连接，第一三极管Q3的基极与第五电阻R5的一端连接，第一三极管Q3的发射极接地GND。

在本发明的一些实施例中，控制芯片的第一输入端与第一三极管Q3的集电极连接。应理解，被雾化片模块所调制得到第一调制信号经过第五电容C5偶合到第一二极管D1和第二二极管D2进行倍压检波解调，然后经第四电阻R4和第六电容C6滤波得到低频信号,最后经第一三极管Q3得到第一解调信号，并经过控制芯片的第一输入端输入至控制芯片以进行反馈，以使得控制芯片根据第一解调信号的大小控制第一PWM驱动信号的频率的大小。

第二追频缺水检测模块15包括有第九电容C9、第八电阻R8、第三二极管D3、第四二极管D4、第九电阻R9、第十电容C10、第十一电容C11、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电容C12、第十二电阻R12和第二三极管Q4。其中第九电容C9的一端与第二电感L2的另一端连接，第九电容C9的另一端与第八电阻R8的一端连接，第八电阻R8的另一端与第三二极管D3的负极端连接，第三二极管D3的正极端接地GND，第四二极管D4的正极端与第八电阻R8的另一端连接，第四二极管D4的负极端与第九电阻R9的一端连接，第九电阻R9的另一端接地GND，第十电容C10的一端与第九电阻R9的一端连接，第十电容C10的另一端与第九电阻R9的另一端连接，第十一电容C11的一端与第十电容C10的一端连接，第十一电容C11的另一端与第十电阻R10的一端连接，第十电阻R10的另一端与第十电容C10的另一端连接，第十一电阻R11的一端与第十电阻R10的一端连接，第十一电阻R11的另一端与第十二电容C12的一端连接，第十二电容C12的另一端接地GND，第十二电阻R12的一端分别与第二电源VCC2和第十一电阻R11的另一端连接，第十二电阻R12的另一端与第二三极管Q4的集电极连接，第二三极管Q4的基极与第十电阻R10的一端连接，第二三极管Q4的发射极接地GND。

在本发明的一些实施例中，控制芯片的第二输入端与第二三极管Q4的集电极连接。应理解，被雾化片模块所调制得到第二调制信号经过第九电容C9偶合到第三二极管D3和第四二极管D4进行倍压检波解调，然后经第九电阻R9和第十电容C10滤波得到低频信号,最后经第二三极管Q4得到第二解调信号，并经过控制芯片的第二输入端输入至控制芯片以进行反馈，以使得控制芯片根据第二解调信号的大小控制第二PWM驱动信号的频率的大小。

例如，第一三极管Q3和第二三极管Q4为NPN型三极管。

综上，本发明所公开的雾化片的雾化追频及水位检测系统可以根据雾化量的大小来控制所输出PWM驱动信号的频率的大小，从而可以根据PWM驱动信号的频率的大小来控制雾化片的工作，可以实现加湿器缺水时控制雾化片停止工作，原理简单，灵敏度高，制造成本低，且易于实现，同时可以实现水箱和加湿器座分离，不需要连线，兼具现有机械式检测和电容式检测的优点。

以上描述的水位检测装置仅仅是其中几个实施例，如水位检测装置应用在无线、有线、单臂、双臂都属于在保护范围内。以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种雾化片的液位检测装置，其特征在于，包括：

控制器模组；

驱动模组，所述控制器模组与所述驱动模组的受控端连接以控制所述驱动模组输出驱动信号，所述驱动模组的输出端与所述雾化片连接以驱动所述雾化片运行；

频率检测模组，分别与所述雾化片以及控制器模组连接，所述频率检测模组检测所述雾化片的运行频率以形成反馈信号并输出至

所述控制器模组根据运行频率阈值通过所述驱动所述控制器模组，其中，所述雾化片的运行频率能够反映雾化片所处工作环境的液体的液位多少，当液体的液位越高，则运行频率越大，当液体的液位越低，则运行频率越小。

2.根据权利要求1所述的一种雾化片的液位检测装置，其特征在于：所述频率检测模组为追频检测模组，所述追频检测模组检测并对所述雾化片的运行频率进行解调以形成解调信号，所述追频检测模组将解调信号作为反馈信号输出至所述控制器模组；

模组驱动所述雾化片运行，当解调信号反映液体的液位较高，所述控制器模组驱动所述雾化片的运行频率趋近于所述运行频率阈值，当解调信号反映液体的液位较低，所述控制器模组驱动所述雾化片的运行频率降低或者所述控制器模组驱动所述雾化片停止。

3.一种雾化追频液位检测系统，其特征在于，包括MCU控制器模块、第一驱动模块、第二驱动模块、雾化片模块、第一追频缺水检测模块和第二追频缺水检测模块，其中：

所述MCU控制器模块用于输出第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号；

所述第一驱动模块用于对第一PWM驱动信号进行放大以得到第一放大信号；

所述第二驱动模块用于对第二PWM驱动信号进行放大以得到第二放大信号；

所述雾化片模块用于根据第一放大信号和第二放大信号控制雾化片振荡以进行雾化，并根据雾化量的大小对第一放大信号和第二放大信号进行调制以得到第一调制信号和第二调制信号，其中水越多，雾化量越大，第一调制信号和第二调制信号就越大，水越少，雾化量越小，第一调制信号和第二调制信号就越小；

所述第一追频缺水检测模块用于对第一调制信号进行解调滤波处理以得到第一解调信号；

所述第二追频缺水检测模块用于对第二调制信号进行解调滤波处理以得到第二解调信号；

所述MCU控制器模块还用于根据第一解调信号的大小控制第一PWM驱动信号的频率的大小以及用于根据第二解调信号的大小控制第二PWM驱动信号的频率的大小，其中第一解调信号和第二解调信号越大，所述MCU控制器模块所输出的第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号的频率越大，第一解调信号和第二解调信号越小，所述MCU控制器模块所输出的第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号的频率越小,且第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号越大,所述MCU控制器模块所输出的第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号的频率越接近雾化片的工作频率，当扫描第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号达到最大时的频率就是雾化片的工作频率，则追到并锁住频点，以锁定追到频率实现雾化追頻，当第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号越小，所述MCU控制器模块所输出第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号的频率越偏离雾化片的工作频率越远，当第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号为零时，所述MCU控制器模块无输出雾化片驱动信号，此时停止雾化工作。

4.根据权利要求3所述的一种雾化追频液位检测系统，其特征在于：当所述第一PWM驱动信号和所述第二PWM驱动信号的频率等于所述雾化片固有频率时，所述雾化片产生振荡最大，雾化量最大，所述第一调制信号和所述第二调制信号最大。

5.根据权利要求4所述的一种雾化追频液位检测系统，其特征在于：当雾化片上的水越来越少时，雾化量也越来越小,解调滤波后的第一调制信号和第二调制信号越来越小，所述MCU控制器模块所输出第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号的频率越来越小，当雾化片上无水时则所述第一调制信号和所述第二调制信号无信号，所述MCU控制器模块暂停输出第一PWM驱动信号和第二PWM驱动信号。

6.根据权利要求3所述的一种雾化追频液位检测系统，其特征在于：所述MCU控制器模块包括有控制芯片，所述雾化片模块包括有雾化片，所述第一驱动模块包括有第一电阻和第一晶体管，所述第二驱动模块包括有第二电阻和第二晶体管，其中所述第一电阻的一端与所述控制芯片的第一输出端连接，所述第一电阻的另一端与所述第一晶体管的栅极连接，所述第一晶体管的漏极与所述雾化片连接，所述第一晶体管的源极接地，所述第二电阻的一端与所述控制芯片的第二输出端连接，所述第二电阻的另一端与所述第二晶体管的栅极连接，所述第二晶体管的漏极与所述雾化片连接，所述第二晶体管的源极接地。

7.根据权利要求6所述的一种雾化追频液位检测系统，其特征在于：所述雾化片模块还包括有第一电容、第二电容和第一电感，其中所述第一电容的一端与第一电源连接，所述第一电容的另一端接地，所述第二电容的一端与所述第一电容的一端连接，所述第二电容的另一端与所述第一晶体管的漏极连接，所述第一电感的一端与所述第一电容的一端连接，所述第一电感的另一端与所述第一晶体管的漏极连接。

8.根据权利要求7所述的一种雾化追频液位检测系统，其特征在于：所述雾化片模块还包括有第三电容、第四电容和第二电感，其中所述第三电容的一端与所述第一电源连接，所述第三电容的另一端接地，所述第四电容的一端与所述第三电容的一端连接，所述第四电容的另一端与所述第二晶体管的漏极连接，所述第二电感的一端与所述第三电容的一端连接，所述第二电感的另一端与所述第二晶体管的漏极连接。

9.根据权利要求8所述的一种雾化追频液位检测系统，其特征在于：所述第一追频缺水检测模块包括第五电容、第三电阻、第一二极管、第二二极管、第四电阻、第六电容、第七电容、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电容和第一三极管，其中所述第五电容的一端与所述第一电感的另一端连接，所述第五电容的另一端与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述第一二极管的负极极连接，所述第一二极管的正极端接地，所述第二二极管的正极端与所述第三电阻的另一端连接，所述第二二极管的负极端与所述第四电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端接地，所述第六电容的一端与所述第四电阻的一端连接，所述第六电容的另一端与所述第四电阻的另一端连接，所述第七电容的一端与所述第六电容的一端连接，所述第七电容的另一端与所述第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与所述第六电容的另一端连接，所述第六电阻的一端与所述第五电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端与所述第八电容的一端连接，所述第八电容的另一端接地，所述第七电阻的一端分别与第二电源和第六电阻的另一端连接，所述第七电阻的另一端与第一三极管的集电极连接，所述第一三极管的基极与所述第五电阻的一端连接，所述第一三极管的发射极接地。

10.根据权利要求9所述的一种雾化追频液位检测系统，其特征在于：所述第二追频缺水检测模块包括有第九电容、第八电阻、第三二极管、第四二极管、第九电阻、第十电容、第十一电容、第十电阻、第十一电阻、第十二电容、第十二电阻和第二三极管，其中所述第九电容的一端与所述第二电感的另一端连接，所述第九电容的另一端与所述第八电阻的一端连接，所述第八电阻的另一端与第三二极管的负极端连接，所述第三二极管的正极端接地，所述第四二极管的正极端与所述第八电阻的另一端连接，所述第四二极管的负极端与所述第九电阻的一端连接，所述第九电阻的另一端接地，所述第十电容的一端与所述第九电阻的一端连接，所述第十电容的另一端与所述第九电阻的另一端连接，所述第十一电容的一端与所述第十电容的一端连接，所述第十一电容的另一端与所述第十电阻的一端连接，所述第十电阻的另一端与所述第十电容的另一端连接，所述第十一电阻的一端与所述第十电阻的一端连接，所述第十一电阻的另一端与所述第十二电容的一端连接，所述第十二电容的另一端接地，所述第十二电阻的一端分别与所述第二电源和所述第十一电阻的另一端连接，所述第十二电阻的另一端与所述第二三极管的集电极连接，所述第二三极管的基极与所述第十电阻的一端连接，所述第二三极管的发射极接地；所述控制芯片的第一输入端与所述第一三极管的集电极连接，所述控制芯片的第二输入端与所述第二三极管的集电极连接；所述第一晶体管和所述第二晶体管为NMOS管，所述第一三极管和所述第二三极管为NPN型三极管。

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